JP2014036120A - Variable capacitance element, mounting circuit, resonance circuit, communication device, communication system, wireless charging system, power supply device and electronic apparatus - Google Patents

Variable capacitance element, mounting circuit, resonance circuit, communication device, communication system, wireless charging system, power supply device and electronic apparatus Download PDF

Info

Publication number
JP2014036120A
JP2014036120A JP2012176665A JP2012176665A JP2014036120A JP 2014036120 A JP2014036120 A JP 2014036120A JP 2012176665 A JP2012176665 A JP 2012176665A JP 2012176665 A JP2012176665 A JP 2012176665A JP 2014036120 A JP2014036120 A JP 2014036120A
Authority
JP
Japan
Prior art keywords
correction
external terminal
capacitance
signal
unit
Prior art date
Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
Granted
Application number
JP2012176665A
Other languages
Japanese (ja)
Other versions
JP6076645B2 (en
Inventor
Masaki Kanno
正喜 管野
Norio Saito
憲男 斎藤
Current Assignee (The listed assignees may be inaccurate. Google has not performed a legal analysis and makes no representation or warranty as to the accuracy of the list.)
Dexerials Corp
Original Assignee
Dexerials Corp
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by Dexerials Corp filed Critical Dexerials Corp
Priority to JP2012176665A priority Critical patent/JP6076645B2/en
Priority to US14/419,136 priority patent/US10199173B2/en
Priority to CN201380042320.7A priority patent/CN104520951B/en
Priority to PCT/JP2013/070474 priority patent/WO2014024716A1/en
Priority to KR1020157005735A priority patent/KR20150042809A/en
Priority to TW102127696A priority patent/TWI581286B/en
Publication of JP2014036120A publication Critical patent/JP2014036120A/en
Application granted granted Critical
Publication of JP6076645B2 publication Critical patent/JP6076645B2/en
Active legal-status Critical Current
Anticipated expiration legal-status Critical

Links

Classifications

    • HELECTRICITY
    • H01ELECTRIC ELEMENTS
    • H01GCAPACITORS; CAPACITORS, RECTIFIERS, DETECTORS, SWITCHING DEVICES OR LIGHT-SENSITIVE DEVICES, OF THE ELECTROLYTIC TYPE
    • H01G7/00Capacitors in which the capacitance is varied by non-mechanical means; Processes of their manufacture
    • H01G7/06Capacitors in which the capacitance is varied by non-mechanical means; Processes of their manufacture having a dielectric selected for the variation of its permittivity with applied voltage, i.e. ferroelectric capacitors
    • HELECTRICITY
    • H01ELECTRIC ELEMENTS
    • H01GCAPACITORS; CAPACITORS, RECTIFIERS, DETECTORS, SWITCHING DEVICES OR LIGHT-SENSITIVE DEVICES, OF THE ELECTROLYTIC TYPE
    • H01G7/00Capacitors in which the capacitance is varied by non-mechanical means; Processes of their manufacture
    • HELECTRICITY
    • H02GENERATION; CONVERSION OR DISTRIBUTION OF ELECTRIC POWER
    • H02JCIRCUIT ARRANGEMENTS OR SYSTEMS FOR SUPPLYING OR DISTRIBUTING ELECTRIC POWER; SYSTEMS FOR STORING ELECTRIC ENERGY
    • H02J50/00Circuit arrangements or systems for wireless supply or distribution of electric power
    • H02J50/10Circuit arrangements or systems for wireless supply or distribution of electric power using inductive coupling
    • H02J50/12Circuit arrangements or systems for wireless supply or distribution of electric power using inductive coupling of the resonant type
    • HELECTRICITY
    • H02GENERATION; CONVERSION OR DISTRIBUTION OF ELECTRIC POWER
    • H02JCIRCUIT ARRANGEMENTS OR SYSTEMS FOR SUPPLYING OR DISTRIBUTING ELECTRIC POWER; SYSTEMS FOR STORING ELECTRIC ENERGY
    • H02J7/00Circuit arrangements for charging or depolarising batteries or for supplying loads from batteries
    • HELECTRICITY
    • H02GENERATION; CONVERSION OR DISTRIBUTION OF ELECTRIC POWER
    • H02JCIRCUIT ARRANGEMENTS OR SYSTEMS FOR SUPPLYING OR DISTRIBUTING ELECTRIC POWER; SYSTEMS FOR STORING ELECTRIC ENERGY
    • H02J7/00Circuit arrangements for charging or depolarising batteries or for supplying loads from batteries
    • H02J7/007Regulation of charging or discharging current or voltage

Abstract

PROBLEM TO BE SOLVED: To provide a variable capacitance element able to further reduce capacitance variation per variable capacitance element, and a mounting circuit including the variable capacitance element.SOLUTION: A variable capacitance element 10 comprises an element body part 11, a correction unit 12, an external terminal for a first signal 13, an external terminal for a second signal 16, external terminals for control 14, 15, and external terminals for capacitance collection 17, 18. The correction unit 12 includes second variable capacitor parts C9-C11 including a second dielectric layer made from ferroelectric material, and is connected with the element body part 11, and its capacitance changes according to a control voltage signal.

Description

本開示は、制御電圧の印加により容量が変化する可変容量素子、並びに、それを含む実装回路、共振回路、通信装置、通信システム、ワイヤレス充電システム、電源装置及び電子機器に関する。   The present disclosure relates to a variable capacitance element whose capacitance is changed by application of a control voltage, and a mounting circuit, a resonance circuit, a communication device, a communication system, a wireless charging system, a power supply device, and an electronic apparatus including the same.

従来、容量の調整が必要となるシステム及び装置(電子機器)に適用可能な可変容量コンデンサとして、強誘電体材料を用いた可変容量コンデンサが提案されている。このような可変容量コンデンサでは、比誘電率が高いので、電極のサイズや誘電体層の膜厚などの値が所望値からずれると、容量値の所望値からのずれも大きくなる。それゆえ、製造誤差等の影響により、可変容量コンデンサ毎に容量のバラツキも大きくなる。   Conventionally, a variable capacitor using a ferroelectric material has been proposed as a variable capacitor applicable to a system and apparatus (electronic equipment) that require adjustment of capacitance. In such a variable capacitor, since the relative permittivity is high, if the values such as the electrode size and the thickness of the dielectric layer deviate from the desired values, the deviation of the capacitance value from the desired value also increases. Therefore, due to the influence of manufacturing errors and the like, the variation in capacitance between the variable capacitors increases.

そこで、従来、上述した可変容量コンデンサ毎の容量バラツキを抑制するための技術が種々提案されている(例えば、特許文献1参照)。特許文献1には、誘電体層を間に挟んで対向する第1電極と第2電極とが、相対的に位置ずれを起こしても、第1電極を第2電極の面に投影した際の領域の面積が変化しない可変容量コンデンサが提案されている。   Therefore, various techniques for suppressing the above-described capacitance variation for each variable capacitor have been proposed (for example, see Patent Document 1). In Patent Document 1, even when the first electrode and the second electrode facing each other with the dielectric layer interposed therebetween are relatively displaced, the first electrode is projected onto the surface of the second electrode. A variable capacitor has been proposed in which the area of the region does not change.

特開2010−258402号公報JP 2010-258402 A

上述のように、従来、強誘電体材料を用いた可変容量コンデンサにおいて、コンデンサ毎の容量バラツキを小さくするための技術が提案されている。しかしながら、この技術分野では、可変容量コンデンサの容量バラツキをさらに抑制することが可能な技術の開発が求められている。   As described above, conventionally, there has been proposed a technique for reducing the capacitance variation between capacitors in a variable capacitor using a ferroelectric material. However, in this technical field, development of a technology capable of further suppressing the capacitance variation of the variable capacitor is required.

本開示は、上記要望に応えるためになされたものである。本開示の目的は、可変容量素子毎の容量バラツキをより一層低減することが可能な可変容量素子、並びに、それを含む実装回路、共振回路、通信装置、通信システム、ワイヤレス充電システム、電源装置及び電子機器を提供することである。   The present disclosure has been made to meet the above demand. An object of the present disclosure is to provide a variable capacitance element capable of further reducing capacitance variation for each variable capacitance element, a mounting circuit including the same, a resonance circuit, a communication device, a communication system, a wireless charging system, a power supply device, and To provide electronic equipment.

上記課題を解決するために、本開示の可変容量素子は、素子本体部と、補正部と、第1信号用外部端子と、第2信号用外部端子と、制御用外部端子と、容量補正用外部端子とを備える構成とし、各部の構成を次のようにする。素子本体部は、強誘電体材料で形成された第1誘電体層を含む第1の可変コンデンサ部を有し、外部から印加される制御電圧信号に応じて容量が変化する。補正部は、強誘電体材料で形成された第2誘電体層を含む第2の可変コンデンサ部を有し、素子本体部に接続され、制御電圧信号に応じて容量が変化する。第1信号用外部端子は、素子本体部に接続され、交流信号が入力される。第2信号用外部端子は、素子本体部又は補正部に接続され、交流信号が入力される。制御用外部端子は、素子本体部に接続され、制御電圧信号が入力される。容量補正用外部端子は、補正部に接続される。   In order to solve the above problems, a variable capacitance element of the present disclosure includes an element main body, a correction unit, a first signal external terminal, a second signal external terminal, a control external terminal, and a capacitance correction element. The configuration includes an external terminal, and the configuration of each unit is as follows. The element main body includes a first variable capacitor including a first dielectric layer formed of a ferroelectric material, and the capacitance changes according to a control voltage signal applied from the outside. The correction unit has a second variable capacitor unit including a second dielectric layer formed of a ferroelectric material, is connected to the element body unit, and changes its capacitance according to a control voltage signal. The first signal external terminal is connected to the element body and receives an AC signal. The second signal external terminal is connected to the element body or the correction unit and receives an AC signal. The control external terminal is connected to the element body and receives a control voltage signal. The external terminal for capacity correction is connected to the correction unit.

また、本開示の実装回路は、上記本開示の可変容量素子と同様の構成の、素子本体部、補正部、第1信号用外部端子、第2信号用外部端子、制御用外部端子、及び、容量補正用外部端子と、制御用外部端子に接続されたバイアス抵抗とを備える。   The mounting circuit of the present disclosure includes an element body, a correction unit, a first signal external terminal, a second signal external terminal, a control external terminal, and a configuration similar to the variable capacitance element of the present disclosure. A capacitance correction external terminal and a bias resistor connected to the control external terminal are provided.

また、本開示の共振回路は、上記本開示の可変容量素子を含む共振コンデンサと、共振コンデンサに接続された共振コイルとを備える。   A resonance circuit of the present disclosure includes a resonance capacitor including the variable capacitance element of the present disclosure and a resonance coil connected to the resonance capacitor.

本開示の通信装置は、上記本開示の可変容量素子を含む共振コンデンサと、共振コンデンサに接続された共振コイルとを含み、外部と非接触通信を行う受信アンテナ部と、可変容量素子の制御用外部端子に制御電圧信号を出力する電圧発生回路とを備える。   A communication device of the present disclosure includes a resonance capacitor including the variable capacitance element of the present disclosure, a resonance coil connected to the resonance capacitor, a receiving antenna unit that performs non-contact communication with the outside, and for controlling the variable capacitance element A voltage generation circuit for outputting a control voltage signal to an external terminal.

本開示の通信システムは、送信装置と、送信装置と非接触通信を行う受信装置とを備える構成とする。また、本開示の通信システムでは、送信装置は、上記本開示の可変容量素子を含む共振コンデンサと、共振コンデンサに接続された共振コイルとを含む送信アンテナ部を有する。   The communication system according to the present disclosure includes a transmission device and a reception device that performs non-contact communication with the transmission device. In the communication system according to the present disclosure, the transmission device includes a transmission antenna unit including a resonance capacitor including the variable capacitance element according to the present disclosure and a resonance coil connected to the resonance capacitor.

本開示のワイヤレス充電システムは、給電装置と、受電装置とを備える構成とする。また、本開示のワイヤレス充電システムでは、給電装置は、上記本開示の第1可変容量素子を含む第1共振コンデンサと、第1共振コンデンサに接続された第1共振コイルとにより構成される給電アンテナ部を有する。さらに、本開示のワイヤレス充電システムでは、受電装置は、上記本開示の第2可変容量素子を含む第2共振コンデンサと、第2共振コンデンサに接続された第2共振コイルとにより構成され、給電アンテナ部と非接触通信を行う受電アンテナ部を有する。   The wireless charging system of the present disclosure is configured to include a power feeding device and a power receiving device. In the wireless charging system of the present disclosure, the power feeding device includes a first resonant capacitor including the first variable capacitance element of the present disclosure and a first resonant coil connected to the first resonant capacitor. Part. Furthermore, in the wireless charging system according to the present disclosure, the power receiving device includes a second resonance capacitor including the second variable capacitance element according to the present disclosure, and a second resonance coil connected to the second resonance capacitor, and a power feeding antenna A power receiving antenna unit that performs non-contact communication with the unit.

本開示の電源装置は、電源供給部と、電源供給部から供給された交流電力を直流電力に変換する整流回路部と、可変インピーダンス部とを備える構成とする。そして、本開示の電源装置では、可変インピーダンス部は、上記本開示の可変容量素子を含み、電源供給部と整流回路部との間に設けられる。   The power supply device according to the present disclosure includes a power supply unit, a rectifier circuit unit that converts AC power supplied from the power supply unit into DC power, and a variable impedance unit. In the power supply device according to the present disclosure, the variable impedance unit includes the variable capacitance element according to the present disclosure, and is provided between the power supply unit and the rectifier circuit unit.

本開示の第1の電子機器は、通信部と、電圧発生回路とを備える構成とし、通信部及び電圧発生回路の構成を次のようにする。通信部は、上記本開示の可変容量素子を含む共振コンデンサと、共振コンデンサに接続された共振コイルとにより構成され、外部と非接触通信を行う。電圧発生回路は、可変容量素子の制御用外部端子に制御電圧信号を出力する。   The first electronic device according to the present disclosure includes a communication unit and a voltage generation circuit, and the configuration of the communication unit and the voltage generation circuit is as follows. The communication unit includes a resonance capacitor including the variable capacitance element of the present disclosure and a resonance coil connected to the resonance capacitor, and performs non-contact communication with the outside. The voltage generation circuit outputs a control voltage signal to the control external terminal of the variable capacitance element.

本開示の第2の電子機器は、上記本開示のワイヤレス給電システムの給電装置及び受電装置と、それぞれ同様の構成を有する給電装置部及び受電装置部で構成される。   The second electronic device according to the present disclosure includes a power feeding device and a power receiving device of the wireless power feeding system according to the present disclosure, and a power feeding device unit and a power receiving device unit having the same configuration.

本開示の第3の電子機器は、上記本開示の電源装置の電源供給部、整流回路部及び可変インピーダンス部を備える構成とする。   A third electronic device according to the present disclosure includes a power supply unit, a rectifier circuit unit, and a variable impedance unit of the power supply device according to the present disclosure.

本開示の第4の電子機器は、上記第1の電子機器と同様の構成の通信装置部と、上記第2の電子機器と同様の構成の給電装置部及び受電装置部とを備える構成とする。   A fourth electronic device of the present disclosure includes a communication device unit having a configuration similar to that of the first electronic device, and a power supply device unit and a power receiving device unit having a configuration similar to that of the second electronic device. .

本開示の第5の電子機器は、上記第1の電子機器と同様の構成の通信装置部と、上記第3の電子機器と同様の構成の電源装置部とを備える構成とする。   A fifth electronic device of the present disclosure includes a communication device unit having a configuration similar to that of the first electronic device and a power supply device unit having a configuration similar to that of the third electronic device.

本開示の第6の電子機器は、上記第2の電子機器と同様の構成の給電装置部及び受電装置部と、上記第3の電子機器と同様の構成の電源装置部とを備える構成とする。   A sixth electronic device according to the present disclosure includes a power supply device unit and a power receiving device unit having a configuration similar to that of the second electronic device, and a power supply device unit having a configuration similar to that of the third electronic device. .

本開示の第7の電子機器は、上記第1の電子機器と同様の構成の通信装置部と、上記第2の電子機器と同様の構成の給電装置部及び受電装置部と、上記第3の電子機器と同様の構成の電源装置部とを備える構成とする。   A seventh electronic device of the present disclosure includes a communication device unit having a configuration similar to that of the first electronic device, a power feeding device unit and a power receiving device unit having a configuration similar to that of the second electronic device, and the third device. A power supply unit having the same configuration as that of the electronic device is provided.

上述のように、本開示の可変容量素子では、外部端子として、第1及び第2信号用外部端子、並びに、制御用外部端子だけでなく、さらに、第2の可変コンデンサ部を有する補正部に接続された容量補正用外部端子を設ける。このような構成では、可変容量素子を外部の回路基板等に実装した後、第2信号用外部端子と容量補正用外部端子との電気的な接続状態を、例えば外部配線等により変更することにより、可変容量素子の容量を調整することができる。   As described above, in the variable capacitance element of the present disclosure, not only the first and second signal external terminals and the control external terminal as external terminals, but also a correction unit having a second variable capacitor unit is provided. A connected external terminal for capacitance correction is provided. In such a configuration, after the variable capacitance element is mounted on an external circuit board or the like, the electrical connection state between the second signal external terminal and the capacitance correction external terminal is changed, for example, by external wiring or the like. The capacitance of the variable capacitance element can be adjusted.

本開示の可変容量素子では、上述のように、可変容量素子を外部の回路基板等に実装した後に可変容量素子の容量を調整することができる。それゆえ、本開示によれば、可変容量素子の容量バラツキを低減することができる。   In the variable capacitance element of the present disclosure, as described above, the capacitance of the variable capacitance element can be adjusted after the variable capacitance element is mounted on an external circuit board or the like. Therefore, according to the present disclosure, it is possible to reduce the capacitance variation of the variable capacitance element.

本開示に係る可変容量素子の概略ブロック構成図である。It is a schematic block block diagram of the variable capacitance element which concerns on this indication. 本開示に係る可変容量素子の補正部の概略内部構成図である。It is a schematic internal block diagram of the correction | amendment part of the variable capacitance element which concerns on this indication. 第1の実施形態に係る可変容量素子の概略構成図である。1 is a schematic configuration diagram of a variable capacitance element according to a first embodiment. 第1の実施形態に係る可変容量素子が実装された実装回路の概略構成図である。It is a schematic block diagram of the mounting circuit by which the variable capacitance element which concerns on 1st Embodiment was mounted. 第1の実施形態の可変容量素子における、補正部の接続状態と、バラツキ量に対する容量の変化特性との関係を示す図である。It is a figure which shows the relationship between the connection state of the correction | amendment part in the variable capacitance element of 1st Embodiment, and the change characteristic of the capacity | capacitance with respect to the variation amount. 第1の実施形態の可変容量素子における容量バラツキの補正処理(第1の補正処理)を説明するための図である。It is a figure for demonstrating the correction process (1st correction process) of the capacitance variation in the variable capacitance element of 1st Embodiment. 変形例1の可変容量素子が実装された実装回路の概略構成図である。It is a schematic block diagram of the mounting circuit by which the variable capacitance element of the modification 1 was mounted. 変形例1の可変容量素子における、補正部の接続状態と、バラツキ量に対する容量の変化特性との関係を示す図である。It is a figure which shows the relationship between the connection state of the correction | amendment part in the variable capacitance element of the modification 1, and the change characteristic of the capacity | capacitance with respect to variation amount. 変形例1の可変容量素子における容量バラツキの補正処理(第2の補正処理)を説明するための図である。FIG. 12 is a diagram for describing a capacitance variation correction process (second correction process) in the variable capacitance element according to Modification 1; 変形例2における容量バラツキの補正処理(第3の補正処理)を説明するための図である。FIG. 10 is a diagram for explaining a capacity variation correction process (third correction process) in Modification 2. 本開示に係る可変容量素子の容量バラツキの分布図である。It is a distribution map of the capacitance variation of the variable capacitance element concerning this indication. 補正処理の手法と可変容量素子の容量バラツキの分布との関係を示す図である。It is a figure which shows the relationship between the method of correction | amendment processing, and distribution of the capacitance variation of a variable capacitance element. 第2の実施形態に係る可変容量素子が実装された実装回路の概略構成図である。It is a schematic block diagram of the mounting circuit by which the variable capacitance element which concerns on 2nd Embodiment was mounted. 第2の実施形態の可変容量素子における、補正部の接続状態と、バラツキ量に対する容量の変化特性との関係を示す図である。It is a figure which shows the relationship between the connection state of the correction | amendment part in the variable capacitance element of 2nd Embodiment, and the change characteristic of the capacity | capacitance with respect to variation amount. 第2の実施形態の可変容量素子における容量バラツキの補正処理を説明するための図である。It is a figure for demonstrating the correction process of the capacitance variation in the variable capacitance element of 2nd Embodiment. 第3の実施形態に係る可変容量素子の概略構成図である。It is a schematic block diagram of the variable capacitance element which concerns on 3rd Embodiment. 第3の実施形態に係る可変容量素子が実装された実装回路の概略構成図である。It is a schematic block diagram of the mounting circuit by which the variable capacitance element which concerns on 3rd Embodiment was mounted. 第3の実施形態の可変容量素子における容量バラツキの補正処理(第1の補正処理)を説明するための図である。It is a figure for demonstrating the correction process (1st correction process) of the capacitance variation in the variable capacitance element of 3rd Embodiment. 第3の実施形態の可変容量素子における容量バラツキの補正処理(第2の補正処理)を説明するための図である。It is a figure for demonstrating the correction process (2nd correction process) of the capacitance variation in the variable capacitance element of 3rd Embodiment. 変形例4に係る可変容量素子が実装された実装回路の概略構成図である。It is a schematic block diagram of the mounting circuit by which the variable capacitance element which concerns on the modification 4 was mounted. 変形例5−1に係る可変容量素子が実装された実装回路の概略構成図である。It is a schematic block diagram of the mounting circuit by which the variable capacity element concerning the modification 5-1 was mounted. 変形例5−2に係る可変容量素子が実装された実装回路の概略構成図である。It is a schematic block diagram of the mounting circuit by which the variable capacitance element concerning the modification 5-2 was mounted. 第4の実施形態に係る可変容量素子が実装された実装回路の概略構成図である。It is a schematic block diagram of the mounting circuit by which the variable capacitance element which concerns on 4th Embodiment was mounted. 変形例6に係る可変容量素子が実装された実装回路の概略構成図である。It is a schematic block diagram of the mounting circuit by which the variable capacitance element which concerns on the modification 6 was mounted. 本開示の可変容量素子を含む通信装置(応用例1)の概略構成図である。It is a schematic block diagram of the communication apparatus (application example 1) containing the variable capacitance element of this indication. 本開示の可変容量素子を含む通信システム(応用例2)の概略ブロック構成図である。It is a schematic block block diagram of the communication system (application example 2) containing the variable capacitance element of this indication. 本開示の可変容量素子を含むワイヤレス充電システム(応用例3)の概略ブロック構成図である。It is a schematic block block diagram of the wireless charging system (application example 3) containing the variable capacitance element of this indication. 本開示の可変容量素子を含む電源装置(応用例4)の概略ブロック構成図である。It is a schematic block block diagram of the power supply device (application example 4) containing the variable capacitance element of this indication.

以下に、本開示の各種実施形態に係る可変容量素子の構成例を、図面を参照しながら下記の順で説明する。ただし、本開示は下記の例に限定されない。
1.本開示に係る可変容量素子の概要
2.第1の実施形態:直列型の可変容量素子の第1の構成例
3.第2の実施形態:直列型の可変容量素子の第2の構成例
4.第3の実施形態:直列型の可変容量素子の第3の構成例
5.第4の実施形態:並列型の可変容量素子の構成例
6.各種応用例
Hereinafter, configuration examples of variable capacitance elements according to various embodiments of the present disclosure will be described in the following order with reference to the drawings. However, the present disclosure is not limited to the following example.
1. 1. Outline of variable capacitance element according to the present disclosure 1. First embodiment: first configuration example of series variable capacitance element 2. Second embodiment: second configuration example of series variable capacitance element 3. Third embodiment: third configuration example of series variable capacitance element Fourth Embodiment: Configuration Example of Parallel Type Variable Capacitance Element 6. Various application examples

<1.本開示に係る可変容量素子の概要>
[容量バラツキの影響]
まず、本開示に係る可変容量素子の概要を説明する前に、この技術分野で、可変容量素子の容量バラツキをさらに抑制することが求められている理由を簡単に説明する。
<1. Overview of Variable Capacitance Element According to Present Disclosure>
[Influence of capacity variation]
First, before explaining the outline of the variable capacitance element according to the present disclosure, the reason why it is required to further suppress the capacitance variation of the variable capacitance element in this technical field will be briefly described.

上述のように、強誘電体材料を用いた可変容量素子では、その製造誤差等の影響により、可変容量素子毎の容量バラツキが大きくなる。このような容量バラツキの大きい可変容量素子を、例えば通信システム等に適用した場合、可変容量素子における容量の実質的な可変範囲(利用可能範囲)は、容量バラツキが無い場合の容量の可変範囲から容量バラツキを差し引いた範囲となる。この場合には、通信システム等において実質的に可変できる容量の範囲が狭くなる。   As described above, in the variable capacitance element using the ferroelectric material, the capacitance variation for each variable capacitance element increases due to the influence of the manufacturing error and the like. When such a variable capacitance element with large capacitance variation is applied to, for example, a communication system, the substantial variable range (usable range) of the capacitance in the variable capacitance device is from the capacitance variable range when there is no capacitance variation. This is the range after subtracting the capacity variation. In this case, the range of the capacity that can be substantially changed in the communication system or the like is narrowed.

より具体的に説明すると、今、例えば、可変容量素子毎の容量バラツキが±10%(1C±0.1C)となる可変容量素子を通信システム等に適用した場合を考える。また、可変容量素子に対して3Vの制御電圧Vcを印加した場合、容量が30%低下するような可変容量素子を用いる場合を考える。   More specifically, for example, consider a case where a variable capacitance element having a capacitance variation of ± 10% (1C ± 0.1C) for each variable capacitance element is applied to a communication system or the like. Also, consider the case of using a variable capacitance element whose capacitance is reduced by 30% when a control voltage Vc of 3 V is applied to the variable capacitance element.

この場合、例えば容量が所望の容量(容量のバラツキ量が0%:容量=1.0C)である可変容量素子において、制御電圧Vcを0V〜3Vの間で変化させると、可変容量素子の容量の可変範囲は1.0C〜0.7C(ΔC=0.3C)となる。また、例えば容量が所望の容量から10%高い(容量のバラツキ量が+10%:容量=1.1C)可変容量素子において、制御電圧Vcを0V〜3Vの間で変化させると、可変容量素子の容量の可変範囲は1.1C〜0.77Cとなる。さらに、例えば容量が所望の容量から10%低い(容量のバラツキ量が−10%:容量=0.9C)可変容量素子において、制御電圧Vcを0V〜3Vの間で変化させると、可変容量素子の容量の可変範囲は0.9C〜0.63Cとなる。   In this case, for example, in a variable capacitance element having a desired capacitance (capacity variation amount: 0%: capacitance = 1.0 C), when the control voltage Vc is changed between 0 V and 3 V, the capacitance of the variable capacitance element The variable range is 1.0C to 0.7C (ΔC = 0.3C). Further, for example, in a variable capacitance element whose capacitance is 10% higher than the desired capacitance (capacity variation amount is + 10%: capacitance = 1.1C), when the control voltage Vc is changed between 0V and 3V, The variable range of the capacity is 1.1C to 0.77C. Further, for example, in a variable capacitance element whose capacitance is 10% lower than the desired capacitance (capacity variation amount is −10%: capacitance = 0.9 C), when the control voltage Vc is changed between 0 V and 3 V, the variable capacitance element The variable range of the capacitance is 0.9C to 0.63C.

それゆえ、上述のような、可変容量素子毎の容量バラツキが±10%である可変容量素子を通信システム等に適用した場合、実際に利用できる容量の可変範囲は、上記3つの可変範囲の重なり部分となる。すなわち、上記例において、利用できる容量の可変範囲は、0.9C〜0.77C(ΔC=0.13C)となり、容量のバラツキ量が無い場合(ΔC=0.3C)に比べて、半分以下の範囲になる。それゆえ、可変容量素子毎の容量バラツキが大きくなると、実際に利用できる容量の可変範囲が非常に小さくなり、誘電体層の形成材料として、比誘電率の高い強誘電体材料を用いた利点が十分活かされないことになる。   Therefore, when a variable capacitance element having a capacitance variation of ± 10% as described above is applied to a communication system or the like, the actually usable variable range is the overlap of the above three variable ranges. Part. That is, in the above example, the usable variable range of the capacity is 0.9C to 0.77C (ΔC = 0.13C), which is less than half compared with the case where there is no variation in capacity (ΔC = 0.3% C). It becomes the range. Therefore, when the capacitance variation for each variable capacitance element increases, the variable range of the capacitance that can be actually used becomes very small, and there is an advantage of using a ferroelectric material having a high relative dielectric constant as a material for forming the dielectric layer. It will not be fully utilized.

そこで、本開示では、上述のような課題を解消するために、可変容量素子毎の容量バラツキが大きくても、可変容量素子を通信システム等に実装した後に、その容量バラツキを小さくすることができるような構成の可変容量素子を提案する。   Therefore, in the present disclosure, in order to solve the above-described problem, even if the capacitance variation for each variable capacitance element is large, the capacitance variation can be reduced after the variable capacitance element is mounted in a communication system or the like. A variable capacitance element having such a configuration is proposed.

[可変容量素子の構成の概要]
本開示に係る可変容量素子の概要を、図1(a)及び(b)、並びに、図2(a)及び(b)を参照しながら説明する。なお、図1(a)及び(b)は、本開示に係る可変容量素子の概略ブロック構成図であり、図2(a)及び(b)は、後述の補正部4の概略内部構成図である。また、ここでは、説明を簡略化するため、後述の補正部4が2つの補正コンデンサ部で構成される例を示す。
[Outline of configuration of variable capacitance element]
An outline of the variable capacitance element according to the present disclosure will be described with reference to FIGS. 1A and 1B and FIGS. 2A and 2B. 1A and 1B are schematic block configuration diagrams of a variable capacitance element according to the present disclosure, and FIGS. 2A and 2B are schematic internal configuration diagrams of a correction unit 4 described later. is there. Further, here, in order to simplify the description, an example in which a correction unit 4 described later is configured by two correction capacitor units is shown.

本開示に係る可変容量素子1,2は、コンデンサ本体部3(素子本体部)と、コンデンサ本体部3の容量バラツキを補正するための補正部4とを備える。また、可変容量素子1,2は、コンデンサ本体部3に接続された信号用外部端子5(第1信号用外部端子)と、2つの補正用外部端子6(容量補正用外部端子)とを備える。   The variable capacitance elements 1 and 2 according to the present disclosure include a capacitor main body 3 (element main body) and a correction unit 4 for correcting the capacitance variation of the capacitor main body 3. The variable capacitance elements 1 and 2 include a signal external terminal 5 (first signal external terminal) connected to the capacitor body 3 and two correction external terminals 6 (capacitance correction external terminals). .

図1(a)に示す直列型の可変容量素子1では、コンデンサ本体部3と、補正部4とが内部端子7を介して直列接続される。また、直列型の可変容量素子1を外部システムの回路基板等に実装した際には、信号用外部端子5が、交流信号の一方の入力端(AC1)に接続され、2つの補正用外部端子6のうち少なくとも一つの端子が交流信号の他方の入力端(AC2)に接続される。すなわち、直列型の可変容量素子1では、2つの補正用外部端子6のうち少なくとも一つの端子が信号用外部端子(第2信号用外部端子)としても用いられる。   In the series-type variable capacitance element 1 shown in FIG. 1A, the capacitor main body 3 and the correction unit 4 are connected in series via an internal terminal 7. When the series type variable capacitance element 1 is mounted on a circuit board or the like of an external system, the signal external terminal 5 is connected to one input end (AC1) of the AC signal, and two correction external terminals are connected. At least one of the terminals 6 is connected to the other input terminal (AC2) of the AC signal. That is, in the series type variable capacitance element 1, at least one of the two correction external terminals 6 is also used as a signal external terminal (second signal external terminal).

一方、図1(b)に示す並列型の可変容量素子2では、コンデンサ本体部3(素子本体部)と、補正部4とは内部端子7を介して並列接続される。また、並列型の可変容量素子2では、2つの補正用外部端子6のうち、一方の補正用外部端子6(第2信号用外部端子)がコンデンサ本体部3に接続され、他方の補正用外部端子6(容量補正用外部端子)が補正部4に接続される。なお、並列型の可変容量素子2を外部システムの回路基板等に実装した際には、信号用外部端子5が、交流信号の一方の入力端(AC1)に接続され、コンデンサ本体部3に接続された一方の補正用外部端子6が交流信号の他方の入力端(AC2)に接続される。すなわち、並列型の可変容量素子2では、少なくとも、コンデンサ本体部3に接続された一方の補正用外部端子6が信号用外部端子としても用いられる。   On the other hand, in the parallel type variable capacitance element 2 shown in FIG. 1B, the capacitor main body 3 (element main body) and the correction unit 4 are connected in parallel via the internal terminal 7. Further, in the parallel type variable capacitance element 2, of the two correction external terminals 6, one correction external terminal 6 (second signal external terminal) is connected to the capacitor body 3, and the other correction external terminal 6 is connected. Terminal 6 (external terminal for capacitance correction) is connected to the correction unit 4. When the parallel type variable capacitance element 2 is mounted on a circuit board or the like of an external system, the signal external terminal 5 is connected to one input terminal (AC1) of the AC signal and connected to the capacitor body 3. One of the corrected external terminals 6 is connected to the other input terminal (AC2) of the AC signal. That is, in the parallel type variable capacitance element 2, at least one of the correction external terminals 6 connected to the capacitor main body 3 is also used as a signal external terminal.

また、コンデンサ本体部3及び補正部4は、それぞれ、複数の誘電体層が、電極層を間に挟んで積層された積層型コンデンサで構成される。図2(a)及び(b)に示す例では、補正部4は、2つのコンデンサを積層して構成される。なお、各誘電体層は、その製法に応じて、一つの誘電体膜で構成してもよいし、複数の誘電体膜を積層して構成してもよい。   Each of the capacitor body 3 and the correction unit 4 is composed of a multilayer capacitor in which a plurality of dielectric layers are stacked with an electrode layer interposed therebetween. In the example shown in FIGS. 2A and 2B, the correction unit 4 is configured by stacking two capacitors. Each dielectric layer may be constituted by a single dielectric film or may be constituted by laminating a plurality of dielectric films according to the manufacturing method.

補正部4は、図2(a)及び(b)に示すように、第1補正コンデンサ部8及び第2補正コンデンサ部9で構成され、この2つの補正コンデンサ部が直列又は並列に接続されて構成される。なお、第1補正コンデンサ部8及び第2補正コンデンサ部9間の接続は、内部配線により行われる。   As shown in FIGS. 2A and 2B, the correction unit 4 includes a first correction capacitor unit 8 and a second correction capacitor unit 9, and these two correction capacitor units are connected in series or in parallel. Composed. The connection between the first correction capacitor unit 8 and the second correction capacitor unit 9 is made by internal wiring.

[容量バラツキの補正手法の概要]
本開示では、上記構成の可変容量素子1,2を外部のシステムの回路基板等に実装した後、可変容量素子1,2の容量が所望の範囲の容量となるように、可変容量素子1,2の容量を次のようにして調整する。まず、可変容量素子1,2を外部のシステムの回路基板に実装し、その状態(制御電圧0Vの状態)で各補正用外部端子6の容量を測定する。
[Outline of correction method for capacity variation]
In the present disclosure, after the variable capacitance elements 1 and 2 having the above-described configuration are mounted on a circuit board or the like of an external system, the variable capacitance elements 1 and 2 are set so that the capacitance of the variable capacitance elements 1 and 2 is within a desired range. The capacity of 2 is adjusted as follows. First, the variable capacitance elements 1 and 2 are mounted on a circuit board of an external system, and the capacitance of each correction external terminal 6 is measured in that state (control voltage 0 V).

次いで、各補正用外部端子6の容量の測定結果に基づいて、可変容量素子1,2の容量が所望の範囲の容量になるように、実装基板上で複数の補正用外部端子6間の接続状態を変更する。具体的には、実装時に複数の補正用外部端子6が、実装基板の外部配線で接続された状態である場合には、外部配線の配線パターンをカットして、可変容量素子1,2の容量を調整する。また、実装時に複数の補正用外部端子6が、互いに接続されていない状態である場合には、所定の2つの補正用外部端子6間を外部配線で接続して、可変容量素子1,2の容量を調整する。   Next, based on the measurement result of the capacitance of each correction external terminal 6, the connection between the plurality of correction external terminals 6 on the mounting substrate is performed so that the capacitance of the variable capacitance elements 1 and 2 becomes a capacitance within a desired range. Change state. Specifically, when a plurality of correction external terminals 6 are connected by the external wiring of the mounting substrate at the time of mounting, the wiring pattern of the external wiring is cut and the capacitance of the variable capacitance elements 1 and 2 is cut. Adjust. Further, when the plurality of correction external terminals 6 are not connected to each other at the time of mounting, the predetermined two correction external terminals 6 are connected by an external wiring, and the variable capacitance elements 1 and 2 are connected. Adjust the capacity.

このような実装基板上における外部配線のカット技術や接続技術は、従来既知の手法を用いて容易に実施することができる。なお、複数の補正用外部端子6間の接続状態の変更手法については、以下の各種実施形態において、より詳細に説明する。   Such an external wiring cutting technique and connection technique on the mounting substrate can be easily implemented using a conventionally known technique. The method for changing the connection state between the plurality of correction external terminals 6 will be described in more detail in the following various embodiments.

上記構成の可変容量素子1,2を用いることにより、実装後に基板上で複数の補正用外部端子6間の電気的な接続状態を変更するだけで、容易に、可変容量素子1,2の容量を所定範囲の容量に調整することできる。すなわち、本開示では、可変容量素子1,2の実装前の容量バラツキが大きくても、実装後に、可変容量素子1,2の容量バラツキを低減することができる。それゆえ、本開示に係る可変容量素子1,2では、上述した容量バラツキにより発生する課題を解消することができ、比誘電率の高い強誘電体材料を用いた利点を十分活かすことができる。   By using the variable capacitance elements 1 and 2 having the above configuration, the capacitance of the variable capacitance elements 1 and 2 can be easily changed by simply changing the electrical connection state between the plurality of correction external terminals 6 on the substrate after mounting. Can be adjusted to a predetermined range of capacity. That is, in the present disclosure, even if the capacitance variation before mounting of the variable capacitance elements 1 and 2 is large, the capacitance variation of the variable capacitance elements 1 and 2 can be reduced after mounting. Therefore, in the variable capacitance elements 1 and 2 according to the present disclosure, the problem caused by the capacitance variation described above can be solved, and the advantage of using the ferroelectric material having a high relative dielectric constant can be fully utilized.

<2.第1の実施形態:直列型の可変容量素子の第1の構成例>
第1の実施形態では、コンデンサ本体部と補正部とが直列接続され、かつ、補正部内の複数の補正コンデンサ部が並列接続された可変容量素子、及び、それを備えた実装回路の構成例について説明する。
<2. First Embodiment: First Configuration Example of Series-Type Variable Capacitance Element>
In the first embodiment, a capacitor body unit and a correction unit are connected in series, and a plurality of correction capacitor units in the correction unit are connected in parallel, and a configuration example of a mounting circuit including the variable capacitance element explain.

[可変容量素子の構成]
まず、第1の実施形態に係る可変容量素子の構成を、図3を参照しながら説明する。なお、図3は、第1の実施形態に係る可変容量素子の概略構成図である。
[Configuration of variable capacitance element]
First, the configuration of the variable capacitance element according to the first embodiment will be described with reference to FIG. FIG. 3 is a schematic configuration diagram of the variable capacitance element according to the first embodiment.

第1の実施形態の可変容量素子10は、コンデンサ本体部11(素子本体部)と、該コンデンサ本体部11と直列に接続された補正部12とを備える。また、可変容量素子10は、信号用外部端子13(第1信号用外部端子)と、4つの第1制御用外部端子14(制御用外部端子)と、4つの第2制御用外部端子15(制御用外部端子)とを備える。さらに、可変容量素子10は、3つの補正用外部端子(以下、第1補正用外部端子16〜第3補正用外部端子18と記す:容量補正用外部端子及び第2信号用外部端子)を備える。   The variable capacitance element 10 of the first embodiment includes a capacitor main body 11 (element main body) and a correction unit 12 connected in series with the capacitor main body 11. The variable capacitance element 10 includes a signal external terminal 13 (first signal external terminal), four first control external terminals 14 (control external terminals), and four second control external terminals 15 ( Control external terminal). Further, the variable capacitance element 10 includes three correction external terminals (hereinafter referred to as a first correction external terminal 16 to a third correction external terminal 18: a capacitance correction external terminal and a second signal external terminal). .

コンデンサ本体部11は、8つの可変容量コンデンサ部(以下、それぞれ、第1可変コンデンサ部C1〜第8可変コンデンサ部C8と記す:第1の可変コンデンサ部)を備える。また、本実施形態では、第1可変コンデンサ部C1〜第8可変コンデンサ部C8は直列接続される。さらに、8つの可変コンデンサ部からなる直列回路の第1可変コンデンサ部C1側の端部が信号用外部端子13に接続され、該直列回路の第8可変コンデンサ部C8側の端部が補正部12に接続される。   The capacitor body 11 includes eight variable capacitor parts (hereinafter referred to as first variable capacitor part C1 to eighth variable capacitor part C8: a first variable capacitor part). In the present embodiment, the first variable capacitor unit C1 to the eighth variable capacitor unit C8 are connected in series. Further, an end portion on the first variable capacitor portion C1 side of the series circuit composed of eight variable capacitor portions is connected to the signal external terminal 13, and an end portion on the eighth variable capacitor portion C8 side of the series circuit is the correction portion 12. Connected to.

また、第2可変コンデンサ部C2及び第3可変コンデンサ部C3間の接続点、並びに、第4可変コンデンサ部C4及び第5可変コンデンサ部C5間の接続点はそれぞれ、対応する第1制御用外部端子14に接続される。さらに、第6可変コンデンサ部C6及び第7可変コンデンサ部C7間の接続点、並びに、第8可変コンデンサ部C8及び補正部12間の接続点もそれぞれ、対応する第1制御用外部端子14に接続される。   Further, the connection point between the second variable capacitor unit C2 and the third variable capacitor unit C3 and the connection point between the fourth variable capacitor unit C4 and the fifth variable capacitor unit C5 are respectively the corresponding first control external terminals. 14. Further, the connection point between the sixth variable capacitor unit C6 and the seventh variable capacitor unit C7 and the connection point between the eighth variable capacitor unit C8 and the correction unit 12 are also connected to the corresponding first control external terminals 14, respectively. Is done.

また、第1可変コンデンサ部C1及び第2可変コンデンサ部C2間の接続点、並びに、第3可変コンデンサ部C3及び第4可変コンデンサ部C4間の接続点はそれぞれ、対応する第2制御用外部端子15に接続される。さらに、第5可変コンデンサ部C5及び第6可変コンデンサ部C6間の接続点、並びに、第7可変コンデンサ部C7及び第8可変コンデンサ部C8間の接続点もそれぞれ、対応する第2制御用外部端子15に接続される。   Further, the connection point between the first variable capacitor unit C1 and the second variable capacitor unit C2, and the connection point between the third variable capacitor unit C3 and the fourth variable capacitor unit C4 are respectively the corresponding second control external terminals. 15 is connected. Further, the connection point between the fifth variable capacitor unit C5 and the sixth variable capacitor unit C6 and the connection point between the seventh variable capacitor unit C7 and the eighth variable capacitor unit C8 are respectively corresponding second control external terminals. 15 is connected.

なお、上述した複数の可変コンデンサ部間、並びに、可変コンデンサ部及び対応する外部端子間の接続は、内部配線により行われる。そして、各第1制御用外部端子14は、後述の図4に示すように、外部のシステムの回路基板等に実装された際に、バイアス抵抗を介して制御電圧用電源の一方の出力端子(DC1)に接続される。また、各第2制御用外部端子15は、バイアス抵抗を介して制御電圧用電源の他方の出力端子(DC2)に接続される。   Note that the connection between the plurality of variable capacitor units described above and between the variable capacitor unit and the corresponding external terminal is performed by internal wiring. As shown in FIG. 4 described later, each first control external terminal 14 is mounted on one of the output terminals of the control voltage power source (via a bias resistor) when mounted on a circuit board or the like of an external system. DC1). Each second control external terminal 15 is connected to the other output terminal (DC2) of the control voltage power supply via a bias resistor.

また、図3には示さないが、第1可変コンデンサ部C1〜第8可変コンデンサ部C8は、8つの誘電体層(第1誘電体層)が、電極層を間に挟んで積層された積層型コンデンサで構成される。なお、各可変コンデンサ部を構成する誘電体層は、比誘電率の大きな強誘電体材料で形成され、その容量は、対応する第1制御用外部端子14及び第2制御用外部端子15間に印加される制御電圧Vc(制御電圧信号)に応じて変化する。具体的には、制御電圧Vcが印加されると、各可変コンデンサ部の容量は低下する。また、各可変コンデンサ部を構成する誘電体層は、その製法に応じて、一つの誘電体膜で構成してもよいし、複数の誘電体膜を積層して構成してもよい。   Although not shown in FIG. 3, the first variable capacitor unit C1 to the eighth variable capacitor unit C8 are formed by stacking eight dielectric layers (first dielectric layers) with an electrode layer interposed therebetween. Type capacitor. The dielectric layer constituting each variable capacitor section is formed of a ferroelectric material having a large relative dielectric constant, and the capacitance is between the corresponding first control external terminal 14 and second control external terminal 15. It changes according to the applied control voltage Vc (control voltage signal). Specifically, when the control voltage Vc is applied, the capacity of each variable capacitor unit decreases. Further, the dielectric layer constituting each variable capacitor unit may be constituted by one dielectric film or a plurality of dielectric films may be laminated depending on the manufacturing method.

補正部12は、3つの補正用の可変容量コンデンサ(以下、それぞれ、第1補正コンデンサ部C9〜第3補正コンデンサ部C11と記す:第2の可変コンデンサ部)を備える。なお、本実施形態では、第1補正コンデンサ部C9〜第3補正コンデンサ部C11は並列接続される。   The correction unit 12 includes three correction variable capacitors (hereinafter referred to as a first correction capacitor unit C9 to a third correction capacitor unit C11, respectively, a second variable capacitor unit). In the present embodiment, the first correction capacitor unit C9 to the third correction capacitor unit C11 are connected in parallel.

また、第1補正コンデンサ部C9〜第3補正コンデンサ部C11の接続点(並列接続点)は、コンデンサ本体部11の第8可変コンデンサ部C8(8つの可変コンデンサ部からなる直列回路の第8可変コンデンサ部C8側の端部)に接続される。さらに、第1補正コンデンサ部C9の並列接続点側とは反対側の端部は、第1補正用外部端子16に接続される。また、第2補正コンデンサ部C10の並列接続点側とは反対側の端部は、第2補正用外部端子17に接続される。そして、第3補正コンデンサ部C11の並列接続点側とは反対側の端部は、第3補正用外部端子18に接続される。   The connection point (parallel connection point) of the first correction capacitor unit C9 to the third correction capacitor unit C11 is the eighth variable capacitor unit C8 of the capacitor main body unit 11 (the eighth variable of the series circuit including eight variable capacitor units). (The end on the capacitor C8 side). Furthermore, the end of the first correction capacitor C9 opposite to the parallel connection point is connected to the first correction external terminal 16. The end of the second correction capacitor unit C10 opposite to the parallel connection point is connected to the second correction external terminal 17. The end of the third correction capacitor unit C11 opposite to the parallel connection point is connected to the third correction external terminal 18.

なお、後述するように、本実施形態では、可変容量素子10を外部の回路基板等に実装した際、信号用外部端子13が交流信号の一方の入力端(AC1)に接続され、少なくとも、第1補正用外部端子16は、交流信号の他方の入力端(AC2)に接続される。それゆえ、第1補正用外部端子16は、信号用外部端子(第2信号用外部端子)としても作用する。   As will be described later, in this embodiment, when the variable capacitance element 10 is mounted on an external circuit board or the like, the signal external terminal 13 is connected to one input end (AC1) of the AC signal, and at least the first The 1 correction external terminal 16 is connected to the other input terminal (AC2) of the AC signal. Therefore, the first correction external terminal 16 also functions as a signal external terminal (second signal external terminal).

また、図3には示さないが、第1補正コンデンサ部C9〜第3補正コンデンサ部C11は、3つの誘電体層(第2誘電体層)が、電極層を間に挟んで積層された積層型コンデンサで構成される。また、各補正コンデンサ部を構成する誘電体層は、上記可変コンデンサ部と同様に、比誘電率の大きな強誘電体材料で形成され、その容量は、印加される制御電圧Vc(制御電圧信号)に応じて変化する。具体的には、制御電圧Vcが印加されると、各補正コンデンサ部の容量は低下する。また、各補正コンデンサ部を構成する誘電体層は、その製法に応じて、一つの誘電体膜で構成してもよいし、複数の誘電体膜を積層して構成してもよい。   Although not shown in FIG. 3, the first correction capacitor unit C9 to the third correction capacitor unit C11 are formed by stacking three dielectric layers (second dielectric layers) with an electrode layer interposed therebetween. Type capacitor. Similarly to the variable capacitor section, the dielectric layer constituting each correction capacitor section is formed of a ferroelectric material having a large relative dielectric constant, and the capacitance is applied to a control voltage Vc (control voltage signal) to be applied. It changes according to. Specifically, when the control voltage Vc is applied, the capacity of each correction capacitor unit decreases. In addition, the dielectric layer constituting each correction capacitor unit may be constituted by one dielectric film or may be constituted by laminating a plurality of dielectric films according to the manufacturing method.

なお、本実施形態では、コンデンサ本体部11内部の各可変コンデンサ部を構成する誘電体層と、補正部12内部の各補正コンデンサ部を構成する誘電体層とを同じ強誘電体材料で形成する。さらに、本実施形態では、積層方向に隣り合う2つの誘電体層間に設けられる電極層も全て同じ材料で形成される。   In the present embodiment, the dielectric layer constituting each variable capacitor part inside the capacitor body 11 and the dielectric layer constituting each correction capacitor part inside the correction part 12 are formed of the same ferroelectric material. . Furthermore, in this embodiment, the electrode layers provided between two dielectric layers adjacent in the stacking direction are all formed of the same material.

また、本実施形態では、第1可変コンデンサ部C1〜第8可変コンデンサ部C8と第1補正コンデンサ部C9〜第3補正コンデンサ部C11とを積層して可変容量素子10を構成する。さらに、本実施形態では、第1可変コンデンサ部C1〜第8可変コンデンサ部C8の各容量は互いに同じにし、第1補正コンデンサ部C9〜第3補正コンデンサ部C11の各容量も互いに同じにする。なお、第1補正コンデンサ部C9〜第3補正コンデンサ部C11の各容量は、第1可変コンデンサ部C1〜第8可変コンデンサ部C8の各容量より小さくし、例えば、1/2程度の容量とする。   In the present embodiment, the variable capacitor 10 is configured by stacking the first variable capacitor unit C1 to the eighth variable capacitor unit C8 and the first correction capacitor unit C9 to the third correction capacitor unit C11. Furthermore, in the present embodiment, the capacitances of the first variable capacitor unit C1 to the eighth variable capacitor unit C8 are the same, and the capacitances of the first correction capacitor unit C9 to the third correction capacitor unit C11 are also the same. In addition, each capacity | capacitance of the 1st correction capacitor | condenser part C9-the 3rd correction | amendment capacitor | condenser part C11 is made smaller than each capacity | capacitance of the 1st variable capacitor | condenser part C1-the 8th variable capacitor | condenser part C8, for example, is set as about 1/2 capacity | capacitance. .

[実装回路の構成例]
次に、本実施形態の実装回路の構成を、図4を参照しながら説明する。なお、図4は、図3に示した第1の実施形態に係る可変容量素子10を外部のシステムの回路基板等に実装した際の実装回路の概略構成図である。なお、図4には、説明を簡略化するため、可変容量素子10の各外部端子と接続される実装回路の回路部分のみを示す。
[Configuration example of mounted circuit]
Next, the configuration of the mounting circuit of this embodiment will be described with reference to FIG. 4 is a schematic configuration diagram of a mounting circuit when the variable capacitance element 10 according to the first embodiment shown in FIG. 3 is mounted on a circuit board or the like of an external system. FIG. 4 shows only a circuit portion of a mounting circuit connected to each external terminal of the variable capacitance element 10 for the sake of simplicity.

実装回路20は、可変容量素子10と、可変容量素子10の第1補正用外部端子16〜第3補正用外部端子18を互いに電気的に接続する外部配線21とを備える。また、実装回路20は、5つの第1バイアス抵抗R1と、5つの第2バイアス抵抗R2とを備える。   The mounting circuit 20 includes a variable capacitance element 10 and an external wiring 21 that electrically connects the first correction external terminal 16 to the third correction external terminal 18 of the variable capacitance element 10 to each other. The mounting circuit 20 includes five first bias resistors R1 and five second bias resistors R2.

本実施形態の実装回路の構成例では、可変容量素子10を実装回路20に実装した際に、信号用外部端子13が、一方の交流信号端子(AC1)及び対応する第1バイアス抵抗R1に接続される。また、本実施形態では、可変容量素子10の全ての補正用外部端子が、外部配線21を介して他方の交流信号端子(AC2)及び対応する第2バイアス抵抗R2に接続される。   In the configuration example of the mounting circuit of the present embodiment, when the variable capacitance element 10 is mounted on the mounting circuit 20, the signal external terminal 13 is connected to one AC signal terminal (AC1) and the corresponding first bias resistor R1. Is done. In the present embodiment, all the correction external terminals of the variable capacitance element 10 are connected to the other AC signal terminal (AC2) and the corresponding second bias resistor R2 via the external wiring 21.

さらに、本実施形態では、各第1バイアス抵抗R1は、可変容量素子10の対応する外部端子(信号用外部端子13又は第1制御用外部端子14)と、制御電圧用電源の一方の出力端子(DC1)との間に設けられる。また、各第2バイアス抵抗R2は、可変容量素子10の対応する外部端子(第2制御用外部端子15、第1補正用外部端子16〜第3補正用外部端子18のいずれか)と、制御電圧用電源の他方の出力端子(DC2)との間に設けられる。   Further, in the present embodiment, each first bias resistor R1 includes a corresponding external terminal (signal external terminal 13 or first control external terminal 14) of the variable capacitance element 10 and one output terminal of a control voltage power supply. (DC1). Each of the second bias resistors R2 has a corresponding external terminal (any one of the second control external terminal 15, the first correction external terminal 16 to the third correction external terminal 18) of the variable capacitance element 10 and a control. It is provided between the other output terminal (DC2) of the voltage power supply.

各バイアス抵抗は、可変容量素子10の交流端子間(図4中のAC1−AC2間)に入力される交流信号と、可変容量素子10の直流端子間(図4中のDC1−DC2間)に印加される制御電圧信号との干渉を抑制するために設けられた抵抗である。それゆえ、各バイアス抵抗は、例えば100kΩ等の高抵抗値の抵抗素子で構成される。   Each bias resistor is connected between the AC signal input between the AC terminals of the variable capacitor 10 (between AC1 and AC2 in FIG. 4) and between the DC terminals of the variable capacitor 10 (between DC1 and DC2 in FIG. 4). It is a resistor provided to suppress interference with an applied control voltage signal. Therefore, each bias resistor is composed of a resistance element having a high resistance value such as 100 kΩ.

[補正部の接続状態と容量の変化量との関係]
次に、第1補正用外部端子16〜第3補正用外部端子18間の接続状態(補正部12の接続状態)と、可変容量素子10全体の容量との関係を具体的に説明する。そこで、今、本実施形態の可変容量素子10において、第1可変コンデンサ部C1〜第8可変コンデンサ部C8の各容量を「9C」とし、第1補正コンデンサ部C9〜第3補正コンデンサ部C11の各容量を「4.5C」とする。また、可変容量素子10の容量は−10%〜+10%の範囲でばらつく場合を考える。
[Relationship between correction unit connection and capacity change]
Next, the relationship between the connection state between the first correction external terminal 16 and the third correction external terminal 18 (the connection state of the correction unit 12) and the capacitance of the entire variable capacitance element 10 will be specifically described. Therefore, now, in the variable capacitance element 10 of the present embodiment, the capacitances of the first variable capacitor unit C1 to the eighth variable capacitor unit C8 are set to “9C”, and the first correction capacitor unit C9 to the third correction capacitor unit C11. Each capacity is assumed to be “4.5C”. Further, consider the case where the capacitance of the variable capacitance element 10 varies in the range of −10% to + 10%.

なお、ここでは、図4に示すように、第1補正用外部端子16〜第3補正用外部端子18が全て、外部配線21を介して、他方の交流信号端子(AC2)及び対応する第2バイアス抵抗R2に接続された状態を「高容量接続状態」という。また、第1補正用外部端子16及び第2補正用外部端子17が、外部配線21を介して、他方の交流信号端子(AC2)及び対応する第2バイアス抵抗R2に接続された状態(後述の図6(a)参照)を「中容量接続状態」という。さらに、第1補正用外部端子16のみが、外部配線21を介して、他方の交流信号端子(AC2)及び対応する第2バイアス抵抗R2に接続された状態(後述の図6(b)参照)を「低容量接続状態」という。   Here, as shown in FIG. 4, all of the first correction external terminal 16 to the third correction external terminal 18 are connected to the other AC signal terminal (AC 2) and the corresponding second signal via the external wiring 21. A state connected to the bias resistor R2 is referred to as a “high-capacity connection state”. The first correction external terminal 16 and the second correction external terminal 17 are connected to the other AC signal terminal (AC2) and the corresponding second bias resistor R2 via the external wiring 21 (described later). FIG. 6A is referred to as “medium capacity connection state”. Further, only the first correction external terminal 16 is connected to the other AC signal terminal (AC2) and the corresponding second bias resistor R2 via the external wiring 21 (see FIG. 6B described later). Is called “low-capacity connection state”.

高容量接続状態(第1補正コンデンサ部C9〜第3補正コンデンサ部C11が全て補正処理に寄与している状態)では、可変容量素子10の容量は、上記バラツキ量を考慮すると、0.93C〜1.14Cの範囲の値となる。なお、高容量接続状態において、バラツキ量が0%の時には、可変容量素子10の容量は、1.04Cとなる。   In a high-capacity connection state (a state in which the first correction capacitor unit C9 to the third correction capacitor unit C11 all contribute to the correction process), the capacitance of the variable capacitance element 10 is 0.93C to The value is in the range of 1.14C. When the variation amount is 0% in the high-capacity connection state, the capacitance of the variable capacitance element 10 is 1.04C.

また、中容量接続状態(第1補正コンデンサ部C9及び第2補正コンデンサ部C10が補正処理に寄与している状態)では、可変容量素子10の容量は、上記バラツキ量を考慮すると、0.90C〜1.10Cの範囲の値となる。なお、中容量接続状態において、バラツキ量が0%の時には、可変容量素子10の容量は、1.00Cとなる。   Further, in the medium capacity connection state (the state where the first correction capacitor unit C9 and the second correction capacitor unit C10 contribute to the correction process), the capacitance of the variable capacitance element 10 is 0.90 C in consideration of the variation amount. It becomes a value in a range of ˜1.10C. Note that when the variation amount is 0% in the intermediate capacitance connection state, the capacitance of the variable capacitance element 10 is 1.00 C.

さらに、低容量接続状態(第1補正コンデンサ部C9のみが補正処理に寄与している状態)では、可変容量素子10の容量は、上記バラツキ量を考慮すると、0.81C〜0.99Cの範囲の値となる。なお、低容量接続状態において、バラツキ量が0%の時には、可変容量素子10の容量は、0.90Cとなる。   Furthermore, in the low-capacity connection state (a state where only the first correction capacitor unit C9 contributes to the correction process), the capacitance of the variable capacitance element 10 is in the range of 0.81C to 0.99C in consideration of the variation amount. It becomes the value of. In the low-capacity connection state, when the variation amount is 0%, the capacitance of the variable capacitance element 10 is 0.90C.

ここで、本実施形態の可変容量素子10における、上述した補正部12の接続状態と容量の変化との間の関係を、下記表1にまとめて示す。   Here, in the variable capacitance element 10 of the present embodiment, the relationship between the connection state of the correction unit 12 and the change in capacitance described above is collectively shown in Table 1 below.

また、上記表1に示した補正部12の接続状態とバラツキ量に対する容量の変化との関係をグラフにしたものを図5に示す。なお、図5に示す特性の横軸は可変容量素子10の容量のバラツキ量であり、縦軸は可変容量素子10の容量値(相対値)である。また、図5中の一点鎖線の特性(白抜き四角印の特性)は、補正部12の接続状態が低容量接続状態であるときの容量変化特性である。図5中の破線の特性(白抜き三角印)は、補正部12の接続状態が中容量接続状態であるときの容量変化特性である。そして、図5中の点線の特性(バツ印)は、補正部12の接続状態が高容量接続状態であるときの容量変化特性である。なお、図5中の太実線及び破線矢印は、後述する容量バラツキの第1の補正処理の様子を示すものである。   FIG. 5 is a graph showing the relationship between the connection state of the correction unit 12 shown in Table 1 above and the change in capacity with respect to the variation amount. Note that the horizontal axis of the characteristics shown in FIG. 5 is the amount of variation in the capacitance of the variable capacitance element 10, and the vertical axis is the capacitance value (relative value) of the variable capacitance element 10. 5 is a capacity change characteristic when the connection state of the correction unit 12 is a low-capacity connection state. The broken line characteristics (white triangles) in FIG. 5 are capacity change characteristics when the connection state of the correction unit 12 is the medium capacity connection state. A dotted line characteristic (cross mark) in FIG. 5 is a capacity change characteristic when the connection state of the correction unit 12 is a high capacity connection state. Note that the thick solid line and the broken line arrow in FIG. 5 indicate the state of the first correction process for capacity variation described later.

[容量バラツキの第1の補正処理]
次に、実装回路20における可変容量素子10の容量バラツキの第1の補正処理を、図4、5、並びに、6(a)及び(b)を参照しながら説明する。なお、図6(a)及び(b)は、容量バラツキの第1の補正処理における、補正部12の接続状態の変更工程の様子を示す図である。
[First correction process of capacity variation]
Next, a first correction process for capacitance variation of the variable capacitance element 10 in the mounting circuit 20 will be described with reference to FIGS. 4, 5 and 6 (a) and 6 (b). FIGS. 6A and 6B are diagrams showing a state of changing the connection state of the correction unit 12 in the first correction process for capacity variation.

なお、この第1の補正処理では、予め、例えば、用途等を考慮して、必要とする可変容量素子10の容量バラツキの範囲を決める。ここでは、一例として、補正後の可変容量素子10の容量が、0.93C以上1.04C未満の範囲で収まるように補正する例を説明する。   In the first correction process, the range of required capacitance variation of the variable capacitance element 10 is determined in advance in consideration of, for example, the application. Here, as an example, an example will be described in which correction is performed so that the corrected capacitance of the variable capacitance element 10 falls within a range of 0.93C or more and less than 1.04C.

本実施形態では、可変容量素子10を実装回路20に実装した際に、図4に示すように、第1補正用外部端子16〜第3補正用外部端子18が全て、外部配線21を介して、他方の交流信号端子(AC2)及び対応する第2バイアス抵抗R2に接続された状態となる。すなわち、可変容量素子10を実装回路20に実装した際には、補正部12の接続状態は、高容量接続状態となる。それゆえ、図4に示す実装回路20では、高容量接続状態から可変容量素子10の容量バラツキの補正処理を開始する。   In the present embodiment, when the variable capacitance element 10 is mounted on the mounting circuit 20, all of the first correction external terminal 16 to the third correction external terminal 18 are connected via the external wiring 21 as shown in FIG. The other AC signal terminal (AC2) and the corresponding second bias resistor R2 are connected. That is, when the variable capacitance element 10 is mounted on the mounting circuit 20, the connection state of the correction unit 12 is a high-capacity connection state. Therefore, in the mounting circuit 20 shown in FIG. 4, the correction process for the capacitance variation of the variable capacitance element 10 is started from the high capacitance connection state.

まず、図4に示す高容量接続状態において、可変容量素子10の容量を測定する。具体的には、第1補正用外部端子16〜第3補正用外部端子18のいずれかの外部端子の容量を測定する。次いで、測定した容量が、0.93C以上1.04C未満の範囲内の値である場合、すなわち、測定した容量が、図5中の点線の特性上において太実線で示す領域の容量である場合、補正処理を終了する。   First, the capacitance of the variable capacitance element 10 is measured in the high-capacity connection state shown in FIG. Specifically, the capacitance of any one of the first correction external terminal 16 to the third correction external terminal 18 is measured. Next, when the measured capacity is a value within the range of 0.93C or more and less than 1.04C, that is, when the measured capacity is the capacity of the region indicated by the thick solid line on the dotted line characteristic in FIG. Then, the correction process is terminated.

一方、高容量接続状態で測定した容量が、0.93C以上1.04C未満の範囲内の値でない場合、補正部12の接続状態を中容量接続状態に変更する。具体的には、図6(a)に示すように、第3補正用外部端子18と、それに対応する第2バイアス抵抗R2及び他方の交流信号端子(AC2)とを繋ぐ部分の外部配線21のパターンをカットする。   On the other hand, when the capacity measured in the high-capacity connection state is not a value within the range of 0.93C or more and less than 1.04C, the connection state of the correction unit 12 is changed to the medium-capacity connection state. Specifically, as shown in FIG. 6A, a portion of the external wiring 21 that connects the third correction external terminal 18 to the corresponding second bias resistor R2 and the other AC signal terminal (AC2). Cut the pattern.

次いで、図6(a)に示すように、補正部12の接続状態が中容量接続状態であるときの可変容量素子10の容量を測定する。具体的には、第1補正用外部端子16又は第2補正用外部端子17の容量を測定する。次いで、測定した容量が、0.93C以上1.04C未満の範囲内の値である場合、すなわち、測定した容量が、図5中の破線の特性上において太実線で示す領域の容量である場合、補正処理を終了する。   Next, as shown in FIG. 6A, the capacitance of the variable capacitance element 10 is measured when the correction unit 12 is in the medium capacitance connection state. Specifically, the capacitance of the first correction external terminal 16 or the second correction external terminal 17 is measured. Next, when the measured capacity is a value within the range of 0.93C or more and less than 1.04C, that is, when the measured capacity is the capacity of the region indicated by the thick solid line on the characteristics of the broken line in FIG. Then, the correction process is terminated.

一方、中容量接続状態で測定した容量が、0.93C以上1.04C未満の範囲内の値でない場合、補正部12の接続状態を低容量接続状態に変更する。具体的には、図6(b)に示すように、第2補正用外部端子17と、それに対応する第2バイアス抵抗R2及び他方の交流信号端子(AC2)とを繋ぐ部分の外部配線21のパターンをさらにカットする。   On the other hand, when the capacity measured in the medium capacity connection state is not a value within the range of 0.93C or more and less than 1.04C, the connection state of the correction unit 12 is changed to the low capacity connection state. Specifically, as shown in FIG. 6B, a portion of the external wiring 21 that connects the second correction external terminal 17 to the corresponding second bias resistor R2 and the other AC signal terminal (AC2). Cut the pattern further.

次いで、図6(b)に示すように、補正部12の接続状態が低容量接続状態であるときの可変容量素子10の容量を測定する。具体的には、第1補正用外部端子16の容量を測定する。次いで、測定した容量が、0.93C以上1.04C未満の範囲内の値である場合、すなわち、測定した容量が、図5中の一点鎖線の特性上において太実線で示す領域の容量である場合、補正処理を終了する。一方、低容量接続状態で測定した容量が、0.93C以上1.04C未満の範囲内の値でない場合には、補正処理を行った可変容量素子10を、不良品として廃棄する。   Next, as shown in FIG. 6B, the capacitance of the variable capacitance element 10 when the correction unit 12 is in the low-capacity connection state is measured. Specifically, the capacitance of the first correction external terminal 16 is measured. Next, when the measured capacity is a value within the range of 0.93C or more and less than 1.04C, that is, the measured capacity is the capacity of the region indicated by the thick solid line on the characteristics of the one-dot chain line in FIG. If so, the correction process is terminated. On the other hand, when the capacitance measured in the low-capacity connection state is not a value within the range of 0.93C or more and less than 1.04C, the variable capacitance element 10 subjected to the correction process is discarded as a defective product.

本実施形態の実装回路20では、このようにして、可変容量素子10の容量バラツキを補正する。上述した実装回路20では、実装後に、可変容量素子10の容量バラツキを±10%から、+4%〜−7%に低減することができる。   In the mounting circuit 20 of the present embodiment, the capacitance variation of the variable capacitance element 10 is corrected in this way. In the mounting circuit 20 described above, the capacitance variation of the variable capacitor 10 can be reduced from ± 10% to + 4% to −7% after mounting.

[各種効果]
上述のように、本実施形態の実装回路20では、可変容量素子10を実装した後に、可変容量素子10の容量バラツキを低減することができる。それゆえ、本実施形態では、可変容量素子10を外部のシステム等に実装した後に発生する上記課題(容量バラツキにより、実際に利用できる容量の可変範囲が小さくなるという課題)を解消することができる。
[Effects]
As described above, in the mounting circuit 20 of the present embodiment, the capacitance variation of the variable capacitance element 10 can be reduced after the variable capacitance element 10 is mounted. Therefore, in the present embodiment, the above-described problem (problem that the variable range of the capacity that can be actually used becomes small due to the capacitance variation) that occurs after the variable capacitance element 10 is mounted on an external system or the like can be solved. .

また、本実施形態では、実装後に、可変容量素子10の容量を所望の範囲内の容量に調整することができるので、可変容量素子10の適用範囲をより拡大することができる。さらに、本実施形態の可変容量素子10では、実装後に、複数の補正用外部端子間の接続状態(補正部12の接続状態)を変えることにより、容量の異なる複数種の可変容量素子を得ることができる。それゆえ、本実施形態では、可変容量素子10のラインナップを少なくすることができ、可変容量素子の製造コストを低減することができる。   Further, in the present embodiment, after mounting, the capacitance of the variable capacitance element 10 can be adjusted to a capacitance within a desired range, so that the application range of the variable capacitance element 10 can be further expanded. Furthermore, in the variable capacitance element 10 of this embodiment, after mounting, a plurality of types of variable capacitance elements having different capacitances can be obtained by changing the connection state between the plurality of correction external terminals (connection state of the correction unit 12). Can do. Therefore, in this embodiment, the lineup of the variable capacitance elements 10 can be reduced, and the manufacturing cost of the variable capacitance elements can be reduced.

また、本実施形態では、可変容量素子10が実装されたシステム等の出荷前だけでなく、出荷後のメンテナンス等のタイミングにおいても可変容量素子10の容量を簡単に調整することができる。それゆえ、本実施形態では、経時変化等により可変容量素子10の容量が変化しても、容量を所望の範囲内の容量に容易に調整し直すことができる。   In the present embodiment, the capacity of the variable capacitor 10 can be easily adjusted not only before the shipment of the system or the like in which the variable capacitor 10 is mounted, but also at the timing of maintenance after the shipment. Therefore, in the present embodiment, even if the capacitance of the variable capacitance element 10 changes due to changes over time, the capacitance can be easily adjusted to a capacitance within a desired range.

また、本実施形態では、可変容量素子10の複数の補正用外部端子間の接続状態を外部(実装回路上)で変更するだけで、容量バラツキを補正することができるので、可変容量素子10及び実装回路20の設計自由度を大きくすることができる。   Further, in this embodiment, the capacitance variation can be corrected only by changing the connection state between the plurality of correction external terminals of the variable capacitance element 10 outside (on the mounting circuit). The degree of freedom in designing the mounting circuit 20 can be increased.

さらに、本実施形態の可変容量素子10では、上述のように、補正部12をコンデンサ本体部11と同様にして構成することができるので、従来の積層型の可変容量コンデンサと同様の製造プロセスで、可変容量素子10を作製することができる。すなわち、本実施形態では、従来の製造プロセスを大きく変更することなく可変容量素子10を作製することができるので、低コストで可変容量素子10を作製することができる。   Furthermore, in the variable capacitance element 10 of the present embodiment, the correction unit 12 can be configured in the same manner as the capacitor main body unit 11 as described above, so that the manufacturing process is the same as that of a conventional multilayer variable capacitance capacitor. The variable capacitance element 10 can be manufactured. That is, in the present embodiment, the variable capacitance element 10 can be manufactured without greatly changing the conventional manufacturing process, so that the variable capacitance element 10 can be manufactured at low cost.

[変形例1]
上記第1の実施形態では、可変容量素子10を実装回路20に実装した際に、第1補正用外部端子16〜第3補正用外部端子18が、外部配線21で互いに接続された状態(高容量接続状態)となる例を説明したが、本開示はこれに限定されない。実装回路の構成を、可変容量素子10を実装回路に実装した際に、第1補正用外部端子16〜第3補正用外部端子18が、外部配線21で互いに接続されていない状態となるような構成にしてもよい。変形例1では、その一構成例を説明する。
[Modification 1]
In the first embodiment, when the variable capacitance element 10 is mounted on the mounting circuit 20, the first correction external terminal 16 to the third correction external terminal 18 are connected to each other by the external wiring 21 (high Although the example of the capacity connection state has been described, the present disclosure is not limited to this. The configuration of the mounting circuit is such that when the variable capacitance element 10 is mounted on the mounting circuit, the first correction external terminal 16 to the third correction external terminal 18 are not connected to each other by the external wiring 21. It may be configured. In Modification 1, one configuration example will be described.

(1)実装回路の構成
図7に、図3に示した第1の実施形態に係る可変容量素子10を外部のシステムの回路基板等に実装した際の変形例1の実装回路の概略構成を示す。なお、図7には、説明を簡略化するため、可変容量素子10の各外部端子と接続される実装回路の回路部分のみを示す。また、図7に示す実装回路25において、図4に示す上記第1の実施形態の実装回路20と同様の構成には同じ符号を付して示す。
(1) Configuration of Mounting Circuit FIG. 7 shows a schematic configuration of the mounting circuit of Modification 1 when the variable capacitance element 10 according to the first embodiment shown in FIG. 3 is mounted on a circuit board or the like of an external system. Show. FIG. 7 shows only a circuit portion of a mounting circuit connected to each external terminal of the variable capacitance element 10 for the sake of simplicity. Further, in the mounting circuit 25 shown in FIG. 7, the same reference numerals are given to the same components as those of the mounting circuit 20 of the first embodiment shown in FIG.

図7と図4との比較から明らかなように、この例の実装回路25の構成は、上記第1の実施形態の実装回路20において、可変容量素子10の実装時の外部配線21の接続形態を変えた構成となる。具体的には、この例では、実装時に、可変容量素子10の第1補正用外部端子16のみが、外部配線21を介して他方の交流信号端子(AC2)及び対応する第2バイアス抵抗R2に接続される。すなわち、この例では、可変容量素子10を実装回路25に実装した際には、補正部12の接続状態は、低容量接続状態となる。なお、この例において、外部配線21の接続形態以外の構成は、上記第1の実施形態の対応する構成と同様である。   As apparent from the comparison between FIG. 7 and FIG. 4, the configuration of the mounting circuit 25 in this example is the connection configuration of the external wiring 21 when the variable capacitance element 10 is mounted in the mounting circuit 20 of the first embodiment. The configuration is changed. Specifically, in this example, at the time of mounting, only the first correction external terminal 16 of the variable capacitance element 10 is connected to the other AC signal terminal (AC2) and the corresponding second bias resistor R2 via the external wiring 21. Connected. That is, in this example, when the variable capacitance element 10 is mounted on the mounting circuit 25, the connection state of the correction unit 12 is a low-capacity connection state. In this example, the configuration other than the connection form of the external wiring 21 is the same as the corresponding configuration of the first embodiment.

なお、実装回路25内の可変容量素子10における、補正部12の接続状態と容量の変化との間の関係は、上記表1に示した関係と同様の関係を有する。すなわち、変形例1の補正部12の接続状態とバラツキ量に対する容量の変化との間の関係は、上記第1の実施形態のそれと同様の関係になり、その様子を図8に示す。なお、図8に示す特性の横軸は可変容量素子10の容量のバラツキ量であり、縦軸は可変容量素子10の容量値(相対値)である。また、図8中の一点鎖線の特性(白抜き四角印の特性)は、補正部12の接続状態が低容量接続状態であるときの容量変化特性である。図8中の破線の特性(白抜き三角印)は、補正部12の接続状態が中容量接続状態であるときの容量変化特性である。そして、図8中の点線の特性(バツ印)は、補正部12の接続状態が高容量接続状態であるときの容量変化特性である。なお、図8中の太実線及び破線矢印は、後述する容量バラツキの第2の補正処理の様子を示すものである。   Note that the relationship between the connection state of the correction unit 12 and the change in capacitance in the variable capacitance element 10 in the mounting circuit 25 is similar to the relationship shown in Table 1 above. That is, the relationship between the connection state of the correction unit 12 of the modification 1 and the change in capacity with respect to the amount of variation is the same as that of the first embodiment, and this is shown in FIG. Note that the horizontal axis of the characteristics shown in FIG. 8 is the amount of variation in the capacitance of the variable capacitance element 10, and the vertical axis is the capacitance value (relative value) of the variable capacitance element 10. Also, the characteristics of the alternate long and short dash line in FIG. 8 (characteristics of white square marks) are capacity change characteristics when the connection state of the correction unit 12 is the low capacity connection state. A broken line characteristic (a white triangle mark) in FIG. 8 is a capacity change characteristic when the connection state of the correction unit 12 is a medium capacity connection state. A dotted line characteristic (cross mark) in FIG. 8 is a capacity change characteristic when the connection state of the correction unit 12 is a high capacity connection state. Note that the thick solid line and the broken line arrow in FIG. 8 indicate the state of the second correction process for capacity variation described later.

(2)容量バラツキの第2の補正処理
次に、実装回路25における可変容量素子10の容量バラツキの補正処理(第2の補正処理)を、図7、8、並びに、9(a)及び(b)を参照しながら説明する。なお、図9(a)及び(b)は、容量バラツキの第2の補正処理における、補正部12の接続状態の変更工程の様子を示す図である。
(2) Second Correction Processing for Capacitance Variation Next, correction processing (second correction processing) for capacitance variation of the variable capacitance element 10 in the mounting circuit 25 is shown in FIGS. 7, 8, 9 (a) and ( This will be described with reference to b). FIGS. 9A and 9B are diagrams illustrating a state of the connection state changing process of the correction unit 12 in the second correction process for variation in capacity.

なお、この第2の補正処理では、上記第1の実施形態(第1の補正処理)と同様に、予め、例えば、用途等を考慮して、必要とする可変容量素子10の容量バラツキの範囲を決める。ここでは、一例として、上記第1の補正処理と同様に、補正後の可変容量素子10の容量が、0.93C以上1.04C未満の範囲で収まるように補正する例を説明する。   In the second correction process, as in the first embodiment (first correction process), for example, the range of required capacitance variation of the variable capacitance element 10 is previously considered in consideration of, for example, the application. Decide. Here, as an example, an example will be described in which correction is performed so that the corrected capacitance of the variable capacitance element 10 falls within the range of 0.93C or more and less than 1.04C, as in the first correction process.

図7に示す実装回路25では、上述のように、可変容量素子10を実装回路25に実装した際には、補正部12の接続状態は低容量接続状態となる。それゆえ、図7に示す実装回路25では、低容量接続状態から可変容量素子10の容量バラツキの補正処理を開始する。   In the mounting circuit 25 shown in FIG. 7, as described above, when the variable capacitance element 10 is mounted on the mounting circuit 25, the connection state of the correction unit 12 is a low-capacity connection state. Therefore, in the mounting circuit 25 shown in FIG. 7, the correction process of the capacitance variation of the variable capacitance element 10 is started from the low capacitance connection state.

まず、図7に示すように、補正部12の接続状態が低容量接続状態であるときの可変容量素子10の容量を測定する。具体的には、第1補正用外部端子16の容量を測定する。次いで、測定した容量が、0.93C以上1.04C未満の範囲内の値である場合、すなわち、測定した容量が、図8中の一点鎖線の特性上において太実線で示す領域の容量である場合、補正処理を終了する。   First, as shown in FIG. 7, the capacitance of the variable capacitance element 10 when the connection state of the correction unit 12 is a low-capacity connection state is measured. Specifically, the capacitance of the first correction external terminal 16 is measured. Next, when the measured capacity is a value within the range of 0.93C or more and less than 1.04C, that is, the measured capacity is the capacity of the region indicated by the thick solid line on the characteristics of the one-dot chain line in FIG. If so, the correction process is terminated.

一方、低容量接続状態で測定した容量が、0.93C以上1.04C未満の範囲内の値でない場合、外部配線21のパターンを変更して、補正部12の接続状態を中容量接続状態に変更する。具体的には、図9(a)に示すように、第2補正用外部端子17と、対応する第2バイアス抵抗R2及び他方の交流信号端子(AC2)とを例えば半田やショート抵抗などにより電気的に接続(パターン接続)する。   On the other hand, when the capacitance measured in the low-capacity connection state is not a value within the range of 0.93C or more and less than 1.04C, the pattern of the external wiring 21 is changed to change the connection state of the correction unit 12 to the medium-capacity connection state. change. Specifically, as shown in FIG. 9A, the second correction external terminal 17 and the corresponding second bias resistor R2 and the other AC signal terminal (AC2) are electrically connected by, for example, solder or a short resistor. Connection (pattern connection).

次いで、図9(a)に示すように、補正部12の接続状態が中容量接続状態であるときの可変容量素子10の容量を測定する。具体的には、第1補正用外部端子16又は第2補正用外部端子17の容量を測定する。次いで、測定した容量が、0.93C以上1.04C未満の範囲内の値である場合、すなわち、測定した容量が、図8中の破線の特性上において太実線で示す領域の容量である場合、補正処理を終了する。   Next, as shown in FIG. 9A, the capacitance of the variable capacitance element 10 when the correction unit 12 is in the medium capacitance connection state is measured. Specifically, the capacitance of the first correction external terminal 16 or the second correction external terminal 17 is measured. Next, when the measured capacity is a value within the range of 0.93C or more and less than 1.04C, that is, when the measured capacity is the capacity of the region indicated by the thick solid line on the characteristics of the broken line in FIG. Then, the correction process is terminated.

一方、中容量接続状態で測定した容量が、0.93C以上1.04C未満の範囲内の値でない場合、再度、外部配線21のパターンを変更して、補正部12の接続状態を高容量接続状態に変更する。具体的には、図9(b)に示すように、さらに、第3補正用外部端子18と、対応する第2バイアス抵抗R2及び他方の交流信号端子(AC2)とを電気的に接続する。   On the other hand, when the capacity measured in the medium capacity connection state is not a value within the range of 0.93C or more and less than 1.04C, the pattern of the external wiring 21 is changed again to change the connection state of the correction unit 12 to the high capacity connection. Change to state. Specifically, as shown in FIG. 9B, the third correction external terminal 18 is electrically connected to the corresponding second bias resistor R2 and the other AC signal terminal (AC2).

次いで、図9(b)に示すように、補正部12の接続状態が高容量接続状態であるときの可変容量素子10の容量を測定する。具体的には、第1補正用外部端子16〜第3補正用外部端子18のいずれかの外部端子の容量を測定する。次いで、測定した容量が、0.93C以上1.04C未満の範囲内の値である場合、すなわち、測定した容量が、図5中の点線の特性上において太実線で示す領域の容量である場合、補正処理を終了する。一方、高容量接続状態で測定した容量が、0.93C以上1.04C未満の範囲内の値でない場合には、補正処理を行った可変容量素子10を、不良品として廃棄する。   Next, as shown in FIG. 9B, the capacitance of the variable capacitance element 10 when the connection state of the correction unit 12 is a high-capacity connection state is measured. Specifically, the capacitance of any one of the first correction external terminal 16 to the third correction external terminal 18 is measured. Next, when the measured capacity is a value within the range of 0.93C or more and less than 1.04C, that is, when the measured capacity is the capacity of the region indicated by the thick solid line on the dotted line characteristic in FIG. Then, the correction process is terminated. On the other hand, when the capacitance measured in the high-capacity connection state is not a value within the range of 0.93C or more and less than 1.04C, the variable capacitance element 10 subjected to the correction process is discarded as a defective product.

この例では、このようにして、可変容量素子10の容量バラツキを補正する。実装回路25では、上記第1の実施形態と同様に、実装後に、可変容量素子10の容量バラツキを±10%から、+4%〜−7%に低減することができる。   In this example, the variation in capacitance of the variable capacitance element 10 is corrected in this way. In the mounting circuit 25, similarly to the first embodiment, the capacitance variation of the variable capacitor 10 can be reduced from ± 10% to + 4% to −7% after mounting.

上述のように、変形例1においても、上記第1の実施形態と同様にして、可変容量素子10の容量バラツキ(又は容量そのもの)を、実装回路上で補正(調整)することができる。それゆえ、この例においても、上記第1の実施形態と同様の効果が得られる。   As described above, also in the first modification, the capacitance variation (or the capacitance itself) of the variable capacitance element 10 can be corrected (adjusted) on the mounting circuit in the same manner as in the first embodiment. Therefore, also in this example, the same effect as the first embodiment can be obtained.

なお、上述した第2の補正処理では、外部配線21をパターン接続する手法であるが、コストの点を考慮すると、上記第1の補正処理(上記第1の実施形態の補正手法)のように、外部配線21のパターンをカットする手法の方が有利である。   In the second correction process described above, the external wiring 21 is pattern-connected. However, in consideration of the cost, the first correction process (the correction technique of the first embodiment) is used. The method of cutting the pattern of the external wiring 21 is more advantageous.

[変形例2]
上述した可変容量素子10の容量バラツキの第1の補正処理(図5)及び第2の補正処理(図8)では、補正部12の接続状態を高容量、中容量及び低容量接続状態の3つの状態に変更する例を説明した。すなわち、上記第1の補正処理及び第2の補正処理では、可変容量素子10の容量を3段階で変更した。しかしながら、本開示はこれに限定されない。必要とする可変容量素子10の容量バラツキの範囲に応じて、補正部12の接続状態を、高容量、中容量及び低容量接続状態のうち、2つの接続状態間で変更して(可変容量素子10の容量を2段階で変更して)、容量バラツキを補正してもよい。
[Modification 2]
In the first correction process (FIG. 5) and the second correction process (FIG. 8) of the capacitance variation of the variable capacitance element 10 described above, the connection state of the correction unit 12 is 3 in the high capacitance, medium capacitance, and low capacitance connection states. An example of changing to one state has been described. That is, in the first correction process and the second correction process, the capacitance of the variable capacitance element 10 is changed in three stages. However, the present disclosure is not limited to this. The connection state of the correction unit 12 is changed between two connection states among the high-capacity, medium-capacitance, and low-capacity connection states (variable capacitance elements) according to the required capacity variation range of the variable capacitance element 10. The capacity variation may be corrected by changing the capacity of 10 in two steps).

ここでは、その一例(変形例2)として、補正部12の接続状態を、中容量及び低容量接続状態の2つの接続状態間で変更して、容量バラツキを補正する手法(第3の補正処理)を説明する。また、第3の補正処理では、図7に示す変形例1の実装回路25において可変容量素子10の容量バラツキを補正する例を説明する。そして、第3の補正処理では、補正後の可変容量素子10の容量が、0.90C以上1.00C未満の範囲で収まるように補正する例を説明する。   Here, as an example (Modification 2), a method of correcting the capacity variation by changing the connection state of the correction unit 12 between the two connection states of the medium capacity and the low capacity connection state (third correction process) ). Further, in the third correction process, an example will be described in which the variation in capacitance of the variable capacitance element 10 is corrected in the mounting circuit 25 of the first modification shown in FIG. In the third correction process, an example will be described in which correction is performed so that the corrected capacitance of the variable capacitance element 10 falls within a range of 0.90C or more and less than 1.00C.

また、ここでは、図7、9(a)及び(b)、並びに、図10を参照しながら、第3の補正処理を具体的に説明する。なお、図10は、変形例2における補正部12の接続状態とバラツキ量に対する容量の変化との間の関係を示す特性図であり、図10中の各特性は、図8中の対応する特性と同じ特性である。また、図10中の太実線及び破線矢印は、容量バラツキの第3の補正処理の様子を示すものである。   Here, the third correction process will be specifically described with reference to FIGS. 7, 9 (a) and 9 (b), and FIG. 10. FIG. 10 is a characteristic diagram showing the relationship between the connection state of the correction unit 12 and the change in capacitance with respect to the variation amount in Modification 2. Each characteristic in FIG. 10 is a corresponding characteristic in FIG. Is the same characteristic. Further, the thick solid line and the broken line arrow in FIG. 10 indicate the state of the third correction process for capacity variation.

まず、第3の補正処理では、図7に示すように、補正部12の接続状態が低容量接続状態であるときの可変容量素子10の容量を測定する。具体的には、第1補正用外部端子16の容量を測定する。次いで、測定した容量が、0.90C以上1.00C未満の範囲内の値である場合、すなわち、測定した容量が、図10中の一点鎖線の特性上において太実線で示す領域の容量である場合、補正処理を終了する。   First, in the third correction process, as shown in FIG. 7, the capacitance of the variable capacitance element 10 when the connection state of the correction unit 12 is a low-capacity connection state is measured. Specifically, the capacitance of the first correction external terminal 16 is measured. Next, when the measured capacity is a value within the range of 0.90 C or more and less than 1.00 C, that is, the measured capacity is the capacity of the region indicated by the thick solid line on the characteristics of the one-dot chain line in FIG. If so, the correction process is terminated.

一方、低容量接続状態で測定した容量が、0.90C以上1.00C未満の範囲内の値でない場合、外部配線21のパターンを変更して、補正部12の接続状態を中容量接続状態に変更する。具体的には、図9(a)に示すように、第2補正用外部端子17と、対応する第2バイアス抵抗R2及び他方の交流信号端子(AC2)とを電気的に接続(パターン接続)する。   On the other hand, when the capacitance measured in the low-capacity connection state is not a value within the range of 0.90C or more and less than 1.00C, the pattern of the external wiring 21 is changed to change the connection state of the correction unit 12 to the medium-capacity connection state. change. Specifically, as shown in FIG. 9A, the second correction external terminal 17 is electrically connected to the corresponding second bias resistor R2 and the other AC signal terminal (AC2) (pattern connection). To do.

次いで、図9(a)に示すように、補正部12の接続状態が中容量接続状態であるときの可変容量素子10の容量を測定する。具体的には、第1補正用外部端子16又は第2補正用外部端子17の容量を測定する。次いで、測定した容量が、0.90C以上1.00C未満の範囲内の値である場合、すなわち、測定した容量が、図8中の破線の特性上において太実線で示す領域の容量である場合、補正処理を終了する。   Next, as shown in FIG. 9A, the capacitance of the variable capacitance element 10 when the correction unit 12 is in the medium capacitance connection state is measured. Specifically, the capacitance of the first correction external terminal 16 or the second correction external terminal 17 is measured. Next, when the measured capacity is a value within the range of 0.90 C or more and less than 1.00 C, that is, when the measured capacity is the capacity of the region indicated by the thick solid line on the characteristics of the broken line in FIG. Then, the correction process is terminated.

一方、中容量接続状態で測定した容量が、0.90C以上1.00C未満の範囲内の値でない場合には、補正処理を行った可変容量素子10を、不良品として廃棄する。   On the other hand, if the capacitance measured in the medium-capacity connection state is not a value within the range of 0.90 C or more and less than 1.00 C, the variable capacitance element 10 subjected to the correction process is discarded as a defective product.

第3の補正処理では、このようにして、可変容量素子10の容量バラツキを補正する。第3の補正処理では、実装後に、可変容量素子10の容量バラツキを±10%から、0%〜−10%に低減することができる。   In the third correction process, the capacitance variation of the variable capacitance element 10 is corrected in this way. In the third correction process, the capacitance variation of the variable capacitor 10 can be reduced from ± 10% to 0% to −10% after mounting.

上述のように、変形例2においても、上記第1の実施形態と同様にして、可変容量素子10の容量バラツキ(又は容量そのもの)を、実装回路上で補正(調整)することができる。それゆえ、この例においても、上記第1の実施形態と同様の効果が得られる。   As described above, also in the second modification, the capacitance variation (or the capacitance itself) of the variable capacitor 10 can be corrected (adjusted) on the mounting circuit in the same manner as in the first embodiment. Therefore, also in this example, the same effect as the first embodiment can be obtained.

[補正処理の手法と容量のバラツキ分布との関係]
ここで、上述した第1〜第3の補正処理により得られる可変容量素子10の容量のバラツキ分布について説明する。通常、可変容量素子10の容量バラツキの分布は、選別を行わない場合、ほぼ正規分布になると考えられる。それゆえ、本実施形態の可変容量素子10では、上述した補正処理を行わない場合、補正部12の各接続状態における容量バラツキの分布も、ほぼ正規分布になると考えられる。
[Relationship between correction method and capacity variation distribution]
Here, the variation distribution of the capacitance of the variable capacitance element 10 obtained by the first to third correction processes described above will be described. In general, it is considered that the distribution of the capacitance variation of the variable capacitance element 10 is almost a normal distribution when the selection is not performed. Therefore, in the variable capacitance element 10 of the present embodiment, when the above-described correction processing is not performed, the distribution of the capacitance variation in each connection state of the correction unit 12 is considered to be almost a normal distribution.

図11に、その容量バラツキの分布を示す。図11に示す分布特性の横軸は容量であり、縦軸は分布数である。また、図11中の特性Sは、補正部12の接続状態が低容量接続状態であるときの容量バラツキの分布であり、特性Mは、補正部12の接続状態が中容量接続状態であるときの容量バラツキの分布である。さらに、図11中の特性Lは、補正部12の接続状態が高容量接続状態であるときの容量バラツキの分布である。また、図11中の特性図の下部に記載の数値は、各接続状態における容量バラツキの値である。   FIG. 11 shows the distribution of the capacity variation. The horizontal axis of the distribution characteristics shown in FIG. 11 is the capacity, and the vertical axis is the number of distributions. Further, the characteristic S in FIG. 11 is a distribution of capacity variation when the connection state of the correction unit 12 is a low-capacity connection state, and the characteristic M is when the connection state of the correction unit 12 is a medium-capacity connection state. This is a distribution of capacity variation. Furthermore, a characteristic L in FIG. 11 is a distribution of capacity variation when the connection state of the correction unit 12 is a high capacity connection state. Moreover, the numerical value described in the lower part of the characteristic diagram in FIG. 11 is a value of capacity variation in each connection state.

実装後の可変容量素子10の容量バラツキの分布は、容量バラツキの補正処理の手法により変化する。図12(a)〜(c)に、補正処理の手法と容量バラツキの分布との関係の一例を示す。なお、図12(a)〜(c)に示す各分布特性の横軸は容量であり、縦軸は分布数である。   The distribution of capacitance variation of the variable capacitance element 10 after mounting varies depending on the method of correcting the capacitance variation. FIGS. 12A to 12C show an example of the relationship between the correction processing technique and the capacity variation distribution. Note that the horizontal axis of each distribution characteristic shown in FIGS. 12A to 12C is capacity, and the vertical axis is the number of distributions.

図12(a)は、上記第1の補正処理の手法を用いた場合の容量バラツキの分布図であり、補正部12の接続状態を高容量接続状態、中容量接続状態、及び、低容量接続状態の順に変更して容量バラツキを補正した場合の分布図である。なお、図12(a)中の特性Lの容量範囲は、図5中の点線の特性上の太実線で示す容量のバラツキ範囲に対応する。図12(a)中の特性Mの容量範囲は、図5中の破線の特性上の太実線で示す容量のバラツキ範囲に対応する。また、図12(a)中の特性Sの容量範囲は、図5中の一点鎖線の特性上の太実線で示す容量のバラツキ範囲に対応する。   FIG. 12A is a distribution diagram of capacity variation when the first correction processing technique is used. The connection state of the correction unit 12 is a high capacity connection state, a medium capacity connection state, and a low capacity connection. It is a distribution map at the time of changing the order of the state and correcting the capacity variation. Note that the capacitance range of the characteristic L in FIG. 12A corresponds to the capacitance variation range indicated by the thick solid line on the dotted line characteristic in FIG. The capacity range of the characteristic M in FIG. 12A corresponds to the capacity variation range indicated by the thick solid line on the broken line characteristic in FIG. The capacity range of the characteristic S in FIG. 12A corresponds to the capacity variation range indicated by the thick solid line on the characteristics of the one-dot chain line in FIG.

上記第1の補正処理の手法を用いた場合には、図12(a)中の特性L、特性M及び特性Sを重ね合わせた特性が、可変容量素子10の容量バラツキの分布特性となる。それゆえ、上記第1の補正処理の手法を用いた場合には、図12(a)から明らかなように、中容量接続状態におけるバラツキ0%の容量より、高い容量を有する可変容量素子10が多く作製されることになる。   When the first correction processing method is used, a characteristic obtained by superimposing the characteristics L, M, and S in FIG. 12A is the distribution characteristic of the capacitance variation of the variable capacitance element 10. Therefore, when the first correction processing technique is used, as is apparent from FIG. 12A, the variable capacitance element 10 having a capacitance higher than the capacitance of 0% variation in the intermediate capacitance connection state is obtained. Many will be produced.

また、図12(b)は、上記第2の補正処理の手法を用いた場合の容量バラツキの分布図であり、補正部12の接続状態を低容量接続状態、中容量接続状態、及び、高容量接続状態の順に変更して容量バラツキを補正した場合の分布図である。なお、図12(b)中の特性Sの容量範囲は、図8中の一点鎖線の特性上の太実線で示す容量のバラツキ範囲に対応する。図12(b)中の特性Mの容量範囲は、図8中の破線の特性上の太実線で示す容量のバラツキ範囲に対応する。また、図12(b)中の特性Lの容量範囲は、図8中の点線の特性上の太実線で示す容量のバラツキ範囲に対応する。   FIG. 12B is a distribution diagram of capacity variation when the second correction processing method is used. The connection state of the correction unit 12 is a low-capacity connection state, a medium-capacity connection state, and a high-capacity connection state. FIG. 6 is a distribution diagram in a case where capacity variation is corrected by changing the order of capacity connection states. The capacity range of the characteristic S in FIG. 12B corresponds to the capacity variation range indicated by the thick solid line on the characteristics of the one-dot chain line in FIG. The capacity range of the characteristic M in FIG. 12B corresponds to the capacity variation range indicated by the thick solid line on the broken line characteristics in FIG. The capacity range of the characteristic L in FIG. 12B corresponds to the capacity variation range indicated by the thick solid line on the dotted line characteristics in FIG.

上記第2の補正処理の手法を用いた場合にも、図12(b)中の特性L、特性M及び特性Sを重ね合わせた特性が、可変容量素子10の容量バラツキの分布特性となる。それゆえ、上記第2の補正処理の手法を用いた場合には、図12(b)から明らかなように、中容量接続状態におけるバラツキ0%の容量とほぼ同じ容量を有する可変容量素子10が多く作製されることになる。   Even when the second correction processing technique is used, the characteristics obtained by superimposing the characteristics L, M, and S in FIG. 12B are the distribution characteristics of the capacitance variation of the variable capacitance element 10. Therefore, when the second correction processing method is used, as is apparent from FIG. 12B, the variable capacitance element 10 having a capacitance almost equal to the capacitance of 0% variation in the middle capacitance connection state is obtained. Many will be produced.

さらに、図12(c)は、上記第3の補正処理の手法を用いた場合の容量バラツキの分布図であり、補正部12の接続状態を低容量接続状態、及び、中容量接続状態の順に変更して容量バラツキを補正した場合の分布図である。なお、図12(c)中の特性Sの容量範囲は、図10中の一点鎖線の特性上の太実線で示す容量のバラツキ範囲に対応する。また、図12(c)中の特性Mの容量範囲は、図10中の破線の特性上の太実線で示す容量のバラツキ範囲に対応する。   Further, FIG. 12C is a distribution diagram of capacity variation when the third correction processing method is used, and the connection state of the correction unit 12 is in the order of low-capacity connection state and medium-capacity connection state. FIG. 6 is a distribution diagram when the variation in capacity is corrected by changing. Note that the capacity range of the characteristic S in FIG. 12C corresponds to the capacity variation range indicated by the thick solid line on the characteristics of the one-dot chain line in FIG. Further, the capacity range of the characteristic M in FIG. 12C corresponds to the capacity variation range indicated by the thick solid line on the broken line characteristic in FIG.

上記第3の補正処理の手法を用いた場合には、図12(c)中の特性M及び特性Sを重ね合わせた特性が、可変容量素子10の容量バラツキの分布特性となる。それゆえ、この場合には、中容量接続状態におけるバラツキ0%の容量とほぼ同じ容量を有する可変容量素子10、又は、低容量接続状態におけるバラツキ0%の容量とほぼ同じ容量を有する可変容量素子10が多く作製されることになる。   When the third correction processing method is used, a characteristic obtained by superimposing the characteristic M and the characteristic S in FIG. 12C is a distribution characteristic of the capacitance variation of the variable capacitance element 10. Therefore, in this case, the variable capacitance element 10 having substantially the same capacity as the capacitance of 0% variation in the medium capacitance connection state, or the variable capacitance element having almost the same capacitance as the capacitance of 0% variation in the low capacitance connection state. 10 will be produced a lot.

上述のように、本実施形態の可変容量素子10及びそれが実装された実装回路では、容量バラツキの補正処理の手法に応じて、可変容量素子10の容量の発生度合いが変化する。それゆえ、実際の製品上では、必要とする可変容量素子10の容量値に応じて、容量バラツキの補正処理の手法(実装回路の構成)が適宜選択される。例えば、実装後の可変容量素子10の容量を、中容量接続状態におけるバラツキ0%の容量より高い容量にする必要がある場合には、実装回路を図4に示すような実装回路20(第1の実施形態)で構成し、上記第1の補正処理を用いればよい。また、例えば、実装後の可変容量素子10の容量を、中容量接続状態におけるバラツキ0%の容量程度にする必要がある場合には、実装回路を図7に示すような実装回路25(変形例1)で構成し、上記第2の補正処理を用いればよい。   As described above, in the variable capacitance element 10 according to the present embodiment and the mounting circuit on which the variable capacitance element 10 is mounted, the generation degree of the capacitance of the variable capacitance element 10 changes according to the method of correcting the capacitance variation. Therefore, on an actual product, a method for correcting the capacitance variation (configuration of the mounting circuit) is appropriately selected according to the required capacitance value of the variable capacitance element 10. For example, when it is necessary to set the capacity of the variable capacitor 10 after mounting to a capacity higher than the capacity of 0% variation in the intermediate capacity connection state, the mounting circuit 20 (first circuit) shown in FIG. The first correction process may be used. Further, for example, when it is necessary to make the capacitance of the variable capacitance element 10 after mounting approximately equal to the capacitance of 0% variation in the intermediate capacitance connection state, the mounting circuit is a mounting circuit 25 as shown in FIG. 1) and the second correction process may be used.

<3.第2の実施形態:直列型の可変容量素子の第2の構成例>
上記第1の実施形態では、補正部12を、3つの補正コンデンサ部を並列接続して構成し、可変容量素子10の容量を3段階で補正可能な構成例を説明した。しかしながら、本開示はこれに限定されず、補正部12に設ける補正コンデンサ部の数(容量の可変段数)及び各補正コンデンサ部の容量は、例えば、必要とする、容量の補正幅及び可変容量素子10全体の容量等を考慮して適宜設定することができる。第2の実施形態では、2つの補正コンデンサ部を用いて補正部を構成した可変容量素子及びそれが実装された実装回路の構成例を示す。
<3. Second Embodiment: Second Configuration Example of Series-Type Variable Capacitance Element>
In the first embodiment, the correction unit 12 is configured by connecting three correction capacitor units in parallel, and the configuration example in which the capacitance of the variable capacitance element 10 can be corrected in three stages has been described. However, the present disclosure is not limited to this, and the number of correction capacitor units (capacity variable number of stages) provided in the correction unit 12 and the capacitance of each correction capacitor unit are, for example, required capacitance correction width and variable capacitance element. It can be appropriately set in consideration of the capacity of the entire 10. In the second embodiment, a configuration example of a variable capacitance element that configures a correction unit using two correction capacitor units and a mounting circuit on which the variable capacitance element is mounted is shown.

[可変容量素子の構成]
図13に、第2の実施形態に係る可変容量素子30の概略構成、及び、それが実装された実装回路40の概略構成を示す。なお、図13には、説明を簡略化するため、可変容量素子30の各外部端子と接続される回路部分のみを示す。なお、図13に示す実装回路40において、図4に示す上記第1の実施形態の実装回路20と同様の構成には同じ符号を付して示し、それらの構成の説明は省略する。
[Configuration of variable capacitance element]
FIG. 13 shows a schematic configuration of the variable capacitance element 30 according to the second embodiment and a schematic configuration of a mounting circuit 40 on which the variable capacitance element 30 is mounted. Note that FIG. 13 shows only a circuit portion connected to each external terminal of the variable capacitance element 30 for the sake of simplicity. In the mounting circuit 40 shown in FIG. 13, the same components as those of the mounting circuit 20 of the first embodiment shown in FIG. 4 are denoted by the same reference numerals, and the description of those configurations is omitted.

第2の実施形態の可変容量素子30は、コンデンサ本体部31(素子本体部)と、該コンデンサ本体部31と直列に接続された補正部32とを備える。また、可変容量素子30は、信号用外部端子13(第1信号用外部端子)と、4つの第1制御用外部端子14(制御用外部端子)と、5つの第2制御用外部端子15(制御用外部端子)とを備える。さらに、可変容量素子30は、2つの補正用外部端子(第1補正用外部端子16及び第2補正用外部端子17:容量補正用外部端子及び第2信号用外部端子)を備える。   The variable capacitance element 30 according to the second embodiment includes a capacitor main body 31 (element main body) and a correction unit 32 connected in series with the capacitor main body 31. The variable capacitance element 30 includes a signal external terminal 13 (first signal external terminal), four first control external terminals 14 (control external terminals), and five second control external terminals 15 ( Control external terminal). Further, the variable capacitance element 30 includes two correction external terminals (first correction external terminal 16 and second correction external terminal 17: capacitance correction external terminal and second signal external terminal).

コンデンサ本体部31は、9つの可変容量コンデンサ部(第1可変コンデンサ部C31〜第9可変コンデンサ部C39:第1の可変コンデンサ部)を備える。また、本実施形態では、第1可変コンデンサ部C31〜第9可変コンデンサ部C39は直列接続される。さらに、9つの可変コンデンサ部からなる直列回路の第1可変コンデンサ部C31側の端部が信号用外部端子13に接続され、該直列回路の第9可変コンデンサ部C39側の端部が補正部32に接続される。   The capacitor body 31 includes nine variable capacitor parts (first variable capacitor part C31 to ninth variable capacitor part C39: first variable capacitor part). In the present embodiment, the first variable capacitor unit C31 to the ninth variable capacitor unit C39 are connected in series. Further, an end portion on the first variable capacitor portion C31 side of the series circuit including nine variable capacitor portions is connected to the signal external terminal 13, and an end portion on the ninth variable capacitor portion C39 side of the series circuit is the correction portion 32. Connected to.

また、第2可変コンデンサ部C32及び第3可変コンデンサ部C33間の接続点、並びに、第4可変コンデンサ部C34及び第5可変コンデンサ部C35間の接続点はそれぞれ、対応する第1制御用外部端子14に接続される。さらに、第6可変コンデンサ部C36及び第7可変コンデンサ部C37間の接続点、並びに、第8可変コンデンサ部C38及び第9可変コンデンサ部C39間の接続点もそれぞれ、対応する第1制御用外部端子14に接続される。   Further, the connection point between the second variable capacitor unit C32 and the third variable capacitor unit C33, and the connection point between the fourth variable capacitor unit C34 and the fifth variable capacitor unit C35 are respectively the corresponding first control external terminals. 14. Further, the connection point between the sixth variable capacitor part C36 and the seventh variable capacitor part C37 and the connection point between the eighth variable capacitor part C38 and the ninth variable capacitor part C39 are also respectively corresponding to the first control external terminals. 14.

また、第1可変コンデンサ部C31及び第2可変コンデンサ部C32間の接続点、並びに、第3可変コンデンサ部C33及び第4可変コンデンサ部C34間の接続点はそれぞれ、対応する第2制御用外部端子15に接続される。また、第5可変コンデンサ部C35及び第6可変コンデンサ部C36間の接続点、並びに、第7可変コンデンサ部C37及び第8可変コンデンサ部C38間の接続点もそれぞれ、対応する第2制御用外部端子15に接続される。さらに、第9可変コンデンサ部C39及び補正部32間の接続点は、対応する第2制御用外部端子15に接続される。   Further, the connection point between the first variable capacitor unit C31 and the second variable capacitor unit C32 and the connection point between the third variable capacitor unit C33 and the fourth variable capacitor unit C34 are respectively the corresponding second control external terminals. 15 is connected. Further, the connection point between the fifth variable capacitor part C35 and the sixth variable capacitor part C36 and the connection point between the seventh variable capacitor part C37 and the eighth variable capacitor part C38 are also respectively corresponding to the second control external terminals. 15 is connected. Furthermore, the connection point between the ninth variable capacitor unit C39 and the correction unit 32 is connected to the corresponding second control external terminal 15.

なお、上述した複数の可変コンデンサ部間、並びに、可変コンデンサ部及び対応する外部端子間の接続は、内部配線により行われる。そして、各第1制御用外部端子14は、後述の図13に示すように、外部のシステムの回路基板等に実装された際に、バイアス抵抗を介して制御電圧用電源の一方の出力端子(DC1)に接続される。また、各第2制御用外部端子15は、バイアス抵抗を介して制御電圧用電源の他方の出力端子(DC2)に接続される。   Note that the connection between the plurality of variable capacitor units described above and between the variable capacitor unit and the corresponding external terminal is performed by internal wiring. Each of the first control external terminals 14, as shown in FIG. 13 described later, is mounted on one output terminal of the control voltage power source (via a bias resistor) when mounted on an external system circuit board or the like. DC1). Each second control external terminal 15 is connected to the other output terminal (DC2) of the control voltage power supply via a bias resistor.

また、図13には示さないが、第1可変コンデンサ部C31〜第9可変コンデンサ部C39は、9つの誘電体層(第1誘電体層)が、電極層を間に挟んで積層された積層型コンデンサで構成される。なお、各可変コンデンサ部を構成する誘電体層は、比誘電率の大きな強誘電体材料で形成され、その容量は、対応する第1制御用外部端子14及び第2制御用外部端子15間に印加される制御電圧Vc(制御電圧信号)に応じて変化する。具体的には、制御電圧Vcが印加されると、各可変コンデンサ部の容量は低下する。また、各可変コンデンサ部を構成する誘電体層は、その製法に応じて、一つの誘電体膜で構成してもよいし、複数の誘電体膜を積層して構成してもよい。   Although not shown in FIG. 13, the first variable capacitor unit C31 to the ninth variable capacitor unit C39 are formed by stacking nine dielectric layers (first dielectric layers) with an electrode layer interposed therebetween. Type capacitor. The dielectric layer constituting each variable capacitor section is formed of a ferroelectric material having a large relative dielectric constant, and the capacitance is between the corresponding first control external terminal 14 and second control external terminal 15. It changes according to the applied control voltage Vc (control voltage signal). Specifically, when the control voltage Vc is applied, the capacity of each variable capacitor unit decreases. Further, the dielectric layer constituting each variable capacitor unit may be constituted by one dielectric film or a plurality of dielectric films may be laminated depending on the manufacturing method.

補正部32は、2つの補正用の可変容量コンデンサ(第1補正コンデンサ部C40及び第2補正コンデンサ部C41:第2の可変コンデンサ部)を備える。なお、本実施形態では、第1補正コンデンサ部C40及び第2補正コンデンサ部C41は並列接続される。   The correction unit 32 includes two correction variable capacitors (first correction capacitor unit C40 and second correction capacitor unit C41: second variable capacitor unit). In the present embodiment, the first correction capacitor unit C40 and the second correction capacitor unit C41 are connected in parallel.

また、第1補正コンデンサ部C40及び第2補正コンデンサ部C41の接続点(並列接続点)は、コンデンサ本体部31の第9可変コンデンサ部C39(9つの可変コンデンサ部からなる直列回路の第9可変コンデンサ部C39側の端部)に接続される。さらに、第1補正コンデンサ部C40の並列接続点側とは反対側の端部は、第1補正用外部端子16に接続される。また、第2補正コンデンサ部C41の並列接続点側とは反対側の端部は、第2補正用外部端子17に接続される。   The connection point (parallel connection point) of the first correction capacitor unit C40 and the second correction capacitor unit C41 is the ninth variable capacitor unit C39 of the capacitor body 31 (the ninth variable of the series circuit including nine variable capacitor units). To the end of the capacitor C39 side). Further, the end of the first correction capacitor unit C40 opposite to the parallel connection point side is connected to the first correction external terminal 16. The end of the second correction capacitor C41 opposite to the parallel connection point is connected to the second correction external terminal 17.

なお、後述の補正処理で説明するように、本実施形態では可変容量素子30を外部の基板等に実装した際、少なくとも、第1補正用外部端子16は、交流信号の他方の入力端(AC2)に接続される。それゆえ、本実施形態においても、少なくとも第1補正用外部端子16は、信号用外部端子(第2信号用外部端子)としても作用する。   As will be described later in the correction process, in the present embodiment, when the variable capacitance element 30 is mounted on an external substrate or the like, at least the first correction external terminal 16 is connected to the other input terminal (AC2 of AC signal). ). Therefore, also in the present embodiment, at least the first correction external terminal 16 also functions as a signal external terminal (second signal external terminal).

また、図13には示さないが、第1補正コンデンサ部C40及び第2補正コンデンサ部C41は、2つの誘電体層(第2誘電体層)が、電極層を間に挟んで積層された積層型コンデンサで構成される。また、各補正コンデンサ部を構成する誘電体層は、上記可変コンデンサ部と同様に、比誘電率の大きな強誘電体材料で形成され、その容量は、印加される制御電圧Vc(制御電圧信号)に応じて変化する。具体的には、制御電圧Vcが印加されると、各補正コンデンサ部の容量は低下する。また、各補正コンデンサ部を構成する誘電体層は、その製法に応じて、一つの誘電体膜で構成してもよいし、複数の誘電体膜を積層して構成してもよい。   Although not shown in FIG. 13, the first correction capacitor unit C40 and the second correction capacitor unit C41 are formed by stacking two dielectric layers (second dielectric layers) with an electrode layer interposed therebetween. Type capacitor. Similarly to the variable capacitor section, the dielectric layer constituting each correction capacitor section is formed of a ferroelectric material having a large relative dielectric constant, and the capacitance is applied to a control voltage Vc (control voltage signal) to be applied. It changes according to. Specifically, when the control voltage Vc is applied, the capacity of each correction capacitor unit decreases. In addition, the dielectric layer constituting each correction capacitor unit may be constituted by one dielectric film or may be constituted by laminating a plurality of dielectric films according to the manufacturing method.

なお、本実施形態では、コンデンサ本体部31内部の各可変コンデンサ部を構成する誘電体層と、補正部32内部の各補正コンデンサ部を構成する誘電体層とを同じ強誘電体材料で形成する。さらに、本実施形態では、積層方向に隣り合う2つの誘電体層間に設けられる電極層も全て同じ材料で形成される。   In the present embodiment, the dielectric layer constituting each variable capacitor part inside the capacitor body 31 and the dielectric layer constituting each correction capacitor part inside the correction part 32 are formed of the same ferroelectric material. . Furthermore, in this embodiment, the electrode layers provided between two dielectric layers adjacent in the stacking direction are all formed of the same material.

また、本実施形態では、第1可変コンデンサ部C31〜第9可変コンデンサ部C39と第1補正コンデンサ部C40及び第2補正コンデンサ部C41とを積層して可変容量素子30を構成する。さらに、本実施形態では、第1可変コンデンサ部C31〜第9可変コンデンサ部C39の各容量は互いに同じにし、第1補正コンデンサ部C40及び第2補正コンデンサ部C41の各容量も互いに同じにする。なお、第1補正コンデンサ部C40及び第2補正コンデンサ部C41の各容量は、第1可変コンデンサ部C31〜第9可変コンデンサ部C39の各容量より小さくし、例えば、1/2程度の容量とする。   In the present embodiment, the variable capacitor 30 is configured by stacking the first variable capacitor unit C31 to the ninth variable capacitor unit C39, the first correction capacitor unit C40, and the second correction capacitor unit C41. Furthermore, in the present embodiment, the capacitances of the first variable capacitor unit C31 to the ninth variable capacitor unit C39 are the same, and the capacitances of the first correction capacitor unit C40 and the second correction capacitor unit C41 are also the same. In addition, each capacity | capacitance of 1st correction | amendment capacitor | condenser part C40 and 2nd correction | amendment capacitor | condenser part C41 is made smaller than each capacity | capacitance of 1st variable capacitor | condenser part C31-9th variable capacitor | condenser part C39, for example, is set to about 1/2 capacity. .

[実装回路の構成例]
実装回路40は、図13に示すように、可変容量素子30と、可変容量素子30の第1補正用外部端子16及び第2補正用外部端子17間を電気的に接続する外部配線21とを備える。また、実装回路40は、6つの第1バイアス抵抗R1と、5つの第2バイアス抵抗R2とを備える。
[Configuration example of mounted circuit]
As shown in FIG. 13, the mounting circuit 40 includes a variable capacitance element 30 and an external wiring 21 that electrically connects the first correction external terminal 16 and the second correction external terminal 17 of the variable capacitance element 30. Prepare. The mounting circuit 40 includes six first bias resistors R1 and five second bias resistors R2.

また、本実施形態の実装回路の構成例では、可変容量素子30を実装回路40に実装した際に、信号用外部端子13が、一方の交流信号端子(AC1)及び対応する第1バイアス抵抗R1に接続される。さらに、本実施形態では、可変容量素子30の全ての補正用外部端子が、外部配線21を介して他方の交流信号端子(AC2)及び対応する第2バイアス抵抗R2に接続される。   Further, in the configuration example of the mounting circuit of the present embodiment, when the variable capacitance element 30 is mounted on the mounting circuit 40, the signal external terminal 13 is connected to one AC signal terminal (AC1) and the corresponding first bias resistor R1. Connected to. Further, in the present embodiment, all the correction external terminals of the variable capacitance element 30 are connected to the other AC signal terminal (AC2) and the corresponding second bias resistor R2 via the external wiring 21.

本実施形態では、各第1バイアス抵抗R1は、可変容量素子30の対応する外部端子(信号用外部端子13、第1制御用外部端子14、第1補正用外部端子16又は第2補正用外部端子17)と、制御電圧用電源の一方の出力端子(DC1)との間に設けられる。また、各第2バイアス抵抗R2は、可変容量素子30の対応する第2制御用外部端子15と、制御電圧用電源の他方の出力端子(DC2)との間に設けられる。   In the present embodiment, each first bias resistor R1 is connected to a corresponding external terminal (signal external terminal 13, first control external terminal 14, first correction external terminal 16 or second correction external terminal) of the variable capacitance element 30. It is provided between the terminal 17) and one output terminal (DC1) of the control voltage power supply. Each second bias resistor R2 is provided between the corresponding second external terminal 15 for control of the variable capacitance element 30 and the other output terminal (DC2) of the control voltage power supply.

[補正部の接続状態と容量の変化量との関係]
次に、第1補正用外部端子16及び第2補正用外部端子17間の接続状態(補正部32の接続状態)と、可変容量素子30全体の容量との関係を具体的に説明する。今、本実施形態の可変容量素子30において、第1可変コンデンサ部C31〜第9可変コンデンサ部C39の各容量を「10C」とする。また、第1補正コンデンサ部C40及び第2補正コンデンサ部C41の各容量を「5C」とする。さらに、可変容量素子30の容量は−10%〜+10%の範囲でばらつく場合を考える。
[Relationship between correction unit connection and capacity change]
Next, the relationship between the connection state between the first correction external terminal 16 and the second correction external terminal 17 (connection state of the correction unit 32) and the capacitance of the entire variable capacitance element 30 will be specifically described. Now, in the variable capacitance element 30 of the present embodiment, each capacitance of the first variable capacitor unit C31 to the ninth variable capacitor unit C39 is “10C”. Further, each capacitance of the first correction capacitor unit C40 and the second correction capacitor unit C41 is set to “5C”. Further, consider the case where the capacitance of the variable capacitance element 30 varies in the range of −10% to + 10%.

この場合、高容量接続状態(第1補正コンデンサ部C40及び第2補正コンデンサ部C41が全て補正処理に寄与している状態)では、可変容量素子30の容量は、上記バラツキ量を考慮すると、0.90C〜1.10Cの範囲の値となる。なお、高容量接続状態において、バラツキ量が0%の時には、可変容量素子30の容量は、1.00Cとなる。   In this case, in a high-capacity connection state (a state in which the first correction capacitor unit C40 and the second correction capacitor unit C41 all contribute to the correction process), the capacitance of the variable capacitor 30 is 0 in consideration of the variation amount. A value in the range of .90C to 1.10C. When the variation amount is 0% in the high-capacity connection state, the capacity of the variable capacitor 30 is 1.00C.

また、低容量接続状態(第1補正コンデンサ部C40のみが補正処理に寄与している状態)では、可変容量素子30の容量は、上記バラツキ量を考慮すると、0.82C〜1.00Cの範囲の値となる。なお、低容量接続状態において、バラツキ量が0%の時には、可変容量素子10の容量は、0.91Cとなる。   In the low-capacity connection state (the state where only the first correction capacitor unit C40 contributes to the correction process), the capacitance of the variable capacitor 30 is in the range of 0.82C to 1.00C in consideration of the variation amount. It becomes the value of. In the low-capacity connection state, when the variation amount is 0%, the capacitance of the variable capacitance element 10 is 0.91C.

ここで、本実施形態の可変容量素子30における、上述した補正部32の接続状態と容量の変化との間の関係を、下記表2にまとめて示す。   Here, in the variable capacitance element 30 of the present embodiment, the relationship between the connection state of the correction unit 32 and the change in capacitance described above is summarized in Table 2 below.

また、上記表2に示した補正部32の接続状態とバラツキ量に対する容量の変化との関係をグラフにしたものを図14に示す。なお、図14に示す特性の横軸は可変容量素子30の容量のバラツキ量であり、縦軸は可変容量素子30の容量値(相対値)である。また、図14中の一点鎖線の特性(白抜き四角印の特性)は、補正部32の接続状態が低容量接続状態であるときの容量変化特性である。図14中の破線の特性(白抜き三角印)は、補正部32の接続状態が高容量接続状態であるときの容量変化特性である。図14中の太実線及び破線矢印は、後述する容量バラツキの補正処理の様子を示すものである。   FIG. 14 is a graph showing the relationship between the connection state of the correction unit 32 shown in Table 2 above and the change in capacity with respect to the variation amount. Note that the horizontal axis of the characteristics shown in FIG. 14 is the amount of variation in the capacitance of the variable capacitance element 30, and the vertical axis is the capacitance value (relative value) of the variable capacitance element 30. Also, the characteristics of the alternate long and short dash line in FIG. 14 (characteristics of white square marks) are capacity change characteristics when the connection state of the correction unit 32 is the low capacity connection state. The broken line characteristics (white triangles) in FIG. 14 are capacity change characteristics when the connection state of the correction unit 32 is a high capacity connection state. A thick solid line and a broken line arrow in FIG. 14 indicate a state of correction processing of capacity variation described later.

[容量バラツキの補正処理]
次に、実装回路40における可変容量素子30の容量バラツキの補正手法を、図13、14、及び15を参照しながら説明する。なお、図15は、容量バラツキの補正処理における、補正部32の接続状態の変更工程の様子を示す図である。
[Capacity variation correction]
Next, a method for correcting the capacitance variation of the variable capacitance element 30 in the mounting circuit 40 will be described with reference to FIGS. FIG. 15 is a diagram illustrating a state of the connection state changing process of the correction unit 32 in the capacity variation correction process.

なお、本実施形態の補正処理においても、上記第1の実施形態と同様に、予め、例えば、用途等を考慮して、必要とする可変容量素子30の容量バラツキの範囲を決める。ここでは、一例として、補正後の可変容量素子30の容量が、0.90C以上1.00C未満の範囲で収まるように補正する例を説明する。   Also in the correction processing of the present embodiment, similarly to the first embodiment, the range of required capacitance variation of the variable capacitance element 30 is determined in advance in consideration of, for example, the application. Here, as an example, an example will be described in which correction is performed so that the corrected capacitance of the variable capacitance element 30 falls within a range of 0.90C or more and less than 1.00C.

本実施形態では、可変容量素子30を実装回路40に実装した際に、図13に示すように、第1補正用外部端子16及び第2補正用外部端子17が、外部配線21を介して、他方の交流信号端子(AC2)及び対応する第1バイアス抵抗R1に接続された状態となる。すなわち、可変容量素子30を実装回路40に実装した際には、補正部32の接続状態は、高容量接続状態となる。それゆえ、図13に示す実装回路40では、高容量接続状態から可変容量素子30の容量バラツキの補正処理を開始する。   In the present embodiment, when the variable capacitance element 30 is mounted on the mounting circuit 40, the first correction external terminal 16 and the second correction external terminal 17 are connected via the external wiring 21, as shown in FIG. The other AC signal terminal (AC2) and the corresponding first bias resistor R1 are connected. That is, when the variable capacitance element 30 is mounted on the mounting circuit 40, the connection state of the correction unit 32 is a high-capacity connection state. Therefore, in the mounting circuit 40 shown in FIG. 13, the correction process for the capacitance variation of the variable capacitance element 30 is started from the high-capacity connection state.

まず、図13に示す高容量接続状態において、可変容量素子30の容量を測定する。具体的には、第1補正用外部端子16及び第2補正用外部端子17のいずれかの外部端子の容量を測定する。次いで、測定した容量が、0.90C以上1.00C未満の範囲内の値である場合、すなわち、測定した容量が、図14中の破線の特性上において太実線で示す領域の容量である場合、補正処理を終了する。   First, the capacitance of the variable capacitor 30 is measured in the high-capacity connection state shown in FIG. Specifically, the capacitance of one of the first correction external terminal 16 and the second correction external terminal 17 is measured. Next, when the measured capacity is a value within the range of 0.90 C or more and less than 1.00 C, that is, when the measured capacity is the capacity of the region indicated by the thick solid line on the characteristics of the broken line in FIG. Then, the correction process is terminated.

一方、高容量接続状態で測定した容量が、0.90C以上1.00C未満の範囲内の値でない場合、補正部32の接続状態を低容量接続状態に変更する。具体的には、図15に示すように、第2補正用外部端子17と、それに対応する第1バイアス抵抗R1及び他方の交流信号端子(AC2)とを繋ぐ部分の外部配線21のパターンをカットする。   On the other hand, when the capacity measured in the high capacity connection state is not a value within the range of 0.90 C or more and less than 1.00 C, the connection state of the correction unit 32 is changed to the low capacity connection state. Specifically, as shown in FIG. 15, the pattern of the external wiring 21 at the portion connecting the second correction external terminal 17 to the corresponding first bias resistor R1 and the other AC signal terminal (AC2) is cut. To do.

次いで、図15に示すように、補正部32の接続状態が低容量接続状態であるときの可変容量素子30の容量を測定する。具体的には、第1補正用外部端子16の容量を測定する。次いで、測定した容量が、0.90C以上1.00C未満の範囲内の値である場合、すなわち、測定した容量が、図14中の一点鎖線の特性上において太実線で示す領域の容量である場合、補正処理を終了する。   Next, as shown in FIG. 15, the capacitance of the variable capacitance element 30 when the connection state of the correction unit 32 is a low-capacity connection state is measured. Specifically, the capacitance of the first correction external terminal 16 is measured. Next, when the measured capacity is a value within the range of 0.90 C or more and less than 1.00 C, that is, the measured capacity is the capacity of the region indicated by the thick solid line on the characteristics of the one-dot chain line in FIG. If so, the correction process is terminated.

一方、低容量接続状態で測定した容量が、0.90C以上1.00C未満の範囲内の値でない場合には、補正処理を行った可変容量素子30を、不良品として廃棄する。   On the other hand, when the capacitance measured in the low-capacity connection state is not a value within the range of 0.90 C or more and less than 1.00 C, the variable capacitor 30 that has been subjected to the correction process is discarded as a defective product.

本実施形態の実装回路40では、このようにして、可変容量素子30の容量バラツキを補正する。上述した実装回路40では、実装後に、可変容量素子30の容量バラツキを±10%から、0%〜−5%に低減することができる。   In the mounting circuit 40 of the present embodiment, the capacitance variation of the variable capacitance element 30 is corrected in this way. In the mounting circuit 40 described above, the capacitance variation of the variable capacitor 30 can be reduced from ± 10% to 0% to −5% after mounting.

上述のように、本実施形態においても、上記第1の実施形態と同様にして、可変容量素子30の容量バラツキ(又は容量そのもの)を、実装回路上で補正(調整)することができる。それゆえ、本実施形態においても、上記第1の実施形態と同様の効果が得られる。   As described above, also in the present embodiment, the capacitance variation (or the capacitance itself) of the variable capacitance element 30 can be corrected (adjusted) on the mounting circuit in the same manner as in the first embodiment. Therefore, also in the present embodiment, the same effect as in the first embodiment can be obtained.

[変形例3]
上記第2の実施形態では、上記第1の実施形態で説明した第1の補正処理と同様に、補正用外部端子間を接続する外部配線21のパターンをカットして容量バラツキを補正する例を説明したが、本開示はこれに限定されない。本実施形態においても、上記変形例1及び2で説明した第2及び第3の補正処理と同様に、外部配線21をパターン接続することにより、容量バラツキを補正してもよい。
[Modification 3]
In the second embodiment, similarly to the first correction process described in the first embodiment, the pattern of the external wiring 21 that connects the correction external terminals is cut to correct the capacitance variation. Although described, the present disclosure is not limited to this. Also in this embodiment, similarly to the second and third correction processes described in the first and second modifications, capacitance variation may be corrected by pattern connection of the external wiring 21.

この場合には、実装回路の構成を、可変容量素子30を実装回路に実装した際に、第1補正用外部端子16及び第2補正用外部端子17間の外部配線21の配線パターンが、図15に示すそれと同様となるような構成にする。すなわち、可変容量素子30を実装回路に実装した際に、補正部32の接続状態が、低容量接続状態となるように、実装回路を構成にする。そして、このような構成の実装回路では、補正部32の接続状態を低容量接続状態から高容量接続状態に変更して(第1補正用外部端子16及び第2補正用外部端子17間を外部配線21により接続して)、可変容量素子30の容量バラツキを補正する。   In this case, when the variable capacitance element 30 is mounted on the mounting circuit, the wiring pattern of the external wiring 21 between the first correction external terminal 16 and the second correction external terminal 17 is shown in FIG. The configuration is the same as that shown in FIG. That is, the mounting circuit is configured such that when the variable capacitance element 30 is mounted on the mounting circuit, the connection state of the correction unit 32 becomes a low-capacity connection state. In the mounting circuit having such a configuration, the connection state of the correction unit 32 is changed from the low-capacity connection state to the high-capacity connection state (between the first correction external terminal 16 and the second correction external terminal 17 is externally connected). The capacitance variation of the variable capacitance element 30 is corrected by connecting with the wiring 21).

<4.第3の実施形態:直列型の可変容量素子の第3の構成例>
上述した第1及び第2の実施形態では、複数の補正コンデンサ部を並列接続することにより補正部を構成する例を説明したが、本開示はこれに限定されない。本開示では、複数の補正コンデンサ部を直列接続して補正部を構成してもよい(図2(a)参照)。第3の実施形態では、その一例を説明する。
<4. Third Embodiment: Third Configuration Example of Series Type Variable Capacitance Element>
In the first and second embodiments described above, the example in which the correction unit is configured by connecting a plurality of correction capacitor units in parallel has been described, but the present disclosure is not limited thereto. In the present disclosure, a correction unit may be configured by connecting a plurality of correction capacitor units in series (see FIG. 2A). In the third embodiment, an example will be described.

[可変容量素子の構成]
図16に、本開示の第3の実施形態に係る可変容量素子の概略構成を示す。なお、図16に示す可変容量素子50において、図3に示す可変容量素子10と同様の構成には同じ符号を付して示し、それらの構成の説明は省略する。
[Configuration of variable capacitance element]
FIG. 16 illustrates a schematic configuration of a variable capacitance element according to the third embodiment of the present disclosure. In the variable capacitance element 50 shown in FIG. 16, the same components as those of the variable capacitance element 10 shown in FIG. 3 are denoted by the same reference numerals, and description of those configurations is omitted.

本実施形態の可変容量素子50は、コンデンサ本体部11(素子本体部)と、該コンデンサ本体部11と直列に接続された補正部52とを備える。また、可変容量素子50は、信号用外部端子13(第1信号用外部端子)と、4つの第1制御用外部端子14(制御用外部端子)と、4つの第2制御用外部端子15(制御用外部端子)とを備える。さらに、可変容量素子50は、3つの補正用外部端子(第1補正用外部端子16〜第3補正用外部端子18:容量補正用外部端子及び第2信号用外部端子)を備える。図16と、図3との比較から明らかなように、本実施形態の可変容量素子50は、上記第1の実施形態の可変容量素子10において補正部の構成を変えた構成である。それゆえ、ここでは、補正部52の構成についてのみ説明する。   The variable capacitance element 50 of the present embodiment includes a capacitor main body 11 (element main body) and a correction unit 52 connected in series with the capacitor main body 11. The variable capacitance element 50 includes a signal external terminal 13 (first signal external terminal), four first control external terminals 14 (control external terminals), and four second control external terminals 15 ( Control external terminal). Further, the variable capacitance element 50 includes three correction external terminals (first correction external terminal 16 to third correction external terminal 18: capacitance correction external terminal and second signal external terminal). As is clear from comparison between FIG. 16 and FIG. 3, the variable capacitance element 50 of the present embodiment has a configuration in which the configuration of the correction unit is changed in the variable capacitance element 10 of the first embodiment. Therefore, only the configuration of the correction unit 52 will be described here.

補正部52は、3つの補正用の可変容量コンデンサ(第1補正コンデンサ部C51〜第3補正コンデンサ部C53:第2の可変コンデンサ部)を備える。なお、本実施形態では、第1補正コンデンサ部C51〜第3補正コンデンサ部C53は直列接続される。   The correction unit 52 includes three correction variable capacitors (first correction capacitor unit C51 to third correction capacitor unit C53: second variable capacitor unit). In the present embodiment, the first correction capacitor unit C51 to the third correction capacitor unit C53 are connected in series.

また、第1補正コンデンサ部C51〜第3補正コンデンサ部C53からなる直列回路の第1補正コンデンサ部C51側の端部は、コンデンサ本体部11の第8可変コンデンサ部C8に接続される。さらに、第1補正コンデンサ部C51〜第3補正コンデンサ部C53からなる直列回路の第3補正コンデンサ部C53側の端部は、第1補正用外部端子16に接続される。また、第2補正コンデンサ部C52及び第3補正コンデンサ部C53間の接続点は、第2補正用外部端子17に接続される。そして、第1補正コンデンサ部C51及び第2補正コンデンサ部C52間の接続点は、第3補正用外部端子18に接続される。   The end of the series circuit including the first correction capacitor unit C51 to the third correction capacitor unit C53 on the first correction capacitor unit C51 side is connected to the eighth variable capacitor unit C8 of the capacitor body 11. Furthermore, the end of the series circuit including the first correction capacitor unit C51 to the third correction capacitor unit C53 on the third correction capacitor unit C53 side is connected to the first correction external terminal 16. The connection point between the second correction capacitor unit C52 and the third correction capacitor unit C53 is connected to the second correction external terminal 17. A connection point between the first correction capacitor unit C51 and the second correction capacitor unit C52 is connected to the third correction external terminal 18.

なお、本実施形態では、上記各種実施形態と同様に、コンデンサ本体部11内部の各可変コンデンサ部を構成する誘電体層(第1誘電体層)と、補正部52内部の各補正コンデンサ部を構成する誘電体層(第2誘電体層)とを同じ強誘電体材料で形成する。なお、各誘電体層は、その製法に応じて、一つの誘電体膜で構成してもよいし、複数の誘電体膜を積層して構成してもよい。そして、本実施形態では、第1可変コンデンサ部C1〜第8可変コンデンサ部C8(第1の可変コンデンサ部)と、第1補正コンデンサ部C51〜第3補正コンデンサ部C53とを積層して可変容量素子50を構成する。さらに、本実施形態では、第1可変コンデンサ部C1〜第8可変コンデンサ部C8及び第1補正コンデンサ部C51〜第3補正コンデンサ部C53の各容量は互いに同じとする。   In the present embodiment, as in the above-described various embodiments, the dielectric layers (first dielectric layers) constituting the variable capacitor portions in the capacitor body 11 and the correction capacitor portions in the correction portion 52 are provided. The constituent dielectric layer (second dielectric layer) is formed of the same ferroelectric material. Each dielectric layer may be constituted by a single dielectric film or may be constituted by laminating a plurality of dielectric films according to the manufacturing method. In the present embodiment, the first variable capacitor unit C1 to the eighth variable capacitor unit C8 (first variable capacitor unit) and the first correction capacitor unit C51 to the third correction capacitor unit C53 are stacked to form a variable capacitance. The element 50 is configured. Furthermore, in the present embodiment, the first variable capacitor unit C1 to the eighth variable capacitor unit C8 and the first correction capacitor unit C51 to the third correction capacitor unit C53 have the same capacitance.

[実装回路の構成例]
図17に、図16に示した第3の実施形態に係る可変容量素子50を外部のシステムの回路基板等に実装した際の実装回路の概略構成を示す。なお、図17には、説明を簡略化するため、可変容量素子50の各外部端子と接続される回路部分のみを示す。また、図17に示す実装回路60において、図4に示す実装回路20と同様の構成には同じ符号を付して示し、それらの構成の説明は省略する。
[Configuration example of mounted circuit]
FIG. 17 shows a schematic configuration of a mounting circuit when the variable capacitor 50 according to the third embodiment shown in FIG. 16 is mounted on a circuit board or the like of an external system. Note that FIG. 17 shows only a circuit portion connected to each external terminal of the variable capacitance element 50 for the sake of simplicity. In the mounting circuit 60 shown in FIG. 17, the same reference numerals are given to the same components as those of the mounting circuit 20 shown in FIG. 4, and description of those components is omitted.

実装回路60は、可変容量素子50と、選択部61と、6つの第1バイアス抵抗R1と、6つの第2バイアス抵抗R2とを備える。また、実装回路60は、可変容量素子50の第1補正用外部端子16及び対応する第2バイアス抵抗R2間の接続点と選択部61の第1選択端子61aとを接続する第1外部配線62を備える。実装回路60は、第2補正用外部端子17及び第1バイアス抵抗R1間の接続点と選択部61の第2選択端子61bとを接続する第2外部配線63を備える。さらに、実装回路60は、第3補正用外部端子18及び第2バイアス抵抗R2間の接続点と選択部61の第3選択端子61cとを接続する第3外部配線64を備える。   The mounting circuit 60 includes a variable capacitance element 50, a selection unit 61, six first bias resistors R1, and six second bias resistors R2. The mounting circuit 60 also includes a first external wiring 62 that connects a connection point between the first correction external terminal 16 of the variable capacitance element 50 and the corresponding second bias resistor R2 and the first selection terminal 61a of the selection unit 61. Is provided. The mounting circuit 60 includes a second external wiring 63 that connects a connection point between the second correction external terminal 17 and the first bias resistor R 1 and the second selection terminal 61 b of the selection unit 61. Further, the mounting circuit 60 includes a third external wiring 64 that connects a connection point between the third correction external terminal 18 and the second bias resistor R2 and the third selection terminal 61c of the selection unit 61.

また、本実施形態の実装回路60では、可変容量素子50を実装回路60に実装した際に、信号用外部端子13が、一方の交流信号端子(AC1)及び対応する第1バイアス抵抗R1に接続される。さらに、本実施形態では、第1補正用外部端子16〜第3補正用外部端子18のいずれかが、外部配線を介して他方の交流信号端子(AC2)及び対応するバイアス抵抗に接続される。   In the mounting circuit 60 of the present embodiment, when the variable capacitance element 50 is mounted on the mounting circuit 60, the signal external terminal 13 is connected to one AC signal terminal (AC1) and the corresponding first bias resistor R1. Is done. Furthermore, in the present embodiment, any one of the first correction external terminal 16 to the third correction external terminal 18 is connected to the other AC signal terminal (AC2) and the corresponding bias resistor via the external wiring.

本実施形態では、各第1バイアス抵抗R1は、可変容量素子50の対応する外部端子(信号用外部端子13、第1制御用外部端子14及び第2補正用外部端子17のいずれか)と、制御電圧用電源の一方の出力端子(DC1)との間に設けられる。また、各第2バイアス抵抗R2は、可変容量素子50の対応する外部端子(第2制御用外部端子15、第1補正用外部端子16及び第3補正用外部端子18のいずれか)と、制御電圧用電源の他方の出力端子(DC2)との間に設けられる。なお、各バイアス抵抗は、上記第1の実施形態のそれと同様に構成することができる。   In the present embodiment, each first bias resistor R1 has a corresponding external terminal (any one of the signal external terminal 13, the first control external terminal 14, and the second correction external terminal 17) of the variable capacitance element 50, and It is provided between one output terminal (DC1) of the control voltage power supply. Each of the second bias resistors R2 has a corresponding external terminal (any one of the second control external terminal 15, the first correction external terminal 16, and the third correction external terminal 18) of the variable capacitance element 50 and a control. It is provided between the other output terminal (DC2) of the voltage power supply. Each bias resistor can be configured in the same manner as that of the first embodiment.

なお、選択部61は、補正部52内の補正コンデンサ部の接続状態を変更する回路部であり、例えば実装回路60の基板に設けられたランドパターンや切替スイッチなどにより構成することができる。また、選択部61は、後述するように、可変容量素子50の容量バラツキの補正処理時に、第1選択端子61a〜第3選択端子61c間の接続状態を変えて、補正部52内の補正コンデンサ部の接続状態を変更する。   The selection unit 61 is a circuit unit that changes the connection state of the correction capacitor unit in the correction unit 52, and can be configured by, for example, a land pattern or a changeover switch provided on the substrate of the mounting circuit 60. As will be described later, the selection unit 61 changes the connection state between the first selection terminal 61a and the third selection terminal 61c during the correction process of the capacitance variation of the variable capacitance element 50, thereby correcting the correction capacitor in the correction unit 52. Change the connection status of the part.

[補正部の接続状態と容量の変化量との関係]
次に、第1補正用外部端子16〜第3補正用外部端子18間の接続状態(補正部52の接続状態)と、可変容量素子50全体の容量との関係を具体的に説明する。今、本実施形態の可変容量素子50において、第1可変コンデンサ部C1〜第8可変コンデンサ部C8及び第1補正コンデンサ部C51〜第3補正コンデンサ部C53の各容量を「10C」とする。また、可変容量素子50の容量は−10%〜+10%の範囲でばらつく場合を考える。
[Relationship between correction unit connection and capacity change]
Next, the relationship between the connection state between the first correction external terminal 16 and the third correction external terminal 18 (connection state of the correction unit 52) and the capacitance of the entire variable capacitance element 50 will be specifically described. Now, in the variable capacitance element 50 of the present embodiment, each capacitance of the first variable capacitor unit C1 to the eighth variable capacitor unit C8 and the first correction capacitor unit C51 to the third correction capacitor unit C53 is set to “10C”. Further, consider a case where the capacitance of the variable capacitance element 50 varies in the range of −10% to + 10%.

この場合、低容量接続状態(第1補正コンデンサ部C51〜第3補正コンデンサ部C53の全てが補正処理に寄与している状態)では、可変容量素子50の容量は、上記バラツキ量を考慮すると、0.82C〜1.00Cの範囲の値となる。なお、低容量接続状態において、バラツキ量が0%の時には、可変容量素子50の容量は、0.91Cとなる。   In this case, in the low-capacity connection state (a state in which all of the first correction capacitor unit C51 to the third correction capacitor unit C53 contribute to the correction process), the capacitance of the variable capacitance element 50 takes into account the variation amount described above. The value is in the range of 0.82C to 1.00C. In the low-capacity connection state, when the variation amount is 0%, the capacitance of the variable capacitance element 50 is 0.91C.

また、中容量接続状態(第1補正コンデンサ部C51及び第2補正コンデンサ部C52が補正処理に寄与している状態)では、可変容量素子50の容量は、上記バラツキ量を考慮すると、0.90C〜1.10Cの範囲の値となる。なお、中容量接続状態において、バラツキ量が0%の時には、可変容量素子50の容量は、1.00Cとなる。   Further, in the intermediate capacitance connection state (the state where the first correction capacitor unit C51 and the second correction capacitor unit C52 contribute to the correction process), the capacitance of the variable capacitance element 50 is 0.90 C in consideration of the variation amount. It becomes a value in a range of ˜1.10C. Note that when the variation amount is 0% in the intermediate capacitance connection state, the capacitance of the variable capacitance element 50 is 1.00C.

さらに、高容量接続状態(第1補正コンデンサ部C51のみが補正処理に寄与している状態)では、可変容量素子50の容量は、上記バラツキ量を考慮すると、1.00C〜1.22C範囲の値となる。なお、高容量接続状態において、バラツキ量が0%の時には、可変容量素子50の容量は、1.11Cとなる。   Furthermore, in the high-capacity connection state (the state where only the first correction capacitor unit C51 contributes to the correction process), the capacitance of the variable capacitance element 50 is in the range of 1.00C to 1.22C in consideration of the variation amount. Value. In the high capacity connection state, when the variation amount is 0%, the capacitance of the variable capacitance element 50 is 1.11C.

ここで、本実施形態の可変容量素子50における、上述した補正部52の接続状態と容量の変化との間の関係を、下記表3にまとめて示す。   Here, in the variable capacitance element 50 of the present embodiment, the relationship between the connection state of the correction unit 52 and the change in capacitance described above is summarized in Table 3 below.

また、上記表3に示した補正部52の接続状態とバラツキ量に対する容量の変化との関係をグラフにしたものを図18及び19に示す。なお、図18及び19に示す特性の横軸は可変容量素子50の容量のバラツキ量であり、縦軸は可変容量素子50の容量値(相対値)である。また、図18及び19中の一点鎖線の特性(白抜き四角印の特性)は、補正部52の接続状態が低容量接続状態であるときの容量変化特性である。図18及び19中の破線の特性(白抜き三角印)は、補正部52の接続状態が中容量接続状態であるときの容量変化特性である。そして、図18及び19中の点線の特性(バツ印)は、補正部52の接続状態が高容量接続状態であるときの容量変化特性である。なお、図18中の太実線及び破線矢印は、後述の容量バラツキの第1の補正処理の様子を示すものであり、図19中の太実線及び破線矢印は、後述の容量バラツキの第2の補正処理の様子を示すものである。   FIGS. 18 and 19 are graphs showing the relationship between the connection state of the correction unit 52 shown in Table 3 and the change in capacity with respect to the variation amount. The horizontal axis of the characteristics shown in FIGS. 18 and 19 is the variation amount of the capacitance of the variable capacitance element 50, and the vertical axis is the capacitance value (relative value) of the variable capacitance element 50. 18 and 19 is a capacity change characteristic when the connection state of the correction unit 52 is a low-capacity connection state. 18 and 19 is a capacity change characteristic when the connection state of the correction unit 52 is a medium capacity connection state. The dotted line characteristics (cross marks) in FIGS. 18 and 19 are capacity change characteristics when the connection state of the correction unit 52 is the high capacity connection state. Note that a thick solid line and a broken line arrow in FIG. 18 indicate the state of a first correction process for capacity variation described later, and a thick solid line and a broken line arrow in FIG. The state of a correction process is shown.

[容量バラツキの第1の補正処理]
次に、実装回路60における可変容量素子50の容量バラツキの第1の補正手法を、図17及び18を参照しながら説明する。なお、この第1の補正処理においても、上記各種実施形態と同様に、予め、例えば、用途等を考慮して、必要とする可変容量素子50の容量バラツキの範囲を決める。ここでは、一例として、補正後の可変容量素子50の容量が、0.94C以上1.05C未満の範囲で収まるように補正する例を説明する。
[First correction process of capacity variation]
Next, a first correction method for capacitance variation of the variable capacitance element 50 in the mounting circuit 60 will be described with reference to FIGS. In the first correction process, similarly to the above-described various embodiments, the range of required capacitance variation of the variable capacitance element 50 is determined in advance in consideration of, for example, the application. Here, as an example, an example will be described in which correction is performed so that the corrected capacitance of the variable capacitance element 50 falls within the range of 0.94C or more and less than 1.05C.

なお、本実施形態では、可変容量素子50が実装回路60に実装された際に、選択部61の第1選択端子61a〜第3選択端子61cが互いに接続されていない状態とする。この場合、補正部52内の第1補正コンデンサ部C51〜第3補正コンデンサ部C53の全てが可変容量素子50全体の容量値に寄与する状態となり、補正部51の接続状態は、低容量接続状態となる。   In the present embodiment, when the variable capacitance element 50 is mounted on the mounting circuit 60, the first selection terminal 61a to the third selection terminal 61c of the selection unit 61 are not connected to each other. In this case, all of the first correction capacitor unit C51 to the third correction capacitor unit C53 in the correction unit 52 contribute to the capacitance value of the entire variable capacitance element 50, and the connection state of the correction unit 51 is a low-capacitance connection state. It becomes.

第1の補正処理では、まず、可変容量素子50の第3補正用外部端子18の容量を測定する。次いで、測定した容量が、0.94C以上1.05C未満の範囲内の値である場合、すなわち、測定した容量が、図18中の点線の特性上において太実線で示す領域の容量である場合、選択部61の第3選択端子61cと第1選択端子61aとを接続する。すなわち、可変容量素子50の第1補正用外部端子16及び第3補正用外部端子18間を電気的に短絡する。そして、この場合には、選択部61の第3選択端子61cと第1選択端子61aとを接続した状態で補正処理を終了する。   In the first correction process, first, the capacitance of the third correction external terminal 18 of the variable capacitance element 50 is measured. Next, when the measured capacity is a value within the range of 0.94C or more and less than 1.05C, that is, when the measured capacity is the capacity of the region indicated by the thick solid line on the characteristics of the dotted line in FIG. The third selection terminal 61c of the selection unit 61 and the first selection terminal 61a are connected. That is, the first correction external terminal 16 and the third correction external terminal 18 of the variable capacitance element 50 are electrically short-circuited. In this case, the correction process ends with the third selection terminal 61c and the first selection terminal 61a of the selection unit 61 being connected.

一方、測定した第3補正用外部端子18の容量が0.94C以上1.05C未満の範囲内の値でない場合、可変容量素子50の第2補正用外部端子17の容量を測定する。次いで、測定した容量が、0.94C以上1.05C未満の範囲内の値である場合、すなわち、測定した容量が、図18中の破線の特性上において太実線で示す領域の容量である場合、選択部61の第2選択端子61bと第1選択端子61aとを接続する。すなわち、可変容量素子50の第1補正用外部端子16及び第2補正用外部端子17間を電気的に短絡する。そして、この場合には、選択部61の第2選択端子61bと第1選択端子61aとを接続した状態で補正処理を終了する。   On the other hand, when the measured capacitance of the third correction external terminal 18 is not in the range of 0.94 C or more and less than 1.05 C, the capacitance of the second correction external terminal 17 of the variable capacitance element 50 is measured. Next, when the measured capacity is a value within the range of 0.94C or more and less than 1.05C, that is, when the measured capacity is the capacity of the region indicated by the thick solid line on the characteristics of the broken line in FIG. The second selection terminal 61b of the selection unit 61 and the first selection terminal 61a are connected. That is, the first correction external terminal 16 and the second correction external terminal 17 of the variable capacitance element 50 are electrically short-circuited. In this case, the correction process ends with the second selection terminal 61b and the first selection terminal 61a of the selection unit 61 being connected.

一方、測定した第2補正用外部端子17の容量が0.94C以上1.05C未満の範囲内の値でない場合、可変容量素子50の第1補正用外部端子16の容量を測定する。次いで、測定した容量が、0.94C以上1.05C未満の範囲内の値である場合、すなわち、測定した容量が、図18中の一点鎖線の特性上において太実線で示す領域の容量である場合、選択部61の各選択端子を互いに接続せずに、補正処理を終了する。   On the other hand, when the measured capacitance of the second correction external terminal 17 is not in the range of 0.94 C or more and less than 1.05 C, the capacitance of the first correction external terminal 16 of the variable capacitance element 50 is measured. Next, when the measured capacity is a value within the range of 0.94C or more and less than 1.05C, that is, the measured capacity is the capacity of the region indicated by the thick solid line on the characteristics of the one-dot chain line in FIG. In this case, the correction process is terminated without connecting the selection terminals of the selection unit 61 to each other.

なお、測定した可変容量素子50の第1補正用外部端子16の容量が、0.94C以上1.05C未満の範囲内の値でない場合には、補正処理を行った可変容量素子50を、不良品として廃棄する。本実施形態の第1の補正処理では、このようにして、可変容量素子50の容量バラツキを補正する。   When the measured capacitance of the first correction external terminal 16 of the variable capacitance element 50 is not a value within the range of 0.94C or more and less than 1.05C, the variable capacitance element 50 subjected to the correction process is not used. Discard as good. In the first correction process of the present embodiment, the capacitance variation of the variable capacitance element 50 is corrected in this way.

[容量バラツキの第2の補正処理]
上記第1の補正処理では、第3補正用外部端子18、第2補正用外部端子17及び第1補正用外部端子16の順で可変容量素子50の容量を測定する例を説明したが、本開示はこれに限定されない。第2の補正処理では、第1補正用外部端子16、第2補正用外部端子17及び第3補正用外部端子18の順で可変容量素子50の容量を測定する例を説明する。
[Second correction process of capacity variation]
In the first correction process, the example in which the capacitance of the variable capacitance element 50 is measured in the order of the third correction external terminal 18, the second correction external terminal 17, and the first correction external terminal 16 has been described. The disclosure is not limited to this. In the second correction process, an example in which the capacitance of the variable capacitance element 50 is measured in the order of the first correction external terminal 16, the second correction external terminal 17, and the third correction external terminal 18 will be described.

実装回路60における可変容量素子50の容量バラツキの第2の補正処理を、図17及び19を参照しながら説明する。なお、この第2の補正処理においても、上記各種実施形態と同様に、予め、例えば、用途等を考慮して、必要とする可変容量素子50の容量バラツキの範囲を決める。ここでは、一例として、上記第1の補正処理と同様に、補正後の可変容量素子50の容量が、0.94C以上1.05C未満の範囲で収まるように補正する例を説明する。   A second correction process for capacitance variation of the variable capacitance element 50 in the mounting circuit 60 will be described with reference to FIGS. In the second correction process, similarly to the above-described various embodiments, the range of required capacitance variation of the variable capacitance element 50 is determined in advance in consideration of, for example, the application. Here, as an example, an example will be described in which correction is performed so that the corrected capacitance of the variable capacitance element 50 falls within a range of 0.94C or more and less than 1.05C, as in the first correction process.

第2の補正処理では、まず、可変容量素子50の第1補正用外部端子16の容量を測定する。次いで、測定した容量が、0.94C以上1.05C未満の範囲内の値である場合、すなわち、測定した容量が、図19中の一点鎖線の特性上において太実線で示す領域の容量である場合、選択部61の各選択端子を互いに接続せずに、補正処理を終了する。   In the second correction process, first, the capacitance of the first correction external terminal 16 of the variable capacitance element 50 is measured. Next, when the measured capacity is a value within the range of 0.94C or more and less than 1.05C, that is, the measured capacity is the capacity of the region indicated by the thick solid line on the characteristics of the one-dot chain line in FIG. In this case, the correction process is terminated without connecting the selection terminals of the selection unit 61 to each other.

一方、測定した第1補正用外部端子16の容量が0.94C以上1.05C未満の範囲内の値でない場合、可変容量素子50の第2補正用外部端子17の容量を測定する。次いで、測定した容量が、0.94C以上1.05C未満の範囲内の値である場合、すなわち、測定した容量が、図19中の破線の特性上において太実線で示す領域の容量である場合、選択部61の第2選択端子61bと第1選択端子61aとを接続する。すなわち、可変容量素子50の第1補正用外部端子16及び第2補正用外部端子17間を電気的に短絡する。そして、この場合には、選択部61の第2選択端子61bと第1選択端子61aとを接続した状態で補正処理を終了する。   On the other hand, when the measured capacitance of the first correction external terminal 16 is not in the range of 0.94 C or more and less than 1.05 C, the capacitance of the second correction external terminal 17 of the variable capacitance element 50 is measured. Next, when the measured capacity is a value within the range of 0.94C or more and less than 1.05C, that is, when the measured capacity is the capacity of the region indicated by the thick solid line on the characteristics of the broken line in FIG. The second selection terminal 61b of the selection unit 61 and the first selection terminal 61a are connected. That is, the first correction external terminal 16 and the second correction external terminal 17 of the variable capacitance element 50 are electrically short-circuited. In this case, the correction process ends with the second selection terminal 61b and the first selection terminal 61a of the selection unit 61 being connected.

一方、測定した第2補正用外部端子17の容量が0.94C以上1.05C未満の範囲内の値でない場合、可変容量素子50の第3補正用外部端子18の容量を測定する。次いで、測定した容量が、0.94C以上1.05C未満の範囲内の値である場合、すなわち、測定した容量が、図19中の点線の特性上において太実線で示す領域の容量である場合、選択部61の第3選択端子61cと第1選択端子61aとを接続する。すなわち、可変容量素子50の第1補正用外部端子16及び第3補正用外部端子18間を電気的に短絡する。そして、この場合には、選択部61の第3選択端子61cと第1選択端子61aとを接続した状態で補正処理を終了する。   On the other hand, when the measured capacitance of the second correction external terminal 17 is not in the range of 0.94 C or more and less than 1.05 C, the capacitance of the third correction external terminal 18 of the variable capacitance element 50 is measured. Next, when the measured capacity is a value within the range of 0.94C or more and less than 1.05C, that is, when the measured capacity is the capacity of the region indicated by the thick solid line on the characteristics of the dotted line in FIG. The third selection terminal 61c of the selection unit 61 and the first selection terminal 61a are connected. That is, the first correction external terminal 16 and the third correction external terminal 18 of the variable capacitance element 50 are electrically short-circuited. In this case, the correction process ends with the third selection terminal 61c and the first selection terminal 61a of the selection unit 61 being connected.

なお、測定した可変容量素子50の第3補正用外部端子18の容量が、0.94C以上1.05C未満の範囲内の値でない場合には、補正処理を行った可変容量素子50を、不良品として廃棄する。本実施形態の第2の補正処理では、このようにして、可変容量素子50の容量バラツキを補正する。   When the measured capacitance of the third correction external terminal 18 of the variable capacitance element 50 is not a value within the range of 0.94C or more and less than 1.05C, the variable capacitance element 50 subjected to the correction process is not used. Discard as good. In the second correction process of the present embodiment, the capacitance variation of the variable capacitance element 50 is corrected in this way.

上述のように、本実施形態においても、上記第1及び第2の実施形態と同様に、実装後に、可変容量素子50の容量バラツキの範囲を所望の範囲に低減することができる。すなわち、本実施形態においても、可変容量素子50の容量バラツキ(又は容量そのもの)を、実装回路上で補正(調整)することができる。それゆえ、本実施形態においても、上記第1の実施形態と同様の効果が得られる。   As described above, also in the present embodiment, the capacitance variation range of the variable capacitor 50 can be reduced to a desired range after mounting, as in the first and second embodiments. That is, also in this embodiment, the capacitance variation (or capacitance itself) of the variable capacitance element 50 can be corrected (adjusted) on the mounting circuit. Therefore, also in the present embodiment, the same effect as in the first embodiment can be obtained.

なお、本実施形態では、補正部52の接続状態により、可変容量素子50全体の容量に寄与する直列接続されたコンデンサ部の数が変わる。すなわち、本実施形態では、補正部52の接続状態により、可変容量素子50の耐圧が変化する。それゆえ、本実施形態では、補正部52内の補正コンデンサ部の接続状態と、耐圧との関係を考慮して、補正コンデンサ部の数(容量の可変段数)や各補正コンデンサ部の容量、及び、コンデンサ本体部11の構成等が適宜設定される。   In the present embodiment, the number of capacitor units connected in series that contribute to the capacitance of the entire variable capacitance element 50 varies depending on the connection state of the correction unit 52. That is, in the present embodiment, the withstand voltage of the variable capacitance element 50 changes depending on the connection state of the correction unit 52. Therefore, in the present embodiment, in consideration of the relationship between the connection state of the correction capacitor unit in the correction unit 52 and the breakdown voltage, the number of correction capacitor units (capacity variable number of stages), the capacitance of each correction capacitor unit, and The configuration of the capacitor body 11 is set as appropriate.

また、上述した容量バラツキの第1及び第2の補正処理では、可変容量素子50の各補正用外部端子を順次測定する例を説明したが、本開示はこれに限定されない。可変容量素子50の全ての補正用外部端子の容量を同時に測定し、その測定結果に基づいて、第1選択端子61a〜第3選択端子61c間の適切な接続状態を選択し、可変容量素子50の容量バラツキを補正してもよい。   Further, in the first and second correction processes of the capacitance variation described above, the example in which each correction external terminal of the variable capacitance element 50 is sequentially measured has been described, but the present disclosure is not limited thereto. The capacitances of all the external terminals for correction of the variable capacitance element 50 are simultaneously measured, and an appropriate connection state between the first selection terminal 61a to the third selection terminal 61c is selected based on the measurement result, and the variable capacitance element 50 is selected. The capacity variation may be corrected.

[変形例4]
上記第3の実施形態では、3つの補正コンデンサ部を直列接続して補正部52を構成し、可変容量素子50の容量を3段階で補正可能な構成例を説明した。しかしながら、本開示はこれに限定されず、補正部に設ける補正コンデンサ部の数(容量の可変段数)及び各コンデンサ部の容量は、例えば、必要とする容量の補正幅、可変容量素子全体の容量等を考慮して適宜設定することができる。変形例4では、2つの補正コンデンサ部を直列接続して補正部を構成した可変容量素子及びそれが実装された実装回路の構成例を示す。
[Modification 4]
In the third embodiment, the correction unit 52 is configured by connecting three correction capacitor units in series, and the configuration example in which the capacitance of the variable capacitance element 50 can be corrected in three stages has been described. However, the present disclosure is not limited to this, and the number of correction capacitor units (capacity variable number of stages) provided in the correction unit and the capacitance of each capacitor unit include, for example, the required correction width of the capacitance and the capacitance of the entire variable capacitance element. Etc. can be set as appropriate. Modification 4 shows a configuration example of a variable capacitance element in which two correction capacitor units are connected in series to form a correction unit and a mounting circuit on which the variable capacitance element is mounted.

(1)可変容量素子の構成
図20に、変形例4に係る可変容量素子70の概略構成、及び、それが実装された実装回路80の概略構成を示す。なお、図20には、説明を簡略化するため、可変容量素子70の各外部端子と接続される回路部分のみを示す。また、図20に示すこの例の実装回路80において、図17に示す上記第3の実施形態の実装回路60と同様の構成には同じ符号を付して示し、それらの構成の説明は省略する。
(1) Configuration of Variable Capacitance Element FIG. 20 shows a schematic configuration of a variable capacitance element 70 according to Modification 4 and a schematic configuration of a mounting circuit 80 on which the variable capacitance element 70 is mounted. Note that FIG. 20 shows only the circuit portion connected to each external terminal of the variable capacitance element 70 for the sake of simplicity. Further, in the mounting circuit 80 of this example shown in FIG. 20, the same components as those of the mounting circuit 60 of the third embodiment shown in FIG. 17 are denoted by the same reference numerals, and description of those configurations is omitted. .

可変容量素子70は、コンデンサ本体部31(素子本体部)と、該コンデンサ本体部31と直列に接続された補正部72とを備える。また、可変容量素子70は、信号用外部端子13(第1信号用外部端子)と、4つの第1制御用外部端子14(制御用外部端子)と、5つの第2制御用外部端子15(制御用外部端子)とを備える。さらに、可変容量素子70は、2つの補正用外部端子(第1補正用外部端子16及び第2補正用外部端子17:容量補正用外部端子及び第2信号用外部端子)を備える。   The variable capacitance element 70 includes a capacitor main body 31 (element main body) and a correction unit 72 connected in series with the capacitor main body 31. The variable capacitance element 70 includes a signal external terminal 13 (first signal external terminal), four first control external terminals 14 (control external terminals), and five second control external terminals 15 ( Control external terminal). Further, the variable capacitance element 70 includes two correction external terminals (first correction external terminal 16 and second correction external terminal 17: capacitance correction external terminal and second signal external terminal).

コンデンサ本体部31は、9つの可変容量コンデンサ(第1可変コンデンサ部C31〜第9可変コンデンサ部C39)を備え、上記第2の実施形態(図13)の可変容量素子30のそれと同様の構成を有する。   The capacitor body 31 includes nine variable capacitors (first variable capacitor unit C31 to ninth variable capacitor unit C39), and has the same configuration as that of the variable capacitor 30 of the second embodiment (FIG. 13). Have.

補正部72は、2つの補正用の可変容量コンデンサ(第1補正コンデンサ部C71及び第2補正コンデンサ部C72)を備える。なお、本実施形態では、第1補正コンデンサ部C71及び第2補正コンデンサ部C72は直列接続される。   The correction unit 72 includes two variable capacitors for correction (a first correction capacitor unit C71 and a second correction capacitor unit C72). In the present embodiment, the first correction capacitor unit C71 and the second correction capacitor unit C72 are connected in series.

また、第1補正コンデンサ部C71及び第2補正コンデンサ部C72からなる直列回路の第1補正コンデンサ部C71側の端部は、コンデンサ本体部31の第9可変コンデンサ部C39に接続される。さらに、第1補正コンデンサ部C71及び第2補正コンデンサ部C72からなる直列回路の第2補正コンデンサ部C72側の端部は、第1補正用外部端子16に接続される。そして、第1補正コンデンサ部C71及び第2補正コンデンサ部C72の接続点は、第2補正用外部端子17に接続される。   The end of the series circuit including the first correction capacitor unit C71 and the second correction capacitor unit C72 on the first correction capacitor unit C71 side is connected to the ninth variable capacitor unit C39 of the capacitor body 31. Furthermore, the end of the series circuit including the first correction capacitor unit C71 and the second correction capacitor unit C72 on the second correction capacitor unit C72 side is connected to the first correction external terminal 16. A connection point between the first correction capacitor unit C71 and the second correction capacitor unit C72 is connected to the second correction external terminal 17.

なお、図20には示さないが、第1補正コンデンサ部C71及び第2補正コンデンサ部C72は、2つの誘電体層(第2誘電体層)が、電極層を間に挟んで積層された積層型コンデンサで構成される。また、各補正コンデンサ部を構成する誘電体層は、その製法に応じて、一つの誘電体膜で構成してもよいし、複数の誘電体膜を積層して構成してもよい。   Although not shown in FIG. 20, the first correction capacitor unit C71 and the second correction capacitor unit C72 are formed by stacking two dielectric layers (second dielectric layers) with an electrode layer interposed therebetween. Type capacitor. In addition, the dielectric layer constituting each correction capacitor unit may be constituted by one dielectric film or may be constituted by laminating a plurality of dielectric films according to the manufacturing method.

また、この例では、コンデンサ本体部31内部の各可変コンデンサ部を構成する誘電体層(第1誘電体層)と、補正部72内部の各補正コンデンサ部を構成する誘電体層(第2誘電体層)とを同じ強誘電体材料で形成する。そして、この例では、第1可変コンデンサ部C31〜第9可変コンデンサ部C39と、第1補正コンデンサ部C71及び第2補正コンデンサ部C72とを積層して可変容量素子70を構成する。さらに、この例では、第1可変コンデンサ部C31〜第9可変コンデンサ部C39、第1補正コンデンサ部C71及び第2補正コンデンサ部C72の各容量は互いに同じとする。   In this example, a dielectric layer (first dielectric layer) constituting each variable capacitor portion inside the capacitor main body 31 and a dielectric layer (second dielectric) constituting each correction capacitor portion inside the correction portion 72 are provided. The body layer is made of the same ferroelectric material. In this example, the variable capacitor 70 is configured by laminating the first variable capacitor unit C31 to the ninth variable capacitor unit C39, the first correction capacitor unit C71, and the second correction capacitor unit C72. Further, in this example, the first variable capacitor unit C31 to the ninth variable capacitor unit C39, the first correction capacitor unit C71, and the second correction capacitor unit C72 have the same capacitance.

(2)実装回路の構成例
実装回路80は、可変容量素子70と、選択部81とを備える。また、実装回路80は、可変容量素子70の第1補正用外部端子16及び選択部81間を電気的に接続する第1外部配線82と、可変容量素子70の第2補正用外部端子17及び選択部81間を電気的に接続する第2外部配線83とを備える。さらに、実装回路80は、6つの第1バイアス抵抗R1と、6つの第2バイアス抵抗R2とを備える。
(2) Configuration Example of Mounting Circuit The mounting circuit 80 includes a variable capacitance element 70 and a selection unit 81. In addition, the mounting circuit 80 includes a first external wiring 82 that electrically connects the first correction external terminal 16 of the variable capacitance element 70 and the selection unit 81, a second correction external terminal 17 of the variable capacitance element 70, and 2nd external wiring 83 which electrically connects between the selection parts 81 is provided. Further, the mounting circuit 80 includes six first bias resistors R1 and six second bias resistors R2.

なお、各第1バイアス抵抗R1は、可変容量素子70の対応する外部端子(信号用外部端子13、第1制御用外部端子14及び第2補正用外部端子17のいずれか)と、制御電圧用電源の一方の出力端子(DC1)との間に設けられる。また、各第2バイアス抵抗R2は、可変容量素子70の対応する外部端子(第2制御用外部端子15及び第1補正用外部端子16のいずれか)と、制御電圧用電源の他方の出力端子(DC2)との間に設けられる。なお、各バイアス抵抗は、上記第1の実施形態のそれと同様に構成することができる。   Each first bias resistor R1 is connected to a corresponding external terminal of the variable capacitance element 70 (one of the signal external terminal 13, the first control external terminal 14, and the second correction external terminal 17) and a control voltage. It is provided between one output terminal (DC1) of the power supply. Each of the second bias resistors R2 includes a corresponding external terminal (one of the second control external terminal 15 and the first correction external terminal 16) of the variable capacitance element 70 and the other output terminal of the control voltage power supply. (DC2). Each bias resistor can be configured in the same manner as that of the first embodiment.

また、実装回路80では、第1外部配線82は、図20に示すように、第1補正用外部端子16及び対応する第2バイアス抵抗R2間の接続点と選択部81の第1選択端子81aとを接続する。一方、第2外部配線83は、第2補正用外部端子17及び対応する第1バイアス抵抗R1間の接続点と選択部81の第2選択端子81bとを接続する。なお、選択部81は、補正部72内の補正コンデンサ部の接続状態を変更する回路部である。具体的には、選択部81は、可変容量素子70の容量バラツキの補正処理時に、第1選択端子81a及び第2選択端子81b間の接続状態を変えて、補正部72内の補正コンデンサ部の接続状態を変更する。   In the mounting circuit 80, the first external wiring 82 is connected to the connection point between the first correction external terminal 16 and the corresponding second bias resistor R2 and the first selection terminal 81a of the selection unit 81, as shown in FIG. And connect. On the other hand, the second external wiring 83 connects the connection point between the second correction external terminal 17 and the corresponding first bias resistor R 1 and the second selection terminal 81 b of the selection unit 81. The selection unit 81 is a circuit unit that changes the connection state of the correction capacitor unit in the correction unit 72. Specifically, the selection unit 81 changes the connection state between the first selection terminal 81 a and the second selection terminal 81 b during the correction process of the capacitance variation of the variable capacitance element 70, thereby changing the correction capacitor unit in the correction unit 72. Change the connection status.

上記構成の実装回路80においても、上記第3の実施形態と同様にして、実装後には、選択部81により、可変容量素子70の容量バラツキの範囲を所望の範囲に低減することができる。すなわち、この例においても、可変容量素子70の容量バラツキ(又は容量そのもの)を、実装回路上で補正(調整)することができ、上記第1の実施形態と同様の効果が得られる。   Also in the mounting circuit 80 having the above-described configuration, the range of capacitance variation of the variable capacitance element 70 can be reduced to a desired range by the selection unit 81 after mounting in the same manner as in the third embodiment. That is, also in this example, the capacitance variation (or capacitance itself) of the variable capacitance element 70 can be corrected (adjusted) on the mounting circuit, and the same effect as in the first embodiment can be obtained.

[変形例5]
上記第3の実施形態では、実装回路に設けられた選択部により、補正部の接続状態を変更し、可変容量素子の容量バラツキを補正する例を説明したが、本開示はこれに限定されない。例えば、上記第1及び第2の実施形態と同様に、複数の補正用外部端子間の外部配線のパターンをカットしたり、接続したりして、可変容量素子の容量バラツキを補正してもよい。変形例5では、その一例を説明する。
[Modification 5]
In the third embodiment, the example in which the connection state of the correction unit is changed and the capacitance variation of the variable capacitance element is corrected by the selection unit provided in the mounting circuit has been described, but the present disclosure is not limited thereto. For example, similarly to the first and second embodiments described above, the capacitance variation of the variable capacitance element may be corrected by cutting or connecting the pattern of the external wiring between the plurality of correction external terminals. . In Modification 5, an example will be described.

(1)変形例5−1
図21に、この例における可変容量素子50、及び、それが実装された実装回路の第1の構成例(変形例5−1)を示す。また、図21に示すこの例の実装回路90において、図17に示す上記第3の実施形態の実装回路60と同様の構成には同じ符号を付して示す。なお、図21と図17との比較から明らかなように、この例の可変容量素子50の構成は、上記第3の実施形態のそれと同様の構成であるので、ここでは、可変容量素子50の構成の説明は省略する。
(1) Modification 5-1
FIG. 21 shows a first configuration example (Modification 5-1) of the variable capacitance element 50 in this example and a mounting circuit on which the variable capacitance element 50 is mounted. In the mounting circuit 90 of this example shown in FIG. 21, the same reference numerals are given to the same configurations as those of the mounting circuit 60 of the third embodiment shown in FIG. As is clear from comparison between FIG. 21 and FIG. 17, the configuration of the variable capacitance element 50 in this example is the same as that of the third embodiment. The description of the configuration is omitted.

この例の実装回路90は、可変容量素子50と、5つの第1バイアス抵抗R1と、5つの第2バイアス抵抗R2とを備える。   The mounting circuit 90 of this example includes a variable capacitance element 50, five first bias resistors R1, and five second bias resistors R2.

なお、各第1バイアス抵抗R1は、可変容量素子50の対応する外部端子(信号用外部端子13及び第1制御用外部端子14のいずれか)と、制御電圧用電源の一方の出力端子(DC1)との間に設けられる。また、各第2バイアス抵抗R2は、可変容量素子50の対応する外部端子(第2制御用外部端子15、第1補正用外部端子16及び第3補正用外部端子18のいずれか)と、制御電圧用電源の他方の出力端子(DC2)との間に設けられる。なお、各バイアス抵抗は、上記第1の実施形態のそれと同様に構成することができる。   Each first bias resistor R1 has a corresponding external terminal of the variable capacitance element 50 (one of the signal external terminal 13 and the first control external terminal 14) and one output terminal (DC1) of the control voltage power supply. ). Each of the second bias resistors R2 has a corresponding external terminal (any one of the second control external terminal 15, the first correction external terminal 16, and the third correction external terminal 18) of the variable capacitance element 50 and a control. It is provided between the other output terminal (DC2) of the voltage power supply. Each bias resistor can be configured in the same manner as that of the first embodiment.

さらに、実装回路90は、図21に示すように、可変容量素子50の第1補正用外部端子16〜第3補正用外部端子18間を短絡するとともに、各補正用外部端子と、対応する第2バイアス抵抗R2との間を電気的に接続する外部配線91を備える。すなわち、この例の実装回路90では、上記第1の実施形態と同様に、可変容量素子50を実装回路90に実装した際には、第1補正用外部端子16〜第3補正用外部端子18が、外部配線91で互いに接続された状態(高容量接続状態)となる。   Further, as shown in FIG. 21, the mounting circuit 90 short-circuits between the first correction external terminal 16 and the third correction external terminal 18 of the variable capacitance element 50, and the correction external terminals corresponding to the first correction external terminals. An external wiring 91 is provided for electrically connecting the two bias resistors R2. That is, in the mounting circuit 90 of this example, when the variable capacitance element 50 is mounted on the mounting circuit 90 as in the first embodiment, the first correction external terminal 16 to the third correction external terminal 18 are mounted. Are connected to each other by the external wiring 91 (high capacity connection state).

そして、この例の実装回路90では、上記第1の実施形態(上記第1の補正処理)と同様にして、各補正用外部端子の容量を測定しながら、外部配線91の配線パターンを適宜カットすることにより、可変容量素子50の容量バラツキを補正する。   In the mounting circuit 90 of this example, the wiring pattern of the external wiring 91 is appropriately cut while measuring the capacitance of each correction external terminal in the same manner as in the first embodiment (the first correction processing). As a result, the capacitance variation of the variable capacitance element 50 is corrected.

より具体的に説明すると、まず、図21に示す接続状態では、第2補正コンデンサ部C52の両端子及び第3コンデンサ部C53の両端子は交流的にも直流的にも同電位であるので、この2つの補正コンデンサ部は容量素子として動作しない。それゆえ、図21に示す接続状態では、補正部52内では、第1補正コンデンサ部C51のみが容量素子として作用するので、可変容量素子50の容量は最大(高容量接続状態)となる。しかしながら、第3補正用外部端子18と、対応する第2バイアス抵抗R2と繋ぐ外部配線91の配線パターンをカットすると、補正部52内では、第1補正コンデンサ部C51及び第2補正コンデンサ部C52が容量素子として作用する(中容量接続状態)。そして、中容量接続状態では、第3コンデンサ部C53のみが容量素子として動作しない。   More specifically, first, in the connection state shown in FIG. 21, both terminals of the second correction capacitor unit C52 and both terminals of the third capacitor unit C53 are at the same potential both in terms of alternating current and direct current. These two correction capacitor units do not operate as a capacitive element. Therefore, in the connection state shown in FIG. 21, only the first correction capacitor unit C51 acts as a capacitive element in the correction unit 52, so that the capacitance of the variable capacitance element 50 is maximized (high capacity connection state). However, when the wiring pattern of the external wiring 91 connected to the third correction external terminal 18 and the corresponding second bias resistor R2 is cut, the first correction capacitor unit C51 and the second correction capacitor unit C52 are included in the correction unit 52. Acts as a capacitive element (medium capacity connection state). In the middle capacity connection state, only the third capacitor unit C53 does not operate as a capacitive element.

このような場合、第1補正コンデンサ部C51及び第2補正コンデンサ部C52を直列接続したコンデンサの合成容量が補正部52での可変容量として作用する。なお、この際、各補正コンデンサ部に実際に印加される制御電圧は、コンデンサ本体部11内の各可変コンデンサ部に印加される制御電圧の1/2となる。すなわち、この例の構成では、補正部52での補正容量値及びバイアス依存性(容量変化)は、図17に示す上記第3の実施形態のそれらとは異なる。   In such a case, the combined capacitance of the capacitors in which the first correction capacitor unit C51 and the second correction capacitor unit C52 are connected in series acts as a variable capacitance in the correction unit 52. At this time, the control voltage actually applied to each correction capacitor unit is ½ of the control voltage applied to each variable capacitor unit in the capacitor body 11. That is, in the configuration of this example, the correction capacitance value and the bias dependency (capacitance change) in the correction unit 52 are different from those in the third embodiment shown in FIG.

さらに、第2補正用外部端子17と、対応する第2バイアス抵抗R2と繋ぐ外部配線91の配線パターンをカットすると、補正部52内では、第1補正コンデンサ部C51〜第3補正コンデンサ部C53が容量素子として作用する(低容量接続状態)。この場合、第1補正コンデンサ部C51〜第3補正コンデンサ部C53を直列接続したコンデンサの合成容量が補正部52での可変容量として作用する。なお、この際、各補正コンデンサ部に実際に印加される制御電圧は、コンデンサ本体部11内の各可変コンデンサ部に印加される制御電圧の1/3となる。   Further, when the wiring pattern of the external wiring 91 connected to the second correction external terminal 17 and the corresponding second bias resistor R2 is cut, the first correction capacitor unit C51 to the third correction capacitor unit C53 are included in the correction unit 52. Acts as a capacitive element (low capacitance connection state). In this case, the combined capacitance of the capacitors in which the first correction capacitor unit C51 to the third correction capacitor unit C53 are connected in series acts as a variable capacitance in the correction unit 52. At this time, the control voltage actually applied to each correction capacitor unit is 1/3 of the control voltage applied to each variable capacitor unit in the capacitor body 11.

上述のように、この例の構成では、外部配線91の配線パターンをカットすることにより、可変容量素子50の容量を補正する場合、補正部52内において容量素子として作用させる補正コンデンサ部の段数により補正容量値が変化する。また、この例の構成では、補正部52内において容量素子として作用させる補正コンデンサ部の段数を増やすことにより補正部52での補正容量の可変幅が小さくなる。しかしながら、変形例5−1においても、可変容量素子50の初期容量を補正部52の接続状態を変更することにより補正することができるので、上記第1の実施形態と同様の効果が得られる。   As described above, in the configuration of this example, when the capacitance of the variable capacitance element 50 is corrected by cutting the wiring pattern of the external wiring 91, depending on the number of stages of the correction capacitor units that act as the capacitance elements in the correction unit 52. The correction capacitance value changes. Further, in the configuration of this example, the variable width of the correction capacitance in the correction unit 52 is reduced by increasing the number of correction capacitor units that act as capacitive elements in the correction unit 52. However, also in the modified example 5-1, since the initial capacitance of the variable capacitance element 50 can be corrected by changing the connection state of the correction unit 52, the same effect as in the first embodiment can be obtained.

(2)変形例5−2
図22に、この例における可変容量素子50、及び、それが実装された実装回路の第2の構成例(変形例5−2)を示す。なお、図22に示す変形例5−2の実装回路95において、図21に示す上記変形例5−1の実装回路90と同様の構成には同じ符号を付して示す。
(2) Modification 5-2
FIG. 22 shows a second configuration example (Modification 5-2) of the variable capacitance element 50 in this example and a mounting circuit on which the variable capacitance element 50 is mounted. In addition, in the mounting circuit 95 of the modification 5-2 shown in FIG. 22, the same code | symbol is attached | subjected and shown to the structure similar to the mounting circuit 90 of the said modified example 5-1 shown in FIG.

図21と図22との比較から明らかなように、この例では、可変容量素子50を実装回路95に実装した際の外部配線91の配線パターンが、上記変形例5−1のそれと異なる。それゆえ、ここでは、外部配線91の配線パターンについてのみ説明する。   As is clear from comparison between FIG. 21 and FIG. 22, in this example, the wiring pattern of the external wiring 91 when the variable capacitance element 50 is mounted on the mounting circuit 95 is different from that of the modified example 5-1. Therefore, only the wiring pattern of the external wiring 91 will be described here.

この例では、可変容量素子50を実装回路95に実装した際、可変容量素子50の第1補正用外部端子16のみが、外部配線91を介して対応する第2バイアス抵抗R2及び他方の交流信号端子(AC2)に接続された構成となる。すなわち、この例の実装回路95では、可変容量素子50が実装回路95に実装された際には、補正部52内の補正コンデンサ部の接続状態は低容量接続状態となる。   In this example, when the variable capacitance element 50 is mounted on the mounting circuit 95, only the first correction external terminal 16 of the variable capacitance element 50 is connected to the corresponding second bias resistor R2 and the other AC signal via the external wiring 91. The configuration is connected to the terminal (AC2). That is, in the mounting circuit 95 of this example, when the variable capacitance element 50 is mounted on the mounting circuit 95, the connection state of the correction capacitor unit in the correction unit 52 is a low-capacitance connection state.

この例の実装回路95では、上記変形例1(上記第2の補正処理)と同様にして、各補正用外部端子の容量を測定しながら、外部配線91で適宜、複数の補正用外部端子間を接続して(パターン接続して)、可変容量素子50の容量バラツキを補正する。   In the mounting circuit 95 of this example, in the same manner as in the first modification (the second correction process), while measuring the capacitance of each correction external terminal, the external wiring 91 appropriately connects a plurality of correction external terminals. Is connected (pattern connection), and the capacitance variation of the variable capacitance element 50 is corrected.

なお、この場合、外部配線91の配線パターンを変更することにより、補正部52内で容量素子として作用する補正コンデンサ部の段数が変化する。それゆえ、この例においても、上記変形例5−1と同様に、補正部52での補正容量値及びバイアス依存性(容量変化)は、図17に示す上記第3の実施形態のそれらとは異なる。しかしながら、変形例5−2においても、可変容量素子50の初期容量を補正部52の接続状態を変更することにより補正することができるので、上記第1の実施形態と同様の効果が得られる。   In this case, by changing the wiring pattern of the external wiring 91, the number of stages of the correction capacitor unit that functions as a capacitive element in the correction unit 52 changes. Therefore, also in this example, similarly to the modified example 5-1, the correction capacitance value and the bias dependency (capacitance change) in the correction unit 52 are different from those in the third embodiment shown in FIG. Different. However, also in the modified example 5-2, the initial capacitance of the variable capacitance element 50 can be corrected by changing the connection state of the correction unit 52. Therefore, the same effect as in the first embodiment can be obtained.

なお、上記第3の実施形態では、可変容量素子50の補正部52内の各補正コンデンサ部の両端子にバイアス抵抗が接続された構成であるので、補正部52内の補正コンデンサ部の接続状態に関係なく、各補正コンデンサ部に印加される制御電圧は一定である。すなわち、上記第3の実施形態では、補正部52内の補正コンデンサ部の接続状態に関係なく、各補正コンデンサ部の容量の可変量は一定になる。   In the third embodiment, since the bias resistor is connected to both terminals of each correction capacitor unit in the correction unit 52 of the variable capacitance element 50, the connection state of the correction capacitor unit in the correction unit 52 is described. Regardless of the control voltage, the control voltage applied to each correction capacitor unit is constant. That is, in the third embodiment, regardless of the connection state of the correction capacitor unit in the correction unit 52, the variable amount of the capacitance of each correction capacitor unit is constant.

それに対して、上記変形例5では、補正部52内の複数の補正コンデンサ部からなる直列回路の両端にのみバイアス抵抗を接続する構成であるので、補正部52内の補正コンデンサ部の接続状態に応じて、各補正コンデンサ部に印加される制御電圧が変化する。すなわち、上記変形例5では、補正部52内の補正コンデンサ部の接続状態に応じて、各補正コンデンサ部の容量の可変量が異なる。それゆえ、上記変形例5では、補正部52内の補正コンデンサ部の接続状態と、各補正コンデンサ部の容量の可変量との関係を考慮して、補正コンデンサ部の数や各補正コンデンサ部の容量、及び、コンデンサ本体部11の構成等が適宜設定される。   On the other hand, in the modified example 5, since the bias resistor is connected only to both ends of the series circuit including the plurality of correction capacitor units in the correction unit 52, the connection state of the correction capacitor unit in the correction unit 52 is changed. Accordingly, the control voltage applied to each correction capacitor unit changes. That is, in the modified example 5, the variable amount of the capacitance of each correction capacitor unit varies depending on the connection state of the correction capacitor unit in the correction unit 52. Therefore, in the fifth modification, the number of correction capacitor units and the number of correction capacitor units are considered in consideration of the relationship between the connection state of the correction capacitor units in the correction unit 52 and the variable amount of each correction capacitor unit. The capacity, the configuration of the capacitor body 11 and the like are set as appropriate.

<5.第4の実施形態:並列型の可変容量素子の構成例>
第4の実施形態では、可変容量素子のコンデンサ本体部と補正部とを並列接続する構成例について説明する(図1(b)参照)。
<5. Fourth Embodiment: Configuration Example of Parallel Type Variable Capacitance Element>
In the fourth embodiment, a configuration example in which the capacitor main body portion and the correction portion of the variable capacitance element are connected in parallel will be described (see FIG. 1B).

[可変容量素子の構成]
図23に、第4の実施形態に係る可変容量素子100の概略構成、及び、それが実装された実装回路110の概略構成を示す。なお、図23には、説明を簡略化するため、可変容量素子100の各外部端子と接続される回路部分のみを示す。また、図23に示す本実施形態の可変容量素子100及び実装回路110において、図4に示す上記第1の実施形態の可変容量素子10及び実装回路20と同様の構成には同じ符号を付して示し、それらの構成の説明は省略する。
[Configuration of variable capacitance element]
FIG. 23 shows a schematic configuration of the variable capacitance element 100 according to the fourth embodiment and a schematic configuration of the mounting circuit 110 on which the variable capacitance element 100 is mounted. In FIG. 23, only the circuit portion connected to each external terminal of the variable capacitance element 100 is shown to simplify the description. Further, in the variable capacitance element 100 and the mounting circuit 110 of the present embodiment shown in FIG. 23, the same reference numerals are given to the same configurations as those of the variable capacitance element 10 and the mounting circuit 20 of the first embodiment shown in FIG. The description of those configurations is omitted.

可変容量素子100は、コンデンサ本体部101(素子本体部)と、補正部102とを備える。また、可変容量素子100は、信号用外部端子13(第1信号用外部端子)と、2つの第2制御用外部端子15と、第1補正用外部端子16(第2信号用外部端子)と、第2補正用外部端子17(容量補正用外部端子)とを備える。   The variable capacitance element 100 includes a capacitor main body 101 (element main body) and a correction unit 102. The variable capacitance element 100 includes a signal external terminal 13 (first signal external terminal), two second control external terminals 15, a first correction external terminal 16 (second signal external terminal), and the like. And a second external terminal 17 for correction (capacitance external terminal).

コンデンサ本体部101は、2つの可変容量コンデンサ(第1可変コンデンサ部C91及び第2可変コンデンサ部C92:第1の可変コンデンサ部)を備える。なお、第1可変コンデンサ部C91及び第2可変コンデンサ部C92は、直列に接続される。また、第1可変コンデンサ部C91と第2可変コンデンサ部C92との接続点は、対応する第2制御用外部端子15に接続される。   The capacitor body 101 includes two variable capacitors (a first variable capacitor C91 and a second variable capacitor C92: a first variable capacitor). The first variable capacitor unit C91 and the second variable capacitor unit C92 are connected in series. The connection point between the first variable capacitor unit C91 and the second variable capacitor unit C92 is connected to the corresponding second control external terminal 15.

さらに、2つの可変コンデンサ部からなる直列回路の第1可変コンデンサ部C91側の端部が信号用外部端子13に接続され、該直列回路の第2可変コンデンサ部C92側の端部が第1補正用外部端子16に接続される。なお、複数の可変コンデンサ部間、並びに、可変コンデンサ部及び対応する外部端子間の接続は、内部配線により行われる。   Further, the end of the series circuit composed of two variable capacitor sections on the first variable capacitor section C91 side is connected to the signal external terminal 13, and the end of the series circuit on the second variable capacitor section C92 side is the first correction. The external terminal 16 is connected. The connection between the plurality of variable capacitor units and between the variable capacitor unit and the corresponding external terminal is performed by internal wiring.

補正部102は、2つの補正用の可変容量コンデンサ(第1補正コンデンサ部C93及び第2補正コンデンサ部C94:第2の可変コンデンサ部)を備える。なお、本実施形態では、第1補正コンデンサ部C93及び第2補正コンデンサ部C94は直列に接続される。   The correction unit 102 includes two variable capacitors for correction (first correction capacitor unit C93 and second correction capacitor unit C94: second variable capacitor unit). In the present embodiment, the first correction capacitor unit C93 and the second correction capacitor unit C94 are connected in series.

また、第1補正コンデンサ部C93及び第2補正コンデンサ部C94の接続点は、対応する第2制御用外部端子15に接続される。さらに、2つの補正コンデンサ部からなる直列回路の第1補正コンデンサ部C93側の端部が信号用外部端子13に接続され、該直列回路の第2補正コンデンサ部C94側の端部が第2補正用外部端子17に接続される。なお、複数の可変コンデンサ部間、並びに、可変コンデンサ部及び対応する外部端子間の接続は、内部配線により行われる。   The connection point of the first correction capacitor unit C93 and the second correction capacitor unit C94 is connected to the corresponding second control external terminal 15. Further, the end of the series circuit composed of two correction capacitor sections on the first correction capacitor section C93 side is connected to the signal external terminal 13, and the end of the series circuit on the second correction capacitor section C94 side is the second correction. Connected to the external terminal 17. The connection between the plurality of variable capacitor units and between the variable capacitor unit and the corresponding external terminal is performed by internal wiring.

なお、図23には示さないが、第1可変コンデンサ部C91及び第2可変コンデンサ部C92は、2つの誘電体層(第1誘電体層)が、電極層を間に挟んで積層された積層型コンデンサで構成される。また、各可変コンデンサ部を構成する誘電体層は、その製法に応じて、一つの誘電体膜で構成してもよいし、複数の誘電体膜を積層して構成してもよい。   Although not shown in FIG. 23, the first variable capacitor unit C91 and the second variable capacitor unit C92 are formed by stacking two dielectric layers (first dielectric layers) with an electrode layer interposed therebetween. Type capacitor. Further, the dielectric layer constituting each variable capacitor unit may be constituted by one dielectric film or a plurality of dielectric films may be laminated depending on the manufacturing method.

また、第1補正コンデンサ部C93及び第2補正コンデンサ部C94は、2つの誘電体層(第2誘電体層)が、電極層を間に挟んで積層された積層型コンデンサで構成される。なお、各補正コンデンサ部を構成する誘電体層は、その製法に応じて、一つの誘電体膜で構成してもよいし、複数の誘電体膜を積層して構成してもよい。さらに、本実施形態では、コンデンサ本体部101内部の各可変コンデンサ部を構成する誘電体層と、補正部102内部の各補正コンデンサ部を構成する誘電体層とを同じ強誘電体材料で形成する。   Further, the first correction capacitor unit C93 and the second correction capacitor unit C94 are configured by a multilayer capacitor in which two dielectric layers (second dielectric layers) are stacked with an electrode layer interposed therebetween. The dielectric layer constituting each correction capacitor unit may be constituted by one dielectric film or a plurality of dielectric films may be laminated depending on the manufacturing method. Further, in the present embodiment, the dielectric layer constituting each variable capacitor part inside the capacitor body 101 and the dielectric layer constituting each correction capacitor part inside the correction part 102 are formed of the same ferroelectric material. .

そして、本実施形態では、第1可変コンデンサ部C91及び第2可変コンデンサ部C92と、第1補正コンデンサ部C93及び第2補正コンデンサ部C94とを積層して可変容量素子100を構成する。さらに、本実施形態では、第1可変コンデンサ部C91及び第2可変コンデンサ部C92の各容量は互いに同じとする。また、第1補正コンデンサ部C93及び第2補正コンデンサ部C94の各容量は、第1可変コンデンサ部C91及び第2可変コンデンサ部C92の各容量より小さくし、例えば、1/10程度の容量とすることができる。   In this embodiment, the variable capacitor 100 is configured by stacking the first variable capacitor unit C91 and the second variable capacitor unit C92, and the first correction capacitor unit C93 and the second correction capacitor unit C94. Further, in the present embodiment, the first variable capacitor unit C91 and the second variable capacitor unit C92 have the same capacitance. Further, the capacitances of the first correction capacitor unit C93 and the second correction capacitor unit C94 are made smaller than the capacitances of the first variable capacitor unit C91 and the second variable capacitor unit C92, for example, about 1/10. be able to.

なお、補正部102に設ける補正コンデンサ部の数及び各補正コンデンサ部の容量は、例えば、必要とする容量の補正幅、可変容量素子全体の容量等を考慮して適宜設定することができる。   Note that the number of correction capacitor units provided in the correction unit 102 and the capacitance of each correction capacitor unit can be appropriately set in consideration of, for example, the required correction width of the capacitance, the capacitance of the entire variable capacitance element, and the like.

[実装回路の構成例]
本実施形態の実装回路110は、図23に示すように、可変容量素子100と、可変容量素子100の第1補正用外部端子16及び第2補正用外部端子17間を電気的に接続する外部配線111とを備える。また、実装回路110は、2つの第1バイアス抵抗R1と、2つの第2バイアス抵抗R2とを備える。
[Configuration example of mounted circuit]
As shown in FIG. 23, the mounting circuit 110 according to the present embodiment includes an external connection that electrically connects the variable capacitance element 100 and the first correction external terminal 16 and the second correction external terminal 17 of the variable capacitance element 100. Wiring 111 is provided. The mounting circuit 110 includes two first bias resistors R1 and two second bias resistors R2.

本実施形態の実装回路110では、可変容量素子100を実装回路110に実装した際に、信号用外部端子13が、一方の交流信号端子(AC1)及び対応する第1バイアス抵抗R1に接続される。さらに、この際、第1補正用外部端子16及び第2補正用外部端子17の両方が、外部配線111を介して他方の交流信号端子(AC2)及び対応する第1バイアス抵抗R1に接続される。   In the mounting circuit 110 of the present embodiment, when the variable capacitance element 100 is mounted on the mounting circuit 110, the signal external terminal 13 is connected to one AC signal terminal (AC1) and the corresponding first bias resistor R1. . Further, at this time, both the first correction external terminal 16 and the second correction external terminal 17 are connected to the other AC signal terminal (AC2) and the corresponding first bias resistor R1 via the external wiring 111. .

各第1バイアス抵抗R1は、可変容量素子100の対応する外部端子(信号用外部端子13、第1補正用外部端子16及び第2補正用外部端子17のいずれか)と、制御電圧用電源の一方の出力端子(DC1)との間に設けられる。一方、各第2バイアス抵抗R2は、可変容量素子100の対応する第2制御用外部端子15と、制御電圧用電源の他方の出力端子(DC2)との間に設けられる。   Each first bias resistor R1 is connected to a corresponding external terminal of the variable capacitance element 100 (any one of the signal external terminal 13, the first correction external terminal 16, and the second correction external terminal 17) and a control voltage power source. It is provided between one output terminal (DC1). On the other hand, each second bias resistor R2 is provided between the corresponding second external terminal 15 for control of the variable capacitance element 100 and the other output terminal (DC2) of the control voltage power supply.

本実施形態では、図23に示すように、可変容量素子100を実装回路110に実装した際には、第1補正用外部端子16及び第2補正用外部端子17が、外部配線111を介して第1バイアス抵抗R1及び他方の交流信号端子(AC2)に接続された状態となる。それゆえ、本実施形態では、可変容量素子100が実装回路110に実装された際には、実装回路110は、高容量接続状態となる。   In the present embodiment, as shown in FIG. 23, when the variable capacitance element 100 is mounted on the mounting circuit 110, the first correction external terminal 16 and the second correction external terminal 17 are connected via the external wiring 111. It will be in the state connected to 1st bias resistance R1 and the other alternating current signal terminal (AC2). Therefore, in this embodiment, when the variable capacitance element 100 is mounted on the mounting circuit 110, the mounting circuit 110 is in a high-capacity connection state.

[容量バラツキの補正処理]
本実施形態の実装回路110における容量バラツキの補正処理は、次のようにして行われる。まず、図23に示す高容量接続状態において、第1補正用外部端子16及び第2補正用外部端子17の一方の端子の容量を測定する。そして、測定した容量が所定の容量バラツキの範囲内の値である場合には、図23に示す高容量接続状態を維持して補正処理を終了する。
[Capacity variation correction]
The capacity variation correction process in the mounting circuit 110 of the present embodiment is performed as follows. First, in the high-capacity connection state shown in FIG. 23, the capacitance of one of the first correction external terminal 16 and the second correction external terminal 17 is measured. If the measured capacity is a value within a predetermined capacity variation range, the high capacity connection state shown in FIG. 23 is maintained and the correction process is terminated.

一方、測定した容量が所定の容量バラツキの範囲内の値でない場合には、第1補正用外部端子16及び第2補正用外部端子17間を電気的に接続する外部配線111の配線パターン部をカットし、可変容量素子100の接続状態を低容量接続状態に変更する。次いで、第1補正用外部端子16の容量を測定する。   On the other hand, if the measured capacitance is not a value within the range of the predetermined capacitance variation, the wiring pattern portion of the external wiring 111 that electrically connects the first correction external terminal 16 and the second correction external terminal 17 is determined. The connection state of the variable capacitance element 100 is changed to a low capacitance connection state. Next, the capacitance of the first correction external terminal 16 is measured.

そして、測定した容量が所定の容量バラツキの範囲内の値である場合には、低容量接続状態を維持して補正処理を終了する。なお、低容量接続状態において測定した可変容量素子100の第1補正用外部端子16の容量が、所定の容量バラツキの範囲内の値でない場合には、補正処理を行った可変容量素子100を、不良品として廃棄する。本実施形態では、このようにして、可変容量素子100の容量バラツキを補正する。   When the measured capacity is a value within a predetermined capacity variation range, the low-capacity connection state is maintained and the correction process is terminated. If the capacitance of the first correction external terminal 16 of the variable capacitance element 100 measured in the low-capacity connection state is not a value within a predetermined capacitance variation range, the variable capacitance element 100 subjected to the correction process is Discard as defective. In the present embodiment, the capacitance variation of the variable capacitance element 100 is corrected in this way.

上述のように、本実施形態においても、各補正用外部端子の容量を測定しながら、外部配線111の配線パターンを適宜カットすることにより、可変容量素子100の容量バラツキを補正することができる。それゆえ、本実施形態においても、上記第1の実施形態と同様の効果が得られる。   As described above, also in this embodiment, the capacitance variation of the variable capacitance element 100 can be corrected by appropriately cutting the wiring pattern of the external wiring 111 while measuring the capacitance of each correction external terminal. Therefore, also in the present embodiment, the same effect as in the first embodiment can be obtained.

[変形例6]
(1)実装回路の構成
図24に、変形例6に係る可変容量素子100、及び、それが実装された実装回路の構成例を示す。なお、図24に示すこの例の実装回路115において、図23に示す上記第4の実施形態の実装回路110と同様の構成には同じ符号を付して示す。
[Modification 6]
(1) Configuration of Mounting Circuit FIG. 24 shows a configuration example of the variable capacitance element 100 according to Modification 6 and a mounting circuit on which the variable capacitance element 100 is mounted. In the mounting circuit 115 of this example shown in FIG. 24, the same reference numerals are given to the same configurations as those of the mounting circuit 110 of the fourth embodiment shown in FIG.

図24と図23との比較から明らかなように、この例では、可変容量素子100を実装回路115に実装した際の外部配線111の配線パターンが、上記第4の実施形態のそれと異なる。それゆえ、ここでは、外部配線111の配線パターンについてのみ説明する。   As is clear from a comparison between FIG. 24 and FIG. 23, in this example, the wiring pattern of the external wiring 111 when the variable capacitance element 100 is mounted on the mounting circuit 115 is different from that of the fourth embodiment. Therefore, only the wiring pattern of the external wiring 111 will be described here.

この例では、可変容量素子100が実装回路115に実装された際に、可変容量素子100の第1補正用外部端子16のみが、外部配線111を介して対応する第1バイアス抵抗R1及び他方の交流信号端子(AC2)に接続された構成になる。すなわち、この例の実装回路115では、可変容量素子100が実装回路115に実装した際には、実装回路115は、低容量接続状態となる。   In this example, when the variable capacitor 100 is mounted on the mounting circuit 115, only the first correction external terminal 16 of the variable capacitor 100 is connected to the corresponding first bias resistor R1 and the other via the external wiring 111. The configuration is connected to the AC signal terminal (AC2). That is, in the mounting circuit 115 of this example, when the variable capacitance element 100 is mounted on the mounting circuit 115, the mounting circuit 115 is in a low-capacitance connection state.

(2)容量バラツキの補正処理
この例の実装回路115における容量バラツキの補正処理は、次のようにして行われる。まず、図24に示す低容量接続状態において、第1補正用外部端子16の容量を測定する。そして、測定した容量が所定の容量バラツキの範囲内の値である場合には、図24に示す低容量接続状態を維持して補正処理を終了する。
(2) Capacitance variation correction processing The capacitance variation correction processing in the mounting circuit 115 of this example is performed as follows. First, in the low capacitance connection state shown in FIG. 24, the capacitance of the first correction external terminal 16 is measured. If the measured capacity is a value within a predetermined capacity variation range, the low capacity connection state shown in FIG. 24 is maintained and the correction process is terminated.

一方、測定した容量が所定の容量バラツキの範囲内の値でない場合には、図23に示すように、外部配線111で第1補正用外部端子16及び第2補正用外部端子17間を電気的に接続(パターン接続)し、可変容量素子100の接続状態を高容量接続状態に変更する。   On the other hand, if the measured capacitance is not a value within the range of the predetermined capacitance variation, as shown in FIG. 23, the external wiring 111 electrically connects the first correction external terminal 16 and the second correction external terminal 17. Are connected (pattern connection), and the connection state of the variable capacitance element 100 is changed to a high-capacity connection state.

次いで、第1補正用外部端子16又は第2補正用外部端子17の容量を測定する。そして、測定した容量が所定の容量バラツキの範囲内の値である場合には、高容量接続状態を維持して補正処理を終了する。なお、高容量接続状態において測定した可変容量素子100の容量が、所定の容量バラツキの範囲内の値でない場合には、補正処理を行った可変容量素子100を、不良品として廃棄する。この例では、このようにして、可変容量素子100の容量バラツキを補正する。   Next, the capacitance of the first correction external terminal 16 or the second correction external terminal 17 is measured. When the measured capacity is a value within a predetermined capacity variation range, the high capacity connection state is maintained and the correction process is terminated. When the capacitance of the variable capacitance element 100 measured in the high-capacity connection state is not a value within a predetermined capacitance variation range, the corrected variable capacitance element 100 is discarded as a defective product. In this example, the capacitance variation of the variable capacitance element 100 is corrected in this way.

上述のように、変形例6では、各補正用外部端子の容量を測定しながら、複数の補正用外部端子間を外部配線111で適宜接続することにより、可変容量素子100の容量バラツキを補正することができる。それゆえ、本実施形態においても、上記第1の実施形態と同様の効果が得られる。   As described above, in the sixth modification, the capacitance variation of the variable capacitance element 100 is corrected by appropriately connecting the plurality of correction external terminals with the external wiring 111 while measuring the capacitance of each correction external terminal. be able to. Therefore, also in the present embodiment, the same effect as in the first embodiment can be obtained.

[変形例7]
上記各種実施形態及び各種変形例では、複数の補正コンデンサ部で補正部を構成する例を説明したが、本開示はこれに限定されず、1つの補正コンデンサ部で補正部を構成してもよい。
[Modification 7]
In the various embodiments and various modifications described above, the example in which the correction unit is configured with a plurality of correction capacitor units has been described, but the present disclosure is not limited thereto, and the correction unit may be configured with one correction capacitor unit. .

なお、この場合、例えば、上記第1〜第3の実施形態(図4、13、17)で示した直列型の可変容量素子(実装回路)では、コンデンサ本体部の補正部側の端部に接続された制御用外部端子を補正用外部端子として利用する。より具体的には、上記第1及び第3の実施形態(図4及び図17)では、コンデンサ本体部11の第8可変コンデンサ部C8に接続された第1制御用外部端子14を補正用外部端子として利用する。また、上記第2の実施形態(図13)では、コンデンサ本体部31の第9可変コンデンサ部C39に接続された第2制御用外部端子15を補正用外部端子として利用する。   In this case, for example, in the series-type variable capacitance element (mounting circuit) shown in the first to third embodiments (FIGS. 4, 13, and 17), at the end of the capacitor body on the correction unit side. The connected control external terminal is used as a correction external terminal. More specifically, in the first and third embodiments (FIGS. 4 and 17), the first control external terminal 14 connected to the eighth variable capacitor unit C8 of the capacitor body 11 is connected to the correction external unit. Used as a terminal. In the second embodiment (FIG. 13), the second external terminal for control 15 connected to the ninth variable capacitor part C39 of the capacitor main body 31 is used as an external terminal for correction.

また、上記第4の実施形態(図23)で示した並列型の可変容量素子100(実装回路110)において、補正部102を1つの補正コンデンサ部で構成した場合には、補正部102に接続された第2制御用外部端子15を省略すればよい。   Further, in the parallel type variable capacitance element 100 (mounting circuit 110) shown in the fourth embodiment (FIG. 23), when the correction unit 102 is composed of one correction capacitor unit, it is connected to the correction unit 102. The second control external terminal 15 may be omitted.

<6.各種応用例>
上記本開示に係る可変容量素子、及び、容量バラツキの補正処理の技術は、可変容量素子に直流の制御電圧を印加して、その容量を調整する必要のあるシステム及び装置(電子機器)であれば、任意のシステム及び装置に適用可能である。以下では、本開示の可変容量素子の各種応用例(適用例)について説明する。
<6. Various application examples>
The variable capacitance element according to the present disclosure and the technique for correcting the capacitance variation may be a system and an apparatus (electronic device) that needs to apply a DC control voltage to the variable capacitance element to adjust the capacitance. For example, the present invention can be applied to any system and apparatus. Hereinafter, various application examples (application examples) of the variable capacitance element of the present disclosure will be described.

[応用例1:通信装置]
まず、応用例1では、例えば非接触通信機能を備える情報処理端末等の通信装置に、上記各種実施形態及び各種変形例に係る可変容量素子を適用した例を説明する。
[Application Example 1: Communication Device]
First, in Application Example 1, an example in which the variable capacitance element according to the above-described various embodiments and various modifications is applied to a communication device such as an information processing terminal having a non-contact communication function will be described.

図25に、応用例1に係る通信装置の概略回路構成を示す。なお、図25では、説明を簡略化するため、通信装置200の受信系(復調系)の回路部の構成のみを示す。信号の送信系(変調系)の回路部を含む他の構成は、従来の通信装置と同様に構成することができる。   FIG. 25 shows a schematic circuit configuration of a communication apparatus according to Application Example 1. In FIG. 25, only the configuration of the circuit unit of the reception system (demodulation system) of the communication apparatus 200 is shown to simplify the description. Other configurations including the circuit section of the signal transmission system (modulation system) can be configured in the same manner as a conventional communication apparatus.

通信装置200は、受信部201と、信号処理部202と、制御部203とを備える。   The communication device 200 includes a receiving unit 201, a signal processing unit 202, and a control unit 203.

受信部201は、共振アンテナ210(共振回路,受信アンテナ部,通信部)と、共振アンテナ210に直流の制御電圧Vcを印加する電圧発生回路211と、コイル212とを有する。なお、この例の受信部201は、例えば外部のR/W装置(不図示)から非接触通信により送信される信号を共振アンテナ210で受信し、その受信信号を、信号処理部202に出力する。   The reception unit 201 includes a resonance antenna 210 (resonance circuit, reception antenna unit, communication unit), a voltage generation circuit 211 that applies a DC control voltage Vc to the resonance antenna 210, and a coil 212. Note that the receiving unit 201 in this example receives, for example, a signal transmitted by non-contact communication from an external R / W device (not shown) by the resonant antenna 210 and outputs the received signal to the signal processing unit 202. .

共振アンテナ210は、共振コイル213と、共振コンデンサ214とを有する。共振コイル213は、例えばスパイラルコイル等の素子により構成される。また、共振コイル213の等価回路は、共振コイル213のインダクタンス成分213a(Ls)及び抵抗成分213b(rs:数オーム程度)の直列回路で表される。   The resonant antenna 210 includes a resonant coil 213 and a resonant capacitor 214. The resonance coil 213 is configured by an element such as a spiral coil. The equivalent circuit of the resonance coil 213 is represented by a series circuit of an inductance component 213a (Ls) and a resistance component 213b (rs: about several ohms) of the resonance coil 213.

共振コンデンサ214は、容量Coの定容量コンデンサ215と、可変コンデンサ216と、可変コンデンサ216の両端子にそれぞれ接続された2個のバイアス除去用コンデンサ217とで構成される。そして、定容量コンデンサ215と、可変コンデンサ216及び2個のバイアス除去用コンデンサ217からなる直列回路とは、共振コイル213に並列接続される。   The resonant capacitor 214 includes a constant-capacitance capacitor 215 having a capacitance Co, a variable capacitor 216, and two bias removing capacitors 217 connected to both terminals of the variable capacitor 216, respectively. A constant capacitor 215 and a series circuit including a variable capacitor 216 and two bias removing capacitors 217 are connected in parallel to the resonance coil 213.

すなわち、この例の共振アンテナ210は、共振コンデンサ214の一部を可変コンデンサ216で構成したチューナブル共振アンテナである。また、この例の共振アンテナ210の共振周波数は、共振コイル213全体のインダクタンスL及び共振コンデンサ214全体の容量Cから、(LC)1/2で計算される。なお、共振コイル213全体のインダクタンスLは、例えば、スパイラルコイル(アンテナ)及びスパイラルコイル上に設けられた磁気シート(不図示)の特性により決定される。また、共振コンデンサ214全体の容量Cは、主に、定容量コンデンサ215の容量Coと、可変コンデンサ216の容量Cvとで決定される。ただし、共振コイル213をスパイラルコイルで構成した場合には、その線間容量も考慮する。 That is, the resonant antenna 210 of this example is a tunable resonant antenna in which a part of the resonant capacitor 214 is configured by the variable capacitor 216. Further, the resonance frequency of the resonance antenna 210 of this example is calculated by (LC) 1/2 from the inductance L of the entire resonance coil 213 and the capacitance C of the entire resonance capacitor 214. The inductance L of the entire resonance coil 213 is determined by, for example, the characteristics of a spiral coil (antenna) and a magnetic sheet (not shown) provided on the spiral coil. Further, the capacitance C of the entire resonance capacitor 214 is mainly determined by the capacitance Co of the constant capacitance capacitor 215 and the capacitance Cv of the variable capacitor 216. However, when the resonance coil 213 is formed of a spiral coil, the capacitance between the lines is also taken into consideration.

また、可変コンデンサ216の両方の端子は、電圧発生回路211の2つの出力端子(DC1及びDC2)にそれぞれ接続される。なお、この例では、可変コンデンサ216の一方の端子は、コイル212を介して、電圧発生回路211の一方の出力端子(DC1)に接続される。   Further, both terminals of the variable capacitor 216 are connected to the two output terminals (DC1 and DC2) of the voltage generation circuit 211, respectively. In this example, one terminal of the variable capacitor 216 is connected to one output terminal (DC1) of the voltage generation circuit 211 via the coil 212.

可変コンデンサ216は、上記各種実施形態及び上記各種変形例のいずれかで説明した本開示に係る可変容量素子で構成される。なお、本開示に係る可変容量素子では、比誘電率の大きな強誘電体材料で形成され、その容量Cvは、電圧発生回路211から印加される制御電圧Vc(電圧信号)に応じて変化する。具体的には、電圧発生回路211から制御電圧Vcが印加されると、可変コンデンサ216の容量Cvは低下する。それゆえ、制御電圧Vcが印加されると、共振アンテナ210の共振周波数は高くなる。   The variable capacitor 216 is configured by the variable capacitance element according to the present disclosure described in any of the various embodiments and the various modifications. Note that the variable capacitance element according to the present disclosure is formed of a ferroelectric material having a large relative dielectric constant, and the capacitance Cv changes according to the control voltage Vc (voltage signal) applied from the voltage generation circuit 211. Specifically, when the control voltage Vc is applied from the voltage generation circuit 211, the capacitance Cv of the variable capacitor 216 decreases. Therefore, when the control voltage Vc is applied, the resonant frequency of the resonant antenna 210 increases.

コイル212は、可変コンデンサ216の一方の端子と電圧発生回路211の一方の出力端子(DC1)との間に設けられる。そして、この例では、コイル212及び可変コンデンサ216からなる回路がノイズフィルタとして作用するように、コイル212のインダクタンスLnが適宜設定される。   The coil 212 is provided between one terminal of the variable capacitor 216 and one output terminal (DC1) of the voltage generation circuit 211. In this example, the inductance Ln of the coil 212 is appropriately set so that the circuit including the coil 212 and the variable capacitor 216 acts as a noise filter.

信号処理部202は、受信部201で受信した交流信号に対して所定の処理を施し、交流信号を復調する。   The signal processing unit 202 performs a predetermined process on the AC signal received by the receiving unit 201 and demodulates the AC signal.

制御部203は、通信装置200の動作全般を制御するための例えばCPU(Central Processing Unit)等の回路により構成される。また、この例では、CPU(制御部203)から電圧発生回路211に入力される制御信号に基づいて、可変コンデンサ216に印加する制御電圧Vcを調整して、受信部201(共振アンテナ210)の共振周波数を調整する。   The control unit 203 is configured by a circuit such as a CPU (Central Processing Unit) for controlling the overall operation of the communication apparatus 200. Further, in this example, the control voltage Vc applied to the variable capacitor 216 is adjusted based on a control signal input from the CPU (control unit 203) to the voltage generation circuit 211, and the reception unit 201 (resonance antenna 210). Adjust the resonance frequency.

[応用例2:通信システム]
次に、非接触通信で情報の送受信を行う通信システムに、上記各種実施形態及び各種変形例に係る可変容量素子を適用した例(応用例2)を説明する。
[Application Example 2: Communication System]
Next, an example (application example 2) in which the variable capacitance element according to the above-described various embodiments and various modifications is applied to a communication system that transmits and receives information by non-contact communication will be described.

図26に、応用例2に係る通信システムの概略ブロック構成を示す。なお、図26には、説明を簡略化するため、非接触通信に関与する要部の構成のみを示す。また、図26では、各回路ブロック間において情報の入出力に関する配線を実線矢印で示し、電力の供給に関する配線は、点線矢印で示す。   FIG. 26 shows a schematic block configuration of a communication system according to Application Example 2. FIG. 26 shows only the configuration of the main part involved in non-contact communication in order to simplify the description. In FIG. 26, wiring related to input / output of information between the circuit blocks is indicated by solid arrows, and wiring related to power supply is indicated by dotted arrows.

通信システム220は、送信装置221と、受信装置222とを備える。通信システム220では、送信装置221及び受信装置222間で非接触通信により情報の送受信を行う。なお、図26に示す構成の通信システム220の例としては、例えば、Felica(登録商標)に代表されるような非接触ICカード規格と、近距離無線通信(NFC:Near Field Communication)規格とを組み合わせた通信システムが挙げられる。以下、各装置の構成をより詳細に説明する。   The communication system 220 includes a transmission device 221 and a reception device 222. In the communication system 220, information is transmitted and received between the transmission device 221 and the reception device 222 by non-contact communication. As an example of the communication system 220 configured as shown in FIG. 26, for example, a non-contact IC card standard represented by Felica (registered trademark) and a near field communication (NFC) standard are used. A combined communication system is exemplified. Hereinafter, the configuration of each device will be described in more detail.

(1)送信装置
送信装置221は、受信装置222に対して非接触でデータを読み書きするリーダライタ機能を有する装置である。送信装置221は、一次側アンテナ部(送信アンテナ部)223、可変インピーダンスマッチング部224、送信信号生成部225、変調回路226、復調回路227、送受信制御部228及び送信側システム制御部229を備える。さらに、送信装置221は、送信装置221の動作全般を制御するための制御部230を備える。
(1) Transmitting Device The transmitting device 221 is a device having a reader / writer function for reading and writing data without contact with the receiving device 222. The transmission device 221 includes a primary antenna unit (transmission antenna unit) 223, a variable impedance matching unit 224, a transmission signal generation unit 225, a modulation circuit 226, a demodulation circuit 227, a transmission / reception control unit 228, and a transmission side system control unit 229. Further, the transmission device 221 includes a control unit 230 for controlling the overall operation of the transmission device 221.

送信装置221内の各部間の電気的な接続関係は、次の通りである。一次側アンテナ部223は、可変インピーダンスマッチング部224に接続され、信号の入出力を行う。また、一次側アンテナ部223の一方の制御端子は、送受信制御部228に接続され、他方の制御端子は、制御部230に接続される。可変インピーダンスマッチング部224の入力端子は、送信信号生成部225の出力端子に接続され、可変インピーダンスマッチング部224の出力端子は、復調回路227の入力端子に接続される。また、可変インピーダンスマッチング部224の一方の制御端子は、送受信制御部228に接続され、他方の制御端子は、制御部230に接続される。   The electrical connection relationship between the units in the transmission device 221 is as follows. The primary side antenna unit 223 is connected to the variable impedance matching unit 224 and inputs and outputs signals. In addition, one control terminal of the primary side antenna unit 223 is connected to the transmission / reception control unit 228, and the other control terminal is connected to the control unit 230. The input terminal of the variable impedance matching unit 224 is connected to the output terminal of the transmission signal generation unit 225, and the output terminal of the variable impedance matching unit 224 is connected to the input terminal of the demodulation circuit 227. Further, one control terminal of the variable impedance matching unit 224 is connected to the transmission / reception control unit 228, and the other control terminal is connected to the control unit 230.

送信信号生成部225の入力端子は、変調回路226の出力端子に接続される。また、変調回路226の入力端子は、送信側システム制御部229の一方の出力端子に接続される。復調回路227の出力端子は、送信側システム制御部229の入力端子に接続される。また、送受信制御部228の一方の入力端子は、送信信号生成部225の出力端子に接続され、他方の入力端子は、送信側システム制御部229の他方の出力端子に接続される。   The input terminal of the transmission signal generator 225 is connected to the output terminal of the modulation circuit 226. The input terminal of the modulation circuit 226 is connected to one output terminal of the transmission side system control unit 229. The output terminal of the demodulation circuit 227 is connected to the input terminal of the transmission side system control unit 229. In addition, one input terminal of the transmission / reception control unit 228 is connected to the output terminal of the transmission signal generation unit 225, and the other input terminal is connected to the other output terminal of the transmission-side system control unit 229.

次に、送信装置221の各部の構成及び機能について説明する。一次側アンテナ部223は、上記応用例1(図25)の受信部201(共振回路部)と同様の構成を有し、共振コイル及び共振コンデンサからなる共振回路(共振アンテナ210)と、共振コンデンサの容量を調整する電圧発生回路とを有する。一次側アンテナ部223は、共振回路により所望の周波数の送信信号を送信すると共に、後述する受信装置222からの応答信号を受信する。この際、共振回路の共振周波数が所望の周波数となるように、電圧発生回路が、共振コンデンサの容量を調整する。そして、この例では、一次側アンテナ部223に含まれる可変コンデンサ(不図示)に、上記各種実施形態及び各種変形例のいずれかで説明した可変容量素子を適用する。   Next, the configuration and function of each unit of the transmission device 221 will be described. The primary side antenna unit 223 has the same configuration as that of the reception unit 201 (resonance circuit unit) of the application example 1 (FIG. 25), and includes a resonance circuit (resonance antenna 210) including a resonance coil and a resonance capacitor, and a resonance capacitor. And a voltage generation circuit for adjusting the capacitance of The primary side antenna unit 223 transmits a transmission signal having a desired frequency by the resonance circuit and receives a response signal from the receiving device 222 described later. At this time, the voltage generation circuit adjusts the capacitance of the resonance capacitor so that the resonance frequency of the resonance circuit becomes a desired frequency. In this example, the variable capacitor described in any of the above-described various embodiments and various modifications is applied to a variable capacitor (not shown) included in the primary antenna unit 223.

可変インピーダンスマッチング部224は、送信信号生成部225と一次側アンテナ部223との間のインピーダンスの整合を取る回路である。なお、図26には示さないが、可変インピーダンスマッチング部224は、可変コンデンサと、該可変コンデンサの容量を調整するための電圧発生回路を有する。この例では、電圧発生回路で可変コンデンサの容量を調整することにより、送信信号生成部225及び一次側アンテナ部223間のインピーダンスマッチングを実現する。なお、この例では、可変インピーダンスマッチング部224に含まれる可変コンデンサにも、上記各種実施形態及び各種変形例のいずれかで説明した可変容量素子を適用する。   The variable impedance matching unit 224 is a circuit that performs impedance matching between the transmission signal generation unit 225 and the primary antenna unit 223. Although not shown in FIG. 26, the variable impedance matching unit 224 includes a variable capacitor and a voltage generation circuit for adjusting the capacitance of the variable capacitor. In this example, impedance matching between the transmission signal generation unit 225 and the primary side antenna unit 223 is realized by adjusting the capacitance of the variable capacitor by the voltage generation circuit. In this example, the variable capacitor described in any of the various embodiments and various modifications is applied to the variable capacitor included in the variable impedance matching unit 224.

送信信号生成部225は、変調回路226から入力された送信データにより所望の周波数(例えば13.56MHz)のキャリア信号を変調し、該変調したキャリア信号を、可変インピーダンスマッチング部224を介して一次側アンテナ部223に出力する。   The transmission signal generation unit 225 modulates a carrier signal of a desired frequency (for example, 13.56 MHz) with the transmission data input from the modulation circuit 226, and the modulated carrier signal is transmitted to the primary side via the variable impedance matching unit 224. Output to the antenna unit 223.

変調回路226は、送信側システム制御部229から入力された送信データを変調し、該変調した送信データを送信信号生成部225に出力する。   The modulation circuit 226 modulates the transmission data input from the transmission-side system control unit 229 and outputs the modulated transmission data to the transmission signal generation unit 225.

復調回路227は、一次側アンテナ部223で受信した応答信号を、可変インピーダンスマッチング部224を介して取得し、該応答信号を復調する。そして、復調回路227は、復調した応答データを送信側システム制御部229に出力する。   The demodulation circuit 227 acquires the response signal received by the primary side antenna unit 223 via the variable impedance matching unit 224, and demodulates the response signal. Then, the demodulation circuit 227 outputs the demodulated response data to the transmission-side system control unit 229.

送受信制御部228は、送信信号生成部225から可変インピーダンスマッチング部224に送出されるキャリア信号の送信電圧、送信電流などの通信状態をモニタリングする。そして、送受信制御部228は、通信状態のモニタ結果に応じて、可変インピーダンスマッチング部224及び一次側アンテナ部223に制御信号を出力する。   The transmission / reception control unit 228 monitors the communication state such as the transmission voltage and transmission current of the carrier signal transmitted from the transmission signal generation unit 225 to the variable impedance matching unit 224. Then, the transmission / reception control unit 228 outputs a control signal to the variable impedance matching unit 224 and the primary antenna unit 223 according to the monitoring result of the communication state.

送信側システム制御部229は、外部からの指令や内蔵するプログラムにしたがって、各種制御用のコントロール信号を生成し、該コントロール信号を変調回路226及び送受信制御部228に出力して、両回路部の動作を制御する。また、送信側システム制御部229は、コントロール信号(指令信号)に対応した送信データを生成し、該送信データを変調回路226に供給する。さらに、送信側システム制御部229は、復調回路227で復調された応答データに基づいて所定の処理を行う。   The transmission-side system control unit 229 generates control signals for various controls in accordance with external commands and built-in programs, outputs the control signals to the modulation circuit 226 and the transmission / reception control unit 228, and Control the behavior. Further, the transmission-side system control unit 229 generates transmission data corresponding to the control signal (command signal) and supplies the transmission data to the modulation circuit 226. Further, the transmission-side system control unit 229 performs predetermined processing based on the response data demodulated by the demodulation circuit 227.

制御部230は、例えばCPU等の回路により構成される。CPU(制御部230)の複数の出力端は、可変インピーダンスマッチング部224及び一次側アンテナ部223内の電圧発生回路の対応する入力端にそれぞれ接続される。そして、制御部230は、送受信制御部228から可変インピーダンスマッチング部224及び一次側アンテナ部223に入力される制御信号に出力する。この制御信号に基づいて、可変インピーダンスマッチング部224及び一次側アンテナ部223内に含まれる可変コンデンサに印加する制御電圧が調整される。また、この際、送信信号生成部225と一次側アンテナ部223との間のインピーダンスマッチング、及び、一次側アンテナ部223の共振周波数が最適になるように制御電圧が調整される。   The control unit 230 is configured by a circuit such as a CPU. A plurality of output terminals of the CPU (control unit 230) are connected to corresponding input terminals of the voltage generation circuit in the variable impedance matching unit 224 and the primary side antenna unit 223, respectively. The control unit 230 outputs the control signal input from the transmission / reception control unit 228 to the variable impedance matching unit 224 and the primary antenna unit 223. Based on this control signal, the control voltage applied to the variable capacitor included in the variable impedance matching unit 224 and the primary antenna unit 223 is adjusted. At this time, the control voltage is adjusted so that the impedance matching between the transmission signal generation unit 225 and the primary antenna unit 223 and the resonance frequency of the primary antenna unit 223 are optimized.

なお、図26に示す例では、送信装置221において、送受信制御部228、送信側システム制御部229及び制御部230(CPU)をそれぞれ別個に設ける例を説明したが、本開示はこれに限定されない。制御部230が送受信制御部228及び送信側システム制御部229を含むような構成であってもよい。   In the example illustrated in FIG. 26, the transmission apparatus 221 has been described with an example in which the transmission / reception control unit 228, the transmission-side system control unit 229, and the control unit 230 (CPU) are separately provided, but the present disclosure is not limited thereto. . The control unit 230 may include a transmission / reception control unit 228 and a transmission-side system control unit 229.

(2)受信装置
次に、受信装置222について説明する。なお、図26に示す例では、受信装置222を非接触ICカード(データキャリア)で構成した例を示す。また、この例では、受信装置222が、自身の共振周波数を調整する機能を備える例を説明する。
(2) Receiving Device Next, the receiving device 222 will be described. In the example shown in FIG. 26, an example in which the receiving device 222 is configured with a non-contact IC card (data carrier) is shown. In this example, an example in which the reception device 222 has a function of adjusting its own resonance frequency will be described.

受信装置222は、二次側アンテナ部(受信アンテナ部)231、整流部232、定電圧部233、受信制御部234、復調回路235、受信側システム制御部236、変調回路237、バッテリー238を備える。   The reception device 222 includes a secondary antenna unit (reception antenna unit) 231, a rectification unit 232, a constant voltage unit 233, a reception control unit 234, a demodulation circuit 235, a reception side system control unit 236, a modulation circuit 237, and a battery 238. .

受信装置222内の各部間の電気的な接続関係は、次の通りである。二次側アンテナ部231の出力端子は、整流部232の入力端子、受信制御部234の一方の入力端子及び復調回路235の入力端子に接続される。また、二次側アンテナ部231の入力端子は、変調回路237の出力端子に接続され、二次側アンテナ部231の制御端子は、受信制御部234の出力端子に接続される。整流部232の出力端子は、定電圧部233の入力端子に接続される。また、定電圧部233の出力端子は、受信制御部234、変調回路237及び復調回路235の各電源入力端子に接続される。   The electrical connection relationship between the units in the receiving apparatus 222 is as follows. The output terminal of the secondary side antenna unit 231 is connected to the input terminal of the rectification unit 232, one input terminal of the reception control unit 234, and the input terminal of the demodulation circuit 235. The input terminal of the secondary side antenna unit 231 is connected to the output terminal of the modulation circuit 237, and the control terminal of the secondary side antenna unit 231 is connected to the output terminal of the reception control unit 234. The output terminal of the rectifying unit 232 is connected to the input terminal of the constant voltage unit 233. The output terminal of the constant voltage unit 233 is connected to the power input terminals of the reception control unit 234, the modulation circuit 237, and the demodulation circuit 235.

受信制御部234の他方の入力端子は、受信側システム制御部236の一方の出力端子に接続される。復調回路235の出力端子は、受信側システム制御部236の入力端子に接続される。また、変調回路237の入力端子は、受信側システム制御部236の他方の出力端子に接続される。そして、受信側システム制御部236の電源入力端子は、バッテリー238の出力端子に接続される。   The other input terminal of the reception control unit 234 is connected to one output terminal of the reception-side system control unit 236. The output terminal of the demodulation circuit 235 is connected to the input terminal of the reception-side system control unit 236. The input terminal of the modulation circuit 237 is connected to the other output terminal of the reception-side system control unit 236. The power input terminal of the receiving system control unit 236 is connected to the output terminal of the battery 238.

次に、受信装置222の各部の構成及び機能について説明する。二次側アンテナ部231は、図示しないが、共振コイル及び共振コンデンサからなる共振回路を有し、共振コンデンサは、制御電圧を印加することにより容量が変化する可変コンデンサを含む。二次側アンテナ部231は、送信装置221(一次側アンテナ部223)と電磁結合により通信を行う部分であり、一次側アンテナ部223が発生する磁界を受け、送信装置221からの送信信号を受信する。この際、二次側アンテナ部231の共振周波数が所望の周波数となるように、可変コンデンサの容量が調整される。なお、この例では、二次側アンテナ部231に含まれる可変コンデンサに、上記各種実施形態及び各種変形例のいずれかで説明した可変容量素子を適用する。   Next, the configuration and function of each unit of the reception device 222 will be described. Although not shown, the secondary antenna unit 231 includes a resonance circuit including a resonance coil and a resonance capacitor, and the resonance capacitor includes a variable capacitor whose capacitance is changed by applying a control voltage. The secondary side antenna unit 231 is a part that communicates with the transmission device 221 (primary side antenna unit 223) by electromagnetic coupling. The secondary side antenna unit 231 receives a magnetic field generated by the primary side antenna unit 223 and receives a transmission signal from the transmission device 221. To do. At this time, the capacitance of the variable capacitor is adjusted so that the resonance frequency of the secondary antenna unit 231 becomes a desired frequency. In this example, the variable capacitor described in any of the various embodiments and various modifications is applied to the variable capacitor included in the secondary antenna unit 231.

整流部232は、例えば整流用ダイオードと整流用コンデンサとからなる半波整流回路で構成され、二次側アンテナ部231で受信した交流電力を直流電力に整流し、該整流した直流電力を定電圧部233に出力する。   The rectification unit 232 is configured by a half-wave rectification circuit including, for example, a rectification diode and a rectification capacitor. The rectification unit 232 rectifies the AC power received by the secondary side antenna unit 231 into DC power, and converts the rectified DC power to a constant voltage. Output to the unit 233.

定電圧部233は、整流部232から入力された電気信号(直流電力)に対して電圧変動(データ成分)の抑制処理及び安定化処理を施し、該処理された直流電力を受信制御部234に供給する。なお、整流部232及び定電圧部233を介して出力された直流電力は、受信装置222内のIC(Integrated circuit)を動作させるための電源として使用される。   The constant voltage unit 233 performs voltage fluctuation (data component) suppression processing and stabilization processing on the electric signal (DC power) input from the rectification unit 232, and supplies the processed DC power to the reception control unit 234. Supply. Note that the DC power output via the rectifying unit 232 and the constant voltage unit 233 is used as a power source for operating an integrated circuit (IC) in the receiving device 222.

受信制御部234は、例えばIC等で構成され、二次側アンテナ部231で受信される受信信号の大きさや電圧/電流の位相などをモニタする。そして、受信制御部234は、受信信号のモニタ結果に基づいて二次側アンテナ部231の共振特性を制御して、受信時における共振周波数の最適化を図る。具体的には、二次側アンテナ部231内に含まれる可変コンデンサに制御電圧を印加してその容量を調整し、これにより、二次側アンテナ部231の共振周波数を調整する。   The reception control unit 234 is configured by an IC or the like, for example, and monitors the magnitude of the reception signal received by the secondary side antenna unit 231 and the voltage / current phase. And the reception control part 234 controls the resonance characteristic of the secondary side antenna part 231 based on the monitoring result of a received signal, and aims at the optimization of the resonant frequency at the time of reception. Specifically, a control voltage is applied to a variable capacitor included in the secondary side antenna unit 231 to adjust its capacity, thereby adjusting the resonance frequency of the secondary side antenna unit 231.

復調回路235は、二次側アンテナ部231で受信した受信信号を復調し、該復調した信号を受信側システム制御部236に出力する。   The demodulation circuit 235 demodulates the reception signal received by the secondary side antenna unit 231 and outputs the demodulated signal to the reception side system control unit 236.

受信側システム制御部236は、復調回路235で復調された信号に基づいて、その内容を判断して必要な処理を行い、変調回路237及び受信制御部234を制御する。   The reception-side system control unit 236 determines the content based on the signal demodulated by the demodulation circuit 235, performs necessary processing, and controls the modulation circuit 237 and the reception control unit 234.

変調回路237は、受信側システム制御部236で判断された結果(復調信号の内容)に従って受信キャリアを変調して応答信号を生成する。そして、変調回路237は、生成した応答信号を二次側アンテナ部231に出力する。なお、変調回路237から出力された応答信号は、非接触通信により、二次側アンテナ部231から一次側アンテナ部223に送信される。   The modulation circuit 237 modulates the reception carrier according to the result (contents of the demodulated signal) determined by the reception-side system control unit 236 to generate a response signal. Then, the modulation circuit 237 outputs the generated response signal to the secondary antenna unit 231. Note that the response signal output from the modulation circuit 237 is transmitted from the secondary side antenna unit 231 to the primary side antenna unit 223 by non-contact communication.

バッテリー238は、受信側システム制御部236に電力を供給する。このバッテリー238への充電は、その充電端子を外部電源239に接続することにより行われる。この例のように、受信装置222がバッテリー238を内蔵する構成である場合には、より安定した電力を受信側システム制御部236に供給することができ、安定した動作が可能となる。なお、この例では、バッテリー238を使用せずに、整流部232及び定電圧部233を介して生成される直流電力を用いて、受信側システム制御部236を駆動する構成にしてもよい。   The battery 238 supplies power to the receiving system control unit 236. The battery 238 is charged by connecting its charging terminal to the external power source 239. As in this example, when the receiving device 222 is configured to incorporate the battery 238, more stable power can be supplied to the receiving-side system control unit 236, and stable operation is possible. In this example, the reception-side system control unit 236 may be driven using DC power generated via the rectification unit 232 and the constant voltage unit 233 without using the battery 238.

上記構成の通信システム220では、送信装置221の一次側アンテナ部223及び受信装置222の二次側アンテナ部231間において、電磁結合を介して非接触でデータ通信を行う。それゆえ、送信装置221及び受信装置222において効率良く通信を行うために、一次側アンテナ部223及び二次側アンテナ部231の各共振回路が同じキャリア周波数(例えば13.56MHz)で共振するように構成される。   In the communication system 220 configured as described above, data communication is performed in a non-contact manner via electromagnetic coupling between the primary side antenna unit 223 of the transmission device 221 and the secondary side antenna unit 231 of the reception device 222. Therefore, in order to perform efficient communication between the transmission device 221 and the reception device 222, the resonance circuits of the primary side antenna unit 223 and the secondary side antenna unit 231 resonate at the same carrier frequency (for example, 13.56 MHz). Composed.

この例では、上述のように、一次側アンテナ部223、可変インピーダンスマッチング部224及び二次側アンテナ部231に含まれる可変コンデンサに、上記各種実施形態及び各種変形例のいずれかで説明した、実装後に容量を補正可能な可変容量素子を適用する。それゆえ、この例の通信システム220では、共振周波数及びインピーダンスマッチング特性の両方を最適に保つことができ、通信特性を向上させることができる。   In this example, as described above, the variable capacitor included in the primary side antenna unit 223, the variable impedance matching unit 224, and the secondary side antenna unit 231 is mounted on the variable capacitor described in any of the various embodiments and various modifications. A variable capacitance element capable of correcting the capacitance later is applied. Therefore, in the communication system 220 of this example, both the resonance frequency and the impedance matching characteristic can be kept optimal, and the communication characteristic can be improved.

なお、この例では、受信装置222を非接触ICカード(データキャリア)で構成する例を示したが、本開示はこれに限定されない。受信装置222として、上記応用例1で説明した、例えば非接触通信機能を備える情報処理端末等の通信装置を用いてもよい。また、非接触ICカード(データキャリア)が、例えば非接触通信機能を備える情報処理端末等の通信装置に搭載されるシステムCPUと同等の性能を有するCPUを備える場合には、本開示の可変容量素子をそのような非接触ICカードにも適用することができる。   In this example, the example in which the receiving device 222 is configured by a non-contact IC card (data carrier) is shown, but the present disclosure is not limited to this. As the receiving device 222, for example, a communication device such as an information processing terminal having a non-contact communication function described in the first application example may be used. When the non-contact IC card (data carrier) includes a CPU having a performance equivalent to that of a system CPU mounted on a communication device such as an information processing terminal having a non-contact communication function, for example, the variable capacity of the present disclosure The element can also be applied to such a non-contact IC card.

この場合、一次側アンテナ部223及び二次側アンテナ部231の各共振周波数を別個に電圧発生回路で調整することができる。それゆえ、このような構成の通信システム220では、様々な要因により受信共振周波数及び/又は送信共振周波数がずれても、各共振周波数のずれを各装置内で容易に調整することができ、安定した通信特性を得ることができる。   In this case, the resonance frequencies of the primary side antenna unit 223 and the secondary side antenna unit 231 can be adjusted separately by the voltage generation circuit. Therefore, in the communication system 220 having such a configuration, even if the reception resonance frequency and / or the transmission resonance frequency is shifted due to various factors, the shift of each resonance frequency can be easily adjusted in each device, and stable. Communication characteristics can be obtained.

[応用例3:ワイヤレス充電システム]
次に、非接触通信で電力の送受信(伝送)を行うワイヤレス充電システムに、上記各種実施形態及び各種変形例に係る可変容量素子を適用した例(応用例3)を説明する。
[Application Example 3: Wireless Charging System]
Next, an example (application example 3) in which the variable capacitance element according to the above-described various embodiments and various modifications is applied to a wireless charging system that transmits and receives (transmits) power by non-contact communication will be described.

図27に、応用例3に係るワイヤレス充電システムの概略ブロック構成を示す。なお、図27には、説明を簡略化するため、非接触通信に関与する要部の構成のみを示す。また、図27では、各回路ブロック間において情報の入出力に関する配線を実線矢印で示し、電力の供給に関する配線は、点線矢印で示す。   FIG. 27 shows a schematic block configuration of a wireless charging system according to Application Example 3. FIG. 27 shows only the configuration of the main part involved in non-contact communication for the sake of simplicity. In FIG. 27, wiring related to input / output of information between circuit blocks is indicated by solid arrows, and wiring related to power supply is indicated by dotted arrows.

ワイヤレス充電システム240は、給電装置241(給電装置部)と、受電装置242(受電装置部)とを備える。ワイヤレス充電システム240では、給電装置241及び受電装置242間で非接触通信により電力の送受信(伝送)を行う。なお、この例のワイヤレス充電システム240では、非接触で給電(充電)を行うための充電方式として、電磁誘導や磁界共鳴などの方式を適用することができる。以下、各装置の構成をより詳細に説明する。   The wireless charging system 240 includes a power feeding device 241 (power feeding device unit) and a power receiving device 242 (power receiving device unit). In the wireless charging system 240, power is transmitted and received (transmitted) between the power feeding device 241 and the power receiving device 242 by non-contact communication. In the wireless charging system 240 of this example, a method such as electromagnetic induction or magnetic resonance can be applied as a charging method for performing power supply (charging) without contact. Hereinafter, the configuration of each device will be described in more detail.

(1)給電装置
給電装置241は、所望の電子機器(受電装置242)に非接触で電力を供給する装置である。給電装置241は、一次側アンテナ部243(給電アンテナ部)、可変インピーダンスマッチング部244、送信信号生成部245、変調回路246、復調回路247、送受信制御部248、送信側システム制御部249及び制御部250を備える。
(1) Power Supply Device The power supply device 241 is a device that supplies power to a desired electronic device (power receiving device 242) in a contactless manner. The power feeding device 241 includes a primary side antenna unit 243 (power feeding antenna unit), a variable impedance matching unit 244, a transmission signal generation unit 245, a modulation circuit 246, a demodulation circuit 247, a transmission / reception control unit 248, a transmission side system control unit 249, and a control unit. 250.

給電装置241の一次側アンテナ部243及び可変インピーダンスマッチング部244は、それぞれ、上記応用例2の送信装置221の一次側アンテナ部223及び可変インピーダンスマッチング部224と同様に構成される。すなわち、この例においても給電装置241の一次側アンテナ部243及び可変インピーダンスマッチング部244には、上記各種実施形態及び各種変形例で説明した可変容量素子(可変コンデンサ)のいずれかが設けられる。   The primary antenna unit 243 and the variable impedance matching unit 244 of the power feeding device 241 are configured in the same manner as the primary antenna unit 223 and the variable impedance matching unit 224 of the transmission device 221 of Application Example 2, respectively. That is, also in this example, the primary antenna unit 243 and the variable impedance matching unit 244 of the power feeding device 241 are provided with any of the variable capacitance elements (variable capacitors) described in the various embodiments and the various modifications.

また、給電装置241の、送信信号生成部245、変調回路246及び復調回路247は、それぞれ、上記応用例2の送信装置221の、送信信号生成部225、変調回路226及び復調回路227と同様に構成される。さらに、給電装置241の、送受信制御部248、送信側システム制御部249及び制御部250は、それぞれ、上記応用例2の送信装置221の、送受信制御部228、送信側システム制御部229及び制御部230と同様に構成される。なお、給電装置241内の各部の電気的接続関係も、上記応用例2の送信装置221内のそれと同様である。   In addition, the transmission signal generation unit 245, the modulation circuit 246, and the demodulation circuit 247 of the power feeding device 241 are respectively similar to the transmission signal generation unit 225, the modulation circuit 226, and the demodulation circuit 227 of the transmission device 221 of Application Example 2. Composed. Further, the transmission / reception control unit 248, the transmission-side system control unit 249, and the control unit 250 of the power supply device 241 are respectively the transmission / reception control unit 228, the transmission-side system control unit 229, and the control unit of the transmission device 221 of the application example 2. It is configured in the same manner as 230. It should be noted that the electrical connection relationship of each part in the power supply apparatus 241 is the same as that in the transmission apparatus 221 of the application example 2.

なお、図27に示す例では、給電装置241において、送受信制御部248、送信側システム制御部249及び制御部250(CPU)をそれぞれ別個に設ける例を説明したが、本開示はこれに限定されない。制御部250が送受信制御部248及び送信側システム制御部249を含むような構成であってもよい。   In the example illustrated in FIG. 27, an example in which the transmission / reception control unit 248, the transmission-side system control unit 249, and the control unit 250 (CPU) are separately provided in the power feeding device 241 has been described, but the present disclosure is not limited thereto. . The control unit 250 may include a transmission / reception control unit 248 and a transmission-side system control unit 249.

(2)受電装置
受電装置242は、例えば非接触通信機能を有する携帯機器等の装置で構成される。受電装置242は、二次側アンテナ部(受電アンテナ部)251、整流部252、充電制御部253、受信制御部254、復調回路255、受信側システム制御部256、変調回路257、バッテリー258及び制御部259を備える。
(2) Power receiving device The power receiving device 242 is configured by a device such as a portable device having a non-contact communication function, for example. The power receiving device 242 includes a secondary side antenna unit (power receiving antenna unit) 251, a rectifying unit 252, a charging control unit 253, a reception control unit 254, a demodulation circuit 255, a reception side system control unit 256, a modulation circuit 257, a battery 258, and a control. A portion 259.

受電装置242内の各部間の電気的な接続関係は、次の通りである。二次側アンテナ部251の出力端子は、整流部252の入力端子、受信制御部254の一方の入力端子及び復調回路255の入力端子に接続される。また、二次側アンテナ部251の入力端子は、変調回路257の出力端子に接続される。さらに、二次側アンテナ部251の一方の制御端子は、受信制御部254の出力端子に接続され、他方の制御端子は、制御部259の出力端子に接続される。   The electrical connection relationship between the units in the power receiving device 242 is as follows. The output terminal of the secondary antenna unit 251 is connected to the input terminal of the rectification unit 252, one input terminal of the reception control unit 254, and the input terminal of the demodulation circuit 255. Further, the input terminal of the secondary side antenna unit 251 is connected to the output terminal of the modulation circuit 257. Further, one control terminal of the secondary side antenna unit 251 is connected to the output terminal of the reception control unit 254, and the other control terminal is connected to the output terminal of the control unit 259.

整流部252の出力端子は、充電制御部253の入力端子に接続される。充電制御部253の出力端子は、受信側システム制御部256の一方の入力端子に接続される。また、充電制御部253の一方の電源出力端子は、受信制御部254、変調回路257及び復調回路255の各電源入力端子に接続され、他方の電源出力端子は、バッテリー258の充電端子に接続される。受信制御部254の他方の入力端子は、受信側システム制御部256の一方の出力端子に接続される。復調回路255の出力端子は、受信側システム制御部256の他方の入力端子に接続される。また、変調回路257の入力端子は、受信側システム制御部256の他方の出力端子に接続される。そして、受信側システム制御部256の電源入力端子は、バッテリー258の出力端子に接続される。   The output terminal of the rectifying unit 252 is connected to the input terminal of the charging control unit 253. The output terminal of the charging control unit 253 is connected to one input terminal of the receiving system control unit 256. In addition, one power output terminal of the charging control unit 253 is connected to each power input terminal of the reception control unit 254, the modulation circuit 257, and the demodulation circuit 255, and the other power output terminal is connected to the charging terminal of the battery 258. The The other input terminal of the reception control unit 254 is connected to one output terminal of the reception-side system control unit 256. The output terminal of the demodulation circuit 255 is connected to the other input terminal of the reception-side system control unit 256. Further, the input terminal of the modulation circuit 257 is connected to the other output terminal of the reception-side system control unit 256. The power input terminal of the receiving system control unit 256 is connected to the output terminal of the battery 258.

次に、受電装置242の各部の構成及び機能について説明する。なお、この例において、二次側アンテナ部251、充電制御部253及び制御部259以外の構成は、上記応用例2の通信システム220の受信装置222の対応する各部と同様の構成である。それゆえ、ここでは、二次側アンテナ部251、充電制御部253及び制御部259の構成についてのみ説明する。   Next, the configuration and function of each unit of the power receiving device 242 will be described. In this example, configurations other than the secondary side antenna unit 251, the charging control unit 253, and the control unit 259 are the same as the corresponding units of the receiving device 222 of the communication system 220 of the application example 2. Therefore, only the configuration of the secondary side antenna unit 251, the charging control unit 253, and the control unit 259 will be described here.

二次側アンテナ部251は、上記応用例1(図25)の受信部201(共振回路部)と同様の構成を有し、共振コイル及び共振コンデンサからなる共振回路(共振アンテナ210)と、共振コンデンサの容量を調整する電圧発生回路とを有する。なお、この例では、二次側アンテナ部251に含まれる可変コンデンサ(不図示)に、上記各種実施形態及び各種変形例のいずれかで説明した可変容量素子を適用する。   The secondary antenna unit 251 has the same configuration as the receiving unit 201 (resonance circuit unit) of the application example 1 (FIG. 25), and has a resonance circuit (resonance antenna 210) including a resonance coil and a resonance capacitor. And a voltage generation circuit for adjusting the capacitance of the capacitor. In this example, the variable capacitance element described in any of the various embodiments and various modifications is applied to a variable capacitor (not shown) included in the secondary antenna unit 251.

また、二次側アンテナ部251は、給電装置241(一次側アンテナ部243)と電磁結合により電力伝送を行うアンテナ部であり、一次側アンテナ部243が発生する磁界を受け、給電装置241からの送信電力を受信する。この際、二次側アンテナ部251の共振周波数が所望の周波数となるように、電圧発生回路により制御された制御電圧を可変コンデンサに印加して、可変コンデンサの容量が調整される。なお、電圧発生回路の動作制御(制御電圧の制御)は、制御部259から入力される制御信号に基づいて行われる。   The secondary side antenna unit 251 is an antenna unit that performs power transmission by electromagnetic coupling with the power feeding device 241 (primary side antenna unit 243), receives a magnetic field generated by the primary side antenna unit 243, and receives power from the power feeding device 241. Receives transmission power. At this time, the capacitance of the variable capacitor is adjusted by applying a control voltage controlled by the voltage generation circuit to the variable capacitor so that the resonance frequency of the secondary antenna unit 251 becomes a desired frequency. Note that the operation control of the voltage generation circuit (control of the control voltage) is performed based on a control signal input from the control unit 259.

充電制御部253は、整流部252から入力された電気信号(直流電力)を、バッテリー258に供給してバッテリー258を充電すると共に、受信制御部254の駆動電力として受信制御部254に供給する。また、充電制御部253は、充電状況をモニタし、該モニタ結果を受信側システム制御部256に出力する。さらに、充電制御部253は、外部電源260に接続可能である。充電制御部253を外部電源260に接続した場合には、外部電源260から出力された電力は、充電制御部253を介してバッテリー258に供給され、これにより、バッテリー258が充電される。なお、バッテリー258を外部電源260で充電する場合、外部電源260をバッテリー258に直接接続する構成にしてもよい。   The charging control unit 253 supplies the electric signal (DC power) input from the rectifying unit 252 to the battery 258 to charge the battery 258 and supplies the battery 258 to the reception control unit 254 as drive power for the reception control unit 254. In addition, the charging control unit 253 monitors the charging status and outputs the monitoring result to the receiving-side system control unit 256. Further, the charging control unit 253 can be connected to the external power supply 260. When the charging control unit 253 is connected to the external power supply 260, the electric power output from the external power supply 260 is supplied to the battery 258 via the charging control unit 253, whereby the battery 258 is charged. Note that when the battery 258 is charged by the external power supply 260, the external power supply 260 may be directly connected to the battery 258.

制御部259は、例えばCPU等の回路により構成される。CPU(制御部259)の出力端は、二次側アンテナ部251内の電圧発生回路の対応する入力端にそれぞれ接続される。そして、制御部259は、受信制御部254から二次側アンテナ部251に入力される制御信号を出力する。この制御信号に基づいて、二次側アンテナ部251内に含まれる可変コンデンサに印加する制御電圧が調整される。また、この際、二次側アンテナ部251の共振周波数が最適になるように制御電圧が調整される。   The control unit 259 is configured by a circuit such as a CPU. The output terminal of the CPU (control unit 259) is connected to the corresponding input terminal of the voltage generation circuit in the secondary side antenna unit 251. Then, the control unit 259 outputs a control signal input from the reception control unit 254 to the secondary antenna unit 251. Based on this control signal, the control voltage applied to the variable capacitor included in the secondary antenna unit 251 is adjusted. At this time, the control voltage is adjusted so that the resonance frequency of the secondary antenna unit 251 is optimized.

なお、図27に示す例では、受電装置242において、受信制御部254、受信側システム制御部256及び制御部259(CPU)をそれぞれ別個に設ける例を説明したが、本開示はこれに限定されない。制御部259が受信制御部254及び受信側システム制御部256を含むような構成であってもよい。   In the example illustrated in FIG. 27, the power receiving device 242 has been described with an example in which the reception control unit 254, the reception-side system control unit 256, and the control unit 259 (CPU) are separately provided, but the present disclosure is not limited thereto. . The control unit 259 may include a reception control unit 254 and a reception-side system control unit 256.

上記構成のワイヤレス充電システム240では、給電装置241の送信側システム制御部249から出力された信号に基づいて、一次側アンテナ部243から電力伝送のための電磁波が送信され、その電磁波を受電装置242の二次側アンテナ部251で受ける。そして、二次側アンテナ部251で受信した信号が整流部252で直流電力に変換され、該直流電力が充電制御部253を介してバッテリー258に充電される。   In the wireless charging system 240 configured as described above, an electromagnetic wave for power transmission is transmitted from the primary antenna unit 243 based on a signal output from the transmission-side system control unit 249 of the power supply apparatus 241, and the electromagnetic wave is received by the power receiving apparatus 242. Is received by the secondary antenna portion 251. Then, the signal received by the secondary antenna unit 251 is converted into DC power by the rectification unit 252, and the DC power is charged to the battery 258 via the charging control unit 253.

また、この例のワイヤレス充電システム240では、受電装置242の二次側アンテナ部251で受信した信号は復調回路255により復調される。次いで、復調されたデータの内容が受信側システム制御部256で判断され、その結果に従って変調回路257は受信キャリア信号を変調する。そして、変調回路257は、変調された受信キャリア信号を応答信号として、二次側アンテナ部251を介して、給電装置241に送信する。   Further, in the wireless charging system 240 of this example, the signal received by the secondary antenna unit 251 of the power receiving device 242 is demodulated by the demodulation circuit 255. Next, the content of the demodulated data is determined by the reception-side system control unit 256, and the modulation circuit 257 modulates the reception carrier signal according to the result. Then, the modulation circuit 257 transmits the modulated received carrier signal as a response signal to the power feeding device 241 via the secondary antenna unit 251.

このような一連の認識処理により、方式外の機器や金属などへの電力伝送を回避することができる。また、この認識処理において、正しい伝送と判断された場合には、送信信号は電力伝送のために無変調の出力となる。また、この際、長時間の充電を行うために、上記認識処理を間欠的に行って安全性を確保する。   By such a series of recognition processes, it is possible to avoid power transmission to a non-system device or metal. In this recognition process, when it is determined that the transmission is correct, the transmission signal becomes an unmodulated output for power transmission. At this time, in order to perform long-time charging, the recognition process is intermittently performed to ensure safety.

さらに、この例のワイヤレス充電システム240では、上述のように、充電状況が受電装置242の充電制御部253でモニタされる。そして、充電状況の情報は、最適な充電状況を得るために、受信側システム制御部256、変調回路257及び二次側アンテナ部251を介して給電装置241に送信される。一方、受電装置242から返信された充電状況の情報は、給電装置241の復調回路247により復調され、該復調データの内容が送信側システム制御部249を判断される。そして、送信側システム制御部249は、その判断結果に基づいて適宜必要な処理を実行する。   Furthermore, in the wireless charging system 240 of this example, the charging state is monitored by the charging control unit 253 of the power receiving device 242 as described above. Then, the information on the charging status is transmitted to the power feeding device 241 via the reception-side system control unit 256, the modulation circuit 257, and the secondary antenna unit 251 in order to obtain an optimal charging status. On the other hand, the charging status information returned from the power receiving device 242 is demodulated by the demodulation circuit 247 of the power feeding device 241, and the content of the demodulated data is determined by the transmission-side system control unit 249. Then, the transmission-side system control unit 249 appropriately executes necessary processing based on the determination result.

上述したワイヤレス充電システム240の動作において、可変インピーダンスマッチング部244、一次側アンテナ部243及び二次側アンテナ部251の共振周波数が各部内の電圧発生回路により適宜調整される。それゆえ、このような構成のワイヤレス充電システム240では、様々な要因により受信共振周波数及び/又は送信共振周波数がずれても、各共振周波数のずれを各装置内で容易に調整することができ、安定した電力の伝送動作を実現することができる。   In the operation of the wireless charging system 240 described above, the resonance frequencies of the variable impedance matching unit 244, the primary side antenna unit 243, and the secondary side antenna unit 251 are appropriately adjusted by the voltage generation circuit in each unit. Therefore, in the wireless charging system 240 having such a configuration, even if the reception resonance frequency and / or the transmission resonance frequency shift due to various factors, the shift of each resonance frequency can be easily adjusted in each device. A stable power transmission operation can be realized.

[応用例4:電源装置]
次に、電源装置に、上記各種実施形態及び各種変形例に係る可変容量素子(可変コンデンサ)を適用した例(応用例4)を説明する。
[Application Example 4: Power Supply]
Next, an example (application example 4) in which the variable capacitance element (variable capacitor) according to the above-described various embodiments and various modifications is applied to the power supply device will be described.

図28に、応用例4に係る電源装置の概略ブロック構成を示す。なお、ここでは、商用電源280の電圧(AC100V)を、電源トランス271を介して降圧する電源装置270を例に挙げ説明する。   FIG. 28 shows a schematic block configuration of a power supply device according to Application Example 4. Here, the power supply device 270 that steps down the voltage (AC 100 V) of the commercial power supply 280 via the power transformer 271 will be described as an example.

電源装置270は、電源トランス271(電源供給部)と、可変インピーダンス部272と、整流回路273(整流回路部)と、定電圧回路274と、第1基準電圧電源275と、エラーアンプ276と、第2基準電圧電源277と、制御部278とを備える。   The power supply device 270 includes a power transformer 271 (power supply unit), a variable impedance unit 272, a rectifier circuit 273 (rectifier circuit unit), a constant voltage circuit 274, a first reference voltage power source 275, an error amplifier 276, A second reference voltage power supply 277 and a control unit 278 are provided.

電源装置270内の各部間の電気的な接続関係は、次の通りである。電源トランス271内の後述する一次側トランス271aは、図28に示すように、商用電源280に接続される。一方、電源トランス271内の後述する二次側トランス271bの出力端子は、可変インピーダンス部272の入力端子に接続され、二次側トランス271bの入力端子は、整流回路273の一方の出力端子に接続される。   The electrical connection relationship between the components in the power supply device 270 is as follows. A primary transformer 271a (described later) in the power transformer 271 is connected to a commercial power source 280 as shown in FIG. On the other hand, an output terminal of a secondary-side transformer 271b (described later) in the power transformer 271 is connected to an input terminal of the variable impedance unit 272, and an input terminal of the secondary-side transformer 271b is connected to one output terminal of the rectifier circuit 273. Is done.

可変インピーダンス部272の出力端子は、整流回路273の入力端子に接続される。また、可変インピーダンス部272の一方の制御端子は、エラーアンプ276の出力端子に接続され、可変インピーダンス部272の他方の制御端子は、制御部278に接続される。整流回路273の他方の出力端子は、定電圧回路274の一方の入力端子及びエラーアンプ276の一方の入力端子に接続される。   The output terminal of the variable impedance unit 272 is connected to the input terminal of the rectifier circuit 273. In addition, one control terminal of the variable impedance unit 272 is connected to the output terminal of the error amplifier 276, and the other control terminal of the variable impedance unit 272 is connected to the control unit 278. The other output terminal of the rectifier circuit 273 is connected to one input terminal of the constant voltage circuit 274 and one input terminal of the error amplifier 276.

また、定電圧回路274の他方の入力端子は、図28に示すように、第1基準電圧電源275に接続され、定電圧回路274の出力端子は、負荷281に接続される。さらに、エラーアンプ276の他方の入力端子は、第2基準電圧電源277に接続される。   As shown in FIG. 28, the other input terminal of the constant voltage circuit 274 is connected to the first reference voltage power supply 275, and the output terminal of the constant voltage circuit 274 is connected to the load 281. Further, the other input terminal of the error amplifier 276 is connected to the second reference voltage power source 277.

次に、電源装置270の各部の構成及び機能について説明する。電源トランス271は、図28に示すように、一次側トランス271aと、二次側トランス271bとを有する。電源トランス271は、一次側トランス271aと二次側トランス271bとの巻き数比に対応する割合で商用電源280の電圧を降圧し、該降圧した電圧を可変インピーダンス部272に出力する。   Next, the configuration and function of each unit of the power supply device 270 will be described. As shown in FIG. 28, the power transformer 271 includes a primary transformer 271a and a secondary transformer 271b. The power transformer 271 steps down the voltage of the commercial power source 280 at a ratio corresponding to the turn ratio of the primary transformer 271a and the secondary transformer 271b, and outputs the lowered voltage to the variable impedance unit 272.

可変インピーダンス部272は、図28に示さないが、可変コンデンサと、該可変コンデンサの容量を調整するための電圧発生回路を有する。なお、この例では、可変インピーダンス部272に含まれる可変コンデンサに、上記各種実施形態及び各種変形例のいずれかで説明した可変容量素子を適用する。   Although not shown in FIG. 28, the variable impedance unit 272 includes a variable capacitor and a voltage generation circuit for adjusting the capacitance of the variable capacitor. In this example, the variable capacitor described in any of the various embodiments and various modifications is applied to the variable capacitor included in the variable impedance unit 272.

可変インピーダンス部272は、可変コンデンサの容量を増減してインピーダンスを変化させる。これにより、可変インピーダンス部272は、二次側トランス271bから入力される交流電圧を増減させ、該増減された交流電圧を整流回路273に供給する。   The variable impedance unit 272 changes the impedance by increasing / decreasing the capacity of the variable capacitor. As a result, the variable impedance unit 272 increases or decreases the AC voltage input from the secondary transformer 271b, and supplies the increased or decreased AC voltage to the rectifier circuit 273.

整流回路273は、例えば整流ダイオードと整流コンデンサとからなる半波整流回路で構成される。整流回路273は、可変インピーダンス部272から入力された交流電圧を直流電圧に変換し、該直流電圧を定電圧回路274及びエラーアンプ276に供給する。   The rectifier circuit 273 is constituted by a half-wave rectifier circuit including a rectifier diode and a rectifier capacitor, for example. The rectifier circuit 273 converts the AC voltage input from the variable impedance unit 272 into a DC voltage, and supplies the DC voltage to the constant voltage circuit 274 and the error amplifier 276.

定電圧回路274は、第1基準電圧電源275から供給される基準電圧Vref1と整流回路273から入力される直流電圧とを比較して電圧値一定の直流電圧を生成し、該電圧値一定の直流電圧を負荷281に供給する。具体的には、定電圧回路284は、負荷281に印加される電圧が基準電圧Vref1と同じになるように、自身の回路内において入力電圧の電圧降下量を増減する。 The constant voltage circuit 274 compares the reference voltage V ref 1 supplied from the first reference voltage power supply 275 with the DC voltage input from the rectifier circuit 273 to generate a DC voltage having a constant voltage value, and the voltage value is constant. Is supplied to the load 281. Specifically, the constant voltage circuit 284 increases or decreases the voltage drop amount of the input voltage in its own circuit so that the voltage applied to the load 281 becomes the same as the reference voltage V ref 1.

エラーアンプ276は、整流回路273から入力された直流電圧と、第2基準電圧電源277から供給される基準電圧Vref2とを比較し、この比較結果に基づいて、可変インピーダンス部272のインピーダンスを制御する。なお、通常、第2基準電圧電源277から出力される基準電圧Vref2は、第1基準電圧電源275から出力される基準電圧Vref1より2[V]程度高めに設定される。 The error amplifier 276 compares the DC voltage input from the rectifier circuit 273 with the reference voltage V ref 2 supplied from the second reference voltage power supply 277, and based on this comparison result, the impedance of the variable impedance unit 272 is determined. Control. Normally, the reference voltage V ref 2 output from the second reference voltage power supply 277 is set to be higher by about 2 [V] than the reference voltage V ref 1 output from the first reference voltage power supply 275.

制御部278は、例えばCPU等の回路により構成される。CPU(制御部278)の出力端は、可変インピーダンス部272内の電圧発生回路の対応する入力端に接続される。そして、制御部278は、可変インピーダンス部272内の可変コンデンサに印加する制御電圧を調整して出力する。この例では、これにより、可変インピーダンス部272のインピーダンスを調整する。   The control unit 278 is configured by a circuit such as a CPU. The output terminal of the CPU (control unit 278) is connected to the corresponding input terminal of the voltage generation circuit in the variable impedance unit 272. Then, the control unit 278 adjusts and outputs the control voltage applied to the variable capacitor in the variable impedance unit 272. In this example, this adjusts the impedance of the variable impedance unit 272.

なお、この際、定電圧回路274に入力される直流電圧が、第1基準電圧電源275から出力される基準電圧Vref1とほぼ同じ値になるように、可変インピーダンス部272のインピーダンスを調整する。より具体的には、負荷電流が大きくなり、二次側トランス271bの交流電圧が下がった場合には、制御部278は、可変インピーダンス部272のインピーダンスを低下させる。また、商用電源280の電圧が大きくなり、二次側トランス271bの交流電圧が上がった場合には、制御部278は、可変インピーダンス部272のインピーダンスを増加させる。これにより、整流回路273に入力される交流電圧が安定し、その結果、定電圧回路274の入力電圧も安定して制御することができる。 At this time, the impedance of the variable impedance unit 272 is adjusted so that the DC voltage input to the constant voltage circuit 274 has substantially the same value as the reference voltage V ref 1 output from the first reference voltage power supply 275. . More specifically, when the load current increases and the AC voltage of the secondary transformer 271b decreases, the control unit 278 reduces the impedance of the variable impedance unit 272. In addition, when the voltage of the commercial power supply 280 increases and the AC voltage of the secondary transformer 271b increases, the control unit 278 increases the impedance of the variable impedance unit 272. Thereby, the AC voltage input to the rectifier circuit 273 is stabilized, and as a result, the input voltage of the constant voltage circuit 274 can also be controlled stably.

上記構成の電源装置270では、電源トランス271の一次側トランス271aと二次側トランス271bとの巻き数比に対応する割合で降圧された交流電圧を整流回路273で直流電圧に変換する。そして、電圧降下型の定電圧回路274は、整流回路273から出力された直流電圧に基づいて電圧値一定の直流電圧を生成し、該電圧値一定の直流電圧を負荷281に供給する。   In the power supply device 270 having the above-described configuration, the rectifier circuit 273 converts the AC voltage stepped down at a rate corresponding to the winding ratio between the primary transformer 271a and the secondary transformer 271b of the power transformer 271 into a DC voltage. The voltage drop type constant voltage circuit 274 generates a DC voltage with a constant voltage value based on the DC voltage output from the rectifier circuit 273 and supplies the DC voltage with the constant voltage value to the load 281.

従来、上述のような電源装置270では、負荷電流の増減や一次側トランス271aの電圧変化により、整流回路273から出力される直流電圧、すなわち、定電圧回路274の入力電圧が変化する。通常、このような定電圧回路274の入力電圧の変化に対して、電圧降下型の定電圧回路274は、上述のように、負荷281に印加される電圧が基準電圧Vref1と同じになるように、入力電圧の電圧降下量を増減して、負荷281に供給する電圧の安定化を図る。この場合、定電圧回路274における入力電圧の電圧降下量が定電圧回路274の電力損失となる。すなわち、入力電圧の電圧降下量が大きいほど、定電圧回路274での電力損失が大きくなる。それゆえ、理想的には、定電圧回路274の入力電圧を、定電圧回路274の最小動作電圧(基準電圧Vref1)となるように制御することができれば、定電圧回路274での電力損失を最小にすることができる。 Conventionally, in the power supply device 270 as described above, the DC voltage output from the rectifier circuit 273, that is, the input voltage of the constant voltage circuit 274 changes due to the increase or decrease of the load current or the voltage change of the primary transformer 271a. Normally, in response to such a change in the input voltage of the constant voltage circuit 274, the voltage drop type constant voltage circuit 274 has the same voltage applied to the load 281 as the reference voltage V ref 1 as described above. As described above, the voltage supplied to the load 281 is stabilized by increasing or decreasing the voltage drop amount of the input voltage. In this case, the voltage drop amount of the input voltage in the constant voltage circuit 274 becomes the power loss of the constant voltage circuit 274. That is, the power loss in the constant voltage circuit 274 increases as the voltage drop amount of the input voltage increases. Therefore, ideally, if the input voltage of the constant voltage circuit 274 can be controlled to be the minimum operating voltage of the constant voltage circuit 274 (reference voltage V ref 1), the power loss in the constant voltage circuit 274 is lost. Can be minimized.

それに対して、この例の電源装置270では、負荷電流の増減や一次側トランス271aの電圧変化により定電圧回路274の入力電圧が変化した場合、上述のように、制御部278により、可変インピーダンス部272のインピーダンスが調整される。具体的には、制御部278は、定電圧回路274の入力電圧が第1基準電圧電源275から出力される基準電圧Vref1とほぼ同じ値になるように、可変インピーダンス部272のインピーダンスを調整する。それゆえ、この例の電源装置270では、定電圧回路274の入力電圧値が定電圧回路274の最小動作電圧(基準電圧Vref1)の値になるように制御することができ、定電圧回路274での損失を最小にすることができる。 On the other hand, in the power supply device 270 of this example, when the input voltage of the constant voltage circuit 274 changes due to the increase / decrease of the load current or the voltage change of the primary transformer 271a, the variable impedance unit is controlled by the control unit 278 as described above. The impedance of 272 is adjusted. Specifically, the control unit 278 adjusts the impedance of the variable impedance unit 272 so that the input voltage of the constant voltage circuit 274 becomes substantially the same value as the reference voltage V ref 1 output from the first reference voltage power supply 275. To do. Therefore, in the power supply device 270 of this example, the input voltage value of the constant voltage circuit 274 can be controlled to be the value of the minimum operating voltage (reference voltage V ref 1) of the constant voltage circuit 274. The loss at 274 can be minimized.

また、従来の一般的な電圧降下型の電源装置では、可変抵抗により定電圧回路の入力電圧を安定化させるので、可変抵抗において、電力損失が発生する。それに対して、この例では、可変インピーダンス部272に含まれる可変コンデンサの容量を変化させて電圧を降下させるので、抵抗成分での電力損失は発生しない。それゆえ、この例の電源装置270では、従来の電源装置に比べて、電力損失を低減することができる。   Further, in the conventional general voltage drop type power supply device, the input voltage of the constant voltage circuit is stabilized by the variable resistor, so that power loss occurs in the variable resistor. On the other hand, in this example, since the voltage is dropped by changing the capacitance of the variable capacitor included in the variable impedance unit 272, no power loss is caused by the resistance component. Therefore, in the power supply device 270 of this example, power loss can be reduced as compared with the conventional power supply device.

なお、この例では、可変インピーダンス部272の電力入力側の回路を、商用電源280及び電源トランス271で構成する例に説明したが、本開示はこれに限定されない。例えば、可変インピーダンス部272の電力入力側の回路を、スイッチ電源で構成してもよい。例えば、100kHzのスイッチング周波数で出力がON/OFFされるスイッチ電源を用いることにより、図28に示す電源装置270と同様の動作を行う電源装置を実現することができる。   Note that, in this example, the circuit on the power input side of the variable impedance unit 272 is described as an example configured with the commercial power supply 280 and the power transformer 271, but the present disclosure is not limited to this. For example, the circuit on the power input side of the variable impedance unit 272 may be configured with a switch power supply. For example, by using a switch power supply whose output is turned ON / OFF at a switching frequency of 100 kHz, a power supply apparatus that performs the same operation as the power supply apparatus 270 shown in FIG. 28 can be realized.

また、この例の電源装置270では、出力を一系統としたが、本開示はこれに限定されない。例えば、電源トランスの出力端子を複数設けることにより、複数の出力系統(電源系)を有する電源装置を構成することができる。   Further, in the power supply device 270 of this example, the output is one system, but the present disclosure is not limited to this. For example, a power supply device having a plurality of output systems (power supply systems) can be configured by providing a plurality of output terminals of a power transformer.

[応用例5:その他の各種電子機器]
本開示の可変容量素子は、上記応用例2〜4で説明したそれぞれ通信システム、ワイヤレス充電システム及び電源装置を、適宜組み合わせて構成された各種電子機器にも適用可能である。なお、この場合、電子機器に組み込まれる通信システムの送信装置(通信装置部)及び受信装置の構成は、上記応用例2(図26)で説明した送信装置221及び受信装置222とそれぞれ同じ構成になるが、非接触通信は外部と行う。
[Application Example 5: Other electronic devices]
The variable capacitance element of the present disclosure can also be applied to various electronic devices configured by appropriately combining the communication system, the wireless charging system, and the power supply device described in Application Examples 2 to 4, respectively. In this case, the configurations of the transmission device (communication device unit) and the reception device of the communication system incorporated in the electronic device are the same as those of the transmission device 221 and the reception device 222 described in Application Example 2 (FIG. 26), respectively. However, non-contact communication is performed with the outside.

通信システム及びワイヤレス充電システムを含む電子機器の例としては、例えば、携帯電話、スマートフォン、タブレット型PC(Personal Computer)、ノート型PC、リモートコントローラー、ワイヤレススピーカー等の機器が挙げられる。また、通信システム及びワイヤレス充電システムを含む電子機器の例としては、例えば、カムコーダー、デジタルカメラ、ポータブルオーディオプレーヤー、3Dメガネ、携帯型ゲーム機器等の機器が挙げられる。   Examples of electronic devices including a communication system and a wireless charging system include devices such as a mobile phone, a smartphone, a tablet PC (Personal Computer), a notebook PC, a remote controller, and a wireless speaker. Examples of electronic devices including a communication system and a wireless charging system include devices such as camcorders, digital cameras, portable audio players, 3D glasses, and portable game devices.

通信システム及び電源装置(電源装置部)を含む電子機器の例としては、例えば、タブレット型PC、ノート型PC、デスクトップ型PC、プリンター、プロジェクター、液晶テレビ、家庭用ゲーム機器、冷蔵庫等の機器が挙げられる。また、通信システム及び電源装置(電源装置部)を含む電子機器の例としては、DVD(Digital Versatile Disc)/BD(Blu-ray Disc:登録商標)プレーヤー、DVD/BDレコーダー等の機器が挙げられる。さらに、通信システム及び電源装置(電源装置部)を含む電子機器は、電気自動車にも適用することもできる。   Examples of electronic devices including a communication system and a power supply unit (power supply unit) include, for example, devices such as tablet PCs, notebook PCs, desktop PCs, printers, projectors, liquid crystal televisions, home game machines, and refrigerators. Can be mentioned. Examples of electronic devices including a communication system and a power supply device (power supply device unit) include devices such as a DVD (Digital Versatile Disc) / BD (Blu-ray Disc: registered trademark) player and a DVD / BD recorder. . Furthermore, an electronic device including a communication system and a power supply device (power supply device portion) can also be applied to an electric vehicle.

ワイヤレス充電システム及び電源装置(電源装置部)を含む電子機器の例としては、例えば、ノート型PC、ポータブルテレビ、ラジオ、ラジオカセットレコーダー、電動歯ブラシ、電動ひげそり器、アイロン等の機器が挙げられる。また、ワイヤレス充電システム及び電源装置(電源装置部)を含む電子機器は、電気自動車にも適用することもできる。   Examples of electronic devices including a wireless charging system and a power supply device (power supply device unit) include devices such as notebook PCs, portable televisions, radios, radio cassette recorders, electric toothbrushes, electric shavers, and irons. An electronic device including a wireless charging system and a power supply device (power supply device portion) can also be applied to an electric vehicle.

通信システム、ワイヤレス充電システム及び電源装置(電源装置部)を含む電子機器の例としては、例えば、ノート型PC、ポータブルテレビ、ラジオ、ラジオカセットレコーダー等の機器が挙げられる。また、通信システム、ワイヤレス充電システム及び電源装置(電源装置部)を含む電子機器は、電気自動車にも適用することもできる。   Examples of electronic devices including a communication system, a wireless charging system, and a power supply device (power supply device unit) include devices such as notebook PCs, portable televisions, radios, and radio cassette recorders. In addition, an electronic device including a communication system, a wireless charging system, and a power supply device (power supply device unit) can also be applied to an electric vehicle.

上述のような各種電子機器にも本開示の技術を適用することができ、同様の効果が得られる。また、この場合、各装置(システム)を制御するための各種制御部は、装置毎に設けてもよいし、装置間で共通に用いることができる複数の制御部がある場合には、それらを一体的に構成してもよい。   The technology of the present disclosure can also be applied to various electronic devices as described above, and the same effect can be obtained. In this case, various control units for controlling each device (system) may be provided for each device, and when there are a plurality of control units that can be used in common among the devices, You may comprise integrally.

また、本開示の可変容量素子は、例えば、非接触通信装置の出荷前に周波数調整を行うために用いられる調整装置にも適用することができる。ただし、この場合には、電圧発生回路の動作制御は、調整装置内の例えばLSI(Large Scale Integration)等の処理回路部で制御することができる。   Moreover, the variable capacitance element of this indication is applicable also to the adjustment apparatus used in order to perform frequency adjustment before shipment of a non-contact communication apparatus, for example. However, in this case, the operation control of the voltage generation circuit can be controlled by a processing circuit unit such as an LSI (Large Scale Integration) in the adjustment device.

なお、本開示は、以下のような構成を取ることもできる。
(1)
強誘電体材料で形成された第1誘電体層を含む第1の可変コンデンサ部を有し、外部から印加される制御電圧信号に応じて容量が変化する素子本体部と、
前記強誘電体材料で形成された第2誘電体層を含む第2の可変コンデンサ部を有し、前記素子本体部に接続され、前記制御電圧信号に応じて容量が変化する補正部と、
前記素子本体部に接続され、交流信号が入力される第1信号用外部端子と、
前記素子本体部又は前記補正部に接続され、交流信号が入力される第2信号用外部端子と、
前記素子本体部に接続され、前記制御電圧信号が入力される制御用外部端子と、
前記補正部に接続された容量補正用外部端子と
を備える可変容量素子。
(2)
前記素子本体部と、前記補正部とが直列に接続され、
前記第2信号用外部端子が前記補正部に接続されている
(1)に記載の可変容量素子。
(3)
前記補正部が、複数の第2の可変コンデンサ部を有し、該複数の第2の可変コンデンサ部が並列接続され、
各第2の可変コンデンサ部の一方の端部が前記素子本体部に接続され、
前記複数の第2の可変コンデンサ部のうち、一つの前記第2の可変コンデンサ部の他方の端部が前記第2信号用外部端子に接続され、
残りの前記第2の可変コンデンサ部の他方の端部毎に前記容量補正用外部端子が設けられ、該残りの前記第2の可変コンデンサ部の各他方の端部が対応する前記容量補正用外部端子に接続されている
(1)又は(2)に記載の可変容量素子。
(4)
前記補正部が、複数の第2の可変コンデンサ部を有し、該複数の第2の可変コンデンサ部が直列接続され、
前記複数の第2の可変コンデンサ部で構成される直列回路の一方の端部が前記素子本体部に接続され、
前記直列回路の他方の端部が前記第2信号用外部端子に接続され、
互いに隣り合う2つの前記第2の可変コンデンサ部の接続点毎に前記容量補正用外部端子が設けられ、各接続点が対応する前記容量補正用外部端子に接続されている
(1)又は(2)に記載の可変容量素子。
(5)
前記素子本体部と、前記補正部とが並列に接続され、
前記第2信号用外部端子が前記素子本体部に接続され、
前記補正部の一方の端部が前記第1信号用外部端子に接続され、他方の端部が前記容量補正用外部端子に接続されている
(1)に記載の可変容量素子。
(6)
前記補正部が、複数の第2の可変コンデンサ部を有し、該複数の第2の可変コンデンサ部が直列接続され、
前記複数の第2の可変コンデンサ部で構成される直列回路の一方の端部が前記第1信号用外部端子に接続され、他方の端部が前記容量補正用外部端子に接続されている
(1)又は(5)に記載の可変容量素子。
(7)
強誘電体材料で形成された第1誘電体層を含む第1の可変コンデンサ部を有し、外部から印加される制御電圧信号に応じて容量が変化する素子本体部と、
前記強誘電体材料で形成された第2誘電体層を含む第2の可変コンデンサ部を有し、前記素子本体部に接続され、前記制御電圧信号に応じて容量が変化する補正部と、
前記素子本体部に接続され、交流信号が入力される第1信号用外部端子と、
前記素子本体部又は前記補正部に接続され、交流信号が入力される第2信号用外部端子と、
前記素子本体部に接続され、前記制御電圧信号が入力される制御用外部端子と、
前記補正部に接続された容量補正用外部端子と、
前記制御用外部端子に接続されたバイアス抵抗と
を備える実装回路。
(8)
さらに、前記第2信号用外部端子と前記容量補正用外部端子とを電気的に接続する外部配線を備える
(7)に記載の実装回路。
(9)
強誘電体材料で形成された第1誘電体層を含む第1の可変コンデンサ部を有し且つ外部から印加される制御電圧信号に応じて容量が変化する素子本体部、前記強誘電体材料で形成された第2誘電体層を含む第2の可変コンデンサ部を有し、前記素子本体部に接続され且つ前記制御電圧信号に応じて容量が変化する補正部、前記素子本体部に接続され且つ交流信号が入力される第1信号用外部端子、前記素子本体部又は前記補正部に接続され且つ交流信号が入力される第2信号用外部端子、前記素子本体部に接続され且つ前記制御電圧信号が入力される制御用外部端子、並びに、前記補正部に接続された容量補正用外部端子、を有する可変容量素子を含む共振コンデンサと、
前記共振コンデンサに接続された共振コイルと
を備える共振回路。
(10)
強誘電体材料で形成された第1誘電体層を含む第1の可変コンデンサ部を有し且つ外部から印加される制御電圧信号に応じて容量が変化する素子本体部、前記強誘電体材料で形成された第2誘電体層を含む第2の可変コンデンサ部を有し、前記素子本体部に接続され且つ前記制御電圧信号に応じて容量が変化する補正部、前記素子本体部に接続され且つ交流信号が入力される第1信号用外部端子、前記素子本体部又は前記補正部に接続され且つ交流信号が入力される第2信号用外部端子、前記素子本体部に接続され且つ前記制御電圧信号が入力される制御用外部端子、並びに、前記補正部に接続された容量補正用外部端子、を有する可変容量素子を含む共振コンデンサと、前記共振コンデンサに接続された共振コイルとを含み、外部と非接触通信を行う受信アンテナ部と、
前記可変容量素子の前記制御用外部端子に前記制御電圧信号を出力する電圧発生回路と
を備える通信装置。
(11)
強誘電体材料で形成された第1誘電体層を含む第1の可変コンデンサ部を有し且つ外部から印加される制御電圧信号に応じて容量が変化する素子本体部、前記強誘電体材料で形成された第2誘電体層を含む第2の可変コンデンサ部を有し、前記素子本体部に接続され且つ前記制御電圧信号に応じて容量が変化する補正部、前記素子本体部に接続され且つ交流信号が入力される第1信号用外部端子、前記素子本体部又は前記補正部に接続され且つ交流信号が入力される第2信号用外部端子、前記素子本体部に接続され且つ前記制御電圧信号が入力される制御用外部端子、並びに、前記補正部に接続された容量補正用外部端子、を有する可変容量素子を含む共振コンデンサと、前記共振コンデンサに接続された共振コイルとを含む送信アンテナ部を有する送信装置と、
前記送信装置と非接触通信を行う受信装置と
を備える通信システム。
(12)
強誘電体材料で形成された第1誘電体層を含む第1の可変コンデンサ部を有し且つ外部から印加される第1制御電圧信号に応じて容量が変化する第1素子本体部、前記強誘電体材料で形成された第2誘電体層を含む第2の可変コンデンサ部を有し、前記第1素子本体部に接続され且つ前記第1制御電圧信号に応じて容量が変化する第1補正部、前記第1素子本体部に接続され且つ交流信号が入力される第1信号用外部端子、前記第1素子本体部又は前記第1補正部に接続され且つ交流信号が入力される第2信号用外部端子、前記第1素子本体部に接続され且つ前記第1制御電圧信号が入力される第1制御用外部端子、並びに、前記第1補正部に接続された第1容量補正用外部端子、を有する第1可変容量素子を含む第1共振コンデンサと、前記第1共振コンデンサに接続された第1共振コイルとにより構成される給電アンテナ部を有する給電装置と、
強誘電体材料で形成された第3誘電体層を含む第3の可変コンデンサ部を有し且つ外部から印加される第2制御電圧信号に応じて容量が変化する第2素子本体部、前記強誘電体材料で形成された第4誘電体層を含む第4の可変コンデンサ部を有し、前記第2素子本体部に接続され且つ前記第2制御電圧信号に応じて容量が変化する第2補正部、前記第2素子本体部に接続され且つ交流信号が入力される第3信号用外部端子、前記第2素子本体部又は前記第2補正部に接続され且つ交流信号が入力される第4信号用外部端子、前記第2素子本体部に接続され且つ前記第2制御電圧信号が入力される第2制御用外部端子、並びに、前記第2補正部に接続された第2容量補正用外部端子、を有する第2可変容量素子を含む第2共振コンデンサと、前記第2共振コンデンサに接続された第2共振コイルとにより構成され、前記給電アンテナ部と非接触通信を行う受電アンテナ部を有する受電装置と
を備えるワイヤレス充電システム。
(13)
電源供給部と、
前記電源供給部から供給された交流電力を直流電力に変換する整流回路部と、
強誘電体材料で形成された第1誘電体層を含む第1の可変コンデンサ部を有し且つ外部から印加される制御電圧信号に応じて容量が変化する素子本体部、前記強誘電体材料で形成された第2誘電体層を含む第2の可変コンデンサ部を有し、前記素子本体部に接続され且つ前記制御電圧信号に応じて容量が変化する補正部、前記素子本体部に接続され且つ交流信号が入力される第1信号用外部端子、前記素子本体部又は前記補正部に接続され且つ交流信号が入力される第2信号用外部端子、前記素子本体部に接続され且つ前記制御電圧信号が入力される制御用外部端子、並びに、前記補正部に接続された容量補正用外部端子、を有する可変容量素子を含み、前記電源供給部と前記整流回路部との間に設けられた可変インピーダンス部と
を備える電源装置。
(14)
強誘電体材料で形成された第1誘電体層を含む第1の可変コンデンサ部を有し且つ外部から印加される制御電圧信号に応じて容量が変化する素子本体部、前記強誘電体材料で形成された第2誘電体層を含む第2の可変コンデンサ部を有し、前記素子本体部に接続され且つ前記制御電圧信号に応じて容量が変化する補正部、前記素子本体部に接続され且つ交流信号が入力される第1信号用外部端子、前記素子本体部又は前記補正部に接続され且つ交流信号が入力される第2信号用外部端子、前記素子本体部に接続され且つ前記制御電圧信号が入力される制御用外部端子、並びに、前記補正部に接続された容量補正用外部端子、を有する可変容量素子を含む共振コンデンサと、前記共振コンデンサに接続された共振コイルとにより構成され、外部と非接触通信を行う通信部と、
前記可変容量素子の前記制御用外部端子に前記制御電圧信号を出力する電圧発生回路と
を備える電子機器。
(15)
強誘電体材料で形成された第1誘電体層を含む第1の可変コンデンサ部を有し且つ外部から印加される第1制御電圧信号に応じて容量が変化する第1素子本体部、前記強誘電体材料で形成された第2誘電体層を含む第2の可変コンデンサ部を有し、前記第1素子本体部に接続され且つ前記第1制御電圧信号に応じて容量が変化する第1補正部、前記第1素子本体部に接続され且つ交流信号が入力される第1信号用外部端子、前記第1素子本体部又は前記第1補正部に接続され且つ交流信号が入力される第2信号用外部端子、前記第1素子本体部に接続され且つ前記第1制御電圧信号が入力される第1制御用外部端子、並びに、前記第1補正部に接続された第1容量補正用外部端子、を有する第1可変容量素子を含む第1共振コンデンサと、前記第1共振コンデンサに接続された第1共振コイルとにより構成される給電アンテナ部を有する給電装置部と、
強誘電体材料で形成された第3誘電体層を含む第3の可変コンデンサ部を有し且つ外部から印加される第2制御電圧信号に応じて容量が変化する第2素子本体部、前記強誘電体材料で形成された第4誘電体層を含む第4の可変コンデンサ部を有し、前記第2素子本体部に接続され且つ前記第2制御電圧信号に応じて容量が変化する第2補正部、前記第2素子本体部に接続され且つ交流信号が入力される第3信号用外部端子、前記第2素子本体部又は前記第2補正部に接続され且つ交流信号が入力される第4信号用外部端子、前記第2素子本体部に接続され且つ前記第2制御電圧信号が入力される第2制御用外部端子、並びに、前記第2補正部に接続された第2容量補正用外部端子、を有する第2可変容量素子を含む第2共振コンデンサと、前記第2共振コンデンサに接続された第2共振コイルとにより構成され、前記給電アンテナ部と非接触通信を行う受電アンテナ部を有する受電装置部と
を備える電子機器。
(16)
電源供給部と、
前記電源供給部から供給された交流電力を直流電力に変換する整流回路部と、
強誘電体材料で形成された第1誘電体層を含む第1の可変コンデンサ部を有し且つ外部から印加される制御電圧信号に応じて容量が変化する素子本体部、前記強誘電体材料で形成された第2誘電体層を含む第2の可変コンデンサ部を有し、前記素子本体部に接続され且つ前記制御電圧信号に応じて容量が変化する補正部、前記素子本体部に接続され且つ交流信号が入力される第1信号用外部端子、前記素子本体部又は前記補正部に接続され且つ交流信号が入力される第2信号用外部端子、前記素子本体部に接続され且つ前記制御電圧信号が入力される制御用外部端子、並びに、前記補正部に接続された容量補正用外部端子、を有する可変容量素子を含み、前記電源供給部と前記整流回路部との間に設けられた可変インピーダンス部と
を備える電子機器。
(17)
強誘電体材料で形成された第1誘電体層を含む第1の可変コンデンサ部を有し且つ外部から印加される第1制御電圧信号に応じて容量が変化する第1素子本体部、前記強誘電体材料で形成された第2誘電体層を含む第2の可変コンデンサ部を有し、前記第1素子本体部に接続され且つ前記第1制御電圧信号に応じて容量が変化する第1補正部、前記第1素子本体部に接続され且つ交流信号が入力される第1信号用外部端子、前記第1素子本体部又は前記第1補正部に接続され且つ交流信号が入力される第2信号用外部端子、前記第1素子本体部に接続され且つ前記第1制御電圧信号が入力される第1制御用外部端子、並びに、前記第1補正部に接続された第1容量補正用外部端子、を有する第1可変容量素子を含む第1共振コンデンサと、前記第1共振コンデンサに接続された第1共振コイルとを含み、外部と非接触通信を行う受信アンテナ部を有する通信装置部と、
強誘電体材料で形成された第3誘電体層を含む第3の可変コンデンサ部を有し且つ外部から印加される第2制御電圧信号に応じて容量が変化する第2素子本体部、前記強誘電体材料で形成された第4誘電体層を含む第4の可変コンデンサ部を有し、前記第2素子本体部に接続され且つ前記第2制御電圧信号に応じて容量が変化する第2補正部、前記第2素子本体部に接続され且つ交流信号が入力される第3信号用外部端子、前記第2素子本体部又は前記第2補正部に接続され且つ交流信号が入力される第4信号用外部端子、前記第2素子本体部に接続され且つ前記第2制御電圧信号が入力される第2制御用外部端子、並びに、前記第2補正部に接続された第2容量補正用外部端子、を有する第2可変容量素子を含む第2共振コンデンサと、前記第2共振コンデンサに接続された第2共振コイルとにより構成される給電アンテナ部を有する給電装置部と、
強誘電体材料で形成された第5誘電体層を含む第5の可変コンデンサ部を有し且つ外部から印加される第3制御電圧信号に応じて容量が変化する第3素子本体部、前記強誘電体材料で形成された第6誘電体層を含む第6の可変コンデンサ部を有し、前記第3素子本体部に接続され且つ前記第3制御電圧信号に応じて容量が変化する第3補正部、前記第3素子本体部に接続され且つ交流信号が入力される第5信号用外部端子、前記第3素子本体部又は前記第3補正部に接続され且つ交流信号が入力される第6信号用外部端子、前記第3素子本体部に接続され且つ前記第3制御電圧信号が入力される第3制御用外部端子、並びに、前記第3補正部に接続された第3容量補正用外部端子、を有する第3可変容量素子を含む第3共振コンデンサと、前記第3共振コンデンサに接続された第3共振コイルとにより構成され、前記給電アンテナ部と非接触通信を行う受電アンテナ部を有する受電装置部と
を備える電子機器。
(18)
強誘電体材料で形成された第1誘電体層を含む第1の可変コンデンサ部を有し且つ外部から印加される第1制御電圧信号に応じて容量が変化する第1素子本体部、前記強誘電体材料で形成された第2誘電体層を含む第2の可変コンデンサ部を有し、前記第1素子本体部に接続され且つ前記第1制御電圧信号に応じて容量が変化する第1補正部、前記第1素子本体部に接続され且つ交流信号が入力される第1信号用外部端子、前記第1素子本体部又は前記第1補正部に接続され且つ交流信号が入力される第2信号用外部端子、前記第1素子本体部に接続され且つ前記第1制御電圧信号が入力される第1制御用外部端子、並びに、前記第1補正部に接続された第1容量補正用外部端子、を有する第1可変容量素子を含む第1共振コンデンサと、前記第1共振コンデンサに接続された第1共振コイルとを含み、外部と非接触通信を行う受信アンテナ部を有する通信装置部と、
電源供給部と、前記電源供給部から供給された交流電力を直流電力に変換する整流回路部と、強誘電体材料で形成された第3誘電体層を含む第3の可変コンデンサ部を有し且つ外部から印加される第2制御電圧信号に応じて容量が変化する第2素子本体部、前記強誘電体材料で形成された第4誘電体層を含む第4の可変コンデンサ部を有し、前記第2素子本体部に接続され且つ前記第2制御電圧信号に応じて容量が変化する第2補正部、前記第2素子本体部に接続され且つ交流信号が入力される第3信号用外部端子、前記第2素子本体部又は前記第2補正部に接続され且つ交流信号が入力される第4信号用外部端子、前記第2素子本体部に接続され且つ前記第2制御電圧信号が入力される第2制御用外部端子、並びに、前記第2補正部に接続された第2容量補正用外部端子、を有する第2可変容量素子を含み、前記電源供給部と前記整流回路部との間に設けられた可変インピーダンス部とを有する電源装置部と
を備える電子機器。
(19)
強誘電体材料で形成された第1誘電体層を含む第1の可変コンデンサ部を有し且つ外部から印加される第1制御電圧信号に応じて容量が変化する第1素子本体部、前記強誘電体材料で形成された第2誘電体層を含む第2の可変コンデンサ部を有し、前記第1素子本体部に接続され且つ前記第1制御電圧信号に応じて容量が変化する第1補正部、前記第1素子本体部に接続され且つ交流信号が入力される第1信号用外部端子、前記第1素子本体部又は前記第1補正部に接続され且つ交流信号が入力される第2信号用外部端子、前記第1素子本体部に接続され且つ前記第1制御電圧信号が入力される第1制御用外部端子、並びに、前記第1補正部に接続された第1容量補正用外部端子、を有する第1可変容量素子を含む第1共振コンデンサと、前記第1共振コンデンサに接続された第1共振コイルとにより構成される給電アンテナ部を有する給電装置部と、
強誘電体材料で形成された第3誘電体層を含む第3の可変コンデンサ部を有し且つ外部から印加される第2制御電圧信号に応じて容量が変化する第2素子本体部、前記強誘電体材料で形成された第4誘電体層を含む第4の可変コンデンサ部を有し、前記第2素子本体部に接続され且つ前記第2制御電圧信号に応じて容量が変化する第2補正部、前記第2素子本体部に接続され且つ交流信号が入力される第3信号用外部端子、前記第2素子本体部又は前記第2補正部に接続され且つ交流信号が入力される第4信号用外部端子、前記第2素子本体部に接続され且つ前記第2制御電圧信号が入力される第2制御用外部端子、並びに、前記第2補正部に接続された第2容量補正用外部端子、を有する第2可変容量素子を含む第2共振コンデンサと、前記第2共振コンデンサに接続された第2共振コイルとにより構成され、前記給電アンテナ部と非接触通信を行う受電アンテナ部を有する受電装置部と、
電源供給部と、前記電源供給部から供給された交流電力を直流電力に変換する整流回路部と、強誘電体材料で形成された第5誘電体層を含む第5の可変コンデンサ部を有し且つ外部から印加される第3制御電圧信号に応じて容量が変化する第3素子本体部、前記強誘電体材料で形成された第6誘電体層を含む第6の可変コンデンサ部を有し、前記第3素子本体部に接続され且つ前記第3制御電圧信号に応じて容量が変化する第3補正部、前記第3素子本体部に接続され且つ交流信号が入力される第5信号用外部端子、前記第3素子本体部又は前記第3補正部に接続され且つ交流信号が入力される第6信号用外部端子、前記第3素子本体部に接続され且つ前記第3制御電圧信号が入力される第3制御用外部端子、並びに、前記第3補正部に接続された第3容量補正用外部端子、を有する第3可変容量素子を含み、前記電源供給部と前記整流回路部との間に設けられた可変インピーダンス部とを有する電源装置部と
を備える電子機器。
(20)
強誘電体材料で形成された第1誘電体層を含む第1の可変コンデンサ部を有し且つ外部から印加される第1制御電圧信号に応じて容量が変化する第1素子本体部、前記強誘電体材料で形成された第2誘電体層を含む第2の可変コンデンサ部を有し、前記第1素子本体部に接続され且つ前記第1制御電圧信号に応じて容量が変化する第1補正部、前記第1素子本体部に接続され且つ交流信号が入力される第1信号用外部端子、前記第1素子本体部又は前記第1補正部に接続され且つ交流信号が入力される第2信号用外部端子、前記第1素子本体部に接続され且つ前記第1制御電圧信号が入力される第1制御用外部端子、並びに、前記第1補正部に接続された第1容量補正用外部端子、を有する第1可変容量素子を含む第1共振コンデンサと、前記第1共振コンデンサに接続された第1共振コイルとを含み、外部と非接触通信を行う受信アンテナ部を有する通信装置部と、
強誘電体材料で形成された第3誘電体層を含む第3の可変コンデンサ部を有し且つ外部から印加される第2制御電圧信号に応じて容量が変化する第2素子本体部、前記強誘電体材料で形成された第4誘電体層を含む第4の可変コンデンサ部を有し、前記第2素子本体部に接続され且つ前記第2制御電圧信号に応じて容量が変化する第2補正部、前記第2素子本体部に接続され且つ交流信号が入力される第3信号用外部端子、前記第2素子本体部又は前記第2補正部に接続され且つ交流信号が入力される第4信号用外部端子、前記第2素子本体部に接続され且つ前記第2制御電圧信号が入力される第2制御用外部端子、並びに、前記第2補正部に接続された第2容量補正用外部端子、を有する第2可変容量素子を含む第2共振コンデンサと、前記第2共振コンデンサに接続された第2共振コイルとにより構成される給電アンテナ部を有する給電装置部と、
強誘電体材料で形成された第5誘電体層を含む第5の可変コンデンサ部を有し且つ外部から印加される第3制御電圧信号に応じて容量が変化する第3素子本体部、前記強誘電体材料で形成された第6誘電体層を含む第6の可変コンデンサ部を有し、前記第3素子本体部に接続され且つ前記第3制御電圧信号に応じて容量が変化する第3補正部、前記第3素子本体部に接続され且つ交流信号が入力される第5信号用外部端子、前記第3素子本体部又は前記第3補正部に接続され且つ交流信号が入力される第6信号用外部端子、前記第3素子本体部に接続され且つ前記第3制御電圧信号が入力される第3制御用外部端子、並びに、前記第3補正部に接続された第3容量補正用外部端子、を有する第3可変容量素子を含む第3共振コンデンサと、前記第3共振コンデンサに接続された第3共振コイルとにより構成され、前記給電アンテナ部と非接触通信を行う受電アンテナ部を有する受電装置部と、
電源供給部と、前記電源供給部から供給された交流電力を直流電力に変換する整流回路部と、強誘電体材料で形成された第7誘電体層を含む第7の可変コンデンサ部を有し且つ外部から印加される第4制御電圧信号に応じて容量が変化する第4素子本体部、前記強誘電体材料で形成された第8誘電体層を含む第8の可変コンデンサ部を有し、前記第4素子本体部に接続され且つ前記第4制御電圧信号に応じて容量が変化する第4補正部、前記第4素子本体部に接続され且つ交流信号が入力される第7信号用外部端子、前記第4素子本体部又は前記第4補正部に接続され且つ交流信号が入力される第8信号用外部端子、前記第4素子本体部に接続され且つ前記第4制御電圧信号が入力される第4制御用外部端子、並びに、前記第4補正部に接続された第4容量補正用外部端子、を有する第4可変容量素子を含み、前記電源供給部と前記整流回路部との間に設けられた可変インピーダンス部とを有する電源装置部と
を備える電子機器。
In addition, this indication can also take the following structures.
(1)
An element body portion having a first variable capacitor portion including a first dielectric layer formed of a ferroelectric material, the capacitance of which varies according to a control voltage signal applied from the outside;
A second variable capacitor unit including a second dielectric layer formed of the ferroelectric material, connected to the element body unit, and a correction unit whose capacitance changes according to the control voltage signal;
A first signal external terminal connected to the element body and receiving an AC signal;
A second signal external terminal connected to the element body or the correction unit and receiving an AC signal;
An external terminal for control connected to the element body and to which the control voltage signal is input;
A variable capacitance element comprising: a capacitance correction external terminal connected to the correction unit.
(2)
The element main body and the correction unit are connected in series,
The variable capacitance element according to (1), wherein the second signal external terminal is connected to the correction unit.
(3)
The correction unit includes a plurality of second variable capacitor units, and the plurality of second variable capacitor units are connected in parallel.
One end of each second variable capacitor portion is connected to the element body portion,
Of the plurality of second variable capacitor units, the other end of one of the second variable capacitor units is connected to the second signal external terminal,
The capacitance correction external terminal is provided for each of the other ends of the remaining second variable capacitor section, and the other end of the remaining second variable capacitor section corresponds to the corresponding capacitance correction external terminal. The variable capacitance element according to (1) or (2), which is connected to a terminal.
(4)
The correction unit includes a plurality of second variable capacitor units, and the plurality of second variable capacitor units are connected in series,
One end of a series circuit composed of the plurality of second variable capacitor portions is connected to the element body portion,
The other end of the series circuit is connected to the second signal external terminal;
The capacitance correction external terminal is provided for each connection point of the two adjacent second variable capacitor units adjacent to each other, and each connection point is connected to the corresponding capacitance correction external terminal (1) or (2 ).
(5)
The element body and the correction unit are connected in parallel,
The second signal external terminal is connected to the element body;
The variable capacitance element according to (1), wherein one end of the correction unit is connected to the first signal external terminal, and the other end is connected to the capacitance correction external terminal.
(6)
The correction unit includes a plurality of second variable capacitor units, and the plurality of second variable capacitor units are connected in series,
One end of a series circuit composed of the plurality of second variable capacitor units is connected to the first signal external terminal, and the other end is connected to the capacitance correction external terminal. ) Or the variable capacitance element according to (5).
(7)
An element body portion having a first variable capacitor portion including a first dielectric layer formed of a ferroelectric material, the capacitance of which varies according to a control voltage signal applied from the outside;
A second variable capacitor unit including a second dielectric layer formed of the ferroelectric material, connected to the element body unit, and a correction unit whose capacitance changes according to the control voltage signal;
A first signal external terminal connected to the element body and receiving an AC signal;
A second signal external terminal connected to the element body or the correction unit and receiving an AC signal;
An external terminal for control connected to the element body and to which the control voltage signal is input;
An external terminal for capacitance correction connected to the correction unit;
And a bias resistor connected to the control external terminal.
(8)
The mounting circuit according to (7), further comprising an external wiring that electrically connects the second signal external terminal and the capacitance correction external terminal.
(9)
An element main body portion having a first variable capacitor portion including a first dielectric layer formed of a ferroelectric material, the capacitance of which changes according to a control voltage signal applied from the outside, and the ferroelectric material A second variable capacitor unit including the formed second dielectric layer, a correction unit connected to the element main body and having a capacitance that changes in accordance with the control voltage signal; connected to the element main body; and A first signal external terminal to which an AC signal is input, a second signal external terminal that is connected to the element body or the correction unit and receives an AC signal, is connected to the element body and the control voltage signal A resonance capacitor including a variable capacitance element having a control external terminal to which is input, and a capacitance correction external terminal connected to the correction unit;
A resonance circuit comprising: a resonance coil connected to the resonance capacitor.
(10)
An element main body portion having a first variable capacitor portion including a first dielectric layer formed of a ferroelectric material, the capacitance of which changes according to a control voltage signal applied from the outside, and the ferroelectric material A second variable capacitor unit including the formed second dielectric layer, a correction unit connected to the element main body and having a capacitance that changes in accordance with the control voltage signal; connected to the element main body; and A first signal external terminal to which an AC signal is input, a second signal external terminal that is connected to the element body or the correction unit and receives an AC signal, is connected to the element body and the control voltage signal Including a resonance capacitor including a variable capacitance element having a control external terminal to which is input, and a capacitance correction external terminal connected to the correction unit, and a resonance coil connected to the resonance capacitor, Non-contact A receiving antenna unit that performs signal,
A voltage generation circuit that outputs the control voltage signal to the control external terminal of the variable capacitance element.
(11)
An element main body portion having a first variable capacitor portion including a first dielectric layer formed of a ferroelectric material, the capacitance of which changes according to a control voltage signal applied from the outside, and the ferroelectric material A second variable capacitor unit including the formed second dielectric layer, a correction unit connected to the element main body and having a capacitance that changes in accordance with the control voltage signal; connected to the element main body; and A first signal external terminal to which an AC signal is input, a second signal external terminal that is connected to the element body or the correction unit and receives an AC signal, is connected to the element body and the control voltage signal A transmission antenna unit including a resonance capacitor including a variable capacitance element having a control external terminal to which is input, and a capacitance correction external terminal connected to the correction unit, and a resonance coil connected to the resonance capacitor A transmitting device having,
A communication system comprising: a receiving device that performs non-contact communication with the transmitting device.
(12)
A first element body portion having a first variable capacitor portion including a first dielectric layer formed of a ferroelectric material, the capacitance of which varies according to a first control voltage signal applied from outside; A first correction having a second variable capacitor portion including a second dielectric layer made of a dielectric material, connected to the first element body portion, and having a capacitance that changes in accordance with the first control voltage signal , A first signal external terminal connected to the first element body and receiving an AC signal, a second signal connected to the first element body or the first correction unit and receiving an AC signal An external terminal for connection, a first external terminal for control connected to the first element main body and receiving the first control voltage signal, and an external terminal for capacitance correction connected to the first correction unit, A first resonant capacitor including a first variable capacitance element having A power supply device having a configured power feeding antenna unit through the first resonance coil connected to the first resonance capacitor,
A second element body portion having a third variable capacitor portion including a third dielectric layer formed of a ferroelectric material and having a capacitance that changes in response to a second control voltage signal applied from the outside; A second correction capacitor having a fourth variable capacitor portion including a fourth dielectric layer formed of a dielectric material, wherein the second variable capacitor portion is connected to the second element body portion, and the capacitance is changed in accordance with the second control voltage signal; Part, a third signal external terminal connected to the second element body and receiving an AC signal, a fourth signal connected to the second element body or the second correction part and receiving an AC signal An external terminal for connection, a second external terminal for control connected to the second element main body and to which the second control voltage signal is input, an external terminal for capacitance correction connected to the second correction unit, A second resonant capacitor including a second variable capacitance element having The second is composed of the resonant coil, the wireless charging system comprising a power receiving device having a power receiving antenna unit for performing non-contact communication with the feeding antenna unit which is connected to the second resonant capacitor.
(13)
A power supply unit;
A rectifier circuit unit that converts AC power supplied from the power supply unit into DC power;
An element main body portion having a first variable capacitor portion including a first dielectric layer formed of a ferroelectric material, the capacitance of which changes according to a control voltage signal applied from the outside, and the ferroelectric material A second variable capacitor unit including the formed second dielectric layer, a correction unit connected to the element main body and having a capacitance that changes in accordance with the control voltage signal; connected to the element main body; and A first signal external terminal to which an AC signal is input, a second signal external terminal that is connected to the element body or the correction unit and receives an AC signal, is connected to the element body and the control voltage signal And a variable impedance element provided between the power supply unit and the rectifier circuit unit, including a variable capacitance element having a control external terminal to which is input and a capacitance correction external terminal connected to the correction unit With department Power supply.
(14)
An element main body portion having a first variable capacitor portion including a first dielectric layer formed of a ferroelectric material, the capacitance of which changes according to a control voltage signal applied from the outside, and the ferroelectric material A second variable capacitor unit including the formed second dielectric layer, a correction unit connected to the element main body and having a capacitance that changes in accordance with the control voltage signal; connected to the element main body; and A first signal external terminal to which an AC signal is input, a second signal external terminal that is connected to the element body or the correction unit and receives an AC signal, is connected to the element body and the control voltage signal Is formed by a resonance capacitor including a variable capacitor having a control external terminal to which is input, and a capacitance correction external terminal connected to the correction unit, and a resonance coil connected to the resonance capacitor, A communication unit that performs non-contact communication,
An electronic device comprising: a voltage generation circuit that outputs the control voltage signal to the control external terminal of the variable capacitance element.
(15)
A first element body portion having a first variable capacitor portion including a first dielectric layer formed of a ferroelectric material, the capacitance of which varies according to a first control voltage signal applied from outside; A first correction having a second variable capacitor portion including a second dielectric layer made of a dielectric material, connected to the first element body portion, and having a capacitance that changes in accordance with the first control voltage signal , A first signal external terminal connected to the first element body and receiving an AC signal, a second signal connected to the first element body or the first correction unit and receiving an AC signal An external terminal for connection, a first external terminal for control connected to the first element main body and receiving the first control voltage signal, and an external terminal for capacitance correction connected to the first correction unit, A first resonant capacitor including a first variable capacitance element having A feeding device portion having constituted feeding antenna unit through the first resonance coil connected to the first resonance capacitor,
A second element body portion having a third variable capacitor portion including a third dielectric layer formed of a ferroelectric material and having a capacitance that changes in response to a second control voltage signal applied from the outside; A second correction capacitor having a fourth variable capacitor portion including a fourth dielectric layer formed of a dielectric material, wherein the second variable capacitor portion is connected to the second element body portion, and the capacitance is changed in accordance with the second control voltage signal; Part, a third signal external terminal connected to the second element body and receiving an AC signal, a fourth signal connected to the second element body or the second correction part and receiving an AC signal An external terminal for connection, a second external terminal for control connected to the second element main body and to which the second control voltage signal is input, an external terminal for capacitance correction connected to the second correction unit, A second resonant capacitor including a second variable capacitance element having The second is composed of a resonant coil, an electronic device and a power receiving device portion having a power receiving antenna unit for performing non-contact communication with the feeding antenna unit which is connected to the second resonant capacitor.
(16)
A power supply unit;
A rectifier circuit unit that converts AC power supplied from the power supply unit into DC power;
An element main body portion having a first variable capacitor portion including a first dielectric layer formed of a ferroelectric material, the capacitance of which changes according to a control voltage signal applied from the outside, and the ferroelectric material A second variable capacitor unit including the formed second dielectric layer, a correction unit connected to the element main body and having a capacitance that changes in accordance with the control voltage signal; connected to the element main body; and A first signal external terminal to which an AC signal is input, a second signal external terminal that is connected to the element body or the correction unit and receives an AC signal, is connected to the element body and the control voltage signal And a variable impedance element provided between the power supply unit and the rectifier circuit unit, including a variable capacitance element having a control external terminal to which is input and a capacitance correction external terminal connected to the correction unit With department Electronics.
(17)
A first element body portion having a first variable capacitor portion including a first dielectric layer formed of a ferroelectric material, the capacitance of which varies according to a first control voltage signal applied from outside; A first correction having a second variable capacitor portion including a second dielectric layer made of a dielectric material, connected to the first element body portion, and having a capacitance that changes in accordance with the first control voltage signal , A first signal external terminal connected to the first element body and receiving an AC signal, a second signal connected to the first element body or the first correction unit and receiving an AC signal An external terminal for connection, a first external terminal for control connected to the first element main body and receiving the first control voltage signal, and an external terminal for capacitance correction connected to the first correction unit, A first resonant capacitor including a first variable capacitance element having And a first resonance coil connected to the first resonance capacitor, and a communication unit having a receiving antenna unit for performing external non-contact communication,
A second element body portion having a third variable capacitor portion including a third dielectric layer formed of a ferroelectric material and having a capacitance that changes in response to a second control voltage signal applied from the outside; A second correction capacitor having a fourth variable capacitor portion including a fourth dielectric layer formed of a dielectric material, wherein the second variable capacitor portion is connected to the second element body portion, and the capacitance is changed in accordance with the second control voltage signal; Part, a third signal external terminal connected to the second element body and receiving an AC signal, a fourth signal connected to the second element body or the second correction part and receiving an AC signal An external terminal for connection, a second external terminal for control connected to the second element main body and to which the second control voltage signal is input, an external terminal for capacitance correction connected to the second correction unit, A second resonant capacitor including a second variable capacitance element having A feeding device portion having constituted feeding antenna unit by the second resonance coil connected to the second resonant capacitor,
A third element body portion having a fifth variable capacitor portion including a fifth dielectric layer formed of a ferroelectric material, the capacitance of which changes according to a third control voltage signal applied from the outside; A third correction having a sixth variable capacitor portion including a sixth dielectric layer formed of a dielectric material, connected to the third element body portion, and having a capacitance that changes in accordance with the third control voltage signal Signal, a fifth signal external terminal connected to the third element body and receiving an AC signal, a sixth signal connected to the third element body or the third correction unit and receiving an AC signal An external terminal for connection, a third external terminal for control connected to the third element main body and to which the third control voltage signal is inputted, and an external terminal for capacitance correction connected to the third correction unit, A third resonant capacitor including a third variable capacitor having The third is constituted by a resonance coil, an electronic device and a power receiving device portion having a power receiving antenna unit for performing non-contact communication with the feeding antenna unit which is connected to the third resonance capacitor.
(18)
A first element body portion having a first variable capacitor portion including a first dielectric layer formed of a ferroelectric material, the capacitance of which varies according to a first control voltage signal applied from outside; A first correction having a second variable capacitor portion including a second dielectric layer made of a dielectric material, connected to the first element body portion, and having a capacitance that changes in accordance with the first control voltage signal , A first signal external terminal connected to the first element body and receiving an AC signal, a second signal connected to the first element body or the first correction unit and receiving an AC signal An external terminal for connection, a first external terminal for control connected to the first element main body and receiving the first control voltage signal, and an external terminal for capacitance correction connected to the first correction unit, A first resonant capacitor including a first variable capacitance element having And a first resonance coil connected to the first resonance capacitor, and a communication unit having a receiving antenna unit for performing external non-contact communication,
A power supply unit; a rectifier circuit unit that converts AC power supplied from the power supply unit into DC power; and a third variable capacitor unit including a third dielectric layer formed of a ferroelectric material. And a second element body portion whose capacitance changes in response to a second control voltage signal applied from outside, a fourth variable capacitor portion including a fourth dielectric layer formed of the ferroelectric material, A second correction unit that is connected to the second element body and has a capacitance that changes according to the second control voltage signal; a third signal external terminal that is connected to the second element body and receives an AC signal A fourth signal external terminal connected to the second element body or the second correction unit and receiving an AC signal; connected to the second element body and receiving the second control voltage signal; Connected to the second control external terminal and the second correction unit An electronic device comprising: a second variable capacitance element having a second capacitance correction external terminal; and a power supply device section having a variable impedance section provided between the power supply section and the rectifier circuit section. .
(19)
A first element body portion having a first variable capacitor portion including a first dielectric layer formed of a ferroelectric material, the capacitance of which varies according to a first control voltage signal applied from outside; A first correction having a second variable capacitor portion including a second dielectric layer made of a dielectric material, connected to the first element body portion, and having a capacitance that changes in accordance with the first control voltage signal , A first signal external terminal connected to the first element body and receiving an AC signal, a second signal connected to the first element body or the first correction unit and receiving an AC signal An external terminal for connection, a first external terminal for control connected to the first element main body and receiving the first control voltage signal, and a first external terminal for capacitance correction connected to the first correction unit, A first resonant capacitor including a first variable capacitance element having A feeding device portion having constituted feeding antenna unit through the first resonance coil connected to the first resonance capacitor,
A second element body portion having a third variable capacitor portion including a third dielectric layer formed of a ferroelectric material and having a capacitance that changes in response to a second control voltage signal applied from the outside; A second correction capacitor having a fourth variable capacitor portion including a fourth dielectric layer formed of a dielectric material, wherein the second variable capacitor portion is connected to the second element body portion, and the capacitance is changed in accordance with the second control voltage signal; Part, a third signal external terminal connected to the second element body and receiving an AC signal, a fourth signal connected to the second element body or the second correction part and receiving an AC signal An external terminal for connection, a second external terminal for control connected to the second element main body and to which the second control voltage signal is input, an external terminal for capacitance correction connected to the second correction unit, A second resonant capacitor including a second variable capacitance element having A second is composed of the resonant coil, the power receiving device portion having a power receiving antenna unit for performing the feeding antenna unit and the non-contact communication which is connected to the second resonant capacitor,
A power supply unit; a rectifier circuit unit that converts AC power supplied from the power supply unit into DC power; and a fifth variable capacitor unit that includes a fifth dielectric layer formed of a ferroelectric material. And a third element body portion whose capacitance changes in response to a third control voltage signal applied from the outside, and a sixth variable capacitor portion including a sixth dielectric layer formed of the ferroelectric material, A third correction unit connected to the third element body and having a capacitance that changes in response to the third control voltage signal; and a fifth signal external terminal connected to the third element body and receiving an AC signal A sixth signal external terminal connected to the third element body or the third correction unit and receiving an AC signal; connected to the third element body and receiving the third control voltage signal; Connected to third control external terminal and third correction unit An electronic device comprising: a third variable capacitance element having a third capacitance correction external terminal; and a power supply device section having a variable impedance section provided between the power supply section and the rectifier circuit section. .
(20)
A first element body portion having a first variable capacitor portion including a first dielectric layer formed of a ferroelectric material, the capacitance of which varies according to a first control voltage signal applied from outside; A first correction having a second variable capacitor portion including a second dielectric layer made of a dielectric material, connected to the first element body portion, and having a capacitance that changes in accordance with the first control voltage signal , A first signal external terminal connected to the first element body and receiving an AC signal, a second signal connected to the first element body or the first correction unit and receiving an AC signal An external terminal for connection, a first external terminal for control connected to the first element main body and receiving the first control voltage signal, and an external terminal for capacitance correction connected to the first correction unit, A first resonant capacitor including a first variable capacitance element having And a first resonance coil connected to the first resonance capacitor, and a communication unit having a receiving antenna unit for performing external non-contact communication,
A second element body portion having a third variable capacitor portion including a third dielectric layer formed of a ferroelectric material and having a capacitance that changes in response to a second control voltage signal applied from the outside; A second correction capacitor having a fourth variable capacitor portion including a fourth dielectric layer formed of a dielectric material, wherein the second variable capacitor portion is connected to the second element body portion, and the capacitance is changed in accordance with the second control voltage signal; Part, a third signal external terminal connected to the second element body and receiving an AC signal, a fourth signal connected to the second element body or the second correction part and receiving an AC signal An external terminal for connection, a second external terminal for control connected to the second element main body and to which the second control voltage signal is input, an external terminal for capacitance correction connected to the second correction unit, A second resonant capacitor including a second variable capacitance element having A feeding device portion having constituted feeding antenna unit by the second resonance coil connected to the second resonant capacitor,
A third element body portion having a fifth variable capacitor portion including a fifth dielectric layer formed of a ferroelectric material, the capacitance of which changes according to a third control voltage signal applied from the outside; A third correction having a sixth variable capacitor portion including a sixth dielectric layer formed of a dielectric material, connected to the third element body portion, and having a capacitance that changes in accordance with the third control voltage signal Signal, a fifth signal external terminal connected to the third element body and receiving an AC signal, a sixth signal connected to the third element body or the third correction unit and receiving an AC signal An external terminal for connection, a third external terminal for control connected to the third element main body and to which the third control voltage signal is inputted, and an external terminal for capacitance correction connected to the third correction unit, A third resonant capacitor including a third variable capacitor having A third is composed of a third resonant coil connected to the resonance capacitor, the power receiving device portion having a power receiving antenna unit for performing non-contact communication with the feeding antenna unit,
A power supply unit; a rectifier circuit unit that converts AC power supplied from the power supply unit into DC power; and a seventh variable capacitor unit that includes a seventh dielectric layer formed of a ferroelectric material. And a fourth element body portion whose capacitance changes according to a fourth control voltage signal applied from the outside, and an eighth variable capacitor portion including an eighth dielectric layer formed of the ferroelectric material, A fourth correction unit connected to the fourth element body and having a capacitance that changes in response to the fourth control voltage signal; a seventh signal external terminal connected to the fourth element body and receiving an AC signal An eighth signal external terminal connected to the fourth element body or the fourth correction unit and receiving an AC signal; connected to the fourth element body and receiving the fourth control voltage signal; Connected to the fourth control external terminal and the fourth correction unit An electronic apparatus comprising: a fourth variable capacitance element having a fourth capacitance correction external terminal; and a power supply unit having a variable impedance unit provided between the power supply unit and the rectifier circuit unit. .

1,2,10,30,50,70,100…可変容量素子、3,11,31,101…コンデンサ本体部、4,12,32,52,72,102…補正部、5,13…信号用外部端子、6…補正用外部端子、7…内部端子、8…第1補正コンデンサ部、9…第2補正コンデンサ部、14…第1制御用外部端子、15…第2制御用外部端子、16…第1補正用外部端子、17…第2補正用外部端子、18…第3補正用外部端子、20,25,40,60,80,90,95,100,110,115…実装回路、21,91,111…外部配線、61,81…選択部、62,82…第1外部配線、63,83…第2外部配線、64…第3外部配線、200…通信装置、201…受信部、210…共振アンテナ、211…電圧発生回路、213…共振コイル、214…共振コンデンサ、215…定容量コンデンサ、216…可変コンデンサ、217…バイアス除去用コンデンサ、220…通信システム、221…送信装置、222…受信装置、240…ワイヤレス充電システム、241…給電装置、242…受電装置、270…電源装置、271…電源トランス、272…可変インピーダンス部、C1〜C8,C31〜C38…第1〜第8可変コンデンサ部、C39…第9可変コンデンサ部、C9,C40,C51,C71…第1補正コンデンサ部、C10,C41,C52,C72…第2補正コンデンサ部、C11,C53…第3補正コンデンサ部、C91…第1可変コンデンサ部、C92…第2可変コンデンサ部、C93…第1補正コンデンサ部、C94…第2補正コンデンサ部、R1…第1バイアス抵抗、R2…第2バイアス抵抗、Vc…制御電圧
1, 2, 10, 30, 50, 70, 100 ... variable capacitance element, 3, 11, 31, 101 ... capacitor body, 4, 12, 32, 52, 72, 102 ... correction unit, 5, 13 ... signal External terminal for 6, external terminal for correction, 7 internal terminal, 8 first correction capacitor part, 9 second correction capacitor part, 14 external terminal for control 15, external terminal for second control, 16 ... 1st correction external terminal, 17 ... 2nd correction external terminal, 18 ... 3rd correction external terminal, 20, 25, 40, 60, 80, 90, 95, 100, 110, 115 ... mounting circuit, 21, 91, 111 ... external wiring, 61,81 ... selection unit, 62,82 ... first external wiring, 63,83 ... second external wiring, 64 ... third external wiring, 200 ... communication device, 201 ... receiving unit 210 ... Resonant antenna 211 ... Voltage generator circuit 213 ... Resonance coil, 214 ... resonance capacitor, 215 ... constant capacitance capacitor, 216 ... variable capacitor, 217 ... bias removal capacitor, 220 ... communication system, 221 ... transmitting device, 222 ... receiving device, 240 ... wireless charging system, 241 ... feeding Device, 242 ... power receiving device, 270 ... power supply device, 271 ... power supply transformer, 272 ... variable impedance unit, C1-C8, C31-C38 ... first to eighth variable capacitor unit, C39 ... ninth variable capacitor unit, C9, C40, C51, C71 ... first correction capacitor unit, C10, C41, C52, C72 ... second correction capacitor unit, C11, C53 ... third correction capacitor unit, C91 ... first variable capacitor unit, C92 ... second variable capacitor Part, C93 ... first correction capacitor part, C94 ... second correction capacitor part, 1 ... first bias resistor, R2 ... second bias resistor, Vc ... control voltage

Claims (20)

強誘電体材料で形成された第1誘電体層を含む第1の可変コンデンサ部を有し、外部から印加される制御電圧信号に応じて容量が変化する素子本体部と、
前記強誘電体材料で形成された第2誘電体層を含む第2の可変コンデンサ部を有し、前記素子本体部に接続され、前記制御電圧信号に応じて容量が変化する補正部と、
前記素子本体部に接続され、交流信号が入力される第1信号用外部端子と、
前記素子本体部又は前記補正部に接続され、交流信号が入力される第2信号用外部端子と、
前記素子本体部に接続され、前記制御電圧信号が入力される制御用外部端子と、
前記補正部に接続された容量補正用外部端子と
を備える可変容量素子。
An element body portion having a first variable capacitor portion including a first dielectric layer formed of a ferroelectric material, the capacitance of which varies according to a control voltage signal applied from the outside;
A second variable capacitor unit including a second dielectric layer formed of the ferroelectric material, connected to the element body unit, and a correction unit whose capacitance changes according to the control voltage signal;
A first signal external terminal connected to the element body and receiving an AC signal;
A second signal external terminal connected to the element body or the correction unit and receiving an AC signal;
An external terminal for control connected to the element body and to which the control voltage signal is input;
A variable capacitance element comprising: a capacitance correction external terminal connected to the correction unit.
前記素子本体部と、前記補正部とが直列に接続され、
前記第2信号用外部端子が前記補正部に接続されている
請求項1に記載の可変容量素子。
The element main body and the correction unit are connected in series,
The variable capacitance element according to claim 1, wherein the second signal external terminal is connected to the correction unit.
前記補正部が、複数の第2の可変コンデンサ部を有し、該複数の第2の可変コンデンサ部が並列接続され、
各第2の可変コンデンサ部の一方の端部が前記素子本体部に接続され、
前記複数の第2の可変コンデンサ部のうち、一つの前記第2の可変コンデンサ部の他方の端部が前記第2信号用外部端子に接続され、
残りの前記第2の可変コンデンサ部の他方の端部毎に前記容量補正用外部端子が設けられ、該残りの前記第2の可変コンデンサ部の各他方の端部が対応する前記容量補正用外部端子に接続されている
請求項2に記載の可変容量素子。
The correction unit includes a plurality of second variable capacitor units, and the plurality of second variable capacitor units are connected in parallel.
One end of each second variable capacitor portion is connected to the element body portion,
Of the plurality of second variable capacitor units, the other end of one of the second variable capacitor units is connected to the second signal external terminal,
The capacitance correction external terminal is provided for each of the other ends of the remaining second variable capacitor section, and the other end of the remaining second variable capacitor section corresponds to the corresponding capacitance correction external terminal. The variable capacitance element according to claim 2, connected to a terminal.
前記補正部が、複数の第2の可変コンデンサ部を有し、該複数の第2の可変コンデンサ部が直列接続され、
前記複数の第2の可変コンデンサ部で構成される直列回路の一方の端部が前記素子本体部に接続され、
前記直列回路の他方の端部が前記第2信号用外部端子に接続され、
互いに隣り合う2つの前記第2の可変コンデンサ部の接続点毎に前記容量補正用外部端子が設けられ、各接続点が対応する前記容量補正用外部端子に接続されている
請求項2に記載の可変容量素子。
The correction unit includes a plurality of second variable capacitor units, and the plurality of second variable capacitor units are connected in series,
One end of a series circuit composed of the plurality of second variable capacitor portions is connected to the element body portion,
The other end of the series circuit is connected to the second signal external terminal;
The capacitance correction external terminal is provided for each connection point of the two second variable capacitor units adjacent to each other, and each connection point is connected to the corresponding capacitance correction external terminal. Variable capacitance element.
前記素子本体部と、前記補正部とが並列に接続され、
前記第2信号用外部端子が前記素子本体部に接続され、
前記補正部の一方の端部が前記第1信号用外部端子に接続され、他方の端部が前記容量補正用外部端子に接続されている
請求項1に記載の可変容量素子。
The element body and the correction unit are connected in parallel,
The second signal external terminal is connected to the element body;
The variable capacitance element according to claim 1, wherein one end of the correction unit is connected to the first signal external terminal, and the other end is connected to the capacitance correction external terminal.
前記補正部が、複数の第2の可変コンデンサ部を有し、該複数の第2の可変コンデンサ部が直列接続され、
前記複数の第2の可変コンデンサ部で構成される直列回路の一方の端部が前記第1信号用外部端子に接続され、他方の端部が前記容量補正用外部端子に接続されている
請求項5に記載の可変容量素子。
The correction unit includes a plurality of second variable capacitor units, and the plurality of second variable capacitor units are connected in series,
The one end of a series circuit constituted by the plurality of second variable capacitor sections is connected to the first signal external terminal, and the other end is connected to the capacitance correcting external terminal. 5. The variable capacitance element according to 5.
強誘電体材料で形成された第1誘電体層を含む第1の可変コンデンサ部を有し、外部から印加される制御電圧信号に応じて容量が変化する素子本体部と、
前記強誘電体材料で形成された第2誘電体層を含む第2の可変コンデンサ部を有し、前記素子本体部に接続され、前記制御電圧信号に応じて容量が変化する補正部と、
前記素子本体部に接続され、交流信号が入力される第1信号用外部端子と、
前記素子本体部又は前記補正部に接続され、交流信号が入力される第2信号用外部端子と、
前記素子本体部に接続され、前記制御電圧信号が入力される制御用外部端子と、
前記補正部に接続された容量補正用外部端子と、
前記制御用外部端子に接続されたバイアス抵抗と
を備える実装回路。
An element body portion having a first variable capacitor portion including a first dielectric layer formed of a ferroelectric material, the capacitance of which varies according to a control voltage signal applied from the outside;
A second variable capacitor unit including a second dielectric layer formed of the ferroelectric material, connected to the element body unit, and a correction unit whose capacitance changes according to the control voltage signal;
A first signal external terminal connected to the element body and receiving an AC signal;
A second signal external terminal connected to the element body or the correction unit and receiving an AC signal;
An external terminal for control connected to the element body and to which the control voltage signal is input;
An external terminal for capacitance correction connected to the correction unit;
And a bias resistor connected to the control external terminal.
さらに、前記第2信号用外部端子と前記容量補正用外部端子とを電気的に接続する外部配線を備える
請求項7に記載の実装回路。
The mounting circuit according to claim 7, further comprising an external wiring that electrically connects the second signal external terminal and the capacitance correction external terminal.
強誘電体材料で形成された第1誘電体層を含む第1の可変コンデンサ部を有し且つ外部から印加される制御電圧信号に応じて容量が変化する素子本体部、前記強誘電体材料で形成された第2誘電体層を含む第2の可変コンデンサ部を有し、前記素子本体部に接続され且つ前記制御電圧信号に応じて容量が変化する補正部、前記素子本体部に接続され且つ交流信号が入力される第1信号用外部端子、前記素子本体部又は前記補正部に接続され且つ交流信号が入力される第2信号用外部端子、前記素子本体部に接続され且つ前記制御電圧信号が入力される制御用外部端子、並びに、前記補正部に接続された容量補正用外部端子、を有する可変容量素子を含む共振コンデンサと、
前記共振コンデンサに接続された共振コイルと
を備える共振回路。
An element main body portion having a first variable capacitor portion including a first dielectric layer formed of a ferroelectric material, the capacitance of which changes according to a control voltage signal applied from the outside, and the ferroelectric material A second variable capacitor unit including the formed second dielectric layer, a correction unit connected to the element main body and having a capacitance that changes in accordance with the control voltage signal; connected to the element main body; and A first signal external terminal to which an AC signal is input, a second signal external terminal that is connected to the element body or the correction unit and receives an AC signal, is connected to the element body and the control voltage signal A resonance capacitor including a variable capacitance element having a control external terminal to which is input, and a capacitance correction external terminal connected to the correction unit;
A resonance circuit comprising: a resonance coil connected to the resonance capacitor.
強誘電体材料で形成された第1誘電体層を含む第1の可変コンデンサ部を有し且つ外部から印加される制御電圧信号に応じて容量が変化する素子本体部、前記強誘電体材料で形成された第2誘電体層を含む第2の可変コンデンサ部を有し、前記素子本体部に接続され且つ前記制御電圧信号に応じて容量が変化する補正部、前記素子本体部に接続され且つ交流信号が入力される第1信号用外部端子、前記素子本体部又は前記補正部に接続され且つ交流信号が入力される第2信号用外部端子、前記素子本体部に接続され且つ前記制御電圧信号が入力される制御用外部端子、並びに、前記補正部に接続された容量補正用外部端子、を有する可変容量素子を含む共振コンデンサと、前記共振コンデンサに接続された共振コイルとを含み、外部と非接触通信を行う受信アンテナ部と、
前記可変容量素子の前記制御用外部端子に前記制御電圧信号を出力する電圧発生回路と
を備える通信装置。
An element main body portion having a first variable capacitor portion including a first dielectric layer formed of a ferroelectric material, the capacitance of which changes according to a control voltage signal applied from the outside, and the ferroelectric material A second variable capacitor unit including the formed second dielectric layer, a correction unit connected to the element main body and having a capacitance that changes in accordance with the control voltage signal; connected to the element main body; and A first signal external terminal to which an AC signal is input, a second signal external terminal that is connected to the element body or the correction unit and receives an AC signal, is connected to the element body and the control voltage signal Including a resonance capacitor including a variable capacitance element having a control external terminal to which is input, and a capacitance correction external terminal connected to the correction unit, and a resonance coil connected to the resonance capacitor, Non-contact A receiving antenna unit that performs signal,
A voltage generation circuit that outputs the control voltage signal to the control external terminal of the variable capacitance element.
強誘電体材料で形成された第1誘電体層を含む第1の可変コンデンサ部を有し且つ外部から印加される制御電圧信号に応じて容量が変化する素子本体部、前記強誘電体材料で形成された第2誘電体層を含む第2の可変コンデンサ部を有し、前記素子本体部に接続され且つ前記制御電圧信号に応じて容量が変化する補正部、前記素子本体部に接続され且つ交流信号が入力される第1信号用外部端子、前記素子本体部又は前記補正部に接続され且つ交流信号が入力される第2信号用外部端子、前記素子本体部に接続され且つ前記制御電圧信号が入力される制御用外部端子、並びに、前記補正部に接続された容量補正用外部端子、を有する可変容量素子を含む共振コンデンサと、前記共振コンデンサに接続された共振コイルとを含む送信アンテナ部を有する送信装置と、
前記送信装置と非接触通信を行う受信装置と
を備える通信システム。
An element main body portion having a first variable capacitor portion including a first dielectric layer formed of a ferroelectric material, the capacitance of which changes according to a control voltage signal applied from the outside, and the ferroelectric material A second variable capacitor unit including the formed second dielectric layer, a correction unit connected to the element main body and having a capacitance that changes in accordance with the control voltage signal; connected to the element main body; and A first signal external terminal to which an AC signal is input, a second signal external terminal that is connected to the element body or the correction unit and receives an AC signal, is connected to the element body and the control voltage signal A transmission antenna unit including a resonance capacitor including a variable capacitance element having a control external terminal to which is input, and a capacitance correction external terminal connected to the correction unit, and a resonance coil connected to the resonance capacitor A transmitting device having,
A communication system comprising: a receiving device that performs non-contact communication with the transmitting device.
強誘電体材料で形成された第1誘電体層を含む第1の可変コンデンサ部を有し且つ外部から印加される第1制御電圧信号に応じて容量が変化する第1素子本体部、前記強誘電体材料で形成された第2誘電体層を含む第2の可変コンデンサ部を有し、前記第1素子本体部に接続され且つ前記第1制御電圧信号に応じて容量が変化する第1補正部、前記第1素子本体部に接続され且つ交流信号が入力される第1信号用外部端子、前記第1素子本体部又は前記第1補正部に接続され且つ交流信号が入力される第2信号用外部端子、前記第1素子本体部に接続され且つ前記第1制御電圧信号が入力される第1制御用外部端子、並びに、前記第1補正部に接続された第1容量補正用外部端子、を有する第1可変容量素子を含む第1共振コンデンサと、前記第1共振コンデンサに接続された第1共振コイルとにより構成される給電アンテナ部を有する給電装置と、
強誘電体材料で形成された第3誘電体層を含む第3の可変コンデンサ部を有し且つ外部から印加される第2制御電圧信号に応じて容量が変化する第2素子本体部、前記強誘電体材料で形成された第4誘電体層を含む第4の可変コンデンサ部を有し、前記第2素子本体部に接続され且つ前記第2制御電圧信号に応じて容量が変化する第2補正部、前記第2素子本体部に接続され且つ交流信号が入力される第3信号用外部端子、前記第2素子本体部又は前記第2補正部に接続され且つ交流信号が入力される第4信号用外部端子、前記第2素子本体部に接続され且つ前記第2制御電圧信号が入力される第2制御用外部端子、並びに、前記第2補正部に接続された第2容量補正用外部端子、を有する第2可変容量素子を含む第2共振コンデンサと、前記第2共振コンデンサに接続された第2共振コイルとにより構成され、前記給電アンテナ部と非接触通信を行う受電アンテナ部を有する受電装置と
を備えるワイヤレス充電システム。
A first element body portion having a first variable capacitor portion including a first dielectric layer formed of a ferroelectric material, the capacitance of which varies according to a first control voltage signal applied from outside; A first correction having a second variable capacitor portion including a second dielectric layer made of a dielectric material, connected to the first element body portion, and having a capacitance that changes in accordance with the first control voltage signal , A first signal external terminal connected to the first element body and receiving an AC signal, a second signal connected to the first element body or the first correction unit and receiving an AC signal An external terminal for connection, a first external terminal for control connected to the first element main body and receiving the first control voltage signal, and an external terminal for capacitance correction connected to the first correction unit, A first resonant capacitor including a first variable capacitance element having A power supply device having a configured power feeding antenna unit through the first resonance coil connected to the first resonance capacitor,
A second element body portion having a third variable capacitor portion including a third dielectric layer formed of a ferroelectric material and having a capacitance that changes in response to a second control voltage signal applied from the outside; A second correction capacitor having a fourth variable capacitor portion including a fourth dielectric layer formed of a dielectric material, wherein the second variable capacitor portion is connected to the second element body portion, and the capacitance is changed in accordance with the second control voltage signal; Part, a third signal external terminal connected to the second element body and receiving an AC signal, a fourth signal connected to the second element body or the second correction part and receiving an AC signal An external terminal for connection, a second external terminal for control connected to the second element main body and to which the second control voltage signal is input, an external terminal for capacitance correction connected to the second correction unit, A second resonant capacitor including a second variable capacitance element having The second is composed of the resonant coil, the wireless charging system comprising a power receiving device having a power receiving antenna unit for performing non-contact communication with the feeding antenna unit which is connected to the second resonant capacitor.
電源供給部と、
前記電源供給部から供給された交流電力を直流電力に変換する整流回路部と、
強誘電体材料で形成された第1誘電体層を含む第1の可変コンデンサ部を有し且つ外部から印加される制御電圧信号に応じて容量が変化する素子本体部、前記強誘電体材料で形成された第2誘電体層を含む第2の可変コンデンサ部を有し、前記素子本体部に接続され且つ前記制御電圧信号に応じて容量が変化する補正部、前記素子本体部に接続され且つ交流信号が入力される第1信号用外部端子、前記素子本体部又は前記補正部に接続され且つ交流信号が入力される第2信号用外部端子、前記素子本体部に接続され且つ前記制御電圧信号が入力される制御用外部端子、並びに、前記補正部に接続された容量補正用外部端子、を有する可変容量素子を含み、前記電源供給部と前記整流回路部との間に設けられた可変インピーダンス部と
を備える電源装置。
A power supply unit;
A rectifier circuit unit that converts AC power supplied from the power supply unit into DC power;
An element main body portion having a first variable capacitor portion including a first dielectric layer formed of a ferroelectric material, the capacitance of which changes according to a control voltage signal applied from the outside, and the ferroelectric material A second variable capacitor unit including the formed second dielectric layer, a correction unit connected to the element main body and having a capacitance that changes in accordance with the control voltage signal; connected to the element main body; and A first signal external terminal to which an AC signal is input, a second signal external terminal that is connected to the element body or the correction unit and receives an AC signal, is connected to the element body and the control voltage signal And a variable impedance element provided between the power supply unit and the rectifier circuit unit, including a variable capacitance element having a control external terminal to which is input and a capacitance correction external terminal connected to the correction unit With department Power supply.
強誘電体材料で形成された第1誘電体層を含む第1の可変コンデンサ部を有し且つ外部から印加される制御電圧信号に応じて容量が変化する素子本体部、前記強誘電体材料で形成された第2誘電体層を含む第2の可変コンデンサ部を有し、前記素子本体部に接続され且つ前記制御電圧信号に応じて容量が変化する補正部、前記素子本体部に接続され且つ交流信号が入力される第1信号用外部端子、前記素子本体部又は前記補正部に接続され且つ交流信号が入力される第2信号用外部端子、前記素子本体部に接続され且つ前記制御電圧信号が入力される制御用外部端子、並びに、前記補正部に接続された容量補正用外部端子、を有する可変容量素子を含む共振コンデンサと、前記共振コンデンサに接続された共振コイルとにより構成され、外部と非接触通信を行う通信部と、
前記可変容量素子の前記制御用外部端子に前記制御電圧信号を出力する電圧発生回路と
を備える電子機器。
An element main body portion having a first variable capacitor portion including a first dielectric layer formed of a ferroelectric material, the capacitance of which changes according to a control voltage signal applied from the outside, and the ferroelectric material A second variable capacitor unit including the formed second dielectric layer, a correction unit connected to the element main body and having a capacitance that changes in accordance with the control voltage signal; connected to the element main body; and A first signal external terminal to which an AC signal is input, a second signal external terminal that is connected to the element body or the correction unit and receives an AC signal, is connected to the element body and the control voltage signal Is formed by a resonance capacitor including a variable capacitor having a control external terminal to which is input, and a capacitance correction external terminal connected to the correction unit, and a resonance coil connected to the resonance capacitor, A communication unit that performs non-contact communication,
An electronic device comprising: a voltage generation circuit that outputs the control voltage signal to the control external terminal of the variable capacitance element.
強誘電体材料で形成された第1誘電体層を含む第1の可変コンデンサ部を有し且つ外部から印加される第1制御電圧信号に応じて容量が変化する第1素子本体部、前記強誘電体材料で形成された第2誘電体層を含む第2の可変コンデンサ部を有し、前記第1素子本体部に接続され且つ前記第1制御電圧信号に応じて容量が変化する第1補正部、前記第1素子本体部に接続され且つ交流信号が入力される第1信号用外部端子、前記第1素子本体部又は前記第1補正部に接続され且つ交流信号が入力される第2信号用外部端子、前記第1素子本体部に接続され且つ前記第1制御電圧信号が入力される第1制御用外部端子、並びに、前記第1補正部に接続された第1容量補正用外部端子、を有する第1可変容量素子を含む第1共振コンデンサと、前記第1共振コンデンサに接続された第1共振コイルとにより構成される給電アンテナ部を有する給電装置部と、
強誘電体材料で形成された第3誘電体層を含む第3の可変コンデンサ部を有し且つ外部から印加される第2制御電圧信号に応じて容量が変化する第2素子本体部、前記強誘電体材料で形成された第4誘電体層を含む第4の可変コンデンサ部を有し、前記第2素子本体部に接続され且つ前記第2制御電圧信号に応じて容量が変化する第2補正部、前記第2素子本体部に接続され且つ交流信号が入力される第3信号用外部端子、前記第2素子本体部又は前記第2補正部に接続され且つ交流信号が入力される第4信号用外部端子、前記第2素子本体部に接続され且つ前記第2制御電圧信号が入力される第2制御用外部端子、並びに、前記第2補正部に接続された第2容量補正用外部端子、を有する第2可変容量素子を含む第2共振コンデンサと、前記第2共振コンデンサに接続された第2共振コイルとにより構成され、前記給電アンテナ部と非接触通信を行う受電アンテナ部を有する受電装置部と
を備える電子機器。
A first element body portion having a first variable capacitor portion including a first dielectric layer formed of a ferroelectric material, the capacitance of which varies according to a first control voltage signal applied from outside; A first correction having a second variable capacitor portion including a second dielectric layer made of a dielectric material, connected to the first element body portion, and having a capacitance that changes in accordance with the first control voltage signal , A first signal external terminal connected to the first element body and receiving an AC signal, a second signal connected to the first element body or the first correction unit and receiving an AC signal An external terminal for connection, a first external terminal for control connected to the first element main body and receiving the first control voltage signal, and an external terminal for capacitance correction connected to the first correction unit, A first resonant capacitor including a first variable capacitance element having A feeding device portion having constituted feeding antenna unit through the first resonance coil connected to the first resonance capacitor,
A second element body portion having a third variable capacitor portion including a third dielectric layer formed of a ferroelectric material and having a capacitance that changes in response to a second control voltage signal applied from the outside; A second correction capacitor having a fourth variable capacitor portion including a fourth dielectric layer formed of a dielectric material, wherein the second variable capacitor portion is connected to the second element body portion, and the capacitance is changed in accordance with the second control voltage signal; Part, a third signal external terminal connected to the second element body and receiving an AC signal, a fourth signal connected to the second element body or the second correction part and receiving an AC signal An external terminal for connection, a second external terminal for control connected to the second element main body and to which the second control voltage signal is input, an external terminal for capacitance correction connected to the second correction unit, A second resonant capacitor including a second variable capacitance element having The second is composed of a resonant coil, an electronic device and a power receiving device portion having a power receiving antenna unit for performing non-contact communication with the feeding antenna unit which is connected to the second resonant capacitor.
電源供給部と、
前記電源供給部から供給された交流電力を直流電力に変換する整流回路部と、
強誘電体材料で形成された第1誘電体層を含む第1の可変コンデンサ部を有し且つ外部から印加される制御電圧信号に応じて容量が変化する素子本体部、前記強誘電体材料で形成された第2誘電体層を含む第2の可変コンデンサ部を有し、前記素子本体部に接続され且つ前記制御電圧信号に応じて容量が変化する補正部、前記素子本体部に接続され且つ交流信号が入力される第1信号用外部端子、前記素子本体部又は前記補正部に接続され且つ交流信号が入力される第2信号用外部端子、前記素子本体部に接続され且つ前記制御電圧信号が入力される制御用外部端子、並びに、前記補正部に接続された容量補正用外部端子、を有する可変容量素子を含み、前記電源供給部と前記整流回路部との間に設けられた可変インピーダンス部と
を備える電子機器。
A power supply unit;
A rectifier circuit unit that converts AC power supplied from the power supply unit into DC power;
An element main body portion having a first variable capacitor portion including a first dielectric layer formed of a ferroelectric material, the capacitance of which changes according to a control voltage signal applied from the outside, and the ferroelectric material A second variable capacitor unit including the formed second dielectric layer, a correction unit connected to the element main body and having a capacitance that changes in accordance with the control voltage signal; connected to the element main body; and A first signal external terminal to which an AC signal is input, a second signal external terminal that is connected to the element body or the correction unit and receives an AC signal, is connected to the element body and the control voltage signal And a variable impedance element provided between the power supply unit and the rectifier circuit unit, including a variable capacitance element having a control external terminal to which is input and a capacitance correction external terminal connected to the correction unit With department Electronics.
強誘電体材料で形成された第1誘電体層を含む第1の可変コンデンサ部を有し且つ外部から印加される第1制御電圧信号に応じて容量が変化する第1素子本体部、前記強誘電体材料で形成された第2誘電体層を含む第2の可変コンデンサ部を有し、前記第1素子本体部に接続され且つ前記第1制御電圧信号に応じて容量が変化する第1補正部、前記第1素子本体部に接続され且つ交流信号が入力される第1信号用外部端子、前記第1素子本体部又は前記第1補正部に接続され且つ交流信号が入力される第2信号用外部端子、前記第1素子本体部に接続され且つ前記第1制御電圧信号が入力される第1制御用外部端子、並びに、前記第1補正部に接続された第1容量補正用外部端子、を有する第1可変容量素子を含む第1共振コンデンサと、前記第1共振コンデンサに接続された第1共振コイルとを含み、外部と非接触通信を行う受信アンテナ部を有する通信装置部と、
強誘電体材料で形成された第3誘電体層を含む第3の可変コンデンサ部を有し且つ外部から印加される第2制御電圧信号に応じて容量が変化する第2素子本体部、前記強誘電体材料で形成された第4誘電体層を含む第4の可変コンデンサ部を有し、前記第2素子本体部に接続され且つ前記第2制御電圧信号に応じて容量が変化する第2補正部、前記第2素子本体部に接続され且つ交流信号が入力される第3信号用外部端子、前記第2素子本体部又は前記第2補正部に接続され且つ交流信号が入力される第4信号用外部端子、前記第2素子本体部に接続され且つ前記第2制御電圧信号が入力される第2制御用外部端子、並びに、前記第2補正部に接続された第2容量補正用外部端子、を有する第2可変容量素子を含む第2共振コンデンサと、前記第2共振コンデンサに接続された第2共振コイルとにより構成される給電アンテナ部を有する給電装置部と、
強誘電体材料で形成された第5誘電体層を含む第5の可変コンデンサ部を有し且つ外部から印加される第3制御電圧信号に応じて容量が変化する第3素子本体部、前記強誘電体材料で形成された第6誘電体層を含む第6の可変コンデンサ部を有し、前記第3素子本体部に接続され且つ前記第3制御電圧信号に応じて容量が変化する第3補正部、前記第3素子本体部に接続され且つ交流信号が入力される第5信号用外部端子、前記第3素子本体部又は前記第3補正部に接続され且つ交流信号が入力される第6信号用外部端子、前記第3素子本体部に接続され且つ前記第3制御電圧信号が入力される第3制御用外部端子、並びに、前記第3補正部に接続された第3容量補正用外部端子、を有する第3可変容量素子を含む第3共振コンデンサと、前記第3共振コンデンサに接続された第3共振コイルとにより構成され、前記給電アンテナ部と非接触通信を行う受電アンテナ部を有する受電装置部と
を備える電子機器。
A first element body portion having a first variable capacitor portion including a first dielectric layer formed of a ferroelectric material, the capacitance of which varies according to a first control voltage signal applied from outside; A first correction having a second variable capacitor portion including a second dielectric layer made of a dielectric material, connected to the first element body portion, and having a capacitance that changes in accordance with the first control voltage signal , A first signal external terminal connected to the first element body and receiving an AC signal, a second signal connected to the first element body or the first correction unit and receiving an AC signal An external terminal for connection, a first external terminal for control connected to the first element main body and receiving the first control voltage signal, and an external terminal for capacitance correction connected to the first correction unit, A first resonant capacitor including a first variable capacitance element having And a first resonance coil connected to the first resonance capacitor, and a communication unit having a receiving antenna unit for performing external non-contact communication,
A second element body portion having a third variable capacitor portion including a third dielectric layer formed of a ferroelectric material and having a capacitance that changes in response to a second control voltage signal applied from the outside; A second correction capacitor having a fourth variable capacitor portion including a fourth dielectric layer formed of a dielectric material, wherein the second variable capacitor portion is connected to the second element body portion, and the capacitance is changed in accordance with the second control voltage signal; Part, a third signal external terminal connected to the second element body and receiving an AC signal, a fourth signal connected to the second element body or the second correction part and receiving an AC signal An external terminal for connection, a second external terminal for control connected to the second element main body and to which the second control voltage signal is input, an external terminal for capacitance correction connected to the second correction unit, A second resonant capacitor including a second variable capacitance element having A feeding device portion having constituted feeding antenna unit by the second resonance coil connected to the second resonant capacitor,
A third element body portion having a fifth variable capacitor portion including a fifth dielectric layer formed of a ferroelectric material, the capacitance of which changes according to a third control voltage signal applied from the outside; A third correction having a sixth variable capacitor portion including a sixth dielectric layer formed of a dielectric material, connected to the third element body portion, and having a capacitance that changes in accordance with the third control voltage signal Signal, a fifth signal external terminal connected to the third element body and receiving an AC signal, a sixth signal connected to the third element body or the third correction unit and receiving an AC signal An external terminal for connection, a third external terminal for control connected to the third element main body and to which the third control voltage signal is inputted, and an external terminal for capacitance correction connected to the third correction unit, A third resonant capacitor including a third variable capacitor having The third is constituted by a resonance coil, an electronic device and a power receiving device portion having a power receiving antenna unit for performing non-contact communication with the feeding antenna unit which is connected to the third resonance capacitor.
強誘電体材料で形成された第1誘電体層を含む第1の可変コンデンサ部を有し且つ外部から印加される第1制御電圧信号に応じて容量が変化する第1素子本体部、前記強誘電体材料で形成された第2誘電体層を含む第2の可変コンデンサ部を有し、前記第1素子本体部に接続され且つ前記第1制御電圧信号に応じて容量が変化する第1補正部、前記第1素子本体部に接続され且つ交流信号が入力される第1信号用外部端子、前記第1素子本体部又は前記第1補正部に接続され且つ交流信号が入力される第2信号用外部端子、前記第1素子本体部に接続され且つ前記第1制御電圧信号が入力される第1制御用外部端子、並びに、前記第1補正部に接続された第1容量補正用外部端子、を有する第1可変容量素子を含む第1共振コンデンサと、前記第1共振コンデンサに接続された第1共振コイルとを含み、外部と非接触通信を行う受信アンテナ部を有する通信装置部と、
電源供給部と、前記電源供給部から供給された交流電力を直流電力に変換する整流回路部と、強誘電体材料で形成された第3誘電体層を含む第3の可変コンデンサ部を有し且つ外部から印加される第2制御電圧信号に応じて容量が変化する第2素子本体部、前記強誘電体材料で形成された第4誘電体層を含む第4の可変コンデンサ部を有し、前記第2素子本体部に接続され且つ前記第2制御電圧信号に応じて容量が変化する第2補正部、前記第2素子本体部に接続され且つ交流信号が入力される第3信号用外部端子、前記第2素子本体部又は前記第2補正部に接続され且つ交流信号が入力される第4信号用外部端子、前記第2素子本体部に接続され且つ前記第2制御電圧信号が入力される第2制御用外部端子、並びに、前記第2補正部に接続された第2容量補正用外部端子、を有する第2可変容量素子を含み、前記電源供給部と前記整流回路部との間に設けられた可変インピーダンス部とを有する電源装置部と
を備える電子機器。
A first element body portion having a first variable capacitor portion including a first dielectric layer formed of a ferroelectric material, the capacitance of which varies according to a first control voltage signal applied from outside; A first correction having a second variable capacitor portion including a second dielectric layer made of a dielectric material, connected to the first element body portion, and having a capacitance that changes in accordance with the first control voltage signal , A first signal external terminal connected to the first element body and receiving an AC signal, a second signal connected to the first element body or the first correction unit and receiving an AC signal An external terminal for connection, a first external terminal for control connected to the first element main body and receiving the first control voltage signal, and an external terminal for capacitance correction connected to the first correction unit, A first resonant capacitor including a first variable capacitance element having And a first resonance coil connected to the first resonance capacitor, and a communication unit having a receiving antenna unit for performing external non-contact communication,
A power supply unit; a rectifier circuit unit that converts AC power supplied from the power supply unit into DC power; and a third variable capacitor unit including a third dielectric layer formed of a ferroelectric material. And a second element body portion whose capacitance changes in response to a second control voltage signal applied from outside, a fourth variable capacitor portion including a fourth dielectric layer formed of the ferroelectric material, A second correction unit that is connected to the second element body and has a capacitance that changes according to the second control voltage signal; a third signal external terminal that is connected to the second element body and receives an AC signal A fourth signal external terminal connected to the second element body or the second correction unit and receiving an AC signal; connected to the second element body and receiving the second control voltage signal; Connected to the second control external terminal and the second correction unit An electronic device comprising: a second variable capacitance element having a second capacitance correction external terminal; and a power supply device section having a variable impedance section provided between the power supply section and the rectifier circuit section. .
強誘電体材料で形成された第1誘電体層を含む第1の可変コンデンサ部を有し且つ外部から印加される第1制御電圧信号に応じて容量が変化する第1素子本体部、前記強誘電体材料で形成された第2誘電体層を含む第2の可変コンデンサ部を有し、前記第1素子本体部に接続され且つ前記第1制御電圧信号に応じて容量が変化する第1補正部、前記第1素子本体部に接続され且つ交流信号が入力される第1信号用外部端子、前記第1素子本体部又は前記第1補正部に接続され且つ交流信号が入力される第2信号用外部端子、前記第1素子本体部に接続され且つ前記第1制御電圧信号が入力される第1制御用外部端子、並びに、前記第1補正部に接続された第1容量補正用外部端子、を有する第1可変容量素子を含む第1共振コンデンサと、前記第1共振コンデンサに接続された第1共振コイルとにより構成される給電アンテナ部を有する給電装置部と、
強誘電体材料で形成された第3誘電体層を含む第3の可変コンデンサ部を有し且つ外部から印加される第2制御電圧信号に応じて容量が変化する第2素子本体部、前記強誘電体材料で形成された第4誘電体層を含む第4の可変コンデンサ部を有し、前記第2素子本体部に接続され且つ前記第2制御電圧信号に応じて容量が変化する第2補正部、前記第2素子本体部に接続され且つ交流信号が入力される第3信号用外部端子、前記第2素子本体部又は前記第2補正部に接続され且つ交流信号が入力される第4信号用外部端子、前記第2素子本体部に接続され且つ前記第2制御電圧信号が入力される第2制御用外部端子、並びに、前記第2補正部に接続された第2容量補正用外部端子、を有する第2可変容量素子を含む第2共振コンデンサと、前記第2共振コンデンサに接続された第2共振コイルとにより構成され、前記給電アンテナ部と非接触通信を行う受電アンテナ部を有する受電装置部と、
電源供給部と、前記電源供給部から供給された交流電力を直流電力に変換する整流回路部と、強誘電体材料で形成された第5誘電体層を含む第5の可変コンデンサ部を有し且つ外部から印加される第3制御電圧信号に応じて容量が変化する第3素子本体部、前記強誘電体材料で形成された第6誘電体層を含む第6の可変コンデンサ部を有し、前記第3素子本体部に接続され且つ前記第3制御電圧信号に応じて容量が変化する第3補正部、前記第3素子本体部に接続され且つ交流信号が入力される第5信号用外部端子、前記第3素子本体部又は前記第3補正部に接続され且つ交流信号が入力される第6信号用外部端子、前記第3素子本体部に接続され且つ前記第3制御電圧信号が入力される第3制御用外部端子、並びに、前記第3補正部に接続された第3容量補正用外部端子、を有する第3可変容量素子を含み、前記電源供給部と前記整流回路部との間に設けられた可変インピーダンス部とを有する電源装置部と
を備える電子機器。
A first element body portion having a first variable capacitor portion including a first dielectric layer formed of a ferroelectric material, the capacitance of which varies according to a first control voltage signal applied from outside; A first correction having a second variable capacitor portion including a second dielectric layer made of a dielectric material, connected to the first element body portion, and having a capacitance that changes in accordance with the first control voltage signal , A first signal external terminal connected to the first element body and receiving an AC signal, a second signal connected to the first element body or the first correction unit and receiving an AC signal An external terminal for connection, a first external terminal for control connected to the first element main body and receiving the first control voltage signal, and an external terminal for capacitance correction connected to the first correction unit, A first resonant capacitor including a first variable capacitance element having A feeding device portion having constituted feeding antenna unit through the first resonance coil connected to the first resonance capacitor,
A second element body portion having a third variable capacitor portion including a third dielectric layer formed of a ferroelectric material and having a capacitance that changes in response to a second control voltage signal applied from the outside; A second correction capacitor having a fourth variable capacitor portion including a fourth dielectric layer formed of a dielectric material, wherein the second variable capacitor portion is connected to the second element body portion, and the capacitance is changed in accordance with the second control voltage signal; Part, a third signal external terminal connected to the second element body and receiving an AC signal, a fourth signal connected to the second element body or the second correction part and receiving an AC signal An external terminal for connection, a second external terminal for control connected to the second element main body and to which the second control voltage signal is input, an external terminal for capacitance correction connected to the second correction unit, A second resonant capacitor including a second variable capacitance element having A second is composed of the resonant coil, the power receiving device portion having a power receiving antenna unit for performing the feeding antenna unit and the non-contact communication which is connected to the second resonant capacitor,
A power supply unit; a rectifier circuit unit that converts AC power supplied from the power supply unit into DC power; and a fifth variable capacitor unit that includes a fifth dielectric layer formed of a ferroelectric material. And a third element body portion whose capacitance changes in response to a third control voltage signal applied from the outside, and a sixth variable capacitor portion including a sixth dielectric layer formed of the ferroelectric material, A third correction unit connected to the third element body and having a capacitance that changes in response to the third control voltage signal; and a fifth signal external terminal connected to the third element body and receiving an AC signal A sixth signal external terminal connected to the third element body or the third correction unit and receiving an AC signal; connected to the third element body and receiving the third control voltage signal; Connected to third control external terminal and third correction unit An electronic device comprising: a third variable capacitance element having a third capacitance correction external terminal; and a power supply device section having a variable impedance section provided between the power supply section and the rectifier circuit section. .
強誘電体材料で形成された第1誘電体層を含む第1の可変コンデンサ部を有し且つ外部から印加される第1制御電圧信号に応じて容量が変化する第1素子本体部、前記強誘電体材料で形成された第2誘電体層を含む第2の可変コンデンサ部を有し、前記第1素子本体部に接続され且つ前記第1制御電圧信号に応じて容量が変化する第1補正部、前記第1素子本体部に接続され且つ交流信号が入力される第1信号用外部端子、前記第1素子本体部又は前記第1補正部に接続され且つ交流信号が入力される第2信号用外部端子、前記第1素子本体部に接続され且つ前記第1制御電圧信号が入力される第1制御用外部端子、並びに、前記第1補正部に接続された第1容量補正用外部端子、を有する第1可変容量素子を含む第1共振コンデンサと、前記第1共振コンデンサに接続された第1共振コイルとを含み、外部と非接触通信を行う受信アンテナ部を有する通信装置部と、
強誘電体材料で形成された第3誘電体層を含む第3の可変コンデンサ部を有し且つ外部から印加される第2制御電圧信号に応じて容量が変化する第2素子本体部、前記強誘電体材料で形成された第4誘電体層を含む第4の可変コンデンサ部を有し、前記第2素子本体部に接続され且つ前記第2制御電圧信号に応じて容量が変化する第2補正部、前記第2素子本体部に接続され且つ交流信号が入力される第3信号用外部端子、前記第2素子本体部又は前記第2補正部に接続され且つ交流信号が入力される第4信号用外部端子、前記第2素子本体部に接続され且つ前記第2制御電圧信号が入力される第2制御用外部端子、並びに、前記第2補正部に接続された第2容量補正用外部端子、を有する第2可変容量素子を含む第2共振コンデンサと、前記第2共振コンデンサに接続された第2共振コイルとにより構成される給電アンテナ部を有する給電装置部と、
強誘電体材料で形成された第5誘電体層を含む第5の可変コンデンサ部を有し且つ外部から印加される第3制御電圧信号に応じて容量が変化する第3素子本体部、前記強誘電体材料で形成された第6誘電体層を含む第6の可変コンデンサ部を有し、前記第3素子本体部に接続され且つ前記第3制御電圧信号に応じて容量が変化する第3補正部、前記第3素子本体部に接続され且つ交流信号が入力される第5信号用外部端子、前記第3素子本体部又は前記第3補正部に接続され且つ交流信号が入力される第6信号用外部端子、前記第3素子本体部に接続され且つ前記第3制御電圧信号が入力される第3制御用外部端子、並びに、前記第3補正部に接続された第3容量補正用外部端子、を有する第3可変容量素子を含む第3共振コンデンサと、前記第3共振コンデンサに接続された第3共振コイルとにより構成され、前記給電アンテナ部と非接触通信を行う受電アンテナ部を有する受電装置部と、
電源供給部と、前記電源供給部から供給された交流電力を直流電力に変換する整流回路部と、強誘電体材料で形成された第7誘電体層を含む第7の可変コンデンサ部を有し且つ外部から印加される第4制御電圧信号に応じて容量が変化する第4素子本体部、前記強誘電体材料で形成された第8誘電体層を含む第8の可変コンデンサ部を有し、前記第4素子本体部に接続され且つ前記第4制御電圧信号に応じて容量が変化する第4補正部、前記第4素子本体部に接続され且つ交流信号が入力される第7信号用外部端子、前記第4素子本体部又は前記第4補正部に接続され且つ交流信号が入力される第8信号用外部端子、前記第4素子本体部に接続され且つ前記第4制御電圧信号が入力される第4制御用外部端子、並びに、前記第4補正部に接続された第4容量補正用外部端子、を有する第4可変容量素子を含み、前記電源供給部と前記整流回路部との間に設けられた可変インピーダンス部とを有する電源装置部と
を備える電子機器。
A first element body portion having a first variable capacitor portion including a first dielectric layer formed of a ferroelectric material, the capacitance of which varies according to a first control voltage signal applied from outside; A first correction having a second variable capacitor portion including a second dielectric layer made of a dielectric material, connected to the first element body portion, and having a capacitance that changes in accordance with the first control voltage signal , A first signal external terminal connected to the first element body and receiving an AC signal, a second signal connected to the first element body or the first correction unit and receiving an AC signal An external terminal for connection, a first external terminal for control connected to the first element main body and receiving the first control voltage signal, and an external terminal for capacitance correction connected to the first correction unit, A first resonant capacitor including a first variable capacitance element having And a first resonance coil connected to the first resonance capacitor, and a communication unit having a receiving antenna unit for performing external non-contact communication,
A second element body portion having a third variable capacitor portion including a third dielectric layer formed of a ferroelectric material and having a capacitance that changes in response to a second control voltage signal applied from the outside; A second correction capacitor having a fourth variable capacitor portion including a fourth dielectric layer formed of a dielectric material, wherein the second variable capacitor portion is connected to the second element body portion, and the capacitance is changed in accordance with the second control voltage signal; Part, a third signal external terminal connected to the second element body and receiving an AC signal, a fourth signal connected to the second element body or the second correction part and receiving an AC signal An external terminal for connection, a second external terminal for control connected to the second element main body and to which the second control voltage signal is input, an external terminal for capacitance correction connected to the second correction unit, A second resonant capacitor including a second variable capacitance element having A feeding device portion having constituted feeding antenna unit by the second resonance coil connected to the second resonant capacitor,
A third element body portion having a fifth variable capacitor portion including a fifth dielectric layer formed of a ferroelectric material, the capacitance of which changes according to a third control voltage signal applied from the outside; A third correction having a sixth variable capacitor portion including a sixth dielectric layer formed of a dielectric material, connected to the third element body portion, and having a capacitance that changes in accordance with the third control voltage signal Signal, a fifth signal external terminal connected to the third element body and receiving an AC signal, a sixth signal connected to the third element body or the third correction unit and receiving an AC signal An external terminal for connection, a third external terminal for control connected to the third element main body and to which the third control voltage signal is inputted, and an external terminal for capacitance correction connected to the third correction unit, A third resonant capacitor including a third variable capacitor having A third is composed of a third resonant coil connected to the resonance capacitor, the power receiving device portion having a power receiving antenna unit for performing non-contact communication with the feeding antenna unit,
A power supply unit; a rectifier circuit unit that converts AC power supplied from the power supply unit into DC power; and a seventh variable capacitor unit that includes a seventh dielectric layer formed of a ferroelectric material. And a fourth element body portion whose capacitance changes according to a fourth control voltage signal applied from the outside, and an eighth variable capacitor portion including an eighth dielectric layer formed of the ferroelectric material, A fourth correction unit connected to the fourth element body and having a capacitance that changes in response to the fourth control voltage signal; a seventh signal external terminal connected to the fourth element body and receiving an AC signal An eighth signal external terminal connected to the fourth element body or the fourth correction unit and receiving an AC signal; connected to the fourth element body and receiving the fourth control voltage signal; Connected to the fourth control external terminal and the fourth correction unit An electronic apparatus comprising: a fourth variable capacitance element having a fourth capacitance correction external terminal; and a power supply unit having a variable impedance unit provided between the power supply unit and the rectifier circuit unit. .
JP2012176665A 2012-08-09 2012-08-09 Variable capacitance element, mounting circuit, resonance circuit, communication device, communication system, wireless charging system, power supply device, and electronic device Active JP6076645B2 (en)

Priority Applications (6)

Application Number Priority Date Filing Date Title
JP2012176665A JP6076645B2 (en) 2012-08-09 2012-08-09 Variable capacitance element, mounting circuit, resonance circuit, communication device, communication system, wireless charging system, power supply device, and electronic device
US14/419,136 US10199173B2 (en) 2012-08-09 2013-07-29 Variable capacitance element, packaged circuit, resonant circuit, communication apparatus, communication system, wireless charging system, power supply apparatus, and electronic apparatus
CN201380042320.7A CN104520951B (en) 2012-08-09 2013-07-29 Variable-capacitance element, installation circuit, resonance circuit, communicator, communication system, wireless charging system, supply unit and electronic equipment
PCT/JP2013/070474 WO2014024716A1 (en) 2012-08-09 2013-07-29 Variable capacitance element, packaged circuit, resonant circuit, communication apparatus, communication system, wireless charging system, power supply apparatus, and electronic apparatus
KR1020157005735A KR20150042809A (en) 2012-08-09 2013-07-29 Variable capacitance element, packaged circuit, resonant circuit, communication apparatus, communication system, wireless charging system, power supply apparatus, and electronic apparatus
TW102127696A TWI581286B (en) 2012-08-09 2013-08-02 Capacitance components, fabricated circuits, resonant circuits, communication devices, communication systems, wireless charging systems, power supply units, and electronic devices

Applications Claiming Priority (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
JP2012176665A JP6076645B2 (en) 2012-08-09 2012-08-09 Variable capacitance element, mounting circuit, resonance circuit, communication device, communication system, wireless charging system, power supply device, and electronic device

Publications (2)

Publication Number Publication Date
JP2014036120A true JP2014036120A (en) 2014-02-24
JP6076645B2 JP6076645B2 (en) 2017-02-08

Family

ID=50067949

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
JP2012176665A Active JP6076645B2 (en) 2012-08-09 2012-08-09 Variable capacitance element, mounting circuit, resonance circuit, communication device, communication system, wireless charging system, power supply device, and electronic device

Country Status (6)

Country Link
US (1) US10199173B2 (en)
JP (1) JP6076645B2 (en)
KR (1) KR20150042809A (en)
CN (1) CN104520951B (en)
TW (1) TWI581286B (en)
WO (1) WO2014024716A1 (en)

Cited By (4)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
WO2015151786A1 (en) * 2014-04-03 2015-10-08 株式会社村田製作所 Variable capacitance device and production method therefor
JP2016040906A (en) * 2014-08-12 2016-03-24 太陽誘電株式会社 Variable capacitance device and antenna device
JP2017098343A (en) * 2015-11-19 2017-06-01 太陽誘電株式会社 Variable capacity device and antenna circuit
CN109390153A (en) * 2018-10-18 2019-02-26 北京北广科技股份有限公司 A kind of high speed variable capacitor based on digital circuit driving

Families Citing this family (8)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
FR3018016A1 (en) * 2014-02-26 2015-08-28 St Microelectronics Tours Sas BST CAPACITOR
US10243389B2 (en) * 2015-03-27 2019-03-26 Goodrich Corporation Systems and methods for near resonant wireless power and data transfer
CN108141152B (en) * 2015-09-04 2021-09-07 皇家飞利浦有限公司 Power generation device and generation method
JP7039471B2 (en) * 2016-07-29 2022-03-22 ソニーセミコンダクタソリューションズ株式会社 Power receiving device and electronic equipment
CN110168682A (en) * 2017-12-15 2019-08-23 深圳市汇顶科技股份有限公司 The production method and capacitor of capacitor
CN113924733B (en) * 2019-05-28 2023-07-18 拉碧斯半导体株式会社 Notification response circuit
DE102020114501A1 (en) * 2020-05-29 2021-12-02 Infineon Technologies Ag Capacitive coupling device, capacitive coupling system and method for operating a capacitive coupling device
JP7350186B2 (en) * 2020-08-25 2023-09-25 パナソニックホールディングス株式会社 wiring equipment

Citations (4)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPS4843539U (en) * 1971-09-25 1973-06-06
JP2009142043A (en) * 2007-12-05 2009-06-25 Sony Corp Power control device and electronic apparatus equipped with same
JP2011119482A (en) * 2009-12-03 2011-06-16 Sony Corp Variable capacitance device
JP2012060030A (en) * 2010-09-10 2012-03-22 Sony Corp Electrostatic capacitive element, method of manufacturing electrostatic capacitive element, and resonance circuit

Family Cites Families (5)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
CN86105213A (en) * 1986-08-24 1987-02-11 河南省科学院地理研究所 Impedance component and special switch thereof with the binary ciruit modulation
JP4210867B2 (en) * 2006-12-27 2009-01-21 ソニー株式会社 Variable capacitance circuit
JP2010258402A (en) 2008-09-26 2010-11-11 Sony Corp Capacitance element and resonance circuit
US9041491B2 (en) * 2009-07-28 2015-05-26 Dexerials Corporation Capacitive device and resonance circuit
KR101842308B1 (en) * 2010-10-29 2018-03-26 퀄컴 인코포레이티드 Wireless energy transfer via coupled parasitic resonators

Patent Citations (4)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPS4843539U (en) * 1971-09-25 1973-06-06
JP2009142043A (en) * 2007-12-05 2009-06-25 Sony Corp Power control device and electronic apparatus equipped with same
JP2011119482A (en) * 2009-12-03 2011-06-16 Sony Corp Variable capacitance device
JP2012060030A (en) * 2010-09-10 2012-03-22 Sony Corp Electrostatic capacitive element, method of manufacturing electrostatic capacitive element, and resonance circuit

Cited By (7)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
WO2015151786A1 (en) * 2014-04-03 2015-10-08 株式会社村田製作所 Variable capacitance device and production method therefor
US9704847B2 (en) 2014-04-03 2017-07-11 Murata Manufacturing Co., Ltd. Variable capacitance device
US9991251B2 (en) 2014-04-03 2018-06-05 Murata Manufacturing Co., Ltd. Semiconductor device
JP2016040906A (en) * 2014-08-12 2016-03-24 太陽誘電株式会社 Variable capacitance device and antenna device
JP2017098343A (en) * 2015-11-19 2017-06-01 太陽誘電株式会社 Variable capacity device and antenna circuit
CN109390153A (en) * 2018-10-18 2019-02-26 北京北广科技股份有限公司 A kind of high speed variable capacitor based on digital circuit driving
CN109390153B (en) * 2018-10-18 2022-01-07 北京北方华创微电子装备有限公司 High-speed variable capacitor based on digital circuit driving

Also Published As

Publication number Publication date
WO2014024716A1 (en) 2014-02-13
US10199173B2 (en) 2019-02-05
TWI581286B (en) 2017-05-01
JP6076645B2 (en) 2017-02-08
TW201407649A (en) 2014-02-16
CN104520951B (en) 2017-09-26
CN104520951A (en) 2015-04-15
US20150243442A1 (en) 2015-08-27
KR20150042809A (en) 2015-04-21

Similar Documents

Publication Publication Date Title
JP6076645B2 (en) Variable capacitance element, mounting circuit, resonance circuit, communication device, communication system, wireless charging system, power supply device, and electronic device
JP5799751B2 (en) Voltage generation circuit, resonance circuit, communication device, communication system, wireless charging system, power supply device, and electronic device
JP5839629B1 (en) Non-contact communication device, antenna circuit, antenna drive device, non-contact power supply device, tuning method, discovery method, and program for realizing these methods
US9071126B2 (en) Wireless power transmission device
USRE46938E1 (en) Inductive data communication
JP5640655B2 (en) Portable communication device, reader / writer device, and resonance frequency adjusting method
CN105393466B (en) Variable capacitance circuit, variable capacitance element and with its resonance circuit, communicator
US10797521B2 (en) Control circuit and control method for wireless power transmission device
CN104167824A (en) Detection apparatus, power supply system, and method of controlling detection apparatus
JP6390812B2 (en) Circuit switching device and switch drive circuit
JP2008533840A (en) Radio frequency inductive capacitive filter circuit topology
US9948146B2 (en) Variable capacitance circuit, variable capacitance device, resonant circuit, amplifying circuit, and electronic apparatus
JP2008259269A (en) Controller
JP5996753B2 (en) Discovery method and program thereof
JP5808849B1 (en) Control method, contactless communication device, contactless power supply device, program, and drive circuit
JP6347162B2 (en) Semiconductor device and method for controlling semiconductor device

Legal Events

Date Code Title Description
A621 Written request for application examination

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A621

Effective date: 20150806

A131 Notification of reasons for refusal

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A131

Effective date: 20161011

A521 Request for written amendment filed

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A523

Effective date: 20161209

TRDD Decision of grant or rejection written
A01 Written decision to grant a patent or to grant a registration (utility model)

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A01

Effective date: 20161220

A61 First payment of annual fees (during grant procedure)

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A61

Effective date: 20170111

R150 Certificate of patent or registration of utility model

Ref document number: 6076645

Country of ref document: JP

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R150

R250 Receipt of annual fees

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250

R250 Receipt of annual fees

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250

R250 Receipt of annual fees

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250

R250 Receipt of annual fees

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250

R250 Receipt of annual fees

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250