JP2014033154A - ウエーハの加工方法 - Google Patents
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Abstract
【解決手段】半導体基板の表面にデバイスが形成され、各デバイスに対応して半導体基板内にVia電極が埋設されたウエーハの加工方法であり、ウエーハ外周からウエーハの表面側の面取り部を除去する工程と、ウエーハの表面にキャリアプレートを配設する工程と、ウエーハの裏面からVia電極の深さを検出する工程と、ウエーハの内部に改質層を形成する工程と、Via電極がウエーハの裏面から露出しない程度にウエーハの裏面を研削する工程と、半導体基板をエッチングしてウエーハの裏面からVia電極を突出させる工程と、ウエーハの裏面を絶縁膜で被覆する工程と、Via電極を絶縁膜から露出させる工程と、Via電極の絶縁膜からの露出部分にバンプを配設する工程と、改質層に外力を付与して個々のデバイス分割する工程とを備えた。
【選択図】図5
Description
12 デバイス
13 表面
14 裏面
15 デバイス領域
16 外周余剰領域
17 面取り部
18 ノッチ
19 Via電極
21 バンプ
22 キャリアプレート
25 改質層
27 絶縁膜
28 段状溝
29 先端(頭)
32 切削ブレード
36 検出器
37 研削ユニット
46 加工ヘッド
Claims (1)
- 半導体基板の表面に複数のデバイスが分割予定ラインによって区画され、デバイスの電極から半導体基板の裏面に向かって埋設されたVia電極を有するデバイス領域と、該デバイス領域を囲繞する外周余剰領域に面取り部を備えたウエーハを個々のデバイスに分割するウエーハの加工方法であって、
外周余剰領域に切削ブレードを位置づけて所定の深さ切削し面取り部を除去する面取り部除去工程と、
該面取り部除去工程後に、ウエーハの表面に樹脂を介してキャリアプレートを配設するキャリアプレート配設工程と、
該キャリアプレート配設工程後に、ウエーハの裏面からVia電極の深さを検出するVia電極検出工程と、
該Via電極検出工程後に、ウエーハの裏面からウエーハに対して透過性を有する波長のレーザー光線の集光点を分割予定ラインに対応する内部に位置づけて照射し改質層を分割予定ラインに沿って形成する改質層形成工程と、
該改質層形成工程後に、Via電極が裏面に露出しない程度にウエーハの裏面を研削して薄化する裏面研削工程と、
該裏面研削工程後に、ウエーハの裏面から半導体基板をエッチングしてVia電極を突出させるエッチング工程と、
該エッチング工程後に、ウエーハの裏面を絶縁膜で被覆する絶縁膜被覆工程と、
該絶縁膜被覆工程後に、裏面から突出したVia電極を切削して絶縁膜から露出させると共にVia電極の頭を絶縁膜と同一面に仕上げる仕上げ工程と、
該仕上げ工程後に、Via電極の頭にバンプを配設するバンプ配設工程と、
該バンプ配設工程後に、ウエーハの表面からキャリアプレートを取り外しウエーハに外力を付与して分割予定ラインの内部に形成された改質層に沿って個々のデバイスに分割する分割工程と、
から、構成されるウエーハの加工方法。
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