JP2006024631A - ブラインドビアの深さ評価方法および深さ評価装置ならびに基板の研磨装置 - Google Patents
ブラインドビアの深さ評価方法および深さ評価装置ならびに基板の研磨装置 Download PDFInfo
- Publication number
- JP2006024631A JP2006024631A JP2004199441A JP2004199441A JP2006024631A JP 2006024631 A JP2006024631 A JP 2006024631A JP 2004199441 A JP2004199441 A JP 2004199441A JP 2004199441 A JP2004199441 A JP 2004199441A JP 2006024631 A JP2006024631 A JP 2006024631A
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- substrate
- blind via
- depth
- microscope
- marking
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Granted
Links
Images
Landscapes
- Length Measuring Devices By Optical Means (AREA)
Abstract
【解決手段】 基板21を透過可能な波長域の検知光Lを他方の面21b側から基板21に向けて照射し、基板21に向かって配置された顕微鏡12を通して検知光Lが基板21側で反射されることにより生じる反射光を受光手段に受光させ、顕微鏡12の焦点を、基板21の一方の面21a及び/又は他方の面21bに設けられた第1のマーキング25,26に合わせたときに受光手段を介して得られる第1の情報と、顕微鏡12の焦点を、ブラインドビア23の底部23bに設けられた第2のマーキング24に合わせたときに受光手段を介して得られる第2の情報とに基づいて、基板21の一方の面21aに開口してなるブラインドビア23の深さdを算出する。
【選択図】 図1
Description
前記基板がシリコン基板である場合、前記検知光としては赤外光を用いることが好ましい。また、前記基板がガラス基板である場合、前記検知光としては可視光を用いることが好ましい。
また、本発明は、上記のブラインドビアの深さ評価装置と、前記深さ評価装置によって評価されたブラインドビアの深さに基づいて前記基板を前記ブラインドビアが開口した側の面とは反対側の面である裏面側から研磨する研磨手段とを備えることを特徴とする基板の研磨装置を提供する。
また、基板の一方の面及び/又は他方の面に第1のマーキングを設け、検知光を第1のマーキングに反射させて生じる反射光を受光手段で受光することにより基板の一方の面及び/又は他方の面の位置を検知することができる。
このようにして、顕微鏡の焦点を第1のマーキングに合わせたときに得られる第1の情報と、顕微鏡の焦点を第2のマーキングに合わせたときに得られる第2の情報とに基づいて、ブラインドビアの深さを算出し評価することが可能となる。
ブラインドビアの底部を観察するため、基板の他方の面(裏面)から基板を透過可能な波長域の検知光を照射した場合、マーキングがないと、ブラインドビアが微細になるにつれて正確な測定が困難になる。しかしながら本発明においては、第1および第2のマーキングは、検知光に対する光学特性が基板の材料とは異なる材料からなるので、基板との識別が容易であり、正確な測定が可能になる。
本発明の研磨装置によれば、ブラインドビアの深さを考慮して基板の裏面からの研磨量を決定することができ、ブラインドビアの導電層が基板を貫通してなる貫通電極を確実に得ることができる。
図1は、本発明のブラインドビアの深さ評価方法の一例を説明する図面であり、図2は、本発明のブラインドビアの深さ評価装置の一例を示す概略構成図である。
図3は、貫通電極を有するデバイスの製造方法の一例を工程順に説明する図面である。
この基板21の一方の面21a(以下、符号21aで示される面を基板表面と言う場合がある。)には素子22が形成されている。また、この基板21には、基板表面21aから垂直方向に複数のブラインドビア23が形成されている。ブラインドビア23は、例えばドライエッチングによって形成することができる。
基板21の表面21aには、パターン配線などにより、金属配線層25を形成する。導電性材料24と素子22とは、金属配線層25を介して電気的に接続されている。
さらに、必須ではないが、基板21の他方の面である裏面21bにもマーキング26を形成しておくとよい。マーキング26は、金属配線層と同様にして導電性材料から形成してもよく、また、塗料等の塗布によって形成することもできる。
基板21の一方の面21aまたは他方の面21bに設けられる第1のマーキングの位置は、ブラインドビア23に対する位置関係を一定に決めておくことが好ましい。この場合、ステージ15等を自動制御する場合にマーキングの位置を発見しやすくなる。
これにより、図3(d)に示すように、素子22からの配線を基板21の裏面21bに取り出すことのできる貫通電極27を有するデバイス28を製造することができる。なお、基板21の裏面21bには、必要に応じて絶縁層や配線、金属バンプ等を設けることができる。
なお、図1(a)〜(c)では、対象物20は基板表面21aが図面の下側を向くように裏返されている。
例えば基板21がガラスからなるものである場合、検知光Lとしては、400nm程度以上、800nm程度以下の可視光を用いることができる。
また、基板21がシリコンからなるものである場合、検知光Lとしては、1.1μm程度以上、1.5μm程度以下の赤外光を用いることができる。
光源11から射出された検知光Lはハーフミラー12cに入射して向きを90°変え、対物レンズ12aを介して、基板21の裏面21bの側から基板21上に照射される。検知光Lが基板21側で反射されることにより生じる反射光は、対物レンズ12a及びハーフミラー12cを透過し、結像レンズ12bによって集光され、カメラ13(例えばCCDカメラ)に内蔵された撮像素子(図示略)上に結像され、この結果、撮像素子により画像信号が出力される。
制御手段16は、顕微鏡12およびステージ15の駆動手段を制御することにより、顕微鏡12と基板21との間隔を調整したりすることができる。つまり、本形態例においては、顕微鏡12と基板21との間隔を調整する間隔調整手段17が、ステージ15と制御手段16とから構成されている。
まず、図2に示すように、基板21の他方の面21bが顕微鏡12の側を向くように、対象物20をステージ15の上に裏向きに載せる。このような対象物20の操作は、図示しないロボット等を用いて自動的に行うこともできる。
顕微鏡12の焦点を基板21に形成された各マーキングに合わせるときには、マーキングの位置が顕微鏡12の光軸上にのるように、例えばステージ15を制御してX方向およびY方向の位置合わせを行う。
また、ブラインドビア23の底部23bにのみ、第2のマーキングとして好適な材料からなる層を形成してもよい。この場合、図3(c)に示すように、研磨工程でブラインドビア23を貫通させるときに、第2のマーキングの部分を除去することができる。
このとき、基板21の厚さをt、ブラインドビア23の深さをdとおくと、式(1)に示す関係が成り立つので、これによってブラインドビア23の深さdを算出することもできる。
基板21が複数のブラインドビア23を有する場合、すべてのブラインドビア23内の導電性材料24が貫通するためには、複数のブラインドビア23の深さdを測定し、最も浅いブラインドビア23の深さに基づいて基板21の研磨量を決定するのが好ましい。これにより、ブラインドビア23の深さにばらつきがある場合でも、すべてのブラインドビア23内の導電性材料24が貫通したデバイスを製造する作業が容易化される。
ブラインドビアに充填された導電性材料の底部の位置を測定するため、何も充填されていないブラインドビアの底部を観察することに比べて光学顕微鏡の焦点を合わせやすい。また、基板の裏面側からブラインドビアの底部を観察するので、径が微細で深さが深いブラインドビアにおいても、精度の高い計測が可能となる。
本形態例の深さ評価方法は、対象物をステージの上に適切な向きに載置するロボット等を設け、ステージや顕微鏡等の駆動が自動的に制御されるように設定することにより、自動化も可能であり、この場合、評価および研磨の作業に要する労力を大幅に軽減できる。
ガラスからなる基板(直径:4インチ(約10cm)、厚さ:約525μm)の一方の面から、ドライエッチングにより、深さが約300μm、直径が約80μmのブラインドビアを複数形成した。光源として波長633nmのHe−Neレーザを用い、図1に示す評価装置を用いて、ブラインドビアの深さを評価した。
このようにしてブラインドビアの深さを本発明の非破壊的な評価方法にて評価した後、基板を切断してブラインドビアを深さ方向に沿って露出させ、ブラインドビアの深さを実測した。得られた実測値を本発明による評価値と比較したところ、本発明によってブラインドビアの深さを実用的な精度で評価することが可能であることが分かった。
シリコンからなる基板(直径:4インチ(約10cm)、厚さ:約525μm)の一方の面から、ドライエッチングにより、深さが約300μm、直径が約80μmのブラインドビアを複数形成した。光源として波長1.3μmのハロゲンランプを用い、図1に示す評価装置を用いて、ブラインドビアの深さを評価した。
このようにしてブラインドビアの深さを本発明の非破壊的な評価方法にて評価した後、基板を切断してブラインドビアを深さ方向に沿って露出させ、ブラインドビアの深さを実測した。得られた実測値を本発明による評価値と比較したところ、本発明によってブラインドビアの深さを実用的な精度で評価することが可能であることが分かった。
Claims (5)
- 一方の面及び/又は他方の面に第1のマーキングを備えた基板と、該基板の一方の面に開口してなるブラインドビアと、該ブラインドビアの底部に設けられた第2のマーキングとを備える対象物において前記ブラインドビアの深さを評価する評価方法であって、
基板を透過可能な波長域の検知光を前記他方の面の側から前記基板に向けて照射し、
前記基板に向かって配置された顕微鏡を通して前記検知光が基板側で反射されることにより生じる反射光を受光手段に受光させ、
前記顕微鏡の焦点を第1のマーキングに合わせたときに前記受光手段を介して得られる第1の情報と、前記顕微鏡の焦点を第2のマーキングに合わせたときに前記受光手段を介して得られる第2の情報とに基づいて、前記ブラインドビアの深さを算出することを特徴とするブラインドビアの深さ評価方法。 - 前記基板がシリコン基板であり、前記検知光として赤外光を用いることを特徴とする請求項1に記載のブラインドビアの深さ評価方法。
- 前記基板がガラス基板であり、前記検知光として可視光を用いることを特徴とする請求項1に記載のブラインドビアの深さ評価方法。
- 一方の面及び/又は他方の面に第1のマーキングを備えた基板と、該基板の一方の面に開口してなるブラインドビアと、該ブラインドビアの底部に設けられた第2のマーキングとを備える対象物において前記ブラインドビアの深さを評価する評価装置であって、
基板を透過可能な波長域の検知光を射出する光源と、
前記基板に向かって配置された顕微鏡と、
前記検知光が基板側で反射されることにより生じる反射光を受光する受光手段と、
前記基板と前記顕微鏡との間隔を調整する間隔調整手段と、
前記顕微鏡の焦点が第1のマーキングに合わされたときに前記受光手段を介して得られる第1の情報と、前記顕微鏡の焦点が第2のマーキングに合わされたときに前記受光手段を介して得られる第2の情報とに基づいて、前記ブラインドビアの深さを算出する計算機と、
を備えることを特徴とするブラインドビアの深さ評価装置。 - 請求項4に記載のブラインドビアの深さ評価装置と、
前記深さ評価装置によって評価されたブラインドビアの深さに基づいて前記基板を前記ブラインドビアが開口した側の面とは反対側の面である裏面側から研磨する研磨手段と
を備えることを特徴とする基板の研磨装置。
Priority Applications (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP2004199441A JP4531465B2 (ja) | 2004-07-06 | 2004-07-06 | ブラインドビアの深さ評価方法および深さ評価装置ならびに基板の研磨装置 |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP2004199441A JP4531465B2 (ja) | 2004-07-06 | 2004-07-06 | ブラインドビアの深さ評価方法および深さ評価装置ならびに基板の研磨装置 |
Publications (2)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JP2006024631A true JP2006024631A (ja) | 2006-01-26 |
JP4531465B2 JP4531465B2 (ja) | 2010-08-25 |
Family
ID=35797712
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP2004199441A Expired - Fee Related JP4531465B2 (ja) | 2004-07-06 | 2004-07-06 | ブラインドビアの深さ評価方法および深さ評価装置ならびに基板の研磨装置 |
Country Status (1)
Country | Link |
---|---|
JP (1) | JP4531465B2 (ja) |
Cited By (20)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP2013053923A (ja) * | 2011-09-05 | 2013-03-21 | Lasertec Corp | 厚さ測定装置 |
JP2013098498A (ja) * | 2011-11-04 | 2013-05-20 | Tokyo Seimitsu Co Ltd | ウェーハ薄膜加工制御方法 |
JP2014033154A (ja) * | 2012-08-06 | 2014-02-20 | Disco Abrasive Syst Ltd | ウエーハの加工方法 |
JP2014033158A (ja) * | 2012-08-06 | 2014-02-20 | Disco Abrasive Syst Ltd | ウエーハの加工方法 |
JP2014033153A (ja) * | 2012-08-06 | 2014-02-20 | Disco Abrasive Syst Ltd | ウエーハの加工方法 |
JP2014033159A (ja) * | 2012-08-06 | 2014-02-20 | Disco Abrasive Syst Ltd | ウエーハの加工方法 |
JP2014033152A (ja) * | 2012-08-06 | 2014-02-20 | Disco Abrasive Syst Ltd | ウエーハの加工方法 |
JP2014033155A (ja) * | 2012-08-06 | 2014-02-20 | Disco Abrasive Syst Ltd | ウエーハの加工方法 |
JP2014033161A (ja) * | 2012-08-06 | 2014-02-20 | Disco Abrasive Syst Ltd | ウエーハの加工方法 |
JP2014041885A (ja) * | 2012-08-21 | 2014-03-06 | Disco Abrasive Syst Ltd | ウエーハの加工方法 |
JP2014044999A (ja) * | 2012-08-24 | 2014-03-13 | Disco Abrasive Syst Ltd | ウェーハの加工方法 |
JP2014053356A (ja) * | 2012-09-05 | 2014-03-20 | Disco Abrasive Syst Ltd | ウエーハの加工方法 |
JP2014053349A (ja) * | 2012-09-05 | 2014-03-20 | Disco Abrasive Syst Ltd | ウエーハの加工方法 |
JP2014053354A (ja) * | 2012-09-05 | 2014-03-20 | Disco Abrasive Syst Ltd | ウエーハの加工方法 |
JP2014053357A (ja) * | 2012-09-05 | 2014-03-20 | Disco Abrasive Syst Ltd | ウエーハの加工方法 |
JP2014053355A (ja) * | 2012-09-05 | 2014-03-20 | Disco Abrasive Syst Ltd | ウエーハの加工方法 |
JP2014053350A (ja) * | 2012-09-05 | 2014-03-20 | Disco Abrasive Syst Ltd | ウエーハの加工方法 |
JP2014053348A (ja) * | 2012-09-05 | 2014-03-20 | Disco Abrasive Syst Ltd | ウエーハの加工方法 |
JP2014103140A (ja) * | 2012-11-16 | 2014-06-05 | Disco Abrasive Syst Ltd | ウェーハ研削方法 |
KR20150043352A (ko) * | 2012-08-21 | 2015-04-22 | 포걀 나노떼끄 | 웨이퍼들과 같은 복수층 물체들 상에서 치수 측정을 하기 위한 방법 및 장치 |
Citations (5)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JPH0722483A (ja) * | 1993-07-05 | 1995-01-24 | Fujitsu Ltd | ビアホール検査装置 |
JP2000121330A (ja) * | 1998-10-13 | 2000-04-28 | Mitsutoyo Corp | 光学式壁面形状測定方法および測定装置 |
JP2001024337A (ja) * | 1999-07-12 | 2001-01-26 | Casio Comput Co Ltd | 多層配線基板およびその検査方法 |
JP2002176240A (ja) * | 2000-12-07 | 2002-06-21 | Shibuya Kogyo Co Ltd | ビアホール加工方法及びその装置 |
WO2004015727A2 (en) * | 2002-08-13 | 2004-02-19 | Lam Research Corporation | Method for controlling a recess etch process |
-
2004
- 2004-07-06 JP JP2004199441A patent/JP4531465B2/ja not_active Expired - Fee Related
Patent Citations (5)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JPH0722483A (ja) * | 1993-07-05 | 1995-01-24 | Fujitsu Ltd | ビアホール検査装置 |
JP2000121330A (ja) * | 1998-10-13 | 2000-04-28 | Mitsutoyo Corp | 光学式壁面形状測定方法および測定装置 |
JP2001024337A (ja) * | 1999-07-12 | 2001-01-26 | Casio Comput Co Ltd | 多層配線基板およびその検査方法 |
JP2002176240A (ja) * | 2000-12-07 | 2002-06-21 | Shibuya Kogyo Co Ltd | ビアホール加工方法及びその装置 |
WO2004015727A2 (en) * | 2002-08-13 | 2004-02-19 | Lam Research Corporation | Method for controlling a recess etch process |
Cited By (22)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP2013053923A (ja) * | 2011-09-05 | 2013-03-21 | Lasertec Corp | 厚さ測定装置 |
JP2013098498A (ja) * | 2011-11-04 | 2013-05-20 | Tokyo Seimitsu Co Ltd | ウェーハ薄膜加工制御方法 |
JP2014033152A (ja) * | 2012-08-06 | 2014-02-20 | Disco Abrasive Syst Ltd | ウエーハの加工方法 |
JP2014033158A (ja) * | 2012-08-06 | 2014-02-20 | Disco Abrasive Syst Ltd | ウエーハの加工方法 |
JP2014033153A (ja) * | 2012-08-06 | 2014-02-20 | Disco Abrasive Syst Ltd | ウエーハの加工方法 |
JP2014033159A (ja) * | 2012-08-06 | 2014-02-20 | Disco Abrasive Syst Ltd | ウエーハの加工方法 |
JP2014033155A (ja) * | 2012-08-06 | 2014-02-20 | Disco Abrasive Syst Ltd | ウエーハの加工方法 |
JP2014033161A (ja) * | 2012-08-06 | 2014-02-20 | Disco Abrasive Syst Ltd | ウエーハの加工方法 |
JP2014033154A (ja) * | 2012-08-06 | 2014-02-20 | Disco Abrasive Syst Ltd | ウエーハの加工方法 |
KR20150043352A (ko) * | 2012-08-21 | 2015-04-22 | 포걀 나노떼끄 | 웨이퍼들과 같은 복수층 물체들 상에서 치수 측정을 하기 위한 방법 및 장치 |
JP2014041885A (ja) * | 2012-08-21 | 2014-03-06 | Disco Abrasive Syst Ltd | ウエーハの加工方法 |
KR102276035B1 (ko) * | 2012-08-21 | 2021-07-12 | 유니티 세미컨덕터 | 웨이퍼들과 같은 복수층 물체들 상에서 치수 측정을 하기 위한 방법 및 장치 |
JP2015532713A (ja) * | 2012-08-21 | 2015-11-12 | フォーガル ナノテックFogale Nanotech | 多層物体例えばウェハに対する寸法測定を行うためのデバイスおよび方法 |
JP2014044999A (ja) * | 2012-08-24 | 2014-03-13 | Disco Abrasive Syst Ltd | ウェーハの加工方法 |
JP2014053357A (ja) * | 2012-09-05 | 2014-03-20 | Disco Abrasive Syst Ltd | ウエーハの加工方法 |
JP2014053355A (ja) * | 2012-09-05 | 2014-03-20 | Disco Abrasive Syst Ltd | ウエーハの加工方法 |
JP2014053350A (ja) * | 2012-09-05 | 2014-03-20 | Disco Abrasive Syst Ltd | ウエーハの加工方法 |
JP2014053348A (ja) * | 2012-09-05 | 2014-03-20 | Disco Abrasive Syst Ltd | ウエーハの加工方法 |
JP2014053354A (ja) * | 2012-09-05 | 2014-03-20 | Disco Abrasive Syst Ltd | ウエーハの加工方法 |
JP2014053349A (ja) * | 2012-09-05 | 2014-03-20 | Disco Abrasive Syst Ltd | ウエーハの加工方法 |
JP2014053356A (ja) * | 2012-09-05 | 2014-03-20 | Disco Abrasive Syst Ltd | ウエーハの加工方法 |
JP2014103140A (ja) * | 2012-11-16 | 2014-06-05 | Disco Abrasive Syst Ltd | ウェーハ研削方法 |
Also Published As
Publication number | Publication date |
---|---|
JP4531465B2 (ja) | 2010-08-25 |
Similar Documents
Publication | Publication Date | Title |
---|---|---|
JP4531465B2 (ja) | ブラインドビアの深さ評価方法および深さ評価装置ならびに基板の研磨装置 | |
KR102305900B1 (ko) | 정확한 구조물 마킹 및 마킹-보조로 구조물을 위치시키기 위한 장치 및 방법 | |
KR101993936B1 (ko) | 적외광을 이용한 스루홀 패턴 검사 방법 | |
JP6363382B2 (ja) | 膜厚測定装置及び方法 | |
TWI610762B (zh) | 加工裝置 | |
JP2009511279A (ja) | レーザ処理中の対象物リアルタイムトポグラフィートラッキング | |
JP2005526386A5 (ja) | ||
US7459699B2 (en) | Method of determining processing position in charged particle beam apparatus, and infrared microscope used in the method | |
US20180283957A1 (en) | Apparatus and method to measure temperature of 3d semiconductor structures via laser diffraction | |
JP5459944B2 (ja) | 表面形状測定装置および応力測定装置、並びに、表面形状測定方法および応力測定方法 | |
JP2010145230A (ja) | チャックテーブルに保持された被加工物の高さ位置計測装置 | |
JP5273644B2 (ja) | 膜厚測定装置及び膜厚測定方法 | |
JP4884063B2 (ja) | 深さ測定装置 | |
US20140226894A1 (en) | Measuring form changes of a substrate | |
TW201944026A (zh) | 雷射加工裝置、雷射加工系統及雷射加工方法 | |
TW202146140A (zh) | 促進雷射加工工件的導引檢測之雷射加工設備以及其操作之方法 | |
JP4892294B2 (ja) | 微小穴の深さ測定方法 | |
JP2007229786A (ja) | レーザ加工装置及び焦点合わせ制御方法 | |
JP2008102014A (ja) | 表面形状測定装置及び表面形状測定方法 | |
TWI545315B (zh) | 由摻鈦石英玻璃製造極紫外線平版印刷所用鏡基板胚件之方法,以及胚件缺陷之定位系統 | |
JP2006343100A (ja) | 半導体装置の不良箇所観察のためのシリコン基板加工方法及び不良箇所特定方法 | |
JP5477976B2 (ja) | 厚さ測定装置 | |
KR100942236B1 (ko) | 판유리 두께의 측정오차 보정방법 | |
JP2003207318A (ja) | ドリル断面形状の測定装置とその方法 | |
KR20090007172A (ko) | 판유리 두께측정장치 |
Legal Events
Date | Code | Title | Description |
---|---|---|---|
A621 | Written request for application examination |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A621 Effective date: 20070529 |
|
A977 | Report on retrieval |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A971007 Effective date: 20090428 |
|
A131 | Notification of reasons for refusal |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A131 Effective date: 20090507 |
|
A521 | Request for written amendment filed |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A523 Effective date: 20090706 |
|
A131 | Notification of reasons for refusal |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A131 Effective date: 20100323 |
|
A521 | Request for written amendment filed |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A523 Effective date: 20100514 |
|
TRDD | Decision of grant or rejection written | ||
A01 | Written decision to grant a patent or to grant a registration (utility model) |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A01 Effective date: 20100601 |
|
A01 | Written decision to grant a patent or to grant a registration (utility model) |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A01 |
|
A61 | First payment of annual fees (during grant procedure) |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A61 Effective date: 20100609 |
|
FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20130618 Year of fee payment: 3 |
|
R250 | Receipt of annual fees |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250 |
|
R250 | Receipt of annual fees |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250 |
|
R250 | Receipt of annual fees |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250 |
|
R250 | Receipt of annual fees |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250 |
|
LAPS | Cancellation because of no payment of annual fees |