CN114141707A - 晶片的加工方法 - Google Patents

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Abstract

本发明提供晶片的加工方法，是从晶片形成期望厚度的芯片的新的晶片的加工方法。晶片的加工方法包含如下的步骤：槽形成步骤，沿着分割预定线从晶片的正面形成深度为期望的芯片的厚度以上的槽；分离起点形成步骤，将对于晶片具有透过性的波长的激光束的聚光点从晶片的背面定位于相当于要生成的芯片的厚度的深度，一边使聚光点与晶片相对地移动一边照射激光束，形成改质层和从改质层伸长的裂纹，从而形成与正面平行的分离起点；以及芯片剥离步骤，利用分离起点将芯片从晶片剥离。

Description

晶片的加工方法
技术领域
本发明涉及从晶片形成芯片的晶片的加工方法。
背景技术
公知有通过对晶片进行磨削和切断而从晶片形成芯片的方法(例如，参照专利文献1)。
专利文献1：日本特开2008-218599号公报
但是，期望从晶片形成期望厚度的芯片的新方法。
发明内容
因此，本发明的目的在于，提供从晶片形成期望厚度的芯片的新的晶片的加工方法。
根据本发明，提供一种晶片的加工方法，从晶片形成芯片，该晶片具有沿第1方向和与该第1方向交叉的第2方向形成的多条分割预定线和由该分割预定线划分出的多个芯片区域，其特征在于，该晶片的加工方法具有如下的步骤：槽形成步骤，沿着该分割预定线从该晶片的正面形成深度为期望的芯片的厚度以上的槽；分离起点形成步骤，将对于该晶片具有透过性的波长的激光束的聚光点从该晶片的背面定位于相当于要生成的芯片的厚度的深度，一边使该聚光点与该晶片相对地移动一边照射该激光束，形成改质层和从该改质层伸长的裂纹，从而形成与正面平行的分离起点；以及芯片剥离步骤，利用该分离起点将芯片从该晶片剥离。
优选的是，在该分离起点形成步骤中，按照每个该芯片区域将该激光束定位于与至少两种以上的不同的芯片厚度对应的深度而进行照射，在该槽形成步骤中，在要形成该槽的该芯片区域中形成深度为期望的芯片厚度以上的槽，在该芯片剥离步骤中，按照每个该芯片区域形成至少两种以上的不同厚度的芯片。
优选的是，在各个该芯片区域中形成有器件，在判定为该器件为次品的该芯片区域中，实施该槽形成步骤、该分离起点形成步骤以及该芯片剥离步骤。
本发明能够提供从晶片形成期望厚度的芯片的新的晶片的加工方法。
附图说明
图1是示出第1实施方式的晶片的加工方法的处理顺序的一例的流程图。
图2是示出作为图1的晶片的加工方法的加工对象的晶片的一例的立体图。
图3是示出图1的分离起点形成步骤的剖视图。
图4是示出图1的分离起点形成步骤的俯视图。
图5是示出图1的槽形成步骤的第1例的剖视图。
图6是示出图1的槽形成步骤的第1例的俯视图。
图7是示出图1的槽形成步骤的第2例的剖视图。
图8是示出图1的芯片剥离步骤的剖视图。
图9是示出第1变形例的晶片的加工方法的槽形成步骤的第1例的剖视图。
图10是示出第1变形例的晶片的加工方法的槽形成步骤的第1例的俯视图。
图11是示出第1变形例的晶片的加工方法的槽形成步骤的第2例的剖视图。
图12是示出第1变形例的晶片的加工方法的分离起点形成步骤的剖视图。
图13是示出第1变形例的晶片的加工方法的分离起点形成步骤的俯视图。
图14是示出第2实施方式的晶片的加工方法的分离起点形成步骤的剖视图。
图15是示出第2实施方式的晶片的加工方法的分离起点形成步骤的俯视图。
图16是示出第2实施方式的晶片的加工方法的槽形成步骤的第1例的剖视图。
图17是示出第2实施方式的晶片的加工方法的槽形成步骤的第1例的俯视图。
图18是示出第2实施方式的晶片的加工方法的槽形成步骤的第2例的剖视图。
图19是示出第2实施方式的晶片的加工方法的芯片剥离步骤的剖视图。
图20是示出第3实施方式的晶片的加工方法的处理顺序的一例的流程图。
图21是示出图20的分离起点形成步骤的剖视图。
图22是示出图20的分离起点形成步骤的俯视图。
图23是示出图20的槽形成步骤的第1例的剖视图。
图24是示出图20的槽形成步骤的第1例的俯视图。
图25是示出图20的槽形成步骤的第2例的剖视图。
图26是示出图20的芯片剥离步骤的剖视图。
图27是示出图20的芯片剥离步骤的俯视图。
图28是示出图20的粘接剂填充步骤的剖视图。
图29是示出图20的粘接剂填充步骤的俯视图。
图30是示出图20的芯片固定步骤的剖视图。
图31是示出图20的芯片固定步骤的俯视图。
标号说明
12：激光束；13：聚光点；100：晶片；101：正面；102：分割预定线；103：芯片区域；104：背面；130、130-1、130-2：厚度；131：改质层；132：裂纹；135：分离起点；140、150：深度；141：切削槽；151：激光加工槽；160、160-1、160-2、165：芯片。
具体实施方式
以下，参照附图对本发明的实施方式进行详细说明。本发明并不限定于以下的实施方式所记载的内容。另外，在以下所记载的结构要素中包含有本领域技术人员能够容易想到的、实质上相同的结构要素。此外，以下所记载的结构能够适当组合。另外，能够在不脱离本发明的主旨的范围内进行结构的各种省略、置换或者变更。
〔第1实施方式〕
根据附图对本发明的第1实施方式的晶片的加工方法进行说明。如图1所示，第1实施方式的晶片的加工方法具有分离起点形成步骤1001、槽形成步骤1002以及芯片剥离步骤1003。
作为第1实施方式的晶片的加工方法的加工对象的晶片100例如是以硅、蓝宝石、碳化硅(SiC)、砷化镓等为母材的圆板状的半导体晶片或光器件晶片等。如图2所示，晶片100在平坦的正面101上具有：沿着第1方向和与第1方向交叉的第2方向分别形成的多条分割预定线102；以及由多条分割预定线102划分的芯片区域103。在第1实施方式中，晶片100按照每个芯片区域103形成有芯片160(器件，参照图8)。在第1实施方式中，晶片100的第1方向与第2方向相互垂直，多条分割预定线102形成为格子状，但在本发明中并不限定于此。
在第1实施方式中，对晶片100按照各步骤，如图2的标号110和标号120各自的箭头所示，在正面101或正面101的相反侧的背面104上粘贴粘接带105，在粘接带105的外缘部安装环状的框架106而实施各步骤的处理，但在本发明中并不限于此。
如图3所示，分离起点形成步骤1001是如下的步骤：将对于晶片100具有透过性的波长的激光束12的聚光点13从晶片100的背面104定位于相当于要生成的芯片160(参照图8)的厚度130的深度，一边使聚光点13与晶片100相对地移动一边照射激光束12，如图3和图4所示，在该深度形成改质层131和从改质层131伸长的裂纹132，从而形成与正面101平行的分离起点135。
在分离起点形成步骤1001中，首先，在晶片100的正面101上粘贴粘接带105。在分离起点形成步骤1001中，接着，如图3所示，通过激光加工装置10的保持工作台15，利用保持面16隔着粘接带105对晶片100的正面101侧进行保持。这里，在第1实施方式中，保持工作台15例如具有：圆盘状的框体，其形成有凹部；以及圆盘形状的吸附部，其嵌入于凹部内，由具有大量的孔的多孔陶瓷等形成，吸附部的上表面是利用从未图示的吸引源导入的负压对晶片100进行吸引保持的保持面16。
在分离起点形成步骤1001中，接着，如图3所示，例如通过未图示的升降移动单元和未图示的聚光单元等，将从激光加工装置10的激光振荡器11射出的激光束12的聚光点13的铅垂方向的位置定位于比晶片100的正面101高芯片160(参照图8)的厚度130的量的位置，其中，该升降移动单元使激光振荡器11或保持工作台15沿着铅垂方向升降移动，该聚光单元设置在使激光束12的焦点位置沿着铅垂方向升降移动的激光振荡器11内。另外，在从晶片100的背面104照射激光束12的第1实施方式中，比晶片100的正面101高芯片160的厚度130的量的位置与相当于芯片160的厚度130的深度对应。
在分离起点形成步骤1001中，然后，如图3所示，例如通过使激光振荡器11或保持工作台15沿着与正面101平行的方向移动的未图示的移动单元，一边使聚光点13与晶片100沿着与正面101平行的规定的方向(图4的纸面的上下方向)相对地移动，一边将激光束12从晶片100的背面104侧朝向晶片100连续地垂直照射，由此在比晶片100的正面101高芯片160(参照图8)的厚度130的量的位置呈沿该规定的方向延伸的直线状地形成改质层131。在分离起点形成步骤1001中，例如通过激光加工装置10的激光振荡器11向晶片100照射脉冲状的激光束12。
通过分离起点形成步骤1001形成的改质层131是使晶片100的母材在激光束12的聚光点13处成为非晶(amorphous)状态的层，在与正面101平行的方向上作用有残余应力。在分离起点形成步骤1001中，通过该残余应力，如图3和图4所示，形成从改质层131沿与该规定的方向交叉的方向伸长的裂纹132。通过分离起点形成步骤1001形成的改质层131和裂纹132均成为在后述的芯片剥离步骤1003中进行剥离处理时的分离起点135。
在分离起点形成步骤1001中，如图4所示，将多个直线状的改质层131以与裂纹132的从改质层131起的有效伸长长度对应的间隔(在第1实施方式中为有效伸长长度的大约2倍(1.9倍以上且2.1倍以下)的间隔)相互平行地形成，以不产生较大的间隔或偏重的方式充分且均匀地形成与正面101平行的分离起点135。在分离起点形成步骤1001中，在第1实施方式中，例如以大约10μm的间隔形成改质层131，裂纹132的从改质层131起的有效伸长长度为大约5μm。这里，裂纹132的从改质层131起的有效伸长长度是作为分离起点135而充分且有效地发挥功能的裂纹132的从改质层131起的长度。在分离起点形成步骤1001中，在第1实施方式中，按照图3和图4所示的箭头的方向，向晶片100的整个面照射激光束12而形成改质层131和裂纹132，但在本发明中并不限定于此，也可以仅在相当于芯片区域103的区域形成改质层131和裂纹132。另外，实际上，虽然在分离起点形成步骤1001中还形成有多个改质层131，但在图4和图6中省略而仅记载了一部分改质层131。
槽形成步骤1002是沿着分割预定线102从正面101形成深度为期望的芯片160(参照图8)的厚度130以上的槽的步骤。槽形成步骤1002是形成深度为晶片100的厚度以下的槽的所谓的半切割。
在槽形成步骤1002中，首先，将粘贴在分离起点形成步骤1001的处理后的晶片100的正面101上的粘接带105剥离，在晶片100的背面104上粘贴粘接带105。在槽形成步骤1002中，接着，在第1例中，如图5所示，通过切削加工装置20的保持工作台25，利用保持面26隔着粘接带105对晶片100的背面104侧进行保持，在第2例中，如图7所示，通过激光加工装置30的保持工作台35，利用保持面36隔着粘接带105对晶片100的背面104侧进行保持。保持工作台25、35均具有与保持工作台15相同的构造。
之后，在槽形成步骤1002的第1例中，如图5所示，一边使切削加工装置20的切削刀具21进行旋转一边从晶片100的正面101切入至厚度130以上的深度140，例如通过使切削刀具21或保持工作台25沿着与正面101平行的方向移动的未图示的移动单元使切削刀具21与晶片100沿着分割预定线102相对地移动，由此对晶片100进行切削加工，沿着分割预定线102形成深度140的切削槽141。在槽形成步骤1002的第1例中，对每条分割预定线102进行切削加工，如图6所示，沿着所有分割预定线102形成深度140的切削槽141。另外，实际上，如图6所示，通过分离起点形成步骤1001形成的改质层131按照比通过槽形成步骤1002的第1例而形成的切削槽141间隔窄的方式密集地形成。
另外，在槽形成步骤1002的第2例中，如图7所示，一边利用激光加工装置30的激光振荡器31射出对于晶片100具有吸收性的波长的激光束32并向晶片100照射，一边例如通过使激光振荡器31或保持工作台35沿着与正面101平行的方向移动的未图示的移动单元使激光束32与晶片100沿着分割预定线102相对地移动，由此利用激光束32对晶片100进行使晶片100升华或蒸发的所谓的烧蚀加工，沿着分割预定线102形成厚度130以上的深度150的激光加工槽151。在槽形成步骤1002的第2例中，例如通过激光加工装置30的激光振荡器31向晶片100照射脉冲状的激光束32。在槽形成步骤1002的第2例中，与槽形成步骤1002的第1例相同，沿着所有分割预定线102形成深度150的激光加工槽151。
如图8所示，芯片剥离步骤1003是利用通过分离起点形成步骤1001而形成的分离起点135将芯片160从晶片100剥离的步骤。在图8所示的例子中，示出了在槽形成步骤1002的第1例之后实施的情况下的芯片剥离步骤1003，但在槽形成步骤1002的第2例之后实施的情况下也是同样的。
在芯片剥离步骤1003中，首先，如图8所示，通过芯片剥离装置40的保持工作台45，利用保持面46隔着粘接带105对晶片100的背面104侧进行保持。保持工作台45具有与保持工作台15相同的构造。
在芯片剥离步骤1003中，接着，在使芯片剥离装置40的设置于超声波变幅器41的下端的吸附片43与晶片100的芯片区域103的正面101侧接触之后，利用超声波振荡器42对超声波变幅器41赋予超声波而使超声波变幅器41进行超声波振动，利用进行了超声波振动的超声波变幅器41隔着吸附片43而对晶片100的芯片区域103赋予超声波振动，由此破坏该芯片区域103的分离起点135，将形成于该芯片区域103的芯片160从晶片100剥离。
在芯片剥离步骤1003中，利用吸附片43从上方对从该晶片100剥离的芯片160进行吸附保持而进行拾取，得到单片化的芯片160。这里，在第1实施方式中，对吸附片43例如从未图示的吸引源向下表面导入负压，吸附片43利用负压从上方对芯片160进行吸附保持。在芯片剥离步骤1003中，在第1实施方式中，按照每个芯片区域103进行芯片160的剥离和拾取，将形成于晶片100的所有芯片160单片化而得到。另外，在芯片剥离步骤1003中，在能够仅通过基于吸附片43的吸附来剥离芯片160的情况下，也可以通过不具有超声波振荡器42的芯片剥离装置40来实施。
在具有以上那样的结构的第1实施方式的晶片的加工方法中，在分离起点形成步骤1001中，沿着芯片160的底面将对于晶片100具有透过性的波长的激光束12的聚光点13定位于相当于芯片160的期望的厚度130的深度，照射激光束12而形成分离起点135，在槽形成步骤1002中，沿着分割预定线102形成槽(在第1例中为切削槽141，在第2例中为激光加工槽151)，在芯片剥离步骤1003中，以分离起点135为起点将芯片160从晶片100剥离。因此，第1实施方式的晶片的加工方法起到如下的作用效果：通过变更对于晶片100具有透过性的波长的激光束12的聚光点13的定位高度，能够从晶片100形成期望的厚度130的芯片160。另外，在第1实施方式的晶片的加工方法中，在芯片160的整个底面上形成与分离起点135相连的分离层，该分离起点135在与晶片100的正面101平行的面方向上由改质层131和从改质层131延伸的裂纹132构成，因此能够良好地剥离芯片160。
另外，在第1实施方式的晶片的加工方法中，在分离起点形成步骤1001中，从晶片100的与形成有芯片160的正面101相反的一侧即背面104侧照射对于晶片100具有透过性的波长的激光束12而形成分离起点135。因此，在第1实施方式的晶片的加工方法中，在正面101上形成有器件(芯片160)的情况下，不会阻碍激光束12，能够良好地形成分离起点135。另外，在第1实施方式的晶片的加工方法中，在正面101上形成有器件(芯片160)的情况下，能够降低芯片160从为了形成分离起点135而照射的激光束12受到损伤的影响。
另外，在第1实施方式的晶片的加工方法中，能够不使用磨削装置而形成期望的厚度的芯片160。此外，在第1实施方式的晶片的加工方法中，在利用激光加工装置30进行了槽形成步骤1002的情况下，能够仅通过激光加工装置10、30形成期望的厚度的芯片161，通过将激光加工装置10、30设为相同的装置，能够实现装置的设置面积的缩小和生产所花费的成本的降低。另外，以往在剥离芯片时需要使粘接带的粘接力降低的步骤，但在第1实施方式的晶片的加工方法中，由于以形成于晶片100的内部的分离起点135为起点将芯片160剥离，因此不需要使粘接带105的粘接力降低的步骤。另外，在第1实施方式的晶片的加工方法中，在通过分离起点形成步骤1001从晶片100的背面104侧进行了激光束12的照射之后，从晶片100的正面101侧连续地实施槽形成步骤1002和芯片剥离步骤1003，因此与后述的第1变形例需要进行两次粘接带105的重新贴合相比，粘接带105的重新贴合仅是在分割起点形成步骤1001之后实施的1次，削减了工时。
〔第1变形例〕
根据附图对本发明的第1变形例的晶片的加工方法进行说明。图9是对第1变形例的晶片的加工方法的槽形成步骤1002的第1例进行说明的剖视图。图10是对第1变形例的晶片的加工方法的槽形成步骤1002的第1例进行说明的俯视图。图10是从正面101侧观察图9的状态的图。图11是对第1变形例的晶片的加工方法的槽形成步骤1002的第2例进行说明的剖视图。图12是对第1变形例的晶片的加工方法的分离起点形成步骤1001进行说明的剖视图。图13是对第1变形例的晶片的加工方法的分离起点形成步骤1001进行说明的俯视图。图13是从背面104侧观察图12的状态的图。在图9至图13中，对与第1实施方式相同的部分标注相同的标号而省略说明。
第1变形例的晶片的加工方法对第1实施方式的晶片的加工方法调换了分离起点形成步骤1001和槽形成步骤1002的实施顺序，其他处理与第1实施方式相同。即，在第1变形例的晶片的加工方法中，槽形成步骤1002在分离起点形成步骤1001之前实施。
第1变形例的槽形成步骤1002除了首先在晶片100的背面104上粘贴粘接带105的这一点、以及在第1例中如图9和图10所示、在第2例中如图11所示、在没有形成分离起点135的晶片100上形成槽(在第1例中为切削槽141，在第2例中为激光加工槽151)的这一点以外，与第1实施方式相同。
第1变形例的晶片的加工方法的分离起点形成步骤1001除了将粘贴在槽形成步骤1002的处理后的晶片100的背面104上的粘接带105剥离并将粘接带105粘贴在晶片100的正面101上的这一点、以及如图12和图13所示在形成有槽(在第1例中为切削槽141，在第2例中为激光加工槽151)的晶片100上形成分离起点135的这一点以外，与第1实施方式相同。在图12和图13所示的例子中，示出了在槽形成步骤1002的第1例之后实施的情况下的分离起点形成步骤1001，但在槽形成步骤1002的第2例之后实施分离起点形成步骤1001的情况下也是同样的。
第1变形例的晶片的加工方法的芯片剥离步骤1003除了在将粘贴在分离起点形成步骤1001的处理后的晶片100的正面101上的粘接带105剥离并将粘接带105粘贴在晶片100的背面104上之后实施这一点以外，与第1实施方式相同。
具有以上那样的结构的第1变形例的晶片的加工方法在第1实施方式中调换了分离起点形成步骤1001和槽形成步骤1002的实施顺序，因此起到与第1实施方式相同的作用效果。
〔第2实施方式〕
根据图14至图19对本发明的第2实施方式的晶片的加工方法进行说明。在图14至图19中，对与第1实施方式相同的部分标注相同的标号而省略说明。
如图19所示，第2实施方式的晶片的加工方法在第1实施方式中变更为从晶片100的一侧的一半的区域170生成厚度130-1的芯片160-1，从晶片100的另一侧的一半的区域180生成厚度130-2的芯片160-2，其他的处理与第1实施方式相同。在第2实施方式中，厚度130-1和厚度130-2互不相同。
第2实施方式的晶片的加工方法的分离起点形成步骤1001在第1实施方式中，按照晶片100的每个区域170、180变更定位激光束12的聚光点13的深度而变更形成分离起点135的深度，其他处理与第1实施方式相同。在第2实施方式的晶片的加工方法的分离起点形成步骤1001中，具体而言，如图14和图15所示，在区域170中，在将激光束12的聚光点13定位于相当于要生成的芯片160-1(参照图19)的厚度130-1的深度的状态下照射激光束12，在该深度形成改质层131和裂纹132而形成分离起点135，在区域180中，在将激光束12的聚光点13定位于相当于要生成的芯片160-2(参照图19)的厚度130-2的深度的状态下照射激光束12，在该深度形成改质层131和裂纹132而形成分离起点135。
第2实施方式的晶片的加工方法的槽形成步骤1002在第1实施方式中，在第1例中如图16和图17所示，在第2例中如图18所示，变更为从正面101形成深度(在第1例中为深度140，在第2例中为深度150)为期望的芯片160-1、160-2(参照图19)中的较厚的一方(在图16和图18所示的例子中为芯片160-1)的厚度130-1以上的槽(在第1例中为切削槽141，在第2例中为激光加工槽151)，其他的处理与第1实施方式相同。
另外，在第2实施方式的晶片的加工方法的槽形成步骤1002中，并不限定于上述方式，也可以在该芯片区域103中将围绕芯片区域103的槽(在第1例中为切削槽141，在第2例中为激光加工槽151)的深度(在第1例中为深度140，在第2例中为深度150)形成为期望的芯片(芯片160-1、160-2)的厚度(厚度130-1、130-2)以上。在第2实施方式的晶片的加工方法的槽形成步骤1002中，也可以在分割预定线102相邻的芯片区域103中根据期望的芯片(芯片160-1、160-2)的厚度(厚度130-1、130-2)按照每条分割预定线102变更槽(在第1例中为切削槽141，在第2例中为激光加工槽151)的深度(在第1例中为深度140，在第2例中为深度150)。
如图19所示，第2实施方式的晶片的加工方法的芯片剥离步骤1003在第1实施方式中，变更为在区域170中进行厚度130-1的芯片160-1的剥离和拾取，在区域180中进行厚度130-2的芯片160-2的剥离和拾取，其他处理与第1实施方式相同。
在第2实施方式中，针对晶片100的2个区域170、180的每一个生成2种不同的厚度130-1、130-2的芯片160-1、160-2，但在本发明中并不限定于此，例如也可以是3种以上，还可以是针对晶片100的每个芯片区域103生成至少2种不同厚度的芯片的任何方式。在该情况下，在分离起点形成步骤1001中，按照晶片100的每个芯片区域103将激光束12的聚光点13定位于与至少2种不同的芯片的厚度对应的深度来照射激光束12而形成分离起点135，在槽形成步骤1002中，按照每个芯片区域103将围绕芯片区域103的槽形成为期望的芯片的厚度以上的深度。
以往，在从1张晶片形成不同厚度的芯片的情况下，采取了针对单片化的每个芯片变更磨削厚度这样的低效的方法。但是，在具有以上那样的结构的第2实施方式的晶片的加工方法中，通过按照每个芯片区域103将形成分离起点135的深度变更为2种以上(在图14至图19的例子中为2种)，能够形成2种以上(在图14至图19的例子中为2种)不同的厚度130-1、130-2的芯片160-1、160-2。因此，第2实施方式的晶片的加工方法与以往相比，起到能够高效地从1张晶片100形成不同的厚度130-1、130-2的芯片160-1、160-2这样的作用效果。
另外，第2实施方式的晶片的加工方法也可以应用第1变形例，调换分离起点形成步骤1001和槽形成步骤1002的实施顺序。
〔第3实施方式〕
根据图20至图30对本发明的第3实施方式的晶片的加工方法进行说明。在图20至图31中，对与第1和第2实施方式相同的部分标注相同的标号而省略说明。
如图20所示，第3实施方式的晶片的加工方法具有器件判定步骤1011、分离起点形成步骤1001、槽形成步骤1002、芯片剥离步骤1003、粘接剂填充步骤1004以及芯片固定步骤1005。
器件判定步骤1011是针对形成在晶片100上的每个芯片160，检测芯片160是否为次品的步骤。这里，芯片160为次品是指芯片160不满足能够作为产品使用的品质的状态。在器件判定步骤1011中，例如，使未图示的器件检测器(探测器)的多个探针与形成于芯片160的电极接触，利用与探针电连接的未图示的测试器经由探针而向芯片160输入规定的电信号，根据从芯片160返回的电信号来检测芯片160是否为次品。在器件判定步骤1011中，在本发明中并不限定于此，也可以实施检测芯片160是否为次品的其他各种公知的检查。
第3实施方式的晶片的加工方法中，当在器件判定步骤1011中判定为所有的芯片160不是次品的情况下(在器件判定步骤1011中为“否”)，结束处理。第3实施方式的晶片的加工方法中，当在器件判定步骤1011中判定为至少1个芯片160为次品的情况下(在器件判定步骤1011中为“是”)，将判定为次品的芯片160的晶片100内的位置、芯片区域103的大小以及厚度130等信息发送至对实施第3实施方式的晶片的加工方法的各步骤的各装置(激光加工装置10、切削加工装置20、激光加工装置30及芯片剥离装置40)进行控制的未图示的控制单元，使处理进入分离起点形成步骤1001。
另外，在第3实施方式中，上述的控制单元包含计算机系统。控制单元所包含的计算机系统具有：运算处理装置，其具有CPU(Central Processing Unit：中央处理单元)那样的微处理器；存储装置，其具有ROM(Read Only Memory：只读存储器)或RAM(Random AccessMemory：随机存取存储器)那样的存储器；以及输入输出接口装置。控制单元的运算处理装置按照存储在控制单元的存储装置中的计算机程序来实施运算处理，将用于控制上述各装置的控制信号经由控制单元的输入输出接口装置而输出到上述各装置的各结构要素。
如图21和图22所示，第3实施方式的晶片的加工方法的分离起点形成步骤1001在第1实施方式中，仅在形成有通过器件判定步骤1011判定为次品的芯片160的芯片区域103中，变更为在相当于该芯片160的厚度130的深度形成分离起点135，其他处理与第1实施方式相同。
在第1例中如图23和图24所示，在第2例中如图25所示，第3实施方式的晶片的加工方法的槽形成步骤1002在第1实施方式中，仅在围绕形成有通过器件判定步骤1011判定为次品的芯片160的芯片区域103的分割预定线102的部分，变更为形成深度(在第1例中为深度140，在第2例中为深度150)为该芯片160的厚度130以上的槽(在第1例中为切削槽141，在第2例中为激光加工槽151)，其他处理与第1实施方式相同。
另外，在第3实施方式的晶片的加工方法的槽形成步骤1002的第1例中，具体而言，进行所谓的劈斩式切削，即，针对该分割预定线102的每个部分，将切削刀具21定位于该分割预定线102的部分上，一边使切削刀具21进行旋转一边使切削刀具21沿铅垂方向下降至形成深度140的切削槽141的高度而进行切削加工，然后使切削刀具21沿铅垂方向上升而退避，但在本发明中并不限定于劈斩式切削，也可以利用与第1实施方式相同的方法沿着围绕芯片区域103的分割预定线102形成深度140的切削槽141。
如图26和图27所示，第3实施方式的晶片的加工方法的芯片剥离步骤1003在第1实施方式中，变更为仅进行通过器件判定步骤1011判定为次品的芯片160的剥离和拾取，其他处理与第1实施方式相同。在第3实施方式的晶片的加工方法的芯片剥离步骤1003中，拾取通过器件判定步骤1011而判定为次品的芯片160，从而在包含形成有该芯片160的晶片100的芯片区域103和围绕该芯片区域103的分割预定线102的部分的区域中形成与芯片160的厚度130对应的深度的凹部162。
以往在将芯片沿厚度方向完全切断而剥离的情况下，需要在仅使要剥离的芯片区域的粘接带的粘接力降低之后进行剥离的过程，但在第3实施方式的芯片剥离步骤1003中，由于以形成于晶片100的内部的分离起点135为起点进行剥离，因此不需要仅使形成有想要剥离的芯片160的芯片区域103的粘接带105的粘接力降低的步骤。
如图28和图29所示，粘接剂填充步骤1004是通过粘接剂提供装置50向通过芯片剥离步骤1003而形成的凹部162提供粘接剂53而进行填充的步骤。在第3实施方式中，粘接剂53是用于固定随后通过芯片固定步骤1005而提供的芯片165(参照图30和图31)的、在空气中固化的液状的树脂，例如，优选使用包含公知的有机溶剂、表面活性剂等的粘接剂。
在粘接剂填充步骤1004中，如图28所示，通过粘接剂提供装置50的保持工作台55，利用保持面56隔着粘接带105对形成有凹部162的晶片100的背面104侧进行保持。保持工作台55具有与第1实施方式的保持工作台15相同的构造。在粘接剂填充步骤1004中，接着，将从粘接剂提供装置50的粘接剂提供源52提供的粘接剂53从喷嘴51提供到凹部162，填充至随后通过芯片固定步骤1005而提供芯片165时粘接剂53刚好不会从凹部162溢出的程度的深度。
如图30和图31所示，芯片固定步骤1005是通过芯片固定装置60将芯片165提供到在粘接剂填充步骤1004中填充于凹部162的粘接剂53上并将芯片165按压并固定于粘接剂53的步骤。另外，在第3实施方式中，芯片165是与通过芯片剥离步骤1003从晶片100剥离的芯片160相同的规格、形状以及尺寸，并且，通过与器件判定步骤1011相同的判定方法判定为不是次品(合格)。
在芯片固定步骤1005中，如图30所示，通过芯片固定装置60的保持工作台65，利用保持面66隔着粘接带105对在凹部162中填充有粘接剂53的晶片100的背面104侧进行保持。保持工作台65具有与第1实施方式的保持工作台15相同的构造。在芯片固定步骤1005中，接着，将吸附保持着芯片165的芯片固定装置60的吸附部61定位在凹部162内的粘接剂53上，在利用吸附部61将芯片165按压于粘接剂53直至芯片165的上表面与晶片100的正面101成为同一平面上的高度之后，解除芯片165的吸附保持。
另外，在芯片固定步骤1005中，以凹部162的底面为基准的芯片165的上表面的高度成为对芯片165的厚度加上粘接剂53的厚度而得到的高度，因此在之前实施的分离起点形成步骤1001中，也可以将分离起点135形成为比芯片160的厚度130深的深度。另外，也可以具有如下的步骤：在实施芯片固定步骤1005之后，将晶片100的正面101保持于粘接带105而对背面104侧进行磨削。
另外，在图21至图31所示的例子中，第3实施方式的晶片的加工方法判定为1个芯片160为次品，在形成有该判定为次品的1个芯片160的芯片区域103中实施分离起点形成步骤1001之后的各步骤的处理，但在本发明中并不限定于此，也可以判定为多个芯片160为次品，对形成有这些判定为次品的多个芯片160的每个芯片区域103实施分离起点形成步骤1001之后的各步骤的处理。
以往，在实施在将多个半导体器件的晶片彼此层叠并形成贯穿层叠的半导体器件的晶片的贯通电极而将晶片彼此连接之后，通过对层叠的晶片进行分割而形成层叠的芯片的层叠工艺(Wafer On Wafer，WOW)的情况下，如果在某个晶片上存在次品的芯片，则层叠在该次品的芯片上的芯片也无法使用。但是，在具有以上那样的结构的第3实施方式的晶片的加工方法中，选择性地挖去判定为次品的芯片160(器件)，取而代之将判定为合格的芯片165埋入在被挖去的芯片区域103中，从而能够使形成于晶片100上的所有芯片区域103的芯片160、165为判定为合格的状态，因此起到能够抑制在实施WOW工艺的情况下无法使用的芯片160的产生的作用效果。
另外，第3实施方式的晶片的加工方法也可以应用第1变形例，调换分离起点形成步骤1001和槽形成步骤1002的实施顺序。
另外，本发明并不限定于上述实施方式。即，能够在不脱离本发明的主旨的范围内进行各种变形来实施。

Claims (3)

1.一种晶片的加工方法，从晶片形成芯片，该晶片具有沿第1方向和与该第1方向交叉的第2方向形成的多条分割预定线和由该分割预定线划分的多个芯片区域，其特征在于，
该晶片的加工方法具有如下的步骤：
槽形成步骤，沿着该分割预定线从该晶片的正面形成深度为期望的芯片的厚度以上的槽；
分离起点形成步骤，将对于该晶片具有透过性的波长的激光束的聚光点从该晶片的背面定位于相当于要生成的芯片的厚度的深度，一边使该聚光点与该晶片相对地移动一边照射该激光束，形成改质层和从该改质层伸长的裂纹，从而形成与正面平行的分离起点；以及
芯片剥离步骤，利用该分离起点将芯片从该晶片剥离。
2.根据权利要求1所述的晶片的加工方法，其特征在于，
在该分离起点形成步骤中，按照每个该芯片区域将该激光束定位于与至少两种以上的不同的芯片厚度对应的深度而进行照射，
在该槽形成步骤中，在要形成该槽的该芯片区域中形成深度为期望的芯片厚度以上的槽，
在该芯片剥离步骤中，按照每个该芯片区域形成至少两种以上的不同厚度的芯片。
3.根据权利要求1所述的晶片的加工方法，其特征在于，
在各个该芯片区域中形成有器件，
在判定为该器件为次品的该芯片区域中，实施该槽形成步骤、该分离起点形成步骤以及该芯片剥离步骤。
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