JP2014032313A - 液晶素子の製造方法及び液晶素子 - Google Patents
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Abstract
【解決手段】一主面上に第1または第2の電極21,22が形成された基板31を用意する。基板31の一主面上に、第1または第2の電極21,22の少なくとも一部を覆うように高抵抗層41を形成する。高抵抗層41を加熱処理する加熱工程を行う。加熱処理された高抵抗層41の上にパッシベーション層42を形成する。
【選択図】図1
Description
表1に示す条件で、上記実施形態に係る液晶素子1を上記実施形態において説明した方法により作製した。
次に、実施例1〜3及び比較例のそれぞれにおいて作製した液晶素子に対して、液晶素子が駆動するように電圧を印加し、600秒後の駆動電圧が、1秒後の駆動電圧の±10%の範囲内である場合は「変化なし」とし、600秒後の駆動電圧が、1秒後の駆動電圧の10%よりも高いか、10%よりも低い場合に「変化あり」とした。
11…液晶層
21…第1の電極
21a1…開口部
21a…第1の電極部
21b…第2の電極部
22…第2の電極
31…第1の基板
31a…主面
32…第2の基板
32a…主面
34…隔壁部材
41…高抵抗層
42…パッシベーション層
Claims (7)
- 液晶層と、
前記液晶層に電圧を印加する第1及び第2の電極と、
前記第1及び第2の電極のうち、いずれか一方の電極と前記液晶層との間に配された高抵抗層と、
を備える液晶素子の製造方法であって、
一主面上に第1または第2の電極が形成された基板を用意する工程と、
前記基板の一主面上に、前記第1または第2の電極のうち、いずれか一方の電極の少なくとも一部を覆うように高抵抗層を形成する工程と、
前記高抵抗層を加熱処理する加熱工程と、
前記加熱処理された高抵抗層の上にパッシベーション層を形成する工程と、
を備える、液晶素子の製造方法。 - 前記加熱工程において、前記高抵抗層の電気抵抗が変化しなくなるまで前記高抵抗層の加熱を行う、請求項1に記載の液晶素子の製造方法。
- 前記高抵抗層を、酸化亜鉛、アルミニウム亜鉛酸化物、インジウムスズ酸化物、アンチモンスズ酸化物、ガリウム亜鉛酸化物、シリコン亜鉛酸化物、スズ亜鉛酸化物、ホウ素亜鉛酸化物及びゲルマニウム亜鉛酸化物のうちの少なくとも一種により構成する、請求項1または2に記載の液晶素子の製造方法。
- 前記高抵抗層を、真空蒸着法、スパッタリング法またはCVD法により形成する、請求項1〜3のいずれか一項に記載の液晶素子の製造方法。
- 前記パッシベーション層を、酸化ケイ素、酸化アルミニウム、酸化チタン、酸化タンタル、酸化ニオブ、酸化ジルコニウム及びフッ化マグネシウムのうちの少なくとも一種により構成する、請求項1〜4のいずれか一項に記載の液晶素子の製造方法。
- 前記加熱工程において、前記高抵抗層を、50℃〜400℃で0.5時間〜24時間加熱する、請求項1〜5のいずれか一項に記載の液晶素子の製造方法。
- 液晶層と、
前記液晶層に電圧を印加する第1及び第2の電極と、
前記第1及び第2の電極のうち、いずれか一方の電極と前記液晶層との間に配された高抵抗層と、
前記高抵抗層と前記液晶層との間に配されたパッシベーション層と、
を備える液晶素子であって、
前記高抵抗層は、24時間あたりの電気抵抗の変化率が20%以下である液晶素子。
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