CN113050333A - 液晶光偏转装置和制造液晶光偏转装置的方法 - Google Patents
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Abstract
一种液晶光偏转装置，包括包括第一电极的第一基板、包括第二电极的第二基板以及夹在第一基板和第二基板之间的液晶。高电阻率层设置在第一电极或第二电极中的至少一个上。高电阻率层依次被由金属氧化物形成的第一阻挡层和由金属氮化物或金属碳化物形成的第二阻挡层覆盖。
Description
技术领域
本申请涉及一种液晶光偏转装置和一种制造液晶光偏转装置的方法。
背景技术
已知充当透镜、棱镜等、通过改变液晶的排列来产生光偏转效应的液晶光偏转装置。例如，未经审查的日本专利申请公开号2011-17742公开了一种低电压驱动液晶透镜，其包括具有第一电极的第一基板、第二电极和插在第一基板和第二电极之间的液晶层。使用未经审查的日本专利申请公开号2011-17742的低电压驱动液晶透镜，当在第一电极和第二电极上施加电压时，液晶层的排列发生变化。结果，在低电压驱动液晶透镜中发生光偏转效应。因此，低电压驱动液晶透镜作为凸透镜或凹透镜作用于光。
在未经审查的日本专利申请公开号2011-17742中，通过在面向在第二电极和液晶层之间设置的透明绝缘层的液晶层的一侧上放置高电阻率层来降低液晶透镜的驱动电压。使用未经审查的日本专利申请公开号2011-17742的低电压驱动液晶透镜，存在光偏转效应(即，焦距)可因由湿气、热等造成的高电阻率层的恶化而随时间变化的风险，这是因为高电阻率层由氧化锌、氧化钛等形成。
考虑到上述情况，本公开的目标是提供液晶光偏转装置和制造能够防止或抑制光偏转效应随时间变化的液晶光偏转装置的方法。
发明内容
为了实现上述目标，本公开的第一方面中的液晶光偏转装置包括：
包括第一电极的第一基板；
包括第二电极的第二基板；以及
夹在第一基板和第二基板之间的液晶，
其中，
将高电阻率层设置在第一电极或第二电极中的至少一个上，并且
高电阻率层依次被由金属氧化物形成的第一阻挡层和由金属氮化物或金属碳化物形成的第二阻挡层覆盖。
在本公开的第二方面中的制造液晶光偏转装置的方法包括：
制备包括第一电极的第一基板和包括第二电极的第二基板；
在第一电极或第二电极中的至少一个上形成高电阻率层；
形成由金属氧化物形成的第一阻挡层以覆盖高电阻率层，使得高电阻率层的表面不从第一阻挡层暴露；以及
在第一阻挡层上形成由金属氮化物或金属碳化物形成的第二阻挡层。
应当理解，上述一般性描述和下面的详细描述都是示例性和解释性的，并不限制本公开。
因为高电阻率层依次被由金属氧化物形成的第一阻挡层和由金属氮化物或金属碳化物形成的第二阻挡层覆盖，所以可以阻止或抑制光偏转效应随时间变化。
附图说明
当结合以下附图考虑以下详细描述时，可获得对本申请的更完整的理解，
其中：
图1是示出根据实施例1的液晶光偏转装置的横截面的示意图；
图2是根据实施例1的第二基板的俯视图；
图3是示出根据实施例1的液晶光偏转装置的操作的示意图；
图4是示出制造根据实施例1的液晶光偏转装置的方法的流程图；
图5是示出根据实施例2的液晶光偏转装置的横截面的示意图；
图6是根据实施例2的第二基板的俯视图；
图7是示出根据实施例2的液晶光偏转装置的操作的示意图；
图8是示出根据修改的示例的液晶光偏转装置的横截面的示意图；
图9是示出根据修改的示例的第二基板的第二电极的图；
图10是示出根据修改的示例的第一基板的第一电极的图；
图11是示出根据修改的示例的高电阻率层的横截面图；
图12是示出根据修改的示例的第一阻挡层和第二阻挡层的横截面图；
图13是示出根据修改的示例的第三阻挡层的横截面图；
图14是示出根据实施例示例的液晶光偏转装置的横截面的示意图；
图15是示出包括在层中的材料以及实施例示例和比较示例的层的厚度的图；
图16是示出实施例示例和比较示例的高电阻率层的薄层电阻的评估结果的图；
图17是示出根据实施例示例1的焦距的评估结果的图；
图18是示出根据实施例示例2的焦距的评估结果的图；以及
图19是示出根据比较示例的焦距的评估结果的图。
具体实施方式
在下文中，参考附图描述根据实施例的液晶光偏转装置。
实施例1
参考图1到图4描述根据本实施例的液晶光偏转装置100。如图1所示，液晶光偏转装置100包括第一基板10、第二基板20和液晶30。第一基板10包括第一电极12和配向膜15。第二基板20包括第二电极22和24、绝缘层26、高电阻率层40、第一阻挡层50、第二阻挡层60和配向膜65。高电阻率层40设置在第二电极22和24上。此外，高电阻率层40依次被第一阻挡层50和第二阻挡层60覆盖。利用液晶光偏转装置100，通过液晶30的排列中的变化产生光偏转效应。由于光偏转效应，液晶光偏转装置100作为柱状透镜作用于光。液晶光偏转装置100例如安装在液晶显示面板上。液晶光偏转装置100用作柱状透镜阵列，其在平面图像和三维图像之间切换要在液晶显示器上显示的显示图像。在本公开中，为了便于理解，图1中的液晶光偏转装置100的纵向右方向(图1的朝向右侧的方向)被定义为+X方向，向上方向(图1的朝向顶部的方向)被定义为+Z方向，并且垂直于+X和+Z方向的方向(图1的朝向前面的方向)被定义为+Y方向。
第一基板10具有透明度。在本实施例中，第一基板10使可见光能够通过其中。第一基板10例如是由玻璃制成的平板基板。第一基板10和第二基板20通过密封材料70接合在一起。第一基板10和第二基板20于其间夹入液晶30。第一基板10包括第一电极12和配向膜15。
第一基板10的第一电极12在第一基板10的第一主表面10a上由铟锡氧化物(ITO)矩形地形成。第一电极12与第二电极22的梳状齿部分22a和第二电极24的梳状齿部分24a(其在下文中进一步描述)相对。第一电极12连接到未示出的控制器。
第一基板10的配向膜15设置在第一主表面10a和第一电极12上。配向膜15使液晶30在X方向上对齐。配向膜15例如是经受摩擦处理的聚酰亚胺配向膜。
第二基板20与第一基板10类似，具有透明度。在本实施例中，第二基板20使可见光能够通过其中。第二基板20例如是由玻璃制成的平板基板。第二基板20与第一基板10通过密封材料70接合在一起，从而夹入液晶30。第二基板20包括两个第二电极22和24、绝缘层26、高电阻率层40、第一阻挡层50、第二阻挡层60和配向膜65。绝缘层26、高电阻率层40、第一阻挡层50和第二阻挡层60使得可见光能够通过其中。
第二基板20的第二电极22和第二电极24在第二基板20的第一主表面20a上由ITO形成成为梳状齿。如图2所示，第二电极22和第二电极24分别具有梳状齿部分22a和梳状齿部分24a。梳状齿部分22a在+Y方向上延伸，并且梳状齿部分24a在-Y方向上延伸。梳状齿部分22a和梳状齿部分24a在X方向上交替地并且彼此平行地放置。
如图1和图2所示，第二电极22和24被绝缘层26覆盖。与第一电极12类似的第二电极22和24连接到控制器。
如图1所示，第二基板20的绝缘层26覆盖第二电极22和24。绝缘层26将第二电极22和24与高电阻率层40绝缘。绝缘层26由氧化硅(SiO2)、氮化铝(AlN)、氮化硅(SiNX)、氟化镁(MgF2)等形成。绝缘层26例如是氧化硅膜。绝缘层26的厚度例如为50nm到1000nm。
第二基板20的高电阻率层40经由绝缘层26设置在第二电极22和24上。高电阻率层40依次被第一阻挡层50和第二阻挡层60覆盖。高电阻率层40具有例如1×106Ω/sq到1×1014Ω/sq的薄层电阻值。高电阻率层40由掺杂Al的氧化锌(AZO)、氧化锌(ZnO)、铟锡(InSn)氧化物、氧化镁(MgO)等形成。高电阻率层40例如是AZO膜。例如，高电阻率层40具有20nm到500nm的厚度。
第二基板20的第一阻挡层50覆盖高电阻率层40。如图1所示，第一阻挡层50优选地不仅覆盖顶表面(在+Z侧上的表面)，而且覆盖高电阻率层40的侧表面。此外，第一阻挡层50优选地覆盖高电阻率层40，使得高电阻率层40的表面不从第一阻挡层50暴露。如下所述，第一阻挡层50在第二阻挡层60将形成的情况下保护高电阻率层40。
第一阻挡层50由金属氧化物形成。金属氧化物的示例包括氧化硅、氧化铝(AlOx)、氧化钽(TaOx)、氧化铌(NbOx)、氧化钛(TiO2)、氧化锆(ZrO2)、其混合物等。第一阻挡层50例如是氧化硅膜。例如，第一阻挡层50具有10nm到500nm的厚度。
第二基板20的第二阻挡层60覆盖第一阻挡层50和高电阻率层40。如图1所示，第二阻挡层60优选地不仅覆盖顶表面(在+Z侧上的表面)而且还覆盖第一阻挡层50的侧表面。此外，优选的是，第二阻挡层60和高电阻率层40彼此不接触。第二阻挡层60由金属氮化物或金属碳化物形成。金属氮化物和金属碳化物的示例包括氮化硅、氧氮化硅(SiON)、碳氮化硅(SiCN)、碳化硅(SiC)、其混合物等。第二阻挡层60例如是氮化硅膜。例如，第二阻挡层60具有50nm到500nm的厚度。
第二阻挡层60保护高电阻率层40不受湿气影响，因为第二阻挡层60由具有优良防潮性能的金属氮化物或金属碳化物形成，因此可以防止或抑制高电阻率层40的恶化。在本实施例中，由于第二阻挡层60能够防止或抑制高电阻率层40的恶化，因此可以防止或抑制液晶光偏转装置100的光偏转效应(焦距)随时间而改变。当直接在高电阻率层40上形成由金属氮化物或金属碳化物形成的第二阻挡层60时，存在由于在形成第二阻挡层60中产生的分解产物(例如，氢气)而改变高电阻率层40的电阻值的风险。在本实施例中，由于第一阻挡层50覆盖高电阻率层40，因此可以防止或抑制在第二阻挡层60的成膜工艺中高电阻率层40的电阻值发生变化。此外，可以提高在液晶光偏转装置100的制造中的产量。
第二基板20的配向膜65设置在第二阻挡层60上。与第一基板10的配向膜15类似的配向膜65使液晶30在X方向上对齐。配向膜65例如是经受摩擦处理的聚酰亚胺配向膜。
液晶30夹在第一基板10和第二基板20之间。液晶30例如是正型向列相液晶。液晶30通过配向膜15和配向膜65在X方向上对齐。
这里，描述了液晶光偏转装置100的操作。
例如，当控制器将第一基板10的第一电极12和第二基板20的第二电极22和24的电位被带到相同的电位(例如，接地电位)时，不向液晶30施加电压，因此液晶30保持在X方向上对齐。当液晶30保持在X方向上对齐时，不产生偏转效应，因此液晶光偏转装置100不作为透镜作用于光。
独立地控制施加在第一基板10的第一电极12和第二基板20的第二电极22上的电压以及施加在第一基板10的第一电极12和第二基板20的第二电极24上的电压使得呈二次曲线形状的电位将形成在第一基板10和第二基板20之间。如图3所示，呈二次曲线形状形成的电位使得液晶30的分子M对齐。在液晶光偏转装置100中，液晶30的排列中的这种改变产生沿呈二次曲线形状的电位的折射率分布。在液晶光偏转装置100中，沿呈二次曲线形状的电位的折射率分布产生偏转效应。通过这样做，液晶光偏转装置100作为透镜作用于光。
接下来，参照图4描述制造液晶光偏转装置100的方法。图4是示出液晶光偏转装置100的制造过程的流程图。液晶光偏转装置100的制造过程包括制备第一基板10和第二基板20的步骤(步骤S10)、形成绝缘层26的步骤(步骤S20)、形成高电阻率层40的步骤(步骤S30)、形成由金属氧化物形成的第一阻挡层50的步骤(步骤S40)，以及形成由金属氮化物或金属碳化物形成的第二阻挡层60的步骤(步骤S50)。制造液晶光偏转装置100的方法还包括形成配向膜15和配向膜65的步骤(步骤S60)，以及将第一基板10和第二基板20接合在一起并在其中注入液晶30的步骤(步骤S70)。
在步骤S10中，制备包括第一电极12的第一基板10和包括第二电极22和24的第二基板20。例如，通过使用溅射技术，第一电极12和第二电极22和24由ITO形成。
在步骤S20中，在第二基板20的第二电极22和24上形成绝缘层26。例如，通过使用溅射技术，绝缘层26由氧化硅形成。
在步骤S30中，在绝缘层26上形成高电阻率层40。通过这样做，高电阻率层40通过绝缘层26设置在第二电极22和24上。例如，通过使用溅射技术，高电阻率层40由AZO形成。
在步骤S40中，第一阻挡层50通过覆盖高电阻率层40形成使得高电阻率层40的表面不暴露。第一阻挡层50由金属氧化物形成。第一阻挡层50例如是由化学气相沉积(CVD)形成的氧化硅膜。在本实施例中，由于第一阻挡层50覆盖高电阻率层40，所以第一阻挡层50保护高电阻率层40免受在形成第二阻挡层60(步骤S50)期间产生的分解产物(例如，氢气)的影响，从而可以防止或抑制高电阻率层40的电阻值中的变化。因此，可以提高在液晶光偏转装置100的制造中的产量。
在步骤S50中，在第一阻挡层50上形成第二阻挡层60。通过这样做，高电阻率层40依次被第一阻挡层50和第二阻挡层60覆盖。第二阻挡层60由金属氮化物或金属碳化物形成。第二阻挡层60例如是由CVD形成的氮化硅膜。在本实施例中，由于第二阻挡层60覆盖高电阻率层40，所以高电阻率层40被保护不受湿气影响，因此可以防止或抑制高电阻率层40的恶化。此外，可以防止液晶光偏转装置100的光偏转效应(焦距)随时间而改变。
在步骤S60中，在第一基板10的第一电极12上形成配向膜15，并且在第二阻挡层60上形成配向膜65。在步骤S60中，首先通过将聚酰亚胺材料施加到第一电极12和/或第二阻挡层60，然后通过烧制所施加的聚酰亚胺材料来形成聚酰亚胺膜。然后，通过对聚酰亚胺薄膜进行摩擦处理来形成配向膜15和65。
在步骤S70中，第一基板10和第二基板20通过密封材料70经由未图示的间隔物接合在一起。然后，在第一基板10和第二基板20之间注入液晶30。如上所述，可以制造液晶光偏转装置100。
如上所述，由于具有优良的防潮性能的第二阻挡层60保护高电阻率层40不受湿气影响，因此可以防止或抑制高电阻率层40的恶化，并且可以防止或抑制液晶光偏转装置100的光偏转效应(焦距)随时间而改变。另外，由于第一阻挡层50覆盖高电阻率层40，因此可以防止或抑制在第二阻挡层60的成膜工艺中高电阻率层40的电阻值发生变化。此外，可以提高在液晶光偏转装置100的制造中的产量。
在只有第一阻挡层50覆盖高电阻率层40的情况下，有必要增加第一阻挡层50的厚度，以保护高电阻率层40免受湿气的影响。因此，当高电阻率层40仅被第一阻挡层50覆盖时，驱动电压升高。此外，第一阻挡层50形成所花费的时间增加。在本实施例中，由于第二阻挡层60覆盖高电阻率层40，所以第一阻挡层50的厚度可以减小。因此，第一阻挡层50形成所花费的时间可以缩短。另外，可以降低液晶光偏转装置100的驱动电压。此外，通过增加第一阻挡层50和第二阻挡层60中的一个的相对介电常数，可以容易地降低液晶光偏转装置100的驱动电压。
实施例2
在实施例1中，虽然液晶光偏转装置100作为透镜作用于光，但是液晶光偏转装置100可以作为棱镜作用于光。
使用本实施例的液晶光偏转装置100，通过液晶30的排列中的变化来产生光偏转效应。本实施例的液晶光偏转装置100作为棱镜作用于光。在本实施例中，第二基板20的第二电极22和24以及高电阻率层40的配置与实施例1的第二基板20的第二电极22和24以及高电阻率层40的配置不同。本实施例的配置的其他方面与实施例1中的配置的其他方面类似。这里，描述第二基板20的第二电极22和24以及高电阻率层40。
与实施例1的第二电极22和24类似的本实施例的第二基板20的第二电极22和24在第二基板20的第一主表面20a上由ITO形成成为梳状齿。第二电极22和第二电极24分别具有在+Y方向上延伸的梳状齿部分22a和在-Y方向上延伸的梳状齿部分24a。与实施例1的梳状齿部分22a和梳状齿部分24a类似的梳状齿部分22a和梳状齿部分24a在X方向上交替地并且彼此平行地放置。在本实施例中，梳状齿部分22a和梳状齿部分24a形成电极对28，并且一个电极对28的梳状齿部分22a邻近另一个电极对28的梳状齿部分24a放置，如图5和图6所示。在图6中，为了便于理解，省略了绝缘层26。
在本实施例中，第二基板20包括两个高电阻率层40，如图5和图6所示。高电阻率层40中的每个通过绝缘层26设置在一个电极对28(第二电极22的梳状齿部分22a和第二电极24的梳状齿部分24a)上。
接下来，描述本实施例的液晶光偏转装置100的操作。
与实施例1的液晶光偏转装置100类似，当第一基板10的第一电极12和第二基板20的第二电极22和24的电位被带到相同的电位(例如，接地电位)时，液晶30保持在X方向上对齐。当液晶30保持在X方向上对齐时，不产生偏转效应，因此液晶光偏转装置100不作为棱镜作用于光。
独立地控制施加在第一基板10的第一电极12和第二基板20的第二电极22上的电压以及施加在第一基板10的第一电极12和第二基板20的第二电极24上的电压导致一个电极对28的梳状齿部分22a和梳状齿部分24a之间的电位梯度将形成。例如，假设第一电极12为接地电位(0V)，则向第二电极22施加第一电压，并向第二电极24施加大于第一电压的第二电压。在这种情况下，在一个电极对28的梳状齿部分22a和梳状齿部分24a之间形成线性电位梯度，因为高电阻率层40经由绝缘层26设置在一个电极对28上。由于形成的线性电位梯度，所以液晶30的分子M如图7所示对齐。液晶30的排列中的这种变化产生线性折射率梯度。因此，液晶光偏转装置100折射从第一基板10或第二基板20入射的光。即，本实施例的液晶光偏转装置100作为棱镜作用于光。
如上所述，在本实施例的液晶光偏转装置100中，通过液晶30的排列中的变化产生光偏转效应。本实施例的液晶光偏转装置100作为棱镜对光起作用。此外，与实施例1中的类似，由于具有优良的防潮性能的第二阻挡层60保护高电阻率层40免受湿气的影响，因此可以防止或抑制高电阻率层40的恶化，并且可以防止或抑制液晶光偏转装置100的光偏转效应(偏转角度或折射角度)随时间变化。由于第一阻挡层50覆盖高电阻率层40，因此可以防止或抑制在第二阻挡层60的成膜工艺中高电阻率层40的电阻值发生变化。此外，可以提高在液晶光偏转装置100的制造中的产量。此外，与实施例1中的相似，第一阻挡层50形成所花费的时间可以缩短，并且可以降低液晶光偏转装置100的驱动电压。
修改的示例
在不脱离本公开的要旨的情况下，可以以各种方式修改上述实施例。
在实施例1和实施例2中，设置在第二基板20的第二电极22和24上的高电阻率层40依次被第一阻挡层50和第二阻挡层60覆盖。只要高电阻率层40设置在第一基板10的第一电极12或第二基板20的第二电极22和24中的至少一个上，并且依次被第一阻挡层50和第二阻挡层60覆盖就足够了。例如，如图8所示，设置在第一电极12上的高电阻率层40和设置在第二电极22和24上的高电阻率层40每个可以依次被第一阻挡层50和第二阻挡层60覆盖。
将设置在第一基板10和第二基板20上的电极可以是任何形状。例如，实施例1的第二基板20可以包括设置有如图9所示的开口72a的第二电极72，而不是第二电极22和24。在这种情况下，液晶光偏转装置100作为一个凸透镜或一个凹透镜作用于光。
此外，实施例1的第一基板10可以包括形如图10所示的梳状齿的两个第一电极74和76，以代替第一电极12。第一电极74和第一电极76分别包括梳状齿部分74a和梳状齿部分76a。高电阻率层40设置在第一电极74和76上。此外，高电阻率层40依次被第一阻挡层50和第二阻挡层60覆盖。在这种情况下，液晶光偏转装置100作为微透镜作用于光。此外，该液晶光偏转装置100还作为能够在两个方向上切换偏转方向的柱状透镜起作用。
如图11所示，实施例1的高电阻率层40可以划分成几个部分。在实施例2中，一个高电阻率层40可以通过绝缘层26设置在两个电极对28上。此外，如图12所示，第一阻挡层50和第二阻挡层60不必覆盖高电阻率层40的侧表面。
虽然第二电极22和24设置在第二基板20的第一主表面20a上，但是第二电极22和24可以形成在设置在第二基板20的第一主表面20a上的第三阻挡层80上，如图13所示。与第二阻挡层60类似的第三阻挡层80由金属氮化物或金属碳化物形成。通过这样做，即使第二基板20是湿气容易通过的基板(例如，塑料基板)，也可以保护高电阻率层40。
在实施例1和实施例2中，虽然配向膜15和65使得液晶30在X方向上对齐，但是配向膜15和65使得液晶30对齐的方向不限于X方向。只要实施例1和实施例2的配向膜15和65使液晶30处于均匀排列就足够了。例如，配向膜15和65可使液晶30在Y方向上对齐。
虽然上述描述了优选实施例的一些示例，但这一详细描述不是限制性的，并且本发明的范围仅由包括的权利要求以及这些权利要求有权获得的等效物的完整范围限定。
实施例示例
虽然下面的实施例示例更详细地描述了本公开，但是应以说明性意义而不是限制性意义来看待实施例示例。
作为实施例示例，创建了图14所示的实施例1的液晶光偏转装置100。在所创建的液晶光偏转装置100上进行高温和高湿度评估。具体地，将所创建的液晶光偏转装置100暴露于60℃和90％湿度的环境中，持续预定时间段，然后测量高电阻率层40的薄层电阻和液晶光偏转装置100的焦距。此外，作为比较示例，创建了液晶光偏转装置，其具有与实施例的配置类似的配置，除了不具有第一阻挡层50和第二阻挡层60之外。以与实施例示例的方式类似的方式对比较示例的液晶光偏转装置进行高温和高湿度评估。
在图15中示出了实施例示例的液晶光偏转装置100和比较示例的液晶光偏转装置的层的厚度和构成层的材料。
实施例示例1的液晶光偏转装置100和实施例示例2的液晶光偏转装置100具有包括在高电阻率层40中的AZO的不同组成比。同样地，比较示例1的液晶光偏转装置100和比较示例2的液晶光偏转装置100具有包括在高电阻率层40中的AZO的不同组成比。
此外，第二电极22的梳状齿部分22a的宽度D1被设置为10μm，并且第二电极24的梳状齿部分24a的宽度D2被设置为116.9μm。此外，梳状齿部分22a和梳状齿部分24a之间的间隔D3被设置为10μm。此外，液晶30的厚度D4被设置为20μm。
在从1Hz到1500Hz的频率处，当在第一电极12和第二电极22的梳状齿部分22上应用5V的电压以及在第一电极12和第二电极24的梳状齿部分24a上应用1.5V的电压时测量焦距。
接下来，描述了实施例示例的液晶光偏转装置100和比较示例的液晶光偏转装置100的评估结果。
图16示出了实施例示例和比较示例中高电阻率层40的薄层电阻的评估示例。如图16所示，实施例示例1和2中的液晶光偏转装置100中的高电阻率层40的薄层电阻即使在60℃和90％湿度的环境中暴露不少于2000个小时也不发生变化。相反，比较示例1和2中的液晶光偏转装置中的高电阻率层40的薄层电阻上下变化很大。因此，可以通过由金属氧化物形成的第一阻挡层50和由金属氮化物或金属碳化物形成的第二阻挡层60依次覆盖高电阻率层40来防止或抑制高电阻率层40的恶化。
图17是示出实施例示例1的液晶光偏转装置100中的焦距的评估结果的图。图18示出了实施例示例2的液晶光偏转装置100中的焦距的评估结果。此外，图19示出了比较示例1和2的液晶光偏转装置100中的焦距的评估结果。
如图17和18所示，使用实施例1和2的液晶光偏转装置100，即使在60℃和90％湿度的环境中暴露不少于2000个小时，焦距也保持基本相同。相反地，如图19所示，使用比较示例1和2的液晶光偏转装置，焦距变化不超过300μm。因此，由金属氧化物形成的第一阻挡层50和由金属氮化物或金属碳化物形成的第二阻挡层60依次覆盖高电阻率层40可以防止或抑制液晶光偏转装置100的焦距随时间变化。也就是说，这可以防止或抑制光偏转效应随时间变化。图19示出了在相同频率下可测量的焦距，因为可以测量焦距的频率随着比较示例1和2的液晶光偏转装置而改变。
如上所述，由金属氧化物形成的第一阻挡层50和由金属氮化物或金属碳化物形成的第二阻挡层60依次覆盖高电阻率层40可以防止或抑制高电阻率层40的恶化，并且可以防止或抑制液晶光偏转装置100的光偏转效应随时间变化。
为了解释的目的，前面描述了一些示例实施例。虽然前面的讨论已经呈现了具体的实施例，但是本领域技术人员将认识到，在不脱离本发明的更广泛的精神和范围的情况下，可以在形式和细节上进行改变。因此，说明书和附图将被视为说明性的而非限制性的。因此，不应在限制性意义上理解该详细描述，并且本发明的范围仅由包括的权利要求以及这些权利要求有权获得的等效物的完整范围限定。
Claims (7)
1.一种液晶光偏转装置，包括：
包括第一电极的第一基板；
包括第二电极的第二基板；以及
夹在所述第一基板和所述第二基板之间的液晶，
其中，
将高电阻率层设置在所述第一电极或所述第二电极中的至少一个上，并且
所述高电阻率层依次被由金属氧化物形成的第一阻挡层和由金属氮化物或金属碳化物形成的第二阻挡层覆盖。
2.根据权利要求1所述的液晶光偏转装置，其中，所述第二阻挡层和所述高电阻率层彼此不接触。
3.根据权利要求1或2所述的液晶光偏转装置，其中，所述第一阻挡层覆盖所述高电阻率层，使得所述高电阻率层的表面不从所述第一阻挡层暴露。
4.根据权利要求1至3中任一项所述的液晶光偏转装置，其中，将所述第一电极或所述第二电极中的至少一个设置在由金属氮化物或金属碳化物形成的第三阻挡层上。
5.根据权利要求1至4中任一项所述的液晶光偏转装置，其中，所述第一阻挡层由氧化硅、氧化铝、氧化钽、氧化铌、氧化钛或氧化锆中的至少一种形成。
6.根据权利要求1至5中任一项所述的液晶光偏转装置，其中，所述第二阻挡层由氮化硅、氧氮化硅、碳氮化硅或碳化硅中的至少一种形成。
7.一种制造液晶光偏转装置的方法，包括：
制备包括第一电极的第一基板和包括第二电极的第二基板；
在所述第一电极或所述第二电极中的至少一个上形成高电阻率层；
形成由金属氧化物形成的第一阻挡层以覆盖所述高电阻率层，使得所述高电阻率层的表面不从所述第一阻挡层暴露；以及
在所述第一阻挡层上形成由金属氮化物或金属碳化物形成的第二阻挡层。
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