JP2014030017A - 垂直に置かれた基板を電気的に接続するための方法 - Google Patents
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Abstract
【課題】機械的及び熱的影響に対して耐性を備える、接点間接続を有する基板装置及び当該装置を備えるパワー半導体モジュールを提供する。
【解決手段】本発明は、ボンディング手段(15)を第1の基板(3)の接点(7)にボンディングして、ループ(17)を形成し、第2の基板(5)の端部(14)から伸びる突出部(13)に形成した接点(11)をボンディング手段(15)に電気的に接続する工程を備える、当該接点(7)を当該接点(11)に電気的に接続する方法であって、第1の基板(3)が第2の基板(5)の下に置かれる、方法を与える。さらに、本発明は、上述の方法及び上述の装置(1)を備えるパワー半導体モジュールに従って、第1の基板(3)の接点(7)が第2の基板(5)の接点(11)に接続される、第1及び第2の基板(3、5)の装置(1)であって、これにより、第1の基板(3)が第2の基板(5)の下に置かれる、装置を与える。
【選択図】図1
【解決手段】本発明は、ボンディング手段(15)を第1の基板(3)の接点(7)にボンディングして、ループ(17)を形成し、第2の基板(5)の端部(14)から伸びる突出部(13)に形成した接点(11)をボンディング手段(15)に電気的に接続する工程を備える、当該接点(7)を当該接点(11)に電気的に接続する方法であって、第1の基板(3)が第2の基板(5)の下に置かれる、方法を与える。さらに、本発明は、上述の方法及び上述の装置(1)を備えるパワー半導体モジュールに従って、第1の基板(3)の接点(7)が第2の基板(5)の接点(11)に接続される、第1及び第2の基板(3、5)の装置(1)であって、これにより、第1の基板(3)が第2の基板(5)の下に置かれる、装置を与える。
【選択図】図1
Description
本発明は、第1の基板の接点(contact)を第2の基板の接点に電気的に接続する分野であって、これにより第1の基板が第2の基板の下に置かれる分野に関連する。
垂直方向における2つの基板の装置(arrangement)は、例えば、パワー半導体モジュールで使用される。パワー半導体モジュールは、高電圧及び高電流を切り替えるための高出力用途で使用され、複数のパワー半導体モジュールを備える。単一のパワー半導体それぞれは、最大電圧及び最大電流を有するので、パワー半導体は、しばしば、高出力用途での使用を可能にするために、パワー半導体モジュール内で並列に及び/または直列に組み合わされる。そのようなモジュールの製造を容易にするために、それらは一般に、パワー半導体が実装される複数の第1の基板を備える。第1の基板がパワー半導体モジュール内で容易に接続できるように、これらの基板は、エミッタ、コレクタ及びベースの接点が与えられる。
第1の基板は、概して、パワー半導体モジュールの筐体の一部でありうる、または、パワー半導体モジュールの筐体内に含まれうる共通台板(common base plate)上に実装される。近頃のパワー半導体モジュールでは、概して、4つまたは6つの第1の基板は、組み合わされ、それぞれは、絶縁ゲートバイポーラトランジスタ(IGBT)または逆導通絶縁ゲートバイポーラトランジスタ(RC-IGBT)のようなパワートランジスタ、パワーダイオードまたは高出力用途に適した他のパワー半導体を備える4つから6つのパワー半導体が与えられうる。例えば、第1の基板は、4つのIGBT及び2つのパワーダイオードを備えることができる。第1の基板は、パワー半導体モジュール内でメタライゼーション(metallizations)の接続を与える端子と電気的に接続されている。例えば、電気端子は、パワー半導体モジュールの電気接点と接続される。
パワー半導体モジュールは、さらに、補助的な(auxiliary)メタライゼーションに対応する端子をパワー半導体モジュールの電気接点に電気的に接続するための補助的な接続を与える第2の基板を備える。したがって、パワー半導体モジュールは、互いの上に位置する第1の基板と第2の基板の装置を備える。第1の基板から第2の基板への電気接点を与えるために、既知のパワー半導体モジュールでは、接続要素(connection element)が与えられる。接続要素、例えば、補助的なピンは、はじめに、第1の基板のそれぞれの端子にはんだ付けされ、その後、第2の基板は、接続要素上ではんだ付けされる。複数の第1の基板が1つの第2の基板に接続されるケースでは、第2の基板は、第1の基板の補助的なピンに共通にはんだ付けされる。2つの基板を接続するためのこの方法は、複雑であり、時間がかかる。さらに、パワー半導体モジュールは熱ストレス下に置かれているので、2つの基板間の信頼性のある電気接続が必要とされている。
さらに、JP 2215137は、図1及び図2において、第1の基板の接点を第2の基板の接点に電気的に接続するための既知の方法を開示している。さらに、WO 2011/087485 A2では、第1の基板と第2の基板の装置であって、これにより、第1の基板が第2の基板の下に位置し、第1の基板の接点が第2の基板の接点に接続される装置が開示されている。さらに、US 2007/0102796 A1は、補助的な接続及びボンドワイヤ(bond wire)による接続を備える基板を備えるパワー半導体モジュールを示している。
機械的影響及び熱的影響に対して増大する耐性を備える、第1の基板と第2の基板の接点間の信頼性のある電気的接続を容易かつ素早く与えることを可能にする、第1の基板の接点を第2の基板の接点と電気的に接続するための方法を与えることが本発明の目的である。さらに、製造し易く、機械的影響及び熱的影響に対して増大する耐性を備える第1の基板と第2の基板の接点間の信頼性のある電気的接続が与えられる、第1の基板と第2の基板の装置及びそのような装置を備えるパワー半導体モジュールを与えることが本発明の目的である。
この目的は、独立請求項によって達成される。好都合な実施形態は、従属請求項に加えられる。
特に、本発明は、第1の基板に第2の基板の方向を向くその接点を与えることと、第2の基板に第1の基板から離れる方向を向くその接点を与えることと、ボンディング手段(bonding means)を第1の基板の接点にボンディングすることと、ボンディング手段を第1の基板にボンディングすることでループを形成することと、第2の基板の接点をボンディング手段に電気的に接続することのステップを備える、第1の基板の接点を第2の基板の接点に電気的に接続するための方法であって、これにより第1の基板が第2の基板の下に置かれる方法を与える。
本発明は、さらに、第1の基板及び第2の基板の装置であって、これにより第1の基板が第2の基板の下に置かれ、上記方法に従い、第1の基板の接点は、第2の基板の接点に接続される装置を与える。
本発明は、さらに、そのような装置を備えるパワー半導体モジュールを与える。
発明の基本概念は、2つの基板の接点を接続するためのボンディング手段を使用することである。ボンディングワイヤまたはボンディングリボン(bonding ribbon)でありうるボンディング手段は、製造過程が容易に実行されうるように、第2の基板の上を通し、既知の方法で基板に容易に接続されうる。ボンディング手段の接続は、同じ方向で作られうる両基板の接点になされることができ、そしてそれは、2つの基板及びパワー半導体モジュールの装置の製造を容易にする。ボンディング手段で形成されるループでは、2つの基板の接続は柔軟であるので、2つの基板の相対的な動きは可能となる。したがって、2つの基板及びパワー半導体モジュールの装置の熱加工応力抵抗は、改善される。さらに、衝撃及び振動は、2つの基板の間で分断されうる。更なる好ましい例として、ボンディング手段は、第1の基板にボンディングした後、切断される。したがって、第1の基板上のボンディング手段の全長は、ボンディング処理過程の間に適用されうる。ボンディングは、共通のボンディング装置の使用により、容易に実行されうる。ボンディング手段を第1の基板にボンディングした結果ループを形成する工程は、ボンディング手段を第1の基板上の任意の適した場所にボンディングすることを含む。例えば、絶縁されたメタライゼーション、つまり、アイランド(island)は、ループ構成を可能にするボンディング手段の接続の目的のためにのみ第1の基板上に与えられうる。ボンディングは、任意の既知のボンディング技術を使用して実行されうる。
方法工程が特定の順序で並べられるかもしれないが、これは、方法工程が実行されるべき任意の順序を意味していない。工程は、以下にさらに説明されるように、異なる順序で実行されうる。例えば、ボンディング手段を第1の基板の接点にボンディングし、ボンディング手段を第1の基板にボンディングした結果ループを形成する工程は、ボンディング手段が第1の基板の接点にボンディングされるときにループが形成されるように、置き換えられうる。
発明の改良された実施形態に従うと、ボンディング手段を第1の基板の接点にボンディングし、ボンディング手段を第1の基板にボンディングした結果ループを形成する工程は、第2の基板の接点をボンディング手段に接続する工程の前に実行され、方法は、第2の基板の接点をボンディング手段に接続する工程の前に、第2の基板をループの中に挿入する更なる工程を含む。言い換えれば、はじめに、ボンディング手段は、ループが形成され、それに接続されるように第1の基板にボンディングされ、その後、第2の基板は、続く工程において、それを電気的に接続するために、ループが第2の基板の接点を通過するように、ループ内に少なくとも部分的に挿入される。したがって、ボンディング手段は、第2の基板上で第2の基板の接点に導かれうる。第2の基板の接点に対するボンディング手段の接続の前に形成されるループでは、ボンディング手段のボンディングは、容易に実施されうる。さらに、ループのどの端部がはじめに第1の基板にボンディングされるかは、問題ではない。
したがって、発明の改良された実施形態に従うと、第2の基板の接点をボンディング手段に電気的に接続する工程は、ボンディング手段を第1の基板にボンディングした結果ループを形成する工程の前に実行され、第2の基板の接点をボンディング手段に電気的に接続する工程は、ボンディング手段を第2の基板の接点にボンディングすることを含む。言い換えると、連続するボンディング過程は、2つの基板の接点を電気的に接続するために実行される。はじめに、ボンディング手段は、第1の基板にボンディングされ、その後、ボンディング手段は、第2の基板の接点にボンディングされ、ループは、ボンディング手段を第1の基板にボンディングすることにより、完成される。好ましくは、ボンディング手段は、接続強度を強くするために、第2の基板の接点にボンディングされた後に、さらに固定される。さらに、ループのどの端部がはじめに第1の基板にボンディングされるかは、問題ではない。
発明の改良された実施形態は、第2の基板に、第2の基板の端部から伸びる突出部(nose)を与える更なる工程であって、これにより、第2の基板の接点が突出部上に与えられる、工程を備える。第2の基板の突出部は、ボンディング手段の装置及び基板に対するその接続を容易にする。突出部は、ループ内に容易に挿入されうる。さらに、第1の基板が既に第2の基板の下に位置するときに、突出部は、ボンディング手段をボンディングするために第1の基板への単純なアクセスを可能にする。突出部は、好ましくは、第2の基板の面に位置する。
発明の改良された実施形態は、第2の基板に、間に舌状部(tongue)を形成する2つの切り目(notches)を与える追加の工程であって、これにより、第2の基板の接点が舌状部上に与えられる、工程を備える。第2の基板の舌状部は、ボンディング手段の装置及び基板に対するその接続を容易にする。舌状部は、ボンディング手段を切り目内に挿入することで、ループ内に容易に挿入されうる。ボンディング手段は、切り目内に位置し、その結果、接続処理過程の間に、その位置で支持される。舌状部は、好ましくは、第2の基板の面に位置する。さらに、好ましくは、舌状部は、第2の基板の外周の内側で与えられる。
発明の改良された実施形態は、突出部及び舌状部に、第2の基板に接続されたその端部において、その自由端の伸長(extension)と比較してより小さい伸長を与える追加の工程を備え、ループ内に第2の基板を挿入する工程は、より大きな伸長を備える突出部または舌状部の端部の上にボンディング手段を通すことを備える。ボンディング手段がより大きな伸長を備える端部の上を通されるとき、それは、製造過程をさらに容易にし、突出部または舌状部上で自動的に安定される。製造過程の間の互いに関連する2つの基板の意図的でない動きは、第2の基板の接点上でのボンディング手段の繰り返される位置決めを自動的には必要としない。
発明の改良された実施形態に従うと、突出部及び舌状部に、第2の基板に接続されたその端部において、その自由端の伸長と比較してより小さい伸長を与える工程は、突出部または舌状部に、T型またはアンカー型(anchor-shape)を与える工程を備える。これらの型は、容易に形成され、ループ内への突出部または舌状部の簡単な挿入を可能にし、ループを通じた突出部または舌状部の偶然の移動は、選択された型によって避けられる。
発明の改良された実施形態に従うと、第2の基板の接点をボンディング手段に電気的に接続する工程は、糊付け、ボンディング、溶着、はんだ付け、または蝋着を備える。これらの工程は、ボンディング手段と第2の基板の接点との間の機械的及び電気的な接続を与えるように実行されうる。さらに、異なる接続工程は、組み合わせられうる。特に、ボンディング手段は、はじめに接点にボンディングされることができ、その後、接続は、更なる接続工程、例えば、はんだ付けまたは溶着を適用することにより、強固にされうる。同様の接続技術は、ボンディング工程に加えて第1の基板に対するボンディング手段の接続に適用されうる。
発明の改良された実施形態に従うと、ループを形成するためにボンディング手段を第1の基板にボンディングする工程は、ボンディング手段を第1の基板の接点にボンディングすることを備える。言い換えれば、ボンディング手段は、第1の基板の同じ接点に2回ボンディングされ、その結果、重複する電気経路は、2つの基板の接点間に設けられる。1つの経路の故障、すなわち、ボンディング手段が任意の理由により切断されたケースでは、残りの経路が、2つの接点の電気接続を与える。好ましくは、第1の基板の接点は、第2の基板の接点よりも大きなサイズを有し、その結果、ループは、容易に形成されうる。
発明の改良された実施形態は、銅で作られたボンディング手段を与える工程を備える。銅は、一般的に異なる材料にボンディングされうるので、ボンディングに適した材料である。とはいえ、他の材料、例えば、アルミニウムも、ボンディング手段に用いられうる。
発明の改良された実施形態は、同一材料で作られた、第1の基板及び第2の基板の接点、及びボンディング手段を与える工程を備える。接点とボンディング手段との間の接続は、容易に形成されることができ、同一材料が使用されるときは、高い頑丈さを有する。さらに好ましくは、存在するならば、第1の基板上のアイランドも、同一材料で作られる。
発明の改良された実施形態は、400μm以下の直径を有する細いボンディングワイヤをボンディング手段として与える工程を備える。細いボンディングワイヤは、ボンディング工程でループを形成することを促進する。
発明の改良された実施形態に従うと、複数の第1の基板の接点は、1つの第2の基板の接点に接続される。
発明の改良された実施形態に従うと、パワー半導体は、第1の基板上に置かれ、第2の基板は、パワー半導体モジュールの補助的な接点を与えるための補助的な接続として与えられる。
発明のこれらの及び他の態様は、以下に記載される実施形態を参照して、明らかかつ明瞭になるであろう。
図1は、第1の実施形態に従う、第1及び第2の基板3、5の装置1を示す。第1の基板3は、第2の基板の下に置かれ、装置1は、パワー半導体モジュールでの使用のために作られる。したがって、パワー半導体モジュールは、第1の基板3上に置かれ、第2の基板5は、パワー半導体モジュールの補助的な接点を与えるための補助的な接続として与えられる。
第1の基板3は、2つのメタライゼーション7、9を有し、1つ目のメタライゼーション7は、第1の基板3の接点7として参照される。2つ目のメタライゼーション9は、電気的機能を備えることなく、第1の基板3上のアイランドとして与えられる。
図1で見られうるように、第2の基板5は、第2の基板5の端部から伸びる突出部13上に位置する1つの接点11を有する。したがって、第1の基板3の接点7は、第2の基板5の方向を向き、第2の基板5の接点11は、第1の基板3から離れる方向を向く。
第1の基板の接点7、アイランド9及び第2の基板5の接点11は、この実施形態においてボンディングワイヤ15であるボンディング手段15によって接続される。この実施形態におけるボンディングワイヤ15は、375μmの直径を有する。第1及び第2の基板3、5の接点7、11、アイランド9及びボンディングワイヤ15は、この実施形態では銅である同一材料で作られる。
第1の実施形態に従う2つの基板3、5の接点7、11は、ここで記載されるであろう。
はじめに、第1の基板3及び第2の基板5が与えられ、これにより、第1の基板3の接点7及びアイランド9は、第2の基板5の方向を向き、第2の基板5の接点11は、第1の基板3から離れる方向を向く。
続いて、ボンディングワイヤ15は、第1の基板3の接点7に接続される。次に、ボンディングワイヤ15は、ボンディング手段により、第2の基板5の接点11に電気的に接続される。続く工程では、ループ17は、ボンディングワイヤ15を第1の基板3のアイランド9にボンディングすることにより、ボンディングワイヤ15内に形成される。ボンディングワイヤ15を第1の基板3のアイランド9にボンディングした後、ボンディングワイヤ15は、ボンディングワイヤ15をボンディングするために使用されるボンディング道具がボンディングワイヤ15を更にボンディングするために使用されうるように、切り落とされ(cut off)うる。
その後、ボンディングワイヤ15に対する第2の基板5の接点11の接続は、この接続に適用される更なるはんだ付け工程によって、強固にされる。
図2は、第2の実施形態に従う、第1及び第2の基板3、5の装置1を示す。第2の実施形態の装置1は、第1の実施形態の装置に類似しているため、それは、類似の要素について同一の参照番号を使用して記載される。
第1の基板3は、第2の基板5の下に位置し、装置1は、パワー半導体モジュールでの使用のために作られる。したがって、パワー半導体モジュールは、第1の基板3上に置かれ、第2の基板5は、パワー半導体モジュールの補助的な接点を与えるための補助的な接続として与えられる。
第1の基板3は、第1の基板3の接点7として参照される1つのメタライゼーション7を有する。図1で見られうるように、第2の基板5は、第2の基板5の舌状部19上に位置する1つの接点11を有する。舌状部19は、第2の基板5の外周の内側にある2つの切り目21の間に形成される。舌状部19は、それが、第2の基板5に接続されたその端部23において、その自由端25の伸長と比較してより小さい伸長を有するように、T型で与えられる。
図2で見られうるように、第1の基板3の接点7は、第2の基板5の方を向き、第2の基板5の接点11は、第1の基板3から離れる方向を向く。
この実施形態では、ボンディングワイヤ15であるボンディング手段15は、その端部27において、第1の基板3の接点7に接続されることにより、ループ17を形成する。さらに、ボンディングワイヤ15は、第2の基板5の接点11に接続される。この実施形態におけるボンディングワイヤ15は、375μmの直径を有する。第1及び第2の基板3、5の接点7、11及びボンディングワイヤ15は、この実施形態では銅である同一材料で作られる。
第2の実施形態に従う第1及び第2の基板3、5の接点7、11を電気的に接続する方法は、ここに記載されるであろう。
はじめに、第1の基板3及び第2の基板5が与えられることにより、第1の基板3の接点7は、第2の基板5の方を向き、第2の基板5の接点11は、第1の基板3から離れる方向を向く。
続いて、ボンディングワイヤ15は、第1の基板3の接点7に接続され、ループ17は、ボンディングワイヤ15を第1の基板3のアイランド9に再びボンディングすることにより、ボンディングワイヤ15内に形成される。続いて、ボンディングワイヤ15は、ボンディング道具がボンディングワイヤ15を更にボンディングするために使用されうるように、切り落とされる(cut off)。
続く工程では、第2の基板5の舌状部19は、ボンディングワイヤ15が第2の基板5の接点11上を通されるように、ループ17内に挿入する。したがって、ボンディングワイヤ15は、舌状部19の自由端25を越えて通され、ボンディングワイヤ15は、第2の基板5に接続されるその端部23において、舌状部19の異なる領域に位置する接点11上に位置される。
次に、ボンディングワイヤ15は、はんだ付けまたは別の接続工程の手段により、第2の基板5の接点11に電気的に接続される。
発明は、図面および先の記載に詳細に示され、記載されているが、そのような図示及び記載は、例示または実例であり、限定されないと考慮されるべきであり、発明は、開示された実施形態に限定されない。開示される実施形態となる他のバリエーションは、図面、開示及び添付の請求項の検討から、請求された発明を実行する当業者によって理解され、もたらされうる。請求項において、用語「備える」は、他の要素または工程を除外せず、不定冠詞「a」または「an」は、複数を除外しない。ある計量法が互いに異なる従属請求項に記載されているという単なる事実は、これらの計量法の組み合わせが有利に使用されえないことを示していない。請求項における任意の参照記号は、範囲を限定するものとして構成されるべきではない。
1…装置、3…第1の基板、5…第2の基板、7…第1のメタライゼーション、第1の基板の接点、9…第2のメタライゼーション、アイランド、11…第2の基板の接点、13…突出部、14…第2の基板の端部、15…ボンディング手段、ボンディングワイヤ、17…ループ、19…舌状部、21…切り目、23…第2の基板に接続された舌状部の端部、25…舌状部の自由端、27…、ボンディングワイヤの端部。
Claims (14)
- 第1の基板(3)の接点(7)を第2の基板(5)の接点(11)に電気的に接続するための方法であって、これにより、前記第1の基板(3)が前記第2の基板(5)の下に置かれる、方法において、
前記第1の基板(3)に、前記第2の基板(5)の方を向くその接点(7)を与えることと、
前記第2の基板(5)に、前記第1の基板(3)から離れる方向を向くその接点(11)を与えることと、
ボンディング手段(15)を前記第1の基板(3)の前記接点(7)にボンディングすることと、
前記ボンディング手段(15)を前記第1の基板(3)にボンディングすることによりループ(17)を形成することと、
前記第2の基板(5)の前記接点(11)を前記ボンディング手段(15)に電気的に接続することと、
前記第2の基板(5)に、前記第2の基板(14)の端部(14)から伸びる突出部(13)を与えることと、これにより前記第2の基板(5)の前記接点(11)が前記突出部(13)上に与えられる、
工程を備える方法。 - ボンディング手段(15)を前記第1の基板(3)の前記接点(7)にボンディングすること及び前記ボンディング手段(15)を前記第1の基板(3)にボンディングすることによりループ(17)を形成することの前記工程は、前記第2の基板(5)の接点(11)を前記ボンディング手段(15)に接続する工程の前に実行され、
前記方法は、前記第2の基板(5)の前記接点(11)を前記ボンディング手段(15)に接続する前記工程の前に、前記第2の基板(5)を前記ループ(17)の中に挿入する更なる工程を含む、
請求項1記載の方法。 - 前記第2の基板(5)の前記接点(11)を前記ボンディング手段(15)に電気的に接続する前記工程は、前記ボンディング手段(15)を前記第1の基板(3)にボンディングすることによりループ(17)を形成することの前記工程の前に実行され、
前記第2の基板(5)の前記接点(11)を前記ボンディング手段(15)に接続する前記工程は、前記ボンディング手段(15)を前記第2の基板(5)の前記接点にボンディングすることを含む、
請求項1記載の方法。 - 前記第2の基板(5)に、間に舌状部(19)を形成する2つの切り目(21)を与えることの更なる工程であって、これにより、前記第2の基板(5)の接点(11)が前記舌状部(19)上に与えられる、工程を備える、
任意の先行する請求項に記載の方法。 - 前記突出部(13)または舌状部(19)に、前記第2の基板(5)に接続されたその端部(23)において、その自由端(25)の伸長と比較してより小さい伸長を与えることの更なる工程を備え、
前記ループ(17)の中に前記第2の基板(5)を挿入する前記工程は、より大きな伸長を備える前記突出部(13)または前記舌状部(19)の前記端部(25)の上に前記ボンディング手段(15)を通すことと、前記ボンディング手段(15)を前記突出部(13)または前記舌状部(19)の異なる領域に位置させることとを備える、
請求項2と組み合わされる任意の先行する請求項1または4に記載の方法。 - 前記突出部(13)または前記舌状部(19)に、前記第2の基板(5)に接続されたその端部(23)において、その自由端(25)の伸長と比較して、より小さい伸長を与える前記工程は、T型またはアンカー型を備える前記突出部(13)または前記舌状部(19)与えることを含む、
請求項5記載の方法。 - 前記第2の基板(5)の前記接点(11)を前記ボンディング手段(15)に電気的に接続する前記工程は、糊付け、ボンディング、溶着、はんだ付または蝋着を含む、
任意の先行する請求項に記載の方法。 - 前記ボンディング手段(15)を前記第1の基板(3)にボンディングすることによりループ(17)を形成する前記工程は、前記ボンディング手段(15)を前記第1の基板(3)の前記接点(7)に接着することを含む、
任意の先行する請求項に記載の方法。 - 銅で作られた前記ボンディング手段(15)を提供する工程を含む、
任意の先行する請求項に記載の方法。 - 同一材料で作られた前記第1及び前記第2の基板(3、5)の接点(7,9)、及び前記ボンディング手段(15)を与える工程を含む、
任意の上の請求項に記載の方法。 - 任意の先行する請求項に記載の方法に従って、前記第1の基板(3)の接点(7)が前記第2の基板(5)の接点(11)に接続される、
前記第1の基板(3)と前記第2の基板(5)の装置(1)であって、これにより、第1の基板(3)が第2の基板(5)の下に置かれる、装置。 - 複数の第1の基板(3)の接点(7)は、1つの第2の基板(5)の接点(11)に接続される、
先行する請求項11に記載の装置。 - 請求項11または12のいずれかに従う装置(1)を備えるパワー半導体モジュール。
- パワー半導体は、前記第1の基板(3)上に置かれ、前記第2の基板(5)は、前記パワー半導体モジュールの補助的な接点を与えるための補助的な接続として与えられる、
先行する請求項13記載のパワー半導体モジュール。
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