JP7274954B2 - 半導体装置 - Google Patents
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Description
特許文献1には、半田等の接合材(チップ半田層)を介して第一接続部材(ソース用分割リードフレーム)を半導体チップの電極パッド(ソースパッド電極)に接合し、第二接続部材(ソース信号用分割リードフレーム)を半導体チップから離れた位置で接合材を介して第一接続部材に接合した半導体装置(パワーモジュール)が開示されている。すなわち、特許文献1の半導体装置では、第一接続部材が電極パッドに直接接続され、第二接続部材が第一接続部材を介して電極パッドに接続されている。
また、本発明によれば、第二接続部材の接合端部は、貫通孔によって環状に形成された第一接続部材の接合端部に囲まれている。これにより、第一、第二接続部材をリフローによって電極パッドに接合する際に接合材が溶融して流動しても、第二接続部材の接合端部が第一接続部材の接合端部に対して位置ずれすることを抑制できる。
図1,2に示すように、本実施形態に係る半導体装置1は、半導体チップ2と、第一接続部材3及び第二接続部材4と、を備える。
ソース電極11に接合される第一接続部材3の接合端部21(以下、第一電極接合端部21と呼ぶ。)には、貫通孔23が形成されている。第一電極接合端部21は、ソース電極11(接合材5A)の一部が貫通孔23を通して外側に露出するようにソース電極11上に配される。第二接続部材4の接合端部31(以下、第二電極接合端部31と呼ぶ。)は、第一接続部材3の貫通孔23を通してソース電極11に接合される。
第一接続部材3の第一電極接合端部21は、第一接続部材3の長手方向の一方の端部である。第一接続部材3の他方の端部は、半導体チップ2と共に半導体装置1の回路を構成する配線部9に接合される接合端部22(以下、第一配線接合端部22と呼ぶ。)である。すなわち、第一接続部材3は、半導体チップ2と半導体装置1の配線部9とを電気的に接続する。第一接続部材3は、その長手方向の中途部が両端部(第一電極接合端部21、第一配線接合端部22)よりも高く位置するようにアーチ状(あるいはコ字状)に形成されている。
第一電極接合端部21の外形は、貫通孔23の貫通方向から見て円形状に形成されている(特に図1参照)。また、第一電極接合端部21の外形は、前述した貫通孔23と同心の円形状に形成されている。図1に例示する第一電極接合端部21の外形は、半円状に形成されているが、これに限ることはない。
貫通孔23の貫通方向から見た第二電極接合端部31の大きさは、第一電極接合端部21の貫通孔23よりも小さい。これにより、第二電極接合端部31を貫通孔23の内側に通すことができる。
図1,2に示すように、本実施形態の半導体装置1は、上記した半導体チップ2、第一、第二接続部材3,4と共に半導体装置1の回路を構成する基板6及びリードフレーム7を備える。
第一上側金属板42には、半導体チップ2が搭載される。具体的には、半導体チップ2のドレイン電極13が半田ペーストや導電性ペースト等の接合材5Bを介して第一上側金属板42に接合される。これにより、半導体チップ2と第一上側金属板42とが電気的に接続される。
第二上側金属板43には、半田ペーストや導電性ペースト等の接合材5Cを介して第一接続部材3の第一配線接合端部22が接合される。これにより、半導体チップ2と第二上側金属板43とが第一接続部材3によって電気的に接続される。
第二外部端子52は、ワイヤ8によって半導体チップ2のゲート電極12と電気的に接続される。すなわち、第二外部端子52は半導体装置1におけるゲート端子として機能する。
半導体装置1の製造する際には、はじめに、塗布工程と、配置工程とを実施する。
塗布工程では、基板6の上側金属板42,43及びリードフレーム7の第一外部端子51に接合材5B,5Cを塗布する。また、塗布工程では、半導体チップ2のソース電極11に接合材5Aを塗布する。ソース電極11に対する接合材5Aの塗布は、例えば後述する配置工程において基板6に対して半導体チップ2を配置した後に実施されてよい。
具体的に、配置工程では、はじめに、半導体チップ2を基板6の第一上側金属板42上に配置する。この状態では、半導体チップ2のドレイン電極13と基板6の第一上側金属板42との間に接合材5Bが介在する。
半導体チップ2の配置後には、第一接続部材3の第一電極接合端部21及び第一配線接合端部22を、それぞれ半導体チップ2のソース電極11上及び基板6の第二上側金属板43上に配置する。この状態では、第一電極接合端部21とソース電極11との間に接合材5Aが介在する。同様に、第一配線接合端部22と第二上側金属板43との間に接合材5Cが介在する。
以上により、配置工程が完了する。
以上により、本実施形態に係る半導体装置1の製造方法が完了する。
すなわち、第一、第二電極接合端部21,31がソース電極11上で隣り合う場合には、ソース電極11から延びる第一、第二接続部材3,4の向きが、互いの接合部位(第一、第二電極接合端部21,31)によって制限されてしまう。これに対し、第二電極接合端部31が第一電極接合端部21の貫通孔23の内側に位置する場合には、ソース電極11から延びる第一、第二接続部材3,4の向きが、互いの接合部位によって制限され難くなる。これにより、第一、第二接続部材3,4によってソース電極11に接続される配線部9(例えば第二上側金属板43や第一外部端子51)の配置をより自由に設定することができる。
2 半導体チップ
3 第一接続部材
4 第二接続部材
5A 接合材
6 基板
7 リードフレーム
8 ワイヤ
9 配線部
11 ソース電極(電極パッド)
21 第一電極接合端部(第一接続部材3の接合端部)
22 第一配線接合端部
23 貫通孔
24 対向面
24A 第一対向領域
24B 第二対向領域
31 第二電極接合端部(第二接続部材4の接合端部)
32 第二配線接合端部
Claims (6)
- 電極パッドを有する半導体チップと、
接合材を介して前記電極パッドに接合される第一接続部材及び第二接続部材と、を備え、
前記電極パッドに接合される前記第一接続部材の接合端部には、貫通孔が形成され、
前記第二接続部材の接合端部は、前記貫通孔を通して前記電極パッドに接合される半導体装置。 - 前記貫通孔は、その貫通方向から見て円形状に形成されている請求項1に記載の半導体装置。
- 前記第一接続部材の接合端部は、前記貫通孔の貫通方向から見て円形状に形成されている請求項1又は請求項2に記載の半導体装置。
- 前記第一接続部材の接合端部のうち前記電極パッドに対向する対向面は、
前記貫通孔の縁に接する環状の第一対向領域と、
前記第一対向領域の外周縁に接し、前記第一対向領域よりも前記電極パッドから離れて位置する環状の第二対向領域と、
を含む請求項1から請求項3のいずれか一項に記載の半導体装置。 - 前記第二接続部材は検出クリップである請求項1から請求項4のいずれか一項に記載の半導体装置。
- 前記第二接続部材の接合端部は、前記第一接続部材の接合端部に接触しない状態で前記電極パッドに接合されている請求項1から請求項5のいずれか一項に記載の半導体装置。
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2019
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