JP2014029946A - 抵抗率測定装置 - Google Patents
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Abstract
【解決手段】複数の探針をウェーハに接触させ(ステップS1)、探針間の電圧値又は抵抗値が所定範囲にあるかないかを判断し(ステップS2)、探針間の電圧値又は抵抗値が所定範囲にない場合は、通常の抵抗率測定時より電圧レベルが高い高電圧印加を行い(ステップS3)、前記探針間の電圧値又は抵抗値が所定範囲にある場合及びなった場合に(ステップS2)、前記通常の抵抗率測定を実行する(ステップS4)。
【選択図】図5
Description
上記第2の態様によれば、このように高電圧印加を複数回行うようにすることで、確実にオーミック接触を得ることが可能となる。
上記第3の態様によれば、例えば、ウェーハの面内抵抗分布が不均一の場合にもオーミック接触を得ることができ、適切に抵抗率測定を実施することができる。
上記第4の態様によれば、確実にオーミック接触を得ることが可能となる。
上記第5の態様によれば、迅速かつ確実にオーミック接触を得ることが可能となる。
プローブ上下駆動部16は、プローブ取付金具16a、カム受け16b、重り16c、上下駆動カム16d、及びステッピングモータ16eを有する。
図3は、デュアルコンフィグレーション方式のステップ1を示している。
先ず、図3(a)に示すように定電流源33により4探針プローブ14の探針1−4間に電流Iを流して探針2−3間の電圧Vaを電圧計34にて測定する。このとき探針と試料(半導体ウェーハ12)間の整流性によるエラーを除去するため、図3(b)に示すように定電流源33による印加電流Iの極性を替えて測定し、その平均値を求める。ここで、探針1→4間に電流Iを流したときの探針2−3間の電圧を“Va+”とする。また、探針4→1間に電流Iを流したときの電圧を“Va−”とする。このとき“Va+”と“Va−”の電圧の差が小さいほど、探針と半導体ウェーハ12の接触状態が良好であると判断することができる。
Ra=Va/I=((|Va+|+|Va−|)/2)/I・・・(1)
図4は、デュアルコンフィグレーション方式のステップ2を示している。
図4(a)に示すように定電流源33により4探針プローブ14の探針1−3間に電流Iを流して探針2−4間の電圧Vbを電圧計34にて測定する。このとき探針と試料(半導体ウェーハ12)間の整流性によるエラーを除去するため、図4(b)に示すように定電流源33による印加電流Iの極性を替えて測定し、その平均値を求める。ここで、探針1→3間に電流Iを流したときの探針2−4間の電圧を“Vb+”とする。また、探針3→1間に電流Iを流したときの電圧を“Vb−”とする。このとき“Vb+”と“Vb−”の電圧の差が小さいほど、探針と半導体ウェーハ12の接触状態が良好であると判断することができる。
Rb=Vb/I=((|Vb+|+|Vb−|)/2)/I・・・(2)
また、探針間隔補正係数Kaは、次式(3)により計算することができる。
Ka=-14.696+25.173(Ra/Rb)−7.872(Ra/Rb)2・・・(3)
そして、シート抵抗ρsは、次式(4)により計算することができる。
ρs=Ka×Ra・・・(4)
4探針プローブ14の探針間隔は等しくなるように調整されているが、実際に軸受けの精度などにより微細な変動が発生する。デュアルコンフィグレーション方式では、探針間隔の変動は、測定電圧VaとVbに反映され、それらによる計算値Ra,Rb,Ka,及びρsに反映され、探針間隔の変動があってもその変動による測定値の誤差を補正することができる。
プローブ上下駆動部16に取付けられた4探針プローブ14には、重り16cによりGaNウェーハに適切な荷重を設定しておく。制御部20は、4探針プローブ14を上下移動速度の制御を有する上下駆動カム16dにより下降させ、GaNウェーハに接触させる。
制御部20は、オーミック接触であるかどうかの判定を行う為に、プローブ探針2−3間の電圧を計測部15で読み取り、電圧値が所定の範囲内(例えば±0.5mV以下)となっているか否かを判定する。一般的な半導体ウェーハの場合、プローブ探針2−3間の電圧は±0.5mV以下となっており、オーミック接触を実現して抵抗率を測定している。
プローブ探針2−3間の電圧が±0.5mV以下でない場合は、制御部20は、プローブ探針1−4間に高電圧・高電流を一定時間印加した後に、ステップS2において、探針2−3間の電圧値が±0.5mV以下となっているか否かを判定し、±0.5V以下に遷移するまでステップS2,S3の処理を繰り返し行う。なお、所定回数(例えば5〜10回程度)高電圧・高電流を印加しても電圧値が±0.5mV以下にならない場合は、エラーを報知してS5(後述)に進む。
制御部20は、プローブ探針2−3間の電圧値が±0.5mV以下であると判定した場合には、通常の直流4探針法のデュアルコンフィギュレーション方式による抵抗率測定を行う。
制御部20は、ステップS4で抵抗率測定が終了すると、プローブ上下駆動部16を制御して4探針プローブ14を上昇させ、ウェーハと非接触状態にさせる。さらに測定を継続する場合には、プローブ水平駆動部17の位置と測定ステージ11の回転角で指定する測定座標に移動して測定ポイントを変更した後に、ステップS1に戻って上記処理を行う。
また、探針2−3間の電圧値が所定範囲にない場合には、高電圧印加を再度行うようにする。すなわち、高電圧印加を複数回行うようにすることで、GaNウェーハについても確実にオーミック接触を得ることが可能となる。
変形例1は、上記ステップS2において、1回あるいは複数回高電圧印加を行っても探針2−3間の電圧値が所定範囲にない場合には、4探針プローブ14の探針の接触位置を変更するようにする。この場合、ステップS1から処理を行うこととなる。変形例2によれば、例えば、GaNウェーハの面内抵抗分布が不均一の場合にも確実にオーミック接触を得ることができ、適切に抵抗率測定を実施することができる。
変形例2は、上記ステップS2において、1回あるいは複数回高電圧印加を行っても探針2−3間の電圧値が所定範囲にない場合には、高電圧印加の電圧レベルを変更する。例えば、1回の高電圧印加によってオーミック接触が得られない場合に、さらに電圧レベルを高くして再度高電圧印加を行うようにする。このようにすることで、GaNウェーハについて確実にオーミック接触を得ることが可能となる。
変形例3は、上記ステップS3における高電圧印加を行う前の探針2−3間の電圧値に応じて、高電圧印加の電圧レベルを設定する。例えば、高電圧印加を行う前の電圧値が大きい場合には、高電圧印加の電圧レベルを高く設定するようにする。このようにすることで、少ない回数で迅速にGaNウェーハについてオーミック接触を得ることが可能となる。
Claims (5)
- 複数の探針をウェーハに接触させ、通常の抵抗率測定時より電圧レベルが高い高電圧印加を行い、
前記探針間の電圧値又は抵抗値が所定範囲にある場合に、前記通常の抵抗率測定を実行することを特徴とする抵抗率測定装置。 - 前記探針間の電圧値又は抵抗値が所定範囲にない場合には、前記高電圧印加を再度行うことを特徴とする請求項1に記載の抵抗率測定装置。
- 前記探針間の電圧値又は抵抗値が所定範囲にない場合には、前記複数の探針の接触位置を変更することを特徴とする請求項1に記載の抵抗率測定装置。
- 前記探針間の電圧値又は抵抗値が所定範囲にない場合には、前記高電圧印加の電圧レベルを変更することを特徴とする請求項1に記載の抵抗率測定装置。
- 前記高電圧印加を行う前の前記探針間の電圧値に応じて、前記高電圧印加の電圧レベルを設定することを特徴とする請求項1乃至4のいずれか1項に記載の抵抗率測定装置。
Priority Applications (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
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Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
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JP2012170201A JP6045842B2 (ja) | 2012-07-31 | 2012-07-31 | 抵抗率測定装置および方法 |
Publications (2)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JP2014029946A true JP2014029946A (ja) | 2014-02-13 |
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Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
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Country Status (1)
Country | Link |
---|---|
JP (1) | JP6045842B2 (ja) |
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JP6045842B2 (ja) | 2016-12-14 |
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