RU186972U1 - Устройство для контроля удельного сопротивления омических контактов к полупроводниковым слоям - Google Patents
Устройство для контроля удельного сопротивления омических контактов к полупроводниковым слоям Download PDFInfo
- Publication number
- RU186972U1 RU186972U1 RU2018112920U RU2018112920U RU186972U1 RU 186972 U1 RU186972 U1 RU 186972U1 RU 2018112920 U RU2018112920 U RU 2018112920U RU 2018112920 U RU2018112920 U RU 2018112920U RU 186972 U1 RU186972 U1 RU 186972U1
- Authority
- RU
- Russia
- Prior art keywords
- ohmic contacts
- contacts
- resistivity
- test structure
- contact
- Prior art date
Links
- 239000004065 semiconductor Substances 0.000 title claims abstract description 41
- 238000012360 testing method Methods 0.000 claims abstract description 28
- 239000011521 glass Substances 0.000 claims abstract description 14
- 239000000523 sample Substances 0.000 claims abstract description 14
- 238000012544 monitoring process Methods 0.000 claims abstract description 8
- 239000007787 solid Substances 0.000 claims abstract description 8
- 230000000694 effects Effects 0.000 abstract 1
- 235000012431 wafers Nutrition 0.000 description 22
- 239000010408 film Substances 0.000 description 10
- 238000000034 method Methods 0.000 description 10
- XAGFODPZIPBFFR-UHFFFAOYSA-N aluminium Chemical compound [Al] XAGFODPZIPBFFR-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 9
- 229910052782 aluminium Inorganic materials 0.000 description 9
- 229910052710 silicon Inorganic materials 0.000 description 9
- 239000010703 silicon Substances 0.000 description 9
- 239000007789 gas Substances 0.000 description 8
- XUIMIQQOPSSXEZ-UHFFFAOYSA-N Silicon Chemical compound [Si] XUIMIQQOPSSXEZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 6
- 238000003892 spreading Methods 0.000 description 5
- 238000004519 manufacturing process Methods 0.000 description 4
- 238000012937 correction Methods 0.000 description 3
- 238000001771 vacuum deposition Methods 0.000 description 3
- VYZAMTAEIAYCRO-UHFFFAOYSA-N Chromium Chemical compound [Cr] VYZAMTAEIAYCRO-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 229910001218 Gallium arsenide Inorganic materials 0.000 description 2
- 230000015572 biosynthetic process Effects 0.000 description 2
- 238000004364 calculation method Methods 0.000 description 2
- 229910052804 chromium Inorganic materials 0.000 description 2
- 239000011651 chromium Substances 0.000 description 2
- 230000007423 decrease Effects 0.000 description 2
- 238000005516 engineering process Methods 0.000 description 2
- 238000005259 measurement Methods 0.000 description 2
- 239000000758 substrate Substances 0.000 description 2
- BQCADISMDOOEFD-UHFFFAOYSA-N Silver Chemical compound [Ag] BQCADISMDOOEFD-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 230000007717 exclusion Effects 0.000 description 1
- 238000013213 extrapolation Methods 0.000 description 1
- PCHJSUWPFVWCPO-UHFFFAOYSA-N gold Chemical compound [Au] PCHJSUWPFVWCPO-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910052737 gold Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000010931 gold Substances 0.000 description 1
- 238000012886 linear function Methods 0.000 description 1
- 238000000206 photolithography Methods 0.000 description 1
- 229910052709 silver Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000004332 silver Substances 0.000 description 1
- 239000010409 thin film Substances 0.000 description 1
Images
Classifications
-
- G—PHYSICS
- G01—MEASURING; TESTING
- G01R—MEASURING ELECTRIC VARIABLES; MEASURING MAGNETIC VARIABLES
- G01R27/00—Arrangements for measuring resistance, reactance, impedance, or electric characteristics derived therefrom
- G01R27/02—Measuring real or complex resistance, reactance, impedance, or other two-pole characteristics derived therefrom, e.g. time constant
- G01R27/16—Measuring impedance of element or network through which a current is passing from another source, e.g. cable, power line
Landscapes
- Physics & Mathematics (AREA)
- General Physics & Mathematics (AREA)
- Testing Or Measuring Of Semiconductors Or The Like (AREA)
- Measurement Of Resistance Or Impedance (AREA)
Abstract
Использование: для измерения удельного сопротивления омических контактов к полупроводниковым слоям. Сущность полезной модели заключается в том, что устройство для контроля удельного сопротивления омических контактов к полупроводниковым слоям содержит источник тока, измерители тока и напряжения, два зонда и тестовую структуру, имеющую омические контакты в виде дисков на фронтальной стороне полупроводниковой пластины толщиной, лежащей в интервале 100÷400 мкм, и сплошной тыльный омический контакт на ее обратной стороне, при этом тестовая структура содержит на ее фронтальной стороне, по крайней мере, два омических контакта с различными диаметрами, лежащими в интервале 40÷1040 мкм, и расположена на электропроводящем слое на стеклянном основании. Технической результат: обеспечение возможности повышения точности контроля удельного контактного сопротивления и исключение операции экстраполяции графиков при определении удельного контактного сопротивления. 2 ил.
Description
Полезная модель относится к области измерительной техники, в частности к области измерения удельного сопротивления омических контактов к полупроводниковым слоям.
Известно устройство для измерения удельного сопротивления омических контактов к полупроводниковым пластинам, основанное на использовании метода Кокса-Стрека (см., например, 1) Сох R. Н., Strack Н. Ohmic contacts for GaAs devices // Solid-State Electronics. 1967. Vol. 10. P. 1213-1218; 2) Shepela A. The specific contact resistance of Pd2Si contacts on n- and p-Si // Solid-State Electronics. 1973. Vol. 16. P. 477-481; 3) Singh R. K. Low resistance ohmic contact to n-GaAs // MSAIJ. 2010. Vol. 6. Issue 1. P. 89-92). Устройство содержит источник тока, измерители тока и напряжения и тестовую структуру, содержащую несколько омических контактов в виде дисков с различными диаметрами на фронтальной стороне полупроводниковой пластины и сплошной тыльный контакт на ее обратной стороне [1, 2, 3]. Определение удельного контактного сопротивления ρK [Ом⋅см2] в этом устройстве выполняют путем измерения на различных фронтальных контактах полного сопротивления структуры фронтальный контакт-полупроводниковая пластина-тыльный контакт, включающего в себя сопротивления фронтального и тыльного контактов и сопротивление растекания в толще полупроводника. После этого, используя методы подбора формул (по кривым) (curve fitting methods), подбирают аппроксимирующую линейную функцию, с помощью которой определяют удельное контактное сопротивление ρK.
Наиболее близким по технической сущности к заявляемой полезной модели и принятым за прототип является устройство для измерения удельного сопротивления омических контактов к полупроводниковым пластинам, описанное в статье: Shepela А. The specific contact resistance of Pd2Si contacts on n- and p-Si // Solid-State Electronics. 1973. Vol. 16. P. 477-481. Устройство содержит источник тока, измерители тока и напряжения и тестовую структуру, содержащую пять омических контактов в виде дисков с различными диаметрами (взятыми из интервалов 10÷50 мкм и 90÷152 мкм) на фронтальной стороне полупроводниковой пластины (с толщиной, лежащей в интервале 100÷500 мкм) и сплошной тыльный контакт на ее обратной стороне. Источник тока, а также измерители тока и напряжения соединены зондом с одним из фронтальных контактов, а другим зондом- со сплошным тыльным контактом на обратной стороне полупроводниковой пластины. Используя источник тока, измерители тока и напряжения, выполняют измерения на различных фронтальных контактах полного сопротивления структуры фронтальный контакт-полупроводниковая пластина-тыльный контакт, включающего в себя сопротивления фронтального и тыльного контактов и сопротивление растекания в толще полупроводника. Согласно [1], полное сопротивление Rt структуры фронтальный контакт-полупроводниковая пластина-тыльный контакт можно описать следующим выражением:
где ρK - удельное контактное сопротивление; ρ - удельное сопротивление полупроводника; d - диаметр фронтального контакта; h - толщина пластины полупроводника; R0 - сопротивление тыльного контакта; ƒ(d, h) - корректирующая функция, учитывающая нелинейную зависимость сопротивления полупроводника от толщины его слоя и диаметра контакта в результате растекания тока под фронтальным контактом:
Первое из слагаемых в формуле (1) отвечает за вклад контактного сопротивления RK=4ρk/πd2 в общее сопротивление Rt структуры, второе - за вклад сопротивления растекания.
Недостатком этого устройства является повышенная сложность тестовой структуры, обусловленную малыми диаметрами контактов на фронтальной стороне полупроводниковой пластины, что усложняет технологию изготовления тестовой структуры, а также необходимость использования методики реализации метода подбора формул (по кривым) при определении удельного контактного сопротивления ρK, что ограничивает использование метода Кокса-Стрека.
Технической задачей заявляемого решения является упрощение изготовления тестовой структуры устройства за счет увеличения диаметров контактов на фронтальной стороне полупроводниковой пластины и расширение функциональных возможностей за счет использования метода Кокса-Стрека.
Техническим результатом заявляемого решения является повышение точности контроля удельного контактного сопротивления омических контактов и исключение операции экстраполяции графиков при определении при определении ρK.
Указанный технический результат достигается тем, что предложено устройство для контроля удельного сопротивления омических контактов к полупроводниковым слоям, содержащее источник тока, измерители тока и напряжения, два зонда и тестовую структуру, имеющую омические контакты в виде дисков на фронтальной стороне полупроводниковой пластины толщиной, лежащей в интервале 100÷400 мкм, и сплошной тыльный омический контакт на ее обратной стороне, тестовая структура содержит на ее фронтальной стороне, по крайней мере, два омических контакта с различными диаметрами, лежащими в интервале 40÷1040 мкм, и расположена на электропроводящем слое на стеклянном основании.
Сущность полезной модели поясняется чертежами:
На фиг. 1 показано заявляемое устройство, содержащее источник тока, измерители тока и напряжения, два зонда, стеклянное основание с электропроводящим слоем и тестовую структуру, имеющую омические контакты в виде дисков на фронтальной стороне полупроводниковой пластины и сплошной тыльный контакт на ее обратной стороне.
На фиг. 2 представлены графики зависимостей отношения RK/Rt от диаметра фронтального контакта d (графики рассчитаны для омических контактов с удельным сопротивлением ρK=0,001 Ом⋅см2 по формулам (1) и (2) для полупроводниковых пластин с толщинами 100, 200 и 400 мкм, имеющих удельное сопротивление ρ=0,1 Ом⋅см, при этом в формуле (1) пренебрегли малой величиной R0).
Устройство для контроля удельного сопротивления омических контактов к полупроводниковым слоям содержит источник тока 1, измерители тока 2 и напряжения 3, зонды 4 и 5 и тестовую структуру, которая имеет омические контакты 6 и 7 в виде дисков с различными диаметрами, лежащими в интервале 40÷1040 мкм, на фронтальной стороне полупроводниковой пластины 8 с толщиной, лежащей в интервале 100÷400 мкм, и сплошной тыльный омический контакт 9 на ее обратной стороне, при этом тыльный контакт 9 соединен с электропроводящим слоем 10 на стеклянном основании 11 (фиг. 1). Последовательно соединенные источник тока 1 и измеритель тока 2, а также измеритель напряжения 3 подключены с помощью зонда 4 к одному из двух фронтальных контактов 6, а с помощью зонда 5 - к электропроводящему слою 10 на стеклянном основании 11.
В первом примере выполнения заявляемого устройства для контроля удельного сопротивления омических контактов к полупроводниковым слоям тестовую структуру выполняют из пластины кремния (толщиной 400 мкм) р-типа проводимости с удельным сопротивлением ρ=1 Ом⋅см, на тыльную сторону которой осаждают тонкую пленку алюминия толщиной 0,4 мкм в вакууме при давлении остаточных газов (5-6)*10-6 мм рт. ст. Затем загружают полупроводниковую пластину 8 в маску с двумя отверстиями с различными диаметрами, лежащими в интервале 480-1040 мкм, и осаждают локально пленку алюминия толщиной 0,4 мкм на фронтальную сторону пластины 8 в вакууме при давлении остаточных газов (5-6)*10-6 мм рт. ст. После этого вжигают пленки алюминия в пластину 8 кремния в вакууме при давлении остаточных газов (5-6)*10-6 мм рт. ст. и температуре пластины кремния 500°С в течение 20 минут. Вжигание алюминия в р-кремний приводит к формированию омических фронтальных контактов 6 и 7 и омического тыльного контакта 9. Время изготовления этих контактов тестового устройства в этом примере выполнения заявляемого устройства, т.е. проведения двух операций термовакуумного напыления алюминия и его вжигания в p-кремний, составляет 1,5 часа. Электропроводящий слой 10 на стеклянном основании 11 выполняют путем последовательного вакуумного осаждения на стеклянное основание 11 сначала пленки хрома толщиной 0,02÷0,05 мкм, а затем пленки золота толщиной 0,1÷0,2 мкм в вакууме при давлении остаточных газов (5-6)*10-6 мм рт. ст. и температуре стеклянной подложки 120°С.
Во втором примере выполнения заявляемого устройства для контроля удельного сопротивления омических контактов к полупроводниковым слоям тестовую структуру выполняют из пластины кремния (толщиной 400 мкм) p-типа проводимости с удельным сопротивлением ρ=0,1 Ом⋅см, на тыльную сторону которой осаждают тонкую пленку алюминия толщиной 0,4 мкм в вакууме при давлении остаточных газов (5-6)*10-6 мм рт. ст. Затем осаждают пленку алюминия толщиной 0,4 мкм на фронтальную сторону пластины 8 в вакууме при давлении остаточных газов (5-6)*10-6 мм рт. ст., и методом фотолитографии формируют из этой пленки два фронтальных контакта 6 и 7 с различными диаметрами, лежащими в интервале 40-400 мкм. После этого вжигают пленки алюминия в пластину 8 кремния в вакууме при давлении остаточных газов (5-6)*10-6 мм рт. ст. и температуре 500°С в течение 20 минут. Вжигание алюминия в р-кремний приводит к формированию омических фронтальных контактов 6 и 7 и омического тыльного контакта 9. Электропроводящий слой 10 на стеклянном основании 11 выполняют путем последовательного вакуумного осаждения на стеклянное основание 11 сначала пленки хрома толщиной 0,02÷0,05 мкм, а затем пленки серебра толщиной 0,3÷0,4 мкм в вакууме при давлении остаточных газов (5-6)*10-6 мм рт. ст. и температуре стеклянной подложки 120°С.
Устройство для контроля удельного сопротивления омических контактов к полупроводниковым слоям работает следующим образом. При соприкосновении зонда 4 с поверхностью одного из фронтальных контактов 6 (с диаметром d2) и зонда 7 с поверхностью электропроводящего слоя 10 на стеклянном основании 11, через тестовую структуру протекает ток I2, величину которого измеряют измерителем тока 2. Измерив на зондах 4 и 5 (измерителем напряжения 3) падение напряжения V2, рассчитывают полное сопротивление Rt2 тестовой структуры по формуле: Rt2=V2/I2. После этого зонд 4 устанавливают на фронтальный контакт 7 (с диаметром d1) и аналогичным образом измеряют величины тока I1 и падения напряжения V1 и рассчитывают полное сопротивление Rt1 по формуле: Rt1=V1/I1. Используя полученные значения Rt1 и Rt2, рассчитывают удельное контактное сопротивление ρK по формуле, которую получают следующим образом.
Согласно формуле (1), для полных сопротивлений Rt1 и Rt2 фронтальных контактов с диаметрами, соответственно, d1 и d2 (d1≠d2) можно записать соотношения:
где 
и 
- площади фронтальных контактов с диаметрами d1 и d2 соответственно, ƒ1(d1, h) и ƒ2(d2, h) - корректирующие функции для этих контактов, рассчитываемые по формуле (2) для заданных значений h, d1 и d2 соответственно.
Если d1<d2, то вычитание формулы (4) из формулы (3) дает соотношение:
Из соотношения (5) следует формула для расчета удельного контактного сопротивления ρK:
где Rt1 и Rt2 - измеренные полные сопротивления фронтальных контактов с диаметрами, соответственно, d1 и d2 (d1≠d2); SK1 и SK2 - площади этих контактов; ρ - известное удельное сопротивление полупроводника; ƒ1(d1, h) и ƒ2(d2, h) - корректирующие функции для фронтальных контактов с диаметрами, соответственно, d1 и d2 (d1≠d2), рассчитываемые по формуле (2) для заданных значений h, d1 и d2 соответственно.
Процесс контроля удельного сопротивления омических контактов к полупроводниковым слоям существенно облегчается при использовании расчетных данных, касающихся контактного RK и полного Rt сопротивлений (а также их отношений RK/Rt) тестовой структуры с различными диаметрами фронтальных контактов и с различной толщиной полупроводниковой пластины 8, имеющей различные значения удельного сопротивления.
В таблице 1 приведены данные о контактном Rk и полном Rt сопротивления тестовой структуры с различными диаметрами фронтальных контактов и с различной толщиной полупроводниковой пластины, имеющей удельное сопротивление
ρ=1,0 Ом*см (ρk=0,01 Ом*см2)
В таблице 2 приведены данные о контактном Rk и полном Rt сопротивления тестовой структуры с различными диаметрами фронтальных контактов и с различной толщиной полупроводниковой пластины, имеющей удельное сопротивление
ρ=0,1 Ом*см (ρk=0,001 Ом*см2)
Из приведенных в таблицах 1 и 2 данных следует, что величина ожидаемого в эксперименте полного сопротивления R, тестовой структуры с различными толщинами полупроводниковой пластины очень сильно уменьшается при увеличении диаметра d фронтального контакта, что обусловлено сильным уменьшением как контактного сопротивления RK, так и сопротивления растекания ρ⋅ƒ(d, h) с ростом диаметра d фронтального контакта. При этом, как это видно из фиг. 2, вклад контактного сопротивления RK в полное сопротивление Rt тестовой структуры наибольший при значениях диаметра d фронтального контакта, лежащих в интервале 40÷1040 мкм. Более высокий вклад контактного сопротивления RK в полное сопротивление Rt тестовой структуры, а также более высокие значения полного сопротивления Rt тестовой структуры при значениях диаметра d фронтального контакта, лежащих в интервале 40÷1040 мкм, способствуют более эффективному процессу контроля удельного сопротивления омических контактов к полупроводниковым пластинам. В свою очередь расположение тестовой структуры на электропроводящем слое на плоском полированном стеклянном основании обеспечивает низкоомное соединение электрического зонда (контактирующего с электропроводящим слоем) с тыльным контактом тестовой структуры и уменьшает вероятность повреждения (ломки) тонких полупроводниковых пластин при проведении контроля удельного сопротивления омических контактов к тонким полупроводниковым пластинам. Кроме этого применение, по крайней мере, только двух фронтальных омических контактов для измерения полных сопротивлений Rt1 и Rt2 этих контактов и последующий расчет удельного контактного сопротивления ρK на основе использования этих величин позволяет исключить операцию экстраполяции графиков при определении ρK.
Таким образом, решается техническая задача упрощение изготовления тестовой структуры устройства и расширение функциональных возможностей за счет использования метода Кокса-Стрека.
Claims (1)
- Устройство для контроля удельного сопротивления омических контактов к полупроводниковым слоям, содержащее источник тока, измерители тока и напряжения, два зонда и тестовую структуру, имеющую омические контакты в виде дисков на фронтальной стороне полупроводниковой пластины толщиной, лежащей в интервале 100÷400 мкм, и сплошной тыльный омический контакт на ее обратной стороне, отличающееся тем, что тестовая структура содержит на ее фронтальной стороне, по крайней мере, два омических контакта с различными диаметрами, лежащими в интервале 40÷1040 мкм, и расположена на электропроводящем слое на стеклянном основании.
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| RU2018112920U RU186972U1 (ru) | 2018-04-09 | 2018-04-09 | Устройство для контроля удельного сопротивления омических контактов к полупроводниковым слоям |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| RU2018112920U RU186972U1 (ru) | 2018-04-09 | 2018-04-09 | Устройство для контроля удельного сопротивления омических контактов к полупроводниковым слоям |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| RU186972U1 true RU186972U1 (ru) | 2019-02-12 |
Family
ID=65442126
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| RU2018112920U RU186972U1 (ru) | 2018-04-09 | 2018-04-09 | Устройство для контроля удельного сопротивления омических контактов к полупроводниковым слоям |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| RU (1) | RU186972U1 (ru) |
Cited By (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| RU2725105C1 (ru) * | 2019-12-27 | 2020-06-29 | Федеральное государственное автономное образовательное учреждение высшего образования "Национальный исследовательский технологический университет "МИСиС" | Способ измерения переходного контактного сопротивления омического контакта |
| RU2769095C1 (ru) * | 2020-12-14 | 2022-03-28 | Публичное акционерное общество "Газпром" | Измеритель вариаций электропроводимости |
Citations (5)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US3487301A (en) * | 1968-03-04 | 1969-12-30 | Ibm | Measurement of semiconductor resistivity profiles by measuring voltages,calculating apparent resistivities and applying correction factors |
| RU2006984C1 (ru) * | 1990-09-27 | 1994-01-30 | Институт физики полупроводников СО РАН | Способ отбраковки полупроводниковых структур на полуизолирующих подложках по степени проявления эффекта обратного управления |
| GB2307345A (en) * | 1993-03-02 | 1997-05-21 | Samsung Electronics Co Ltd | Semiconductor device contact structure |
| US9201094B2 (en) * | 2012-12-10 | 2015-12-01 | Toyota Jidosha Kabushiki Kaisha | Wafer examination device and wafer examination method |
| JP6045842B2 (ja) * | 2012-07-31 | 2016-12-14 | 株式会社国際電気セミコンダクターサービス | 抵抗率測定装置および方法 |
-
2018
- 2018-04-09 RU RU2018112920U patent/RU186972U1/ru active
Patent Citations (5)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US3487301A (en) * | 1968-03-04 | 1969-12-30 | Ibm | Measurement of semiconductor resistivity profiles by measuring voltages,calculating apparent resistivities and applying correction factors |
| RU2006984C1 (ru) * | 1990-09-27 | 1994-01-30 | Институт физики полупроводников СО РАН | Способ отбраковки полупроводниковых структур на полуизолирующих подложках по степени проявления эффекта обратного управления |
| GB2307345A (en) * | 1993-03-02 | 1997-05-21 | Samsung Electronics Co Ltd | Semiconductor device contact structure |
| JP6045842B2 (ja) * | 2012-07-31 | 2016-12-14 | 株式会社国際電気セミコンダクターサービス | 抵抗率測定装置および方法 |
| US9201094B2 (en) * | 2012-12-10 | 2015-12-01 | Toyota Jidosha Kabushiki Kaisha | Wafer examination device and wafer examination method |
Cited By (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| RU2725105C1 (ru) * | 2019-12-27 | 2020-06-29 | Федеральное государственное автономное образовательное учреждение высшего образования "Национальный исследовательский технологический университет "МИСиС" | Способ измерения переходного контактного сопротивления омического контакта |
| RU2769095C1 (ru) * | 2020-12-14 | 2022-03-28 | Публичное акционерное общество "Газпром" | Измеритель вариаций электропроводимости |
Similar Documents
| Publication | Publication Date | Title |
|---|---|---|
| RU186972U1 (ru) | Устройство для контроля удельного сопротивления омических контактов к полупроводниковым слоям | |
| TW506942B (en) | Gas sensor and fabrication method thereof | |
| CN102914560A (zh) | 一种测量薄膜热电性能参数的装置和方法 | |
| CN106768493A (zh) | 一种串联供电的薄膜热阻式热流传感器 | |
| CN108169279A (zh) | 一种基于vo2薄膜的薄膜热导率测量装置及方法 | |
| WO2018176549A1 (zh) | 气敏电阻的制造方法及使用该方法制造的气体传感器 | |
| CN106684008B (zh) | 半导体器件的可靠性测试结构及其测试方法 | |
| CN101620192A (zh) | 一种用于测量薄膜导热率的测试结构 | |
| CN109444551B (zh) | 半导体方块电阻的测试方法及测试电路 | |
| JP2010529471A (ja) | 純抵抗性物質の層のしきい値厚さを測定するための方法、それを実行するための装置、および該装置の排気管における使用 | |
| Vandamme | Characterization of contact interface, film sheet resistance and 1/f noise with circular contacts | |
| CN110455429A (zh) | 一种利用磁隧道结瞬时测量温度的装置及方法 | |
| CN205810498U (zh) | 分流电阻器 | |
| JP2006514278A5 (ru) | ||
| CN103713013B (zh) | 测试管状材料轴向导热系数的装置 | |
| CN110196115A (zh) | 一种利用磁隧道结磁电阻测量温度的方法 | |
| RU166138U1 (ru) | Устройство для контроля поверхностного сопротивления металлических пленок | |
| CN107887291A (zh) | 连接通孔的电迁移寿命时间测试装置及其测试方法 | |
| CN110220608A (zh) | 一种利用磁隧道结参考层矫顽场测量温度的方法 | |
| JP2007040917A (ja) | 温度測定方法及びその装置 | |
| CN110617894B (zh) | 一种集成电路中金属线温度测量方法 | |
| RU2725105C1 (ru) | Способ измерения переходного контактного сопротивления омического контакта | |
| CN219303681U (zh) | 集成温度监测结构的红外探测器 | |
| CN108152699A (zh) | 接触孔的电迁移寿命时间测试装置及其测试方法 | |
| CN110375871A (zh) | 基于温差电效应的表面温度测量方法 |