CN205810498U - 分流电阻器 - Google Patents
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Abstract
本实用新型公开分流电阻器,包括由相连的上部T2紫铜导电片、锰铜片与下部T2紫铜导电片构成的电阻体,下部T2紫铜导电片设有引脚,锰铜片中部两侧均设有凹口,两侧的凹口处分别设有朝内的切口,形成调阻区;引脚包括四个;采用多向切口调阻结构,每个切口均可以实现电阻阻值精密调节,保证了电阻的高精度;同时,使电阻导电带宽度均匀,通过的电流密度也均匀,保证了产品精度、使用功率及长期使用的稳定性;而且在保证了产品功率的前提下,凹口深入锰铜片,彻底解决了T2铜与电子束焊焊缝对电阻温度系数的影响,实现了低温度系数;四个引脚的设计相比两个终端端子测量能够进行更精确的测量电阻阻值,消除接触电阻与连线电阻,提高电阻器的整体性能。
Description
技术领域
本实用新型涉及电子元器件领域,具体是一种分流电阻器。
背景技术
分流电阻器广泛应用于数字式电度表、高精密测试仪表、以及所有对电流进行测量、取样、分流的各种仪器仪表中,也可作为电流传感器的主要部件。目前传统的分流电阻器精度较低,且温度系数偏高,难以满足更高的要求。
实用新型内容
本实用新型的目的在于提供一种分流电阻器,该电阻器精度高、温度系数低,并且能够消除接触电阻与连线电阻,提高电阻器的整体性能。
本实用新型解决其技术问题所采用的技术方案是:
分流电阻器,包括由相连的上部T2紫铜导电片、锰铜片与下部T2紫铜导电片构成的电阻体,下部T2紫铜导电片设有引脚;所述锰铜片中部两侧均设有凹口,两侧的凹口处分别设有朝内的切口,形成调阻区;所述引脚包括四个。
进一步的,所述分流电阻器还包括将电阻体包覆的硅酮模压壳体,所述引脚伸出硅酮模压壳体外。
进一步的,所述引脚上电镀有锡层。
本实用新型的有益效果是:
一、采用多向切口调阻结构,每个切口均可以实现电阻阻值精密调节,保证了电阻的高精度;同时,多向切口结构,避免了单侧调阻过度造成的局部导电带过窄的问题,使电阻导电带宽度均匀,通过的电流密度也均匀,整个电阻体不会出现局部发热过高的问题,保证了产品精度、使用功率及长期使用的稳定性;
二、在采用多向切口调阻结构,保证了产品功率的前提下;凹口深入锰铜片,将T2紫铜导电片和锰铜片的焊接共融区域完全去除,彻底解决了T2铜与电子束焊焊缝对电阻温度系数的影响,实现了低温度系数;
三、由于本电阻是毫欧级电阻,属于低阻值测量系统,在低阻测量中,因测量电路中总是存在接触电阻与连线电阻,其大小约为0.01Ω数量级,但待测电阻≤0.001Ω,接触电阻与连线电阻使得测量结果失去正确性。因此,本实用新型采用四个引脚的设计,利用开尔文四线检测原理,它是一种电阻抗测量技术,使用单独的对载电流和电压检测电极,相比两个终端端子测量能够进行更精确的测量电阻阻值,从而消除接触电阻与连线电阻;
四、增加硅酮模压壳体,相对于传统的裸片、涂漆或注塑方式,耐温与热传导性能都有了明显提高。
五、采用电镀工艺对引脚进行镀锡处理,相对于传统的不处理或搪锡处理,使得锡层厚度一致,方便焊接。
附图说明
下面结合附图和实施例对本实用新型进一步说明:
图1是本实用新型的结构示意图;
图2是本实用新型电阻体的示意图。
具体实施方式
结合图1与图2所示,本实用新型提供一种分流电阻器,包括由相连的上部T2紫铜导电片1、锰铜片2与下部T2紫铜导电片3构成的电阻体,下部T2紫铜导电片3设有引脚4;所述锰铜片2中部两侧均设有凹口5,两侧的凹口处分别设有朝内的切口6,形成调阻区;所述引脚4包括四个。所述分流电阻器还包括将电阻体包覆的硅酮模压壳体7,引脚4伸出硅酮模压壳体7外;引脚4上还电镀有锡层8。
具体制造时,可将两条T2紫铜带与一条锰铜带采用电子束焊接工艺制成条状电阻体带材,再经过退火等工艺,最后按所需电阻体的形状整体冲压成型。
以上所述,仅是本实用新型的较佳实施例而已,并非对本实用新型作任何形式上的限制;任何熟悉本领域的技术人员,在不脱离本实用新型技术方案范围情况下,都可利用上述揭示的方法和技术内容对本实用新型技术方案做出许多可能的变动和修饰,或修改为等同变化的等效实施例。因此,凡是未脱离本实用新型技术方案的内容,依据本实用新型的技术实质对以上实施例所做的任何简单修改、等同替换、等效变化及修饰,均仍属于本实用新型技术方案保护的范围内。
Claims (3)
1.分流电阻器,包括由相连的上部T2紫铜导电片、锰铜片与下部T2紫铜导电片构成的电阻体,下部T2紫铜导电片设有引脚,其特征在于,所述锰铜片中部两侧均设有凹口,两侧的凹口处分别设有朝内的切口,形成调阻区;所述引脚包括四个。
2.根据权利要求1所述的分流电阻器,其特征在于,所述分流电阻器还包括将电阻体包覆的硅酮模压壳体,所述引脚伸出硅酮模压壳体外。
3.根据权利要求1或2所述的分流电阻器,其特征在于,所述引脚上电镀有锡层。
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