JP2014025088A - 銅のマイクロエッチング剤及びその補給液、並びに配線基板の製造方法 - Google Patents

銅のマイクロエッチング剤及びその補給液、並びに配線基板の製造方法 Download PDF

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Abstract

【課題】低エッチング量でも銅と樹脂等との密着性を維持できるマイクロエッチング剤及びこのマイクロエッチング剤に添加される補給液、並びに前記マイクロエッチング剤を用いた配線基板の製造方法を提供する。
【解決手段】本発明の銅のマイクロエッチング剤は、第二銅イオン、有機酸、ハロゲン化物イオン、分子量17〜400のアミノ基含有化合物及びポリマーを含む水溶液からなる。前記ポリマーは、ポリアミン鎖及び/又はカチオン性基を有し、かつ重量平均分子量が1000以上の水溶性ポリマーである。本発明のマイクロエッチング剤は、前記アミノ基含有化合物の濃度をA重量%とし、前記ポリマーの濃度をB重量%としたときに、A/Bの値が50〜6000である。
【選択図】図4

Description

本発明は、銅のマイクロエッチング剤及びその補給液、並びに配線基板の製造方法に関する。
プリント配線基板の製造において、銅表面をエッチングレジストやソルダーレジスト等で被覆する際、密着性を向上させるために銅表面を粗化することが行われている。粗化の方法としては、下記特許文献1に記載された特定の高分子化合物を含むマイクロエッチング剤や、下記特許文献2に記載された特定の有機酸を含むマイクロエッチング剤により銅表面を粗化する方法が知られている。これらの粗化方法によれば、銅表面に深い凹凸が形成されるため、ソルダーレジスト等との密着性を向上させることができる。
特開平9−41162号公報 特開平9−41163号公報
近年、プリント配線基板の銅配線の狭ピッチ化(微細配線化)が急速に進んできており、ソルダーレジスト等との密着性を向上させる目的で銅配線表面をマイクロエッチング剤で粗化すると、エッチング量によっては銅配線の幅が狭くなることによる高抵抗化や、断線等といった不具合が生じるおそれがある。そのため、低エッチング量でもソルダーレジスト等との密着性を維持できるマイクロエッチング剤の開発が要請されている。なお、「エッチング量」とは、深さ方向の平均エッチング量(溶解量)を指し、マイクロエッチング剤により溶解した銅の重量、比重及び銅表面の前面投影面積から算出される値である。以下の「エッチング量」についても同様である。
上記特許文献1及び特許文献2に記載のマイクロエッチング剤は、銅表面に深い凹凸を形成することにより密着性を向上させるものである。そのため、ソルダーレジスト等の樹脂との密着性を維持するには、ある程度のエッチング量(例えば1.5μm以上)が必要とされる。そのため、微細配線が必要なプリント配線基板においては、銅配線の高抵抗化を抑制することが困難となる可能性がある。
本発明は、上記のような従来技術の問題点に鑑みてなされたものであり、低エッチング量でも銅と樹脂等との密着性を維持できるマイクロエッチング剤、及びこのマイクロエッチング剤に添加される補給液、並びに前記マイクロエッチング剤を用いた配線基板の製造方法を提供する。
本発明の銅のマイクロエッチング剤は、第二銅イオン、有機酸、ハロゲン化物イオン、分子量17〜400のアミノ基含有化合物及びポリマーを含む水溶液からなる。前記ポリマーは、ポリアミン鎖及び/又はカチオン性基を有し、かつ重量平均分子量が1000以上の水溶性ポリマーである。本発明のマイクロエッチング剤は、前記アミノ基含有化合物の濃度をA重量%とし、前記ポリマーの濃度をB重量%としたときに、A/Bの値が50〜6000である。
本発明の配線基板の製造方法は、銅層を含む配線基板を製造する配線基板の製造方法であって、前記銅層の表面に前記本発明のマイクロエッチング剤を接触させて前記表面を粗化する粗化処理工程を有する。
本発明の補給液は、前記本発明の製造方法において前記マイクロエッチング剤に添加される補給液であって、有機酸、ハロゲン化物イオン、分子量17〜400のアミノ基含有化合物及びポリマーを含む水溶液からなる。前記ポリマーは、ポリアミン鎖及び/又はカチオン性基を有し、かつ重量平均分子量が1000以上の水溶性ポリマーである。
なお、前記本発明における「銅」は、銅からなるものであってもよく、銅合金からなるものであってもよい。また、本明細書において「銅」は、銅又は銅合金を指す。また、前記本発明における「銅層」は、銅配線パターン層も含む。
本発明によれば、銅層の表面に細かい凹凸を形成できるため、低エッチング量でも銅と樹脂等との密着性を維持できる。これにより、例えば微細配線が必要なプリント配線基板のソルダーレジスト被覆工程の前処理に適用した場合は、銅配線の高抵抗化を抑制することができる。
はんだ耐熱性試験において、評価結果◎のテストピースの表面写真。 はんだ耐熱性試験において、評価結果〇のテストピースの表面写真。 はんだ耐熱性試験において、評価結果×のテストピースの表面写真。 一実施例のマイクロエッチング剤により粗化処理された銅箔の表面の走査型電子顕微鏡写真(撮影角度45°、倍率3500倍)。 一実施例のマイクロエッチング剤により粗化処理された銅箔の表面の走査型電子顕微鏡写真(撮影角度真上、倍率3500倍)。 一実施例のマイクロエッチング剤により粗化処理された銅箔の断面の走査型電子顕微鏡写真(倍率10000倍)。 比較例のマイクロエッチング剤により粗化処理された銅箔の表面の走査型電子顕微鏡写真(撮影角度45°、倍率3500倍)。
<マイクロエッチング剤>
本発明の銅のマイクロエッチング剤は、第二銅イオン、有機酸、ハロゲン化物イオン、分子量17〜400のアミノ基含有化合物(以下、単に「アミノ基含有化合物」ともいう)及びポリマーを含む水溶液からなる。以下、本発明の銅のマイクロエッチング剤に含まれる各成分について説明する。
(第二銅イオン)
第二銅イオンは、銅を酸化するための酸化剤として作用するものであり、第二銅イオン源を配合することによって、マイクロエッチング剤中に含有させることができる。第二銅イオン源としては、例えば有機酸の銅塩や、塩化第二銅、臭化第二銅、水酸化第二銅、酸化第二銅等があげられる。前記銅塩を形成する有機酸は特に限定されないが、エッチング速度を適正に維持する観点から、後述するpKaが5以下の有機酸が好ましい。前記第二銅イオン源は2種以上を併用してもよい。
第二銅イオンの濃度は、エッチング速度を適正に維持する観点から、0.01〜20重量%が好ましく、0.1〜10重量%がより好ましい。
(有機酸)
有機酸は、第二銅イオンによって酸化された銅を溶解させる機能を有すると共に、pH調整の機能も有する。酸化された銅の溶解性の観点から、pKaが5以下の有機酸を使用することが好ましい。pKaが5以下の有機酸としては、蟻酸、酢酸、プロピオン酸、酪酸、吉草酸、カプロン酸等の飽和脂肪酸;アクリル酸、クロトン酸、イソクロトン酸等の不飽和脂肪酸;シュウ酸、マロン酸、コハク酸、グルタル酸、アジピン酸、ピメリン酸等の脂肪族飽和ジカルボン酸;マレイン酸等の脂肪族不飽和ジカルボン酸;安息香酸、フタル酸、桂皮酸等の芳香族カルボン酸;グリコール酸、乳酸、リンゴ酸、クエン酸等のオキシカルボン酸、スルファミン酸、β−クロロプロピオン酸、ニコチン酸、アスコルビン酸、ヒドロキシピバリン酸、レブリン酸等の置換基を有するカルボン酸;及びそれらの誘導体等があげられる。前記有機酸は2種以上を併用してもよい。
マイクロエッチング剤中の有機酸の濃度は、酸化された銅の溶解性の観点から、0.1〜30重量%が好ましく、0.5〜25重量%がより好ましい。
(ハロゲン化物イオン)
ハロゲン化物イオンは、銅の溶解を補助し、密着性に優れた銅層表面を形成する機能を有し、ハロゲン化物イオン源を配合することによって、マイクロエッチング剤中に含有させることができる。ハロゲン化物イオン源としては、例えば塩化物イオン、臭化物イオン等のイオン源が例示できる。具体的には、塩酸、臭化水素酸、塩化ナトリウム、塩化カルシウム、塩化カリウム、塩化アンモニウム、臭化カリウム、臭化ナトリウム、塩化銅、臭化銅、塩化亜鉛、塩化鉄、臭化錫等が挙げられる。ハロゲン化物イオン源としては、これらの他、溶液中でハロゲン化物イオンを解離しうる化合物が挙げられる。前記ハロゲン化物イオン源は2種以上を併用してもよい。なかでも、密着性に優れた銅層表面を形成する観点から、塩化物イオン源を配合することが好ましい。なお、例えば塩化第二銅は、ハロゲン化物イオン源と第二銅イオン源の両方の作用を有するものとして使用することができる。
マイクロエッチング剤中のハロゲン化物イオンの濃度は、密着性に優れた銅層表面を形成する観点から、0.01〜20重量%が好ましく、0.1〜20重量%がより好ましい。
(アミノ基含有化合物)
アミノ基含有化合物は、後述するポリマーと共に、銅層表面に細かい凹凸を形成するために配合される。アミノ基含有化合物としては、分子量17〜400であり、かつアミノ基を有する化合物である限り特に限定されないが、溶解性の観点から、分子量17〜250のアミノ基を有する化合物が好ましい。上記「アミノ基」とは、−NH、−NHR、及び−NRR’のいずれかを指し、上記R、R’はそれぞれ独立に置換基を有しても良い炭化水素基を指す。なお、本発明で用いられるアミノ基含有化合物は、上述した有機酸、及び後述するポリマーの低分子量成分とは異なる化合物である。
アミノ基含有化合物の具体例としては、アンモニア、アンモニウムイオン、メチルアミン、ジメチルアミン、トリメチルアミン、エチルアミン、ジエチルアミン、トリエチルアミン、エチレンジアミン、アニリン、モノエタノールアミン、ジエタノールアミン、トリエタノールアミン、N−メチルジエタノールアミン等が例示できる。アンモニウムイオン等のイオンは、そのイオン源を配合することによって、マイクロエッチング剤中に含有させることができる。アミノ基含有化合物は2種以上を併用してもよい。なかでも、銅層表面に細かい凹凸を形成する観点から、アンモニア、アンモニウムイオン及びエチレンジアミンから選ばれる1種以上が好ましい。なお、例えば塩化アンモニウムは、ハロゲン化物イオン源とアンモニウムイオン源の両方の作用を有するものとして使用することができる。
マイクロエッチング剤中のアミノ基含有化合物の濃度は、銅層表面に細かい凹凸を形成する観点から、0.005〜20重量%が好ましく、0.1〜10重量%がより好ましい。
(ポリマー)
本発明で用いられるポリマーは、ポリアミン鎖及び/又はカチオン性基を有し、かつ重量平均分子量が1000以上の水溶性ポリマーである。前記ポリマーは、上述したアミノ基含有化合物と共に、銅層表面に細かい凹凸を形成するために配合される。水溶性の観点から、重量平均分子量が1000から五百万のポリマーが好ましい。なお、上記「重量平均分子量」は、ゲル浸透クロマトグラフ分析によりポリエチレングリコール換算で得られる値である。
前記ポリマーの具体例としては、第4級アンモニウム塩型スチレン重合体、第4級アンモニウム塩型アミノアルキル(メタ)アクリレート重合体、第4級アンモニウム塩型ジアリルアミン重合体、第4級アンモニウム塩型ジアリルアミン−アクリルアミド共重合体等の第4級アンモニウム塩型ポリマーや、ポリエチレンイミン、ポリアルキレンポリアミン、アミノアルキルアクリルアミドの塩の重合体、カチオン性セルロース誘導体等があげられる。前記塩としては、例えば塩酸塩等があげられる。前記ポリマーは、2種以上を併用してもよい。なかでも銅層表面に細かい凹凸を形成する観点から、第4級アンモニウム塩型ポリマー、ポリエチレンイミン及びポリアルキレンポリアミンから選ばれる1種以上が好ましい。また、前記ポリマーとしては、樹脂や繊維の帯電防止剤、廃水処理用の高分子凝集剤、毛髪用リンスのコンディショニング成分等として市販されているものを用いてもよい。
マイクロエッチング剤中の前記ポリマーの濃度は、銅層表面に細かい凹凸を形成する観点から、0.0001〜0.01重量%が好ましく、0.0002〜0.005重量%がより好ましい。
本発明では、前記アミノ基含有化合物の濃度をA重量%とし、前記ポリマーの濃度をB重量%としたときに、A/Bの値が50〜6000となるように両成分を配合する。これにより、銅層表面に、樹脂との密着に適した細かい凹凸が形成されるために、低エッチング量でも銅と樹脂との密着性を維持できる。よって、本発明のマイクロエッチング剤を例えば微細配線が必要なプリント配線基板のソルダーレジスト被覆工程の前処理に適用した場合は、銅配線幅を容易に維持できるため、銅配線の高抵抗化を抑制することができる。また、エッチング量を減らすことができるため、マイクロエッチング剤の更新頻度を減らすことができる。これにより、ランニングコストの低減が容易となる。銅層表面に細かい凹凸を形成する観点から、上記A/Bの値は、好ましくは100〜6000、より好ましくは300〜6000である。
また、本発明では、前記ハロゲン化物イオンの濃度をC重量%とし、前記ポリマーの濃度をB重量%としたときに、C/Bの値が1500〜15000であることが好ましく、1600〜15000であることがより好ましく、1800〜15000であることがさらに好ましい。C/Bの値が前記範囲であれば、樹脂との密着に適した細かい凹凸が銅層表面に形成され易くなる。同様の観点から、前記第二銅イオンの濃度をD重量%とし、前記ポリマーの濃度をB重量%としたときに、D/Bの値が1500〜10000であることが好ましく、1500〜9500であることがより好ましく、1500〜9000であることがさらに好ましい。
(他の添加剤)
本発明のマイクロエッチング剤には、上記以外の成分が含まれていてもよい。例えば、本発明のマイクロエッチング剤には、消泡剤としてノニオン性界面活性剤を添加してもよい。なお、本発明で使用できるノニオン性界面活性剤は、ポリアミン鎖を有していないものである。また、粗化処理中のpHの変動を少なくするために有機酸のナトリウム塩やカリウム塩等の塩を添加してもよく、銅の溶解安定性を向上させるためにピリジン等の錯化剤を添加してもよい。その他必要に応じて種々の添加剤を添加してもよい。これらの添加剤を添加する場合、マイクロエッチング剤中の添加剤の濃度は、0.0001〜20重量%程度である。
本発明のマイクロエッチング剤は、前記の各成分をイオン交換水等に溶解させることにより容易に調製することができる。
<配線基板の製造方法>
本発明の配線基板の製造方法は、銅層を含む配線基板を製造する配線基板の製造方法であって、前記銅層の表面に上述した本発明のマイクロエッチング剤を接触させて前記表面を粗化する粗化処理工程を有する。なお、銅層を複数層含む配線基板を製造する場合は、複数の銅層のうち一層だけを本発明のマイクロエッチング剤で処理してもよく、二層以上の銅層を本発明のマイクロエッチング剤で処理してもよい。
前記粗化処理工程は特に限定されないが、例えば処理される銅層表面にマイクロエッチング剤をスプレーする方法や、処理される銅層をマイクロエッチング剤中に浸漬する方法等があげられる。スプレーする場合は、マイクロエッチング剤の温度を10〜40℃とし、スプレー圧0.03〜0.3MPaで5〜120秒間の条件でエッチングすることが好ましい。浸漬する場合は、マイクロエッチング剤の温度を10〜40℃とし、5〜120秒間の条件でエッチングすることが好ましい。なお、浸漬する場合には、銅のエッチングによってマイクロエッチング剤中に生成した第一銅イオンを第二銅イオンに酸化するために、バブリング等によりマイクロエッチング剤中に空気の吹き込みを行うことが好ましい。なお、本発明のマイクロエッチング剤は、使用後の廃液処理が容易であり、例えば中和、高分子凝集剤等を利用する一般的な簡便な方法で処理できる。
本発明では、前記マイクロエッチング剤に接触させた後の前記銅層の表面のL*値が、70以下であることが好ましく、40〜70であることがより好ましい。L*値は、L***表色系(JIS Z 8729)における明度L*であり、後述する実施例に記載の方法で測定される。L*値が小さいほど銅層表面の凹凸が細かくなる傾向がある。また、銅層表面に樹脂との密着に適した細かい凹凸が形成されている場合、L*値が前記範囲内となる傾向がある。
前記銅層の表面のL*値は、マイクロエッチング剤の配合比率を調整したり、エッチング量を調整したりすることにより、上記範囲内に制御することができる。すなわち、本発明の一実施形態では、銅層表面のL*値が前記範囲となるように、マイクロエッチング剤の配合比を調製したり、エッチング量(エッチング時間)を調整することができる。例えば、本発明の製造方法において、マイクロエッチング剤で銅層表面を粗化処理した後、粗化処理後の銅層表面のL*値をモニターしながら、後述する補給液の添加量や補給液の添加のタイミングを制御することもできる。なお、L*値は銅層表面の凹凸形状を評価するための指標の1つであり、必ずしも銅層表面の凹凸形状や凹凸の大きさと1対1で対応するものではない。そのため、樹脂等との密着に最適な銅層表面のL*値は、マイクロエッチング剤の組成等に応じて変化する場合がある。
本発明では、樹脂との密着性を向上させる観点から、前記銅層の表面を粗化する際のエッチング量が、0.05μm以上であることが好ましく、0.15μm以上であることがより好ましい。また、微細配線が必要なプリント配線基板のソルダーレジスト被覆工程の前処理等において、エッチング量を低減して配線の高抵抗化や断線を抑制する観点から、エッチング量が1.0μm以下であることが好ましく、0.7μm以下であることがより好ましい。これらを総合すると、銅層の表面を粗化する際のエッチング量は、0.05〜1.0μmであることが好ましく、0.15〜0.7μmであることがより好ましい。
本発明では、前記粗化処理工程後、生成したスマットを除去するために、粗化した銅層の表面を酸性水溶液で洗浄することが好ましい。洗浄に使用する酸性水溶液としては、塩酸、硫酸水溶液、硝酸水溶液等が使用できるが、粗化形状への影響が少なく、スマットの除去性も高いことから塩酸が好ましい。スマットの除去性の観点から、前記酸性水溶液の酸濃度は、0.3〜35重量%であることが好ましく、1〜10重量%であることがより好ましい。洗浄方法は特に限定されず、粗化した銅層表面に酸性水溶液をスプレーする方法や、粗化した銅層を酸性水溶液中に浸漬する方法等があげられる。スプレーする場合は、酸性水溶液の温度を15〜35℃とし、スプレー圧0.03〜0.3MPaで3〜30秒間の条件で洗浄することが好ましい。浸漬する場合は、酸性水溶液の温度を15〜35℃とし、3〜30秒間の条件で洗浄することが好ましい。
前記粗化処理工程は、前記マイクロエッチング剤に、有機酸、ハロゲン化物イオン、分子量17〜400のアミノ基含有化合物及びポリマーを含む水溶液からなる補給液を添加しながら前記銅層の表面を粗化する工程であることが好ましい。これにより、処理中のマイクロエッチング剤中の各成分の濃度を適正に維持することができる。補給液を添加するタイミングについては、各成分の濃度管理幅等に応じて適宜設定すればよい。補給液中の各成分は、上述した本発明のマイクロエッチング剤に含まれる成分と同様である。
前記補給液中の各成分の濃度は、処理に用いるマイクロエッチング剤の初期濃度等に応じて適宜調整されるが、例えば有機酸0.5〜30重量%、ハロゲン化物イオン0.1〜20重量%、分子量17〜400のアミノ基含有化合物0.05〜20重量%、及びポリマー0.0001〜0.02重量%の範囲であれば、処理中のマイクロエッチング剤中の各成分の濃度を容易に維持することができる。
前記補給液は、前記の各成分をイオン交換水等に溶解させることにより容易に調製することができる。
本発明のマイクロエッチング剤による処理の後、樹脂との密着性をさらに向上させるために、例えば米国特許第3645772号明細書に開示されているように、アゾール類の水溶液やアルコール溶液で処理してもよい。また、本発明のマイクロエッチング剤による処理の後、ブラウンオキサイド処理やブラックオキサイド処理とよばれる酸化処理を行なってもよい。
本発明のマイクロエッチング剤は銅層表面の粗化等に広く使用することができる。特に処理された銅層の表面には細かい凹凸が形成されており、プリプレグ、ソルダーレジスト、ドライフィルムレジスト、電着レジスト等の樹脂との密着性が良好である。また、はんだ付け性にも優れた表面であるため、ピングリッドアレイ(PGA)用やボールグリッドアレイ(BGA)用を含む種々のプリント配線基板の製造に特に有用である。さらにリードフレームの表面処理にも有用である。なかでも、微細配線が必要なプリント配線基板のソルダーレジスト被覆工程の前処理に適用した場合は、エッチング量を低減できるため、銅配線の高抵抗化を抑制することができる。
次に、本発明の実施例について比較例と併せて説明する。なお、本発明は下記の実施例に限定して解釈されるものではない。
<マイクロエッチング剤による処理>
厚み35μmの銅箔を絶縁基材の両面に張り合わせたガラス布エポキシ樹脂含浸銅張積層板(日立化成社製、製品名:MCL−E−67、10cm×10cm、厚み0.2mm)を試験基板として用意した。次に、表1−1〜表1−5に示す各マイクロエッチング剤(25℃)を用いて、スプレー圧0.05MPaの条件で上記試験基板の片面にスプレーし、当該試験基板の片面において0.5μmのエッチング量となるようにエッチング時間を調整してエッチングした。次いで、水洗を行い、温度25℃の塩酸(塩化水素濃度:3.5重量%)にエッチング処理面を10秒間浸漬した後、水洗を行い、乾燥させた。なお、表1−1〜表1−5に示す各マイクロエッチング剤の配合成分の残部はイオン交換水である。
<はんだ耐熱性試験による密着性評価>
上記乾燥後の試験基板のエッチング処理面に、ガラス布エポキシ樹脂含浸プリプレグ(日立化成社製、製品名:GEA−67N、厚さ0.1mm)を積層プレス(プレス圧:30MPa、温度:170℃、時間:60分)により張り合わせた。次いで、積層した基板の周辺部を切り取ってテストピースを作製した。このテストピースを120℃(相対湿度:100%)中に2時間放置した後、JIS C 6481に準じて220℃の溶融はんだ浴中に30秒間浸漬した。そして、浸漬後の各テストピースを目視にて観察して、膨れが全く見られなかったものを◎(図1参照)、最大径が1mm未満の膨れがあったものを○(図2参照)、最大径が1mm以上の膨れがあったものを×(図3参照)として評価した。結果を表1−1〜表1−5に示す。なお、銅箔と樹脂の密着性が良好であれば膨れは見られない。
<L*値による粗化面評価>
上記乾燥後の試験基板のエッチング処理面について、任意に3箇所選択し、コニカミノルタ社製色彩色差計(型式:CR−10)によりL*値を測定して、その平均値を算出した。結果を表1−1〜表1−5に示す。
表1−1〜表1−5の結果に示すように、0.5μmの低エッチング量であっても本発明の実施例はいずれも密着性評価が◎又は○と良好であった。一方、比較例はいずれも×の評価であった。この結果から、本発明によれば、低エッチング量でも銅と樹脂との密着性を維持できることが分かる。
実施例1および実施例2と比較例4および比較例5とを対比すると、これらの実施例および比較例のマイクロエッチング剤中に配合される化合物はいずれも同一であり、その配合量のみが異なっている。実施例1,2では密着性評価が◎であったのに対して、比較例4,5では、密着性評価が×であったことから、本発明においてはマイクロエッチング剤が所定の成分を含有するとともに、その配合比が所定範囲内とされることによって、低エッチング量でも銅と樹脂との密着性を維持できることが分かる。
<表面観察、断面観察>
厚み35μmの電解銅箔を前記実施例1のマイクロエッチング剤による処理と同様の条件で処理した後、処理後の銅箔の表面及び断面を走査型電子顕微鏡(SEM)(型式JSM−7000F、日本電子社製)で観察した。その際のSEM写真を図4〜図6に示す。同様に前記比較例2のマイクロエッチング剤による処理と同様の条件で厚み35μmの電解銅箔を処理し、その表面を走査型電子顕微鏡(SEM)(型式JSM−7000F、日本電子社製)で観察した。その際のSEM写真を図7に示す。図4と図7の比較から、本発明によれば、低エッチング量であっても銅層の表面全体に細かい凹凸を形成できることが分かる。本発明によれば、表面全体に細かい凹凸が多数形成されるために、銅層の表面積が大きくなり、低エッチング量であっても、樹脂等との高い密着性が得られるものと考えられる。

Claims (12)

  1. 第二銅イオン、有機酸、ハロゲン化物イオン、分子量17〜400のアミノ基含有化合物及びポリマーを含む水溶液からなる銅のマイクロエッチング剤であって、
    前記ポリマーは、ポリアミン鎖及び/又はカチオン性基を有し、かつ重量平均分子量が1000以上の水溶性ポリマーであり、
    前記アミノ基含有化合物の濃度をA重量%とし、前記ポリマーの濃度をB重量%としたときに、A/Bの値が50〜6000である、マイクロエッチング剤。
  2. 前記ハロゲン化物イオンの濃度をC重量%とし、前記ポリマーの濃度をB重量%としたときに、C/Bの値が1500〜15000である請求項1に記載のマイクロエッチング剤。
  3. 前記第二銅イオンの濃度をD重量%とし、前記ポリマーの濃度をB重量%としたときに、D/Bの値が1500〜10000である請求項1又は2に記載のマイクロエッチング剤。
  4. 前記ポリマーの濃度が0.0001〜0.01重量%である請求項1〜3のいずれか1項に記載のマイクロエッチング剤。
  5. 前記アミノ基含有化合物は、アンモニア、アンモニウムイオン及びエチレンジアミンから選ばれる1種以上である請求項1〜4のいずれか1項に記載のマイクロエッチング剤。
  6. 前記ポリマーは、第4級アンモニウム塩型ポリマー、ポリエチレンイミン及びポリアルキレンポリアミンから選ばれる1種以上である請求項1〜5のいずれか1項に記載のマイクロエッチング剤。
  7. 銅層を含む配線基板を製造する配線基板の製造方法であって、
    前記銅層の表面に請求項1〜6のいずれか1項に記載のマイクロエッチング剤を接触させて前記表面を粗化する粗化処理工程を有する、配線基板の製造方法。
  8. 前記マイクロエッチング剤に接触させた後の前記銅層の表面のL*値が、70以下である請求項7に記載の配線基板の製造方法。
  9. 前記銅層の表面を粗化する際の深さ方向の平均エッチング量が、0.05〜1.0μmである請求項7又は8に記載の配線基板の製造方法。
  10. 前記粗化処理工程後、粗化した銅層の表面を酸性水溶液で洗浄する請求項7〜9のいずれか1項に記載の配線基板の製造方法。
  11. 前記粗化処理工程は、前記マイクロエッチング剤に、有機酸、ハロゲン化物イオン、分子量17〜400のアミノ基含有化合物及びポリマーを含む水溶液からなる補給液を添加しながら前記銅層の表面を粗化する工程であり、
    前記補給液中の前記ポリマーは、ポリアミン鎖及び/又はカチオン性基を有し、かつ重量平均分子量が1000以上の水溶性ポリマーである請求項7〜10のいずれか1項に記載の配線基板の製造方法。
  12. 請求項11に記載の配線基板の製造方法において前記マイクロエッチング剤に添加される補給液であって、
    有機酸、ハロゲン化物イオン、分子量17〜400のアミノ基含有化合物及びポリマーを含む水溶液からなり、
    前記補給液中の前記ポリマーは、ポリアミン鎖及び/又はカチオン性基を有し、かつ重量平均分子量が1000以上の水溶性ポリマーである、補給液。
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CN201380000897.1A CN103781941B (zh) 2012-07-24 2013-03-04 铜微蚀刻液及其补充液、以及配线基板的制造方法
US14/110,535 US9441303B2 (en) 2012-07-24 2013-03-04 Microetching solution for copper, replenishment solution therefor and method for production of wiring board
ES13762721.2T ES2635384T3 (es) 2012-07-24 2013-03-04 Agente de microabrasión para el cobre, solución de reposición del mismo, y método para la producción de una placa de cableado
PCT/JP2013/055843 WO2014017115A1 (ja) 2012-07-24 2013-03-04 銅のマイクロエッチング剤及びその補給液、並びに配線基板の製造方法
TW102109459A TWI451000B (zh) 2012-07-24 2013-03-18 銅微蝕刻液及其補充液、以及配線基板之製造方法
HK14109790.7A HK1196406A1 (en) 2012-07-24 2014-09-29 Microetching agent for copper, replenishment solution thereof, and method for producing wiring board
US15/224,825 US9932678B2 (en) 2012-07-24 2016-08-01 Microetching solution for copper, replenishment solution therefor and method for production of wiring board

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Cited By (3)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPWO2016111036A1 (ja) * 2015-01-07 2017-10-19 太陽インキ製造株式会社 金属基材用表面処理剤
JP6333455B1 (ja) * 2017-08-23 2018-05-30 メック株式会社 銅のマイクロエッチング剤および配線基板の製造方法
WO2019058835A1 (ja) * 2017-09-22 2019-03-28 メック株式会社 銅のマイクロエッチング剤、銅表面の粗化方法および配線基板の製造方法

Families Citing this family (17)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
CN104575869B (zh) * 2015-01-12 2017-01-11 北京大学 透明导电电极的图案化刻蚀方法和图案化透明导电电极
EP3159432B1 (en) * 2015-10-23 2020-08-05 ATOTECH Deutschland GmbH Surface treatment agent for copper and copper alloy surfaces
EP3184669B1 (en) * 2015-12-23 2018-07-18 ATOTECH Deutschland GmbH Etching solution for copper and copper alloy surfaces
JP6218000B2 (ja) * 2016-02-19 2017-10-25 メック株式会社 銅のマイクロエッチング剤および配線基板の製造方法
US10831101B2 (en) 2016-03-31 2020-11-10 Asahi Kasei Kabushiki Kaisha Photosensitive resin composition, method for manufacturing cured relief pattern, and semiconductor apparatus
CN107371338B (zh) * 2016-05-13 2019-08-20 苏州卫鹏机电科技有限公司 一种超薄金属层的印刷线路板的制备方法
KR102368969B1 (ko) * 2017-03-30 2022-03-02 동우 화인켐 주식회사 식각액 조성물 및 이를 이용한 디스플레이 장치용 어레이 기판의 제조방법
CN111655903A (zh) * 2018-02-01 2020-09-11 三菱瓦斯化学株式会社 表面处理用水溶液、表面处理合金的制造方法、以及复合体及其制造方法
KR102343735B1 (ko) * 2018-03-09 2021-12-27 동우 화인켐 주식회사 구리계 금속막용 식각액 조성물, 이를 이용한 디스플레이용 어레이 기판의 제조방법, 및 디스플레이용 어레이 기판
JP7363105B2 (ja) 2019-05-31 2023-10-18 株式会社レゾナック 感光性樹脂組成物、感光性樹脂フィルム、プリント配線板及び半導体パッケージ、並びにプリント配線板の製造方法
JP6799347B1 (ja) * 2020-06-02 2020-12-16 メック株式会社 マイクロエッチング剤および配線基板の製造方法
CN113170585B (zh) * 2020-06-02 2023-04-04 Mec股份有限公司 微蚀刻剂和配线基板的制造方法
CN112553627A (zh) * 2020-12-09 2021-03-26 淮安中顺环保科技有限公司 一种两段式退锡方法
CN114231985A (zh) * 2021-12-10 2022-03-25 昆山市板明电子科技有限公司 铜表面粗化微蚀液及其使用方法
CN114351146B (zh) * 2021-12-30 2022-10-04 华南理工大学 一种用于铜面处理的碱性微蚀液及其制备方法
WO2024114054A1 (zh) * 2022-11-30 2024-06-06 叶涛 一种线路板氨碱性硫酸四氨合铜蚀刻工艺及其装置
CN117488302B (zh) * 2023-10-18 2024-06-07 珠海市板明科技有限公司 线路蚀刻溶液

Family Cites Families (21)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US3645772A (en) 1970-06-30 1972-02-29 Du Pont Process for improving bonding of a photoresist to copper
US4790912A (en) * 1985-06-06 1988-12-13 Techno-Instruments Investments Ltd. Selective plating process for the electrolytic coating of circuit boards without an electroless metal coating
JP3118779B2 (ja) * 1994-08-12 2000-12-18 花王株式会社 改良された高吸水性樹脂の製造法
WO1996005234A1 (en) 1994-08-12 1996-02-22 Kao Corporation Process for producing improved super absorbent polymer
JP3458023B2 (ja) 1995-08-01 2003-10-20 メック株式会社 銅および銅合金のマイクロエッチング剤
JP2923524B2 (ja) 1995-08-01 1999-07-26 メック株式会社 銅および銅合金のマイクロエッチング剤並びにマイクロエッチング方法
HK1027134A1 (en) 1995-08-01 2001-01-05 Mec Co Ltd Microetching agent for copper and copper alloy.
DE69715804T2 (de) 1997-01-27 2003-05-28 Mec Co Zusammensetzung zum Mikroätzen von Kupfer und Kupferlegierungen
KR19980066842A (ko) * 1997-01-29 1998-10-15 마에다 고사쿠 구리 또는 구리합금에 대한 마이크로에칭 조성물
CN1195895C (zh) * 1997-01-29 2005-04-06 美克株式会社 铜和铜合金的微浸蚀剂
US5869130A (en) * 1997-06-12 1999-02-09 Mac Dermid, Incorporated Process for improving the adhesion of polymeric materials to metal surfaces
US6086779A (en) * 1999-03-01 2000-07-11 Mcgean-Rohco, Inc. Copper etching compositions and method for etching copper
JP2000336491A (ja) * 1999-05-28 2000-12-05 Mec Kk ニッケル用マイクロエッチング剤
JP4063475B2 (ja) * 1999-11-10 2008-03-19 メック株式会社 銅または銅合金のエッチング剤
US6506314B1 (en) * 2000-07-27 2003-01-14 Atotech Deutschland Gmbh Adhesion of polymeric materials to metal surfaces
US20050067378A1 (en) * 2003-09-30 2005-03-31 Harry Fuerhaupter Method for micro-roughening treatment of copper and mixed-metal circuitry
US20050236359A1 (en) * 2004-04-22 2005-10-27 Ginning Hu Copper/copper alloy surface bonding promotor and its usage
JP2006111953A (ja) 2004-10-18 2006-04-27 Mec Kk 銅又は銅合金のエッチング剤、その製造法、補給液及び配線基板の製造法
TWI385226B (zh) * 2005-09-08 2013-02-11 羅門哈斯電子材料Cmp控股公司 用於移除聚合物阻障之研磨漿液
US7456114B2 (en) * 2005-12-21 2008-11-25 Kesheng Feng Microetching composition and method of using the same
EP1820884B1 (en) * 2006-02-17 2009-10-07 Atotech Deutschland Gmbh Solution and process to treat surfaces of copper alloys in order to improve the adhesion between the metal surface and the bonded polymeric material

Cited By (6)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPWO2016111036A1 (ja) * 2015-01-07 2017-10-19 太陽インキ製造株式会社 金属基材用表面処理剤
JP6333455B1 (ja) * 2017-08-23 2018-05-30 メック株式会社 銅のマイクロエッチング剤および配線基板の製造方法
WO2019039023A1 (ja) * 2017-08-23 2019-02-28 メック株式会社 銅のマイクロエッチング剤および配線基板の製造方法
JP2019039027A (ja) * 2017-08-23 2019-03-14 メック株式会社 銅のマイクロエッチング剤および配線基板の製造方法
WO2019058835A1 (ja) * 2017-09-22 2019-03-28 メック株式会社 銅のマイクロエッチング剤、銅表面の粗化方法および配線基板の製造方法
US11208726B2 (en) 2017-09-22 2021-12-28 Mec Company Ltd. Microetching agent for copper, copper surface roughening method and wiring board production method

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