JP2014010852A - 磁気記録媒体及び磁気記憶装置 - Google Patents
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- 230000005291 magnetic effect Effects 0.000 title claims abstract description 339
- 238000003860 storage Methods 0.000 title claims abstract description 21
- 239000013078 crystal Substances 0.000 claims description 106
- 229910045601 alloy Inorganic materials 0.000 claims description 80
- 239000000956 alloy Substances 0.000 claims description 80
- 239000000463 material Substances 0.000 claims description 20
- 229910052804 chromium Inorganic materials 0.000 claims description 16
- 238000000034 method Methods 0.000 claims description 11
- 238000012545 processing Methods 0.000 claims description 11
- 229910052715 tantalum Inorganic materials 0.000 claims description 11
- 239000002245 particle Substances 0.000 claims description 7
- 229910000531 Co alloy Inorganic materials 0.000 claims description 5
- 229910015372 FeAl Inorganic materials 0.000 claims description 5
- 229910002546 FeCo Inorganic materials 0.000 claims description 5
- 229910002555 FeNi Inorganic materials 0.000 claims description 5
- 229910000604 Ferrochrome Inorganic materials 0.000 claims description 5
- 229910052750 molybdenum Inorganic materials 0.000 claims description 5
- 229910052758 niobium Inorganic materials 0.000 claims description 5
- 229910052726 zirconium Inorganic materials 0.000 claims description 5
- 229910003321 CoFe Inorganic materials 0.000 claims description 3
- 229910005347 FeSi Inorganic materials 0.000 claims description 3
- 239000011159 matrix material Substances 0.000 claims description 3
- 230000008569 process Effects 0.000 claims description 2
- 229910000640 Fe alloy Inorganic materials 0.000 claims 1
- 230000006872 improvement Effects 0.000 abstract description 10
- 238000010030 laminating Methods 0.000 abstract 1
- 239000010410 layer Substances 0.000 description 627
- 239000006249 magnetic particle Substances 0.000 description 49
- 229910000929 Ru alloy Inorganic materials 0.000 description 45
- 230000005415 magnetization Effects 0.000 description 41
- 239000000758 substrate Substances 0.000 description 32
- 239000000696 magnetic material Substances 0.000 description 31
- 238000004544 sputter deposition Methods 0.000 description 31
- 239000007789 gas Substances 0.000 description 19
- XKRFYHLGVUSROY-UHFFFAOYSA-N Argon Chemical compound [Ar] XKRFYHLGVUSROY-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 18
- 229910004298 SiO 2 Inorganic materials 0.000 description 15
- 229910052697 platinum Inorganic materials 0.000 description 13
- 229910010413 TiO 2 Inorganic materials 0.000 description 11
- 230000000694 effects Effects 0.000 description 11
- 239000011241 protective layer Substances 0.000 description 11
- 229910052786 argon Inorganic materials 0.000 description 9
- 239000000203 mixture Substances 0.000 description 8
- 229910019222 CoCrPt Inorganic materials 0.000 description 6
- 230000004907 flux Effects 0.000 description 6
- 229910052742 iron Inorganic materials 0.000 description 6
- 230000001050 lubricating effect Effects 0.000 description 6
- -1 FeTaC Inorganic materials 0.000 description 5
- 229910052796 boron Inorganic materials 0.000 description 5
- 230000000052 comparative effect Effects 0.000 description 5
- 230000005389 magnetism Effects 0.000 description 5
- 229910005435 FeTaN Inorganic materials 0.000 description 4
- 239000002131 composite material Substances 0.000 description 4
- 230000007423 decrease Effects 0.000 description 4
- 238000011156 evaluation Methods 0.000 description 4
- 238000000926 separation method Methods 0.000 description 4
- 229910052782 aluminium Inorganic materials 0.000 description 3
- 230000015572 biosynthetic process Effects 0.000 description 3
- 230000008878 coupling Effects 0.000 description 3
- 238000010168 coupling process Methods 0.000 description 3
- 238000005859 coupling reaction Methods 0.000 description 3
- 239000011521 glass Substances 0.000 description 3
- 230000001771 impaired effect Effects 0.000 description 3
- 229910052755 nonmetal Inorganic materials 0.000 description 3
- 229910052710 silicon Inorganic materials 0.000 description 3
- 239000002356 single layer Substances 0.000 description 3
- 229910052719 titanium Inorganic materials 0.000 description 3
- 230000007704 transition Effects 0.000 description 3
- OKTJSMMVPCPJKN-UHFFFAOYSA-N Carbon Chemical compound [C] OKTJSMMVPCPJKN-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 229910019586 CoZrTa Inorganic materials 0.000 description 2
- 229910052779 Neodymium Inorganic materials 0.000 description 2
- 229910052772 Samarium Inorganic materials 0.000 description 2
- 229910052771 Terbium Inorganic materials 0.000 description 2
- 230000009471 action Effects 0.000 description 2
- 229910052799 carbon Inorganic materials 0.000 description 2
- 238000005229 chemical vapour deposition Methods 0.000 description 2
- 150000001875 compounds Chemical class 0.000 description 2
- 229910052802 copper Inorganic materials 0.000 description 2
- 230000007797 corrosion Effects 0.000 description 2
- 238000005260 corrosion Methods 0.000 description 2
- 238000007598 dipping method Methods 0.000 description 2
- 230000002349 favourable effect Effects 0.000 description 2
- 239000010408 film Substances 0.000 description 2
- 229910052749 magnesium Inorganic materials 0.000 description 2
- 229910052751 metal Inorganic materials 0.000 description 2
- 239000002184 metal Substances 0.000 description 2
- 229910052759 nickel Inorganic materials 0.000 description 2
- 230000006911 nucleation Effects 0.000 description 2
- 238000010899 nucleation Methods 0.000 description 2
- 239000010702 perfluoropolyether Substances 0.000 description 2
- 238000005240 physical vapour deposition Methods 0.000 description 2
- 229910052702 rhenium Inorganic materials 0.000 description 2
- 229910052707 ruthenium Inorganic materials 0.000 description 2
- 229910052721 tungsten Inorganic materials 0.000 description 2
- 229910000838 Al alloy Inorganic materials 0.000 description 1
- 229910000599 Cr alloy Inorganic materials 0.000 description 1
- XUIMIQQOPSSXEZ-UHFFFAOYSA-N Silicon Chemical compound [Si] XUIMIQQOPSSXEZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910001069 Ti alloy Inorganic materials 0.000 description 1
- 150000001298 alcohols Chemical class 0.000 description 1
- XAGFODPZIPBFFR-UHFFFAOYSA-N aluminium Chemical compound [Al] XAGFODPZIPBFFR-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 230000005290 antiferromagnetic effect Effects 0.000 description 1
- 230000005540 biological transmission Effects 0.000 description 1
- 150000001732 carboxylic acid derivatives Chemical class 0.000 description 1
- 239000000919 ceramic Substances 0.000 description 1
- 230000006866 deterioration Effects 0.000 description 1
- 238000011161 development Methods 0.000 description 1
- 238000009792 diffusion process Methods 0.000 description 1
- 238000010884 ion-beam technique Methods 0.000 description 1
- 239000000314 lubricant Substances 0.000 description 1
- 238000005461 lubrication Methods 0.000 description 1
- 238000001755 magnetron sputter deposition Methods 0.000 description 1
- 229910052748 manganese Inorganic materials 0.000 description 1
- 238000004519 manufacturing process Methods 0.000 description 1
- 239000007769 metal material Substances 0.000 description 1
- 238000012986 modification Methods 0.000 description 1
- 230000004048 modification Effects 0.000 description 1
- 230000000149 penetrating effect Effects 0.000 description 1
- 238000007747 plating Methods 0.000 description 1
- 230000001737 promoting effect Effects 0.000 description 1
- 238000007670 refining Methods 0.000 description 1
- 230000004044 response Effects 0.000 description 1
- 239000010703 silicon Substances 0.000 description 1
- HBMJWWWQQXIZIP-UHFFFAOYSA-N silicon carbide Chemical compound [Si+]#[C-] HBMJWWWQQXIZIP-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910010271 silicon carbide Inorganic materials 0.000 description 1
- 238000009751 slip forming Methods 0.000 description 1
- 230000000087 stabilizing effect Effects 0.000 description 1
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- G—PHYSICS
- G11—INFORMATION STORAGE
- G11B—INFORMATION STORAGE BASED ON RELATIVE MOVEMENT BETWEEN RECORD CARRIER AND TRANSDUCER
- G11B5/00—Recording by magnetisation or demagnetisation of a record carrier; Reproducing by magnetic means; Record carriers therefor
- G11B5/62—Record carriers characterised by the selection of the material
- G11B5/73—Base layers, i.e. all non-magnetic layers lying under a lowermost magnetic recording layer, e.g. including any non-magnetic layer in between a first magnetic recording layer and either an underlying substrate or a soft magnetic underlayer
- G11B5/7368—Non-polymeric layer under the lowermost magnetic recording layer
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- G11B—INFORMATION STORAGE BASED ON RELATIVE MOVEMENT BETWEEN RECORD CARRIER AND TRANSDUCER
- G11B5/00—Recording by magnetisation or demagnetisation of a record carrier; Reproducing by magnetic means; Record carriers therefor
- G11B5/62—Record carriers characterised by the selection of the material
- G11B5/64—Record carriers characterised by the selection of the material comprising only the magnetic material without bonding agent
- G11B5/66—Record carriers characterised by the selection of the material comprising only the magnetic material without bonding agent the record carriers consisting of several layers
- G11B5/667—Record carriers characterised by the selection of the material comprising only the magnetic material without bonding agent the record carriers consisting of several layers including a soft magnetic layer
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- G11B—INFORMATION STORAGE BASED ON RELATIVE MOVEMENT BETWEEN RECORD CARRIER AND TRANSDUCER
- G11B5/00—Recording by magnetisation or demagnetisation of a record carrier; Reproducing by magnetic means; Record carriers therefor
- G11B5/62—Record carriers characterised by the selection of the material
- G11B5/64—Record carriers characterised by the selection of the material comprising only the magnetic material without bonding agent
- G11B5/66—Record carriers characterised by the selection of the material comprising only the magnetic material without bonding agent the record carriers consisting of several layers
- G11B5/674—Record carriers characterised by the selection of the material comprising only the magnetic material without bonding agent the record carriers consisting of several layers having differing macroscopic or microscopic structures, e.g. differing crystalline lattices, varying atomic structures or differing roughnesses
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- G11B5/00—Recording by magnetisation or demagnetisation of a record carrier; Reproducing by magnetic means; Record carriers therefor
- G11B5/62—Record carriers characterised by the selection of the material
- G11B5/64—Record carriers characterised by the selection of the material comprising only the magnetic material without bonding agent
- G11B5/66—Record carriers characterised by the selection of the material comprising only the magnetic material without bonding agent the record carriers consisting of several layers
- G11B5/676—Record carriers characterised by the selection of the material comprising only the magnetic material without bonding agent the record carriers consisting of several layers having magnetic layers separated by a nonmagnetic layer, e.g. antiferromagnetic layer, Cu layer or coupling layer
- G11B5/678—Record carriers characterised by the selection of the material comprising only the magnetic material without bonding agent the record carriers consisting of several layers having magnetic layers separated by a nonmagnetic layer, e.g. antiferromagnetic layer, Cu layer or coupling layer having three or more magnetic layers
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Abstract
【解決手段】第1軟磁性層、配向制御層、下層記録層、中間層、及び上層記録層が順に積層された構造を有し、下層記録層及び中間層の間に設けられた第2軟磁性層を備えるように磁気記録媒体を構成する。
【選択図】図1
Description
図1は、本発明の一実施形態における磁気記録媒体の一例の構成の一部を示す断面図である。図1における各層の膜厚は、実際の寸法に比例した縮尺で図示したものではない。図1に示す磁気ディスク1は、磁気記録媒体の一例である。
非磁性基板11は、アルミニウム、アルミニウム合金などの金属材料で形成された金属基板、ガラス、セラミック、シリコン、シリコンカーバイド、カーボンなどの非金属材料で形成された非金属基板などで形成可能である。又、非磁性基板11は、金属基板又は非金属基板の表面に、例えばメッキ法、スパッタ法などを用いて、NiP層又はNiP合金層が形成されたものであっても良い。
非磁性基板11上には、第1軟磁性層12が形成される。第1軟磁性層12の形成方法は特に限定されるものではなく、例えばスパッタ法などを用いることができる。
第1軟磁性層12上には、配向制御層13が形成される。配向制御層13は、下層記録層14の結晶粒を微細化し、記録再生特性を改善するために設けられる。図1に示すように、本実施形態における配向制御層13は、第1軟磁性層12側に配置された第1配向制御層13aと、第1配向制御層13aの下層記録層14側に配置された第2配向制御層13bを有する。
配向制御層13上には、下層記録層14が形成される。図1に示すように、本実施形態の下層記録層14は、非磁性基板11側から、第1下層記録層14aと、第2下層記録層14bを有する。各下層記録層14a,14bを形成する結晶粒子は、配向制御層13の第1配向制御層13a及び第2配向制御層13bの柱状晶と連続した柱状晶としてエピタキシャル成長する。
下層記録層14上には、第2軟磁性層15が形成される。第2軟磁性層15の形成方法は特に限定されるものではなく、例えばスパッタ法などを用いることができる。
第2軟磁性層15上には、中間層16が形成される。中間層16は、上層記録層17と下層記録層14との磁気的な結合を遮断して両記録層14,17の磁化方向が相互に影響することを防止し、又、上層記録層17の結晶粒を微細化し、記録再生特性を改善するために設けられる。図1に示すように、本実施形態における中間層16は、第2軟磁性層15側に配置された第1中間層16aと、第1中間層16aの上層記録層17側に配置された第2中間層16bを有する。
中間層16上には、上層記録層17が形成される。図1に示すように、上層記録層17は、非磁性基板11側から、第1上層記録層17aと、第2上層記録層17bの2層を有する。各上層記録層17a,17bを形成する結晶粒子は、中間層16を形成する第1中間層16a及び第2中間層16bの柱状晶と連続した柱状晶としてエピタキシャル成長される。
上層記録層17上には保護層18が形成される。保護層18は、上層記録層17の腐食を防ぐと共に、磁気ヘッドが磁気ディスク1と接触したときに媒体表面の損傷又は磁気ヘッド自体の損傷を防ぐために設けられ、公知の材料で形成可能である。保護層18は、例えばC、SiO2、ZrO2を含む材料で形成可能である。保護層18の膜厚は、例えば1nm〜10nmとすることが、磁気ヘッドと磁気ディスク1との距離を小さくできるので、高記録密度を実現する観点から好ましい。保護層18は、例えば化学気相成長(CVD:Chemical Vapor Deposition)法、物理蒸着(PVD:Physical Vapor Deposition)法などを用いて形成可能である。
保護層18上には潤滑層19が形成される。潤滑層19は、例えばパーフルオロポリエーテル、フッ素化アルコール、フッ素化カルボン酸などの潤滑剤で形成することが好ましい。潤滑層19は、例えば、ディッピング法などを用いて形成可能である。
図6は、本発明の一実施形態における磁気記憶装置の一例を示す斜視図である。図6に示す磁気ディスク装置(HDD)100は、磁気記憶装置の一例であり、磁気記録媒体の一例である上記磁気ディスク1を備える。
次に、作製した磁気ディスク1に、STWを用いてサーボ情報を記録した。サーボ情報の書き込みは、磁気ディスク1の回転数を7200回転/分、記録周波数は中心周波数が20MHzと40MHzで周波数帯域を±5MHzとした。なお、サーボ情報は、バースト情報、アドレス情報、プリアンブル情報を有する周知の構成とした。サーボ情報の書き込みは、下層記録層14及び上層記録層17の両層に同時に行い、その後、外部磁場を印加して上層記録層17のみを消去(イレーズ)した。
本実施例で製造した磁気ディスク1の評価を行った。具体的には、下層記録層14への書き込みができない磁気ヘッド52を用いて、磁気ディスク1の上層記録層17へのリードライト評価を行った。評価条件は以下のとおりである。
評価ヘッド:MR(Magneto Resistive)ヘッド
記録周波数:70MHz(周波数帯域±5MHz)
磁気ディスク1への書き込み、読み込みは、下層記録層14に記録されたサーボ情報に基づいて磁気ヘッド52の位置付けを行いながら行った。その結果、従来の同じトラック密度の磁気ディスクに比べシーク速度が平均で10%高まり、磁気ディスク1枚あたりのリードライト情報の記録量が20%高まることが確認された。又、S/N比は10.7dB、OW特性は42.3dBであり、いずれも良好であることが確認された。
比較例では、上記実施例と同様に磁気ディスクを作製する際、第2軟磁性層を形成しなかった。
11 非磁性基板
12 第1軟磁性層
13 配向制御層
14 下層記録層
15 第2軟磁性層
16 中間層
17 上層記録層
18 保護層
19 潤滑層
Claims (7)
- 第1軟磁性層、配向制御層、下層記録層、中間層、及び上層記録層が順に積層された構造を有し、
前記下層記録層及び前記中間層の間に設けられた第2軟磁性層を備える
ことを特徴とする磁気記録媒体。 - 前記下層記録層は、前記上層記録層より高い保持力を有する
ことを特徴とする請求項1記載の磁気記録媒体。 - 前記第1軟磁性層及び前記第2軟磁性層の各層は、CoFe系合金、FeCo系合金、FeNi系合金、FeAl系合金、FeCr系合金、FeTa系合金、FeMg系合金、FeZr系合金、FeC系合金、FeN系合金、FeSi系合金、FeP系合金、FeNb系合金、FeHf系合金、及びFeB系合金のグループから選択された1つの合金で形成されている
ことを特徴とする請求項2記載の磁気記録媒体。 - 前記第1軟磁性層及び前記第2軟磁性層の各層は、Feを60at%以上含有する微結晶構造、又は、微細な結晶粒子がマトリクス中に分散されたグラニュラ構造を有する材料で形成されている
ことを特徴とする請求項2記載の磁気記録媒体。 - 前記第1軟磁性層及び前記第2軟磁性層の各層は、Coを80at%以上含有し、Zr、Nb、Ta、Cr、Moのうち少なくとも1種を含有するアモルファス構造を有するCo合金で形成されている
ことを特徴とする請求項2記載の磁気記録媒体。 - 請求項1〜5のいずれか1項記載の磁気記録媒体と、
前記磁気記録媒体の前記上層記録層及び前記下層記録層で形成された垂直磁性層に対する情報の読み書きを行う磁気ヘッドと、
前記磁気ヘッドから、又は、前記磁気ヘッドへの信号を処理する信号処理系
を備えることを特徴とする、磁気記憶装置。 - 前記磁気ヘッド及び前記信号処理系は、前記下層記録層に記録されたサーボ情報を読み取り、データの読み書きを前記上層記録層に対して行う機能を有することを特徴とする、請求項6記載の磁気記憶装置。
Priority Applications (3)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP2012145641A JP5890756B2 (ja) | 2012-06-28 | 2012-06-28 | 磁気記録媒体及び磁気記憶装置 |
US13/920,197 US8902545B2 (en) | 2012-06-28 | 2013-06-18 | Magnetic recording medium and magnetic storage apparatus |
CN201310254394.9A CN103514899B (zh) | 2012-06-28 | 2013-06-25 | 磁性记录介质及磁性记录装置 |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP2012145641A JP5890756B2 (ja) | 2012-06-28 | 2012-06-28 | 磁気記録媒体及び磁気記憶装置 |
Publications (2)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JP2014010852A true JP2014010852A (ja) | 2014-01-20 |
JP5890756B2 JP5890756B2 (ja) | 2016-03-22 |
Family
ID=49777877
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP2012145641A Active JP5890756B2 (ja) | 2012-06-28 | 2012-06-28 | 磁気記録媒体及び磁気記憶装置 |
Country Status (3)
Country | Link |
---|---|
US (1) | US8902545B2 (ja) |
JP (1) | JP5890756B2 (ja) |
CN (1) | CN103514899B (ja) |
Families Citing this family (3)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
US5869282A (en) | 1991-12-11 | 1999-02-09 | Imperial Cancer Research Technology, Ltd. | Nucleotide and protein sequences of the serrate gene and methods based thereon |
JP5890756B2 (ja) * | 2012-06-28 | 2016-03-22 | 昭和電工株式会社 | 磁気記録媒体及び磁気記憶装置 |
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- 2013-06-18 US US13/920,197 patent/US8902545B2/en active Active
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Also Published As
Publication number | Publication date |
---|---|
US20140002917A1 (en) | 2014-01-02 |
JP5890756B2 (ja) | 2016-03-22 |
CN103514899A (zh) | 2014-01-15 |
CN103514899B (zh) | 2017-03-01 |
US8902545B2 (en) | 2014-12-02 |
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A621 | Written request for application examination |
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A977 | Report on retrieval |
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TRDD | Decision of grant or rejection written | ||
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