JP2014005220A - テトラベンゾテトラセン誘導体、その合成方法およびその用途 - Google Patents
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Abstract
Description
このような課題に対し、溶媒への溶解性を向上させたアセン化合物として、例えば、テトラセンに置換基を導入したテトラセン類が開示されている(特許文献1)。
本発明は、このような従来技術に鑑みてなされたものであり、特に溶液条件下でも酸素や光に対して安定であり、溶媒、特に極性溶媒に対して良好な溶解性を示す、塗布型有機半導体材料として有用な化合物を提供することをその目的とする。
[3] 式(1)におけるRが全て同一の基である、[1]または[2]に記載のテトラベンゾテトラセン誘導体。
[4] 式(1)におけるRが全てヘキシルオキシまたはオクチルオキシである、[1]〜[3]のいずれかに記載のテトラベンゾテトラセン誘導体。
[7] [6]に記載の有機半導体膜および電極を含む有機半導体素子。
[8] ゲート電極、誘電体層、ソース電極、ドレイン電極および半導体層を含むトランジスタであって、
該半導体層が、[1]〜[4]のいずれかに記載のテトラベンゾテトラセン誘導体または[5]に記載の合成方法で得られるテトラベンゾテトラセン誘導体を含む、トランジスタ。
また、本発明によれば、液晶性に起因する高いキャリア移動度を有し、かつ、塗布法や溶融法で形成可能な有機半導体膜などを提供することができる。
本発明のテトラベンゾテトラセン誘導体は、式(1)で表される。以下、式(1)で表される本発明のテトラベンゾテトラセン誘導体を「化合物(1)」ともいう。
nが前記範囲にあると、溶媒に対して良好な溶解性を示し、半導体特性に優れる化合物を得ることができる。つまり、nが前記範囲(値)を下回ると、得られる化合物の溶媒に対する溶解性が低下する傾向にあり、また、nが前記範囲(値)を上回ると、分子間の電子の重なりが妨害されて半導体特性が低下する傾向にある。
前記Rがこれらの基であると、溶媒への溶解性の向上、キャリア移動度の向上、および、結晶から液晶への相転移点の低下などにバランスよく優れる化合物を得ることができる。
前記Rがこれらの基であると、溶媒への溶解性の向上、キャリア移動度の向上、および、結晶から液晶への相転移点の低下などにバランスよく優れる化合物を得ることができる。
化合物(1)のキャリア移動度は、例えば、下記実施例に記載の方法で測定することができる。
なお、本発明において、キャリア移動度とは、電子移動度および正孔移動度を含む広義の意味である。
化合物(1)の結晶から液晶への相転移点は、例えば、下記実施例に記載の方法で測定することができる。
前記化合物(1)の融点が前記範囲にあると、簡便な成膜方法である、溶融法(例えば、溶融成形)により化合物(1)を含む膜などを製造することができる。このため、化合物(1)の有する優れた性質を損なうことなく、有機半導体膜および有機半導体素子などを製造することができる。
また、前記化合物(1)の融点が前記範囲にあると、下記方法などで得られた膜等を用いて、有機半導体素子などを作成する際に、該素子の作成過程で含み得る加熱プロセスにおいて、溶けにくく、様々な方法で有機半導体素子を作成できるため、電気特性などに優れる有機半導体素子を得ることができる。
化合物(1)の融点は、例えば、下記実施例に記載の方法で測定することができる。
本発明のテトラベンゾテトラセン誘導体は、例えば、下記式(2)で表される化合物(以下「化合物(2)」ともいう。)と下記式(3)で表される化合物(以下「化合物(3)」ともいう。)とを反応させる工程Aおよび工程Aで得られた生成物を酸化的に脱水素化する工程Bを含む方法で合成することができる。
R1におけるハロゲン原子としては、塩素原子、臭素原子、ヨウ素原子が挙げられ、反応性などの点から、ヨウ素原子、臭素原子が好ましく、臭素原子がより好ましい。
前記R1としては、反応性などの点から、トリフルオロメタンスルホニルオキシ、臭素原子が好ましい。
また、前記化合物(2)は、単独で用いてもよく、または2種類以上を併用してもよい。
前記R2における炭素数1〜20のアルキルとしては、前記Rにおける炭素数1〜20のアルキルと同様の基などが挙げられる。
また、−B(OR2)2における2つのR2は、それぞれ結合して、環を形成していてもよい。
前記R2としては、反応性などの点から、水素原子が好ましい。
また、前記化合物(3)は、単独で用いてもよく、または2種類以上を併用してもよい。
また、反応温度や反応時間などの反応条件も、従来の鈴木カップリングで行われている条件と同様の条件でよい。
本発明の有機半導体膜は、前記化合物(1)を含む。
化合物(1)は、溶媒に対して良好な溶解性を示すため、化合物(1)を溶媒に溶解させた溶液状態で基板上に塗布または印刷することで有機半導体膜を形成することができる。また、化合物(1)を溶融させることで、有機半導体膜を形成することができる。
本発明の有機半導体素子は、前記有機半導体膜および電極を含む。具体的には、前記有機半導体膜と、他の半導体性を有する素子と、複数の電極とを組み合わせることによって、有機半導体素子とすることができる。半導体素子としては、整流素子、スイッチング動作を行うサイリスタ、トライアックおよびダイアックなどを挙げることができる。さらに、本発明の有機半導体素子は、表示素子としても用いることができ、特にすべての部材を有機化合物で構成した表示素子が有用である。
本発明の有機半導体素子の例としては、図1に示すような断面構造を有する電界効果トランジスタ(FET)が挙げられる。
本発明の電界効果トランジスタは、ゲート電極、誘電体層、ソース電極、ドレイン電極および半導体層を含み、該半導体層が、前記化合物(1)を含む。
FETを作製するには、例えば、まず図1において、ガラス基板や高分子基板等の基板(6)の上に、金属のマスク蒸着または導電性インクの印刷により、ソース電極(1)およびドレイン電極(2)を形成する。必要に応じて絶縁層(誘電体層)を積層してもよい。その上に、前記化合物(1)の溶液を印刷、塗布もしくは滴下すること、または、前記化合物(1)を溶融することによって半導体層(5)を形成し、さらに絶縁膜(誘電体層)(4)を形成し、その上にゲート電極(3)を形成すればよい。
融点:ヤナコ機器開発研究所製の融点測定器(MP−J3)を用いて測定した。
1H−NMRおよび13C−NMR:ブルカー・バイオスピン(株)製の核磁気共鳴装置(DRX500)を用いて測定した。
元素分析:ヤナコ機器開発研究所製の有機元素分析装置(MT5CHNレコーダー)を用いて測定した。
質量分析:Bruker Daltonics社製autoflexIIIを用いて測定した。なお、質量分析は、2つの方法、電子イオン化法(MS(EI))またはレーザー脱離イオン化法(LDI−TOF−MS)により測定した。以下の記載における「positive mode」は、生じた正イオンを検出したことを示し、「m/z」におけるmは質量を示し、zは電荷を示す。
融点:126〜127℃.
1H−NMR(CDCl3、500MHz) δ 7.86(s,2H)、8.18(s,2H).
13C−NMR(CDCl3、126MHz) δ 116.27, 118.62(q, J=320Hz), 120.86, 131.09, 132.25, 132.61, 145.49.
MS(EI)m/z(%):228(100),449(M+,60).
元素分析(C12H4Br2F6O6S2):計算値(C, 24.76%、H, 0.69%)、実測値(C, 24.99%、H, 1.03%).
1H−NMR(CDCl3,500MHz) δ 0.89−0.91(m,6H)、 1.33−1.46(m,12H)、1.76−1.84(m,4H)、3.94−3.97(m,4H)、6.73(d,J=6.8Hz,1H)、6.97−6.99(m,2H).
融点:118〜122℃.
1H−NMR(CDCl3,500MHz) δ 0.91−0.94(m,6H)、1.35−1.38(m,8H)、1.49−1.56(m,4H)、1.85−1.89(m,4H)、4.09(t,J=6.7Hz,2H)、4.13(t,J=6.7Hz,2H)、7.00(d,J=8.1Hz,1H)、7.69(s,1H)、7.81(d,J=8.1Hz,1H).
融点:139〜141℃.
1H−NMR(CDCl3,500MHz) δ 0.89−0.93(m,24H)、1.28−1.53(m,48H)、1.64−1.70(m,8H)、1.78−1.84(m,8H)、3.72(t,J=6.7Hz,8H)、3.97(t,J=6.7Hz,8H)、6.69(d,J=1.8Hz,4H)、6.80(d,J=8.3Hz,4H)、6.85(dd,J=1.8, 8.3Hz,4H)、7.87(s,4H).
13C−NMR(CDCl3,126 MHz) δ 14.06(2C), 22.64, 22.65, 25.68, 25.73, 29.07, 29.29, 31.57, 31.65, 69.07, 69.18, 113.13, 115.97, 122.06, 128.64, 131.75, 134.37, 139.17, 147.93, 148.30.
LDI−TOF−MS(positive mode) m/z 1232(M+).
元素分析(C82H120O8):計算値(C,79.82%、H,9.80%)、実測値(C,79.88%、H,9.51%).
融点:236〜237℃.
1H−NMR(CDCl3,500MHz) δ 0.94−0.99(m,24H)、 1.38−1.45(m,32H)、1.59−1.66(m,16H)、1.94−2.05(m,16H)、4.28(t,J=6.5Hz,8H)、4.37(t,J=6.5Hz,8H)、7.81(s,4H)、8.26(s,4H)、9.14(s,4H).
13C−NMR(CDCl3,126MHz) δ 14.08, 14.11, 22.68, 22.70, 25.86, 25.92, 29.43, 29.52, 31.72, 31.75, 69.44, 69.55, 107.37, 107.77, 120.70, 123.82, 124.24, 128.01, 129.88, 148.99, 149.59.
LDI−TOF−MS(positive mode) m/z 1228(M+).
元素分析(C82H116O8):計算値(C,80.08%、H,9.51%)、 実測値(C,80.20%、H,9.55%).
上記で合成した生成物(1)のキャリア移動度を飛行時間測定法(TOF法)で測定した。
まず、酸化インジウムスズ(ITO)電極付きガラス基板の該電極面上に、厚さ数μmのスペーサーを散布した。スペーサーの上からITO電極付きガラス基板を、ITO電極がスペーサーに接するように接着し、TOF法測定セルを作成した。
相の同定および相移転温度を決定するために、下記1)および2)の方法で測定した。
なお、生成物(1)は、168℃以下において、結晶であるが、偏光顕微鏡において、異なる結晶相を観察できたため、結晶相を結晶相1と結晶相2に分けて記載した。このことは液晶相においても同様である。
前記NMR測定(溶液状態)、融点測定、および、キャリア移動度の測定のいずれも通常の実験室で行ったが、NMRスペクトルに不純物は見られず、融点測定でもシャープな転移点、融点を示したことなどから、溶液状態および融解(液晶/液体)状態で、生成物(1)は、酸素や光に対して安定であることが分かった。
2: ドレイン電極
3: ゲート電極
4: 絶縁膜(誘電体層)
5: 半導体層
6: 基板
Claims (8)
- 式(1)におけるRが互いに独立して、炭素数5〜12のアルキルまたは炭素数5〜12のアルコキシである、請求項1に記載のテトラベンゾテトラセン誘導体。
- 式(1)におけるRが全て同一の基である、請求項1または2に記載のテトラベンゾテトラセン誘導体。
- 式(1)におけるRが全てヘキシルオキシまたはオクチルオキシである、請求項1〜3のいずれか1項に記載のテトラベンゾテトラセン誘導体。
- 請求項1〜4のいずれか1項に記載のテトラベンゾテトラセン誘導体または請求項5に記載の合成方法で得られるテトラベンゾテトラセン誘導体を含む、有機半導体膜。
- 請求項6に記載の有機半導体膜および電極を含む有機半導体素子。
- ゲート電極、誘電体層、ソース電極、ドレイン電極および半導体層を含むトランジスタであって、
該半導体層が、請求項1〜4のいずれか1項に記載のテトラベンゾテトラセン誘導体または請求項5に記載の合成方法で得られるテトラベンゾテトラセン誘導体を含む、トランジスタ。
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