JP2013546193A - パッケージされた電子デバイス - Google Patents
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Abstract
【選択図】図1
Description
20 ばね装置
21 保持アーム
22 ばねアーム
30 チップ
40 カバー部材の層
50 カバー部材の被覆層
60 接続部材
70 支持部材/フレーム
80 金属の孔/ビア
90 導体路
100 カバー部材
110 外部接触端子
120 ポリマー層/グロブトップ層
200 めっきレジスト層
210 下層/シード層
220 フォトレジスト層
Claims (15)
- パッケージされた電子デバイスであって、
担体基板(10)と、
前記担体基板(10)が配置されたばね装置(20)と、
チップ(30)であって、該チップ(30)の第1の側(31)で前記ばね装置(20)に結合されたチップと、
前記担体基板(10)に配置されたカバー部材(100)とを備え、
前記カバー部材(100)が、少なくとも、前記チップ(30)の第1の側とは異なる第2の側で前記チップ(30)に接触するようにチップ(30)の上部に配置されている、パッケージされた電子デバイス。 - 請求項1に記載のパッケージされた電子デバイスにおいて、
前記担体基板(10)に配置された支持部材(70)を備え、
前記支持部材(70)が、前記チップ(30)の第1の側(31)が少なくとも部分的に前記支持部材(70)に載置されているように構成されている、パッケージされた電子デバイス。 - 請求項2に記載のパッケージされた電子デバイスにおいて、
前記チップ(30)と前記ばね装置(20)とを接続するための接続部材(60)を備え、
前記ばね部材(20)が、少なくとも1つの支持アーム(21)と1つのばねアーム(22)とを有し、
前記支持アーム(21)が前記担体基板(10)に配置されており、
前記ばねアーム(22)の端部(E22a)が、少なくとも1つの支持アーム(21)に固定されており、ばねアームの別の端部(E22b)が前期担体基板(10)の上に可動に配置されており、
前記支持部材(70)が、担体基板の上の前記接続部材(60)、前記ばねアーム(22)および前記少なくとも1つの支持アーム(21)の高さの合計に相当する高さを有する、パッケージされた電子デバイス。 - 請求項2または3に記載のパッケージされた電子デバイスにおいて、
前記チップ(30)が、前記支持部材(70)に可動に載置されている、パッケージされた電子デバイス。 - 請求項1から4までのいずれか一項に記載のパッケージされた電子デバイスにおいて、
前記カバー部材(100)が、プラスチック材料からなる少なくとも1つの第1の層(40)を備え、
前記第1の層(40)が、前記チップ(30)の少なくとも1つの第2の側(32)で前記チップ(30)に接触する第1の部分(41)を有する、パッケージされた電子デバイス。 - 請求項5に記載のパッケージされた電子デバイスにおいて、
前記カバー部材の前記第1の層(40)が、前記担体基板(10)に配置された第2の部分(42)を有する、パッケージされた電子デバイス。 - 請求項6に記載のパッケージされた電子デバイスにおいて、
前記カバー部材の前記第1の層(40)が、支持部材(70)に接触する第3の部分(43)を備える、パッケージされた電子デバイス。 - 請求項5乃至7のいずれか一項に記載のパッケージされた電子デバイスにおいて、
前記カバー部材が、金属材料からなる少なくとも1つの第2の層(50)を備え、
前記第2の層(50)が、前記第1の層(40)全体に接触する第1の部分(51)を有する、パッケージされた電子デバイス。 - 請求項8に記載のパッケージされた電子デバイスにおいて、
前記カバー素子の前記第2の層(50)が、前記担体基板(10)に配置された第2の部分(52)を有する、パッケージされた電子デバイス。 - 請求項8または9に記載のパッケージされた電子デバイスにおいて、
前記カバー部材の前記第1の層(40)の前記第3の部分(43)が切欠き(44)を有し、
前記カバー部材の前記第2の層(50)が前記支持部材(70)に接触している、パッケージされた電子デバイス。 - 請求項1乃至10のいずれか一項に記載のパッケージされた電子デバイスにおいて、
前記担体基板(10)が、導電路(80,90)、およびデバイス(1000)を接触させるための接触端子(110)を備え、
前記ばね装置(20)がばね性の導電性のコンタクト素子として構成されており、該コンタクト素子が、前記担体基板(10)の前記導電路(80,90)に結合されており、
前記チップ(30)が、前記ばね装置(20)、および前記担体基板(10)の前記導電路(80,90)を介して前記担体基板の接触端子(110)に接続されている、パッケージされた電子デバイス。 - パッケージされた電子デバイスを作製するための方法であって、
担体基板(10)を準備する工程と、
前記担体基板(10)にばね装置(20)を配置する工程と、
チップ(30)を前記ばね装置(20)に、該チップの第1の側(31)が前記ばね装置(20)に結合されるように、配置する工程と、
少なくとも1つの前記チップ(30)の第1の側とは異なる第2の側(32)で前記チップ(30)に接触するように、カバー部材(100)を前記チップ(30)の上部に配置する工程とを含む、パッケージされた電子デバイスを作製するための方法。 - 請求項12に記載の方法において、
以下のステップ(a)〜(c):
(a)前記担体基板(10)への第1の層(21)のスパッタリングおよび電解めっきによる析出のステップと、
(b)前記第1の層(21)の端部(E21a)およびフォトレジスト(200)への第2層(22)のスパッタリングおよび電解めっきによる析出のステップと、
(c)前記第2層(22)の下方のフォトレジスト(200)を除去するステップと
により前記担体基板(10)に前記ばね装置(20)を配置する工程を含む方法。 - 請求項12または13に記載の方法において、
以下のステップ(a)および(b):
(a)前記担体基板(10)への第3の層(70)のスパッタリングおよび電解めっきによる析出のステップと、
(b)前記第3の層(70)が前記チップ(30)を載置するために適した平坦な表面を有するように、前記第3の層(70)を機械的に後処理するステップと
により前記担体基板(10)に支持部材(70)を配置する工程を含む方法。 - 請求項12乃至14までのいずれか一項に記載の方法において、
次のステップ(a)および(b):
(a)前記チップ(30)および前記担体基板(10)に、プラスチック材料からなる薄膜(40)を積層するステップと、
(b)前記薄膜(40)および前記薄膜(40)に隣接する支持層(10)に第4の層(50)をスパッタリングし、電解めっきするステップと
により前記担体基板(10)に前記カバー部材(100)を配置する工程を含む方法。
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