JP2013543053A - 電気化学デバイス用のダイヤモンド電極 - Google Patents
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Abstract
【選択図】図2
Description
バルク硼素ドープダイヤモンド電極を用意するステップと、
炭素溶剤金属のパターンをバルク硼素ドープダイヤモンド電極の表面上に形成するステップと、
そして加熱し、それにより炭素溶剤金属が下に位置するダイヤモンドを溶かしてバルク硼素ドープダイヤモンド電極の表面に溝を形成するステップとを有することを特徴とする方法を提供することにあるということを見出した。
バルク硼素ドープダイヤモンド電極を用意するステップと、
炭素溶剤金属のパターンをバルク硼素ドープダイヤモンド電極の表面上に形成するステップと、
そして加熱し、それにより炭素溶剤金属が下に位置するダイヤモンドを溶かしてバルク硼素ドープダイヤモンド電極の表面に溝を形成するステップとを有することを特徴とする方法を提供することにあるということを見出した。
Claims (26)
- バルク硼素ドープダイヤモンド(BDD)電極であって、前記バルク硼素ドープダイヤモンド電極の表面に設けられた複数の溝を有し、前記複数の溝は、パターンをなして配列され、各溝は、連続チャネルを形成し、各溝は、1μm〜1mmの幅及び1μm〜1mmの深さを有する、バルク硼素ドープダイヤモンド電極。
- 前記複数の溝は、実質的に互いに平行に整列している、請求項1記載のバルク硼素ドープダイヤモンド電極。
- 前記複数の溝は、実質的に前記バルクBDD電極のエッジに垂直に並列している、請求項2記載のバルク硼素ドープダイヤモンド電極。
- 前記溝は、等間隔を置いた実質的に互いに平行なチャネルのパターンを形成するよう実質的に等間隔を置いて配置されている、請求項2又は3記載のバルク硼素ドープダイヤモンド電極。
- 各溝は、10μm〜500μm、好ましくは20μm〜100μm又は好ましくは20μm〜50μmの幅を有する、請求項1〜4のうちいずれか一に記載のバルク硼素ドープダイヤモンド電極。
- 各溝は、10μm〜500μm、好ましくは20μm〜100μm又は好ましくは20μm〜50μmの深さを有する、請求項1〜5のうちいずれか一に記載のバルク硼素ドープダイヤモンド電極。
- 各溝のアスペクト比は、深さ:幅で表して、1:1及び7.5:1、好ましくは1:1及び5:1又は好ましくは1:1:及び3:1である、請求項1〜6のうちいずれか一に記載のバルク硼素ドープダイヤモンド電極。
- 各溝は、電極全厚の75%未満、好ましくは50%未満の深さを有する、請求項1〜7のうちいずれか一に記載のバルク硼素ドープダイヤモンド電極。
- 各溝の深さは、電極全厚の5〜30%、好ましくは10〜20%である、請求項8記載のバルク硼素ドープダイヤモンド電極。
- 前記複数の溝は、前記バルク硼素ドープダイヤモンド電極のフェース上に分布して配置され、溝付き領域が前記フェースの全領域の少なくとも50%を占める、請求項1〜9のうちいずれか一に記載のバルク硼素ドープダイヤモンド電極。
- 各溝は、電極幅の少なくとも50%にわたって連続して延びている、請求項1〜10のうちいずれか一に記載のバルク硼素ドープダイヤモンド電極。
- 各溝は、開口端形のものであり、前記バルク硼素ドープダイヤモンド電極の一方のエッジから前記バルク硼素ドープダイヤモンド電極の反対側のエッジまで延びている、請求項1〜11のうちいずれか一に記載のバルク硼素ドープダイヤモンド電極。
- 溝の縦列及び横列の二次元アレイが提供されている、請求項1〜10のうちいずれか一に記載のバルク硼素ドープダイヤモンド電極。
- 前記溝は、板状バルク硼素ドープダイヤモンド電極の両方の主要フェース上に分布して配置されている、請求項1〜13のうちいずれか一に記載のバルク硼素ドープダイヤモンド電極。
- 請求項1〜14のうちいずれか一に記載のバルク硼素ドープダイヤモンド電極の製造方法であって、前記方法は、
化学気相成長技術を用いてバルク硼素ドープダイヤモンド電極を成長させるステップと、
複数の溝を前記バルク硼素ドープダイヤモンド電極の表面に形成するステップとを有する、方法。 - 前記成長ステップ中、前記バルク硼素ドープダイヤモンド電極が被着された溝付きサブストレートを用いることによって前記複数の溝を形成する、請求項15記載の方法。
- 前記成長ステップの実施後に前記複数の溝を形成する、請求項15記載の方法。
- 前記複数の溝は、
炭素溶剤金属のパターンを前記バルク硼素ドープダイヤモンド電極の表面上に形成し、
そして加熱し、それにより前記炭素溶剤金属が下に位置するダイヤモンドを溶かして前記バルク硼素ドープダイヤモンド電極の前記表面に溝を形成することによって形成される、請求項17記載の方法。 - 炭素溶剤金属のパターンを形成する前記ステップは、パターン付けされたマスクを前記バルク硼素ドープダイヤモンド電極上に形成し、前記炭素溶剤金属を前記マスク中に被着させるステップから成る、請求項18記載の方法。
- 前記パターン付けマスクは、前記バルク硼素ドープダイヤモンド電極の前記表面に形成されたリソグラフィマスクである、請求項19記載の方法。
- 前記炭素溶剤金属は、Fe、Ni、Cr、Cu及びCoのうちの1つ又は2つ以上である、請求項18〜20のうちいずれか一に記載の方法。
- 前記炭素溶剤金属は、電着、物理気相成長又は化学気相成長により被着される、請求項18〜21のうちいずれか一に記載の方法。
- 前記方法は、
加熱後に前記バルク硼素ドープダイヤモンド電極表面をクリーニングして炭素溶剤金属を除去し、もし存在していれば、リソグラフィマスクを除去するステップを更に有する、請求項18〜22のうちいずれか一に記載の方法。 - 請求項1〜14のうちいずれか一に記載のバルク硼素ドープダイヤモンド電極を有する電気化学デバイス。
- 前記バルク硼素ドープダイヤモンド電極は、前記溝が電解質の流れ方向に実質的に平行な方向に整列するよう前記電気化学デバイス内に差し向けられている、請求項24記載の電気化学デバイス。
- 複数の前記バルク硼素ドープダイヤモンド電極がフェースとフェースを突き合わせた形態で設けられ、各電極は、双極電極として機能するよう構成されている、請求項24又は25記載の電気化学デバイス。
Applications Claiming Priority (3)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
GB1015270.0 | 2010-09-14 | ||
GBGB1015270.0A GB201015270D0 (en) | 2010-09-14 | 2010-09-14 | Diamond electrodes for electrochemical devices |
PCT/EP2011/065574 WO2012034925A1 (en) | 2010-09-14 | 2011-09-08 | Diamond electrodes for electrochemcial devices |
Publications (2)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JP2013543053A true JP2013543053A (ja) | 2013-11-28 |
JP5587506B2 JP5587506B2 (ja) | 2014-09-10 |
Family
ID=43065132
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP2013527609A Expired - Fee Related JP5587506B2 (ja) | 2010-09-14 | 2011-09-08 | 電気化学デバイス用のダイヤモンド電極 |
Country Status (6)
Country | Link |
---|---|
US (1) | US20150060267A1 (ja) |
EP (1) | EP2616570A1 (ja) |
JP (1) | JP5587506B2 (ja) |
CN (1) | CN103261486A (ja) |
GB (2) | GB201015270D0 (ja) |
WO (1) | WO2012034925A1 (ja) |
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-
2011
- 2011-09-08 US US13/821,960 patent/US20150060267A1/en not_active Abandoned
- 2011-09-08 JP JP2013527609A patent/JP5587506B2/ja not_active Expired - Fee Related
- 2011-09-08 GB GB1115535.5A patent/GB2483769B/en not_active Expired - Fee Related
- 2011-09-08 WO PCT/EP2011/065574 patent/WO2012034925A1/en active Application Filing
- 2011-09-08 CN CN2011800504050A patent/CN103261486A/zh active Pending
- 2011-09-08 EP EP11757826.0A patent/EP2616570A1/en not_active Withdrawn
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GB2483769A (en) | 2012-03-21 |
EP2616570A1 (en) | 2013-07-24 |
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R150 | Certificate of patent or registration of utility model |
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