JP2000229228A - 多孔質メンブレンおよびその作製方法 - Google Patents
多孔質メンブレンおよびその作製方法Info
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Abstract
(57)【要約】
【課題】 多孔質膜の厚さが薄いときにも機械的強度が
大きくし、また多孔質被膜の厚さが薄いときにも大面積
の多孔質メンブレンを得る。 【解決手段】 アルミナからなりかつ多数の貫通する細
孔が形成された多孔質膜１の周辺部分にアルミニウムか
らなる枠４を設ける。また、アルミニウムからなる基板
の表面を陽極酸化してアルミナからなりかつ細孔を有す
る多孔質被膜を形成し、基板の一部をドライエッチング
法により除去して多孔質被膜を露出させることにより枠
４を設け、多孔質被膜の細孔の底部を除去することによ
り多孔質膜１を形成する。
大きくし、また多孔質被膜の厚さが薄いときにも大面積
の多孔質メンブレンを得る。 【解決手段】 アルミナからなりかつ多数の貫通する細
孔が形成された多孔質膜１の周辺部分にアルミニウムか
らなる枠４を設ける。また、アルミニウムからなる基板
の表面を陽極酸化してアルミナからなりかつ細孔を有す
る多孔質被膜を形成し、基板の一部をドライエッチング
法により除去して多孔質被膜を露出させることにより枠
４を設け、多孔質被膜の細孔の底部を除去することによ
り多孔質膜１を形成する。
Description
【０００１】
【発明の属する技術分野】本発明は多孔質メンブレンお
よびその作製方法に関するものである。
よびその作製方法に関するものである。
【０００２】
【従来の技術】図１０は従来の多孔質メンブレンの一部
を示す正断面図、図１１は図１０に示した多孔質メンブ
レンの一部を示す平面図である。図に示すように、多孔
質メンブレンはアルミナ（Ａｌ2Ｏ3）からなる多孔質膜
３１からなり、多孔質膜３１は多数のセル３２を有して
おり、セル３２の中央部に細孔３３が形成されている。
を示す正断面図、図１１は図１０に示した多孔質メンブ
レンの一部を示す平面図である。図に示すように、多孔
質メンブレンはアルミナ（Ａｌ2Ｏ3）からなる多孔質膜
３１からなり、多孔質膜３１は多数のセル３２を有して
おり、セル３２の中央部に細孔３３が形成されている。
【０００３】このような多孔質メンブレンは、流体の分
離やろ過を行なうフィルタとして使用することができ
（木村尚史、表面技術、Vol. 45, No. 11, p. 1080-108
3, 1994）、また最近では半導体ウェハの表面を微細加
工する際のマスクとしても利用されている（M. Nakao,
S. Oku, T. Tamamura, K. Yasui, and H. Masuda, Conf
erence Proceedings of IPRM '98, p. 781-784, 199
8）。
離やろ過を行なうフィルタとして使用することができ
（木村尚史、表面技術、Vol. 45, No. 11, p. 1080-108
3, 1994）、また最近では半導体ウェハの表面を微細加
工する際のマスクとしても利用されている（M. Nakao,
S. Oku, T. Tamamura, K. Yasui, and H. Masuda, Conf
erence Proceedings of IPRM '98, p. 781-784, 199
8）。
【０００４】つぎに、図１２により図１０、図１１に示
した多孔質メンブレンの作製方法（黒田孝一、表面技
術、Vol. 40, No. 5, p. 685-689, 1989）について説明
する。まず、図１２(ａ)に示すように、アルミニウムか
らなる基板４１の表面を陽極酸化して、アルミナからな
りかつ細孔３３を有する多孔質被膜４２を形成する。つ
ぎに、図１２(ｂ)に示すように、電圧のバイアス方向を
反転させ、基板４１と多孔質被膜４２との界面に水素の
気泡を発生させることにより、基板４１から多孔質被膜
４２を剥離する。つぎに、多孔質被膜４２の細孔３３の
底部（バリア層）４３をリン酸を用いたウエットエッチ
ングまたは研磨により除去することにより、多孔質膜３
１を形成する。
した多孔質メンブレンの作製方法（黒田孝一、表面技
術、Vol. 40, No. 5, p. 685-689, 1989）について説明
する。まず、図１２(ａ)に示すように、アルミニウムか
らなる基板４１の表面を陽極酸化して、アルミナからな
りかつ細孔３３を有する多孔質被膜４２を形成する。つ
ぎに、図１２(ｂ)に示すように、電圧のバイアス方向を
反転させ、基板４１と多孔質被膜４２との界面に水素の
気泡を発生させることにより、基板４１から多孔質被膜
４２を剥離する。つぎに、多孔質被膜４２の細孔３３の
底部（バリア層）４３をリン酸を用いたウエットエッチ
ングまたは研磨により除去することにより、多孔質膜３
１を形成する。
【０００５】このような多孔質メンブレンの作製方法に
おいては、陽極酸化の条件により細孔３３の間隔を数ｎ
ｍから数百ｎｍの範囲で制御することができる。
おいては、陽極酸化の条件により細孔３３の間隔を数ｎ
ｍから数百ｎｍの範囲で制御することができる。
【０００６】
【発明が解決しようとする課題】しかし、図１０、図１
１に示した多孔質メンブレンにおいては、多孔質膜３１
の厚さが薄いときには、機械的強度が低下する。
１に示した多孔質メンブレンにおいては、多孔質膜３１
の厚さが薄いときには、機械的強度が低下する。
【０００７】また、図１２により説明した多孔質メンブ
レンの作製方法においては、電圧のバイアス方向を反転
させて基板４１と多孔質被膜４２との界面に水素の気泡
を発生させる際に、水素の発生量が基板４１の位置によ
って相違し、水素の発生量が多いところから多孔質被膜
４２が剥離し、多孔質被膜４２の剥離した部分に大きな
応力が作用するから、多孔質被膜４２の厚さが数μｍ程
度と薄いときには、多孔質被膜４２の早期に剥離した部
分が壊れてしまい、大面積の多孔質メンブレンを得るこ
とができない。
レンの作製方法においては、電圧のバイアス方向を反転
させて基板４１と多孔質被膜４２との界面に水素の気泡
を発生させる際に、水素の発生量が基板４１の位置によ
って相違し、水素の発生量が多いところから多孔質被膜
４２が剥離し、多孔質被膜４２の剥離した部分に大きな
応力が作用するから、多孔質被膜４２の厚さが数μｍ程
度と薄いときには、多孔質被膜４２の早期に剥離した部
分が壊れてしまい、大面積の多孔質メンブレンを得るこ
とができない。
【０００８】本発明は上述の課題を解決するためになさ
れたもので、多孔質膜の厚さが薄いときにも機械的強度
が大きな多孔質メンブレンを提供することを目的とし、
また多孔質被膜の厚さが薄いときにも大面積の多孔質メ
ンブレンを得ることができる多孔質メンブレンの作製方
法を提供することを目的とする。
れたもので、多孔質膜の厚さが薄いときにも機械的強度
が大きな多孔質メンブレンを提供することを目的とし、
また多孔質被膜の厚さが薄いときにも大面積の多孔質メ
ンブレンを得ることができる多孔質メンブレンの作製方
法を提供することを目的とする。
【０００９】
【課題を解決するための手段】この目的を達成するた
め、本発明においては、多孔質メンブレンにおいて、ア
ルミナからなる多孔質膜にアルミニウムからなる枠を設
ける。
め、本発明においては、多孔質メンブレンにおいて、ア
ルミナからなる多孔質膜にアルミニウムからなる枠を設
ける。
【００１０】また、多孔質メンブレンの作製方法におい
て、アルミニウムからなる基板の表面を陽極酸化してア
ルミナからなる多孔質被膜を形成する工程と、上記基板
の一部または全部をドライエッチング法により除去して
上記多孔質被膜を露出させる工程と、上記多孔質被膜の
細孔の底部を除去する工程とを行なう。
て、アルミニウムからなる基板の表面を陽極酸化してア
ルミナからなる多孔質被膜を形成する工程と、上記基板
の一部または全部をドライエッチング法により除去して
上記多孔質被膜を露出させる工程と、上記多孔質被膜の
細孔の底部を除去する工程とを行なう。
【００１１】また、多孔質メンブレンの作製方法におい
て、アルミニウムからなる基板の表面に多数の圧痕を形
成する工程と、上記基板の上記表面を陽極酸化してアル
ミナからなる多孔質被膜を形成する工程と、上記基板の
一部または全部をドライエッチング法により除去して上
記多孔質被膜を露出させる工程と、上記多孔質被膜の細
孔の底部を除去する工程とを行なう。
て、アルミニウムからなる基板の表面に多数の圧痕を形
成する工程と、上記基板の上記表面を陽極酸化してアル
ミナからなる多孔質被膜を形成する工程と、上記基板の
一部または全部をドライエッチング法により除去して上
記多孔質被膜を露出させる工程と、上記多孔質被膜の細
孔の底部を除去する工程とを行なう。
【００１２】これらの場合、上記ドライエッチング法で
用いるエッチングガスを臭素系ガスとする。
用いるエッチングガスを臭素系ガスとする。
【００１３】この場合、上記エッチングガスにIII族金
属を添加する。
属を添加する。
【００１４】
【発明の実施の形態】図１は本発明に係る多孔質メンブ
レンを示す一部切断概略斜視図、図２は図１に示した多
孔質メンブレンを示す概略平面図、図３は図１に示した
多孔質メンブレンを示す概略正断面、図４は図３の一部
詳細図である。図に示すように、アルミナからなる多孔
質膜１は多数のセル２を有しており、セル２の中央部に
は上下方向に貫通する細孔３が形成され、多孔質膜１の
周辺部分に枠４が設けられている。そして、多孔質膜１
はアルミニウムからなる基板の表面を陽極酸化して形成
されたものであり、枠４は陽極酸化した基板の一部を除
去することにより形成されたものである。多孔質メンブ
レンの作製方法については後で説明する。
レンを示す一部切断概略斜視図、図２は図１に示した多
孔質メンブレンを示す概略平面図、図３は図１に示した
多孔質メンブレンを示す概略正断面、図４は図３の一部
詳細図である。図に示すように、アルミナからなる多孔
質膜１は多数のセル２を有しており、セル２の中央部に
は上下方向に貫通する細孔３が形成され、多孔質膜１の
周辺部分に枠４が設けられている。そして、多孔質膜１
はアルミニウムからなる基板の表面を陽極酸化して形成
されたものであり、枠４は陽極酸化した基板の一部を除
去することにより形成されたものである。多孔質メンブ
レンの作製方法については後で説明する。
【００１５】図５は本発明に係る他の多孔質メンブレン
を示す図である。図５(ａ)〜(ｃ)に示すように、多孔質
膜１にアルミニウムからなる日字状の枠５、アルミニウ
ムからなる田字状の枠６またはアルミニウムからなりか
つ中央部にＸ字状の部分を有する枠７を設けてもよい。
また、図５(ｄ)に示すように、円形の領域のみ基板のア
ルミニウムを除去して多孔質膜１とし、円形の領域以外
は枠８としてアルミニウムを残してもよい。このよう
に、アルミニウムからなる枠は多孔質膜１を支えるとい
う目的以外の目的で設けてもよく、目的用途に応じて枠
の配置を変えることができる。
を示す図である。図５(ａ)〜(ｃ)に示すように、多孔質
膜１にアルミニウムからなる日字状の枠５、アルミニウ
ムからなる田字状の枠６またはアルミニウムからなりか
つ中央部にＸ字状の部分を有する枠７を設けてもよい。
また、図５(ｄ)に示すように、円形の領域のみ基板のア
ルミニウムを除去して多孔質膜１とし、円形の領域以外
は枠８としてアルミニウムを残してもよい。このよう
に、アルミニウムからなる枠は多孔質膜１を支えるとい
う目的以外の目的で設けてもよく、目的用途に応じて枠
の配置を変えることができる。
【００１６】これらの多孔質メンブレンにおいては、多
孔質膜１に枠４〜８が設けられているから、多孔質膜１
の厚さがたとえば１μｍ程度と薄いときにも機械的強度
が大きいので、半導体ウェハの表面を微細加工する際の
マスクに用いることができる。
孔質膜１に枠４〜８が設けられているから、多孔質膜１
の厚さがたとえば１μｍ程度と薄いときにも機械的強度
が大きいので、半導体ウェハの表面を微細加工する際の
マスクに用いることができる。
【００１７】つぎに、図１〜図４に示した多孔質メンブ
レンの作製方法すなわち本発明に係る多孔質メンブレン
の作製方法を図６、図７により説明する。まず、図６
(ａ)に示すように、アルミニウムからなる基板１１の表
面をシュウ酸（Ｃ2Ｈ2Ｏ4）を電解液として陽極酸化す
ることにより、アルミナからなりかつ細孔３を有する多
孔質被膜１２を形成する。この場合、基板１１の表面を
陽極酸化すると、陽極酸化膜の生成と生成した陽極酸化
膜の溶解とが同時に進行し、独自な多孔質構造の多孔質
被膜１２が形成される。すなわち、陽極酸化の開始初期
の基板１１の表面に生成された陽極酸化膜には、溶解作
用による微少なピットがランダムに発生するが、陽極酸
化の進行にともなっていくつかのピットが優先的に成長
し、優先的に成長したピットがほぼ等間隔に配列するよ
うになる。そして、一旦ピットが形成された部分には他
の部分に比較して高い電場がかかり、しかも陽極酸化膜
にかかる電場が高いと、イオンの移動が加速されること
により陽極酸化膜の溶解は促進されるから、陽極酸化膜
には成長とともに選択的に溶解されて細孔３となる部分
と、細孔３を取り囲むように溶解溶解されずに残される
外壁の部分とが形成され、それぞれの外壁の部分がぼぼ
均一な力でバランスしながら成長することにより、独特
なハニカム構造が形成される。この結果、陽極酸化によ
り形成した多孔質被膜１２は細孔３がほぼ等間隔に並行
して形成された多孔質構造をとる。なお、多孔質被膜１
２の幾何学構造は作製条件により制御することができ
る。すなわち、細孔３の間隔は陽極酸化時の電圧に比例
して増加する。また、細孔３の深さは陽極酸化時間に比
例して増加する。つぎに、図６(ｂ)に示すように、基板
１１の裏面すなわち多孔質被膜１２を形成した面とは反
対側の面にフォトリソグラフィにより誘電体からなるマ
スク１４を形成する。つぎに、図６(ｃ)に示すように、
マスク１４を形成した基板１１をドライエッチング装置
に装填して、ドライエッチング法すなわちエッチングガ
スとして臭素（Ｂｒ2）ガスを用い、エッチングガスにI
II族元素のガリウム（Ｇａ）を添加した反応性ビームエ
ッチング（Reactive Beam Etching、ＲＢＥ）法によ
り、基板１１の一部すなわちマスク１４で覆われた部分
以外の部分を選択的に除去して、枠４を形成する。この
場合、臭素ガスの分圧が０．４７ｍTorr、臭素ガスをイ
オン化するマイクロ波パワーが１００Ｗ、ビームの加速
電圧が３８５Ｖ、試料温度が１６０℃の条件の下で６０
分間エッチングする。また、アルミナのエッチング速度
がアルミニウムのそれに較べ非常に小さいから、基板１
１と多孔質被膜１２との界面でエッチングが止まる。つ
ぎに、図７(ａ)に示すように、多孔質被膜１２の表面を
レジスト等（図示せず）で保護したのち、多孔質被膜１
２の細孔３の底部１３をリン酸を用いたウエットエッチ
ングまたは研磨により除去することにより、多孔質膜１
を形成する。最後に、図７(ｂ)に示すように、枠４から
マスク１４を除去する。
レンの作製方法すなわち本発明に係る多孔質メンブレン
の作製方法を図６、図７により説明する。まず、図６
(ａ)に示すように、アルミニウムからなる基板１１の表
面をシュウ酸（Ｃ2Ｈ2Ｏ4）を電解液として陽極酸化す
ることにより、アルミナからなりかつ細孔３を有する多
孔質被膜１２を形成する。この場合、基板１１の表面を
陽極酸化すると、陽極酸化膜の生成と生成した陽極酸化
膜の溶解とが同時に進行し、独自な多孔質構造の多孔質
被膜１２が形成される。すなわち、陽極酸化の開始初期
の基板１１の表面に生成された陽極酸化膜には、溶解作
用による微少なピットがランダムに発生するが、陽極酸
化の進行にともなっていくつかのピットが優先的に成長
し、優先的に成長したピットがほぼ等間隔に配列するよ
うになる。そして、一旦ピットが形成された部分には他
の部分に比較して高い電場がかかり、しかも陽極酸化膜
にかかる電場が高いと、イオンの移動が加速されること
により陽極酸化膜の溶解は促進されるから、陽極酸化膜
には成長とともに選択的に溶解されて細孔３となる部分
と、細孔３を取り囲むように溶解溶解されずに残される
外壁の部分とが形成され、それぞれの外壁の部分がぼぼ
均一な力でバランスしながら成長することにより、独特
なハニカム構造が形成される。この結果、陽極酸化によ
り形成した多孔質被膜１２は細孔３がほぼ等間隔に並行
して形成された多孔質構造をとる。なお、多孔質被膜１
２の幾何学構造は作製条件により制御することができ
る。すなわち、細孔３の間隔は陽極酸化時の電圧に比例
して増加する。また、細孔３の深さは陽極酸化時間に比
例して増加する。つぎに、図６(ｂ)に示すように、基板
１１の裏面すなわち多孔質被膜１２を形成した面とは反
対側の面にフォトリソグラフィにより誘電体からなるマ
スク１４を形成する。つぎに、図６(ｃ)に示すように、
マスク１４を形成した基板１１をドライエッチング装置
に装填して、ドライエッチング法すなわちエッチングガ
スとして臭素（Ｂｒ2）ガスを用い、エッチングガスにI
II族元素のガリウム（Ｇａ）を添加した反応性ビームエ
ッチング（Reactive Beam Etching、ＲＢＥ）法によ
り、基板１１の一部すなわちマスク１４で覆われた部分
以外の部分を選択的に除去して、枠４を形成する。この
場合、臭素ガスの分圧が０．４７ｍTorr、臭素ガスをイ
オン化するマイクロ波パワーが１００Ｗ、ビームの加速
電圧が３８５Ｖ、試料温度が１６０℃の条件の下で６０
分間エッチングする。また、アルミナのエッチング速度
がアルミニウムのそれに較べ非常に小さいから、基板１
１と多孔質被膜１２との界面でエッチングが止まる。つ
ぎに、図７(ａ)に示すように、多孔質被膜１２の表面を
レジスト等（図示せず）で保護したのち、多孔質被膜１
２の細孔３の底部１３をリン酸を用いたウエットエッチ
ングまたは研磨により除去することにより、多孔質膜１
を形成する。最後に、図７(ｂ)に示すように、枠４から
マスク１４を除去する。
【００１８】この多孔質メンブレンの作製方法において
は、反応性ビームエッチング法により基板１１を除去す
るから、基板１１が均一に除去されるので、多孔質被膜
１２の一部に大きな応力が作用することがない。このた
め、多孔質被膜１２の厚さが薄いときにも大面積の多孔
質メンブレンを得ることができる。また、エッチングガ
スとして臭素ガスを用いているから、基板１１の除去に
要する時間（エッチング時間）を短縮することができ
る。また、エッチングガスである臭素ガスにガリウムを
添加しているから、臭素とアルミニウムとの反応を促進
することができるので、基板１１の除去に要する時間を
さらに短縮することができる。また、底部１３を除去す
る際に、多孔質被膜１２の表面をレジスト等で保護する
から、細孔３の径が大きくなったり、多孔質被膜１２の
厚さが薄くなったりするのを防止することができる。
は、反応性ビームエッチング法により基板１１を除去す
るから、基板１１が均一に除去されるので、多孔質被膜
１２の一部に大きな応力が作用することがない。このた
め、多孔質被膜１２の厚さが薄いときにも大面積の多孔
質メンブレンを得ることができる。また、エッチングガ
スとして臭素ガスを用いているから、基板１１の除去に
要する時間（エッチング時間）を短縮することができ
る。また、エッチングガスである臭素ガスにガリウムを
添加しているから、臭素とアルミニウムとの反応を促進
することができるので、基板１１の除去に要する時間を
さらに短縮することができる。また、底部１３を除去す
る際に、多孔質被膜１２の表面をレジスト等で保護する
から、細孔３の径が大きくなったり、多孔質被膜１２の
厚さが薄くなったりするのを防止することができる。
【００１９】つぎに、本発明に係る他の多孔質メンブレ
ンの作製方法を図８により説明する。まず、図８(ａ)に
示すように、ＳｉＣ基板上に電子ビームリソグラフィー
で図９に示すように周期的に配列（正方配列（図９
(ａ)、(ｂ)）、六方配列（図９(ｃ)）、三方配列（図９
(ｄ)））した多数の突起２３を設けたモールド２２を作
製し、モールド２２をアルミニウムからなる基板２１の
表面上に配置したのち、２５０ｋｇｆの圧力を加えてモ
ールド２２と基板２１とを密着させる。つぎに、図８
(ｂ)に示すように、基板２１からモールド２２を引き離
す。この場合、基板２１の表面に多数の圧痕２４が形成
される。つぎに、図８(ｃ)に示すように、基板２１の圧
痕２４が形成された表面を陽極酸化することにより、ア
ルミナからなりかつ細孔２７を有する多孔質被膜２５を
形成する。この場合、他の部分よりも圧痕２４の部分に
かかる電場が大きくなるから、圧痕２４の部分における
陽極酸化膜の溶解が優先的に進行するので、圧痕２４の
位置に細孔２７が形成される。これ以降の工程は図６、
図７により説明した多孔質メンブレンの作製方法と同様
である。
ンの作製方法を図８により説明する。まず、図８(ａ)に
示すように、ＳｉＣ基板上に電子ビームリソグラフィー
で図９に示すように周期的に配列（正方配列（図９
(ａ)、(ｂ)）、六方配列（図９(ｃ)）、三方配列（図９
(ｄ)））した多数の突起２３を設けたモールド２２を作
製し、モールド２２をアルミニウムからなる基板２１の
表面上に配置したのち、２５０ｋｇｆの圧力を加えてモ
ールド２２と基板２１とを密着させる。つぎに、図８
(ｂ)に示すように、基板２１からモールド２２を引き離
す。この場合、基板２１の表面に多数の圧痕２４が形成
される。つぎに、図８(ｃ)に示すように、基板２１の圧
痕２４が形成された表面を陽極酸化することにより、ア
ルミナからなりかつ細孔２７を有する多孔質被膜２５を
形成する。この場合、他の部分よりも圧痕２４の部分に
かかる電場が大きくなるから、圧痕２４の部分における
陽極酸化膜の溶解が優先的に進行するので、圧痕２４の
位置に細孔２７が形成される。これ以降の工程は図６、
図７により説明した多孔質メンブレンの作製方法と同様
である。
【００２０】この多孔質メンブレンの作製方法において
は、基板２１の表面に圧痕２４を形成するから、細孔２
７を形成する位置を制御することができるので、多孔質
メンブレンを半導体ウェハの表面を微細加工する際のマ
スクに用いることができる。
は、基板２１の表面に圧痕２４を形成するから、細孔２
７を形成する位置を制御することができるので、多孔質
メンブレンを半導体ウェハの表面を微細加工する際のマ
スクに用いることができる。
【００２１】なお、上述実施の形態においては、ドライ
エッチング法として反応性ビームエッチングを用いた
が、ドライエッチング法として平行平板型プラズマエッ
チング法等を用いてもよい。また、上述実施の形態にお
いては、ドライエッチング法のエッチングガスとして臭
素ガスを用いたが、エッチングガスとして臭素系ガス、
塩素系ガス（ＣＣｌ4，ＢＣｌ3）等を用いてもよい。ま
た、上述実施の形態においては、基板１１の一部を除去
したが、基板１１の全部を除去してもよい。
エッチング法として反応性ビームエッチングを用いた
が、ドライエッチング法として平行平板型プラズマエッ
チング法等を用いてもよい。また、上述実施の形態にお
いては、ドライエッチング法のエッチングガスとして臭
素ガスを用いたが、エッチングガスとして臭素系ガス、
塩素系ガス（ＣＣｌ4，ＢＣｌ3）等を用いてもよい。ま
た、上述実施の形態においては、基板１１の一部を除去
したが、基板１１の全部を除去してもよい。
【００２２】
【発明の効果】本発明に係る多孔質メンブレンにおいて
は、多孔質膜に枠が設けられているから、多孔質膜の厚
さが薄いときにも機械的強度が大きい。
は、多孔質膜に枠が設けられているから、多孔質膜の厚
さが薄いときにも機械的強度が大きい。
【００２３】また、本発明に係る多孔質メンブレンの作
製方法においては、ドライエッチング法により基板を除
去するから、多孔質被膜の一部に大きな応力が作用する
ことがないので、多孔質被膜の厚さが薄いときにも大面
積の多孔質メンブレンを得ることができる。
製方法においては、ドライエッチング法により基板を除
去するから、多孔質被膜の一部に大きな応力が作用する
ことがないので、多孔質被膜の厚さが薄いときにも大面
積の多孔質メンブレンを得ることができる。
【００２４】また、アルミニウムからなる基板の表面に
多数の圧痕を形成したときには、細孔を形成する位置を
制御することができる。
多数の圧痕を形成したときには、細孔を形成する位置を
制御することができる。
【００２５】また、ドライエッチング法で用いるエッチ
ングガスを臭素系ガスとしたときには、基板の除去に要
する時間を短縮することができる。
ングガスを臭素系ガスとしたときには、基板の除去に要
する時間を短縮することができる。
【００２６】また、ドライエッチング法で用いるエッチ
ングガスを臭素系ガスとし、エッチングガスにIII族金
属を添加したときには、臭素とアルミニウムとの反応を
促進することができるから、基板の除去に要する時間を
さらに短縮することができる。
ングガスを臭素系ガスとし、エッチングガスにIII族金
属を添加したときには、臭素とアルミニウムとの反応を
促進することができるから、基板の除去に要する時間を
さらに短縮することができる。
【図１】本発明に係る多孔質メンブレンを示す一部切断
概略斜視図である。
概略斜視図である。
【図２】図１に示した多孔質メンブレンを示す概略平面
図である。
図である。
【図３】図１に示した多孔質メンブレンを示す概略正断
面である。
面である。
【図４】図３の一部詳細図である。
【図５】本発明に係る他の多孔質メンブレンを示す概略
図である。
図である。
【図６】本発明に係る多孔質メンブレンの作製方法の説
明図である。
明図である。
【図７】本発明に係る多孔質メンブレンの作製方法の説
明図である。
明図である。
【図８】本発明に係る他の多孔質メンブレンの作製方法
の説明図である。
の説明図である。
【図９】本発明に係る他の多孔質メンブレンの作製方法
の説明図である。
の説明図である。
【図１０】従来の多孔質メンブレンの一部を示す正断面
図である。
図である。
【図１１】図１０に示した多孔質メンブレンの一部を示
す平面図である。
す平面図である。
【図１２】図１０、図１１に示した多孔質メンブレンの
作製方法の説明図である。
作製方法の説明図である。
１…多孔質膜 ３…細孔 ４…枠 ５…枠 ６…枠 ７…枠 ８…枠 １１…基板 １２…多孔質被膜 １３…底部 ２１…基板 ２４…圧痕 ２５…多孔質被膜 ２７…細孔
フロントページの続き (72)発明者 小笠原 松幸 東京都新宿区西新宿三丁目19番２号 日本 電信電話株式会社内 (72)発明者 玉村 敏昭 東京都新宿区西新宿三丁目19番２号 日本 電信電話株式会社内 (72)発明者 益田 秀樹 東京都八王子市別所２−13−２−510 Ｆターム(参考） 4D006 GA01 GA41 JA02B JA08A JA08C JB01 MA03 MA22 MA31 MC03X NA50 PC01
Claims (5)
- 【請求項１】アルミナからなる多孔質膜にアルミニウム
からなる枠を設けたことを特徴とする多孔質メンブレ
ン。 - 【請求項２】アルミニウムからなる基板の表面を陽極酸
化してアルミナからなる多孔質被膜を形成する工程と、
上記基板の一部または全部をドライエッチング法により
除去して上記多孔質被膜を露出させる工程と、上記多孔
質被膜の細孔の底部を除去する工程とを含むことを特徴
とする多孔質メンブレンの作製方法。 - 【請求項３】アルミニウムからなる基板の表面に多数の
圧痕を形成する工程と、上記基板の上記表面を陽極酸化
してアルミナからなる多孔質被膜を形成する工程と、上
記基板の一部または全部をドライエッチング法により除
去して上記多孔質被膜を露出させる工程と、上記多孔質
被膜の細孔の底部を除去する工程とを含むことを特徴と
する多孔質メンブレンの作製方法。 - 【請求項４】上記ドライエッチング法で用いるエッチン
グガスを臭素系ガスとすることを特徴とする請求項２ま
たは３に記載の多孔質メンブレンの作製方法。 - 【請求項５】上記エッチングガスにIII族金属を添加す
ることを特徴とする請求項４に記載の多孔質メンブレン
の作製方法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP11032307A JP2000229228A (ja) | 1999-02-10 | 1999-02-10 | 多孔質メンブレンおよびその作製方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP11032307A JP2000229228A (ja) | 1999-02-10 | 1999-02-10 | 多孔質メンブレンおよびその作製方法 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JP2000229228A true JP2000229228A (ja) | 2000-08-22 |
Family
ID=12355297
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP11032307A Pending JP2000229228A (ja) | 1999-02-10 | 1999-02-10 | 多孔質メンブレンおよびその作製方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JP2000229228A (ja) |
Cited By (4)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2003290637A (ja) * | 2002-03-29 | 2003-10-14 | Tdk Corp | 混合伝導体積層素子の製造方法および混合伝導体積層素子 |
| DE10318995A1 (de) * | 2003-04-25 | 2004-11-25 | Christian-Albrechts-Universität Zu Kiel | Verfahren zur Herstellung von durchgängigen Membranen |
| KR100731549B1 (ko) | 2006-07-21 | 2007-06-22 | 이노필터 주식회사 | 다공성 복합 세라믹 분리막 제조방법과, 이에 의해 제조된다공성 복합 세라믹 분리막 |
| WO2017169717A1 (ja) * | 2016-03-30 | 2017-10-05 | 富士フイルム株式会社 | 検査デバイス、検査装置および検査方法 |
-
1999
- 1999-02-10 JP JP11032307A patent/JP2000229228A/ja active Pending
Cited By (5)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2003290637A (ja) * | 2002-03-29 | 2003-10-14 | Tdk Corp | 混合伝導体積層素子の製造方法および混合伝導体積層素子 |
| DE10318995A1 (de) * | 2003-04-25 | 2004-11-25 | Christian-Albrechts-Universität Zu Kiel | Verfahren zur Herstellung von durchgängigen Membranen |
| DE10318995B4 (de) * | 2003-04-25 | 2006-04-20 | Christian-Albrechts-Universität Zu Kiel | Verfahren zur Herstellung von durchgängigen Membranen |
| KR100731549B1 (ko) | 2006-07-21 | 2007-06-22 | 이노필터 주식회사 | 다공성 복합 세라믹 분리막 제조방법과, 이에 의해 제조된다공성 복합 세라믹 분리막 |
| WO2017169717A1 (ja) * | 2016-03-30 | 2017-10-05 | 富士フイルム株式会社 | 検査デバイス、検査装置および検査方法 |
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