DE10318995B4 - Verfahren zur Herstellung von durchgängigen Membranen - Google Patents
Verfahren zur Herstellung von durchgängigen Membranen Download PDFInfo
- Publication number
- DE10318995B4 DE10318995B4 DE10318995A DE10318995A DE10318995B4 DE 10318995 B4 DE10318995 B4 DE 10318995B4 DE 10318995 A DE10318995 A DE 10318995A DE 10318995 A DE10318995 A DE 10318995A DE 10318995 B4 DE10318995 B4 DE 10318995B4
- Authority
- DE
- Germany
- Prior art keywords
- macropores
- mesopores
- pores
- semiconductor
- flat side
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Expired - Fee Related
Links
- 238000000034 method Methods 0.000 title claims abstract description 23
- 239000012528 membrane Substances 0.000 title claims abstract description 15
- 238000004519 manufacturing process Methods 0.000 title claims abstract description 9
- 239000011148 porous material Substances 0.000 claims abstract description 44
- 239000004065 semiconductor Substances 0.000 claims abstract description 19
- 238000005530 etching Methods 0.000 claims abstract description 16
- 239000000463 material Substances 0.000 claims abstract description 10
- 230000005684 electric field Effects 0.000 claims abstract description 4
- 238000001514 detection method Methods 0.000 claims description 5
- 239000003792 electrolyte Substances 0.000 claims description 5
- 238000012544 monitoring process Methods 0.000 claims description 2
- 239000010410 layer Substances 0.000 description 10
- 229910052710 silicon Inorganic materials 0.000 description 6
- XUIMIQQOPSSXEZ-UHFFFAOYSA-N Silicon Chemical compound [Si] XUIMIQQOPSSXEZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 5
- 239000010703 silicon Substances 0.000 description 5
- 238000003486 chemical etching Methods 0.000 description 4
- 239000002253 acid Substances 0.000 description 2
- 230000015572 biosynthetic process Effects 0.000 description 2
- 230000015556 catabolic process Effects 0.000 description 2
- 239000002800 charge carrier Substances 0.000 description 2
- 150000004767 nitrides Chemical class 0.000 description 2
- 229910005540 GaP Inorganic materials 0.000 description 1
- 229910001218 Gallium arsenide Inorganic materials 0.000 description 1
- 229910052581 Si3N4 Inorganic materials 0.000 description 1
- 150000007513 acids Chemical class 0.000 description 1
- 230000006978 adaptation Effects 0.000 description 1
- 238000005229 chemical vapour deposition Methods 0.000 description 1
- 238000004090 dissolution Methods 0.000 description 1
- 229910052732 germanium Inorganic materials 0.000 description 1
- 230000000873 masking effect Effects 0.000 description 1
- 238000005259 measurement Methods 0.000 description 1
- 238000001020 plasma etching Methods 0.000 description 1
- 229910021426 porous silicon Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000011241 protective layer Substances 0.000 description 1
- HQVNEWCFYHHQES-UHFFFAOYSA-N silicon nitride Chemical compound N12[Si]34N5[Si]62N3[Si]51N64 HQVNEWCFYHHQES-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 239000007787 solid Substances 0.000 description 1
- 230000000087 stabilizing effect Effects 0.000 description 1
- 239000000126 substance Substances 0.000 description 1
Classifications
-
- B—PERFORMING OPERATIONS; TRANSPORTING
- B81—MICROSTRUCTURAL TECHNOLOGY
- B81C—PROCESSES OR APPARATUS SPECIALLY ADAPTED FOR THE MANUFACTURE OR TREATMENT OF MICROSTRUCTURAL DEVICES OR SYSTEMS
- B81C1/00—Manufacture or treatment of devices or systems in or on a substrate
- B81C1/00015—Manufacture or treatment of devices or systems in or on a substrate for manufacturing microsystems
- B81C1/00023—Manufacture or treatment of devices or systems in or on a substrate for manufacturing microsystems without movable or flexible elements
- B81C1/00087—Holes
-
- B—PERFORMING OPERATIONS; TRANSPORTING
- B01—PHYSICAL OR CHEMICAL PROCESSES OR APPARATUS IN GENERAL
- B01D—SEPARATION
- B01D67/00—Processes specially adapted for manufacturing semi-permeable membranes for separation processes or apparatus
- B01D67/0039—Inorganic membrane manufacture
- B01D67/0053—Inorganic membrane manufacture by inducing porosity into non porous precursor membranes
- B01D67/006—Inorganic membrane manufacture by inducing porosity into non porous precursor membranes by elimination of segments of the precursor, e.g. nucleation-track membranes, lithography or laser methods
-
- B—PERFORMING OPERATIONS; TRANSPORTING
- B01—PHYSICAL OR CHEMICAL PROCESSES OR APPARATUS IN GENERAL
- B01D—SEPARATION
- B01D71/00—Semi-permeable membranes for separation processes or apparatus characterised by the material; Manufacturing processes specially adapted therefor
- B01D71/02—Inorganic material
- B01D71/0213—Silicon
-
- C—CHEMISTRY; METALLURGY
- C25—ELECTROLYTIC OR ELECTROPHORETIC PROCESSES; APPARATUS THEREFOR
- C25F—PROCESSES FOR THE ELECTROLYTIC REMOVAL OF MATERIALS FROM OBJECTS; APPARATUS THEREFOR
- C25F3/00—Electrolytic etching or polishing
- C25F3/02—Etching
- C25F3/12—Etching of semiconducting materials
-
- B—PERFORMING OPERATIONS; TRANSPORTING
- B81—MICROSTRUCTURAL TECHNOLOGY
- B81B—MICROSTRUCTURAL DEVICES OR SYSTEMS, e.g. MICROMECHANICAL DEVICES
- B81B2201/00—Specific applications of microelectromechanical systems
- B81B2201/10—Microfilters, e.g. for gas or fluids
-
- B—PERFORMING OPERATIONS; TRANSPORTING
- B81—MICROSTRUCTURAL TECHNOLOGY
- B81C—PROCESSES OR APPARATUS SPECIALLY ADAPTED FOR THE MANUFACTURE OR TREATMENT OF MICROSTRUCTURAL DEVICES OR SYSTEMS
- B81C2201/00—Manufacture or treatment of microstructural devices or systems
- B81C2201/01—Manufacture or treatment of microstructural devices or systems in or on a substrate
- B81C2201/0101—Shaping material; Structuring the bulk substrate or layers on the substrate; Film patterning
- B81C2201/0102—Surface micromachining
- B81C2201/0105—Sacrificial layer
- B81C2201/0109—Sacrificial layers not provided for in B81C2201/0107 - B81C2201/0108
-
- B—PERFORMING OPERATIONS; TRANSPORTING
- B81—MICROSTRUCTURAL TECHNOLOGY
- B81C—PROCESSES OR APPARATUS SPECIALLY ADAPTED FOR THE MANUFACTURE OR TREATMENT OF MICROSTRUCTURAL DEVICES OR SYSTEMS
- B81C2201/00—Manufacture or treatment of microstructural devices or systems
- B81C2201/01—Manufacture or treatment of microstructural devices or systems in or on a substrate
- B81C2201/0101—Shaping material; Structuring the bulk substrate or layers on the substrate; Film patterning
- B81C2201/0111—Bulk micromachining
- B81C2201/0114—Electrochemical etching, anodic oxidation
Landscapes
- Chemical & Material Sciences (AREA)
- Engineering & Computer Science (AREA)
- Chemical Kinetics & Catalysis (AREA)
- Manufacturing & Machinery (AREA)
- Inorganic Chemistry (AREA)
- Microelectronics & Electronic Packaging (AREA)
- Analytical Chemistry (AREA)
- Physics & Mathematics (AREA)
- Optics & Photonics (AREA)
- Electrochemistry (AREA)
- Materials Engineering (AREA)
- Metallurgy (AREA)
- Organic Chemistry (AREA)
- Weting (AREA)
- Separation Using Semi-Permeable Membranes (AREA)
Abstract
Verfahren
zur Herstellung von Membranen mit durchgängigen Poren aus Halbleitermaterialien unter
elektrochemischer Ätzung
von Makroporen an einer Flachseite eines im wesentlichen flächigen Halbleiters,
dadurch gekennzeichnet, dass von der den Makroporen gegenüberliegenden
Flachseite des Halbleiters Mesoporen mit kleinerem Durchmesser als
die Makroporen der ersten Flachseite geätzt werden, wobei wenigstens
ein im Inneren des Halbleiters zwischen den Poren der Vorder und
Rückseite
liegender Schichtbereich ungeöffnet
verbleibt, bis durch die hohen elektrischen Feldstärken der
Mesoporen an den Porenspitzen bei sehr kleinen Raumladungszonen ein
nicht nur punktuelles Hineinwachsen der Mesoporen in die gegenüberliegenden
Spitzen der Makroporen der ersten Seitenfläche erfolgt.
Description
- Die Erfindung betrifft ein Verfahren zur Herstellung von durchgängigen Membranen aus Halbleitermaterialien wie Si, Ge, GaAs, GaP oder InP nach dem Oberbegriff des Hauptanspruchs. Es ist für die mechanische Handhabung der so erzeugten Membranen wichtig, daß immer solides (nichtporöses) Material die Membranen berandet oder Bereiche vorhanden sind, die die Membranen durchsetzen, um mechanische Stabilität zu gewährleisen.
- Die Porosität wird durch bekannte elektrochemische Prozesse erzeugt; einen Überblick über die derzeit bekannten Techniken gibt der Review-Artikel H. Föll, M. Christopher sen, J. Carstensen und G. Hasse "Formation and application of porous Si", Materials Science & Engineering R: Reports, Vol. R39 (2002) p. 93–141 für z. B. Silizium.
- Für die verschiedenen Halbleitermaterialien lassen sich je nach detaillierter Spezifikation (insbesondere Dotiertyp (n oder p) und Leitfähigkeit) und Ätzbedingungen (insbesondere Elektrolytart, Stromdichte, Spannung und Temperatur) viele verschiedenartige Porenstrukturen erzeugen. Porengeometrien umfassen Dimensionen (Durchmesser d und mittlere Abstände) von wenigen nm bis > 10 μm (die Bezeichnungen Mikroporen für d < 10 nm, Mesoporen für 10 nm < d < 50 nm, Makroporen für d > 50 nm sind genormt und werden im Folgenden verwendet).
- Porenmorphologien umfassen:
- – dreidimensionale Netzwerke („Schwämme"),
- – Poren, die immer in spezifischen kristallographischen Richtungen wachsen,
- – Poren, die immer in Richtung des lokalen Stromflusses wachsen,
- – Poren mit glatten oder rauen Wänden sowie
- – Poren mit vielen Seitenporen.
- Allen Porenarten gemeinsam ist jedoch, dass ihr Wachstum grundsätzlich endet, bevor die jeweilige Rückseite des Halbleiters erreicht wird. Membranen, d.h. flächige Körper mit Poren, die auf beiden Seiten offen sind, lassen sich deshalb nur mit der Porenätzung grundsätzlich nicht erzeugen. Elektrochemische Ätzverfahren für Makroporen müssen zudem vermeiden, daß die meist von den starken Säuren leicht angreifbaren Elektroden an der Rückseite der Halbleitermaterialien mit der Säure in Kontakt kommen. Für viele Anwendungen poröser Halbleiter werden jedoch durchgängige Membranen benötigt, deren Herstellung immer viel Aufwand und zahlreiche Arbeitsschritte erfordert.
- Naheliegend wäre nun, und dies wird in Labors auch durchgeführt, ein mechanisches Abschleifen der nicht porösen Schicht. Schleifen ist jedoch ein uneleganter Prozess, der viel Erfahrung benötigt und sehr leicht zur Zerstörung der porösen und deshalb sehr zerbrechlichen Schicht führt. Weiterhin gibt es keine einfache Endpunkterkennung, d.h. der Zeitpunkt des Erreichens der Poren ist nicht erkennbar.
- Ein weitere Nachteil besteht darin, dass keine lokale Anpassung der Schleiftiefe an die oft nicht ganz homogene und nur im Nachhinein erfassbare Porentiefe möglich ist.
- Rein chemische Rückätzung des nicht porösen Teils ist ebenfalls möglich und wird gelegentlich angewendet. Hier ist aber prinzipiell immer damit zu rechnen, dass die poröse Schicht sehr schnell aufgelöst wird, sobald die Ätzfront die tiefsten Poren erreicht. Rein chemische Rückätzung ist damit im allgemeinen nicht praktikabel ohne aufwendige Verfahren zum Schutz der Porenwände (wie sie im Folgenden noch näher erläutert werden).
- Standard-Plasmaätzverfahren vermeiden diesen Hauptnachteil der chemischen Ätzung bis zu einem gewissen Grad, sie sind aber generell so langsam, dass sie für die Entfernung von Schichten mit mehr als einigen wenigen μm Dicke nicht in Frage kommen.
- Ein Verfahren, bei dem die Porenwände von Makroporen (= Poren mit Durchmessern > 50 nm, typischerweise aber um 1 μm) in Silizium durch ein CVD-Verfahren mit Siliziumnitrid beschichtet werden, danach das überschüssige Silizium rein chemisch, z. B. in KOH aufgelöst wird, wobei die Nitridschicht als Schutzschicht wirkt und eine schnelle Auflösung des Si im porösen Teil des Si verhindert, ist im Prinzip möglich aber viel zu aufwendig für größere Produktionen. Zudem ist es keineswegs trivial nach erfolgter Rückätzung wieder die Nitridschicht zu entfernen.
- Das Verfahren ist außerdem sehr kostenträchtig und nur für Makroporen in Si geeignet. Die Anwendung auf Meso- und Mikroporen oder auf Poren in anderen Halbleitern ist nicht, oder nur sehr stark eingeschränkt möglich.
- Aufgabe der Erfindung ist es, ein Verfahren zur Herstellung von Membranen definierter Dicke, die stabilisierende nichtporöse Teile enthalten, für verschiedene Porensorten und Halbleitermaterialien zu schaffen. Diese Verfahren müssen an die Dotierung und an die von der Vorderseite her geätzte Porenart angepaßt werden.
- Da sich von der Rückseite nicht einfach die gleichen Poren und ein Kontakt bilden werden, ist dies nicht ohne weiteres möglich. Generell werden Poren, die aufeinander zuwachsen, z.B. weil man Vorder- und Rückseite in einer elektrolytischen Doppelzelle gleichzeitig ätzt, sich nicht durchdringen. Der Grund dafür ist, daß in fast allen Fällen des Porenwachstums sich vor der Porenspitze einer nicht mehr wachsenden Pore eine Raumladungszone befindet, die eine wachsende Pore nicht durchdringen kann, da der für die Ätzung erforderliche Ladungsträgertransport verhindert wird.
- Weiter sind die Schriften
DE 100 14 723 A1 undDE 198 20 756 C1 zu nennen, in denen die Erfinder dieses Patents schon Porenätzungsverfahren in Silizium mit mikroporöser Schichtfolge erläutern bzw. ein elektrochemisch geätztes perforiertes Werkstück beschrieben wird. - Erfindungsgemäß wird ein Verfahren mit den Merkmalen des Hauptanspruchs vorgeschlagen. Dabei kann die von Mesoporen (kleineren Poren) durchsetzte Schicht in den gewünschten Bereichen mit verschiedenen Methoden erzeugt werden, so daß die in dem Unteranspruch als bevorzugte Ausführungsformen genannten Merkmale dem Verfahren eine Endpunkterkennung für den Prozeß bieten.
- Es wird nun vorgeschlagen, Mesoporen-Ätzung von der Rückseite vorzunehmen, wobei die Mesoporen in die von der Vorderseite geätzten Porenspitzen hineinstoßen und somit eine durchgängige Membran aus zwei Porensorten bilden. Man macht sich dabei zu nutze, daß Ausnahmen von der Regel des nicht Hineinwachsens möglich sind. Insbesondere können Mesoporen in andere Poren hineinwachsen, da Mesoporen aufgrund der starken Krümmung an der Porenspitze hohe Feldstärken bei sehr kleinen Raumladungszonen ausbilden; Ladungsträger können dann in der Raumladungszone generiert werden und die Ätzung aufrecht erhalten. Somit stoppen diese Poren nicht automatisch bei Erreichen der gegenüberliegenden Porenspitzen.
- Sobald der erste Kontakt von Poren stattgefunden hat, entsteht ein durchgängiger Kanal der die Elektrolyten auf Vorder- und Rückseite verbindet. Dies ist messtechnisch sehr leicht festzustellen; die Methode kann damit mit einer Endpunkterkennung betrieben werden, so daß nicht zu befürchten ist, daß die Mesoporenätzung in den Makroporen große Bereiche der Vorderseite wegätzt, also makroskopische Löcher ätzt.
- Übliche Verfahren der photo(elektro)chemischen Ätzung können dabei die zu bearbeitenden Bereiche selektieren. Porenfreie Bereiche sind sehr leicht zu erhalten, indem durch geeignete (lithographische) Verfahren diese Bereiche auf der Vorderseite durch Maskierung vor der Ätzung geschützt werden. Gegebenenfalls kann dies spiegelbildlich auch auf der Rückseite erfolgen.
- Die Methode ist geeignet, um Makroporen durch eine Schicht von (wesentlich kleineren) Mesoporen zu „kontaktieren" und dadurch eine durchgängige Membran herzustellen. Der damit automatisch verbundene Wechsel der Porenart in einer gewissen Tiefe der Membran ist für viele Anwendungen unerheblich.
- Weitere Vorteile und Merkmale der Erfindung ergeben sich im Nachfolgenden anhand der beigefügten Zeichnung. Dabei zeigt:
-
1 eine Prinzipdarstellung für an der Vorderseite geätzte Makroporen in moderat dotiertem n-Si, die dann in -
2 durch eine von der Rückseite geätzte Mesoporenschicht erreicht werden, und -
3 in einer Detaildarstellung zu2 , wie zackig wachsende Mesoporen von der Rückseite her eine große im Bild mittige Makropore kontaktieren. - Ob Mesoporenätzung ein geeigneter Weg ist, hängt vom vorhandenen Material ab. Ein Lawinendurchbruch durch große elektrische Feldstärken ist eine mögliche Methode. Besonders geeignet ist die Bildung sehr feiner Mesoporen in hoch dotiertem n-Silizium.
- Zur Herstellung von durchgängigen Membranen aus Halbleitermaterialien unter elektrochemischer Ätzung von zunächst Makroporen an einer Flachseite eines im wesentlichen flächigen Halbleiters wird zunächst ein einseitig poröses Werkstück geschaffen, das, da es nicht mechanisch bearbeitet werden kann, allein mit dem Kunstgriff, von der gegenüberliegenden Flachseite des Halbleiters Mesoporen mit kleinerem Durchmesser als die Makroporen der ersten Flachseite zu ätzen, bearbeitet wird. Dadurch wird die Aufgabe, eine über eine Fläche durchgängige Membran zu erstellen, gelöst.
- Während des Ätzens kann eine Endpunkterkennung für das Ätzen über eine Kontrolle der Kontaktierung der Poren zwischen Vorder- und Rückseite durch Überwachung des Potentials des Elektrolyten erfolgt.
- Vorteilhaft ist insbesondere, daß die Konzentration der Löcher an der Grenzfläche Halbleiter – Elektrolyt durch Lawinendurchbruch mittels hoher elektrischer Feldstärken erhöht ist. Dies erlaubt schnellere Herstellung in Großserie.
Claims (2)
- Verfahren zur Herstellung von Membranen mit durchgängigen Poren aus Halbleitermaterialien unter elektrochemischer Ätzung von Makroporen an einer Flachseite eines im wesentlichen flächigen Halbleiters, dadurch gekennzeichnet, dass von der den Makroporen gegenüberliegenden Flachseite des Halbleiters Mesoporen mit kleinerem Durchmesser als die Makroporen der ersten Flachseite geätzt werden, wobei wenigstens ein im Inneren des Halbleiters zwischen den Poren der Vorder und Rückseite liegender Schichtbereich ungeöffnet verbleibt, bis durch die hohen elektrischen Feldstärken der Mesoporen an den Porenspitzen bei sehr kleinen Raumladungszonen ein nicht nur punktuelles Hineinwachsen der Mesoporen in die gegenüberliegenden Spitzen der Makroporen der ersten Seitenfläche erfolgt.
- Verfahren nach Anspruch 1, dadurch gekennzeichnet, dass während des Ätzens eine Endpunkterkennung für das Ätzen über eine Kontrolle der Kontaktierung der Poren zwischen Vorder und Rückseite durch Überwachung des Potentials des Elektrolyten erfolgt.
Priority Applications (3)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
DE10362083A DE10362083B4 (de) | 2003-04-25 | 2003-04-25 | Verfahren zur Herstellung von Membranen mit durchgängigen Poren |
PCT/DE2004/000865 WO2004097907A2 (de) | 2003-04-25 | 2004-04-23 | Verfahren zur herstellung von durchgängigen membranen aus halbleitermaterialien unter nutzung von makro- und mikroporenätzung |
PCT/DE2004/000864 WO2004097077A2 (de) | 2003-04-25 | 2004-04-23 | Verfahren zur ätzung von durchgängigen membranen aus halbleitermaterialien unter nutzung von makro- und mesoporenätzung |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
DE10362013 | 2003-04-25 |
Publications (2)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
DE10318995A1 DE10318995A1 (de) | 2004-11-25 |
DE10318995B4 true DE10318995B4 (de) | 2006-04-20 |
Family
ID=33395134
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
DE10318995A Expired - Fee Related DE10318995B4 (de) | 2003-04-25 | 2003-04-25 | Verfahren zur Herstellung von durchgängigen Membranen |
Country Status (1)
Country | Link |
---|---|
DE (1) | DE10318995B4 (de) |
Cited By (1)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
DE102020103469A1 (de) | 2020-02-11 | 2021-08-12 | Christian-Albrechts-Universität Zu Kiel | Verfahren zur Herstellung einer zyklenstabilen Silizium-Anode für Sekundärbatterien |
Citations (6)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
US5650042A (en) * | 1994-09-27 | 1997-07-22 | Nec Corporation | Method for thinning a semiconductor film on an insulating film |
DE19754513A1 (de) * | 1997-12-09 | 1999-06-10 | Bosch Gmbh Robert | Verfahren zur Herstellung einer Mikrostruktur und entsprechende Mikrostruktur |
DE19820756C1 (de) * | 1998-05-08 | 1999-11-11 | Siemens Ag | Perforiertes Werkstück und Verfahren zu dessen Herstellung |
JP2000229228A (ja) * | 1999-02-10 | 2000-08-22 | Nippon Telegr & Teleph Corp <Ntt> | 多孔質メンブレンおよびその作製方法 |
DE10014723A1 (de) * | 2000-03-24 | 2001-09-27 | Juergen Carstensen | Herstellung dreidimensionaler photonischer Kristalle mit Porenätzungsverfahren in Silizium |
DE10055872A1 (de) * | 2000-11-10 | 2002-06-13 | Bosch Gmbh Robert | Verfahren zur Herstellung einer porösen Struktur für ein Sieb oder einen Filter und poröse Struktur für ein Sieb oder einen Filter |
-
2003
- 2003-04-25 DE DE10318995A patent/DE10318995B4/de not_active Expired - Fee Related
Patent Citations (6)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
US5650042A (en) * | 1994-09-27 | 1997-07-22 | Nec Corporation | Method for thinning a semiconductor film on an insulating film |
DE19754513A1 (de) * | 1997-12-09 | 1999-06-10 | Bosch Gmbh Robert | Verfahren zur Herstellung einer Mikrostruktur und entsprechende Mikrostruktur |
DE19820756C1 (de) * | 1998-05-08 | 1999-11-11 | Siemens Ag | Perforiertes Werkstück und Verfahren zu dessen Herstellung |
JP2000229228A (ja) * | 1999-02-10 | 2000-08-22 | Nippon Telegr & Teleph Corp <Ntt> | 多孔質メンブレンおよびその作製方法 |
DE10014723A1 (de) * | 2000-03-24 | 2001-09-27 | Juergen Carstensen | Herstellung dreidimensionaler photonischer Kristalle mit Porenätzungsverfahren in Silizium |
DE10055872A1 (de) * | 2000-11-10 | 2002-06-13 | Bosch Gmbh Robert | Verfahren zur Herstellung einer porösen Struktur für ein Sieb oder einen Filter und poröse Struktur für ein Sieb oder einen Filter |
Non-Patent Citations (1)
Title |
---|
H. Föll et al.:"Formation and application of por- ous Si" in Materials Science amd Engineering R: Reports, 2002, Vol. R.39 S. 93-141 * |
Cited By (2)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
DE102020103469A1 (de) | 2020-02-11 | 2021-08-12 | Christian-Albrechts-Universität Zu Kiel | Verfahren zur Herstellung einer zyklenstabilen Silizium-Anode für Sekundärbatterien |
WO2021160212A1 (de) | 2020-02-11 | 2021-08-19 | Christian-Albrechts-Universität Zu Kiel | Verfahren zur herstellung einer zyklenstabilen silizium-anode für sekundärbatterien sowie silizium-anode für sekundärbatterien |
Also Published As
Publication number | Publication date |
---|---|
DE10318995A1 (de) | 2004-11-25 |
Similar Documents
Publication | Publication Date | Title |
---|---|---|
DE10334819B4 (de) | Siliziumkarbid-Halbleitervorrichtung | |
DE10025167B4 (de) | Elektrode für die elektrolytische Erzeugung von Ozon und/oder Sauerstoff, diese enthaltende Elektrolysezelle sowie Verfahren zur Herstellung einer solchen Elektrode | |
DE69615603T2 (de) | Vorrichtung und Verfahren zum Reinigen von Halbleiterplättchen | |
DE102005017288B4 (de) | Verfahren zur Herstellung einer Halbleitervorrichtung mit einem Graben in einem Siliziumcarbid-Halbleitersubstrat | |
EP1423330A2 (de) | Verfahren zur herstellung eines halbleiterbauelements sowie halbleiterbauelement, insbesondere membransensor | |
DE102015121636A1 (de) | Vorrichtung und Verfahren zum einseitigen Ätzen einer Halbleiterschicht | |
US11732377B2 (en) | Methods for fabricating and etching porous silicon carbide structures | |
WO2015128076A1 (de) | Verfahren zum elektrochemischen herstellen von elektrolysiertem wasser | |
DE102018200237A1 (de) | Verfahren zum herstellen einer halbleitervorrichtung | |
DE102005040296B4 (de) | Messverfahren zur in-situ-Kontrolle des chemischen Ätzvorgangs von latenten Ionenspuren | |
EP1315851A1 (de) | Verfahren zum ätzen mindestens einer ionenspur zu einer pore in einer membrane und elektrolytische zelle zur präparierung einer solchen | |
DE2631684A1 (de) | Verfahren und vorrichtung zur gewinnung von zink aus einer alkalischen zinkatloesung | |
EP2250662B1 (de) | Verfahren zur schnellen makroporen-ätzung in n-typ silizium | |
DE10318995B4 (de) | Verfahren zur Herstellung von durchgängigen Membranen | |
DE4310205C1 (de) | Verfahren zur Herstellung einer Lochstruktur in einem Substrat aus Silizium | |
DE2710760A1 (de) | Elektroanalytischer messwertwandler | |
DE69216089T2 (de) | Behandlung von aluminiumblechen | |
DE10362083B4 (de) | Verfahren zur Herstellung von Membranen mit durchgängigen Poren | |
DE102010001667A1 (de) | Herstellungsverfahren für eine poröse Mikronadelanordnung mit Rückseitenanschluss und entsprechende poröse Mikronadelanordnung | |
DE102006028916B4 (de) | Verfahren zur Herstellung poröser Partikel | |
DE10349471B4 (de) | Nanoporöse Filter- oder Trägermembran sowie Verfahren zur Herstellung | |
DE102012102325B3 (de) | Elektrode zur Bearbeitung eines Werkstückes | |
DE102008018742A1 (de) | Werkzeugelektrode zur elektrochemischen Bearbeitung und ein Verfahren für die elektrochemische Bearbeitung | |
DE102015220994B4 (de) | Elektrode für eine elektrochemische Anwendung und Verfahren zu deren Herstellung | |
DE102004011394B3 (de) | Verfahren zur Herstellung von schnellwachsenden Poren in n-Typ Silizium |
Legal Events
Date | Code | Title | Description |
---|---|---|---|
OP8 | Request for examination as to paragraph 44 patent law | ||
8172 | Supplementary division/partition in: |
Ref document number: 10362083 Country of ref document: DE Kind code of ref document: P |
|
Q171 | Divided out to: |
Ref document number: 10362083 Country of ref document: DE Kind code of ref document: P |
|
8364 | No opposition during term of opposition | ||
R082 | Change of representative |
Representative=s name: BOEHMERT & BOEHMERT ANWALTSPARTNERSCHAFT MBB -, DE |
|
R119 | Application deemed withdrawn, or ip right lapsed, due to non-payment of renewal fee | ||
R119 | Application deemed withdrawn, or ip right lapsed, due to non-payment of renewal fee |
Effective date: 20141101 |