JP2013542617A - Ledパッケージ - Google Patents

Ledパッケージ Download PDF

Info

Publication number
JP2013542617A
JP2013542617A JP2013538673A JP2013538673A JP2013542617A JP 2013542617 A JP2013542617 A JP 2013542617A JP 2013538673 A JP2013538673 A JP 2013538673A JP 2013538673 A JP2013538673 A JP 2013538673A JP 2013542617 A JP2013542617 A JP 2013542617A
Authority
JP
Japan
Prior art keywords
metal substrate
led
led package
package according
chip
Prior art date
Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
Granted
Application number
JP2013538673A
Other languages
English (en)
Other versions
JP5572766B2 (ja
Inventor
チェオル ジュ、ジャエ
セオク キム、イェオン
Original Assignee
チェオル ジュ、ジャエ
セオク キム、イェオン
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by チェオル ジュ、ジャエ, セオク キム、イェオン filed Critical チェオル ジュ、ジャエ
Publication of JP2013542617A publication Critical patent/JP2013542617A/ja
Application granted granted Critical
Publication of JP5572766B2 publication Critical patent/JP5572766B2/ja
Active legal-status Critical Current
Anticipated expiration legal-status Critical

Links

Images

Classifications

    • HELECTRICITY
    • H01ELECTRIC ELEMENTS
    • H01LSEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L33/00Semiconductor devices having potential barriers specially adapted for light emission; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof
    • H01L33/48Semiconductor devices having potential barriers specially adapted for light emission; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof characterised by the semiconductor body packages
    • HELECTRICITY
    • H01ELECTRIC ELEMENTS
    • H01LSEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L33/00Semiconductor devices having potential barriers specially adapted for light emission; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof
    • H01L33/48Semiconductor devices having potential barriers specially adapted for light emission; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof characterised by the semiconductor body packages
    • H01L33/52Encapsulations
    • HELECTRICITY
    • H01ELECTRIC ELEMENTS
    • H01LSEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L33/00Semiconductor devices having potential barriers specially adapted for light emission; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof
    • H01L33/48Semiconductor devices having potential barriers specially adapted for light emission; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof characterised by the semiconductor body packages
    • H01L33/58Optical field-shaping elements
    • HELECTRICITY
    • H01ELECTRIC ELEMENTS
    • H01LSEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L33/00Semiconductor devices having potential barriers specially adapted for light emission; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof
    • H01L33/48Semiconductor devices having potential barriers specially adapted for light emission; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof characterised by the semiconductor body packages
    • H01L33/62Arrangements for conducting electric current to or from the semiconductor body, e.g. lead-frames, wire-bonds or solder balls
    • HELECTRICITY
    • H01ELECTRIC ELEMENTS
    • H01LSEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2224/00Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
    • H01L2224/01Means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected, e.g. chip-to-package, die-attach, "first-level" interconnects; Manufacturing methods related thereto
    • H01L2224/42Wire connectors; Manufacturing methods related thereto
    • H01L2224/47Structure, shape, material or disposition of the wire connectors after the connecting process
    • H01L2224/48Structure, shape, material or disposition of the wire connectors after the connecting process of an individual wire connector
    • H01L2224/4805Shape
    • H01L2224/4809Loop shape
    • H01L2224/48091Arched
    • HELECTRICITY
    • H01ELECTRIC ELEMENTS
    • H01LSEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L33/00Semiconductor devices having potential barriers specially adapted for light emission; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof
    • H01L33/48Semiconductor devices having potential barriers specially adapted for light emission; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof characterised by the semiconductor body packages
    • H01L33/52Encapsulations
    • H01L33/54Encapsulations having a particular shape

Landscapes

  • Engineering & Computer Science (AREA)
  • Microelectronics & Electronic Packaging (AREA)
  • Manufacturing & Machinery (AREA)
  • Computer Hardware Design (AREA)
  • Power Engineering (AREA)
  • Led Device Packages (AREA)

Abstract

本発明は、LEDパッケージに関する。本発明のLEDパッケージは、両側に一部が切開されて陽極端子及び陰極端子が形成された金属基板と;金属基板の中央部の上面に実装されるLEDチップと;前記金属基板上に封止されて前記LEDチップを密封し、中央部の上面に突出したレンズ部が一体に形成されたモールディング部と;を含む。

Description

本発明は、LEDパッケージに関し、より詳細には、金属基板上にLEDチップが直接実装され、放熱効率が向上するようにしたLEDパッケージに関する。
一般的に、発光ダイオード(LED:Light Emmitting Diode、以下、LEDという)は、半導体のpn接合に電流を流せば、光が放出されるようにしたダイオードの一種であって、砒素化ガリウム(GaAs)は、赤外線用に用いられる発光ダイオード、砒素化ガリウムアルミニウム(GaAlAs)は、赤外線または赤色用に用いられる発光ダイオード、リン化ガリウム砒素(GaAsP)は、赤色・オレンジ色または黄色用に用いられる発光ダイオード、リン化ガリウム(GaP)は、赤色・緑色または黄色用に用いられる発光ダイオード、ガリウムナイト(GaN)は、希土類物質であるCr・Tm・Tbを活性イオンとする蛍光体を混合し、白色を発光するようにする白色発光ダイオードなどが知られている。
また、LEDは、ランプ型(Lamp Type)LEDと表面実装型(SMD:Surface Mount Divice Type)LEDに分けられるが、ランプ型LEDは、基板の上側に2個のリードフレーム(金属電極)を形成し、LEDチップを実装し、その外側に樹脂をモールディングしてレンズが形成されるようにしたものであって、熱抵抗が大きくて熱放出が難しいため、高出力用に活用しにくい問題点がある。
一方、表面実装型LEDは、セラミックまたは印刷回路基板で形成された基板上にLEDチップをボンディングし、その上部に樹脂をモールディングしてレンズを形成したものであって、LEDチップで発生する熱をランプ型に比べて容易に放出することができ、輝度が向上するにしたがって、カラー型電光板と照明装置など様々な分野で広く活用されている。
最近、次第に高出力のLEDチップが開発されるに伴い、LEDチップで発生する熱を効果的に排出させるための技術が開発されているところ、LEDチップの熱放出効率をさらに向上させるために基板を金属材質で形成し、LEDチップの実装時にショートを防止するために金属基板の上面に絶縁層を形成した後、絶縁層上に形成された回路パターンを通じてLEDチップを実装し、ワイヤボンディングなどを通じて電気的な連結がなされるようにしている。
しかし、金属基板上に形成された絶縁層は、熱伝導特性が悪いため、金属基板を使用するとしても、熱伝導効率が低下するしかない問題点が指摘されている。
このように、LEDチップの熱放出が良好に行われなければ、半導体素子の一種類であるLEDチップは、放出波長が変化し、黄変現象が発生するか、光の放出効率が減少するようになる短所があり、高温で動作時にLEDパッケージの寿命が短縮されることができ、LEDチップで発生する熱の放熱構造が改善されるようにすることがパッケージング構造及び工程の核心であると言える。
本発明は、従来、LEDパッケージで提起されている前記諸般の短所と問題点を解決するためになされたものであって、その目的は、金属基板の一部が切開されて陽極端子及び陰極端子を形成し、金属基板上にLEDチップが直接実装され、放熱効率が向上するようにしたLEDパッケージを提供することにある。
また、本発明の他の目的は、金属基板上にLEDチップを実装し、モールディング部の形成時にレンズ部をモールディング部と同時に形成されるようにすることで、製造工程を簡略化することができ、製造コストを節減することができ、レンズ特性が向上するようにしたLEDパッケージを提供することにある。
上記目的を達成するためには、本発明は、両側に一部が切開されて陽極端子及び陰極端子が形成された金属基板と;金属基板の中央部の上面に実装されるLEDチップと;前記金属基板上に封止されて前記LEDチップを密封し、中央部の上面に突出したレンズ部が一体に形成されたモールディング部と;を含むLEDパッケージが提供される。
前記金属基板は、外郭部にリードフレームが設けられ、その内側に板状のチップ実装部で構成され、前記リードフレームの角部に切開部によって前記チップ実装部と電気的に短絡された前記陽極端子及び陰極端子が形成されることができる。
前記陽極端子及び陰極端子は、前記LEDチップとワイヤボンディングによって電気的に接続される。
前記モールディング部は、透明EMC(Epoxy Molding Compound)を利用して金属基板の上面とLEDチップが封止され、この際、前記レンズ部は、前記モールディング部と同時に形成されて一体に形成される。
また、前記モールディング部の各側面には、光遮断膜が設けられ、前記光遮断膜は、前記モールディング部の側面に所定の厚さで密着形成され、前記LEDチップで発光される光が吸収または反射されることができるブラック系列のEMCで構成されることができる。
また、前記金属基板上には、1つ以上のLEDチップが実装されることができる。
一方、前記金属基板は、前記LEDチップ実装領域にキャビティーが形成され、キャビティーの底面にLEDチップが保持されることができ、前記キャビティーの壁体には、反射部材が形成され、LEDチップで発光される光の反射面で構成されることができる。
また、前記金属基板の周縁部を構成する前記リードフレーム上には、一定の間隔をもってホールまたは溝が形成されることによって、モールディング部の結合力が強化されることができる。
以上説明したように、本発明のLEDパッケージは、金属材質の基板上に直接LEDチップが実装されることによって、LEDチップの放熱効率を向上させることができる長所があると共に、熱放出効率が向上することによってLEDチップの熱的変形を最小化し、黄変現象が防止されることができる作用効果が発揮されることができる。
また、本発明は、金属基板上にモールディング部の形成時にレンズ部を同一の材質の樹脂で同時に一体に形成することによって、製造工程を簡素化し、製作コストを節減することができる利点がある。
また、本発明は、前記金属基板のチップ実装部にキャビティーを形成し、その底面にLEDチップが実装されることによって光照射効率を向上させることができる長所がある。
本発明によるLEDパッケージの断面図である。 本発明によるLEDパッケージの平面図である。 本発明によるLEDパッケージの他の実施例の断面図である。 本発明による他の実施例の平面図である。 本発明によるさらに他の実施例のLEDパッケージの断面図である。 本発明によるLEDパッケージの製造工程が示された工程図である。 本発明によるLEDパッケージの製造工程が示された工程図である。 本発明によるLEDパッケージの製造工程が示された工程図である。 本発明によるLEDパッケージの製造工程が示された工程図である。 本発明によるLEDパッケージの製造工程が示された工程図である。
本発明によるLEDパッケージ製造方法の前記目的に対する技術的構成を含めた作用効果に関する事項は、本発明の好ましい実施例が示された図面を参照した以下の詳細な説明によって明確に理解される。
図1は、本発明によるLEDパッケージの断面図であり、図2は、本発明によるLEDパッケージの平面図である。
図示のように、本発明によるLEDパッケージ100は、陽極端子111と陰極端子112が設けられた金属基板110と、金属基板110上に実装されるLEDチップ120と、金属基板110上に封止されるモールディング部130と、モールディング部130と一体に形成されたレンズ部140とを含むことができる。
前記金属基板110は、外郭のリードフレーム113と、該リードフレーム113内側のチップ実装部114とで構成され、リードフレーム113の一部分が切開された板状体で構成されることができる。リードフレーム113が切開された一部分は、チップ実装部114と構造的に分離され、陽極端子111及び陰極端子112で構成されることができる。この際、前記陽極端子111及び陰極端子112は、リードフレーム113の周縁部の一部分が切開されて形成されるが、好ましくは、リードフレーム113の角部が切開されてチップ実装部114と電気的に短絡された端子を構成することができる。
この際、前記金属基板110は、金属板のパンチングによって形成されることができ、パンチング工程による金属基板110の形成時に陽極端子111及び陰極端子112を形成させるための切開部115がチップ実装部114と同時に形成されることができる。これにより、前記切開部115によって陽極端子111及び陰極端子112がリードフレーム113上で電気的に短絡されるように構成されることができる。
前記金属基板110は、熱伝導度に優れた金属材質で構成されることができ、銅(heavy Cu)、ステンレス鋼、アルミニウム(Al)、ニッケル(Ni)、マグネシウム(Mg)、亜鉛(Zn)、タンタル(Ta)、またはこれらの合金のうちいずれか1つで構成されることができる。
基板の特性上、アルミニウム(Al)材質で構成されることが好ましく、この際、アルミニウムで金属基板110が形成される場合には、金属基板110のチップ実装部114の表面は、アノダイジングによる酸化被膜がさらに形成されることができ、金属基板110の表面に酸化被膜による薄膜の絶縁層が形成されることができる。
したがって、チップ実装部114の表面がアノダイジング処理された場合には、金属基板110と切開部115を通じて短絡された陽極端子111と陰極端子112がパッケージの製作時にチップ実装部114と接触して発生することができる電気的ショートを付加的に防止することができる。
一方、図2に示されたように、金属基板110のリードフレーム113と陽極端子111及び陰極端子112の周縁部上には、溝またはホール116がさらに形成されることができる。
この際、前記溝またはホール116を形成する理由は、金属基板110のリードフレーム113上にモールディング部130の形成時にモールディング部130を構成するモールディング材の一部が注入され、モールディング部130がリードフレーム113上に堅固に結合されるようにするためである。
金属基板110のチップ実装部114上には、中央部に少なくとも1つ以上のLEDチップ120が実装されることができる。前記チップ実装部114の中央部に実装されたLEDチップ120は、リードフレーム113と短絡された陽極端子111及び陰極端子112とワイヤボンディングを通じて電気的に連結されることができる。
この際、LEDチップ120は、チップ実装部114に1つのチップが実装時に中央部に位置するように実装されるようにして、チップ実装部114上で発光効率が均一に維持されることができることが好ましい。
また、LEDチップ120は、金属基板110のチップ実装部114上に複数個実装されることができ、LEDチップ120の複数個実装時に一定の間隔を持って一列または複数列で配置されることができる。
一方、チップ実装部114にLEDチップ120が実装された金属基板110の上部には、モールディング部130が形成されることができる。
モールディング部130は、透明の高分子樹脂、すなわち透明EMCを塗布し、これを硬化させて形成されることができ、必要に応じて透明EMCに蛍光物質や波長変換物質を添加し、LEDチップ120で発光する光の屈折率が向上することができ、屈折率の向上によって発光効率が改善することができる。
この際、前記モールディング部130の上面に形成されるレンズ部140は、別途の金型を通じてモールディング部130と同時に形成されることができる。
また、レンズ部140は、モールディング部130と同一の材質の高分子樹脂である透明EMCで形成されることが好ましい。レンズ部140をモールディング部130と同時に形成することによって、レンズ部140の形成のための工程が削除されることによって、製作工程を簡略化することができ、実際にモールディング部130を構成する透明EMCの屈折率が通常のレンズを構成する樹脂より2倍の密度を有するように構成されることによって、設計者が希望する屈折率を確保することができるので、レンズ部140を貫通する光の発光効率を向上させることができる。
この際、前記レンズ部140は、チップ実装部114に単一のLEDチップ120の実装時に、図1のように、LEDチップ120が実装された領域の上部にのみ所定の曲面を有するように形成されることができ、チップ実装部114に複数のLEDチップ120の実装時にモールディング部130の上面全体領域に所定の曲面を有するように形成されることができる。
次に、図3は、本発明によるLEDパッケージの他の実施例の断面図であり、図4は、本発明による他の実施例の平面図である。
図示のように、本実施例のLEDパッケージ100は、モールディング部130の側面を取り囲むように光遮断膜160がさらに形成されることができる。
この際、本実施例のLEDパッケージ100において前述した実施例のLEDパッケージと同一の構成に対しては、同一の図面符号を付与し、重複する具体的な説明を省略する。
前記光遮断膜160は、モールディング部130の各側面に密着して所定の厚さで形成されることができ、前記LEDチップ120で発光される光が吸収または反射されることができるブラック系列のEMCで構成されることができる。
したがって、前記光遮断膜160によってLEDチップ120で発光される光がモールディング部130の側面に漏れることを防止することができる。
この際、前記光遮断膜160は、金属基板110のチップ実装部114と電気的に連結されたリードフレーム113と、リードフレーム113から切開部115によって電気的に短絡されるように分離された陽極端子111及び陰極端子112の周縁部上に形成されることができ、光遮断膜160を形成することによって、その接着力によって陽極端子111と陰極端子112がリードフレーム113と絶縁状態を維持しながらモールディング部130を支持する一体の金属基板110で構成されることができる。
一方、図5は、本発明によるさらに他の実施例のLEDパッケージ断面図である。
図示のように、本実施例のLEDパッケージ100は、金属基板110のチップ実装部114に形成されるLEDチップ120の実装領域にキャビティー170が形成され、キャビティー170の底面にLEDチップ120が実装されることができる。前記キャビティー170は、リードフレーム113と陽極端子111及び陰極端子112が形成された金属基板110のプレス加工によるパンチング工程時に同時に形成されることができる。
また、前記キャビティー170の内側壁面には、別途の反射部材180が塗布されることができる。反射部材180は、底面に保持されたLEDチップ120で発光される光が反射し、キャビティー170の上部に照射され得るようにして、LEDチップ120の発光効率を向上させることができ、LEDチップ120の安定的な実装が行われることができる。
この際、金属基板110の上部に形成されるモールディング部130は、図5に示されたように、金属基板110の上面全体に形成されることができるが、キャビティー170の内部にのみ透明EMCが充填され、モールディング部130の上面が金属基板110の上面と同一の高さに形成されることができる、前記モールディング部130の上部にレンズ部140が所定の曲面を持って一体に形成されることができる。
本実施例においても、図3及び図4に記載された実施例と同様に、同一の構成要素に対しては同一の符号を付与し、同一の構成要素の具体的な説明を省略する。
以下では、このように構成されたLEDパッケージの製造過程を説明する。
まず、図6ないし図10は、本発明によるLEDパッケージの製造工程が示された工程図である。
図示のように、本発明によるLEDパッケージ製造方法は、まず、ストリップ形態に切断された金属部材200を準備する段階と、前記金属部材200に一定の間隔で陽極端子111と陰極端子112が形成された金属基板110を形成する段階と、前記金属基板110のチップ実装部114にLEDチップ120を実装する段階と、前記LEDチップ120を陽極端子111及び陰極端子112とワイヤボンディングする段階と、前記金属基板110の上部にモールディング部130とレンズ部140を形成する段階とを備えてなることができる。
前記金属部材200を準備する段階で、前記金属部材200は、下面にキャリア(図示せず)がさらに付着されることができ、キャリアが付着した状態でプレスを利用したパンチング工程によって前記金属部材200に一定の間隔で金属基板110を形成することができる。
この際、前記金属基板110は、板状の金属部材200上にパンチング工程によって複数個が同時に形成されることができる。
前記キャリアは、金属部材200上でLEDパッケージの製作が完了すれば、最終的に除去される構成部材であり、LEDパッケージの製作時にプレス工程による金属基板110の製作時に複数の金属基板110を固定させる役目をするようになる。
前記金属基板110は、外郭にリードフレーム113が形成されたチップ実装部114で構成され、リードフレーム113の角部に切開部115によってチップ実装部114と電気的に短絡された陽極端子111と陰極端子112で構成されることができる。
また、前記金属基板110を形成する段階の後には、前記金属基板110のリードフレーム113上にホールまたは溝116が形成される段階をさらに含むことができる。
前記溝またはホール116は、リードフレーム113に沿って複数個が一列に形成されることができ、モールディング部130を形成する段階で、前記金属基板110の上部で硬化されるモールディング材の一部が溝またはホール116に注入されることによって、モールディング部130が金属基板110のリードフレーム113上に堅固に結合されることができる。
次に、金属基板110のチップ実装部114の上面にLEDチップ120を実装するようになるところ、LEDチップ120は、チップ実装部114の中央部に保持され、チップ実装部114上には1つまたは1つ以上のLEDチップ120が複数個配置されることができる。
そして、LEDチップ120がチップ実装部114上に保持されれば、前記LEDチップ120を陽極端子111及び陰極端子112とワイヤボンディングによって電気的に連結されることができる。
次に、前記金属基板110の上部にモールディング部130とレンズ部140を同時に形成するにあたって、前記モールディング部130とレンズ部140は、同一の材質の樹脂、すなわち透明EMCを利用して同時に形成することができる。
さらに具体的に説明すれば、多数の金属基板110が形成されたストリップ形態の金属部材200上にレンズ部140とモールディング部130の反転形状が転写された金型(図示せず)を準備し、金型内に透明EMCを注入し、これを硬化させることによって、モールディング部130とレンズ部140が一体に同時に形成されることができる。このような工程を通じてレンズ部140の形状を自由に具現することが可能である。
最後に、前記モールディング部130とレンズ部140を形成する段階の後には、モールディング部130の各側面に光反射膜160を形成する段階をさらに含むことができる。
光反射膜160は、透明のモールディング部130の側面に密着して形成されることができ、チップ実装部114上に実装されたLEDチップ120から発光される光がモールディング部130の側面に漏出されることが防止されることができる。
このように、金属部材200上に多数形成された金属基板110上にモールディング部130とレンズ部140を形成し、前記モールディング部130の側面に光反射膜160を形成した後、金属基板110の両側部に形成されたスクライブラインLに沿って切断する段階をさらに含むことができ、スクライブラインLを切断し、個別LEDパッケージの製作が完了することができる。
この際、前記金属基板110の形成段階で、プレスを利用したパンチング工程時に金属基板110のチップ実装部114の中央部にプレスの圧着によってキャビティーを形成することができ、キャビティーの底面にLEDチップ120が保持されることができる。
また、前記キャビティーの内側面上には、反射部材をさらに形成し、LEDチップ120で発光される光が反射し、キャビティーの上部に反射光が上向き照射されるようにして、LEDチップ120の発光効率がさらに向上することができる。
以上で説明した本発明の好ましい実施例は、例示の目的のために開示されたものであり、本発明の属する技術分野における通常の知識を有する者にとって本発明の技術的思想を逸脱しない範囲内で様々な置換、変形及び変更が可能であるが、このような置換、変更などは、以下の特許請求範囲に属するものと理解すべきである。

Claims (10)

  1. 両側に一部が切開されて陽極端子及び陰極端子が形成された金属基板と;
    金属基板の中央部の上面に実装されるLEDチップと;
    前記金属基板上に封止されて前記LEDチップを密封し、中央部の上面に突出したレンズ部が一体に形成されたモールディング部と;を含むLEDパッケージ。
  2. 前記金属基板は、外郭部にリードフレームが設けられ、その内側に板状のチップ実装部で構成され、前記リードフレームの角部に切開部によって前記チップ実装部と電気的に短絡された前記陽極端子及び陰極端子が形成されることを特徴とする請求項1に記載のLEDパッケージ。
  3. 前記陽極端子及び陰極端子は、前記LEDチップとワイヤボンディングによって電気的に接続されることを特徴とする請求項2に記載のLEDパッケージ。
  4. 前記モールディング部は、透明EMC(Epoxy Molding Compound)を利用して金属基板の上面とLEDチップが封止され、この際、前記レンズ部は、前記モールディング部と同時に形成されることを特徴とする請求項1に記載のLEDパッケージ。
  5. 前記モールディング部の各側面には、前記モールディング部と密着結合される光遮断膜が設けられることを特徴とする請求項1に記載のLEDパッケージ。
  6. 前記光遮断膜は、光が吸収または反射されることができるEMCで構成されることを特徴とする請求項5に記載のLEDパッケージ。
  7. 前記LEDチップは、前記チップ実装部の上面に複数個が所定の間隔で配置されて実装されることを特徴とする請求項2に記載のLEDパッケージ。
  8. 前記金属基板は、前記チップ実装部にキャビティーが形成され、前記キャビティーの底面にLEDチップが実装されることを特徴とする請求項2に記載のLEDパッケージ。
  9. 前記キャビティーの内側壁面には、反射部材が形成されることを特徴とする請求項8に記載のLEDパッケージ。
  10. 前記金属基板のリードフレーム上には、一列で複数個のホールまたは溝が形成されることを特徴とする請求項2に記載のLEDパッケージ。
JP2013538673A 2011-10-10 2012-07-06 Ledパッケージ Active JP5572766B2 (ja)

Applications Claiming Priority (3)

Application Number Priority Date Filing Date Title
KR10-2011-0103065 2011-10-10
KR1020110103065A KR101186815B1 (ko) 2011-10-10 2011-10-10 Led 패키지
PCT/KR2012/005390 WO2013055013A1 (ko) 2011-10-10 2012-07-06 Led 패키지

Publications (2)

Publication Number Publication Date
JP2013542617A true JP2013542617A (ja) 2013-11-21
JP5572766B2 JP5572766B2 (ja) 2014-08-13

Family

ID=47287212

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
JP2013538673A Active JP5572766B2 (ja) 2011-10-10 2012-07-06 Ledパッケージ

Country Status (4)

Country Link
JP (1) JP5572766B2 (ja)
KR (1) KR101186815B1 (ja)
CN (1) CN103270612B (ja)
WO (1) WO2013055013A1 (ja)

Cited By (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2015062226A (ja) * 2013-09-23 2015-04-02 弘凱光電(深セン)有限公司 側面漏光防止用の発光ダイオードパッケージ構造及びその製造方法

Families Citing this family (3)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
KR101483010B1 (ko) * 2013-07-29 2015-01-19 주식회사 굿엘이디 Led 패키지
CN110908180A (zh) * 2018-09-17 2020-03-24 夏普株式会社 照明装置、显示装置及照明装置的制造方法
CN114187849B (zh) * 2021-12-09 2024-03-15 惠州华星光电显示有限公司 Led显示面板及显示设备

Citations (7)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2000252524A (ja) * 1999-02-25 2000-09-14 Citizen Electronics Co Ltd 表面実装型発光ダイオード及びその製造方法
JP2001308387A (ja) * 2000-04-24 2001-11-02 Pic Corporation:Kk 発光ダイオード
JP2003008078A (ja) * 2001-06-19 2003-01-10 Sanken Electric Co Ltd 表面実装型半導体発光装置
JP2003174200A (ja) * 2001-12-07 2003-06-20 Hitachi Cable Ltd 発光装置及びその製造方法、ならびに発光装置の製造に用いるリードフレーム
JP2006525682A (ja) * 2003-04-30 2006-11-09 クリー インコーポレイテッド 高出力固体発光素子パッケージ
JP2008182242A (ja) * 2007-01-24 2008-08-07 Cree Inc 固体発光デバイス用のリード・フレーム・ベースのパッケージと固体発光デバイス用のリード・フレーム・ベースのパッケージを形成する方法
JP2009188187A (ja) * 2008-02-06 2009-08-20 Sanyo Electric Co Ltd 電子部品及びその製造方法

Family Cites Families (7)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
CN101060153A (zh) * 2007-05-15 2007-10-24 佛山市国星光电科技有限公司 一种侧面发光二极管及其制造工艺
KR100874882B1 (ko) * 2007-06-15 2008-12-19 삼성전자주식회사 반도체 스택 패키지 및 그의 제조 방법
KR101121728B1 (ko) * 2008-06-26 2012-03-23 서울반도체 주식회사 방열 구조를 갖는 led 패키지
KR101122059B1 (ko) * 2008-07-16 2012-03-14 주식회사 이츠웰 표면 실장형 엘이디 패키지와 이를 이용한 백 라이트 유닛
KR101078028B1 (ko) * 2009-06-10 2011-10-31 주식회사 루멘스 발광 소자 패키지 및 발광 소자 패키지용 리드 프레임
JP2011049325A (ja) * 2009-08-26 2011-03-10 Seiko Instruments Inc 発光部品及びその製造方法
CN201868429U (zh) * 2010-11-29 2011-06-15 苏州君耀光电有限公司 一种内嵌式发光二极管封装结构

Patent Citations (7)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2000252524A (ja) * 1999-02-25 2000-09-14 Citizen Electronics Co Ltd 表面実装型発光ダイオード及びその製造方法
JP2001308387A (ja) * 2000-04-24 2001-11-02 Pic Corporation:Kk 発光ダイオード
JP2003008078A (ja) * 2001-06-19 2003-01-10 Sanken Electric Co Ltd 表面実装型半導体発光装置
JP2003174200A (ja) * 2001-12-07 2003-06-20 Hitachi Cable Ltd 発光装置及びその製造方法、ならびに発光装置の製造に用いるリードフレーム
JP2006525682A (ja) * 2003-04-30 2006-11-09 クリー インコーポレイテッド 高出力固体発光素子パッケージ
JP2008182242A (ja) * 2007-01-24 2008-08-07 Cree Inc 固体発光デバイス用のリード・フレーム・ベースのパッケージと固体発光デバイス用のリード・フレーム・ベースのパッケージを形成する方法
JP2009188187A (ja) * 2008-02-06 2009-08-20 Sanyo Electric Co Ltd 電子部品及びその製造方法

Cited By (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2015062226A (ja) * 2013-09-23 2015-04-02 弘凱光電(深セン)有限公司 側面漏光防止用の発光ダイオードパッケージ構造及びその製造方法

Also Published As

Publication number Publication date
KR101186815B1 (ko) 2012-10-02
JP5572766B2 (ja) 2014-08-13
WO2013055013A1 (ko) 2013-04-18
CN103270612B (zh) 2016-06-15
CN103270612A (zh) 2013-08-28

Similar Documents

Publication Publication Date Title
KR101235460B1 (ko) 측면 발광형 엘이디 및 그 제조방법
KR101766299B1 (ko) 발광소자 패키지 및 그 제조 방법
JP2006005290A (ja) 発光ダイオード
KR20090002319A (ko) 발광 다이오드 패키지 및 그 제조방법
KR20090072941A (ko) 고출력 led 패키지 및 그 제조방법
JP5572766B2 (ja) Ledパッケージ
KR20110125064A (ko) 발광소자 어레이, 조명장치 및 백라이트 장치
JP5697091B2 (ja) 半導体発光装置
KR100665182B1 (ko) 고출력 led 패키지 및 그 제조방법
JP5572767B2 (ja) Ledパッケージの製造方法
EP2720266B1 (en) Luminescence device
KR100780182B1 (ko) 칩코팅형 led 패키지 및 그 제조방법
JP4147353B2 (ja) 発光装置
KR20140004351A (ko) 발광 다이오드 패키지
US10429050B2 (en) Light-emitting apparatus having different packaging densities
KR20140007510A (ko) Led패키지 및 그 제조방법
KR20100135496A (ko) 발광 장치 및 그 제조 방법
JP4016925B2 (ja) 発光装置
US9093281B2 (en) Luminescence device
US20220005987A1 (en) Lens arrangements for light-emitting diode packages
KR101483010B1 (ko) Led 패키지
KR101313670B1 (ko) Led 패키지
KR102471688B1 (ko) 발광소자 패키지, 광원장치 및 발광소자 패키지 제조방법
KR101259052B1 (ko) 방열 반사판을 구비한 발광다이오드 소자용 패키지, 방열 반사판을 구비한 발광다이오드 소자용 패키지 어셈블리 및 그 제조방법
KR100878398B1 (ko) 고출력 led 패키지 및 그 제조방법

Legal Events

Date Code Title Description
A977 Report on retrieval

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A971007

Effective date: 20140312

A131 Notification of reasons for refusal

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A131

Effective date: 20140325

A521 Request for written amendment filed

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A523

Effective date: 20140602

TRDD Decision of grant or rejection written
A01 Written decision to grant a patent or to grant a registration (utility model)

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A01

Effective date: 20140623

A61 First payment of annual fees (during grant procedure)

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A61

Effective date: 20140630

R150 Certificate of patent or registration of utility model

Ref document number: 5572766

Country of ref document: JP

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R150

R250 Receipt of annual fees

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250

R250 Receipt of annual fees

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250

S111 Request for change of ownership or part of ownership

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R313113

R350 Written notification of registration of transfer

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R350

R250 Receipt of annual fees

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250

R250 Receipt of annual fees

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250

R250 Receipt of annual fees

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250

R250 Receipt of annual fees

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250

R250 Receipt of annual fees

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250