JP2013538012A5 - - Google Patents

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  1. 第１の基板に向く面を有するインターポーザを、前記第１の基板に接続するステップであって、前記第１の基板は、前記第１の基板を貫通する第１の開口部を含むステップと、
    第１の半導体チップを、前記インターポーザの前記面に接続するステップと、
    前記第１の開口部の外側まで側方に延在しない熱管理デバイスを、前記第１の開口部を経由して前記第１の半導体チップと熱接触するように配置するステップと、を含む、
    製造方法。
  2. 前記熱管理デバイスは、ヒートスプレッダ、ベーパチャンバおよび熱電冷却器のうち１つを備える、請求項１の製造方法。
  3. 前記第１の半導体チップおよび前記熱管理デバイスのうち少なくとも１つは、前記第１の開口部に少なくとも部分的に配置されている、請求項１の製造方法。
  4. 複数の半導体チップを前記インターポーザの前記面に接続するステップを含む、請求項１の製造方法。
  5. 前記第１の基板は回路基板を備え、前記製造方法は、前記第１の回路基板を第２の回路基板に接続するステップを含む、請求項１の製造方法。
  6. 前記第２の回路基板は第２の開口部を備え、前記熱管理デバイスは、前記第２の開口部に少なくとも部分的に配置されている、請求項５の製造方法。
  7. 前記熱管理デバイスは、前記第２の回路基板に接続されている、請求項６の製造方法。
  8. 熱管理デバイスを、半導体チップデバイスの第１の半導体チップと熱接触するように配置するステップを含む製造方法であって、
    前記半導体チップデバイスは、第１の基板と、前記第１の基板に接続されたインターポーザであって、前記第１の基板に向く面を有するインターポーザとを含み、前記第１の半導体チップは前記面に接続されており、前記第１の基板は、前記第１の基板を貫通する第１の開口部を含み、前記熱接触は、前記第１の開口部を経由し、前記熱管理デバイスは、前記第１の開口部の外側まで側方に延在しない、製造方法。
  9. 前記熱管理デバイスは、ヒートスプレッダ、ベーパチャンバおよび熱電冷却器のうち１つを備える、請求項８の製造方法。
  10. 前記第１の半導体チップおよび前記熱管理デバイスのうち少なくとも１つは、前記第１の開口部に少なくとも部分的に配置されている、請求項８の製造方法。
  11. 前記半導体チップデバイスは、前記インターポーザの前記面に接続された複数の半導体チップを備える、請求項８の製造方法。
  12. 前記第１の基板は回路基板を備え、前記製造方法は、前記第１の回路基板を第２の回路基板に接続するステップを含む、請求項８の製造方法。
  13. 前記第２の回路基板は第２の開口部を備え、前記熱管理デバイスは、前記第２の開口部に少なくとも部分的に配置されている、請求項１２の製造方法。
  14. 前記熱管理デバイスは、前記第２の回路基板に接続されている、請求項１３の製造方法。
  15. 第１の基板であって、前記第１の基板を貫通する第１の開口部を含む第１の基板と、
    前記第１の基板に接続されたインターポーザであって、前記第１の基板に向く面を有するインターポーザと、
    前記面に接続された第１の半導体チップと、
    前記第１の開口部を経由して前記第１の半導体チップと熱接触する熱管理デバイスであって、前記第１の開口部の外側まで側方に延在しない熱管理デバイスと、を備える、
    半導体チップデバイス。
  16. 前記熱管理デバイスは、ヒートスプレッダ、ベーパチャンバおよび熱電冷却器のうち１つを備える、請求項１５の半導体チップデバイス。
  17. 前記第１の半導体チップおよび前記熱管理デバイスのうち少なくとも１つは、前記第１の開口部に少なくとも部分的に配置されている、請求項１５の半導体チップデバイス。
  18. 前記第１の半導体チップおよび前記熱管理デバイスの両方は、前記第１の開口部に少なくとも部分的に配置されている、請求項１５の半導体チップデバイス。
  19. 前記インターポーザの前記面に接続された複数の半導体チップを備える、請求項１５の半導体チップデバイス。
  20. 前記第１の基板は、第２の回路基板に接続された回路基板を備える、請求項１５の半導体チップデバイス。
  21. 前記第２の回路基板は第２の開口部を備え、前記熱管理デバイスは、前記第２の開口部に少なくとも部分的に配置されている、請求項２０の半導体チップデバイス。
  22. 前記熱管理デバイスは前記第２の回路基板に接続されている、請求項２１の半導体チップデバイス。
  23. 第１の基板であって、それぞれ前記第１の基板を貫通する第１の開口部および第２の開口部を含む第１の基板と、
    前記第１の基板に接続されたインターポーザであって、前記第１の基板に向く面を有するインターポーザと、
    それぞれ前記面に接続された第１の半導体チップおよび第２の半導体チップと、
    前記第１の開口部を経由して前記第１の半導体チップと熱接触し、前記第２の開口部を経由して前記第２の半導体チップと熱接触する熱管理デバイスと、を備える、
    半導体チップデバイス。
  24. 第１の基板に向く面を有するインターポーザを、前記第１の基板に接続するステップであって、前記第１の基板は、それぞれ前記第１の基板を貫通する第１の開口部および第２の開口部を含むステップと、
    第１の半導体チップおよび第２の半導体チップを、前記インターポーザの前記面に接続するステップと、
    熱管理デバイスを、前記第１の開口部を経由して前記第１の半導体チップと熱接触し、前記第２の開口部を経由して前記第２の半導体チップと熱接触するように配置するステップと、を含む、
    製造方法。
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