JP2013524531A5 - - Google Patents

Claims (25)

1. 内部表面を形成するチャンバであって、ターゲット位置に１次焦点及び中間焦点に２次焦点を形成する形状を有する集光ミラーを収容する前記チャンバと、
   前記集光ミラーの開口を通ってビーム経路に沿って増幅光ビームを生成し、前記ターゲット位置で前記チャンバ内のターゲット材料を照射して極紫外線を発生させるように構成され、光源波長の光を増幅するための利得媒体を含む光源と、
   前記チャンバの前記内部表面の少なくとも一部分の上に重なるサブシステムであって、該サブシステムは複数の環状特徴部を含み、各環状特徴部は発生された極紫外線に前記中間焦点を通過させる中心開口領域を有し、各環状特徴部はチャンバ壁から前記増幅光ビームの経路の中に延び、該サブシステムは、該ビーム経路に沿って前記光源に戻る前記チャンバの内部表面からの前記光源波長の増幅光ビームの流れを低減するように構成されている前記サブシステムと、
   を含むことを特徴とする装置。
2. 前記光源は、レーザ光源であり、前記増幅光ビームは、レーザビームであることを特徴とする請求項１に記載の装置。
3. 前記サブシステムの各環状特徴部が、少なくとも１つの円錐ベーンを含むことを特徴とする請求項１に記載の装置。
4. 前記中心開口領域は、前記増幅光ビームの中心部分の通過を可能にすることを特徴とする請求項１に記載の装置。
5. 前記サブシステムは、前記ターゲット材料の化合物を少なくとも１つのガス及び少なくとも１つの固体に化学的に分解して該ガスの前記チャンバの内部からの除去を可能にするように構成されていることを特徴とする請求項１に記載の装置。
6. 前記ターゲット材料化合物は、水素化錫を含み、前記少なくとも１つのガスは、水素であり、前記少なくとも１つの固体は、濃縮された錫であることを特徴とする請求項５に記載の装置。
7. 前記濃縮された錫は、溶融状態にあることを特徴とする請求項６に記載の装置。
8. 前記光源波長は、赤外線波長範囲にあることを特徴とする請求項１に記載の装置。
9. 前記光源は、１つ又はそれよりも多くの電力増幅器を含むことを特徴とする請求項１に記載の装置。
10. 前記光源は、１つ又はそれよりも多くの電力増幅器にシード光を供給する主発振器を含むことを特徴とする請求項１に記載の装置。
11. 前記サブシステムは、前記内部チャンバ表面に接触することを特徴とする請求項１に記載の装置。
12. 内部表面から前記ビーム経路に沿って光源へ戻る前記光源波長の前記増幅光ビームの流れを低減するように構成されたコーティングを更に含むことを特徴とする請求項１に記載の装置。
13. 前記コーティングは、反射防止コーティングであることを特徴とする請求項１２に記載の装置。
14. 前記コーティングは、吸収反射防止コーティングであることを特徴とする請求項１２に記載の装置。
15. 前記コーティングは、干渉コーティングであることを特徴とする請求項１２に記載の装置。
16. 極紫外線を生成する方法であって、
    真空チャンバの内部内のターゲット位置でターゲット材料を生成する段階と、
    駆動レーザシステム内の少なくとも１つの光増幅器の利得媒体にポンプエネルギを供給し、それによって光源波長の増幅光ビームを生成する段階と、
    ビーム経路に沿って前記増幅光ビームを誘導し、それによって前記ターゲット材料を照射して極紫外線を発生させる段階と、
    発生した極紫外線を、前記チャンバの前記内部の表面の少なくとも一部分の上に重なるチャンバサブシステムの複数の環状特徴部であって各々がチャンバ壁から前記増幅光ビームの経路の中に延びている複数の環状特徴部の中心開口領域を通過させる段階と、
    前記増幅光ビームの少なくとも一部分を前記チャンバサブシステムの２つのベーンの間で反射させることにより、前記真空チャンバの内部表面から前記ビーム経路までの前記光源波長の光の流れを低減する段階と、
    を含むことを特徴とする方法。
17. 前記増幅光ビームが前記ターゲット位置と交差して前記ターゲット材料に衝突する時に該ターゲット材料から放出される前記発生された極紫外線を集光する段階を更に含むことを特徴とする請求項１６に記載の方法。
18. 前記光源波長の光の流れを低減する段階は、前記ビーム経路と異なる経路に沿って前記増幅光ビームの少なくとも一部分を誘導する段階を含むことを特徴とする請求項１６に記載の方法。
19. 前記少なくとも１つの光増幅器の前記利得媒体にポンプエネルギを供給する段階は、前記光源波長のレーザビームを生成することを特徴とする請求項１６に記載の方法。
20. 前記ターゲット材料の化合物を少なくとも１つのガス及び少なくとも１つの固体に化学的に分解して該ガスの前記チャンバの前記内部からの除去を可能にする段階を更に含むことを特徴とする請求項１６に記載の方法。
21. 前記化合物を化学的に分解する段階は、水素化錫を水素及び濃縮された錫に化学的に分解する段階を含むことを特徴とする請求項２０に記載の方法。
22. 前記真空チャンバの前記内部表面から前記ビーム経路までの前記光源波長の前記光の流れを低減するチャンバサブシステム内に前記濃縮された錫を捕捉する段階を更に含むことを特徴とする請求項２１に記載の方法。
23. 前記光源波長の光の流れを低減する段階は、前記真空チャンバの内部表面に塗布されたコーティングの界面で反射される光のビームに弱め合う干渉を生じさせる段階を含むことを特徴とする請求項１６に記載の方法。
24. 前記各円錐ベーンは、他の円錐ベーンの円錐角度と異なる円錐角度を有することを特徴とする請求項３に記載の装置。
25. 前記各円錐ベースは、互いに異なる環状幅を有することを特徴とする請求項３に記載の装置。