TW202120205A

TW202120205A - 用於控制流體流動之方法

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Publication number: TW202120205A
Application number: TW109136118A
Authority: TW
Inventors: 迪西爾維亞戴; 夏春光; 格雷戈里詹姆斯威爾森; 布蘭登威爾森費爾霍夫
Original assignee: 荷蘭商Ａｓｍｌ荷蘭公司
Priority date: 2015-08-06
Filing date: 2016-07-19
Publication date: 2021-06-01
Also published as: CN108369380A; JP6786588B2; WO2017023950A2; US9776218B2; TW201711763A; CN108369380B; US20170361359A1; TWI790486B; JP2021015289A; JP2018529991A; KR20180035898A; US10232413B2; WO2017023950A3; US20170036252A1; JP7064550B2; TWI708642B

Abstract

基於一第一流型將一流體導向朝向一光學元件之一表面，該光學元件之該表面包括碎屑且基於該第一流型而導向之該流體將該等碎屑中之至少一些移動至該光學元件之該表面處之一第一停滯區；且基於一第二流型將該流體導向朝向該光學元件，基於該第二流型而導向之該流體將該等碎屑中之至少一些移動至該光學元件之該表面上之一第二停滯區，該第二停滯區及該第一停滯區處於該光學元件之該表面處之不同部位。基於該第二流型將該流體導向朝向該光學元件之該表面而自該第一停滯區移除該等碎屑中之至少一些。

Description

用於控制流體流動之方法

所揭示主題係關於用於控制流體流動以清潔光學元件之技術。

光學元件包括經由折射及/或反射與光束相互作用之表面。該表面可積累碎屑使得降低光學元件之效能。

在一個通用態樣中，基於一第一流型將一流體導向朝向一光學元件之一表面，該光學元件之該表面包括碎屑且基於該第一流型而導向之該流體將該等碎屑中之至少一些移動至該光學元件之該表面處之一第一停滯區。亦基於一第二流型將該流體導向朝向該光學元件，基於該第二流型而導向之該流體將該等碎屑中之至少一些移動至該光學元件之該表面上之一第二停滯區，該第二停滯區及該第一停滯區處於該光學元件之該表面處之不同部位。基於該第二流型將該流體導向朝向該光學元件之該表面而自該第一停滯區移除該等碎屑中之至少一些。實施可包括以下特徵中之一或多者。該第一流型及該第二流型可包括足以指示該流體朝向該光學元件之該表面之一流動的資訊，該資包括一流動速率、該流體相對於該光學元件之該表面之一空間分佈及該流體經導向朝向該光學元件之該表面之一時間段中的一或多者。該流體可包括一氣體。該流體可包括一自由基。該碎屑可包括與該材料反應或組合之一材料。該自由基可與該材料組合或反應以藉此經由該材料之燃燒、該材料之蝕刻或與該材料反應中之一者而自該表面移除該材料。在一些實施中，基於該第一流型導向該流體包括在一第一流動速率下將該流體導向朝向該光學元件之該表面，且基於該第二流型導向該流體包括在一第二流動速率下將該流體導向朝向該光學元件之該表面。基於該第一流型導向該流體可包括在一第一方向上將該流體導向朝向該光學元件之該表面，且基於該第二流型導向該流體包括在一第二方向上將該流體導向朝向該光學元件之該表面。基於該第一流型導向該流體可包括在一第一流動速率及一第一方向中之一或多者下將該流體導向朝向該光學元件之該表面，且基於該第二流型導向該流體可包括在一第二流動速率及一第二方向中之一或多者下將該流體導向朝向該光學元件之該表面。基於該第一流型將該流體導向朝向該表面可包括在一第一流動速率下經由相對於該光學元件之一第一側而定位的一第一導管將該流體導向朝向該光學元件之該表面，及在一第二流動速率下經由相對於該光學元件之一第二側而定位的一第二導管將該流體導向朝向該光學元件之該表面；且基於該第二流型將該流體導向朝向該表面可包括在一第三流動速率下經由該第一導管將該流體導向朝向該光學元件之該表面，及在一第四流動速率下經由該第二導管將該流體導向朝向該光學元件之該表面。可在一第一時間段期間基於該第一流動速率將該流體導向通過該第一導管及該第二導管，且可在一第二時間段期間基於該第二流動速率將該流體導向通過該第一導管及該第二導管。可在該第一時間段及該第二時間段中之一或多者之至少部分期間將該流體同時地導向通過該第一導管及該第二導管。該第一流動速率與該第二流動速率可彼此不同。該第三流動速率與該第四流動速率可彼此不同，且該第三流動速率及該第四流動速率中之至少一者可不同於該第一流動速率或該第二流動速率。該第一流動速率與該第二流動速率可彼此相同。該第三流動速率與該第四流動速率可彼此相同且不同於該第一流動速率及該第二流動速率。在一些實施中，自複數個流型當中選擇該第一流型及該第二流型。可在一第一時間段期間基於該第一流型將該流體導向朝向該表面，且該等碎屑中之至少一些在該等第一時間段期間積累且保持於該第一停滯區中。基於該第二流型將該流體導向朝向該表面可將該等碎屑中之至少一些自該第一停滯區移動至該第二停滯區。在一些實施中，在基於該第一流型將該流體導向朝向該光學元件之該表面之前，一初始量的碎屑處於該表面上，且在基於該第一流型將該流體導向朝向該光學元件之該表面之後該表面上的碎屑之一量小於碎屑之該初始量。該碎屑可包括一金屬。該碎屑可包括錫。該第一停滯區及該第二停滯區可為該元件之該表面處之非重疊區。該第一停滯區及該第二停滯區可為該元件之該表面處之部分重疊區。可將一第二流體導向通過該光學元件。在另一通用態樣中，一種系統包括：包括一側壁之一導管，該側壁包括自該導管之一內部通向該導管之一外部之至少一個開口，該導管經組態以在該導管之該內部中傳送自由基且將該等自由基傳遞通過穿過該側壁的該至少一個開口；及一控制系統，其包括耦接至一或多個電子處理器之一電子儲存裝置，該電子儲存裝置包括在經執行時使該一或多個電子處理器進行如下操作之指令：自儲存於該電子儲存裝置上之複數個流型選擇一流型，該等流型中之每一者包括足以描述該等自由基通過該至少一個開口之一流動之資訊，足以描述該等自由基通過該至少一個開口之該流動的該資訊至少包括該等自由基在一時間段中之一流動速率；及將該選定流型應用於該系統之一流動控制器，以使該等自由基以由該選定流型針對該時間段所指示之一流動速率傳遞通過該至少一個開口。實施可包括以下特徵中之一或多者。該等流型亦可包括氣體流型，該等氣體流型包括足以描述氣體之一流動之資訊，該氣體在該系統中與該導管分離地流動，且足以描述該氣體之該流動之該資訊包括該氣體在一氣體時間段中之一流動速率，且該等指令亦可包括在經執行時使該一或多個處理器將該選定氣體流型應用於該系統之該流動控制器、以使該氣體以由該選定氣體流型針對一氣體時間段所指示之一氣體流動速率在該系統中流動之指令。該導管可經組態以相對於一極紫外線(EUV)光源之一真空腔室中的一光學元件進行置放。該光學元件可包括一收集器鏡面，該收集器鏡面具有一孔隙，該選定流型包括一選定氣體流型，且將該選定氣體流型應用於該系統之該流動控制器而使該氣體在由該選定氣體流型所指示之該氣體流動速率下及該氣體時間段期間流動通過該收集器鏡面之該孔隙。在一些實施中，該導管包括至少兩個彎曲部分，該等彎曲部分具有遵循該收集器鏡面之一周邊之一曲率，該選定流型描述自由基通過該至少兩個彎曲部分中之每一者之流動，應用該選定氣體流型而使該氣體流動通過該鏡面之該孔隙且圍繞該鏡面之一周邊流動，且應用該選定流型而使該等自由基自該至少兩個彎曲部分中之至少一者流動。在另一通用態樣中，存取一第一流型，該第一流型包括足以描述自由基之一流動及與一光學元件相關之一氣體之資訊；基於該第一流型將自由基導向朝向該光學元件，該等自由基經導向通過複數個路徑且在該等路徑中之至少兩者中以不同流動速率經導向；及基於該第一流型將該氣體導向朝向該光學元件，該氣體係沿著不同於該等自由基經導向所沿著的該等路徑中之任一者之一路徑而導向。上文所描述之技術中之任一者之實施可包括：用於一雷射產生電漿EUV光源之一傳送系統、一EUV光源、用於修整一EUV光源之一系統、一方法、一程序、一器件、儲存於一電腦可讀媒體上之可執行指令，或一裝置。以下隨附圖式及描述中闡述一或多個實施之細節。其他特徵將自描述及圖式且自申請專利範圍而顯而易見。

相關申請案之交叉參考本申請案主張2015年8月6日申請且題為「用於清潔光學元件之受控流體流動(CONTROLLED FLUID FLOW FOR CLEANING AN OPTICAL ELEMENT)」之美國臨時申請案第62/201,955號之權利，及2015年11月11日申請且題為「FLOW CONTROLLER FOR CLEANING AN OPTICAL ELEMENT」之美國實用新型申請案第14/937,973號之權利，該等申請案兩者之全文以引用方式併入本文中。揭示用於控制流體流動以清潔光學元件之技術，該光學元件為光學系統之部件且在光學系統內操作。該等技術允許在不將光學元件自其於光學系統內之操作環境移除的情況下清潔該元件。在一些實施中，可在光學系統正在操作的同時清潔光學元件。以此方式，本文所論述之技術可導致光學系統之效能及效率改良。參看圖1A至圖1F，展示光學元件120。圖1A及圖1B分別在兩個不同時間t1及t2時自側面展示光學元件120。圖1C及圖1D分別為在時間t1及t2時之光學元件120的俯視圖。圖1E及圖1F分別展示在時間t1及t2時之光學元件的透視圖。光學元件120可為能夠與光學系統之光束相互作用的任何類型之元件或裝置。舉例而言，光學元件120可為鏡面、透鏡、稜鏡或此等組件之組合。光學元件120包括經由反射及/或折射與光學束相互作用之表面122。表面122可積累碎屑124，碎屑可阻礙光學元件120之效能。舉例而言，碎屑124可為灰塵及/或金屬粒子。光學元件120可為光學系統之部件，諸如，藉由將金屬目標轉換成電漿而產生極紫外線(EUV)光之EUV光源。除了產生EUV光以外，電漿生產程序亦可產生呈粒子、蒸汽殘餘物或目標中之物質(諸如金屬)片件之形式的碎屑。此碎屑可積累於電漿之路徑中之物件的表面上。當元件120用於EUV光源中時，碎屑124可包括此等電漿相關產物。在清潔循環期間，將流體105導向朝向表面122以藉由自該表面122移除碎屑124而清潔光學元件120。舉例而言，流體105或由流體105攜載之物質可與碎屑124反應或組合，以自表面122移除碎屑124。流體105亦可藉由物理力而自表面122移除碎屑。流體105相對於表面122流動或移動。因此，除了自表面122移除碎屑以外，若並未移除所有碎屑124，則流體105亦可將剩餘碎屑124傳送至表面122之另一部分。經傳送碎屑可變得被截留或積累於表面122上之某些部位中，且此等部位被稱作「停滯區」。該或該等停滯區之部位取決於流體105之流動特性(例如，流動速率及/或方向)及表面122之特性(例如，表面122之形狀及表面122之材料)。流體105之流動特性係由流型描述，流型可包括諸如流動速率、流動方向及/或流體105以特定流動速率及在特定方向上經導向於表面122處之時間之資訊。因為該或該等停滯區之部位取決於流體105之流動特性，所以在清潔循環期間改變流體105之流型可導致該或該等停滯區移動至表面122上之不同部位。藉由移動停滯區，截留於藉由一個流型而形成之停滯區中之碎屑被釋放且可由基於另一流型而流動之流體105移除。以此方式，清潔表面122變得更有效且更快速。在圖1A、圖1C及圖1E中所展示之實例中，流體105基於第一流型而被導向朝向表面122。換言之，流體105以如藉由定義第一流型之資訊所規定或指示的相對於表面122之流動速率及/或方向而導向朝向表面122。流體105與碎屑124之間的相互作用可自表面122移除一些碎屑124，且流體105亦將一些碎屑124傳送至表面122之其他部分。在並未自表面122移除之碎屑124中，相對大量經傳送碎屑積累於第一停滯區125處。參看圖1B、圖1D及圖1F，在時間t2時，流體105基於第二流型而導向朝向表面122，該第二流型為不同於第一流型之流型。在圖1B及圖1D之實例中，第二流型在相比於第一流型不同之方向上將流體105導向朝向表面122。基於第二流型將流體105導向朝向表面122而自表面122移除一些碎屑124。另外，因為流體105相對於表面122在相比於其在時間t1時之流動方向不同的方向上流動，所以流體105與第一停滯區125中之經積累碎屑相互作用。經由該相互作用，流體105自第一停滯區125移除碎屑。另外，流體105可將表面122上之一些碎屑(包括第一停滯區125中之碎屑)傳送至表面122上之另一部位。一些經傳送碎屑可積累於第二停滯區126中。第二停滯區126處於表面122上之不同於第一停滯區125之部位處，此係因為第二停滯區126中之至少一些包括未包括於第一停滯區125中的表面122之一部分。因此，第一停滯區125及第二停滯區126可為部分地空間上重疊之區或可為不共用表面122上之任何共同空間點之區。參看圖2，其為系統200之實例的方塊圖，系統200包括使用光學元件120之光學系統203。該系統200包括清潔系統201，該清潔系統將流體105導向朝向光學元件120以清潔光學元件120之表面122。光學元件120 (其可為能夠與光能或光學(光)束相互作用之任何組件)為光學系統203之部件。光學系統203可為使用光學元件120以操控、產生光能及/或與光能相互作用的任何類型之系統。舉例而言，光學系統203可為雷射、光學放大器或成像系統。光學系統203可為用以產生極紫外線(EUV)光之光源。光學系統203為EUV光源之實施之實例係關於圖17予以論述。清潔系統201包括控制流體傳送系統202之控制系統255。流體傳送系統202包括提供流體105之流體供應件210。在一些實施中，流體傳送系統202亦包括導管250，導管250耦接至流體供應件210且自流體供應件210接收流體105。導管250可將流體105中之一些或全部傳送至光學系統203。流體105可包括自由基，且在此等實施中，流體供應件210包括自由基之源。在流體205包括自由基之實施中，流體供應件210可為微波電漿產生器。為了運用此源產生自由基，將供形成自由基之氣體提供至流體供應件210。舉例而言，為了產生氫自由基，提供氫氣(H₂ )。可在將該氣體提供至流體供應件210之前將額外氣體添加至該氣體。舉例而言，可將氬氣及氧氣(Ar/O₂ )之混合物添加至氫氣。替代地或另外，流體供應件210亦可包括不包括自由基之氣體源。舉例而言，流體供應件210可提供雙原子分子氫氣(H₂ )、氦氣(He)及/或氬氣(Ar)。流體供應件210可包括多於一個氣體源。舉例而言，流體供應件210可包括兩個分離氣體源。清潔系統201亦包括控制系統255。控制系統255控制流體105之流動。舉例而言，控制系統255可應用特定流型或流型序列以指示如何將流體105遞送至光學系統203。圖2中所展示之實例控制系統255包括導管控制器240、流動控制器241、電子處理器242、電子儲存裝置243，及輸入/輸出(I/O)介面244。在包括導管250之實施中，導管控制器240控制導管250相對於光學元件120之位置。導管控制器240可改變或設定導管250與光學元件120之間的距離及/或可相對於光學元件120來旋轉導管250。導管控制器240可用以在最初將導管250安裝於系統200中時、在已將導管250安裝於系統200中之後及/或在系統200在使用時相對於光學元件120來定位導管250。導管控制器240可包括電子地受控制之組件。舉例而言，導管250可耦接至步進器馬達或在由使用者啟動或藉由自動化電子程序而啟動時移動導管250之其他器件。導管控制器240可包括經組態以用於(例如)運用槓桿、輪或自系統200外部可近接且允許系統200之操作員移動導管250之其他機械器件進行手動操作之組件。在一些實施中，控制系統255不包括導管控制器240。舉例而言，在包括導管250之一些實施中，導管250相對於光學元件120永久地定位且在安裝之後或在使用期間並不被移動。在此等實施中，控制系統255可不具有導管控制器240或導管控制器240可被停用。流動控制器241用以控制流體105之流動。流動控制器241可包括量測及/或控制流體105之流動之質量流動控制器，及控制流體供應件210與光學系統203之間的相對壓力之壓力控制器。電子處理器242為適合於執行電腦程式之一或多個處理器，諸如一般或特殊用途微處理器，及具有任何種類數位電腦之任一或多個處理器。通常，處理器自唯讀記憶體或隨機存取記憶體或此兩者接收指令及資料。電子處理器242可為任何類型之電子處理器。電子儲存裝置243可為諸如RAM之揮發性記憶體，或非揮發性記憶體。在一些實施中，電子儲存裝置243可包括非揮發性部分或組件及揮發性部分或組件兩者。電子儲存裝置243儲存可能作為電腦程式之指令，該等指令在經執行時使處理器242與控制系統255中之其他組件通信。電子儲存裝置243亦包括流型儲存器246。足以定義複數個流型之資訊儲存於流型儲存器246中。流型儲存器246中之流型中之每一者中的資訊在藉由控制系統255應用於流體傳送系統202時造成流體205以藉由該流型指定之方式而遞送至光學元件120。控制系統255可在I/O介面244處自人類操作員或自動化電子程序接收輸入，該輸入請求形成待應用於流體傳送系統202之「配方」之一特定流型或流型序列。控制系統255可藉由(例如)將命令傳達至流動控制器241，以使質量流動控制器量測或判定流體205之當前流動速率且調整該流動速率以與藉由流型指定之流動速率匹配而實施各種流型。可儲存與光學系統203之一或多個特定組態相關聯及/或與一或多個光學系統相關聯的儲存於流型儲存器246中之流型。以此方式，系統200之操作員(或自動化程序)可選擇針對一特定光學系統及/或組態而最佳化的一流型或一系列流型。 I/O介面244為允許控制系統255及/或其組件接收資料及信號及/或將資料及信號提供至操作員及/或執行於另一電子器件上之自動化程序的任何種類之電子介面。舉例而言，I/O介面244可包括觸控螢幕或通信介面中之一或多者。參看圖3，展示實例程序300之流程圖。關於圖2之系統200來論述該程序300。然而，可藉由其他系統執行該程序300。程序300可被實施為儲存於電子儲存裝置243上且藉由電子處理器242及控制系統255之其他組件執行的指令。在一些實施中，可將程序300儲存於分離有形電腦可讀媒體上且使用該程序300以修整或升級現有系統。基於第一流型將流體105導向朝向光學元件120 (310)。光學元件120包括表面122，且流體105可經導向朝向光學元件120之表面122。第一流型為定義流體105如何與光學元件120相互作用之資訊。舉例而言，第一流型可指示流體105相對於光學元件120之流動速率、空間分佈，及/或流體105相對於光學元件120之流動方向。流體105可包括自由基。自由基為具有不成對價電子或開放式電子殼層且因此可被視為具有懸空共價鍵的原子、分子或離子。懸空鍵可使自由基具高度化學反應性，亦即，自由基可易於與其他物質反應。由於自由基之反應性性質，自由基可用以自物件(諸如光學元件120之表面122)移除物質(諸如碎屑124)。自由基可藉由(例如)蝕刻碎屑、與碎屑反應及/或燃燒碎屑而移除碎屑。流體105可為不包括自由基之氣體。在此等實施中，流體供應件210可提供(例如)雙原子分子氫氣(H₂ )、氦氣(He)及/或氬氣(Ar)。流體105亦可為自由基及氣體之混合物。在一些實施中，流體105包括自由基及氣體兩者，且自由基及氣體經由不同路徑或機構而導向朝向光學元件120。惰性氣體可為用於將自由基傳送至目的地之載體氣體。基於第二流型將流體105導向朝向光學元件120 (320)。流體105可經導向朝向光學元件120之表面122。第二流型不同於第一流型。舉例而言，流體105可在基於第二流型而導向朝向光學元件120時相比於基於第一流型而導向朝向光學元件120時具有不同的流動速率、方向、空間圖案及/或持續時間。流體105相對於表面122流動且自表面122移除碎屑124。流體105亦可相對於表面122傳送一些碎屑124，且經傳送碎屑之一部分可積累於第二停滯區126中。以任何方式將流體105導向朝向光學元件120。舉例而言，流體105可產生於光學系統203內部，且在不具有用以傳送流體105之結構的情況下將流體105提供至光學元件120。在一些實施中，可運用導管250將流體105中之全部或一些遞送至光學元件120。亦參看圖4A至圖4C，展示光學元件420及兩片件導管450。導管450包括第一導管450a及第二導管450b。導管450a、450b定位於光學元件420之周邊427處。在以下論述中，光學元件420處於光學系統203中，且流體105經由導管450而遞送至光學元件420。圖4A為光學元件420及導管450a、450b之俯視圖。圖4B為流體105射出導管450a所通過之導管450a及孔隙454的部分透視圖。導管450b亦包括流體105流動通過之複數個孔隙。圖4C為光學元件420及導管450a、450b之側面橫截面圖。光學元件420包括表面422，該表面經由反射及/或折射而與光相互作用。光學元件420之表面422在x-z平面中以凹形彎曲(圖4C)。在此實例中，流體供應件210 (圖2)包括兩個分離流體供應件210a及210b，一個流體供應件連接至導管450a及450b中之每一者。圖5A及圖5B分別為在流體105基於流型A及第二流型B而朝向光學元件420流動時光學元件420之透視圖及導管450a、450b之部分透視圖。圖5A及圖5B說明流體105在藉由程序300控管以清潔光學元件420之清潔循環期間流動。在圖5A及圖5B中所說明之清潔循環中，基於如下兩個不同流型而將流體105導向朝向光學元件420：在時間段A期間應用之流型A (由實線箭頭表示)，及在時間段B期間應用之流型B (由虛線箭頭表示)。在此實例中，流型A及B定義用於在單一清潔循環中清潔光學元件420之配方。在光學元件420處於光學系統203中時發生清潔循環。儘管在此實例中清潔循環包括複數個流型，但在一些實施中，清潔循環包括單一流型。參看圖5A，基於流型A將流體105導向朝向光學元件420。將描述流型A之資訊儲存於清洗系統201之流型儲存器246上，且藉由控制系統255擷取該資訊且將該資訊應用於流體傳送系統202。在此實例中，描述流型A之資訊造成流體105經導向朝向導管450a及導管450b歷時亦由描述流型A之該資訊所指示的時間段。描述流型A之資訊可為(例如)儲存於電子儲存裝置243上之指令，該等指令在由電子處理器242執行時使流體供應件210a以第一流動速率將流體105遞送至導管450a，且使流體供應件210b以第二流動速率將流體105遞送至導管450b中。第一流動速率及第二流動速率可個別控制，且可為相同流動速率或不同流動速率。定義流型A之資訊可包括流體105待在導管450a及450b中流動之特定流動速率，或流型A可指定流105待在導管450a中流動之流動速率相對於待在導管450b中流動之流動速率之間的比率。儘管在此實例中描述流型A之資訊引起流體105自導管450a及導管450b兩者流動，但在其他實例中，流體105可自導管450a、450b中之一者流動。描述流型A之資訊亦可定義流體105相對於表面422流動之方向。舉例而言，描述流型A之資訊可包括使導管控制器240相對於表面422移動導管450a及/或導管450b以在特定方向上導向流體105之指令。該等指令可藉由使導管450a及/或450b相對於表面122在x-y平面中平移、將導管450a及/或450b移動為在x-z或y-z平面中更接近或更遠離表面122及/或藉由相對於表面122旋轉導管450a及/或450b以及開口454而使導管450a及/或導管450b移動。描述第一流型之資訊亦可基於流型A判定流體105經導向朝向光學元件420多長時間。在圖5A之實例中，流體105經導向朝向光學元件420歷時時間段A，該時間段亦可藉由定義流型A之資訊指定。時間段A可為(例如)數分鐘或數小時。當基於第一流型而導向朝向表面122時，流體105相對於表面422移動，從而自表面422移除碎屑424且亦將一些碎屑424傳送至表面422之其他部分。流體105之流動及表面422之形狀之組合造成未自表面422移除之碎屑之大部分變得截留於處於表面422上之部位425處的停滯區中。參看圖5B，基於流型B將流體105導向朝向光學元件420。基於流型B導向流體105會造成停滯區移動，從而允許流體105移除變得經截留於部位425處之碎屑。類似於定義流型A之資訊，定義流型B之資訊可包括(例如)用於流體105之流動速率、用於射出導管450a及/或450b之流體105之流動方向，及/或流體105基於流型B而朝向表面422流動之持續時間(時間段B)。流型B之此等參數中的一些或全部可不同於流型A之參數。舉例而言，流型B可由指定導管450a及450b中之流動速率不同之資訊定義，且流型A可由指定450a及450b中之流動速率相同之資訊定義。因此，描述流型B之資訊造成流體105朝向表面422以相比於流體基於流型A而導向朝向表面422不同之方式流動。藉由改變流體105之流動特性，可自光學元件420之表面422移除在時間段A (與流型A相關聯)期間在表面422上位於部位425處之停滯區中所截留的碎屑。當光學元件420處於光學系統203中時，自表面422移除碎屑。當光學系統203在使用中時(舉例而言，當表面422與光相互作用時)，可將流體105導向朝向光學元件422。因此，工序300允許以最小至無系統200停工時間來清潔光學元件420。基於流型B流動之流體105亦可在表面之不同於部位425之部位中產生停滯區。如上文所論述，光學系統203可為EUV光源，且光學元件120或420可為EUV光源中之光學元件。流體105可包括與光學元件之表面上之碎屑反應以自表面移除碎屑之自由基。另外，流體105可包括不包括自由基之氣體。另外，其他氣體及/或流體可經導向朝向光學元件以增強碎屑自光學元件之移除。流體105及/或其他流體可經由導管或經由形成於實體元件中或複數個實體元件之間的開口或通路而導向朝向光學元件。下文中論述其中清潔流體可基於流型而流動之導管、系統及組態的各種實例。關於圖6A及圖6B論述EUV光源600之實例。圖7A至圖7C、圖8A至圖8C、圖9、圖11B、圖12A及圖12B以及圖13係關於可用以將自由基遞送至EUV光源600或其他EUV光源中之元件的自由基傳送系統之實例。圖10至圖12及圖11A展示傳送自由基之導管之實例(且此等導管可用作系統200中之導管250)。圖17展示另一EUV光源之實例，且圖18A及圖18B展示流體傳送系統之實例。在更詳細地論述流型之前，論述EUV光源。參看圖6A，展示LPP EUV光源600。LPP EUV光源600包括自由基傳送系統700。傳送系統700被展示為源600之部件。然而，可自源600移除傳送系統700且將傳送系統700再插入至源600中。在論述自由基傳送系統700之前論述EUV光源600。以圖7A開始更詳細地論述自由基傳送系統700。藉由運用經放大光束610輻照目標部位605處之目標混合物614而形成LPP EUV光源600，該經放大光束610沿著朝向目標混合物614之光束路徑行進。亦被稱作輻照位點之目標部位605係在真空腔室630之內部607內。當經放大光束610撞擊目標混合物614時，該目標混合物614內之目標材料轉換成具有在EUV範圍內之發射譜線之元素的電漿狀態。所產生電漿具有取決於目標混合物614內之目標材料之組合物之某些特性。此等特性可包括由電漿產生之EUV光之波長，以及自電漿釋放之碎屑之類型及量。光源600亦包括目標材料遞送系統625，目標材料遞送系統625遞送、控制及導向呈液滴、液體串流、固體粒子或叢集、液滴內所含有之固體粒子或液體串流內所含有之固體粒子之形式的目標混合物614。目標混合物614包括目標材料，諸如，水、錫、鋰、氙，或在經轉換成電漿狀態時具有在EUV範圍內之發射譜線的任何材料。舉例而言，元素錫可用作純錫(Sn)；用作錫化合物，例如SnBr₄ 、SnBr₂ 、SnH₄ ；用作錫合金，例如錫-鎵合金、錫-銦合金、錫-銦-鎵合金或此等合金之任何組合。目標混合物614亦可包括諸如非目標粒子之雜質。因此，在不存在雜質之情形中，目標混合物614係僅由目標材料製成。目標混合物614係由目標材料遞送系統625遞送至腔室630之內部607中且遞送至目標部位605。光源600包括驅動雷射系統615，驅動雷射系統615歸因於雷射系統615之增益介質內之粒子數反轉而產生經放大光束610。光源600包括雷射系統615與目標部位605之間的光束遞送系統，該光束遞送系統包括光束傳送系統620及聚焦總成622。光束傳送系統620自雷射系統615接收經放大光束610，且視需要引導及調整該經放大光束610且將經放大光束610輸出至聚焦總成622。聚焦總成622接收經放大光束610且將光束610聚焦至目標部位605。在一些實施中，雷射系統615可包括用於提供一或多個主脈衝且在一些狀況下提供一或多個預脈衝之一或多個光學放大器、雷射及/或燈。每一光學放大器包括能夠以高增益光學地放大所要波長之增益介質、激發源及內部光學件。光學放大器可具有或可不具有形成雷射空腔之雷射鏡面或其他回饋器件。因此，雷射系統615即使在不存在雷射空腔的情況下歸因於雷射放大器之增益介質中之粒子數反轉亦會產生經放大光束610。此外，雷射系統615可在存在用以提供對雷射系統615之足夠回饋之雷射空腔的情況下產生為相干雷射光束之經放大光束610。術語「經放大光束」涵蓋如下各者中之一或多者：來自雷射系統615之僅僅經放大但未必為相干雷射振盪的光，及來自雷射系統615之經放大且亦為相干雷射振盪的光。雷射系統615中之光學放大器可包括作為增益介質之填充氣體，填充氣體包括CO₂ 且可以大於或等於600之增益放大處於約9100奈米與約11000奈米之間且特別處於約10600奈米之波長之光。用於雷射系統615中之合適放大器及雷射可包括脈衝式雷射器件，例如(例如)運用在相對高功率(例如，10 kW或更高)及高脈衝重複率(例如，40 kHz或更大)下操作的DC或RF激發產生處於約9300奈米或約10600奈米之輻射的脈衝式氣體放電CO₂ 雷射器件。雷射系統615中之光學放大器亦可包括可在較高功率下操作雷射系統615時可使用的冷卻系統，諸如水。圖6B展示實例驅動雷射系統680之方塊圖。驅動雷射系統680可用作源600中之驅動雷射系統615。驅動雷射系統680包括三個功率放大器681、682及683。功率放大器681、682及683中之任一者或全部可包括內部光學元件(圖中未繪示)。光684自功率放大器681通過輸出窗口685射出且自彎曲鏡面686反射。在反射之後，光684傳遞通過空間濾光器687、自彎曲鏡面688反射，且通過輸入窗口689進入功率放大器682。光684在功率放大器682中經放大且作為光691通過輸出窗口690而重新導向出功率放大器682。光691係運用摺疊鏡面692而導向朝向放大器683且通過輸入窗口693進入放大器683。放大器683放大光691且將光691作為輸出光束695通過輸出窗口694而導向出放大器683。摺疊鏡面696向上(在頁面外)導向輸出光束695且將輸出光束695導向朝向光束傳送系統620 (圖6A)。再次參看圖6B，空間濾光器687界定孔隙697，孔隙697可為(例如)直徑介於約2.2毫米與3毫米之間的圓圈。彎曲鏡面686及688可為(例如)焦距分別為約1.7公尺及2.3公尺的離軸拋物線鏡面。空間濾光器687可經定位成使得孔隙697與驅動雷射系統680之焦點重合。再次參看圖6A，光源600包括收集器鏡面635，收集器鏡面635具有用以允許經放大光束610傳遞通過且到達目標部位605之孔隙640。收集器鏡面635可為(例如)具有處於目標部位605之主焦點及處於中間部位645之次級焦點(亦被稱為中間焦點)之橢球形鏡面，其中EUV光可自光源600輸出且可經輸入至(例如)積體電路微影工具(圖中未繪示)。光源600亦可包括開端式中空圓錐形護罩650 (例如，氣體錐體)，該圓錐形護罩自收集器鏡面635朝向目標部位605漸狹以縮減進入聚焦總成622及/或光束傳送系統620的電漿產生之碎屑之量，同時允許經放大光束610到達目標部位605。出於此目的，可將氣流提供於護罩中，該氣流經導向朝向目標部位605。光源600亦可包括主控控制器655，主控控制器655連接至小滴位置偵測回饋系統656、雷射控制系統657及光束控制系統658。光源600可包括一或多個目標或小滴成像器660，該一或多個目標或小滴成像器660提供指示小滴(例如)相對於目標部位605之位置之輸出且將此輸出提供至小滴位置偵測回饋系統656，小滴位置偵測回饋系統656可(例如)計算小滴位置及軌跡，自該小滴位置及軌跡可基於逐小滴地或平均地計算出小滴位置誤差。因此，小滴位置偵測回饋系統656將小滴位置誤差作為輸入提供至主控控制器655。因此，主控控制器655可將(例如)雷射位置、方向及時序校正信號提供至可用以(例如)控制雷射時序電路之雷射控制系統657及/或提供至光束控制系統658，光束控制系統658用以控制經放大光束位置及光束傳送系統620之塑形以改變光束聚焦光點在腔室630內之部位及/或焦度。目標材料遞送系統625包括目標材料遞送控制系統626，該目標材料遞送控制系統626可操作以回應於(例如)來自主控控制器655之信號以修改如由目標材料供應裝置627釋放之小滴之釋放點，以校正到達所要目標部位605處之小滴中的誤差。另外，光源600可包括光源偵測器665及670，該等光源偵測器量測一或多個EUV光參數，包括但不限於脈衝能量、依據波長而變化的能量分佈、特定波長帶內之能量、特定波長帶外部之能量，及EUV強度之角度分佈及/或平均功率。光源偵測器665產生供主控控制器655使用之回饋信號。回饋信號可(例如)指示為了有效及有效率EUV光生產而在恰當地點及時間適當地截取小滴的諸如雷射脈衝之時序及焦點之參數之誤差。光源600亦可包括導引雷射675，導引雷射可用以將光源600之各種區段對準或輔助將經放大光束610引導至目標部位605。結合導引雷射675，光源600包括度量衡系統624，度量衡系統被置放於聚焦總成622內以對來自導引雷射675之光之一部分及經放大光束610進行取樣。在其他實施例中，度量衡系統624被置放於光束傳送系統620內。度量衡系統624可包括對光之子集進行取樣或重新導向光之子集之光學元件，此光學元件係由可耐受導引雷射光束及經放大光束610之功率之任何材料製造。光束分析系統係由度量衡系統624及主控控制器655形成，此係因為主控控制器655分析自導引雷射675取樣之光且使用此資訊以經由光束控制系統658調整聚焦總成622內之組件。因此，概言之，光源600產生經放大光束610，該經放大光束沿著光束路徑經導向以輻照目標部位605處之目標混合物614以將混合物614內之目標材料轉換成發射在EUV範圍內之光之電漿。經放大光束610在基於雷射系統615之設計及屬性而判定之特定波長(其亦被稱作驅動雷射波長)下操作。另外，經放大光束610在目標材料將足夠回饋提供回至雷射系統615中以產生相干雷射光時或在驅動雷射系統615包括合適光學回饋以形成雷射空腔的情況下可為雷射光束。圖7A至圖7C展示分別在三個不同時間：時間1 (t1)、時間2 (t2)及時間3 (t3)之自由基傳送系統700之實例的方塊圖。時間t1為最早時間，其中時間t2發生於時間t1之後，且時間t3發生於時間t2之後。自由基傳送系統700將自由基705遞送至處於容器730內部之元件720。自由基傳送系統700亦在圖6A中被展示。另外，自由基傳送系統700可作為流體傳送系統202用於系統200 (圖2)中。自由基傳送系統700包括連接至自由基705之源710之導管750。自由基705流動至由導管750界定之開口752中且在導管750中沿著方向707行進。導管750亦界定另一開口754，該開口穿過導管750之側壁756以提供導管750之內部758與容器730之內部732之間的傳遞。容器730可為真空腔室，諸如上文所論述之真空腔室630。元件720可為曝光至產生於容器730之內部732中的碎屑之任何元件。元件720可為處於產生於內部732中之電漿之路徑中的光學元件。舉例而言，元件720可為收集器鏡面，諸如圖6A之收集器鏡面635。參看圖7A，自由基705自源710通過導管750在方向707上行進，且通過開口754射出至內部732中。開口754經定位成使得自由基705在通過開口754射出之後流動至元件720。舉例而言，開口754可經定位成面對元件720之表面722。開口754經定位成與表面722相隔距離726。舉例而言，距離726可為15公分至30公分。在所展示之實例中，導管750包括一個額外開口754，然而，在其他實施(諸如圖8A至圖8C及圖10至圖16中所展示之實施)中，複數個開口形成於導管中。元件720位於容器730之內部732中。導管750穿過容器730之壁736中的密封開口或通口734。因此，導管750將自由基705自外部源710傳送至元件720。自由基705通過開口754射出導管750且傳遞至內部732中。參看圖7B，自由基705到達處於表面722上之碎屑724。繼續處於產生於內部732中之電漿路徑中的元件720之實例，碎屑724可為源自由用以產生電漿之目標混合物形成的蒸汽、離子、粒子及/或叢集之污染。目標混合物可為在轉換成電漿時發射EUV光之任何材料。因此，碎屑724可包括蒸汽殘餘物、粒子、離子，或諸如錫、鋰之金屬叢集，或在轉換成電漿時發射EUV光的任何其他物質。如圖7C中所展示，自由基705與碎屑724重組以自表面722移除碎屑724。該重組產生無碎屑724之清潔區728。清潔區728可為直徑為(例如) 6吋(15.24公分)或更大的圓形區域。導管750係由不與自由基反應或不與自由基組合之材料或具有低重組係數(例如，為約5×10^-3 或更小之重組係數)之材料製成。重組係數為自由基將與在與表面單次碰撞之後殘留於彼表面上的另一自由基重組之機率之量度。在行進通過導管750之自由基705之內容背景中，內壁以及開口752及754上之材料之重組係數部分地判定由到達元件720之源710產生的自由基之部分。具有較低重組係數之材料允許所產生自由基705之較大部分到達元件720，此係因為由源810產生之相對少自由基705藉由經由與導管750之內壁碰撞之重組而損耗。導管750可由鐵氟龍、石英或諸如硼矽酸玻璃(例如，派熱司)之玻璃製成。在一些實施中，導管750可由在可與自由基705形成接觸之部分處運用具有低重組係數之材料塗佈的金屬製成。舉例而言，導管750可為具有經塗佈有諸如派熱司之玻璃之內部表面及末端的鋁導管。在另一實例中，導管750可由諸如二氧化矽(SiO₂ )、氧化鈦(TiO₂ )或氧化鋁(AlO₂ )之氧化金屬製成。作為又一實例，導管可由諸如陽極化鋁之陽極化金屬製成。儘管由金屬氧化物製成之導管可具有比由非金屬材料製成之導管更高的重組係數，但金屬導管可相對更容易加工且可更堅固。導管750之材料及通過導管之自由基705之質量流量速率允許導管750足夠長以將自由基705原位地遞送至元件720 (亦即，在該元件處於容器730之內部時)。舉例而言，導管750可具有沿著方向707之為0.8公尺至2公尺的縱向範圍。參看圖8A至圖8C，展示自由基傳送系統800之另一實例的方塊圖。圖8A展示傳送系統800之側視圖，圖8B展示沿著圖8A之線8B——8B所截取之傳送系統800的視圖，且圖8C展示沿著圖8A之線8C——8C所截取之傳送系統800的視圖。自由基傳送系統800可作為流體傳送系統202用於系統200 (圖2)中。自由基傳送系統800包括界定開口854a至854l之導管850，自由基805通過該等開口射出導管850且經導向朝向元件820。開口854a至854l之可變大小及特定置放允許系統800以均一速率將自由基提供至元件820，藉此以均一速率清潔元件820。開口854a至854l之大小在方向807上增加，其中最小開口(開口854a)最接近源810且最大開口(開口854l)最遠離源810。參看圖8A，自由基傳送系統800包括產生自由基805之源810。圖8A自側面展示導管850，其中開口854a至854l經定向成垂直於方向807，使得自由基805在方向808上朝向元件820流出開口854a至854l。導管850界定耦接至源810且接收所產生自由基805之開口852。導管850傳遞通過容器830(例如，真空腔室)之側壁836及密封通口834且傳遞至容器830之內部832中。自由基805在導管850中在方向807中行進且通過開口854a至854l朝向元件820射出。導管850經定位成與元件820相隔距離826。對於面對導管之元件(諸如，具有彎曲表面之元件820)，距離826為自導管至元件之最大距離。舉例而言，距離826可為15公分至30公分。元件820在容器830之內部832中。容器830為LLP EUV光源(諸如圖6A及圖6B之光源600)之部件。元件820界定處於產生於容器830中之電漿之路徑中之表面822，且電漿產生可造成碎屑824形成於表面822上。舉例而言，碎屑可包括由為用以產生電漿之目標混合物之部分之錫小滴形成的蒸汽殘餘物、粒子及離子。當自由基805到達碎屑824時，自由基805與碎屑824組合，藉此自表面822移除碎屑824。因為導管850將自由基805遞送至元件820，所以無需自容器830移除元件820以供清潔。取而代之，在元件820駐留於容器830之內部時清潔該元件820。在不自容器830進行移除的情況下清潔元件820會縮減系統停工時間，此係因為(例如)元件820並不受干擾且並不必須在清潔之後重新對準。亦參看圖8B及圖8C，導管850包括開口854a至854l，該等開口中之每一者形成通過導管850之壁856之通路。圖8B展示在與方向808相反之方向上在導管850處自元件820向上觀察的導管850之視圖。圖8C展示向下觀察元件820的視圖，其中方向808進入頁面中。圖8C亦展示分別在元件820之表面822上的開口854a至854l中之每一者的突出物829a至829l。突出物829a至829l一起界定條帶828，該條帶為曝光至自開口854a至854l發射之自由基805之元件820的部分。開口854a至854l之大小在方向807上增加，其中最小開口(開口854a)最接近源810且最大開口(開口854l)最遠離源810。如下文所論述，開口854a至854l在方向807上之增加之大小造成自由基805以均一速率到達條帶828。源810可為微波電漿產生器。為了運用此源產生自由基，將供形成自由基之氣體提供至源810。舉例而言，為了產生氫自由基，提供氫氣(H₂ )。可在將氣體提供至源810之前將額外氣體添加至該氣體。舉例而言，可將氬氣及氧氣(Ar/O₂ )之混合物添加至氫氣。氫氣及額外氣體兩者之混合物在經提供至源810時具有質量流量速率及速度。舉例而言，可以3標準公升/分鐘(SLM)之質量流量速率將氫氣提供至源810，且可以21標準立方體公分/分鐘(SCCM)之質量流量速率將Ar/O₂ 混合物提供至該源。氫氣及Ar/O₂ 進入源810、用以產生氫自由基及在方向807上傳遞至導管850中之移動氣體。行進於導管中之移動氣體引起沿著與方向807相反之方向起作用之背壓。背壓為由移動氣體在其流動通過導管850時所遭遇之阻力。當存在時，背壓具有縮減行進於導管850中之氣體之質量流量速率或速度(此又造成由氣體攜載之自由基停留於導管850中歷時較長時間段)之效應。自由基805處於導管850中之時間為「駐留時間」。背壓之存在可引起關於氫自由基之較高駐留時間，且該較高駐留時間導致自由基與導管850之內壁重組之較多機會及較少氫自由基到達元件820。增加導管850中流動之氣體在方向807上之質量流量速率或速度亦可增加自由基805快速行進於導管850中之速度，藉此以較高速率將自由基遞送至元件820且較快速地清潔元件820。然而，增加流動氣體之質量流量速率或速度亦可增加背壓，此可降低遞送至元件820 之自由基之量(經由在自由基於導管中之增加之駐留時間期間的增加之重組)且亦可降低自由基經遞送至元件820之速度(經由由背壓造成的流動氣體之縮減之速度)。因而，使導管850中流動之氣體之質量流量速率或速度的增加與背壓之產生保持平衡。另外，在側壁中無開口之導管中，由導管中流動之氣體遭遇之壓力或阻力可在氣體流動方向上增加。若側壁中之開口皆具有相同大小，則相比於自任何其他開口射出之自由基數目，更多自由基805自最接近源之開口射出，此係因為導管850內部之壓力朝向源810增加。另外，在此情形下，自由基805在其於方向807上移動通過導管850時由於在方向807上之縮減或減低之質量流量而在速度方面減低。結果，若導管側壁中之所有開口具有相同大小，則自由基805到達條帶828，但自由基805到達條帶828之速度可貫穿條帶828之各種部分不恆定。與此對比，導管850之開口854a至854l具有不同大小，且該等開口之大小在氣體流動方向(方向807)上增加。此配置縮減上文所論述之效應。因此，當在側壁中具有可變大小之開口之導管(諸如導管850)用以將自由基805遞送至表面822時，條帶828之所有部分以相同速率被清潔。在一些實施中，導管中之背壓保持低於0.9托至1.2托，且流動氣體在方向807上之中心線質量流量速率介於1 SLM至4 SLM之間。碎屑824之蝕刻速率或移除速率可為(例如)5奈米/分鐘至125奈米/分鐘(nm/min)。移除速率可大於125奈米/分鐘。流動氣體在方向807上之中心線質量流量速率可藉由流型界定。因此，藉由將不同流型應用於傳送系統800，中心線質量流量速率可變化。開口854a至854l可具有直徑為4.5毫米至6.5毫米的圓形橫截面，且可在方向807上在導管850上彼此等距地間隔。沿著方向807之該等開口中之每一者之間的縱向間隔可為(例如)40毫米。儘管圖8A至圖8C中所展示之實例包括十二個開口，但在其他實例中，可使用更多或更少開口。舉例而言，導管850可界定十個開口或比十二個開口更多的開口。參看圖8B及圖8C，為了放大元件820上之被清潔之區域，可使導管850圍繞縱向軸線859旋轉，該縱向軸線859由導管850界定沿著平行於方向807之方向上延伸。替代地或另外，可使導管850沿著方向809來回平移。此外，可使導管850在方向808上移動以使導管850更接近元件820，或在與方向808相反之方向上移動以將導管850移動成更遠離元件820。將導管850移動成更接近元件820可允許自由基805之較大部分到達元件820之表面822之特定區。舉例而言，可使導管850在方向808上朝向表面822移動以將自由基850導向朝向停滯區。將導管850移動成更遠離元件820之表面822可放大藉由自由基850清潔之區域。可以界定自由基850如何經導向朝向表面822之流型來指定導管850之運動。該系統800包括允許該系統800之使用者移動導管850之定位機構840。該定位機構840可經組態以供(例如)運用槓桿、輪或自容器830外部可近接且允許使用者移動導管850之其他機械器件進行手動操作。該定位機構840可受電腦控制。舉例而言，導管850可耦接至步進器馬達或在由使用者啟動或藉由經自動化電子程序而啟動時移動導管850之其他器件。當傳送系統800用作流體傳送系統202 (圖2)時，定位機構840為導管控制器240之部件或受到導管控制器240控制。導管850沿著方向809來回平移會相對於元件820移動導管850，同時將距離826 (圖8A)保持恆定。換言之，導管850相對於元件820在平行於包括該元件820之周邊或邊緣827之平面的平面中移動。使導管850圍繞軸線859旋轉會允許將自由基805遞送至元件820之在條帶828外部之區，諸如區821a及821b。使導管850沿著方向809來回平移亦允許將自由基805遞送至元件820之在條帶828外部之區。參看圖9，展示用於在並不自EUV光源之真空腔室移除光學元件的情況下清潔該真空腔室中之該元件之實例程序900的流程圖。可運用本文中所揭示之任何自由基傳送系統來執行該程序900。舉例而言，可運用傳送系統700或800來執行該程序900。在程序900之論述中，將系統800用作一實例。再次參看圖8A至圖8C，在由導管850界定之第一開口852處接收自由基805 (910)。該等自由基與待清潔之元件上之碎屑組合。可在將目標混合物轉換成發射EUV光之電漿時產生碎屑，且碎屑可憑藉元件處於電漿之路徑中而積累於元件之表面上。自由基805係由源810產生。舉例而言，源810可為微波電漿產生器，諸如購自馬薩諸塞州安多佛市的MKS Instruments公司之智慧型電力產生器(SMART POWER GENERATOR)。該源可在(例如) 8000瓦特下操作。為了產生自由基，將能夠解離成自由基之氣體提供至源810。舉例而言，該氣體可為或包括氫氣(H₂ )、碘化氫(HI)、溴(Br₂ )、氯氣(Cl₂ )、碘(I₂ )、甲烷或水。可在將該混合物提供至源810之前添加額外氣體(諸如氬氣及氧氣之混合物)。在一質量流量速率或速度下將氣體提供至源810，且產生於源810處之自由基與來自源810之氣流一起流動至導管850中。該質量流量速率或速度可藉由儲存於流型儲存器246中之流型界定。因此，質量流量速率或速度可經由選擇特定流型而變化。開口852及傳送自由基805或以其他方式在自由基805之路徑中的導管850之部分係由具有低重組係數之材料製成。開口852耦接至微波電漿產生器之施加器使得開口852接收自由基805。微波電漿產生器之施加器可由藍寶石製成，且導管850及開口852可耦接至藍寶石施加器使得自由基在自源810流動至導管850中時並不遭遇任何金屬表面。此配置可幫助縮減耦接處之自由基損耗。將導管850中之自由基805導向朝向開口854a至854l (920)。自由基805可由自源810流動於導管850中之氣體導向朝向開口854a至854l。另外或替代地，開口854a至854l將通路提供至的容器830之內部832中之壓力低於源810處之壓力及導管850中之壓力。舉例而言，容器830之內部中之壓力可為300毫托(40帕斯卡)。結果，自導管850通過開口854a至854l汲取自由基805且將自由基805汲取至內部832中。如上文所論述，為了幫助增進自由基之傳送，使導管850由具有與流動至導管850中之自由基之低重組速率的材料製成。另外，在最小化背壓之效應的同時，儘可能地增加將自由基攜載於導管中之氣體之質量流量速率或速度。增加自由基805在導管850中移動之速度亦會縮減自由基805處於導管850中之時間之量，從而減輕可歸因於與導管850之內壁碰撞之自由基損耗之量。增加自由基805之速度亦會增加元件之清潔速率。在一些實施中，自由基805在導管850中遍及導管850之縱向範圍以1 SLM至4 SLM之恆定質量流量速率行進。導管850之縱向範圍可為(例如)0.8公尺至2公尺。將自由基805傳遞通過開口854a至854l中之至少一者且傳遞朝向元件820之表面822 (930)。如上文所論述，容器830之內部832、源810及導管850之內部之間的壓力差動(其中壓力在容器830中最低)可造成自由基805傳遞通過開口854a至854l。開口854a至54l朝向條帶828而定向且將自由基805導向至條帶828。自由基805與條帶828上之碎屑824組合且移除碎屑824。自由基可藉由(例如)蝕刻碎屑824、燃燒碎屑824或與碎屑824反應而與碎屑組合。自由基805可以5奈米/分鐘至125奈米/分鐘之速率移除碎屑。在諸如圖8B及圖8C中所展示之一些實施中，可藉由旋轉及/或平移導管850而使開口854a至854l朝向元件820定向，使得該等開口854a至854l指向元件820之特定部分。圖10至圖13分別展示其他實例導管1050至1350。圖10至圖13中所展示之導管中之任一者可用於傳送系統700或800中或用作流體傳送系統202中之導管250。參看圖10，展示實例導管1050。該導管1050界定一縱向軸線1059及兩個末端：源末端1060及容器末端1061。該導管1050具有縱向範圍1063，該縱向範圍為在平行於縱向軸線1059之方向上在源末端1060與容器末端1061之間的距離。範圍1063可為0.8公尺至2公尺。舉例而言，範圍1063可為0.8公尺、0.9公尺、0.95公尺、0.975公尺或1公尺。導管1050具有界定外表面1056、內表面1065及輪緣1066之壁1067。源末端之輪緣1066界定具有直徑1064之開口1052。舉例而言，直徑1064可為2.5公分。壁1067界定開口1054a至1054p，該等開口中之每一者穿過壁1067以形成允許流體及自由基自導管1050之內部傳遞至導管1050之外部之通路。開口1054a至1054p之大小可變化，其中大小沿著方向1007增加。亦即，開口1054a為最小開口，且開口1054p為最大開口。開口1054a至1054p在橫截面中可為圓形，且可具有範圍在4.5毫米至6.5毫米之間的直徑。該等開口在方向1007上彼此間隔20毫米至40毫米。另外，導管1050可具有比圖10中所展示之實例更多或更少的開口。輪緣1066及內表面1065係由具有低重組係數之材料製成及/或塗佈有具有低重組係數之材料。舉例而言，輪緣1066及內表面1065可為或可塗佈有派熱司、石英、玻璃、自然氧化物(諸如二氧化矽或二氧化鈦)或陽極化金屬，諸如陽極化鋁。輪緣1066及內表面1065可為具有為約5×10^-3 或更小之重組係數之任何材料。以此方式，輪緣1066及內表面1065與相對少自由基重組，來代替將自由基傳送通過導管且將自由基遞送至待清潔之元件。在其他狀況下，亦可使用重組係數為1×10^-2 或更高之材料，其中清潔速率相對應減低。在使用中，源末端1060耦接至自由基之源且在開口1052處接收自由基。舉例而言，源末端1060可耦接至微波電漿產生器之施加器。微波電漿產生器之施加器為將微波能量轉換成電漿之元件。微波電漿產生器之施加器可為由(例如)藍寶石製成之套管。將藍寶石施加器套管耦接至開口1052會允許由源產生之自由基流動至導管1050中，而不會遭遇與自由基重組之金屬或其他元件。結果，導管1050耦接至源會引起少數(若存在)自由基之損耗。自由基自源行進至導管1050中且經由孔1054a至1054p射出導管。圖11及圖12分別展示其他實例導管1150及1250。導管1150及1250可用於本文中所揭示之傳送系統中之任一者中，例如上文所論述之系統700或800或系統200。導管1150及1250相似於導管1050，惟導管1150及1250具有藉由經定位成傳遞通過導管1150、1250之側壁1167、1267上之不同點而以不同角度偏移之開口除外。該定位造成自導管1150及1250發射之自由基遍及待清潔之元件之較大區域而發射。換言之，當突出於待清潔之元件上時，導管1150及1250之開口相比於具有相對於待清潔之元件皆定向成處於相同角度的開口之導管之開口覆蓋更大區域。此導管之一實例為所有開口沿著平行於導管之縱向軸線之線對準之導管(諸如導管1050)。參看圖11，導管1150具有源末端1160及容器末端1161。導管1150具有界定縱向軸線1159、外表面1156、內表面1165及輪緣1166之壁1167。源末端1160之輪緣1166界定具有直徑1164之開口1152。舉例而言，直徑1164可為2.5公分。壁亦界定開口1154a至1154s。開口1154a至1154s以螺旋形配置配置於壁1157上。開口1154a至1154s可配置於僅一半導管上，如圖11中所展示。在其他實施中，開口1154a至1154s可配置於整個導管1150之表面上，使得自由基自導管1150在所有方向上被發射。導管1150在平行於縱向軸線1159之方向上具有範圍1163。範圍1163可為0.8公尺至2公尺。舉例而言，範圍1163可為0.8公尺、0.9公尺、0.95公尺、0.975公尺或1公尺。相似於導管1050，導管1150之內表面1165及輪緣1166為具有低重組係數之材料。參看圖12，導管1250具有源末端1260及容器末端1261。導管1250具有界定縱向軸線1259、外表面1256、內表面1265及輪緣1266之壁1267。源末端1260之輪緣1266界定具有直徑1264之開口1252。舉例而言，直徑1264可為2.5公分。該壁亦界定複數個開口1254，該複數個開口中之每一者向自由基及氣體提供在導管1150之內部與外部之間的通路。該等開口1254以平行於縱向軸線1259延伸之行之形式而配置。該等開口1254具有不同大小，其中大小在方向1207上增加。圖12中所展示之實例導管1250具有三行開口。然而，可使用更多或更少行開口。導管1250在平行於縱向軸線1259之方向上具有範圍1263。範圍1263可為0.8公尺至2公尺。舉例而言，範圍1263可為0.8公尺、0.9公尺、0.95公尺、0.975公尺或1公尺。相似於導管1050，導管1250之內表面1265及輪緣1266為具有低重組係數之材料。參看圖13A，展示另一實例導管1350。該導管1350可用作本文中所揭示之傳送系統中之任一者中之導管。舉例而言且亦參看圖13B，可使用導管1350來代替傳送系統800中之導管850。導管1350相似於導管1050，惟導管1350具有曲率半徑1370除外。由於該曲率半徑，導管1350具有界定縱向軸線1359之線性部分1371，及轉向遠離線性部分1371且沿著軸線1373延伸之彎曲部分1372。曲率半徑1370可為任何曲率使得縱向軸線1359與軸線1373之間的角度「A」大於0度(°)且不超過90°。導管1350包括源末端1360及容器末端1361。該導管在平行於縱向軸線1359之方向1307上具有範圍1374。範圍1374可為0.8公尺、0.9公尺、0.95公尺、0.975公尺或1公尺。導管1350具有界定縱向軸線1359、外表面1356、內表面1365及輪緣1366之壁1367。源末端1360之輪緣1366界定具有直徑1364之開口1352。舉例而言，直徑1364可為2.5公分。該壁亦界定複數個開口1354，該複數個開口中之每一者向自由基及氣體提供在導管1350之內部與外部之間的通路。該等開口1354具有不同大小，其中大小在方向1307上增加。相似於導管1050，導管1350之內表面1365及輪緣1366為具有低重組係數之材料。參看圖14A及圖14B，展示另一實例自由基傳送系統1400之方塊圖。該自由基傳送系統1400可用作圖2之流體傳送系統202。圖14A展示傳送系統1400之側視圖。圖14B展示沿著圖14A之線14B-14B而截取之傳送系統1400的橫截面圖。傳送系統1400包括一歧管1450 (圖14B)，該歧管包括複數個導管1450a至1450g。該複數個導管1450a至1450g連接至自由基1405之源。在一些實施中，每一導管1450a至1450g連接至分離自由基源。源1410產生自由基1405，該等自由基分別在開口1452a至1452g處進入導管1450a至1450g且在方向1407上在導管1450a至1450g中流動。導管1450a至1450g中之每一者具有開口1454a至1454l，該等開口皆形成通過導管之壁之通路且朝向元件1420釋放自由基1405。因此，相比於包括單一導管之傳送系統，傳送系統1400可清潔元件1420之較大區域，而不必須旋轉或平移歧管1450。然而，在一些實施中，可旋轉或平移歧管1450以進一步增加藉由自由基1405清潔之區之大小。另外，在導管1450a至1450g中，開口1454a至1454l各自具有不同大小，其中大小在方向1407上增加。此情形相似於上文關於圖8A至圖8C所論述的導管850之開口854a至854l。因而，導管1450a至1450g將自由基1405以均一速率遞送至元件1420，此情形引起以均一速率自元件1420清潔碎屑。在其他實施中，開口1454a至1454l可皆具有相同大小。儘管歧管1450包括七(7)個導管，但可使用更多或更少導管。另外，歧管之導管可包括比所展示開口更多或更少的開口，且該等導管可包括不同數目個開口。參看圖15A，展示另一實例自由基傳送系統1500之方塊圖。該傳送系統1500之視圖係向下朝向待清潔之元件1520。傳送系統1500可為LPP EUV光源(諸如圖6A之源600)之部件，且在此實施中，元件1520處於容器1530之內部1532中。另外或替代地，自由基傳送系統1500可用作圖2之流體傳送系統202。傳送系統1500包括導管1550a、1550b，該等導管中之每一者分別連接至自由基之源1510a、1510b。來自源1510a、1510b之自由基流動至導管1550a、1550b中。相似於上文所論述之導管1050，導管1550a、1550b係由具有低重組速率之材料製成。元件1520界定表面1522，表面1522由於處於產生於容器1530中之電漿之路徑中而積聚碎屑1524。可藉由將經放大光束傳遞通過元件1520中之孔隙1519以輻照目標混合物(圖中未繪示)且將目標混合物轉換成電漿來產生電漿。元件1520可為(例如)接收由電漿發射之EUV光且將該光聚焦至在圖15A之頁面外之部位之收集器鏡面。因此，在圖15A中，經放大光束及經聚焦EUV光之光學路徑係在頁面外之方向(與至頁面中之方向1508相反)上。經放大光束之光學路徑係在頁面外，但亦傳遞通過孔隙1519。相比於圖8A至圖8C、圖13B、圖14A及圖14B中所展示之傳送系統，傳送系統1500之導管1550a及1550b係在光學路徑外部。類似於傳送系統800，傳送系統1500可用以「原位地」或在元件1520處於容器1530內部時清潔元件1520。另外，因為傳送系統1500在光學路徑外，所以可在光源在操作中時使用傳送系統1500。導管1550a、1550b具有線性部分1580a、1580b及彎曲部分1581a、1581b。彎曲部分1581a、1581b遵循元件1520之邊緣1527，以避免光學路徑。導管1550a、1550b係由具有低重組係數且因此將自由基自源1510a、1510b遞送至容器1530內部之材料製成。亦參看圖15B (其更詳細地展示彎曲部分1581a)，彎曲部分1581a界定將自由基及氣體自導管1550內部朝向元件1520傳遞之開口1554a至1554k。該等開口1554a至1054k具有不同大小，且大小隨著與源1510a相隔之距離增加而增加。比圖15B之實例中所展示之開口更多或更少的開口可形成於彎曲部分1581a中。該等開口可以與關於圖8A至圖8B、圖10、圖11及圖12所展示及描述之開口之配置中的一或多者相似之方式而配置。舉例而言，相似於開口1554a至1554k之集合的複數列開口可形成於部分1581a中。導管1550b在部分1581b中具有經定向成將自由基導向朝向元件1520的相似開口。參看圖16，展示另一實例自由基傳送系統1600。該自由基傳送系統1600包括導管1650，該導管遵循待清潔之元件1620之邊緣1627。類似於圖15A之傳送系統1500，傳送系統1600包括在用以產生電漿之經放大光束及/或藉由元件1620聚焦之EUV光之光學路徑外的導管。該傳送系統1600包括耦接至自由基之源1610之導管1650。類似於導管1550a、1550b，導管1650係由具有低重組係數且因此將由源1610產生之自由基傳送至含有元件1620的容器1630之內部1632之材料製成。導管1650界定將自由基朝向元件1620傳遞之開口。參看圖17，展示實例EUV光源1700之方塊圖。該光源1700包括元件清潔系統1701。類似於傳送系統800、1500及1600以及清潔系統201，元件清潔系統1701可用以清潔光學元件。在圖17之實例中，光學元件為處於真空容器1730之內部1732之元件1720。清潔系統1701運用自由基1705「原位地」清潔元件1720 (在元件1720處於容器1730之內部1732時且在不必須移動元件1720的情況下)。如上文所論述，自由基為具有不成對價電子或開放式電子殼層且因此可被視為具有懸空共價鍵的原子、分子或離子。懸空鍵可使自由基具高度化學反應性，亦即，自由基可易於與其他物質反應。由於自由基之反應性性質，自由基可用以自物件移除物質(諸如碎屑)。自由基可藉由(例如)蝕刻碎屑、與碎屑反應及/或燃燒碎屑而移除碎屑。除了自由基1705以外，元件清潔系統1701亦使用氣體1776及1777 (其為不包括自由基之氣體)以清潔元件1720。使用氣體1776及1777與自由基1705可達成元件1720之更快速清潔。在圖17中，自由基1705係以實線箭頭來展示且氣體1776及1777係以虛線箭頭來展示。自由基1705、氣體1776及氣體1777經導向朝向元件1720之方式係由一或多個流型界定。該等流型允許變化自由基1705、氣體1776及氣體1777之流動特性使得可更快速地清潔元件1720。元件清潔系統1701包括自由基傳送系統1702，自由基傳送系統將自由基1705通過導管1750導向至元件1720之表面1722。導管1750係在光源1700之光學路徑外，因此，元件清潔系統1701可經操作以在光源1700在操作中時(例如，在光源1700正產生EUV光1716時)清潔元件1720之表面1722。導管1750可為(例如)導管1550 (圖15A及圖15B)或1650 (圖16)中之任一者，或導管1750可具有另一設計。下文論述之圖18A及圖18B展示可用於光源1700中之導管之實例。圖4A至圖4C中所展示之導管450亦可用於光源1700中。元件清潔系統1701亦包括控制系統1755及氣體源1712，該氣體源1712將氣體1713 (諸如雙原子分子氫氣(H₂ )、氦氣(He)及/或氬氣(Ar))提供至真空容器1730之內部1732。控制系統1755控制氣體1713之流動及自由基1705之流動。進入內部1732之氣體1713流動至圍繞元件1720之空間1703中。該氣體作為氣體1776及氣體1777在空間1703中流動。氣體1713及自由基1705之流動係藉由儲存於流型儲存器1746中之一或多個流型指定。該或該等流型包括指定諸如氣體1713及自由基1705之流動速率之特性的資訊。該等流型允許光源1700之控制系統1755或操作員管理及改變氣體1713及自由基1705之特性，以最佳化元件1720之清潔。光源1700包括目標材料供應裝置1727，該目標材料供應裝置將目標材料1778遞送至真空容器1730之內部1732中之目標部位1704。側壁1736界定內部1732。自光學源615發射之經放大光束610在z方向上通過側壁1736及元件1720之孔隙1717傳遞至目標部位1704。經放大光束610與目標材料1778相互作用以形成電漿1717，電漿1717發射EUV光1716及碎屑1724。一些EUV光1716係由元件1720之表面1722反射，而作為經反射EUV光1715。經反射EUV光1715朝向微影系統1799射出真空容器1730。自由基傳送系統1702包括源1710及傳送來自源1710之自由基之導管1750。導管1750在形成於導管1750之末端中之開口1752處耦接至源1710。產生於源1710處之自由基通過開口1752流動至導管1750中，且通過穿過導管1750之側壁1756之開口1754射出導管1750。自由基1705可歸因於真空容器1730之內部1732與源1710及/或導管1750之內部之間的壓力差動而自源1710流動至真空容器1730之內部1732中，其中內部1732之壓力低於源1710處之壓力及導管1750之內部中之壓力。藉由將開口1754定位朝至元件1720之表面1722而將通過開口1754射出導管1750的自由基1705導向朝向該表面1722。導管1750係由相似於供製成導管750 (圖7A及圖7B)之材料的材料製成。類似於導管750，導管1750可由(例如)鐵氟龍、石英、玻璃、金屬氧化物及/或經塗佈有具有低重組速率之材料的金屬製成。導管1750相對於元件1720經定位於內部1732中，其中在導管1750與元件1720之間具有間隙1797。間隙1797為元件1720與流體可傳遞通過之導管1750之間的實體分離度。換言之，導管1750之至少一部分不與元件1720實體接觸。另外，導管1750經定位成使得無導管1750之部分與經放大光束610相交。此外，導管1750經定位成不處於元件1720之表面1722與自電漿1717發射之EUV光1716之間。以此方式，元件清潔系統1701可經操作以在光源1700產生EUV光1716時清潔元件1720。在所展示實例中，元件1720係由安裝台1718固持及支撐於真空容器1730之內部1732中的固定部位中。安裝台1718具有：側壁1719a，其延伸至真空容器1730之內部1732中；及唇緣1719b，其自側壁1719a延伸至間隙1797中。唇緣1719b自側壁1719a沿著與側壁1719a延伸所沿著之方向不同的方向延伸。在圖17中所展示之實例中，側壁1719a沿著z方向延伸，且唇緣1719b沿著垂直於z方向之y方向延伸遠離側壁1719a之末端。當元件1720處於安裝台1718中時，空間1703形成於側壁1719a與元件1720之間及/或形成於元件1720之側上，其在元件1720之除了包括表面1722之側之外的側上。來自氣體源1712之一些氣體1713流動通過介於側壁1719a與元件1720之間的空間1703之部分。流動通過空間1703之此部分之氣體被展示為圖17中之氣體1776。唇緣1719b與側壁1719a之相對定向造成氣體1776經導向朝向元件1720之表面1722。唇緣1719b自恰好在元件1720之周邊1727外部之部位遠離側壁1719a延伸朝向元件1720之中心。因此，氣體1776自元件1720之周邊1727流動朝向元件1720之中心。氣體1776可被稱作「周邊氣流」。來自氣體源1712之氣體1713亦流動通過元件1720之孔隙1717。流動通過孔隙1717之氣體被標註為圖17之實例中之氣體1777，且可被稱作「孔隙氣流」。氣體源1712為不包括自由基之氣體之源。儘管圖17中展示一個氣體源1712，但光源1700可包括將氣體遞送至真空容器1730之內部1732之複數個氣體源。舉例而言，一氣體源可遞送氣體1775且另一氣體源可遞送氣體1776。元件清潔系統1701亦包括控制系統1755。控制系統1755控制導管1750相對於元件1720之位置，且亦控制氣體1776、氣體1777及/或自由基1705之流動。舉例而言，控制系統1755可調整氣體1776、氣體1777及/或自由基1705相對於彼此之流動速率，以減低自表面1722移除碎屑1724所需之時間量。在一些實施中，控制系統1755可開始或停止氣體1776、氣體1777及/或自由基1705中之一或多者之流動以起始或結束清潔循環。控制系統1755可使用包括於流型儲存器1746之流型中之資訊來控制氣體1776、氣體1777及/或自由基1705之流動。圖17中所展示之實例控制系統1755包括導管控制器1740、流動控制器1741、電子處理器1742、電子儲存裝置1743，及輸入/輸出(I/O)介面1744。導管控制器1740控制導管1750相對於元件1720之位置。導管控制器1740可控制導管1750 (及自由基1705射出導管1750所通過之開口1754)在x、y及/或z方向上之位置，且導管控制器1740可相對於元件1720及表面1722旋轉導管1750及開口1754。舉例而言，導管控制器1740可將開口1754移動成在z方向上更接近元件1720，或導管控制器1740可在x-y平面中相對於元件1720移動導管1750以將自由基1750同時導向朝向表面1722之一個部分。導管控制器1740可用以在將導管1750最初安裝於真空容器1730之內部1732中時、在已將導管1750安裝於內部1732中之後及/或在光源1700及自由基傳送系統1702在使用中時相對於元件1720及表面1722來定位導管1750。導管控制器1740包括電子地受控制之組件。舉例而言，導管1750可耦接至步進器馬達或在由使用者啟動或藉由自動化電子程序啟動時移動導管1750之其他器件。導管控制器1740可包括經組態以用於(例如)運用槓桿、輪或自容器1730外部可近接且允許光源1700之操作員移動導管1750之其他機械器件進行手動操作之組件。流動控制器1741用以控制自由基1705及氣體1776及/或1777之流動。流動控制器1741可包括量測及/或控制氣體1776及/或氣體1777之流動之質量流動控制器，及控制自由基之源1710與真空容器1730之內部1732之間的相對壓力之壓力控制器。質量流動控制器連接至氣體源1712，且質量流動控制器包括輸入通口、出口通口、質量流量感測器及閥。質量流動控制器調整閥以調整氣體氣體自氣體源1712之流動。替代地，可使用兩個分離質量流動控制器及兩個分離入口氣體系統(圖中未繪示)來分離地控制氣體1776及氣體1777之質量流量速率。壓力控制器可控制自由基之源1710之壓力及內部1732中之壓力中之一或多者。來自源1710之自由基在真空容器1730之內部1732中之壓力低於源1710處之壓力時流動至該內部1732中。在一些實施中，控制系統1755不包括導管控制器1740及/或流動控制器1741。舉例而言，在一些實施中，導管1750相對於元件1720永久地經定位且在安裝之後或在使用期間並不被移動。在此等實施中，控制系統1755可不具有導管控制器1740或導管控制器1740可被停用。電子處理器1742為適合於執行電腦程式之一或多個處理器，諸如一般或特殊用途微處理器，及具有任何種類數位電腦之任何一或多個處理器。通常，處理器自唯讀記憶體或隨機存取記憶體或此兩者接收指令及資料。電子處理器1742可為任何類型之電子處理器。電子儲存器1743可為諸如RAM之揮發性記憶體，或非揮發性記憶體。在一些實施中，電子儲存器1743可包括非揮發性部分或組件及揮發性部分或組件兩者。電子儲存器1743儲存可能作為電腦程式之指令，該等指令在經執行時使處理器1742與控制系統1755中之其他組件通信。舉例而言，控制系統1755可在I/O介面1744處自人類操作員或自動化電子程序接收請求改變氣體1777之流動速率之輸入，且處理器1742可將命令傳達至流動控制器1741，以使質量流動控制器量測或判定氣體1777之當前流動速率且調整該流動速率以與所請求流動速率匹配。電子儲存裝置1743亦包括儲存一或多個流型之流型儲存器1746。流型包括描述或定義自由基1705、氣體1776及/或氣體1777之流動之特性的資訊。舉例而言，流型可包括足以使流動控制器1741調整自由基1705、氣體1776及氣體1777中之任一者之流動速率的資訊。自由基1705、氣體1776及氣體1777之流動速率可彼此不同。流型亦可包括指定基於特定流型將自由基、氣體1776及氣體1777導向朝向元件1720多長時間之持續時間。以此方式，一或多個流型可用以定義一清潔循環。 I/O介面1744為允許控制系統1755及/或其組件接收資料及信號及/或將資料及信號提供至操作員及/或執行於另一電子器件上之自動化程序的任何種類之電子介面。舉例而言，I/O介面1744可包括觸控螢幕或通信介面中之一或多者。參看圖18A及圖18B，分別展示流體傳送系統1801之實例之俯視圖及側面方塊圖。流體傳送系統1801包括導管1850a及1850b，以及自由基之源1810a、1810b。流體傳送系統1801亦包括氣體源1812。導管1850a、1850b將自由基1805自各別源1810a、1810b朝向光學元件1820之表面1822傳送。氣體源1812提供作為「孔隙氣流」流動通過光學元件1820之孔隙1817且作為「周邊氣流」圍繞光學元件1820之周邊1827流動之氣體。氣體源1812可包括複數個個別氣體供應件。舉例而言，氣體源1812可包括用於流動通過孔隙1817之氣體之供應件及用於圍繞周邊1827流動之氣體之分離供應件。光學元件1820可具有定位於由電漿產生之EUV光及碎屑之路徑中的鏡像表面，該電漿係根據經放大光束(諸如光束610)與目標材料(諸如目標材料1778)之間的相互作用而產生。在此等實施中，光學元件1820可被稱作收集器鏡面。元件清潔系統1801係在經放大光束之路徑外，且並不處於表面1822與由電漿發射之EUV光之間。因此，可在包括光學元件1820之EUV光源在使用中時及在光源產生EUV光時使用元件清潔系統1801。流體傳送系統1801可用於EUV光源1700中以清潔圖17之收集器鏡面1722。元件清潔系統1801包括導管1850a、1850b，該等導管可在製造EUV光源或EUV光源作為現有EUV光源之修整時安裝於該EUV光源中。替代地或另外，流體傳送系統1801可用作圖2之流體傳送系統202。在此等實施中，導管1850a、1850b係用作導管250。源1810a、1810b以及氣體源1812係用作流體供應件210。如關於圖2所論述，光學系統203可為任何類型之光學系統。因此，流體傳送系統1801可供除了EUV光源之外的光學系統使用。另外，在光學系統為EUV光源之實施中，元件1820可為除了鏡面之外的在藉由經放大光束與目標材料之間的相互作用而產生之電漿之路徑中的光學元件。元件清潔系統1801藉由將自由基1805、氣體1876及氣體1877遞送至表面1822來清潔元件1820。氣體1876及1877可為相同類型之氣體，且氣體1876及1877可為不含有自由基之氣體。氣體1876及1877係由一或多個氣體源(諸如氣體源1712 (圖17))產生。在圖18A及圖18B中，自由基1805係以實線箭頭來展示且氣體1876及1877係以虛線箭頭來展示。光學元件1820在x-y平面中具有圓形橫截面(圖18A)且表面1822彎曲，如圖18B中所展示。光學元件1820具有在z方向上穿過光學元件1820之孔隙1817。氣體1877在z方向上流動通過孔隙1817。光學元件1820亦具有周邊1827。周邊1827包括最遠離孔隙1817之中心的光學元件1820之部分，包括光學元件1820之圓周邊緣。在圖18A及圖18B之實例中，周邊1827在x-y平面中具有圓形形狀。元件1820係由包括側壁1819a之安裝台1818固持。空間1803形成於安裝台1818與元件1820之部分之間。空間1803包括：區1803a，其處於側壁1819a與元件1820之間；及區1803b，其處於元件1820之側1823處。空間1803自一或多個氣體源(圖中未繪示)接收氣體1876及1877。在一些實施中，具有在z方向上漸狹之側以界定敞開區的護罩(諸如中空圓錐形護罩650 (圖6A))可被置放於與側1823接觸之空間1803b中，且其中該護罩之該敞開區與孔隙1817流體連通。在此等實施中，氣體1877在z方向上流動通過由護罩界定之敞開區，之後流動通過孔隙1817。安裝台1818亦包括以一角度自側壁1819a延伸之唇緣1819b。該唇緣1819b延伸至間隙1897中，該間隙為周邊1827與將自由基1805遞送至表面1822之導管1850a、1850b之一部分之間的敞開區。唇緣1819b環繞周邊1827但在z方向上位移且自周邊1827徑向地位移。換言之，在z方向上在空間1803a中流動之氣體與唇緣1819b相互作用，且自周邊1827朝向表面1822流出空間1803a。元件清潔系統1801包括兩個導管1850a及1850b，該兩個導管將自由基自自由基之各別源1810a、1810b傳送至元件1820之表面1822。導管1850a、1850b包括側壁1856a、1856b，該等側壁中之每一者界定各別導管1850a、1850b之內部。導管1850a、1850b係由不與自由基反應或組合之材料製成或具有低重組係數(例如，為約5×10^-3 或更小之重組係數)之材料製成，使得自由基1805可在導管1850a、1850b之內部流動。舉例而言，導管1850a、1850b可由鐵氟龍、石英或諸如硼矽酸玻璃(例如，派熱司)之玻璃，或經塗佈有具有低重組係數之材料之金屬製成。導管1850a、1850b之側壁1856a、1856b包括各別線性部分1880a、1880b及彎曲部分1881a、1881b。在線性部分1880a、1880b中，側壁1856a、1856b沿著為實質上直線之縱向軸線延伸。線性部分1880a在形成於線性部分1880a之末端中的開口1852a處連接至源1810a，且線性部分1880b在形成於線性部分1880b之末端中的開口1852b處連接至源1810b。由源1810a、1810b產生之自由基分別通過開口1852a、1852b流動至線性部分1880a、1880b中。線性部分1880a之內部與彎曲部分1881a之內部流體連通，且線性部分1880b之內部與彎曲部分1881b之內部流體連通。因此，流動至線性部分1880a、1880b中之自由基可流動至各別彎曲部分1881a、1881b中。側壁1856a、1856b在彎曲部分1881a、1881b中彎曲。彎曲部分1881a、1881b包括開口1854，該等開口穿過側壁1856a、1856b以允許彎曲部分1881a、1881b之內部中之自由基射出導管1850a、1850b。為簡單起見，在彎曲部分1881a、1881b中之每一者上僅標註一個開口1854。然而，彎曲部分1881a、1881b可包括沿著彎曲部分彼此間隔中心至中心徑向距離「d」的任何數目個開口1854。開口1854可具有為(例如) 4.5至6.5毫米(mm)之直徑。開口1854可具有圓形橫截面。開口1754中之兩者之間的距離「d」可為(例如)1至10公分(cm)。另外，開口1854可皆具有相同大小，或開口1854之大小可變化。舉例而言，開口可隨著自由基自源1810a、1810b行進之距離增加而變得更大。此配置可允許自由基1805自所有開口1854以相同速率射出導管1850a、1850b。在一些實施中，可使開口1854之間的間隔「d」沿著彎曲部分1881a及1881b之長度可變。換言之，開口1854之任兩者之間的間隔「d」可不同。舉例而言，可使開口1854之間的間隔「d」隨著自由基自源1810a、1810b行進的距離增加而更小。亦即，開口1854可在遠離線性部分1880a、1880b之彎曲部分1881a、1881b的部分中更靠近在一起(間隔「d」較低)，且在接近線性部分1880a、1880b之彎曲部分1881a、1881b的部分中相隔較遠。開口1854之此組態可引起自彎曲部分1881a、1881b之每一單位長度以相同速率遞送自由基，而不管距源1810a、1810b之距離。在一些實施中，貫穿彎曲部分1881a、1881b之長度之不同孔直徑與開口1854之間的不同間隔「d」之組合亦可用以自彎曲部分1881a、1881b之每一長度以相同速率提供自由基，而不管距源1810a、1810b之距離。彎曲部分1881a、1881b在z方向上自元件1820位移，且間隙1897 (其為氣體可流動通過之空間)形成於該等彎曲部分1881a、1881b與周邊1827之間。在圖18A及圖18B中所展示之組態中，彎曲部分1881a、1881b處於平行於含有周邊1827之x-y平面之x-y平面中，其中此兩個x-y平面在z方向上分離達間隙1897。然而，彎曲部分1881a、1881b可以相對於元件1820之其他組態而定位。另外，彎曲部分1881a、1881b中之任一者或兩者可相對於元件1820移動以(例如)最佳化對表面1822之特定部分之清潔。在圖18A之實例中，彎曲部分1881a、1881b中之每一者形成圓圈之部分。由彎曲部分1881a、1881b兩者形成之圓圈之半徑與元件1820之半徑相同或大於元件1820之半徑。部分1881a、1881b之曲率半徑與元件1820之周邊1827之曲率半徑相同或大於元件1820之周邊1827之曲率半徑。因此，當彎曲部分1881a、1881b被置放於周邊1827上方(在z方向上)且徑向地在周邊1827外部(諸如圖18A及圖18B之組態)時，開口1854可經定向成使得自由基1805自周邊1827附近之區向內徑向地流動朝向表面1822。舉例而言，包括開口1854之彎曲部分1881a、1881b可在周邊1827處或與周邊1827相隔高達(例如) 10至15公分(cm)之距離。另外，如上文所論述，安裝台1818之唇緣1819b以一角度自側壁1818a延伸至間隙1897中，以將氣體1876徑向地向內導向朝向表面1822。唇緣1819b亦在周邊1827上方(在z方向上)且徑向地在周邊1827外部。因此，氣體1876自周邊1827流動。歸因於導管1850a、1850b之組態，可在光學元件1820之表面1822與光相互作用的同時藉由流體傳送系統1801清潔元件1820。參見圖19，展示實例程序1900之流程圖。程序1900用以自光學元件之表面移除碎屑。舉例而言，程序1900可用以自EUV光源之真空容器內部之元件移除碎屑。程序1900在無需自元件之操作環境移除元件的情況下自元件移除碎屑，且可在光學元件在使用中時使用該程序1900。舉例而言，在光學元件處於EUV光源之真空容器內部之實施中，可在EUV光源在操作中時(例如，在EUV源正產生EUV光時)執行程序1900。可藉由控制系統255 (圖2)之電子處理器242或控制系統1755之電子處理器執行該程序1900。舉例而言，程序1900可為儲存於電子儲存裝置242上之指令集(可能為電腦程式)，該等指令在經執行時造成一或多個電子處理器242使控制系統255之各種組件相互作用以清潔元件220。關於流體傳送系統1801 (圖18A及圖18B)及控制系統255來論述該程序1900。然而，可運用包括元件清潔系統(諸如，元件清潔系統1701 (圖17))之任何EUV光源來執行該程序1900。存取第一流型(1910)。可自流型儲存器246存取第一流型。第一流型包括足以定義流體流動之特性之資訊。可將第一流型作為(例如)電子檔案或作為呈電腦程式之形式之指令集儲存於流型儲存器246中。可自流型儲存器246中之複數個流型選擇第一流型。流型儲存器246中之各種流型可各自與一或多個光學元件、碎屑類型及/或光學系統相關聯，其中針對某些條件最佳化一特定流型。因此，可基於光學元件1820之形狀、預期在表面1822上之碎屑之類型及/或其中使用光學元件1820之光學系統來選擇經存取第一流型。基於經存取第一流型將自由基1805、氣體1877及氣體1876中之一或多者導向朝向表面1822 (1920)。第一流型指示自由基1805是在導管1850a及1850b兩者中流動抑或在導管中之僅一者1850b中流動。若第一流型指示自由基1805在導管1850a、1850b中之僅一者中流動，則第一流型指示自由基1805在哪一導管中流動。另外，當第一流型指示自由基1805在導管1850a及1850b中流動，則第一流型指示自由基1805在每一導管中之流動速率。在每一導管1805a、1805b中之流動速率可彼此相同或彼此不同。在第一流型指示自由基1805在導管1850a、1850b兩者中同時地且在不同速率下流動之實例中，第一流型可指示在導管1850a、1850b中之相對流動速率達(例如)某一比率。自由基1805係由分別在開口1852a、1852b處耦接至導管1850a、1850b的源1810a、1810b產生。該等源1810a、1810b可為微波電漿產生器。為了運用此源產生自由基，將供形成自由基之氣體提供至源1810a、1810b。舉例而言，為了產生氫自由基，提供氫氣(H₂ )。可在將氣體提供至源1810a、1810b之前將額外氣體添加至該氣體。舉例而言，可將氬氣及氧氣(Ar/O₂ )之混合物添加至氫氣。氫氣及額外氣體兩者之混合物在經提供至源1810a、1810b時具有質量流量速率及速度。舉例而言，可以3標準公升/分鐘(SLM)之質量流量速率將氫氣提供至源1810a、1810b，且可以21標準立方體公分/分鐘(SCCM)之質量流量速率將Ar/O₂ 混合物提供至該源。第一流動速率可包括足以使源1810a、1810b將質量流量速率設定為介於(例如) 3 SLM至15 SLM之間之資訊。此外，源1810a、1810b可分離地受控制使得導管1850a及1850b中之流動速率不同。舉例而言，導管1850a中之自由基1805之流動速率可為3 SLM，且導管1050b中之自由基1805之流動速率可為15 SLM。第一流型亦可指示自由基1805之流動方向。藉由相對於表面1822定向開口1854而將自由基1805導向至表面1822。舉例而言，可藉由將開口1854置放成接近周邊1827且將開口1854定向成朝向表面1822之中心而自元件1820之周邊區導向自由基1805。可將導管1850a及/或1850b置放於元件1820之周邊1827處，或可將導管1850a及/或1850b在z方向上置放於周邊1827上方 (圖18A及圖18B)。舉例而言，導管1850a及1850b中之任一者或兩者可經定位成在包括周邊1827之x-y平面上方(在圖18A及圖18B中所展示之z方向上)1至10公分。在此組態中，自由基1805自元件1820之外部邊緣朝向元件1820之中心流動。第一流型可經由足以使導管1850a、1850b中之任一者或兩者相對於表面1822移動之資訊指示自由基1805之流動方向。導管1850a、1850b可藉由平移、旋轉而移動或在z方向上移動(圖18A及圖18B)。導管1850a及1850b可彼此獨立地移動。因此，第一流型可包括當應用於導管控制器240 (圖2)時引起導管1850a及/或導管1850b移動且自由基1805在不同方向上自導管1850a、1850b流動之資訊。除了自由基1805以外，亦可基於經存取第一流型將氣體1877及氣體1876導向朝向表面1822。可歸因於第一流型而在不同流動速率下導向自由基1804、氣體1877 (其流動通過孔隙1817)及氣體1876 (其圍繞周邊1827流動)。舉例而言，包括於第一流型中之資訊可足以使流動控制器241控制氣體供應件1812 (其可包括複數個相異氣體供應件)以設定或調整氣體1877及氣體1876之流動速率。氣體1877及氣體1876之流動速率可個別受控制，且亦可與自由基1805之流動速率分離地受控制。舉例而言，自由基1805之流動速率可為3 SLM至15 SLM，氣體1876之流動速率可為(例如)0 SML至90 SML，且氣體1877之流動速率可為(例如)0 SML至90 SML。因此，在上文所論述之實例中，自由基1805流動通過兩個不同導管：導管1850a及1850b。導管1850a及1850b各自將流體路徑提供至元件1820。氣體1876及氣體1877亦流動通過兩個不同路徑，其中氣體1876流動通過孔隙1817且氣體1876圍繞周邊1827流動。氣體1876及氣體1877流動通過之路徑與自由基1805流動通過之路徑空間上不重合。此外，第一流型亦可指示自由基1805、氣體1876及/或氣體1877經導向朝向元件1820之持續時間。舉例而言，第一流型可指示自由基1805、氣體1876及氣體1877在特定流動速率下且在特別方向上經導向朝向表面1822歷時30分鐘至2小時。自由基1805、氣體1876及氣體1877相對於表面1822流動且可移動處於表面上之碎屑。並未由自由基1805、氣體1876或氣體1877移除之一些碎屑經傳送至表面1822之其他部分。停滯區可形成於表面1822處。停滯區為表面1822處之流體並未流動通過之區。停滯區之部位係藉由自由基1805、氣體1876及/或氣體1877之流動特性(例如，流動速率、方向及流體類型)予以判定。在一特定時間，多於一個停滯區可存在於表面1822處。經傳送碎屑之相對大部分變得被截留於該停滯區中。將停滯區移動至表面1822上之另一部位可導致流體能夠流動通過供形成該原始停滯區之部位。以此方式，可自原始停滯區(且可能亦自表面1822完全)移除積累於原始停滯區處之碎屑。可藉由改變流型而移動停滯區。存取第二流型(1930)。第二流型為儲存於流型儲存器246中之另一流型。第二流型包括相似於包括於第一流型中的種類之資訊的資訊，惟該等資訊之至少一個態樣不同於第一流型中之資訊除外。舉例而言，包括於第二流型中之資訊可相同於包括於第一流型中之資訊，惟第二流型指示氣體1877之流動處於與在第一流型中之速率不同的速率下除外。基於經存取第二流型將自由基1805、氣體1876及氣體1877中之一或多者導向朝向表面1822 (1940)。當基於第二流型將自由基1805、氣體1876及/或氣體1877導向朝向元件1820時，第二停滯區形成於表面1822上之不同部位處。因為第二停滯區處於不同部位中，所以流體流動至表面1822處之形成第一停滯區之部位中且流動通過該部位。此情形允許自第一停滯區移除碎屑。可藉由與自由基1805反應或組合、藉由氣體1876及/或氣體1877之物理力或此等機制之組合而自第一停滯區移除碎屑。儘管圖19之實例論述自流型儲存器246存取兩個流型，但在一些實施中，清潔循環僅包括一個流型，該流型形成具最小嚴重性之停滯區使得可貫穿清潔循環使用該流型。其他實施處於以下申請專利範圍之範疇內。舉例而言，導管1850a、1850b (圖18A及圖18B)之彎曲部分1881a、1881b之曲率半徑可不同於元件1820之周邊1827之曲率半徑。由彎曲部分1881a、1881b形成之圓圈或部分圓圈之半徑可小於元件1820之半徑。在此等實施中，彎曲部分1881a、1881b可經定位於元件1820上方(在z方向上)但在周邊1827內部徑向地定位。元件清潔系統1801可包括具有為圓圈或圓圈之部分的單一彎曲部分之一個導管。元件清潔系統1801可包括多於兩個導管，該等導管在置放成彼此近接時具有與元件之周邊形狀相同之形狀。元件清潔系統1801之導管中之每一者可連接至一分離自由基源，或多於一個導管可連接至單一自由基源。上文所論述之自由基源(諸如源710、810、1510a、1510b、1610、1710、1810a及1810b)被展示為處於其各別真空容器外部。然而，在一些實施中，可將自由基源置放於真空容器內部。在一些實例中，源1810a、1810b可在大於約1毫巴(mBar)之氫壓力下操作，其中微波功率為5千瓦(kW)或更大且氫氣之質量流量速率大於20 SLM。在此等操作條件下，氫氣之相對大部分(例如，30%或更多)可解離成氫自由基，氫自由基可由導管1850a、850b傳送。結合導管1850a、1850b中之開口1854之配置及幾何形狀之此等操作條件可以(例如) 1公尺/秒(m/s)或更大之速度提供氫自由基。除了導管450a、450b、1850a及1850b以外，導管250 (圖2)可為導管750、850、1050、1150、1250、1350、1450、1050a、1050b、1150a、1150b、及1250中之任一者。

105:流體/流 120:光學元件 122:表面 124:碎屑 125:第一停滯區 126:第二停滯區 200:系統 201:清潔系統 202:流體傳送系統 203:光學系統 210:流體供應件 210a:流體供應件 210b:流體供應件 240:導管控制器 241:流動控制器 242:電子處理器 243:電子儲存裝置 244:輸入/輸出(I/O)介面 246:流型儲存器 250:導管 255:控制系統 300:程序 310:步驟 320:步驟 420:光學元件 422:表面 424:碎屑 425:部位 427:周邊 450:導管 450a:第一導管 450b:第二導管 454:孔隙 600:LPP極紫外線(EUV)光源 605:目標部位 607:內部 610:經放大光束 614:目標混合物 615:驅動雷射系統/光學源 620:光束傳送系統 622:聚焦總成 624:度量衡系統 625:目標材料遞送系統 626:目標材料遞送控制系統 627:目標材料供應裝置 630:真空腔室 635:收集器鏡面 640:孔隙 645:中間部位 650:開端式中空圓錐形護罩 655:主控控制器 656:小滴位置偵測回饋系統 657:雷射控制系統 658:光束控制系統 660:目標或小滴成像器 665:光源偵測器 670:光源偵測器 675:導引雷射 680:驅動雷射系統 681:功率放大器 682:功率放大器 683:功率放大器 684:光 685:輸出窗口 686:彎曲鏡面 687:空間濾光器 688:彎曲鏡面 689:輸入窗口 690:輸出窗口 691:光 692:摺疊鏡面 693:輸入窗口 694:輸出窗口 695:輸出光束 696:摺疊鏡面 697:孔隙 700:自由基傳送系統 705:自由基 707:方向 710:外部源 720:元件 722:表面 724:碎屑 726:距離 728:清潔區 730:容器 732:內部 734:密封開口或通口 736:壁 750:導管 752:開口 754:開口 756:側壁 758:內部 800:自由基傳送系統 805:自由基 807:方向 808:方向 809:方向 810:源 820:元件 821a:區 821b:區 822:表面 824:碎屑 826:距離 827:周邊或邊緣 828:條帶 829a:突出物 829b:突出物 829c:突出物 829d:突出物 829e:突出物 829f:突出物 829g:突出物 829h:突出物 829i:突出物 829j:突出物 829k:突出物 829l:突出物 830:容器 832:內部 834:密封通口 836:側壁 840:定位機構 850:導管 852:第一開口 854a:開口 854b:開口 854c:開口 854d:開口 854e:開口 854f:開口 854g:開口 854h:開口 854i:開口 854j:開口 854k:開口 854l:開口 856:壁 859:縱向軸線 900:程序 910:步驟 920:步驟 930:步驟 1007:方向 1050:導管 1052:開口 1054a:開口/孔 1054b:開口/孔 1054c:開口/孔 1054d:開口/孔 1054e:開口/孔 1054f:開口/孔 1054g:開口/孔 1054h:開口/孔 1054i:開口/孔 1054j:開口/孔 1054k:開口/孔 1054l:開口/孔 1054m:開口/孔 1054n:開口/孔 1054o:開口/孔 1054p:開口/孔 1059:縱向軸線 1060:源末端 1061:容器末端 1063:縱向範圍 1064:直徑 1065:內表面 1066:輪緣 1067:壁 1150:導管 1152:開口 1154a:開口 1154s:開口 1156:外表面 1159:縱向軸線 1160:源末端 1161:容器末端 1163:範圍 1164:直徑 1165:內表面 1166:輪緣 1167:側壁 1207:方向 1250:導管 1252:開口 1254:開口 1256:外表面 1259:縱向軸線 1261:容器末端 1263:範圍 1264:直徑 1265:內表面 1266:輪緣 1267:側壁 1307:方向 1350:導管 1352:開口 1354qa:開口 1354b:開口 1354c:開口 1354d:開口 1354e:開口 1354f:開口 1354g:開口 1354h:開口 1359:縱向軸線 1360:源末端 1361:容器末端 1364:直徑 1366:輪緣 1367:壁 1370:曲率半徑 1371:線性部分 1372:彎曲部分 1373:軸線 1374:範圍 1400:自由基傳送系統 1450:歧管 1452a:開口 1452b:開口 1452c:開口 1452d:開口 1452e:開口 1452f:開口 1452g:開口 1454a:開口 1454b:開口 1454c:開口 1454d:開口 1454e:開口 1454f:開口 1454g:開口 1454h:開口 1454i:開口 1454j:開口 1454k:開口 1454l:開口 1500:自由基傳送系統 1508:方向 1510a:自由基之源 1510b:自由基之源 1519:孔隙 1520:元件 1522:表面 1524:碎屑 1527:邊緣 1530:容器 1532:內部 1550a:導管 1550b:導管 1554a:開口 1554b:開口 1554c:開口 1554d:開口 1554e:開口 1554f:開口 1554g:開口 1554h:開口 1554i:開口 1554j:開口 1554k:開口 1580a:線性部分 1580b:線性部分 1581a:彎曲部分 1581b:彎曲部分 1600:自由基傳送系統 1610:自由基之源 1620:元件 1627:邊緣 1630:容器 1632:內部 1650:導管 1700:極紫外線(EUV)光源 1701:元件清潔系統 1702:自由基傳送系統 1703:空間 1704:目標部位 1705:自由基 1710:源 1712:氣體源 1713:氣體 1715:經反射極紫外線(EUV)光 1716:極紫外線(EUV)光 1717:孔隙/電漿 1718:安裝台 1719a:側壁 1719b:唇緣 1720:元件 1722:表面/收集器鏡面 1724:碎屑 1727:目標材料供應裝置/周邊 1730:真空容器 1732:內部 1736:側壁 1740:導管控制器 1741:流動控制器 1742:電子處理器 1743:電子儲存裝置 1744:輸入/輸出(I/O)介面 1746:流型儲存器 1750:導管 1752:開口 1754:開口 1755:控制系統 1756:側壁 1776:氣體 1777:氣體 1778:目標材料 1797:間隙 1799:微影系統 1801:流體傳送系統/元件清潔系統 1803:空間 1803a:區 1803b:區/空間 1805:自由基 1810a:自由基之源 1810b:自由基之源 1812:氣體源 1817:孔隙 1818:安裝台 1819a:側壁 1819b:唇緣 1820:光學元件 1822:表面 1823:側 1827:周邊 1850a:導管 1850b:導管 1852a:開口 1852b:開口 1854:開口 1856a:側壁 1856b:側壁 1876:氣體 1877:氣體 1880a:線性部分 1880b:線性部分 1881a:彎曲部分 1881b:彎曲部分 1897:間隙 1900:程序 1910:步驟 1920:步驟 1930:步驟 1940:步驟

圖1A及圖1B為在兩個不同時間之光學元件之實例的側視圖。圖1C及圖1D分別為圖1A及圖1B之光學元件的俯視圖。圖1E及圖1F分別為圖1A及圖1B之光學元件的透視圖。圖2為包括光學系統之系統之實例的方塊圖，該光學系統使用光學元件，諸如圖1A至圖1F之光學元件。圖3為用於清潔光學元件之程序之實例的流程圖。圖4A為光學元件及導管之實例的俯視圖。圖4B為圖4A之導管中之一者的部分透視圖。圖4C為圖4A之光學元件及導管的側面橫截面圖。圖5A及圖5B為在清潔循環期間之圖4A之光學元件及導管的透視圖。圖6A為雷射產生電漿極紫外線(EUV)光源之實例的方塊圖。圖6B為可用於圖6A之光源中之驅動雷射系統之實例的方塊圖。圖7A至圖7C展示在三個不同時間之自由基傳送系統之實例的側視圖。圖8A為自由基傳送系統之實例之方塊圖的側視圖。圖8B為沿著線8B-8B所截取之圖8A之系統的視圖。圖8C為沿著線8C-8C所截取之圖8A之系統的視圖。圖9為用於清潔元件之實例程序的流程圖。圖10至圖12及圖13A為用於傳送自由基之實例導管的透視圖。圖13B為自由基傳送系統之實例的側視圖。圖14A為自由基傳送系統之實例的側視圖。圖14B為沿著線14B-14B所截取之圖14A之系統的視圖。圖15A為自由基傳送系統之實例的視圖。圖15B為可用於圖15A之系統中之導管的透視圖。圖16為自由基傳送系統之實例的視圖。圖17為EUV光源之實例的方塊圖。圖18A為流體傳送系統之實例的正視圖。圖18B為圖18A之系統的側視圖。圖19為用於清潔光學元件之程序之實例的流程圖。

800:自由基傳送系統

805:自由基

807:方向

808:方向

809:方向

810:源

820:元件

822:表面

824:碎屑

826:距離

827:周邊或邊緣

830:容器

832:內部

834:密封通口

836:側壁

850:導管

852:第一開口

854a:開口

854b:開口

854c:開口

854d:開口

854e:開口

854f:開口

854g:開口

854h:開口

854i:開口

854j:開口

854k:開口

854l:開口

856:壁

Claims

一種方法，其包含：基於一第一流型將一流體導向朝向一光學元件之一表面，該表面包含碎屑且基於該第一流型而導向之該流體將該等碎屑中之至少一些移動至該光學元件之一表面上之一第一停滯區；及基於一第二流型將該流體導向朝向該光學元件之該表面，基於該第二流型而導向之該流體將該等碎屑中之至少一些移動至該光學元件之該表面上之一第二停滯區，該第二停滯區及該第一停滯區包含該光學元件之該表面處之不同部位，且其中基於該第二流型將該流體導向朝向該光學元件而自該第一停滯區移除該等碎屑中之至少一些。
如請求項1之方法，其中該第一流型及該第二流型包含足以指示該流體朝向該光學元件之該表面之一流動的資訊，該資訊包含一流動速率、該流體相對於該光學元件之該表面之一空間分佈及該流體經導向朝向該光學元件之該表面之一時間段中的一或多者。
如請求項1之方法，其中該流體包含一氣體。
如請求項3之方法，其中該流體包含一自由基。
如請求項4之方法，其中該碎屑包含一材料，且該自由基與該材料組合或反應。
如請求項5之方法，其中該自由基與該材料組合或反應以藉此經由該材料之燃燒、該材料之蝕刻或與該材料反應中之一者而自該表面移除該材料。
如請求項1之方法，其中基於該第一流型導向該流體包含在一第一流動速率下將該流體導向朝向該光學元件之該表面，且基於該第二流型導向該流體包含在一第二流動速率下將該流體導向朝向該光學元件之該表面。
如請求項1之方法，其中基於該第一流型導向該流體包含在一第一流動速率及一第一方向中之一或多者下將該流體導向朝向該光學元件之該表面，且基於該第二流型導向該流體包含在一第二流動速率及一第二方向中之一或多者下將該流體導向朝向該光學元件之該表面。
如請求項1之方法，其中基於該第一流型將該流體導向朝向該表面包含在一第一流動速率下經由相對於該光學元件之一第一側而定位的一第一導管將該流體導向朝向該光學元件之該表面，及在一第二流動速率下經由相對於該光學元件之一第二側而定位的一第二導管將該流體導向朝向該光學元件之該表面；且基於該第二流型將該流體導向朝向該表面包含在一第三流動速率下經由該第一導管將該流體導向朝向該光學元件之該表面，及在一第四流動速率下經由該第二導管將該流體導向朝向該光學元件之該表面。
如請求項9之方法，其中在一第一時間段期間基於該第一流動速率將該流體導向通過該第一導管及該第二導管，且在一第二時間段期間基於該第二流動速率將該流體導向通過該第一導管及該第二導管。
如請求項10之方法，其中在該第一時間段及該第二時間段中之一或多者之至少部分期間將該流體同時地導向通過該第一導管及該第二導管。
如請求項9之方法，其中該第一流動速率與該第二流動速率彼此不同。
如請求項12之方法，其中該第三流動速率與該第四流動速率彼此不同，且該第三流動速率及該第四流動速率中之至少一者不同於該第一流動速率或該第二流動速率。
如請求項1之方法，其進一步包含：自複數個流型當中選擇該第一流型及該第二流型。
如請求項1之方法，其中在一第一時間段期間基於該第一流型將該流體導向朝向該表面，且該等碎屑中之至少一些在該等第一時間段期間積累且保持於該第一停滯區中。
如請求項15之方法，其中基於該第二流型將該流體導向朝向該表面而將該等碎屑中之至少一些自該第一停滯區移動至該第二停滯區。
如請求項1之方法，其中該碎屑包含錫。
如請求項1之方法，其中該第一停滯區及該第二停滯區為該元件之該表面處之非重疊區。
如請求項1之方法，其中該第一停滯區及該第二停滯區為該元件之該表面處之部分重疊區。
一種系統，其包含：包含一側壁之一導管，該側壁包含自該導管之一內部通向該導管之一外部之至少一個開口，該導管經組態以在該導管之該內部中傳送自由基且將該等自由基傳遞通過穿過該側壁的該至少一個開口；及一控制系統，其包含耦接至一或多個電子處理器之一電子儲存裝置，該電子儲存裝置包含在經執行時使該一或多個電子處理器進行如下操作之指令：自儲存於該電子儲存裝置上之複數個流型選擇一流型，該等流型中之每一者包含足以描述該等自由基通過該至少一個開口之一流動之資訊，足以描述該等自由基通過該至少一個開口之該流動的該資訊至少包含該等自由基在一時間段中之一流動速率；及將該選定流型應用於該系統之一流動控制器，以使該等自由基以由該選定流型針對該時間段所指示之一流動速率傳遞通過該至少一個開口。
如請求項20之系統，其中該等流型進一步包含氣體流型，該等氣體流型包括足以描述氣體之一流動之資訊，該氣體在該系統中與該導管分離地流動，且足以描述該氣體之該流動之該資訊包含該氣體在一氣體時間段中之一流動速率，且該等指令進一步包含在經執行時使該一或多個處理器將該選定氣體流型應用於該系統之該流動控制器、以使該氣體以由該選定氣體流型針對一氣體時間段所指示之一氣體流動速率在該系統中流動之指令。
如請求項21之系統，其中該導管經組態以相對於一極紫外線(EUV)光源之一真空腔室中的一光學元件進行置放。
如請求項22之系統，其中該光學元件包含一收集器鏡面，該收集器鏡面包含一孔隙，該選定流型包含一選定氣體流型，且將該選定氣體流型應用於該系統之該流動控制器而使該氣體在由該選定氣體流型所指示之該氣體流動速率下及該氣體時間段期間流動通過該收集器鏡面之該孔隙。
如請求項23之系統，其中：該導管包含至少兩個彎曲部分，該等彎曲部分具有遵循該收集器鏡面之一周邊之一曲率，該選定流型描述自由基通過該至少兩個彎曲部分中之每一者之流動，應用該選定氣體流型而使該氣體流動通過該鏡面之該孔隙且圍繞該鏡面之一周邊流動，且應用該選定流型而使該等自由基自該至少兩個彎曲部分中之至少一者流動。
一種方法，其包含：存取一第一流型，該第一流型包含足以描述自由基與一氣體相對於一光學元件之一流動之資訊；基於該第一流型將該等自由基導向朝向該光學元件，該等自由基經導向通過複數個路徑且在該等路徑中之至少兩者中以不同流動速率經導向；及基於該第一流型將該氣體導向朝向該光學元件，該氣體係沿著不同於該等自由基經導向所沿著的該等路徑中之任一者之一路徑而導向。
如請求項25之方法，其進一步包含：存取一第二流型，該第二流型包含足以描述自由基與一氣體相對於一光學元件之一流動之資訊，且該第二流型具有不同於該第一流型之至少一個態樣；基於該第二流型將該等自由基導向朝向該光學元件；及基於該第二流型將該氣體導向朝向該光學元件。