JP6786588B2 - 光学要素を洗浄するための制御された流体流 - Google Patents

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（関連出願の相互参照）
本出願は、２０１５年８月６日に出願された「ＣＯＮＴＲＯＬＬＥＤ ＦＬＵＩＤ ＦＬＯＷ ＦＯＲ ＣＬＥＡＮＩＮＧ ＡＮ ＯＰＴＩＣＡＬ ＥＬＥＭＥＮＴ」と題する米国仮出願第６２／２０１，９５５号、及び、２０１５年１１月１１日に出願された「ＣＯＮＴＲＯＬＬＥＤ ＦＬＵＩＤ ＦＬＯＷ ＦＯＲ ＣＬＥＡＮＩＮＧ ＡＮ ＯＰＴＩＣＡＬ ＥＬＥＭＥＮＴ」と題する米国実用新案出願（Ｕ．Ｓ． Ｕｔｉｌｉｔｙ Ａｐｐｌｉｃａｔｉｏｎ）第１４／９３７，９７３号の優先権を主張する。これらは双方とも参照により全体が本願にも含まれる。

開示される主題は、光学要素を洗浄するために流体流を制御するための技法に関する。

光学要素は、屈折及び／又は反射によって光ビームと相互作用する表面を含む。表面には、光学要素の性能を低下させるようなデブリが蓄積する可能性がある。

１つの一般的な態様において、流体は第１の流れパターンに基づいて光学要素の表面の方へ誘導され、光学要素の表面はデブリを含み、第１の流れパターンに基づいて誘導される流体は、デブリの少なくとも一部を光学要素の表面上の第１の停滞領域へ移動させる。また、流体は、第２の流れパターンに基づいて光学要素の方へ誘導され、第２の流れパターンに基づいて誘導される流体は、デブリの少なくとも一部を光学要素の表面上の第２の停滞領域へ移動させる。第２の停滞領域と第１の停滞領域は、光学要素の表面における異なる位置にある。第２の流れパターンに基づいて光学要素の表面の方へ流体を誘導することは、デブリの少なくとも一部を第１の停滞領域から除去する。

実施は以下の特徴の１つ以上を含むことができる。第１及び第２の流れパターンは、光学要素の表面に向かう流体の流れを示すのに充分な情報を含み、この情報は、光学要素の表面に対する流体の流量、空間分布、及び流体が光学要素の表面の方へ誘導される時間期間のうち１つ以上を含み得る。流体はガスを含み得る。流体はフリーラジカルを含み得る。デブリは材料を含むことができ、この材料と結合又は反応する。フリーラジカルは、材料の燃焼、材料のエッチング、又は材料との反応のうち１つを介して、材料と結合又は反応し、これによって材料を表面から除去し得る。

いくつかの実施において、第１の流れパターンに基づいて流体を誘導することは、流体を第１の流量で光学要素の表面の方へ誘導することを含み、第２の流れパターンに基づいて流体を誘導することは、流体を第２の流量で光学要素の表面の方へ誘導することを含む。第１の流れパターンに基づいて流体を誘導することは、流体を第１の方向で光学要素の表面の方へ誘導することを含み、第２の流れパターンに基づいて流体を誘導することは、流体を第２の方向で光学要素の表面の方へ誘導することを含み得る。第１の流れパターンに基づいて流体を誘導することは、流体を第１の流量及び第１の方向のうち１つ以上で光学要素の表面の方へ誘導することを含み、第２の流れパターンに基づいて流体を誘導することは、流体を第２の流量及び第２の方向のうち１つ以上で光学要素の表面の方へ誘導することを含み得る。

第１の流れパターンに基づいて流体を表面の方へ誘導することは、光学要素の第１の側に対して位置決めされた第１の導管を通して第１の流量で、及び、光学要素の第２の側に対して位置決めされた第２の導管を通して第２の流量で、流体を光学要素の表面の方へ誘導することを含み得る。第２の流れパターンに基づいて流体を表面の方へ誘導することは、第１の導管を通して第３の流量で、及び、第２の導管を通して第４の流量で、流体を光学要素の表面の方へ誘導することを含み得る。

流体は、第１の時間期間中に第１の流量に基づいて第１の導管及び第２の導管を通して誘導され、流体は、第２の時間期間中に第２の流量に基づいて第１の導管及び第２の導管を通して誘導され得る。流体は、第１の時間期間及び第２の時間期間のうち１つ以上の少なくとも一部の間、同時に第１の導管及び第２の導管を通して誘導され得る。第１の流量及び第２の流量は相互に異なる可能性がある。第３の流量及び第４の流量は相互に異なり、第３の流量及び第４の流量のうち少なくとも１つは第１の流量又は第２の流量とは異なる可能性がある。第１の流量及び第２の流量は相互に同一である可能性がある。第３の流量及び第４の流量は相互に同一であると共に、第１の流量及び第２の流量とは異なる可能性がある。

いくつかの実施において、第１の流れパターン及び第２の流れパターンは複数の流れパターンから選択される。流体は、第１の時間期間中に第１の流れパターンに基づいて表面の方へ誘導され、デブリの少なくとも一部は、第１の時間期間中に第１の停滞領域に蓄積して留まる可能性がある。第２の流れパターンに基づいて流体を表面の方へ誘導することは、デブリの少なくとも一部を第１の停滞領域から第２の停滞領域へ移動させ得る。

いくつかの実施において、初期デブリ量は、第１の流れパターンに基づいて流体を光学要素面の方へ誘導する前に表面上にあり、第１の流れパターンに基づいて流体を光学要素の表面の方へ誘導した後の表面上のデブリ量は、初期デブリ量よりも小さい。

デブリは金属を含み得る。デブリはスズを含み得る。

第１の停滞領域及び第２の停滞領域は、要素の表面における重複していない領域であり得る。第１の停滞領域及び第２の停滞領域は、要素の表面における部分的に重複した領域であり得る。

光学要素を通るように第２の流体を誘導することができる。

別の一般的な態様において、システムは、側壁を含む導管であって、側壁は導管の内部から導管の外部へ貫通する少なくとも１つの開口を含み、導管の内部でフリーラジカルを輸送するように、かつ、側壁を貫通する少なくとも１つの開口にフリーラジカルを通すように構成された導管と、１つ以上の電子プロセッサに結合された電子ストレージを含む制御システムであって、電子ストレージは命令を含み、命令は、実行された場合、電子ストレージに記憶された複数の流れパターンから流れパターンを選択することであって、流れパターンの各々は少なくとも１つの開口を通るフリーラジカルの流れを記述するのに充分な情報を含み、少なくとも１つの開口を通るフリーラジカルの流れを記述するのに充分な情報は、少なくとも、ある時間期間にわたるフリーラジカルの流量を含む、ことと、選択した流れパターンをシステムの流れコントローラに適用して、選択した流れパターンにより指示される時間期間にわたってフリーラジカルをある流量で少なくとも１つの開口を通して流す、ことと、を１つ以上の電子プロセッサに実行させる、制御システムと、を含む。

実施は以下の特徴のうち１つ以上を含むことができる。流れパターンは更にガス流れパターンを含み、ガス流れパターンは、導管とは別個にシステム内を流れるガスの流れを記述するのに充分な情報を含み、ガスの流れを記述するのに充分な情報は、ガス時間期間にわたるガスの流量を含む。命令は、実行された場合、選択したガス流れパターンをシステムの流れコントローラに適用して、選択したガスパターンにより指示されるガス時間期間にわたってガスをあるガス流量でシステム内に流すことを１つ以上のプロセッサに実行させる命令を更に含み得る。

導管は、極端紫外（ＥＵＶ）光源の真空チャンバ内の光学要素に対して配置するため構成され得る。光学要素はコレクタミラーを含み、コレクタミラーはアパーチャを含み、選択した流れパターンは選択したガス流れパターンを含み、選択したガス流れパターンをシステムの流れコントローラに適用することによって、選択したガス流れパターンにより指示されるガス流量でガス時間期間にわたってガスをコレクタミラーのアパーチャを通して流すことができる。いくつかの実施において、導管は少なくとも２つの湾曲部分を含み、湾曲部分はコレクタミラーの外周に沿った湾曲を有し、選択した流れパターンは、少なくとも２つの湾曲部分の各々を通るフリーラジカルの流れを記述し、選択した流れパターンを適用することによって、ミラーのアパーチャを通るように及びミラーの外周の周りにガスを流し、選択した流れパターンを適用することによって、少なくとも２つの湾曲部分のうち少なくとも１つからフリーラジカルを流すことができる。

別の一般的な態様においては、光学要素に対するフリーラジカル及びガスの流れを記述するのに充分な情報に充分な情報を含む第１の流れパターンがアクセスされる。フリーラジカルは、第１の流れパターンに基づいて光学要素の方へ誘導される。フリーラジカルは、複数の経路を通して、これらの経路のうち少なくとも２つにおいて異なる流量で誘導される。ガスは、第１の流れパターンに基づいて光学要素の方へ誘導される。ガスは、フリーラジカルが誘導される経路のうちいずれとも異なる経路に沿って誘導される。

上述した技法のうち任意のものの実施は、レーザ生成プラズマＥＵＶ光源のための輸送システム、ＥＵＶ光源、ＥＵＶ光源を改造する（ｒｅｔｒｏｆｉｔ）ためのシステム、方法、プロセス、デバイス、コンピュータ読み取り可能媒体上に記憶された実行可能命令、又は装置を含み得る。添付図面及び以下の記載に、１つ以上の実施の詳細事項が述べられている。他の特徴は、記載及び図面から、並びに特許請求の範囲から明らかになるであろう。

２つの異なる時点のうち１つにおける光学要素の例の側面図である。 ２つの異なる時点のうち１つにおける光学要素の例の側面図である。 図１Ａの光学要素の上面図である。 図１Ｂの光学要素の上面図である。 図１Ａの光学要素の斜視図である。 図１Ｂの光学要素の斜視図である。 図１Ａ〜図１Ｆの光学要素のような光学要素を使用する光学システムを含むシステムの一例のブロック図である。 光学要素を洗浄するためのプロセスの一例のフローチャートである。 光学要素及び導管の一例の上面図である。 図４Ａの導管のうち１つの部分斜視図である。 図４Ａの光学要素及び導管の側断面図である。 洗浄サイクル中の図４Ａの光学要素及び導管の斜視図である。 洗浄サイクル中の図４Ａの光学要素及び導管の斜視図である。 レーザ生成プラズマ極端紫外（ＥＵＶ）光源の一例のブロック図である。 図６Ａの光源において使用され得る駆動レーザシステムの一例のブロック図である。 ３つの異なる時点のうち１つにおけるフリーラジカル輸送システムの一例の側面図を示す。 ３つの異なる時点のうち１つにおけるフリーラジカル輸送システムの一例の側面図を示す。 ３つの異なる時点のうち１つにおけるフリーラジカル輸送システムの一例の側面図を示す。 フリーラジカル輸送システムの一例のブロック図の側面図である。 ライン８Ｂ−８Ｂに沿って切り取った図８Ａのシステムの図である。 ライン８Ｃ−８Ｃに沿って切り取った図８Ａのシステムの図である。 要素を洗浄するための例示的なプロセスのフローチャートである。 フリーラジカルを輸送するための導管の例の斜視図である。 フリーラジカルを輸送するための導管の例の斜視図である。 フリーラジカルを輸送するための導管の例の斜視図である。 フリーラジカルを輸送するための導管の例の斜視図である。 フリーラジカル輸送システムの一例の側面図である。 フリーラジカル輸送システムの一例の側面図である。 ライン１４Ｂ−１４Ｂに沿って切り取った図１４Ａのシステムの図である。 フリーラジカル輸送システムの一例の図である。 図１５Ａのシステムにおいて使用され得る導管の斜視図である。 フリーラジカル輸送システムの一例の図である。 ＥＵＶ光源の一例のブロック図である。 流体輸送システムの一例の正面図である。 図１８Ａのシステムの側面図である。 光学要素を洗浄するためのプロセスの一例のフローチャートである。

光学システムの一部であると共に光学システム内で動作する光学要素を洗浄するために流体の流れを制御するための技法が開示される。これらの技法によって、光学要素をその動作環境から取り出すことなく光学システム内で洗浄することが可能となる。いくつかの実施において、光学要素は、光学システムが動作している間に洗浄することができる。このため、本明細書に開示される技法は、光学システムの性能と効率の向上を達成することができる。

図１Ａ〜図１Ｆを参照すると、光学要素１２０が図示されている。図１Ａ及び図１Ｂは、それぞれ２つの異なる時点ｔ１及びｔ２における光学要素１２０を側面から示している。図１Ｃ及び図１Ｄは、それぞれ時点ｔ１及びｔ２における光学要素１２０の上面図である。図１Ｅ及び図１Ｆは、それぞれ時点ｔ１及びｔ２における光学要素の斜視図を示す。

光学要素１２０は、光学システムの光学（又は光）ビームと相互作用できる任意のタイプの要素又は装置とすることができる。例えば光学要素１２０は、ミラー、レンズ、プリズム、又はそのようなコンポーネントの組み合わせであり得る。光学要素１２０は、反射及び／又は屈折によって光学ビームと相互作用する表面１２２を含む。

表面１２２には、光学要素１２０の性能を阻害し得るデブリ１２４が蓄積する可能性がある。デブリ１２４は、例えば、ちり（ｄｕｓｔ）及び／又は金属粒子であり得る。光学要素１２０は、金属ターゲットをプラズマに変換することによって極端紫外（ＥＵＶ）光を生成するＥＵＶ光源のような光学システムの一部であり得る。プラズマ生成プロセスは、ＥＵＶ光を生成することに加えて、ターゲット内に存在する物質（例えば金属）の粒子、蒸気残留物、又は断片の形態のデブリを生成する可能性がある。このデブリは、プラズマの経路内の物体の表面上に蓄積し得る。要素１２０がＥＵＶ光源で用いられている場合、デブリ１２４にはこれらのプラズマ関連生成物が含まれ得る。

洗浄サイクル中に、流体１０５が表面１２２へ向けて誘導され、表面１２２からデブリ１２４を除去することによって光学要素１２０を洗浄する。例えば、流体１０５、又は流体１２０によって運ばれる物質は、デブリ１２４と反応するか又は相互作用して、デブリ１２４を表面１２２から除去することができる。また、流体１０５は、物理的な力によってもデブリを表面１２２から除去できる。

流体１０５は、表面１２２に対して流れるか又は移動する。このため、表面１２２からデブリを除去することに加えて、流体１０５は、デブリ１２４の全てが除去されない場合に残りのデブリ１２４を表面１２２の別の部分へ輸送し得る。輸送されたデブリは、表面１２２上の特定の位置にトラップされるか又は蓄積する可能性がある。この位置は「停滞領域（ｓｔａｇｎａｔｉｏｎ ｒｅｇｉｏｎ）」と呼ばれる。１つ又は複数の停滞領域の位置は、流体１０５の流れの特徴（例えば流量及び／又は方向）、並びに表面１２２の特徴（例えば表面１２２の形状及び表面１２２の材料）に依存する。流体１０５の流れの特徴は、流れパターンによって記述される。流れパターンは、例えば流量、流れの方向、及び／又は流体１０５が表面１２２において特定の流量で特定の方向に誘導される時間等の情報を含み得る。

１つ又は複数の停滞領域の位置は流体１０５の流れの特徴に依存するので、洗浄サイクル中に流体１０５の流れパターンが変化すると、１つ又は複数の停滞領域は表面１２２上の異なる位置へ移動し得る。停滞領域を移動させることにより、ある流れパターンによって形成された停滞領域にトラップされたデブリは自由になり、別の流れパターンに基づいて流れる流体１０５によって除去され得る。このようにして、表面１２２の洗浄はいっそう効果的になると共に高速化される。

図１Ａ、図１Ｃ、及び図１Ｅに示されている例において、流体１０５は、第１の流れパターンに基づいて表面１２２の方へ誘導されている。換言すると、流体１０５は、第１の流れパターンを規定する情報によって決定又は指示されるような表面１２２に対する流量及び／又は方向で、表面１２２の方へ誘導されている。流体１０５とデブリ１２４との相互作用はデブリ１２４の一部を表面１２２から除去することができ、また、流体１０５はデブリ１２４の一部を表面１２２の他の部分へ輸送する。表面１２２から除去されないデブリ１２４のうち比較的大量の輸送されたデブリが、第１の停滞領域１２５に蓄積する。

図１Ｂ、図１Ｄ、及び図１Ｆを参照すると、時点ｔ２において流体１０５は、第１の流れパターンとは異なる流れパターンである第２の流れパターンに基づいて表面１２２の方へ誘導されている。図１Ｂ及び図１Ｄの例において、第２の流れパターンは、第１の流れパターンとは異なる方向で流体１０５を表面１２２の方へ誘導する。第２の流れパターンに基づいて流体１０５を表面１２２の方へ誘導することで、デブリ１２４の一部を表面１２２から除去する。更に、流体１０５は、時点ｔ１とは異なる方向で表面１２２に対して流れるので、流体１０５は、第１の停滞領域１２５に蓄積されたデブリと相互作用する。この相互作用によって、流体１０５は第１の停滞領域１２５からデブリを除去する。

更に、流体１０５は、表面１２２上のデブリの一部（第１の停滞領域１２５のデブリを含む）を、表面１２２上の別の位置へ輸送し得る。輸送されたデブリの一部は第２の停滞領域１２６に蓄積する可能性がある。第２の停滞領域１２６は、少なくともその一部が第１の停滞領域１２５に含まれない表面１２２の一部を含むという点で、第１の停滞領域１２５とは異なる表面１２２上の位置にある。従って、第１及び第２の停滞領域１２５、１２６は、一部が空間的に重複する領域であるか、又は表面１２２上で共通の空間的ポイントを全く共有しない領域である可能性がある。

光学要素１２０を使用する光学システム２０３を含むシステム２００の一例のブロック図である図２を参照する。システム２００は、流体１０５を光学要素１２０の方へ誘導して光学要素１２０の表面１２２を洗浄する洗浄システム２０１を含む。光学要素１２０は、光学エネルギ又は光学（光）ビームと相互作用できる任意のコンポーネントとすることができ、光学システム２０３の一部である。光学システム２０３は、光学要素１２０を用いて光学エネルギの操作、生成、及び／又は光学エネルギとの相互作用を行う任意のタイプのシステムであり得る。例えば光学システム２０３は、レーザ、光増幅器、又は結像システムであり得る。光学システム２０３は、極端紫外（ＥＵＶ）光を生成するために使用される光源であり得る。光学システム２０３がＥＵＶ光源である実施の一例については、図１７を参照して検討する。

洗浄システム２０１は、流体輸送システム２０２を制御する制御システム２５５を含む。流体輸送システム２０２は、流体１０５を提供する流体供給部２１０を含む。いくつかの実施において、流体輸送システム２０２は、流体供給部２１０に結合されて流体供給部２１０から流体１０５を受容する導管２５０も含む。導管２５０は、流体１０５の一部又は全てを光学システム２０３へ輸送することができる。

流体１０５はフリーラジカルを含む場合があり、こういった実施では、流体供給部２１０はフリーラジカルのソースを含む。流体２０５がフリーラジカルを含む実施では、流体供給部２１０はマイクロ波プラズマ発生器であり得る。そのようなソースによってフリーラジカルを生成するため、流体供給部２１０には、フリーラジカルが形成されるガスが提供される。例えば、水素ラジカルを生成するため水素ガス（Ｈ_２）が提供される。流体供給部２１０にガスを提供する前に、このガスに追加ガスが提供され得る。例えば、水素ガスに、アルゴンと酸素の混合物（Ａｒ／Ｏ_２）が追加され得る。

この代わりに又はこれに加えて、流体供給部２１０は、フリーラジカルを含まないガスのソースも含み得る。例えば流体供給部２１０は、二原子分子水素（Ｈ_２）ガス、ヘリウムガス（Ｈｅ）、及び／又はアルゴンガス（Ａｒ）を提供することができる。流体供給部２１０は、２つ以上のガスソースを含み得る。例えば、流体供給部２１０は２つの別個のガスソースを含むことができる。

洗浄システム２０１は制御システム２５５も含む。制御システム２５５は流体１０５の流れを制御する。例えば制御システム２５５は、どのように流体１０５が光学システム２０３へ送出されるかを示す特定の流れパターン又は流れパターンのシーケンスを適用することができる。

図２に示されている例示的な制御システム２５５は、導管コントローラ２４０、流れコントローラ２４１、電子プロセッサ２４２、電子ストレージ２４３、及び入出力（Ｉ／Ｏ）インタフェース２４４を含む。導管２５０を含む実施において、導管コントローラ２４０は、光学要素１２０に対する導管２５０の位置を制御する。導管コントローラ２４０は、導管２５０と光学要素１２０との間の距離を変化させる又は設定すること、及び／又は導管２５０を光学要素１２０に対して回転させることができる。導管２５０が最初にシステム２００に設置される際、導管２５０がシステム２００に設置された後、及び／又はシステム２００の使用中に、導管コントローラ２４０を用いて導管２５０を光学要素１２０に対して位置決めすることができる。

導管コントローラ２４０は、電子的に制御されるコンポーネントを含み得る。例えば、ユーザ又は自動化電子プロセスによって活性化された場合に導管２５０を移動させるステッパモータ又は他のデバイスに、導管２５０を結合することができる。導管コントローラ２４０は、例えば、システム２００の外部からアクセス可能でありシステム２００のオペレータによる導管２５０の移動を可能とするレバー、ホイール（ｗｈｅｅｌ）、又は他の機械的デバイスによる手動動作のために構成されたコンポーネントを含み得る。

いくつかの実施において、制御システム２５５は導管コントローラ２４０を含まない。例えば、導管２５０を含むいくつかの実施において、導管２５０は光学要素１２０に対して永続的に位置決めされ、設置後又は使用中に動かされない。これらの実施では、制御システム２５５に導管コントローラ２４０が存在しないか、又は導管コントローラ２４０が無効にされている（ｄｉｓａｂｌｅ）可能性がある。

流れコントローラ２４１は、流体１０５の流れを制御するために用いられる。流れコントローラ２４１は、流体１０５の流れを測定及び／又は制御する質量流量コントローラ、及び、流体供給部２１０と光学システム２０３との相対圧力を制御する圧力コントローラを含み得る。

電子プロセッサ２４２は、汎用又は特殊用途マイクロプロセッサのようなコンピュータプログラムの実行に適した１つ以上のプロセッサ、及び任意の種類のデジタルコンピュータの任意の１つ以上のプロセッサである。一般に、プロセッサは、読み取り専用メモリもしくはランダムアクセスメモリ又はこれら双方から命令及びデータを受信する。電子プロセッサ２４２は、任意のタイプの電子プロセッサとすればよい。

電子ストレージ２４３は、ＲＡＭ等の揮発性メモリ又は不揮発性メモリであり得る。いくつかの実施において、電子ストレージ２４３は、不揮発性及び揮発性の双方の部分又はコンポーネントを含み得る。電子ストレージ２４３は、命令をコンピュータプログラムとして記憶している可能性があり、これらの命令は実行された場合プロセッサ２４２に制御システム２５５内の他のコンポーネントとの通信を行わせる。

電子ストレージ２４３は、流れパターン記憶部２４６も含む。流れパターン記憶部２４６には、複数の流れパターンを規定するのに充分な情報が記憶されている。流れパターン記憶部２４６内の各流れパターンの情報が制御システム２５５によって流体輸送システム２０２に適用された場合、流体２０５は、流れパターンによって指定されるように光学要素１２０へ送出される。制御システム２５５は、入出力インタフェース２４４において、人のオペレータ又は自動化電子プロセスから、特定の流れパターン又は「レシピ（ｒｅｃｉｐｅ）」を形成する流れパターンのシーケンスを流体輸送システム２０２に適用することを要求する入力を受信できる。制御システム２５５は、例えば、流れコントローラ２４１にコマンドを伝達して、質量流量コントローラに流体２０５の現在の流量を測定又は決定させ、この流量を流れパターンによって指定された流量に合致するよう調整することで、様々な流れパターンを実施できる。

流れパターン記憶部２４６に記憶されている流れパターンは、光学システム２０３の１つ以上の具体的な構成及び／又は１つ以上の光学システムに関連付けて記憶できる。このため、システム２００のオペレータ（又は自動化プロセス）は、特定の光学システム及び／又は構成のために最適化された流れパターン又は一連の流れパターンを選択することができる。

入出力インタフェース２４４は、制御システム２５５及び／又はそのコンポーネントがデータ及び信号を受信すること、及び／又はオペレータに及び／又は別の電子デバイス上で実行している自動化プロセスにデータ及び信号を提供することを可能とする、任意の種類の電子インタフェースである。例えば、入出力インタフェース２４４はタッチスクリーン又は通信インタフェースの１つ以上を含み得る。

図３を参照すると、例示的なプロセス３００のフローチャートが示されている。プロセス３００について、図２のシステム２００に関連付けて検討する。しかしながら、プロセス３００は他のシステムによって実行することも可能である。プロセス３００は、電子ストレージ２４３上に記憶された命令として実施され、電子プロセッサ２４２及び制御システム２５５の他のコンポーネントによって実行され得る。いくつかの実施において、プロセス３００は、別の有形コンピュータ読み取り可能媒体上に記憶され、既存のシステムを改造又はアップグレードするために使用され得る。

第１の流れパターンに基づいて、流体１０５を光学要素１２０の方へ誘導する（３１０）。光学要素１２０は表面１２２を含み、流体１０５は光学要素１２０の表面１２２の方へ誘導することができる。第１の流れパターンは、どのように流体１０５が光学要素１２０と相互作用するかを規定する情報である。例えば第１の流れパターンは、光学要素１２０に対する流体１０５の流量、空間分布、及び／又は光学要素１２０に対する流体１０５の流れの方向を示すことができる。

流体１０５はフリーラジカルを含み得る。フリーラジカルは、不対価電子又は開殻の電子殻を有し、従ってダングリング共有結合を有すると見なされ得る原子、分子、又はイオンである。ダングリングボンドは、フリーラジカルを化学的に高反応とすることができる。すなわち、フリーラジカルは他の物質と容易に反応できる。フリーラジカルは、反応性の性質のため、物体（光学要素１２０の表面１２２等）から物質（デブリ１２４等）を除去するために使用できる。フリーラジカルは、例えばデブリのエッチング、デブリとの反応、及び／又はデブリの燃焼によって、デブリを除去することができる。

流体１０５は、フリーラジカルを含まないガスである場合がある。これらの実施では、流体供給部２１０は、例えば二原子分子水素（Ｈ_２）ガス、ヘリウムガス（Ｈｅ）、及び／又はアルゴンガス（Ａｒ）を提供し得る。流体１０５は、フリーラジカルとガスの混合物とすることも可能である。いくつかの実施において、流体１０５はフリーラジカルとガスの双方を含み、フリーラジカルとガスは、異なる経路又は機構によって光学要素１２０の方へ誘導される。中性ガスは、ラジカルを目的地へ輸送するためのキャリアガスとすることができる。

第２の流れパターンに基づいて、流体１０５を光学要素１２０の方へ誘導する（３２０）。流体１０５は光学要素１２０の表面１２２の方へ誘導することができる。第２の流れパターンは第１の流れパターンとは異なる。例えば流体１０５は、第２の流れパターンに基づいて光学要素１２０の方へ誘導される場合、第１の流れパターンとは異なる流量、方向、空間パターン、及び／又は持続時間を有し得る。流体１０５は表面１２２に対して流れ、表面１２２からデブリ１２４を除去する。また、流体１０５は表面１２２に対してデブリ１２４の一部を輸送することができ、輸送されたデブリの一部は第２の停滞領域１２６に蓄積し得る。

流体１０５は、任意のやり方で光学要素１２０の方へ誘導される。例えば、流体１０５を輸送するための構造なしで、流体１０５を光学システム２０３の内部で発生させて光学要素１２０に与えることができる。いくつかの実施では、流体１０５の全て又は一部を導管２５０によって光学要素１２０へ送出することができる。

図４Ａ〜図４Ｃも参照すると、光学要素４２０及び２部分導管４５０が示されている。導管４５０は第１の導管４５０ａ及び第２の導管４５０ｂを含む。導管４５０ａ、４５０ｂは、光学要素４２０の外周４２７に位置決めされている。以下の検討において、光学要素４２０は光学システム２０３内にあり、流体１０５は導管４５０を介して光学要素４２０へ送出される。

図４Ａは、光学要素４２０及び導管４５０ａ、４５０ｂの上面図である。図４Ｂは、導管４５０ａと、流体１０５が導管４５０ａから出るアパーチャ４５４の部分斜視図である。導管４５０ｂも、流体１０５が通る複数のアパーチャを含む。図４Ｃは、光学要素４２０及び導管４５０ａ、４５０ｂの側断面図である。光学要素４２０は、反射及び／又は屈折によって光と相互作用する表面４２２を含む。光学要素４２０の表面４２２は、ｘ−ｚ面において凹形に湾曲している（図４Ｃ）。この例では、流体供給部２１０（図２）は２つの別個の流体供給部２１０ａ及び２１０ｂを含み、それぞれ導管４５０ａ及び４５０ｂに接続されている。

図５Ａ及び図５Ｂは、流体１０５が流れパターンＡ及び第２の流れパターンＢに基づいて光学要素４２０の方へ流れている時の光学要素４２０の斜視図と導管４５０ａ、４５０ｂの部分斜視図である。

図５Ａ及び図５Ｂは、プロセス３００によって管理される洗浄サイクル中に流体１０５が流れて光学要素４２０を洗浄することを図示している。図５Ａ及び図５Ｂに示される洗浄サイクルでは、２つの異なる流れパターン、すなわち、時間期間Ａの間に適用される流れパターンＡ（実線の矢印で表されている）及び時間期間Ｂの間に適用される流れパターンＢ（破線の矢印で表されている）に基づいて、流体１０５は光学要素４２０の方へ誘導される。この例では、流れパターンＡ及びＢは、単一の洗浄サイクルにおいて光学要素４２０を洗浄するためのレシピを規定する。洗浄サイクルは、光学要素４２０が光学システム２０３内にある時に実行される。この例では洗浄サイクルは複数の流れパターンを含むが、いくつかの実施では、洗浄サイクルは単一の流れパターンを含む。

図５Ａを参照すると、流体１０５は、流れパターンＡに基づいて光学要素４２０の方へ誘導されている。流れパターンＡを記述する情報は、洗浄システム２０１の流れパターン記憶部２４６上に記憶され、この情報は制御システム２５５によって検索されて流体輸送システム２０２に適用される。この例では、流れパターンＡを記述する情報によって、流体１０５は、流れパターンＡを記述する情報により示される時間期間にわたって導管４５０ａ及び４５０ｂを介して誘導される。

流れパターンＡを記述する情報は、例えば電子ストレージ２４３上に記憶された命令であり、電子プロセッサ２４２によって実行された場合、流体供給部２１０ａに流体１０５を第１の流量で導管４５０ａ内へ送出させると共に、流体供給部２１０ｂに流体１０５を第２の流量で導管４５０ａ内へ送出させることができる。第１及び第２の流量は個別に制御可能であり、同一の流量であるか又は異なる流量であり得る。流れパターンＡを規定する情報は、流体１０５が導管４５０ａ及び４５０ｂ内を流れる具体的な流量を含むか、又は流れパターンＡは、流れ１０５が導管４５０ａ内を流れる流量と導管４５０ｂ内の流量との比を指定することができる。

この例では、流れパターンＡを記述する情報によって流体１０５は導管４５０ａ及び導管４５０ｂの双方から流れるが、他の例では、流体１０５は導管４５０ａ、４５０ｂのうち一方から流れ得る。

流れパターンＡを記述する情報は、流体１０５が表面４２２に対して流れる方向も規定することができる。例えば、流れパターンＡを記述する情報は、流体１０５を特定の方向に誘導するため導管コントローラ２４０に導管４５０ａ及び／又は導管４５０ｂを表面４２２に対して移動させる命令を含み得る。この命令は、ｘ−ｙ面内で導管４５０ａ及び／又は導管４５０ｂを表面１２２に対して平行移動させること、ｘ−ｚ面又はｙ−ｚ面内で導管４５０ａ及び／又は導管４５０ｂを表面１２２に対して近付けるかもしくは遠ざけること、及び／又は導管４５０ａ及び／又は導管４５０ｂ及び開口４５４を表面１２２に対して回転させることによって、導管４５０ａ及び／又は導管４５０ｂを移動させることができる。

第１の流れパターンを記述する情報は、流体１０５を流れパターンＡに基づいて光学要素４２０の方へ誘導する時間長も決定することができる。図５Ａの例において、流体１０５は、流れパターンＡを規定する情報によって指定され得る時間期間Ａにわたって光学要素４２０の方へ誘導される。時間期間Ａは、例えば数分又は数時間であり得る。

流体１０５は、第１の流れパターンに基づいて表面１２２の方へ誘導される場合、表面４２２に対して移動して、表面４２２からデブリ４２４を除去すると共にデブリ４２４の一部を表面４２２の他の部分へ輸送する。流体１０５の流れと表面４２２の形状の組み合わせにより、表面４２２から除去されないデブリの大部分は、表面４２２上の位置４２５にある停滞領域にトラップされる。

図５Ｂを参照すると、流体１０５は、流れパターンＢに基づいて光学要素４２０の方へ誘導されている。流体１０５を流れパターンＢに基づいて誘導することで、停滞領域は移動し、流体１０５は位置４２５にトラップされたデブリを除去することができる。

流れパターンＡを規定する情報と同様、流れパターンＢを規定する情報は、例えば、流れパターンＢに基づく流体１０５の流量、導管４５０ａ及び／又は導管４５０ｂから出る流体１０５の流れの方向、及び／又は流体１０５が表面４２２の方へ流れる持続時間（時間期間Ｂ）を含み得る。流れパターンＢのこれらのパラメータの一部又は全ては、流れパターンＡのパラメータとは異なる可能性がある。例えば、流れパターンＢは、導管４５０ａ及び４５０ｂ内の流量が異なることを指定する情報によって規定され、流れパターンＡは、４５０ａ及び４５０ｂの流量が同一であることを指定する情報によって規定され得る。

従って、流れパターンＢを記述する情報により、流体が流れパターンＡに基づいて表面４２２の方へ誘導されるのとは異なるように、流体１０５は表面４２２の方へ流れる。流体１０５の流れの特徴を変えることによって、（流れパターンＡに関連付けられた）時間期間Ａにおいて表面４２２上の位置４２５に位置付けられた停滞領域にトラップされたデブリを、光学要素４２０の表面４２２から除去することができる。デブリは、光学要素４２０が光学システム２０３内にある間に表面４２２から除去される。光学システム２０３の使用中に（例えば表面４２２が光と相互作用している間に）流体１０５を光学要素４２２の方へ誘導することができる。このため、手順３００によって、システム２００のダウンタイムを最小限に抑えて又は全くダウンタイムなしで光学要素４２０を洗浄することができる。

流れパターンＢに基づいて流れる流体１０５も、位置４２５とは異なる表面の位置に停滞領域を生成し得る。

上述のように、光学システム２０３はＥＵＶ光源であり、光学要素１２０又は４２０はＥＵＶ光源内の光学要素であり得る。流体１０５は、光学要素の表面上のデブリと反応してデブリを表面から除去するフリーラジカルを含み得る。また、流体１０５は、フリーラジカルを含まないガスを含み得る。更に、他のガス及び／又は流体を光学要素の方へ誘導して、光学要素からのデブリの除去を強化することができる。流体１０５及び／又は他の流体は、導管を介して、又は物理的要素に形成された開口もしくは複数の物理的要素の間に形成された通路を介して、光学要素の方へ誘導できる。

以下で、流れパターンに基づいて洗浄流体が流れ得る導管、システム、及び構成の様々な例について検討する。図６Ａ及び図６Ｂを参照して、ＥＵＶ光源６００の一例について検討する。図７Ａ〜図７Ｃ、図８Ａ〜図８Ｃ、図９、図１１Ｂ、図１２Ａ、図１２Ｂ、及び図１３は、ＥＵＶ光源６００又は他のＥＵＶ光源内の要素にフリーラジカルを送出するため使用され得るフリーラジカル輸送システムの例に関連する。図１０〜図１２及び図１１Ａは、フリーラジカルを輸送する導管の例を示す（これらの導管はシステム２００の導管２５０として使用され得る）。図１７は別のＥＵＶ光源の例を示し、図１８Ａ及び図１８Ｂは流体輸送システムの例を示す。

流れパターンについて更に詳しく検討する前に、ＥＵＶ光源について検討する。

図６Ａを参照すると、ＬＰＰ ＥＵＶ光源６００が示されている。ＬＰＰ ＥＵＶ光源６００はフリーラジカル輸送システム７００を含む。輸送システム６００は光源６００の一部として図示されている。しかしながら、輸送システム７００は光源６００から取り外すと共に光源６００に再挿入することができる。フリーラジカル輸送システム７００について検討する前に、ＥＵＶ光源６００の検討を行う。フリーラジカル輸送システム７００については図７Ａ以降で更に詳しく検討する。

ＬＰＰ ＥＵＶ光源６００は、ターゲット位置６０５におけるターゲット混合物６１４を、ターゲット混合物６１４へ向かうビーム経路に沿って進行する増幅光ビーム６１０で照射することによって、形成される。照射部位とも呼ばれるターゲット位置６０５は、真空チャンバ６３０の内部６０７内にある。増幅光ビーム６１０がターゲット混合物６１４に当たると、輝線がＥＵＶ範囲内にある元素を有するターゲット混合物６１４内のターゲット材料はプラズマ状態に変換される。生成されたプラズマは、ターゲット混合物６１４内のターゲット材料の組成に依存した特定の特徴を有する。これらの特徴には、プラズマによって生成されるＥＵＶ光の波長、並びにプラズマから放出されるデブリの種類及び量が含まれ得る。

光源６００はターゲット材料送出システム６２５も含む。ターゲット材料送出システム６２５は、液体小滴、液体流、固体粒子もしくはクラスタ、液体小滴に含まれる固体粒子、又は液体流に含まれる固体粒子の形態のターゲット混合物６１４を、送出、制御、及び誘導する。ターゲット混合物６１４は、例えば水、スズ、リチウム、キセノン、又は、プラズマ状態に変換された場合にＥＵＶ範囲内に輝線を有する任意の材料等のターゲット材料を含む。例えば、元素スズは、純粋なスズ（Ｓｎ）として、例えばＳｎＢｒ４、ＳｎＢｒ２、ＳｎＨ４のようなスズ化合物として、例えばスズ−ガリウム合金、スズ−インジウム合金、スズ−インジウム−ガリウム合金、又はこれらの合金の任意の組み合わせのようなスズ合金として、使用され得る。ターゲット混合物６１４は、非ターゲット粒子のような不純物も含み得る。従って、不純物が存在しない状況では、ターゲット混合物６１４はターゲット材料でのみ構成される。ターゲット混合物６１４は、ターゲット材料送出システム６２５によって、チャンバ６３０の内部６０７へ、更にターゲット位置６０５へ送出される。

光源６００は駆動レーザシステム６１５を含み、これは、レーザシステム６１５の１つ又は複数の利得媒質内の反転分布のために増幅光ビーム６１０を生成する。光源６００は、レーザシステム６１５とターゲット位置６０５との間にビームデリバリシステムを含む。ビームデリバリシステムは、ビーム輸送システム６２０及び集束アセンブリ６２２を含む。ビーム輸送システム６２０は、レーザシステム６１５から増幅光ビーム６１０を受光し、必要に応じて増幅光ビーム６１０を方向操作及び変更し、増幅光ビーム６１０を集束アセンブリ６２２に出力する。集束アセンブリ６２２は、増幅光ビーム６１０を受光し、ビーム６１０をターゲット位置６０５に集束させる。

いくつかの実施において、レーザシステム６１５は、１つ以上のメインパルスを提供し、場合によっては１つ以上のプレパルスも提供するための、１つ以上の光増幅器、レーザ、及び／又はランプを含み得る。各光増幅器は、所望の波長を高い利得で光学的に増幅することができる利得媒質、励起源、及び内部光学部品を含む。光増幅器は、レーザミラー、又はレーザキャビティを形成する他のフィートバックデバイスを有する場合も有しない場合もある。従ってレーザシステム６１５は、レーザキャビティが存在しない場合であっても、レーザ増幅器の利得媒質における反転分布のために増幅光ビーム６１０を生成する。更に、レーザシステム６１５は、レーザシステム６１５に充分なフィードバックを与えるレーザキャビティが存在する場合、コヒーレントなレーザビームである増幅光ビーム６１０を生成できる。「増幅光ビーム」という言葉は、増幅されているだけで必ずしもコヒーレントなレーザ発振でないレーザシステム６１５からの光、及び増幅されていると共にコヒーレントなレーザ発振であるレーザシステム６１５からの光、のうち１つ以上を包含する。

レーザシステム６１５における光増幅器は、利得媒質としてＣＯ２を含む充填ガスを含み、波長が約９１００〜約１１０００ｎｍ、特に約１０６００ｎｍの光を、６００以上の利得で増幅できる。レーザシステム６１５で使用するのに適した増幅器及びレーザは、パルス状レーザデバイスを含み得る。これは例えば、ＤＣ又はＲＦ励起によって約９３００ｎｍ又は約１０６００ｎｍの放射を生成し、例えば１０ｋＷ以上の比較的高いパワーで、例えば４０ｋＨｚ以上の高いパルス繰り返し率で動作するパルス状ガス放電ＣＯ２レーザデバイスである。また、レーザシステム６１５における光増幅器は、レーザシステム６１５をより高いパワーで動作させる場合に使用され得る水のような冷却システムも含むことができる。

図６Ｂは、例示的な駆動レーザシステム６８０のブロック図を示す。駆動レーザシステム６８０は、光源６００内の駆動レーザシステム６１５として使用することができる。駆動レーザシステム６８０は、３つの電力増幅器６８１、６８２、及び６８３を含む。電力増幅器６８１、６８２、及び６８３のいずれか又は全ては、内部光学要素（図示せず）を含み得る。

光６８４は、電力増幅器６８１から出力ウィンドウ６８５を通って出射し、曲面鏡６８６によって反射される。反射後、光６８４は空間フィルタ６８７を通過し、曲面鏡６８８によって反射され、入力ウィンドウ６８９を通って電力増幅器６８２に入射する。光６８４は、電力増幅器６８２において増幅され、電力増幅器６８２から出力ウィンドウ６９０を通って光６９１として再誘導される。光６９１は、折り畳みミラー６９２によって増幅器６８３の方へ誘導され、入力ウィンドウ６９３を通って増幅器６８３に入射する。増幅器６８３は光６９１を増幅し、光６９１を増幅器６８３から出力ウィンドウ６９４を通して出力ビーム６９５として誘導する。折り畳みミラー６９６は、出力ビーム６９５を上方へ（紙面外に）、ビーム輸送システム６２０（図６Ａ）の方へ誘導する。

更に図６Ｂを参照すると、空間フィルタ６８７は、例えば直径が約２．２ｍｍ〜３ｍｍの円であり得るアパーチャ６９７を画定する。曲面鏡６８６及び６８８は、例えば、それぞれ焦点距離が約１．７ｍ及び２．３ｍであるオフアクシスパラボラミラーであり得る。空間フィルタ６８７は、アパーチャ６９７が駆動レーザシステム６８０の焦点と一致するように位置決めできる。

再び図６Ａを参照すると、光源６００は、増幅光ビーム６１０を通過させてターゲット位置６０５に到達させるアパーチャ６４０を有するコレクタミラー６３５を含む。コレクタミラー６３５は、例えば、ターゲット位置６０５に主焦点を有し、中間位置６４５に二次焦点（中間焦点とも呼ばれる）を有する楕円ミラーであり得る。中間位置６４５において、ＥＵＶ光は光源６００から出力し、例えば集積回路リソグラフィツール（図示せず）に入力することができる。光源６００は、端部が開口した中空円錐形シュラウド６５０（例えばガス円錐（ｇａｓ ｃｏｎｅ））も含むことができる。これは、コレクタミラー６３５からターゲット位置６０５に向かってテーパ状であり、増幅光ビーム６１０がターゲット位置６０５に到達することを可能としながら、集束アセンブリ６２２及び／又はビーム輸送システム６２０内に入るプラズマ生成デブリの量を低減させる。この目的のため、シュラウドにおいて、ターゲット位置６０５の方へ誘導されるガス流を提供することができる。

光源６００は、小滴位置検出フィードバックシステム６５６と、レーザ制御システム６５７と、ビーム制御システム６５８と、に接続されているマスタコントローラ６５５も含むことができる。光源６００は、１つ以上のターゲット又は小滴撮像器６６０を含むことができ、これは、例えばターゲット位置６０５に対する小滴の位置を示す出力を与え、この出力を小滴位置検出フィードバックシステム６５６に提供する。小滴位置検出フィードバックシステム６５６は、例えば小滴の位置及び軌道を計算することができ、それらから小滴ごとに又は平均値として小滴位置誤差が計算され得る。小滴位置検出フィードバックシステム６５６は、小滴位置誤差をマスタコントローラ６５５に対する入力として提供する。従ってマスタコントローラ６５５は、レーザ位置、方向、及びタイミング補正信号を、例えばレーザ制御システム６５７に提供することで、これらが例えばレーザタイミング回路を制御するため使用され、及び／又はビーム制御システム６５８に提供することで、ビーム輸送システム６２０における増幅光ビームの位置及び整形を制御し、チャンバ６３０内のビーム焦点スポットの位置及び／又は焦点パワー（ｆｏｃａｌ ｐｏｗｅｒ）を変更することができる。

ターゲット材料送出システム６２５は、ターゲット材料送出制御システム６２６を含む。ターゲット材料送出制御システム６２６は、マスタコントローラ６５５からの信号に応答して動作可能であり、例えば、ターゲット材料供給装置６２７によって放出される小滴の放出点を変更して、所望のターゲット位置６０５に到達する小滴の誤差を補正する。

更に、光源６００は光源検出器６６５及び６７０を含むことができ、これらは、限定ではないが、パルスエネルギ、波長の関数としてのエネルギ分布、特定の波長帯内のエネルギ、特定の波長帯外のエネルギ、ＥＵＶ強度の角度分布、及び／又は平均パワーを含む１つ以上のＥＵＶ光パラメータを測定する。光源検出器６６５は、マスタコントローラ６５５によって使用されるフィードバック信号を発生する。フィードバック信号は、効果的かつ効率的なＥＵＶ光生成のため適切な時に適切な場所で小滴を正確に捕らえるために、例えばレーザパルスのタイミング及び焦点のようなパラメータの誤差を示すことができる。

光源６００は、光源６００の様々なセクションを整合させるため又は増幅光ビーム６１０をターゲット位置６０５へ方向操作するのを支援するために使用され得るガイドレーザ６７５も含むことができる。ガイドレーザ６７５に関連して、光源６００は、集束アセンブリ６２２内に配置されてガイドレーザ６７５からの光の一部と増幅光ビーム６１０をサンプリングするメトロロジーシステム６２４も含む。他の実施では、メトロロジーシステム６２４はビーム輸送システム６２０内に配置される。メトロロジーシステム６２４は、光のサブセットをサンプリング又は方向転換（ｒｅ−ｄｉｒｅｃｔ）する光学要素を含むことができ、そのような光学要素は、ガイドレーザビーム及び増幅光ビーム６１０のパワーに耐えられる任意の材料から作製される。マスタコントローラ６５５がガイドレーザ６７５からのサンプリングされた光を解析し、この情報を用いてビーム制御システム６５８を介して集束アセンブリ６２２内のコンポーネントを調整するので、メトロロジーシステム６２４及びマスタコントローラ６５５からビーム解析システムが形成されている。

従って、要約すると、光源６００は増幅光ビーム６１０を生成し、これはビーム経路に沿って誘導されてターゲット位置６０５のターゲット混合物６１４を照射して、混合物６１４内のターゲット材料を、ＥＵＶ範囲内の光を発するプラズマに変換する。増幅光ビーム６１０は、レーザシステム６１５の設計及び特性に基づいて決定される特定の波長（駆動レーザ波長とも称される）で動作する。更に、ターゲット材料がコヒーレントなレーザ光を生成するのに充分なフィードバックをレーザシステム６１５に与える場合、又は駆動レーザシステム６１５がレーザキャビティを形成するのに適した光学フィードバックを含む場合、増幅光ビーム６１０はレーザビームであり得る。

図７Ａ〜図７Ｃは、それぞれ３つの異なる時点、すなわち時点１（ｔ１）、時点２（ｔ２）、及び時点３（ｔ３）における、フリーラジカル輸送システム７００の一例のブロック図を示す。時点ｔ１は最も早い時点であり、時点ｔ２は時点ｔ１の後に発生し、時点ｔ３は時点ｔ２の後に発生する。フリーラジカル輸送システム７００は、フリーラジカル７０５を、容器７３０の内部にある要素７２０へ送出する。フリーラジカル輸送システム７００は図６Ａにも示されている。更に、フリーラジカル輸送システム７００は、システム２００（図２）において流体輸送システム２０２として使用することができる。

フリーラジカル輸送システム７００は、フリーラジカル７０５のソース７１０に接続している導管７５０を含む。フリーラジカル７０５は、導管７５０によって画定された開口７５２内に流れ、導管７５０内を方向７０７に沿って移動する。また、導管７５０は、導管７５０の側壁７５６を貫通して導管７５０の内部７５８と容器７３０の内部７３２との間に通路を与える別の開口７５４も画定する。容器７３０は、上述した真空チャンバ６３０のような真空チャンバであり得る。要素７２０は、容器７３０の内部７３２で発生するデブリに露呈される任意の要素とすることができる。要素７２０は、内部７３２で発生させるプラズマの経路内にある光学要素であり得る。例えば要素７２０は、図６Ａのコレクタミラー６３５のようなコレクタミラーであり得る。

図７Ａを参照すると、フリーラジカル７０５は、ソース７１０から導管７５０を介して方向７０７に移動し、開口７５４を通って内部７３２へ出る。開口７５４は、ラジカル７０５が開口７５４を通って出た後に要素７２０へ流れるように位置決めされている。例えば開口７５４は、要素７２０の表面７２２と向かい合うように位置決めすることができる。開口７５４は、表面７２２から距離７２６に位置決めされている。距離７２６は、例えば１５〜３０ｃｍであり得る。図示する例において、導管７５０は１つの追加の開口７５４を含むが、図８Ａ〜図８Ｃ及び図１０〜図１６に示されるような他の実施では、複数の開口が導管に形成されている。

要素７２０は容器７３０の内部７３２に配置されている。導管７５０は、容器７３０の壁７３６の密封された開口又はポート７３４を貫通する。従って導管７５０は、外部のソース７１０から要素７２０までフリーラジカル７０５を輸送する。フリーラジカル７０５は、開口７５４を通って導管７５０から出て、内部７３２内へ移動する。

図７Ｂを参照すると、ラジカル７０５は、表面７２２上にあるデブリ７２４に到達する。内部７３２で発生させるプラズマの経路内に存在する要素７２０の例を引き続き用いると、デブリ７２４は、プラズマを発生させるため用いられるターゲット混合物から形成される蒸気、イオン、粒子、及び／又はクラスタに由来する汚染であり得る。ターゲット混合物は、プラズマに変換された場合にＥＵＶ光を発する任意の材料であり得る。このため、デブリ７２４は、スズ、リチウム、又はプラズマに変換された場合にＥＵＶ光を発する他の任意の物質のような金属の蒸気残留物、粒子、イオン、又はクラスタを含む可能性がある。図７Ｃに示されているように、ラジカル７０５はデブリ７２４と再結合してデブリ７２４を表面７２２から除去する。再結合によって、デブリ７２４の存在しない洗浄済み領域７２８が生成される。洗浄済み領域７２８は、例えば６インチ（１５．２４ｃｍ）以上の直径を有する円形エリアであり得る。

導管７５０は、フリーラジカルと反応することも結合することもない材料、又は低い再結合係数（例えば約５×１０−３以下の再結合係数）を有するもので作製されている。再結合係数は、ラジカルが、表面と１回衝突した後にその表面上に残留している別のラジカルと再結合する確率の尺度である。フリーラジカル７０５が導管７５０内を移動する状況では、内壁と開口７５２及び７５４における材料の再結合係数が、ソース７１０によって発生するラジカルのうち要素７２０に到達する部分を一部決定する。低い再結合係数を有する材料では、ソース８１０によって発生するフリーラジカル７０５のうち導管７５０の内壁との衝突による再結合で失われるものが比較的少ないので、発生するラジカル７０５のうち要素７２０に到達できる部分が大きくなる。

導管７５０は、テフロン、石英、又はホウケイ酸ガラス（例えばパイレックス）等のガラスで作製することができる。いくつかの実施において、導管７５０は、フリーラジカル７０５と接触する可能性のある部分を再結合係数の低い材料でコーティングした金属によって作製できる。例えば導管７５０は、例えばパイレックス等のガラスで内面と端部をコーティングしたアルミニウム導管とすることができる。別の例では、導管７５０は、二酸化シリコン（ＳｉＯ２）、酸化チタン（ＴｉＯ２）、又は酸化アルミニウム（ＡｌＯ２）等の酸化金属で作製できる。更に別の例として、導管は、陽極酸化アルミニウム等の陽極酸化金属で作製できる。金属酸化物から作製された導管は、非金属材料から作製されたものよりも高い再結合係数を有し得るが、金属導管は加工が比較的容易であると共に、より堅固にすることができる。

導管７５０の材料及び導管を通るラジカル７０５の質量流量によって、導管７５０は、ラジカル７０５をその場で（ｉｎ−ｓｉｔｕ）要素７２０まで送出するため、すなわち要素が容器７３０の内部にある間に送出するために充分な長さとすることができる。例えば導管７５０は、方向７０７に沿って０．８〜２メートルの長手方向範囲を有し得る。

図８Ａ〜図８Ｃを参照すると、フリーラジカル輸送システム８００の別の例のブロック図が示されている。図８Ａは輸送システム８００の側面図を示し、図８Ｂは図８Ａのライン８Ｂ−８Ｂに沿って切り取った輸送システム８００の図を示し、図８Ｃは図８Ａのライン８Ｃ−８Ｃに沿って切り取った輸送システム８００の図を示す。フリーラジカル輸送システム８００は、システム２００（図２）において流体輸送システム２０２として使用することができる。

フリーラジカル輸送システム８００は、開口８５４ａ〜８５４ｌを画定する導管８５０を含み、フリーラジカル８０５はこれらの開口を通って導管８５０から出て要素８２０の方へ誘導される。開口８５４ａ〜８５４ｌの様々な大きさ及び特定の配置によって、システム８００はラジカルを均一レートで要素８２０に提供し、これによって要素８２０を均一レートで洗浄することができる。開口８５４ａ〜８５４ｌの大きさは方向８０７で拡大する。最も小さい開口（開口８５４ａ）はソース８１０に最も近く、最も大きい開口（開口８５４ｌ）はソース８１０から最も遠い。

図８Ａを参照すると、フリーラジカル輸送システム８００は、フリーラジカル８０５を生成するソース８１０を含む。図８Ａは導管８５０を側方から示し、開口８５４ａ〜８５４ｌは方向８０７に対して垂直な向きであるので、フリーラジカル８０５は開口８５４ａ〜８５４ｌから出て要素８２０へ向かって方向８０８に流れる。導管８５０は、ソース８１０に結合して発生したフリーラジカル８０５を受容する開口８５２を画定する。導管８５０は、容器８３０（例えば真空チャンバ）の側壁８３６及び密封されたポート８３４を貫通し、容器８３０の内部８３２内へ延出している。フリーラジカル８０５は、導管８５０内で方向８０７に移動し、開口８５４ａ〜８５４ｌを通って要素８２０の方へ出て行く。導管８５０は要素８２０から距離８２６に位置付けられている。湾曲面を有し導管と向かい合う要素８２０のような要素では、距離８２６は導管から要素までの最大距離である。距離８２６は例えば１５〜３０ｃｍであり得る。

要素８２０は、容器８３０の内部８３２にある。容器８３０は、ＬＬＰ ＥＵＶ光源（図６Ａ及び図６Ｂの光源６００等）の一部である。要素８２０は、容器８３０において発生するプラズマの経路内にある表面８２２を画定する。プラズマ発生によって、表面８２２上にデブリ８２４が形成され得る。デブリは、例えば、プラズマを発生させるため使用されるターゲット混合物の一部であるスズ小滴から形成される蒸気残留物、粒子、及びイオンを含み得る。

ラジカル８０５がデブリ８２４に到達した場合、ラジカル８０５はデブリ８２４と結合し、これによってデブリ８２４を表面８２２から除去する。導管８５０はフリーラジカル８０５を要素８２０まで送出するので、要素８２０を洗浄のため容器８３０から取り出す必要はない。要素８２０は、容器８３０の内部にある間に洗浄される。要素８２０を容器８３０から取り出さずに洗浄すると、例えば要素８２０は配置が変化せず、洗浄後に再び位置合わせする必要がないので、システムのダウンタイムが短縮される。

図８Ｂ及び図８Ｃも参照すると、導管８５０は開口８５４ａ〜８５４ｌを含み、これらの各々は導管８５０の壁８５６を貫通する通路を形成する。図８Ｂは、方向８０８と反対の方向に、要素８２０から導管８５０を見上げた場合の導管８５０の図を示す。図８Ｃは、紙面内に向かう方向８０８に、要素８２０を見下ろした図を示す。図８Ｃは、要素８２０の表面８２２上における開口８５４ａ〜８５４ｌの各々の投影８２９ａ〜８２９ｌも示す。全体として、投影８２９ａ〜８２９ｌは、開口８５４ａ〜８５４ｌから放出されたフリーラジカル８０５に露呈される要素８２０の部分である帯状部（ｓｗａｔｈ）８２８を画定する。

開口８５４ａ〜８５４ｌの大きさは方向８０７で拡大する。最も小さい開口（開口８５４ａ）はソース８１０に最も近く、最も大きい開口（開口８５４ｌ）はソース８１０から最も遠い。以下で検討するように、開口８５４ａ〜８５４ｌの大きさが方向８０７で拡大することにより、フリーラジカル８０５は均一レートで帯状部８２８に到達する。

ソース８１０はマイクロ波プラズマ発生器であり得る。そのようなソースによってラジカルを生成するため、ソース８１０には、フリーラジカルが形成されるガスが提供される。例えば、水素ラジカルを生成するため水素ガス（Ｈ２）が提供される。ソース８１０にガスを提供する前に、このガスに追加ガスが追加され得る。例えば、水素ガスに、アルゴンと酸素の混合物（Ａｒ／Ｏ２）が追加され得る。水素ガス及び追加ガス混合物は双方とも、ソース８１０に提供される場合、ある質量流量及び速度を有する。例えば、水素ガスは３標準リットル／分（ＳＬＭ）の質量流量でソース８１０に提供され、Ａｒ／Ｏ２混合物は２１標準立法センチメートル／分（ＳＣＣＭ）の質量流量でソースに提供され得る。

水素及びＡｒ／Ｏ２ガスはソース８１０に入り、水素フリーラジカル及び導管８５０内で方向８０７に移動する移動ガスを生成するため用いられる。導管内を移動する移動ガスは、方向８０７とは反対の方向に沿って作用する背圧を生じる。背圧は、移動ガスが導管８５０内を流れる際に加わる抵抗である。

背圧が存在する場合、導管８５０内を移動するガスの質量流量又は速度を低減させる効果がある。これにより、ガスで運ばれるフリーラジカルが導管８５０内に留まる時間期間が長くなる。フリーラジカル８０５が導管８５０内に存在する時間は「滞留時間（ｒｅｓｉｄｅｎｃｅ ｔｉｍｅ）」である。背圧が存在すると、水素ラジカルでは滞留時間が長くなり得る。この長い滞留時間によって、ラジカルが導管８５０の内壁と再結合し、要素８２０に到達する水素ラジカルが減少する可能性が高くなる。

また、導管８５０内で方向８０７に流れるガスの質量流量又は速度を増大させると、フリーラジカル８０５が導管８５０内で移動する速度が上昇するので、フリーラジカルを高レートで要素８２０に送出し、より迅速に要素８２０を洗浄することができる。しかしながら、流れるガスの質量流量又は速度を増大させると背圧も増大し、これによって、（導管内でのラジカル滞留時間が長くなり、この間に再結合が増大するため）要素８２０に送出されるフリーラジカルの量が低減し、また、（背圧によって、流れるガスの速度低下が生じるため）ラジカルが要素８２０に送出される速度も低下する可能性がある。このため、導管８５０内を流れるガスの質量流量又は速度の増大は、背圧の生成によって相殺される。

更に、側壁に開口が存在しない導管では、導管内を流れるガスに加わる圧力又は抵抗は、ガス流の方向において増大し得る。もしも側壁の開口が全て同じ大きさであると、導管８５０内部の圧力はソース８１０に近付くにつれて増大するので、ソースに最も近い開口からは、他のいずれの開口に比べても多くのラジカル８０５が出て行く。更に、この状況では、方向８０７において質量流量が低減又は低下するので、ラジカル８０５は導管８５０内で方向８０７に移動するにつれて速度が低下する。このため、もしも導管側壁の開口が全て同じ大きさであると、ラジカル８０５は帯状部８２８に到達するものの、帯状部８２８に到達するラジカル８０５の速度は、帯状部８２８の様々な部分全体にわたって一定でない可能性がある。

これに対して、導管８５０の開口８５４ａ〜８５４ｌは異なる大きさを有し、これらの開口の大きさはガス流の方向（方向８０７）において拡大する。この構成は上述の効果を低減させる。従って、導管８５０のように、側壁に様々な大きさの開口を有する導管を用いてラジカル８０５を表面８２２に送出した場合、帯状部８２８の全ての部分が同一レートで洗浄される。

いくつかの実施において、導管内の背圧は０．９〜１．２トル未満に保持され、方向８０７に流れるガスの中心線質量流量（ｃｅｎｔｅｒｌｉｎｅ ｍａｓｓ ｆｌｏｗ ｒａｔｅ）は１〜４ＳＬＭの間である。デブリ８２４のエッチレート又は除去レートは、例えば毎分５〜１２５ナノメートル（ｎｍ／分）であり得る。除去レートは１２５ｎｍ／分よりも大きくすることができる。方向８０７に流れるガスの中心線質量流量は流れパターンによって規定できる。このため、異なる流れパターンを輸送システム８００に適用することにより、中心線質量流量を様々に変えることができる。

開口８５４ａ〜８５４ｌは、直径が４．５〜６．５ｍｍの円形断面を有し、導管８５０上で方向８０７に相互に等距離ずつ離間させることができる。方向８０７に沿った各開口間の長手方向の間隔は、例えば４０ｍｍであり得る。図８Ａ〜図８Ｃに示されている例は１２の開口を含むが、他の例では、より多いか又は少ない開口を使用することができる。例えば導管８５０は、１０の開口又は１２を超える開口を画定できる。

図８Ｂ及び図８Ｃを参照すると、洗浄される要素８２０上のエリアを拡大するため、導管８５０により画定されて方向８０７に平行な方向に沿って延出する長手方向軸８５９を中心として、導管８５０を回転させることができる。この代わりに又はこれに加えて、導管８５０を方向８０９に沿って前後に平行移動させることも可能である。

更に、導管８５０は、方向８０８に移動させて導管８５０を要素８２０に近付けること、又は方向８０８と反対の方向に移動させて導管８５０を要素８２０から遠ざけることも可能である。導管８５０を要素８２０に近付けると、要素８２０の表面８２２の特定の領域に到達するフリーラジカル８０５の部分を増大させることができる。例えば、導管８５０を方向３０８に表面８２２の方へ移動させて、フリーラジカル８５０を停滞領域の方に誘導することができる。導管８５０を要素８２０の表面８２２から遠ざけると、フリーラジカル８０５によって洗浄されるエリアを拡大することができる。導管８５０の動きは、どのようにフリーラジカル８０５を表面８２２の方へ誘導するかを規定する流れパターンにおいて指定することができる。

システム８００は、システム８００のユーザが導管８５０を移動させることを可能とする位置決め機構８４０を含む。位置決め機構８４０は、例えば、容器８３０の外部からアクセス可能でありユーザによる導管８５０の移動を可能とするレバー、ホイール、又は他の機械的デバイスによる手動動作のために構成できる。位置決め機構８４０はコンピュータ制御とすることができる。例えば、ユーザ又は自動電子プロセスによって活性化された場合に導管８５０を移動させるステッパモータ又は他のデバイスに、導管８５０を結合することができる。輸送システム８００が流体輸送システム２０３（図２）として用いられる場合、位置決め機構８４０は、導管コントローラ２４０の一部であるか又は導管コントローラ２４０によって制御される。

導管８５０を方向８０９に沿って前後に平行移動させると、導管８５０は、距離８２６（図８Ａ）を一定に保ちながら要素８２０に対して移動する。換言すると、導管８５０は、要素８２０の外周又はエッジ８２７を含む面に対して平行な面内で要素８２０に対して移動する。導管８５０を、軸８５９を中心として回転させると、領域８２１ａ及び８２１ｂのような帯状部８２８の外側にある要素８２０の領域へフリーラジカル８０５を送出することができる。また、導管８５０を方向８０９に沿って前後に平行移動させることによっても、帯状部８２８の外側にある要素８２０の領域へフリーラジカル８０５を送出することができる。

図９を参照すると、ＥＵＶ光源の真空チャンバから光学要素を取り出すことなく真空チャンバ内の光学要素を洗浄するための例示的なプロセス９００のフローチャートが示されている。プロセス９００は、本明細書に開示されるいずれのフリーラジカル輸送システムによっても実行できる。例えばプロセス９００は、輸送システム７００又は８００によって実行され得る。プロセス９００の検討では、一例としてシステム８００が用いられる。

再び図８Ａ〜図８Ｃを参照すると、フリーラジカル８０５は、導管８５０によって画定された第１の開口８５２に受容される（９１０）。フリーラジカルは、洗浄される要素上のデブリと結合する。デブリは、ターゲット混合物がＥＵＶ光を発するプラズマに変換された場合に発生し得る。要素がプラズマの経路内にあるため、デブリは要素の表面上に蓄積する可能性がある。フリーラジカル８０５はソース８１０によって発生される。ソース８１０は、例えば、マサチューセッツ州アンドーバーのＭＫＳ Ｉｎｓｔｒｕｍｅｎｔｓ， Ｉｎｃ．から入手できるＳＭＡＲＴ ＰＯＷＥＲ ＧＥＮＥＲＡＴＯＲ等のマイクロ波プラズマ発生器とすればよい。ソースは、例えば８０００ワットで動作させることができる。

フリーラジカルを発生させるため、フリーラジカルに解離し得るガスをソース８１０に提供する。このガスは、例えば水素（Ｈ２）、ヨウ化水素（ＨＩ）、臭素（Ｂｒ２）、塩素（Ｃｌ２）、要素（Ｉ２）、メタン、もしくは水とするか、又はこれらを含むことができる。ソース８１０に混合物を提供する前に、追加ガス（アルゴンと酸素の混合物等）を追加することができる。ガスは、ある質量流量又は速度でソース８１０に提供され、ソース８１０で発生したフリーラジカルは、ソース８１０からのガス流と共に導管８５０内に流れ込む。質量流量又は速度は、流れパターン記憶部２４６内に記憶された流れパターンによって規定できる。従って、質量流量又は速度は特定の流れパターンの選択によって変動し得る。

開口８５２、及び、フリーラジカル８０５を輸送するか又はフリーラジカル８０５の経路内にある導管８５０の部分は、低い再結合係数を有する材料から作製されている。開口８５２は、フリーラジカル８０５を受容するように、マイクロ波プラズマ発生器のアプリケータに結合されている。マイクロ波プラズマ発生器のアプリケータはサファイアで作製され得る。導管８５０及び開口８５２はサファイアアプリケータに結合して、フリーラジカルがソース８１０から導管８５０内へ流れる間に金属表面と接触しないようにすることができる。そのような構成は、結合におけるラジカルの損失を軽減するのに役立ち得る。

導管８５０内のフリーラジカル８０５は、開口８５４ａ〜８５４ｌの方へ誘導される（９２０）。フリーラジカル８０５は、ソース８１０から導管８５０内を流れるガスによって開口８５４ａ〜８５４ｌの方へ誘導され得る。これに加えて又はこの代わりに、開口８５４ａ〜８５４ｌが通路を与える容器８３０の内部８３２内の圧力は、ソース８１０及び導管８５０内の圧力よりも低い。例えば、容器８３０の内部の圧力は３００ミリトル（４０パスカル）であり得る。このため、フリーラジカル８０５は導管８５０から開口８５４ａ〜８５４ｌを通って内部８３２へと引き込まれる。

上述のように、ラジカルの輸送の促進に役立てるため、導管８５０は、導管８５０内を流れるフリーラジカルとの再結合率が低い材料から作製されている。更に、導管内でラジカルを運ぶガスの質量流量又は速度は、背圧の効果を最小限に抑えつつ、できる限り増大させる。フリーラジカル８０５が導管８５０内を移動する速度を上昇させると、フリーラジカル８０５が導管８５０内に存在する時間量が低減し、導管８５０の内壁との衝突に起因するラジカル損失量が低減する。また、フリーラジカル８０５の速度を上昇させると、要素の洗浄レートが上昇する。いくつかの実施において、フリーラジカル８０５は、導管８５０の長手方向範囲で１〜４ＳＬＭの一定の質量流量で導管８５０内を移動する。導管８５０の長手方向範囲は、例えば０．８〜２メートルであり得る。

フリーラジカル８０５は、開口８５４ａ〜８５４ｌの少なくとも１つを通って要素８２０の表面８２２の方へ移動する（９３０）。上述のように、容器８３０の内部８３２、ソース８１０、及び導管８５０の内部の圧力差（圧力は容器８３０内が最低である）によって、フリーラジカル８０５を開口８５４ａ〜８５４ｌから出すことができる。開口８５４ａ〜５４ｌは帯状部８２８の方を向いており、フリーラジカル８０５を帯状部８２８へ誘導する。ラジカル８０５は帯状部８２８のデブリ８２４と結合し、デブリ８２４を除去する。ラジカルは、例えばデブリ８２４のエッチング、燃焼、又はデブリ８２４との反応によってデブリと結合し得る。ラジカル８０５は、５〜１２５ｎｍ／分のレートでデブリを除去することができる。

図８Ｂ及び図８Ｃに示されているようないくつかの実施では、開口８５４ａ〜３５４ｌが要素８２０の特定の部分を指し示すように導管８５０を回転及び／又は平行移動させることによって、開口８５４ａ〜３５４ｌを要素８２０の方に向けることができる。

図１０〜図１３は、他の例示的な導管１０５０〜１３５０をそれぞれ示す。図１０〜図１３に示されている導管はいずれも、輸送システム７００もしくは８００において、又は流体輸送システム２０２の導管２５０として、使用され得る。

図１０を参照すると、例示的な導管１０５０が示されている。導管１０５０は、長手方向軸１０５９並びに２つの端部、すなわちソース端部１０６０及び容器端部１０６１を画定する。導管１０５０は、長手方向軸１０５９に対して平行な方向におけるソース端部１０６０と容器端部１０６１との間の距離である長手方向範囲１０６３を有する。範囲１０６３は０．８〜２ｍであり得る。例えば範囲１０６３は、０．８ｍ、０．９ｍ、０．９５ｍ、０．９７５ｍ、又は１ｍであり得る。導管１０５０は、外面１０５６と、内面１０６５と、縁部１０６６と、を画定する壁１０６７を有する。ソース端部の縁部１０６６は、直径１０６４を有する開口１０５２を画定する。直径１０６４は、例えば２．５ｃｍであり得る。

壁１０６７は開口１０５４ａ〜１０５４ｐを画定する。これらの開口の各々は壁１０６７を貫通して、流体及びフリーラジカルが導管１０５０の内部から導管１０５０の外部へ移動することを可能とする通路を形成する。開口１０５４ａ〜１０５４ｐの大きさは様々であり、方向１００７に沿って拡大し得る。すなわち、開口１０５４ａは最も小さい開口であり、開口１０５４ｐは最も大きい開口である。開口１０５４ａ〜１０５４ｐは、断面が円形であり、４．５〜６．５ｍｍの範囲の直径を有し得る。これらの開口は方向１００７で相互に２０〜４０ｍｍずつ離間し得る。更に、導管１０５０は、図１０に示されている例よりも多いか又は少ない開口を有し得る。

縁部１０６６及び内面１０６５は、低い再結合係数を有する材料から作製されている及び／又はそのような材料でコーティングされている。縁部１０６６及び内面１０６５は、例えばパイレックス、石英、ガラス、自然酸化物（二酸化シリコン又は二酸化チタン等）、又は陽極酸化アルミニウム等の陽極酸化金属とするか、又はこれらでコーティングすることができる。縁部１０６６及び内面１０６５は、再結合係数が約５×１０−３以下である任意の材料とすればよい。このように、縁部１０６６及び内面１０６５は比較的少数のフリーラジカルとだけ再結合し、それよりもフリーラジカルを導管内で輸送し、洗浄される要素へ送出する。他の場合、再結合係数が１×１０−２以上である材料を使用することも可能であるが、これに対応して洗浄レートは低下する。

使用の際、ソース端部１０６０はフリーラジカルのソースに結合され、開口１０５２においてフリーラジカルを受容する。例えばソース端部１０６０は、マイクロ波プラズマ発生器のアプリケータに結合され得る。マイクロ波プラズマ発生器のアプリケータは、マイクロ波エネルギをプラズマに変換する要素である。マイクロ波プラズマ発生器のアプリケータは、例えばサファイアで作製されたチューブであり得る。サファイアアプリケータチューブを開口１０５２に結合することで、ソースによって発生したフリーラジカルは、フリーラジカルと再結合する金属又は他の要素に接触することなく導管１０５０内に流入できる。このため、導管１０５０をソースに結合することで、フリーラジカルの損失は生じるとしてもごくわずかとなる。フリーラジカルはソースから導管１０５０内に移動し、穴１０５４ａ〜１０５４ｐを通って導管から出る。

図１１及び図１２は、他の例示的な導管１１５０及び１２５０をそれぞれ示す。導管１１５０及び１２５０は、例えば上述のシステム７００もしくは８００又はシステム２００のような、本明細書に開示される輸送システムの任意のもので使用され得る。

導管１１５０及び１２５０は、導管１０５０と同様であるが、導管１１５０、１２５０の側壁１１６７、１２６７上の異なるポイントを貫通するように位置決めされることによって異なる角度にずらした開口を有する点が異なっている。この位置決めによって、導管１１５０及び１２５０から放出されるラジカルは、洗浄される要素のいっそう大きいエリア上に放出される。換言すると、導管１１５０及び１２５０の開口は、洗浄される要素上に投影された場合、洗浄される要素に対して全てが同一の角度に向けられた開口を有する導管の開口よりも大きいエリアをカバーする。そのような導管の一例は、開口の全てが導管の長手方向軸に平行なラインに沿って整合されているものである（導管１０５０等）。

図１１を参照すると、導管１１５０はソース端部１１６０及び容器端部１１６１を有する。導管１１５０は、長手方向軸１１５９と、外面１１５６と、内面１１６５と、縁部１１６６と、を画定する壁１１６７を有する。ソース端部１１６０の縁部１１６６は、１１６４の直径を有する開口１１５２を画定する。直径１１６４は例えば２．５ｃｍであり得る。壁は、開口１１５４ａ〜１１５４ｓも画定する。開口１１５４ａ〜１１５４ｓは、壁１１５７上でらせん状配列に配置されている。開口１１５４ａ〜１１５４ｓは、図１１に示すように導管の半分の部分のみに配置することができる。他の実施では、開口１１５４ａ〜１１５４ｓを導管１１５０全体の表面上に配置して、ラジカルを導管１１５０から全ての方向に放出することも可能である。

導管１１５０は、長手方向軸１１５９に対して平行な方向の延出範囲１１６３を有する。延出範囲１１６３は０．８〜２ｍであり得る。例えば延出範囲１１６３は、０．８ｍ、０．９ｍ、０．９５ｍ、０．９７５ｍ、又は１ｍであり得る。導管１０５０と同様、導管１１５０の内面１１６５及び縁部１１６６は、低い再結合係数を有する材料である。

図１２を参照すると、導管１２５０はソース端部１２６０及び容器端部１２６１を有する。導管１２５０は、長手方向軸１２５９と、外面１２５６と、内面１２６５と、縁部１２６６と、を画定する壁１２６７を有する。ソース端部１２６０の縁部１２６６は、１２６４の直径を有する開口１２５２を画定する。直径１２６４は例えば２．５ｃｍであり得る。壁は、複数の開口１２５４も画定する。これらの開口の各々は、ラジカル及びガスのための導管１１５０の内部と外部との間の通路を提供する。開口１２５４は、長手方向軸１２５９に対して平行に延出する列に配置されている。開口１２５４は異なる大きさを有し、この大きさは方向１２０７で拡大する。図１２に示されている例示的な導管１２５０は３列の開口を有する。しかしながら、より多いか又は少ない列の開口を使用することも可能である。

導管１２５０は、長手方向軸１２５９に対して平行な方向の延出範囲１２６３を有する。延出範囲１２６３は０．８〜２ｍであり得る。例えば延出範囲１２６３は、０．８ｍ、０．９ｍ、０．９５ｍ、０．９７５ｍ、又は１ｍであり得る。導管１０５０と同様、導管１２５０の内面１２６５及び縁部１２６６は、低い再結合係数を有する材料である。

図１３Ａを参照すると、別の例示的な導管１３５０が示されている。導管１３５０は、本明細書に開示される輸送システムのいずれにおいても導管として使用できる。例えば、図１３Ｂも参照すると、導管１３５０は輸送システム８００において導管８５０の代わりに使用され得る。導管１３５０は導管１０５０と同様であるが、曲率半径１３７０を有する点が異なっている。この曲率半径のため、導管１３５０は、長手方向軸１３５９を画定する線形部分１３７１と、線形部分１３７１から曲がって軸１３７３に沿って延出する湾曲部分１３７２と、を有する。曲率半径１３７０は、長手方向軸１３５９と軸１３７３との間の角度「Ａ」が０度（°）よりも大きく９０°以下であるような任意の曲率とすることができる。

導管１３５０はソース端部１３６０及び容器端部１３６１を含む。導管は、長手方向軸１３５９に対して平行な方向１３０７に沿った延出範囲１３７４を有する。延出範囲１３７４は、０．８ｍ、０．９ｍ、０．９５ｍ、０．９７５ｍ、又は１ｍであり得る。

導管１３５０は、長手方向軸１３５９と、外面１３５６と、内面１３６５と、縁部１３６６と、を画定する壁１３６７を有する。ソース端部１３６０の縁部１３６６は、１３６４の直径を有する開口１３５２を画定する。直径１３６４は例えば２．５ｃｍであり得る。壁は、複数の開口１３５４も画定する。これらの開口の各々は、ラジカル及びガスのための導管１３５０の内部と外部との間の通路を提供する。開口１３５４は異なる大きさを有し、この大きさは方向１３０７で拡大する。

導管１０５０と同様、導管１３５０の内面１３６５及び縁部１３６６は、低い再結合係数を有する材料である。

図１４Ａ及び図１４Ｂを参照すると、別の例のフリーラジカル輸送システム１４００のブロック図が示されている。フリーラジカル輸送システム１４００は、図２の流体輸送システム２０２として使用できる。図１４Ａは輸送システム１４００の側面図を示す。図１４Ｂは、図１４Ａのライン１４Ｂ−１４Ｂに沿って切り取った輸送システム１４００の断面図を示す。

輸送システム１４００は、複数の導管１４５０ａ〜１４５０ｇを含むマニホルド１４５０（図１４Ｂ）を含む。複数の導管１４５０ａ〜１４５０ｇは、フリーラジカル１４０５のソースに接続されている。いくつかの実施において、各導管１４５０ａ〜１４５０ｇは、別個のフリーラジカルソースに接続されている。ソース１４１０は、開口１４５２ａ〜１４５２ｇでそれぞれ導管１４５０ａ〜１４５０ｇに入って導管１４５０ａ〜１４５０ｇ内を方向１４０７に流れるフリーラジカル１４０５を生成する。

導管１４５０ａ〜１４５０ｇの各々は開口１４５４ａ〜１４５４ｌを有し、これらは全て、導管の壁を貫通する通路を形成し、フリーラジカル１４０５を要素１４２０の方へ解放する。このため、単一の導管を含む輸送システムに比べて、輸送システム１４００は、マニホルド１４５０を回転又は平行移動する必要なく要素１４２０のいっそう大きいエリアを洗浄できる。しかしながら、いくつかの実施では、マニホルド１４５０を回転又は平行移動させて、フリーラジカル１４０５によって洗浄される領域の大きさを更に拡大することができる。

更に、導管１４５０ａ〜１４５０ｇにおいて、開口１４５４ａ〜１４５４ｌの各々は異なる大きさであり、この大きさは方向１４０７で拡大する。これは、図８Ａ〜図８Ｃを参照して上述した導管８５０の開口８５４ａ〜８５４ｌと同様である。従って、導管１４５０ａ〜１４５０ｇはフリーラジカル１４０５を均一レートで要素１４２０に送出し、このためデブリは要素１４２０から均一レートで洗浄される。他の実施において、開口１４５４ａ〜１４５４ｌは全て同じ大きさであり得る。マニホルド１４５０は７の導管を含むが、より多いか又は少ない導管を使用することも可能である。更に、マニホルドの導管が図示するよりも多いか又は少ない開口を含むこと、及び、これらの導管が異なる数の開口を含むことも可能である。

図１５Ａを参照すると、別の例のフリーラジカル輸送システム１５００のブロック図が示されている。輸送システム１５００の図は、洗浄される要素１５２０に向かって下向きである。輸送システム１５００は、図６Ａの光源６００のようなＬＰＰ ＥＵＶ光源の一部とすることができ、そのような実施では、要素１５２０は容器１５３０の内部１５３２にある。これに加えて又はこの代わりに、フリーラジカル輸送システム１５００は図２の流体輸送システム２０２として使用できる。

輸送システム１５００は導管１５５０ａ、１５５０ｂを含み、これらはそれぞれフリーラジカルソース１５１０ａ、１５１０ｂに接続している。ソース１５１０ａ、１５１０ｂからのフリーラジカルは導管１５５０ａ、１５５０ｂ内に流入する。上述の導管１０５０と同様、導管１５５０ａ、１５５０ｂは低い再結合率を有する材料から作製される。

要素１５２０は、容器１５３０内で発生するプラズマの経路内にあることでデブリ１５２４を蓄積する表面１５２２を画定する。要素１５２０のアパーチャ１５１９に増幅光ビームを通してターゲット混合物（図示せず）を照射し、ターゲット混合物をプラズマに変換することによって、プラズマを発生させ得る。要素１５２０は例えば、プラズマが発するＥＵＶ光を受光し、この光を図１５Ａの紙面外の位置に集束させるコレクタミラーであり得る。このため、図１５Ａにおいて、増幅光ビーム及び集束ＥＵＶ光の光路は紙面外に向かう方向である（紙面内へ向かう方向１５０８とは反対である）。増幅光ビームの光路は紙面外に向かうが、アパーチャ１５１９を通過する。

図８Ａ〜図８Ｃ、図１３Ｂ、図１４Ａ、及び図１４Ｂに示されている輸送システムに比べ、輸送システム１５００の導管１５５０ａ及び１５５０ｂは光路の外側にある。輸送システム８００と同様、輸送システム１５００を用いて、要素１５２０を「その場で（ｉｎ−ｓｉｔｕ）」、すなわち要素１５２０が容器１５３０の内部にある間に、洗浄することができる。更に、輸送システム１５００は光路外にあるので、輸送システム１５００は、光源が動作中である間に使用できる。

導管１５５０ａ、１５５０ｂは、線形部分１５８０ａ、１５８０ｂ、及び湾曲部分１５８１ａ、１５８１ｂを有する。湾曲部分１５８１ａ、１５８１ｂは要素１５２０のエッジ１５２７に沿うように延出し、光路を回避している。導管１５５０ａ、１５５０ｂは、低い再結合係数を有する材料で作製され、これによってソース１５１０ａ、１５１０ｂからのフリーラジカルを容器１５３０の内部に送出する。

湾曲部分１５８１ａを更に詳しく示す図１５Ｂを参照すると、湾曲部分１５８１ａは、導管１５５０の内部から要素１５２０の方へフリーラジカル及びガスを送出する開口１５５４ａ〜１５５４ｋを画定する。開口１５５４ａ〜１０５４ｋは異なる大きさを有し、この大きさはソース１５１０ａからの距離が遠くなるにつれて拡大する。

湾曲部分１５８１ａにおいて、図１５Ｂの例に示すよりも多いか又は少ない開口を形成することも可能である。これらの開口は、図８Ａ〜図８Ｂ、図１０、図１１、及び図１２を参照して図示し記載した開口の配列のうち１つ以上と同様に配置され得る。例えば、開口１５５４ａ〜１５５４ｋの集合と同様の開口の複数の行を部分１５８１ａに形成できる。導管１５５０ｂは、フリーラジカルを要素１５２０の方へ誘導するように向けられた部分１５８１ｂにおいて同様の開口を有する。

図１６を参照すると、別の例示的なフリーラジカル輸送システム１６００が示されている。フリーラジカル輸送システム１６００は、洗浄される要素１６２０のエッジ１６２７に沿うように延出する導管１６５０を含む。図１５Ａの輸送システム１５００と同様、輸送システム１６００は、プラズマを発生するため用いられる増幅光ビーム及び／又は要素１６２０によって集束されるＥＵＶ光の光路外にある導管を含む。

輸送システム１６００は、フリーラジカルソース１６１０に結合された導管１６５０を含む。導管１５５０ａ、１５５０ｂと同様、導管１６５０は低い再結合係数を有する材料で作製され、従って、ソース１６１０によって発生されたフリーラジカルを、要素１６２０を収容した容器１６３０の内部１６３２へ輸送する。導管１６５０は、フリーラジカルを要素１６２０の方へ送る開口を画定する。

図１７を参照すると、例示的なＥＵＶ光源１７００のブロック図が示されている。光源１７００は要素洗浄システム１７０１を含む。輸送システム８００、１５００、及び１６００、及び洗浄システム２０１と同様、要素洗浄システム１７０１は光学要素を洗浄するために使用できる。図１７の例において、光学要素は、真空容器１７３０の内部１７３２にある要素１７２０である。洗浄システム２０１は、フリーラジカル１７０５によって要素１７０を「その場で」洗浄する（要素１７２０が容器１７３０の内部１７３２にある間に、要素１７２０を移動させる必要なく）。上述のように、フリーラジカルは、不対価電子又は開殻の電子殻を有し、従ってダングリング共有結合を有すると見なされ得る原子、分子、又はイオンである。ダングリングボンドは、フリーラジカルを化学的に高反応性とすることができる。すなわち、フリーラジカルは他の物質と容易に反応できる。フリーラジカルは、反応性の性質のため、物体から物質（デブリ等）を除去するために使用できる。フリーラジカルは、例えばデブリのエッチング、デブリとの反応、及び／又はデブリの燃焼によって、デブリを除去することができる。

フリーラジカル１７０５に加え、要素洗浄システム１７０１は、要素１７２０を洗浄するために、フリーラジカルを含まないガスであるガス１７７６及び１７７７も使用する。ガス１７７６及び１７７７をフリーラジカル１７０５と共に用いて、要素１７２０のいっそう迅速な洗浄を達成できる。図１７において、フリーラジカル１７０５は実線の矢印で示され、ガス１７７６及び１７７７は破線の矢印で示されている。どのようにフリーラジカル１７０５、ガス１７７６、及びガス１７７７を要素１７２０の方へ誘導するかは、１つ以上の流れパターンによって規定される。流れパターンによって、フリーラジカル１７０５、ガス１７７６、及びガス１７７７の流れの特徴を、要素１７２０がいっそう迅速に洗浄されるように変えることができる。

要素洗浄システム１７０１は、導管１７５０を介してフリーラジカル１７０５を要素１７２０の表面１７２２へ誘導するフリーラジカル輸送システム１７０２を含む。導管１７５０は光源１７００の光路外にあり、従って、要素洗浄システム１７０１は、光源１７００が動作中である間に（例えば光源１７００がＥＵＶ光１７１６を生成している間に）要素１７２０の表面１７２２を洗浄するよう動作させることができる。

導管１７５０は、例えば導管１５５０（図１５Ａ及び図１５Ｂ）又は１６５０（図１６）のいずれかとすることができ、又は、導管１７５０は別の設計を有し得る。後述する図１８Ａ及び図１８Ｂは、光源１７００において使用できる導管の一例を示す。図４Ａ〜図４Ｃに示されている導管４５０も光源１７００において使用できる。

要素洗浄システム１７０１は、制御システム１７５５及びガスソース１７１２も含む。ガスソース１７１２は、ガス１７１３（二原子分子水素（Ｈ２）ガス、ヘリウムガス（Ｈｅ）、及び／又はアルゴンガス（Ａｒ））を真空容器１７３０の内部１７３２に提供する。制御システム１７５５は、ガス１７１３の流れ及びフリーラジカル１７０５の流れを制御する。内部１７３２に入るガス１７１３は、要素１７２０の周囲の空間１７０３に流入する。ガスは、ガス１７７６及びガス１７７７として空間１７０３に流入する。

ガス１７１３及びフリーラジカル１７０５の流れは、流れパターン記憶部２４６に記憶された１つ以上の流れパターンによって指定されている。１つ又は複数の流れパターンは、ガス１７１３及びフリーラジカル１７０５の流量のような特徴を指定する情報を含む。流れパターンによって、制御システム１７５５又は光源１７００のオペレータは、ガス１７１３及びフリーラジカル１７０５の特徴を管理及び変更して、要素１７２０の洗浄を最適化することができる。

光源１７００は、ターゲット材料１７７８を真空容器１７３０の内部１７３２のターゲット位置１７０４へ送出するターゲット材料供給装置１７２７を含む。側壁１７３６は内部１７３２を画定する。光源６１５から発する増幅光ビーム６１０は、要素１７２０の側壁１７３６及びアパーチャ１７１７をｚ方向に通過してターゲット位置１７０４に至る。増幅光ビーム６１０はターゲット材料１７７８と相互作用して、ＥＵＶ光１７１６及びデブリ１７２４を放出するプラズマ１７１７を形成する。ＥＵＶ光１７１６の一部は、要素１７２０の表面１７２２によって、反射ＥＵＶ光１７１５として反射される。反射ＥＵＶ光１７１５は、真空容器１７３０からリソグラフィシステム１７９９の方へ出射する。

フリーラジカル輸送システム１７０２は、ソース１７１０と、ソース１７１０からのフリーラジカルを輸送する導管１７５０と、を含む。導管１７５０は、端部に形成された開口１７５２でソース１７１０に結合されている。ソース１７１０で発生したフリーラジカルは、開口１７５２を通って導管１７５０に流入し、導管１７５０の側壁１７５６を貫通する開口１７５４を通って導管１７５０から出る。フリーラジカル１７０５は、真空容器１７３０の内部１７３２、ソース１７１０、及び／又は導管１７５０の内部の圧力差のため、ソース１７１０から真空容器１７３０の内部１７３２へ流入できる。内部１７３２の圧力は、ソース１７１０の圧力及び導管１７５０の内部の圧力よりも低い。開口１７５４を要素１７２０の表面１７２２に向けて位置決めすることによって、開口１７５４を通って導管１７５０から出たフリーラジカル１７０５は表面１７２２の方へ誘導される。導管１７５０は、導管７５０（図７Ａ及び図７Ｂ）が作製されている材料と同様の材料で作製されている。導管７５０と同様、導管１７５０は、例えばテフロン、石英、ガラス、金属酸化物、及び／又は低い再結合率を有する材料でコーティングされた金属から作製することができる。

導管１７５０は、導管１７５０と要素１７２０との間に間隔１７９７をあけるように、内部１７３２で要素１７２０に対して位置決めされている。間隔１７９７は、ガスが通過することができる要素１７２０と導管１７５０との間の物理的な分離である。換言すると、導管１７５０の少なくとも一部は要素１７２０と物理的に接触しない。また、導管１７５０は、導管１７５０のどの部分も増幅光ビーム６１０と交差しないように位置決めされている。更に、導管１７５０は、要素１７２０の表面１７２２とプラズマ１７１７から発するＥＵＶ光１７１６との間に存在しないように位置決めされている。このようにして、要素洗浄システム１７０１は、光源１７００がＥＵＶ光１７１６を生成している間に要素１７２０を洗浄するよう動作させることができる。

図示する例において、要素１７２０は、マウント１７１８によって真空容器１７３０の内部１７３２の固定位置に保持及び支持されている。マウント１７１８は、真空容器１７３０の内部１７３２内に延出する側壁１７１９ａと、側壁１７１９ａから間隔１７９７内に延出するリップ１７１９ｂと、を有する。リップ１７１９ｂは、側壁１７１９ａから、側壁１７１９ａが延出する方向とは異なる方向に沿って延出している。図１７に示される例では、側壁１７１９ａはｚ方向に沿って延出し、リップ１７１９ｂは、ｚ方向に対して垂直であるｙ方向に沿って側壁１７１９ａの端部から離れるように延出している。

要素１７２０がマウント１７１８にある場合、側壁１７１９ａと要素１７２０との間に、及び／又は表面１７２２を含む側面以外の要素１７２０の側面上である要素１７２０の側面上に、空間１７０３が形成される。ガスソース１７１２からのガス１７１３の一部は、側壁１７１９ａと要素１７２０との間にある空間１７０３の一部を通って流れる。空間１７０３のこの部分を通って流れるガスは、図１７においてガス１７７６として示されている。

リップ１７１９ｂと側壁１７１９ａの相対的な向きが、ガス１７７６を要素１７２０の表面１７２２の方へ誘導する。リップ１７１９ｂは、側壁１７１９ａから、要素１７２０の外周１７２７のすぐ外側の位置から要素１７２０の中心部の方へ延出している。このため、ガス１７７６は、要素１７２０の外周１７２７から要素１７２０の中心部の方へ流れる。ガス１７７６を「外周ガス流」と呼ぶことができる。

また、ガスソース１７１２からのガス１７１３は、要素１７２０のアパーチャ１７１７も通って流れる。アパーチャ１７１７を通って流れるガスは、図１７の例においてガス１７７７と標示され、「アパーチャガス流」と呼ぶことができる。ガスソース１７１２は、フリーラジカルを含まないガスのソースである。図１７には１つのガスソース１７１２が示されているが、光源１７００は、真空容器１７３０の内部１７３２にガスを送出する複数のガスソースを含み得る。例えば、１つのガスソースがガス１７７５を送出し、別のガスソースがガス１７７６を送出し得る。

要素洗浄システム１７０１は制御システム１７５５も含む。制御システム１７５５は、要素１７２０に対して導管１７５０の位置を制御し、更に、ガス１７７６、ガス１７７７、及び／又はフリーラジカル１７０５の流れも制御する。例えば制御システム１７５５は、ガス１７７６、ガス１７７７、及び／又はフリーラジカル１７０５の相互の流量を調整して、表面１７２２からデブリ１７２４を除去するのに必要な時間量を短縮することができる。いくつかの実施において、制御システム１７５５は、ガス１７７６、ガス１７７７、及び／又はフリーラジカル１７０５のうち多くの１つの流れを開始又は停止して、洗浄サイクルを開始又は終了することができる。制御システム１７５５は、流れパターン記憶部１７４６の流れパターンに含まれる情報を用いて、ガス１７７６、ガス１７７７、及び／又はフリーラジカル１７０５の流れを制御できる。

図１７に示される例示的な制御システム１７５５は、導管コントローラ１７４０、流れコントローラ１７４１、電子プロセッサ１７４２、電子ストレージ１７４３、及び入出力（Ｉ／Ｏ）インタフェース１７４４を含む。導管コントローラ１７４０は、要素１７２０に対する導管１７５０の位置を制御する。導管コントローラ１７４０は、導管１７５０（及び、フリーラジカル１７０５が導管１７５０から出る開口１７５４）の位置をｘ方向、ｙ方向、及び／又はｚ方向で制御することができ、導管コントローラ１７４０は、導管１７５０及び／又は開口１７５４を要素１７２０及び表面１７２２に対して回転させることができる。例えば導管コントローラ１７４０は、ｚ方向で開口１７５４を要素１７２０に近付けることができ、又は導管コントローラ１７４０は、ｘ−ｙ面内で導管１７５０を要素１７２０に対して移動させて、フリーラジカル１７５０を１度に表面１７２２の１つの部分に誘導することができる。導管１７５０が最初に真空容器１７３０の内部１７３２に設置される際、導管１７５０が内部１７３２に設置された後、及び／又は光源１７００及びラジカル輸送システム１７０２の使用中に、導管コントローラ１７４０を用いて導管１７５０を要素１７２０及び表面１７２２に対して位置決めすることができる。

導管コントローラ１７４０は、電子的に制御されるコンポーネントを含む。例えば、ユーザ又は自動化電子プロセスによって活性化された場合に導管１７５０を移動させるステッパモータ又は他のデバイスに、導管１７５０を結合することができる。導管コントローラ１７４０は、例えば、容器１７３０の外部からアクセス可能であり光源１７００のオペレータによる導管１７５０の移動を可能とするレバー、ホイール、又は他の機械的デバイスによる手動動作のために構成されるコンポーネントを含み得る。

流れコントローラ１７４１は、フリーラジカル１７０５及びガス１７７６及び／又は１７７７の流れを制御するために用いられる。流れコントローラ１７４１は、ガス１７７６及び／又はガス１７７７の流れを測定及び／又は制御する質量流量コントローラ、及び、フリーラジカルのソース１７１０と真空容器１７３０の内部１７３２との相対圧力を制御する圧力コントローラを含み得る。質量流量コントローラはガスソース１７１２に接続され、質量流量コントローラは、入力ポート、出口ポート、質量流量センサ、及び弁を含む。質量流量コントローラは、弁を調整することでガスソース１７１２からのガスの流れを調整する。あるいは、２つの別個の質量流量コントローラ及び２つの別個の入口ガスシステム（図示せず）を用いて、ガス１７７６及びガス１７７７の質量流量を別個に制御することができる。

圧力コントローラは、フリーラジカルのソース１７１０の圧力及び内部１７３２の圧力のうち１つ以上を制御することができる。内部１７３２の圧力がソース１７１０の圧力よりも低い場合、ソース１７１０からのフリーラジカルは真空容器１７３０の内部１７３２に流入する。

いくつかの実施において、制御システム１７５５は導管コントローラ１７４０及び／又は流れコントローラ１７４１を含まない。例えばいくつかの実施において、導管１７５０は要素１７２０に対して永続的に位置決めされ、設置後又は使用中に動かされない。これらの実施では、制御システム１７５５に導管コントローラ１７４０が存在しないか、又は導管コントローラ１７４０が無効にされている可能性がある。

電子プロセッサ１７４２は、汎用又は特殊用途マイクロプロセッサのようなコンピュータプログラムの実行に適した１つ以上のプロセッサ、及び任意の種類のデジタルコンピュータの任意の１つ以上のプロセッサである。一般に、プロセッサは、読み取り専用メモリもしくはランダムアクセスメモリ又はこれら双方から命令及びデータを受信する。電子プロセッサ１７４２は、任意のタイプの電子プロセッサとすればよい。

電子ストレージ１７４３は、ＲＡＭ等の揮発性メモリ又は不揮発性メモリであり得る。いくつかの実施において、電子ストレージ１７４３は、不揮発性及び揮発性の双方の部分又はコンポーネントを含み得る。電子ストレージ１７４３は、命令をコンピュータプログラムとして記憶している可能性があり、これらの命令は実行された場合プロセッサ１７４２に制御システム１７５５内の他のコンポーネントとの通信を行わせる。例えば制御システム１７５５は、入出力インタフェース１７４４において、人のオペレータ又は自動化電子プロセスから、ガス１７７７の流量を変更することを要求する入力を受信できる。プロセッサ１７４２は、流れコントローラ１７４１にコマンドを伝達して、質量流量コントローラにガス１７７７の現在の流量を測定又は決定させ、この流量を要求された流量に合致するよう調整することができる。

電子ストレージ１７４３は、１つ以上の流れパターンを記憶している流れパターン記憶部１７４６も含む。流れパターンは、フリーラジカル１７０５、ガス１７７６、及び／又はガス１７７７の流れの特徴を記述又は規定する情報を含む。例えば流れパターンは、フリーラジカル１７０５、ガス１７７６、及びガス１７７７のいずれかの流量を流れコントローラ１７４１に調整させるのに充分な情報を含むことができる。フリーラジカル１７０５、ガス１７７６、及びガス１７７７の流量は、相互に異なる可能性がある。また、流れパターンは、特定の流れパターンに基づいてフリーラジカル１７０５、ガス１７７６、及びガス１７７７を要素１７２０の方へ誘導する時間長を指定する持続時間も含み得る。このように、１つ以上の流れパターンを用いて洗浄サイクルを規定することができる。

入出力インタフェース１７４４は、制御システム１７５５及び／又はそのコンポーネントがデータ及び信号を受信すること、及び／又はオペレータに及び／又は別の電子デバイス上で実行している自動化プロセスにデータ及び信号を提供することを可能とする、任意の種類の電子インタフェースである。例えば、入出力インタフェース１７４４はタッチスクリーン又は通信インタフェースの１つ以上を含み得る。

図１８Ａ及び図１８Ｂを参照すると、流体輸送システム１８０１の一例の上面及び側面のブロック図がそれぞれ示されている。流体輸送システム１８０１は、導管１８５０ａ及び１８５０ｂ、並びにフリーラジカルソース１８１０ａ及び１８１０ｂを含む。流体輸送システム１８０１はガスソース１８１２も含む。導管１８５０ａ、１８５０ｂは、各ソース１８１０ａ、１８１０ｂからのフリーラジカル１８０５を光学要素１８２０の表面１８２２の方へ輸送する。ガスソース１８１２は、「アパーチャガス流」として光学要素１８２０のアパーチャ１８１７を通って流れ、「外周ガス流」として光学要素１８２０の外周１８２７の周りを流れるガスを提供する。ガスソース１８１２は複数の個別のガス供給部を含み得る。例えばガスソース１８１２は、アパーチャ１８１７を通って流れるガスのための供給部、及び外周１８２７の周りを流れるガスのための別個の供給部を含むことができる。

光学要素１８２０は、増幅光ビーム（光ビーム６１０等）とターゲット材料（ターゲット材料１７７８等）との相互作用から生成されたプラズマによって発生するＥＵＶ光及びデブリの経路内に位置決めされた鏡面を有し得る。これらの実施において、光学要素１８２０はコレクタミラーと呼ばれる場合がある。要素洗浄システム１８０１は、増幅光ビームの経路外にあり、表面１８２２とプラズマが発するＥＵＶ光との間には存在しない。従って要素洗浄システム１８０１は、光学要素１８２０を含むＥＵＶ光源の使用中、及び光源がＥＵＶ光を発生している間に、使用することができる。

流体輸送システム１８０１は、図１７のコレクタミラー１７２２を洗浄するためＥＵＶ光源１７００において使用することができる。要素洗浄システム１８０１は、ＥＵＶ光源が製造される時点でＥＵＶ光源に設置され得るか、又は既存のＥＵＶ光源の改造として設置され得る導管１８５０ａ、１８５０ｂを含む。

この代わりに又はこれに加えて、流体輸送システム１８０１は、図２の流体輸送システム２０２として使用することができる。これらの実施では、導管１８５０ａ、１８５０ｂは導管２５０として使用され得る。ソース１８１０ａ、１８１０ｂ、及びガスソース１８１２は、流体供給部２１０として使用される。図２を参照して検討したように、光学システム２０３は任意のタイプの光学システムであり得る。従って、流体輸送システム１８０１はＥＵＶ光源以外の光学システムと共に使用することも可能である。これに加えて、光学システムがＥＵＶ光源である実施では、要素１８２０は、増幅光ビームとターゲット材料との相互作用により発生するプラズマの経路内にあるミラー以外の光学要素であり得る。

要素洗浄システム１８０１は、フリーラジカル１８０５、ガス１８７６、及びガス１８７７を表面１８２２に送出することによって、要素１８２０を洗浄する。ガス１８７６及び１８７７は同じ種類のガスとすることができ、更に、ガス１８７６及び１８７７はフリーラジカルを含まないガスとすることができる。ガス１８７６及び１８７７は、ガスソース１７１２（図１７）のような１つ以上のガスソースによって発生される。図１８Ａ及び図１８Ｂにおいて、フリーラジカル１８０５は実線の矢印で示され、ガス１８７６及び１８７７は破線の矢印で示されている。

光学要素１８２０はｘ−ｙ面（図１８Ａ）で円形の断面を有し、表面１８２２は図１８Ｂに示されるように湾曲している。光学要素１８２０は、光学要素１８２０をｚ方向で貫通するアパーチャ１８１７を有する。ガス１８７７はアパーチャ１８１７を通ってｚ方向に流れる。光学要素１８２０は外周１８２７も有する。外周１８２７は、光学要素１８２０の周縁部を含め、アパーチャ１８１７の中心から最も遠い光学要素１８２０の部分を含む。図１８Ａ及び図１８Ｂの例において、外周１８２７はｘ−ｙ面内で円形を有する。

要素１８２０は、側壁１８１９ａを含むマウント１８１８によって保持されている。マウント１８１８と要素１８２０の部分との間に空間１８０３が形成されている。空間１８０３は、側壁１８１９ａと要素１８２０との間にある領域１８０３ａと、要素１８２０の側面１８２３における領域１８０３ｂと、を含む。空間１８０３は、１つ以上のガスソース（図示せず）からのガス１８７６及び１８７７を受容する。いくつかの実施では、中空円錐形シュラウド６５０（図６Ａ）のような、ｚ方向にテーパ状となって開放領域を画定する側面を有するシュラウドを、空間１８０３ｂ内で側面１８２３に接触させ、シュラウドの開放領域がアパーチャ１８１７と流体連通するように配置することができる。これらの実施において、ガス１８７７は、シュラウドによって画定された開放領域を通ってｚ方向に流れた後、アパーチャ１８１７を通って流れる。

マウント１８１８は、ある角度で側壁１８１９ａから延出するリップ１８１９ｂも含む。リップ１８１９ｂは、外周１８２７とフリーラジカル１８０５を表面１８２２に送出する導管１８５０ａ、１８５０ｂの一部との間の開放領域である間隔１８９７内に延出する。リップ１８１９ｂは外周１８２７を取り囲むが、外周１８２７からｚ方向及び半径方向に変位している。換言すると、空間１８０３ａにおいてｚ方向に流れるガスはリップ１８１９ｂと相互作用し、空間１８０３ａから出て外周１８２７から表面１８２２の方へ流れる。

要素洗浄システム１８０１は、各フリーラジカルソース１８１０ａ、１８１０ｂからのフリーラジカルを要素１８２０の表面１８２２に輸送する２つの導管１８５０ａ及び１８５０ｂを含む。導管１８５０ａ、１８５０ｂは、それぞれ導管１８５０ａ、１８５０ｂの内部を画定する側壁１８５６ａ、１８５６ｂを含む。フリーラジカル１８０５が導管１８５０ａ、１８５０ｂの内部を流れることを可能とするように、導管１８５０ａ、１８５０ｂは、フリーラジカルと反応することも結合することもない材料、又は低い再結合係数（例えば約５×１０−３以下の再結合係数）を有するもので作製されている。例えば導管１８５０ａ、１８５０ｂは、テフロン、石英、又はホウケイ酸ガラス（例えばパイレックス）等のガラス、又は低い再結合係数を有する材料でコーティングされた金属で作製することができる。

導管１８５０ａ、１８５０ｂの側壁１８５６ａ、１８５６ｂは、それぞれ線形部分１８８０ａ、１８８０ｂ、及び湾曲部分１８８１ａ、１８８１ｂを含む。線形部分１８８０ａ、１８８０ｂにおいて、側壁１８５６ａ、１８５６ｂは、実質的に直線である長手方向軸に沿って延出している。線形部分１８８０ａは、線形部分１８８０ａの端部に形成された開口１８５２ａでソース１８１０ａに接続され、線形部分１８８０ｂは、線形部分１８８０ｂの端部に形成された開口１８５２ｂでソース１８１０ｂに接続されている。ソース１８１０ａ、１８１０ｂによって発生したフリーラジカルは、それぞれ開口１８５２ａ、１８５２ｂを通って線形部分１８８０ａ、１８８０ｂ内に流入する。線形部分１８８０ａの内部は湾曲部分１８８１ａの内部と流体連通し、線形部分１８８０ｂの内部は湾曲部分１８８１ｂの内部と流体連通している。このため、線形部分１８８０ａ、１８８０ｂに流入するフリーラジカルは、それぞれ湾曲部分１８８１ａ、１８８１ｂに流入することができる。

側壁１８５６ａ、１８５６ｂは湾曲部分１８８１ａ、１８８１ｂにおいて湾曲している。湾曲部分１８８１ａ、１８８１ｂは、湾曲部分１８８１ａ、１８８１ｂの内部のフリーラジカルを導管１８５０ａ、１８５０ｂから放出することを可能とする、側壁１８５６ａ、１８５６ｂを貫通する開口１８５４を含む。簡略化のため、湾曲部分１８８１ａ、１８８１ｂの各々において１つだけ開口１８５４の標示を付けている。しかしながら、湾曲部分１８８１ａ、１８８１ｂは、湾曲部分に沿って相互に中心間半径距離「ｄ」だけ離間した任意の数の開口１８５４を含み得る。開口１８５４は、例えば４．５〜６．５ミリメートル（ｍｍ）の直径を有し得る。開口１８５４は円形の断面を有し得る。２つの開口１７５４の間の距離「ｄ」は、例えば１〜１０センチメートル（ｃｍ）であり得る。

更に、開口１８５４は全て同一のサイズであるか、又は開口１８５４の大きさは様々に異なる可能性がある。例えば、フリーラジカルがソース１８１０ａ、１８１０ｂから移動する距離が長くなるにつれて開口を大きくすることができる。そのような配置によって、開口１８５４の全てから同一レートでフリーラジカル１８０５を導管１８５０ａ、１８５０ｂから放出することが可能となり得る。

いくつかの実施において、開口１８５４間の間隔「ｄ」は、湾曲部分１８８１ａ、１８８１ｂの長さに沿って様々であり得る。換言すると、間隔「ｄ」は、任意の２つの開口１８５４の間で異なる可能性がある。例えば、ソース１８１０ａ、１８１０ｂからのフリーラジカル移動距離が長くなるにつれて、開口１８５４間の間隔「ｄ」を小さくすることができる。すなわち、開口１８５４は、線形部分１８８０ａ、１８８０ｂから離れた湾曲部分１８８１ａ、１８８１ｂの部分では相互に近くする（間隔「ｄ」を小さくする）と共に、線形部分１８８０ａ、１８８０ｂに近い湾曲部分１８８１ａ、１８８１ｂの部分では相互に遠くすることができる。開口１８５４のこの構成によって、ソース１８１０ａ、１８１０ｂに対する距離とは無関係に、湾曲部分１８８１ａ、１８８１ｂの全ての単位長から同一レートでフリーラジカルを送出することができる。いくつかの実施では、湾曲部分１８８１ａ、１８８１ｂの長さ全体を通して開口１８５４の異なる穴径と異なる間隔「ｄ」の組み合わせを用いることで、ソース１８１０ａ、１８１０ｂに対する距離とは無関係に湾曲部分１８８１ａ、１８８１ｂの全ての長さから同一レートでラジカルを提供できる。

湾曲部分１８８１ａ、１８８１ｂは要素１８２０からｚ方向に変位し、湾曲部分１８８１ａ、１８８１ｂと外周１８２７との間にはガスが流れ得る空間である間隔１８９７が形成されている。図１８Ａ及び図１８Ｂに示されている構成では、湾曲部分１８８１ａ、１８８１ｂは、外周１８２７を含むｘ−ｙ面に対して平行なｘ−ｙ面内にあり、これら２つのｘ−ｙ面はｚ方向で間隔１８９７によって分離されている。しかしながら、湾曲部分１８８１ａ、１８８１ｂは、要素１８２０に対して他の構成に位置決めされ得る。これに加えて、湾曲部分１８８１ａ、１８８１ｂの一方又は双方を要素１８２０に対して移動させることで、例えば表面１８２２の特定部分の洗浄を最適化することも可能である。

図１８Ａの例において、湾曲部分１８８１ａ、１８８１ｂの各々は円の一部を形成する。湾曲部分１８８１ａ、１８８１ｂの双方によって形成される円の半径は、要素１８２０の半径と同一であるか又はこれよりも大きい。部分１８８１ａ、１８８１ｂの曲率半径は、要素１８２０の外周１８２７の曲率半径と同一であるか又はこれよりも大きい。このため、図１８Ａ及び図１８Ｂの構成のように、湾曲部分１８８１ａ、１８８１ｂが外周１８２７よりも（ｚ方向で）上方かつ外周１８２７の半径方向外側に配置されている場合、開口１８５４は、フリーラジカル１８０５が外周１８２７の近くの領域から表面１８２２の方へ半径方向内側に流れるような向きにすることができる。例えば、開口１８５４を含む湾曲部分１８８１ａ、１８８１ｂは、外周１８２７にあるか、又は外周１８２７から例えば１０〜１５センチメートル（ｃｍ）までの距離にある可能性がある。

更に、上述のように、マウント１８１８のリップ１８１９ｂは、側壁１８１８ａからある角度で間隔１８９７内に延出して、ガス１８７６を表面１８２２の方へ半径方向内側に誘導する。また、リップ１８１９ｂは、外周１８２７の（ｚ方向で）上方かつ半径方向外側にある。従って、ガス１８７６は外周１８２７から流れる。

導管１８５０ａ、１８５０ｂの構成のため、光学要素１８２０の表面１８２２が光と相互作用している間に、要素１８２０を流体輸送システム１８０１によって洗浄することができる。

図１９を参照すると、例示的なプロセス１９００のフローチャートが図示されている。プロセス１９００は、光学要素の表面からデブリを除去するために用いられる。例えばプロセス１９００は、ＥＵＶ光源の真空容器の内部にある要素からデブリを除去するために使用され得る。プロセス１９００は、要素をその動作環境から取り出す必要なく要素からデブリを除去し、光学要素の使用中に用いることができる。例えば、光学要素がＥＵＶ光源の真空容器の内部にある実施において、プロセス１９００は、ＥＵＶ光源の動作中に（例えば、ＥＵＶ光源がＥＵＶ光を生成している間に）実行できる。

プロセス１９００は、制御システム２５５（図２）の電子プロセッサ２４２によって、又は制御システム１７５５の電子プロセッサによって実行され得る。例えばプロセス１９００は、電子ストレージ２４２に記憶された、コンピュータプログラムである可能性のある命令セットであり得る。これらの命令が実行された場合、１つ以上の電子プロセッサ２４２は制御システム２５５の様々なコンポーネントを相互作用させて要素２２０を洗浄することができる。

プロセス１９００について、流体輸送システム１８０１（図１８Ａ及び図１８Ｂ）並びに制御システム２５５と関連付けて検討する。しかしながら、プロセス１９００は、要素洗浄システム１７０１（図１７）のような要素洗浄システムを含む任意のＥＵＶ光源と共に実行することができる。

第１の流れパターンにアクセスする（１９１０）。第１の流れパターンは流れパターン記憶部２４６からアクセスすることができる。第１の流れパターンは、流体流の特徴を規定するのに充分な情報を含む。第１の流れパターンは、例えば電子ファイルとして、又はコンピュータプログラムの形態の命令セットとして、流れパターン記憶部２４６に記憶することができる。第１の流れパターンは、流れパターン記憶部２４６内の複数の流れパターンから選択できる。流れパターン記憶部２４６内の様々な流れパターンの各々は、１つ以上の光学要素、デブリの種類、及び／又は光学システムに関連付けることができ、特定の流れパターンは特定の条件向けに最適化されている。従って、アクセスされる第１の流れパターンは、光学要素１８２０の形状、表面１８２２上に存在すると予想されるデブリの種類、及び／又は光学要素１８２０が使用される光学システムに基づいて、選択することができる。

アクセスされた第１の流れパターンに基づいて、フリーラジカル１８０５、ガス１８７７、及びガス１８７６のうち１つ以上を、表面１８２２の方へ誘導する（１９２０）。

第１の流れパターンは、フリーラジカル１８０５が導管１８５０ａ及び１８５０ｂの双方を流れるか、又は導管１８５０ｂの１つのみを流れるかを指示する。第１の流れパターンによってフリーラジカル１８０５が導管１８５０ａ、１８５０ｂのうち一方のみを流れることが指示される場合、第１の流れパターンは、どちらの導管でフリーラジカル１８０５が流れるかを指示する。更に、第１の流れパターンによってフリーラジカル１８０５が導管１８５０ａ及び１８５０ｂを流れることが指示される場合、第１の流れパターンは、各導管におけるフリーラジカル１８０５の流量を指示する。各導管１８０５ａ、１８０５ｂにおける流量は、相互に同一であるか又は相互に異なる可能性がある。第１の流れパターンによってフリーラジカル１８０５が双方の導管１８５０ａ、１８５０ｂ内を同時にかつ異なるレートで流れることが指示される例では、第１の流れパターンは、導管１８５０ａ、１８５０ｂにおける相対的な流量を、例えば比によって指示することができる。

フリーラジカル１８０５は、それぞれ開口１８５２ａ、１８５２ｂで導管１８０５ａ、１８０５ｂに結合されているソース１８１０ａ、１８１０ｂによって発生される。ソース１８１０ａ、１８１０ｂはマイクロ波プラズマ発生器であり得る。そのようなソースによってフリーラジカルを生成するため、ソース１８１０ａ、１８１０ｂには、フリーラジカルが形成されるガスが提供される。例えば、水素ラジカルを生成するため水素ガス（Ｈ_２）が提供される。ソース１８１０ａ、１８１０ｂにガスを提供する前に、このガスに追加ガスが提供され得る。例えば、水素ガスに、アルゴンと酸素の混合物（Ａｒ／Ｏ_２）が追加され得る。水素ガス及び追加ガス混合物は双方とも、ソース１８１０ａ、１８１０ｂに提供される場合、ある質量流量及び速度を有する。例えば、水素ガスは３標準リットル／分（ＳＬＭ）の質量流量でソース１８１０ａ、１８１０ｂに提供され、Ａｒ／Ｏ_２混合物は２１標準立法センチメートル／分（ＳＣＣＭ）の質量流量でソースに提供され得る。

第１の流量は、ソース１８１０ａ、１８１０ｂが例えば３〜１５ＳＬＭの質量流量を設定するのに充分な情報を含み得る。更に、ソース１８１０ａ、１８１０ｂは、導管１８５０ａ、１８５０ｂの流量が異なるよう別個に制御することができる。例えば、導管１８５０ａ内のフリーラジカル１８０５の流量は３ＳＬＭであり、導管１０５０ｂ内のフリーラジカル１８０５の流量は１５ＳＬＭであり得る。

第１の流れパターンは、フリーラジカル１８５０の流れの方向も指示することができる。フリーラジカル１８０５は、開口１８５４を表面１８２２に対して向けることによって表面１８２２に誘導される。例えば、開口１８５４を外周１８２７の近くに配置し、開口１８５４を表面１８２２の中心の方へ向けることによって、フリーラジカル１８０５を要素１８２０の外周領域から誘導することができる。導管１８５０ａ及び／又は１８５０ｂは要素１８２０の外周１８２７に配置されるか、又は、導管１８５０ａ及び／又は１８５０ｂはｚ方向で外周１８２７よりも上方に配置され得る（図１８Ａ及び図１８Ｂ）。例えば、導管１８５０ａ及び１８５０ｂの一方又は双方は、外周１８２７を含むｘ−ｙ面から（図１８Ａ及び図１８Ｂに示されているｚ方向で）１〜１０ｃｍ上方に位置決めされ得る。そのような構成において、フリーラジカル１８０５は、要素１８２０の外縁から要素１８２０の中心の方へ流れる。

第１の流れパターンは、導管１８５０ａ、１８５０ｂの一方又は双方を表面１８２２に対して移動させるのに充分な情報によって、フリーラジカル１８５０の流れの方向を指示することができる。導管１８５０ａ、１８５０ｂは、平行移動、回転によって、又はｚ方向に（図１８Ａ及び図１８Ｂ）、移動させることができる。導管１８５０ａ及び１８５０ｂは相互に独立して移動させることができる。従って、第１の流れパターンは、導管コントローラ２４０（図２）に適用された場合に導管１８５０ａ及び／又は１８５０ｂを移動させて導管１８５０ａ、１８５０ｂからフリーラジカル１８０５を異なる方向に流れさせる情報を含み得る。

フリーラジカル１８０５に加えて、ガス１８７７及びガス１８７６も、アクセスされた第１の流れパターンに基づいて表面１８２２の方へ誘導することができる。フリーラジカル１８０４、ガス１８７７（アパーチャ１８１７を通って流れる）、及びガス１８７６（アパーチャ１８２７の周りを流れる）は、第１の流れパターンによって異なる流量で誘導され得る。例えば、第１の流れパターンに含まれる情報は、流れコントローラ２４１がガス供給部１８１２（複数の別個のガス供給部を含み得る）を制御してガス１８７７及びガス１８７６の流量を設定又は調整するのに充分なものであり得る。ガス１８７７及びガス１８７６の流量は独立して制御可能であり、また、フリーラジカル１８０５の流量とは別個に制御できる。例えば、フリーラジカル１８０５の流量は３〜１５ＳＬＭであり、ガス１８７６の流量は例えば０〜９０ＳＭＬであり、ガス１８７７の流量は例えば０〜９０ＳＬＭであり得る。

このように、上述の例においてフリーラジカル１８０５は、２つの異なる導管すなわち導管１８５０ａ及び１８５０ｂを通って流れる。導管１８５０ａ及び１８５０ｂは各々、要素１８２０への流体経路を提供する。ガス１８７６及びガス１８７７も、２つの異なる経路を通って流れる。ガス１８７６はアパーチャ１８１７を通って流れ、ガス１８７６は外周１８２７の周りを流れる。ガス１８７６及びガス１８７７が流れる経路は、フリーラジカル１８０５が流れる経路と空間的に一致していない。

更に、第１の流れパターンは、フリーラジカル１８０５、ガス１８７６、及び／又はガス１８７７が要素１８２０の方へ誘導される持続時間も指示することができる。例えば、第１の流れパターンは、フリーラジカル１８０５、ガス１８７６、及びガス１８７７が、３０分〜２時間にわたって特定の流量で特定の方向に表面１８２２の方へ誘導されることを指示し得る。

フリーラジカル１８０５、ガス１８７６、及びガス１８７７は、表面１８２２に対して流れ、表面上にあるデブリを移動させ得る。フリーラジカル１８０５、ガス１８７６、又はガス１８７７によって除去されないデブリの一部は、表面１８２２の他の部分へ輸送される。表面１８２２には停滞領域が形成され得る。停滞領域は、流体が流れない表面１８２２の領域である。停滞領域の位置は、フリーラジカル１８０５、ガス１８７６、及び／又はガス１８７７の流れの特徴（例えば流量、方向、及び流体の種類）によって決定される。

特定の時点で表面１８２２には２つ以上の停滞領域が存在し得る。停滞領域には、輸送されたデブリの比較的大きい部分がトラップされる。停滞領域を表面１８２２上の別の位置へ移動させると、流体は、最初の停滞領域が形成された位置を通って流れることができる。このようにして、最初の停滞領域に蓄積されたデブリを、最初の停滞領域から（更に、場合によっては表面１８２２全体から）除去できる。停滞領域は、流れパターンを変更することによって移動させることができる。

第２の流れパターンにアクセスする（１９３０）。第２の流れパターンは、流れパターン記憶部２４６に記憶されている別の流れパターンである。第２の流れパターンは、第１の流れパターンに含まれる種類の情報と同様の情報を含むが、情報の少なくとも１つの態様（ａｓｐｅｃｔ）が第１の流れパターン内の情報とは異なる。例えば、第２の流れパターンではガス１８７７の流れが第１の流れパターンとは異なる流量であることが指示される点を除いて、第２の流れパターンに含まれる情報は第１の流れパターンに含まれる情報と同一であり得る。

アクセスされた第１の流れパターンに基づいて、フリーラジカル１８０５、ガス１８７６、及びガス１８７７のうち１つ以上を表面１８２２の方へ誘導する（１９４０）。フリーラジカル１８０５、ガス１８７６、及び／又はガス１８７７が第２の流れパターンに基づいて要素１８２０の方へ誘導されると、表面１８２２上の異なる位置に第２の停滞領域が形成される。第２の停滞領域は異なる位置にあるので、流体は、第１の停滞領域が形成された表面１８２２上の位置に流れ込み、この位置を通り抜ける。これによって第１の停滞領域からデブリを除去することができる。デブリは、フリーラジカル１８０５と反応又は結合することによって、ガス１８７６及び／又はガス１８７７の物理的な力によって、又はこれらの機構の組み合わせによって、第１の停滞領域から除去され得る。

図１９の例では、流れパターン記憶部２４６から２つの流れパターンにアクセスすることを述べたが、いくつかの実施における洗浄サイクルは、最小限の重大度の停滞領域を形成する１つだけの流れパターンを含み、この流れパターンを洗浄サイクル全体を通して使用できるようになっている。

他の実施も以下の特許請求の範囲の範囲内である。

例えば、導管１８５０ａ、１８５０ｂ（図１８Ａ及び図１８Ｂ）の湾曲部分１８８１ａ、１８８１ｂの曲率半径は、要素１８２０の外周１８２７の曲率半径とは異なる可能性がある。湾曲部分１８８１ａ、１８８１ｂによって形成される円又は部分的な円の半径は、要素１８２０の半径よりも小さい場合がある。これらの実施では、湾曲部分１８８１ａ、１８８１ｂは、（ｚ方向で）要素１８２０よりも上方であるが外周１８２７の半径方向内側に位置決めされ得る。

要素洗浄システム１８０１は、円又は円の一部である単一の湾曲部分を備えた１つの導管を含むことも可能である。要素洗浄システム１８０１は３つ以上の導管を含み、これらが相互に近接して配置された場合、要素の外周の形状と同じ形状を有することも可能である。要素洗浄システム１８０１の各導管を別個のフリーラジカルソースに接続するか、又は、２つ以上の導管を単一のフリーラジカルソースに接続することができる。

ソース７１０、８１０、１５１０ａ、１５１０ｂ、１６１０、１７１０、１８１０ａ、及び１８１０ｂ等、上述したフリーラジカルソースは、それぞれの真空容器の外側にあるものとして図示されている。しかしながら、いくつかの実施において、フリーラジカルソースは真空容器の内側に配置することができる。

いくつかの例において、ソース１８１０ａ、１８１０ｂは、約１ミリバール（ｍｂａｒ）よりも大きい水素圧力、５キロワット（ｋＷ）以上のマイクロ波パワー、２０ＳＬＭよりも大きい水素ガスの質量流量で動作させることができる。これらの動作条件下では、水素ガスの比較的大きい部分（例えば３０％以上）が水素ラジカルに解離し、この水素ラジカルを導管１８５０ａ、８５０ｂによって輸送できる。そのような動作条件を、導管１８５０ａ、１８５０ｂの開口１８５４の配置及び幾何学的形状と組み合わせて、例えば１メートル／秒（ｍ／ｓ）以上の速度で水素ラジカルを提供することができる。

導管４５０ａ、４５０ｂ、１８５０ａ、及び１８５０ｂに加えて、導管２５０（図２）は、導管７５０、８５０、１０５０、１１５０、１２５０、１３５０、１４５０、１０５０ａ、１０５０ｂ、１１５０ａ、１１５０ｂ、及び１２５０のうち任意のものであり得る。

Claims (12)

1. 第１の流れパターンに基づいて光学要素の表面の方へ流体を誘導することであって、前記表面はデブリを含み、前記第１の流れパターンに基づいて誘導される前記流体は前記デブリの少なくとも一部を前記光学要素の表面上の第１の停滞領域へ移動させることと、
   第２の流れパターンに基づいて前記光学要素の前記表面の方へ前記流体を誘導することであって、前記第２の流れパターンに基づいて誘導される前記流体は前記デブリの少なくとも一部を前記光学要素の前記表面上の第２の停滞領域へ移動させ、前記第２の停滞領域と前記第１の停滞領域は前記光学要素の前記表面における異なる位置を含むことと、
   を含み、
   前記第２の流れパターンに基づいて前記光学要素の方へ前記流体を誘導することは、前記デブリの少なくとも一部を前記第１の停滞領域から除去する、方法。
2. 前記第１及び第２の流れパターンは、前記光学要素の前記表面に向かう前記流体の流れを示すのに充分な情報を含み、
   前記情報は、前記光学要素の前記表面に対する前記流体の流量、空間分布、及び前記流体が前記光学要素の前記表面の方へ誘導される時間期間のうち１つ以上を含む、請求項１に記載の方法。
3. 前記流体は、ガスを含む、請求項１に記載の方法。
4. 前記流体は、フリーラジカルを含む、請求項３に記載の方法。
5. 前記デブリは、材料を含み、
   前記フリーラジカルは、前記材料と結合又は反応する、請求項４に記載の方法。
6. 前記フリーラジカルは、前記材料の燃焼、前記材料のエッチング、又は前記材料との反応のうち１つを介して、前記材料と結合又は反応し、これによって前記材料を前記表面から除去する、請求項５に記載の方法。
7. 前記第１の流れパターンに基づいて前記流体を誘導することは、前記流体を第１の流量で前記光学要素の前記表面の方へ誘導することを含み、
   前記第２の流れパターンに基づいて前記流体を誘導することは、前記流体を第２の流量で前記光学要素の前記表面の方へ誘導することを含む、請求項１に記載の方法。
8. 前記第１の流れパターンに基づいて前記流体を誘導することは、前記流体を第１の流量及び第１の方向のうち１つ以上で前記光学要素の前記表面の方へ誘導することを含み、
   前記第２の流れパターンに基づいて前記流体を誘導することは、前記流体を第２の流量及び第２の方向のうち１つ以上で前記光学要素の前記表面の方へ誘導することを含む、請求項１に記載の方法。
9. 前記第１の流れパターンに基づいて前記流体を前記表面の方へ誘導することは、前記光学要素の第１の側に対して位置決めされた第１の導管を通して第１の流量で、及び、前記光学要素の第２の側に対して位置決めされた第２の導管を通して第２の流量で、前記流体を前記光学要素の前記表面の方へ誘導することを含み、
   前記第２の流れパターンに基づいて前記流体を前記表面の方へ誘導することは、前記第１の導管を通して第３の流量で及び前記第２の導管を通して第４の流量で前記流体を前記光学要素の前記表面の方へ誘導することを含む、請求項１に記載の方法。
10. 前記第１の流量及び前記第２の流量は、相互に異なる、請求項９に記載の方法。
11. 前記第１の停滞領域及び前記第２の停滞領域は、前記要素の表面における重複していない領域である、請求項１に記載の方法。
12. 前記第１の停滞領域及び前記第２の停滞領域は、前記要素の表面における部分的に重複した領域である、請求項１に記載の方法。
    

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