JP2013517588A - 磁気トンネル接合に加えられる電流の方向を制御するためのシステムおよび方法 - Google Patents
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- H10N50/00—Galvanomagnetic devices
- H10N50/10—Magnetoresistive devices
Abstract
Description
104 参照回路
106 スイッチ
108 磁気トンネル接合(MTJ)記憶素子
110 PMOS負荷デバイス
112 クランプトランジスタ
114 第1の経路
116 第2の経路
118 第1の電流方向選択トランジスタ
120 第2の電流方向選択トランジスタ
122 第1の選択信号
124 第2の選択信号
132 第2のプリチャージトランジスタ
134 第1のプリチャージトランジスタ
136 第2のプリチャージ信号
138 第1のプリチャージ信号
139 MTJセル
140 ビット線
141 フリー層
142 ソース線
143 トンネル層
146 ピン止め層
160 出力
200 経路選択回路
202 選択信号
204 第2の経路選択回路
206 第1の経路選択回路
208 読み取り信号
210 書き込み信号
212 NANDゲート
214 インバータ
236 第2のプリチャージ信号
238 第1のプリチャージ信号
402 メモリアレイの複数のメモリセル
600 ワイヤレス通信デバイス
610 DSP
626 ディスプレイコントローラ
628 ディスプレイ
630 入力デバイス
632 メモリ
634 ソフトウェア
634 CODEC
636 スピーカー
638 マイクロフォン
640 ワイヤレスコントローラ
642 ワイヤレスアンテナ
644 電源
664 MTJ読み取り電流方向制御回路
702 物理的なデバイス情報
706 研究用コンピュータ
712 ライブラリファイル
714 設計用コンピュータ
720 EDAツール
722 回路設計情報
726 GDSIIファイル
742 PCB設計情報
752 GERBERファイル
762 電子デバイス1
Claims (42)
- 磁気トンネル接合(MTJ)記憶素子と、
第1の経路、第2の経路、および参照回路に結合されるセンス増幅器と
を含み、
前記第1の経路が、第1の電流方向選択トランジスタを含み、前記第2の経路が、第2の電流方向選択トランジスタを含み、
前記第1の経路が、前記MTJ記憶素子のビット線に結合され、前記第2の経路が、前記MTJ記憶素子のソース線に結合される、装置。 - 前記MTJ記憶素子が、複数のMTJ素子を含む、請求項1に記載の装置。
- 読み取り動作の間の電流の方向が、前記第1の電流方向選択トランジスタおよび前記第2の電流方向選択トランジスタに加えられる選択信号に基づいて選択される、請求項1に記載の装置。
- 前記ビット線と前記ソース線の間の前記電流の前記方向が選択可能である、請求項3に記載の装置。
- 前記第1の電流方向選択トランジスタが、前記電流が第1の選択信号に応答して前記第1の経路を流れるのを可能にし、前記第2の電流方向選択トランジスタが、前記電流が第2の選択信号に応答して前記第2の経路を流れるのを可能にする、請求項3に記載の装置。
- 前記第1の経路が選択された場合、前記電流が第1のプリチャージトランジスタを流れ、前記第2の経路が選択された場合、前記電流が第2のプリチャージトランジスタを流れる、請求項5に記載の装置。
- 前記第1のプリチャージトランジスタが第1のプリチャージ信号に応答し、前記第2のプリチャージトランジスタが第2のプリチャージ信号に応答する、請求項6に記載の装置。
- pチャネル金属酸化膜半導体(PMOS)トランジスタをさらに含む、請求項7に記載の装置。
- 前記電流の前記方向が、平行電流の方向である、請求項3に記載の装置。
- 前記電流の前記方向が、反平行電流の方向である、請求項3に記載の装置
- 前記MTJ記憶素子が、前記ビット線および前記ソース線のうちの1つに結合されるフリー層を含む、請求項1に記載の装置。
- 前記MTJ記憶素子が、磁気抵抗ランダムアクセスメモリ(MRAM)回路またはスピントルク注入MRAM(STT-MRAM)回路を含む、請求項1に記載の装置。
- 前記ビット線および前記ソース線が、メモリアレイの複数のメモリセルに結合される、請求項1に記載の装置。
- 少なくとも1つの半導体ダイに組み込まれる、請求項1に記載の装置。
- セットトップボックス、音楽プレーヤー、ビデオプレーヤー、娯楽ユニット、ナビゲーションデバイス、通信デバイス、携帯情報端末(PDA)、固定式の位置データユニット、およびコンピュータからなる群から選択されるデバイスをさらに含み、前記デバイスに前記センス増幅器が組み込まれる、請求項1に記載の装置。
- メモリデバイスの磁気トンネル接合(MTJ)セルに加えられることになる電流の方向を制御する方法であって、
読み取り動作の間に、前記MTJセルに結合される第1の電流経路の中のスイッチを動作させるステップ
を含み、前記スイッチが動作すると、電流が選択された方向に前記MTJセルを流れる、方法。 - 前記第1の電流経路の電圧を感知して、前記MTJセルに関連付けられる読み取りデータ値を検出するステップをさらに含む、請求項16に記載の方法。
- 前記第1の電流経路の前記電圧が、センス増幅器により感知される、請求項16に記載の方法。
- 前記現センス増幅器が前記MTJセルに応答する、請求項18に記載の方法。
- 前記電流が読み取り電流である、請求項16に記載の方法。
- 前記電流が、前記MTJセルのビット線から前記MTJセルのソース線に、第1の方向に前記MTJセルを流れ、前記第1の方向が前記選択された方向である、請求項16に記載の方法。
- 前記電流が、前記MTJセルのソース線から前記MTJセルのビット線に、第2の方向に前記MTJセルを流れ、前記第2の方向が前記選択された方向である、請求項16に記載の方法。
- 前記電流の前記方向が、前記スイッチを動作させたことに応答して、第1の方向から前記選択された方向に変更される、請求項16に記載の方法。
- 前記スイッチが、第1の電流方向選択トランジスタおよび第2の電流方向選択トランジスタを含む、請求項23に記載の方法。
- 前記第1の電流方向選択トランジスタが第1の電流選択信号を受け取った場合、前記電流が前記第1の電流方向に流れ、前記第2の電流方向選択トランジスタが第2の電流選択信号を受け取った場合、前記電流が前記第2の電流方向に流れる、請求項24に記載の方法。
- 前記スイッチを動作させるステップが、電子デバイスに組み込まれたプロセッサにより実行される、請求項16に記載の方法。
- 読み取り動作の間に、MTJセルの読み取り電流の方向を制御するための手段と、
前記読み取り動作の間に電圧を感知して、前記MTJセルに関連する読み取りデータ値を検出するための手段と
を含む、装置。 - 少なくとも1つの半導体ダイに組み込まれる、請求項27に記載の装置。
- セットトップボックス、音楽プレーヤー、ビデオプレーヤー、娯楽ユニット、ナビゲーションデバイス、通信デバイス、携帯情報端末(PDA)、固定式の位置データユニット、およびコンピュータからなる群から選択されるデバイスをさらに含み、前記デバイスに前記MTJセルが組み込まれる、請求項27に記載の装置。
- 読み取り動作の間に、MTJセルに結合される第1の電流経路の中のスイッチを動作させるための第1のステップであって、前記スイッチが動作すると、電流が選択された方向に前記MTJセルを流れる、ステップと、
前記第1の電流経路の電圧を感知して、前記MTJセルに関連する読み取りデータ値を検出するための第2のステップ
をさらに含む、方法。 - 前記第1のステップおよび前記第2のステップが、電子デバイスに組み込まれたプロセッサにより実行される、請求項30に記載の方法。
- コンピュータにより実行可能な命令を記録するコンピュータ可読記録媒体であって、前記命令が、
読み取り動作の間に、MTJセルに結合される第1の電流経路の中のスイッチを動作させるための、前記コンピュータにより実行可能な命令
を含み、前記スイッチが動作すると、電流が選択された方向に前記MTJセルを流れ、
センス増幅器が、前記第1の電流経路の電圧を感知して、前記MTJセルに関連する読み取りデータ値を検出するように構成される、コンピュータ可読記録媒体。 - 前記命令が、セットトップボックス、音楽プレーヤー、ビデオプレーヤー、娯楽ユニット、ナビゲーションデバイス、通信デバイス、携帯情報端末(PDA)、固定式の位置データユニット、および前記コンピュータからなる群から選択されるデバイスに組み込まれるプロセッサにより実行可能な、請求項32に記載のコンピュータ可読記録媒体。
- 半導体デバイスの少なくとも1つの物理的な特性を表す設計情報を受け取るステップであって、前記半導体デバイスが回路を含み、前記回路が、
磁気トンネル接合(MTJ)記憶素子と、
第1の経路、第2の経路、および参照回路に結合されるセンス増幅器と
を含み、
前記第1の経路が、第1の電流方向選択トランジスタを含み、前記第2の経路が、第2の電流方向選択トランジスタを含み、
前記第1の経路が、前記MTJ記憶素子のビット線に結合され、前記第2の経路が、前記MTJ記憶素子のソース線に結合される、ステップと、
前記設計情報を変換してファイルフォーマットに適合させるステップと、
前記変換された設計情報を含むデータファイルを生成するステップと
を含む、方法。 - 前記データファイルがGDSIIフォーマットを含む、請求項34に記載の方法。
- 半導体デバイスに対応する設計情報を含むデータファイルを受け取るステップと、
前記設計情報に従って、前記半導体デバイスを製造するステップであって、前記半導体デバイスが、
磁気トンネル接合(MTJ)記憶素子と、
第1の経路、第2の経路、および参照回路に結合されるセンス増幅器と
を含み、
前記第1の経路が、第1の電流方向選択トランジスタを含み、前記第2の経路が、第2の電流方向選択トランジスタを含み、
前記第1の経路が、前記MTJ記憶素子のビット線に結合され、前記第2の経路が、前記MTJ記憶素子のソース線に結合される、ステップと
を含む、方法。 - 前記データファイルがGDSIIフォーマットを含む、請求項36に記載の方法。
- パッケージングされた半導体デバイスの回路基板上での物理的な位置情報を含む設計情報を受け取るステップであって、前記パッケージングされた半導体デバイスが半導体構造を含み、前記半導体構造が、
磁気トンネル接合(MTJ)記憶素子と、
第1の経路および第2の経路に結合されるセンス増幅器と
を含み、
前記第1の経路が、第1の電流方向選択トランジスタを含み、前記第2の経路が、第2の電流方向選択トランジスタを含み、
前記第1の経路が、前記MTJ記憶素子のビット線に結合され、前記第2の経路が、前記MTJ記憶素子のソース線に結合される、ステップと、
前記設計情報を変換して、データファイルを生成するステップと
を含む、方法。 - 前記データファイルがGERBERフォーマットを含む、請求項38に記載の方法。
- パッケージングされた半導体デバイスの回路基板上での物理的な位置情報を含む設計情報を含むデータファイルを受け取るステップと、
前記設計情報に従って、前記パッケージングされた半導体デバイスを受け取るように構成された前記回路基板を製造するステップであって、前記パッケージングされた半導体デバイスが、
磁気トンネル接合(MTJ)記憶素子と、
第1の経路および第2の経路に結合されるセンス増幅器と
を含み、
前記第1の経路が、第1の電流方向選択トランジスタを含み、前記第2の経路が、第2の電流方向選択トランジスタを含み、
前記第1の経路が、前記MTJ記憶素子のビット線に結合され、前記第2の経路が、前記MTJ記憶素子のソース線に結合される、ステップと
を含む、方法。 - 前記データファイルがGERBERフォーマットを含む、請求項40に記載の方法。
- 前記回路基板を、セットトップボックス、音楽プレーヤー、ビデオプレーヤー、娯楽ユニット、ナビゲーションデバイス、通信デバイス、携帯情報端末(PDA)、固定式の位置データユニット、およびコンピュータからなる群から選択されるデバイスに組み込むステップをさらに含む、請求項40に記載の方法。
Applications Claiming Priority (3)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
US12/687,310 US8208291B2 (en) | 2010-01-14 | 2010-01-14 | System and method to control a direction of a current applied to a magnetic tunnel junction |
US12/687,310 | 2010-01-14 | ||
PCT/US2011/021380 WO2011088378A1 (en) | 2010-01-14 | 2011-01-14 | System and method to control a direction of a current applied to a magnetic tunnel junction |
Publications (2)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JP2013517588A true JP2013517588A (ja) | 2013-05-16 |
JP5490259B2 JP5490259B2 (ja) | 2014-05-14 |
Family
ID=44258407
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP2012549133A Expired - Fee Related JP5490259B2 (ja) | 2010-01-14 | 2011-01-14 | 磁気トンネル接合に加えられる電流の方向を制御するためのシステムおよび方法 |
Country Status (7)
Country | Link |
---|---|
US (1) | US8208291B2 (ja) |
EP (1) | EP2524375B1 (ja) |
JP (1) | JP5490259B2 (ja) |
KR (2) | KR101425121B1 (ja) |
CN (1) | CN102714053B (ja) |
TW (1) | TW201203240A (ja) |
WO (1) | WO2011088378A1 (ja) |
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-
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- 2011-01-14 JP JP2012549133A patent/JP5490259B2/ja not_active Expired - Fee Related
- 2011-01-14 TW TW100101559A patent/TW201203240A/zh unknown
- 2011-01-14 KR KR1020127021385A patent/KR101425121B1/ko active IP Right Grant
- 2011-01-14 CN CN201180006124.5A patent/CN102714053B/zh active Active
- 2011-01-14 EP EP11702314.3A patent/EP2524375B1/en active Active
- 2011-01-14 KR KR1020137029988A patent/KR101424669B1/ko active IP Right Grant
- 2011-01-14 WO PCT/US2011/021380 patent/WO2011088378A1/en active Application Filing
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CN102714053A (zh) | 2012-10-03 |
KR101424669B1 (ko) | 2014-08-01 |
EP2524375B1 (en) | 2016-05-25 |
JP5490259B2 (ja) | 2014-05-14 |
WO2011088378A1 (en) | 2011-07-21 |
KR101425121B1 (ko) | 2014-07-31 |
EP2524375A1 (en) | 2012-11-21 |
KR20130139368A (ko) | 2013-12-20 |
TW201203240A (en) | 2012-01-16 |
US8208291B2 (en) | 2012-06-26 |
CN102714053B (zh) | 2015-05-27 |
US20110170338A1 (en) | 2011-07-14 |
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Legal Events
Date | Code | Title | Description |
---|---|---|---|
A977 | Report on retrieval |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A971007 Effective date: 20130828 |
|
A131 | Notification of reasons for refusal |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A131 Effective date: 20130903 |
|
A601 | Written request for extension of time |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A601 Effective date: 20131203 |
|
A602 | Written permission of extension of time |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A602 Effective date: 20131210 |
|
A521 | Request for written amendment filed |
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|
TRDD | Decision of grant or rejection written | ||
A01 | Written decision to grant a patent or to grant a registration (utility model) |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A01 Effective date: 20140128 |
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