JP2013507784A - CdTe/CdS型薄膜太陽電池に使用するCdTe薄膜の活性化方法 - Google Patents

CdTe/CdS型薄膜太陽電池に使用するCdTe薄膜の活性化方法 Download PDF

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Abstract

CdTe/CdS型薄膜太陽電池に使用されるCdTe薄膜の活性化方法であって、フッ素非含有塩素化炭化水素および塩素非含有フッ素化炭化水素ガスにより形成される混合物でCdTe膜が処理され、前記化合物は共にオゾン層に無害なものである方法。特に、塩素化炭化水素は1−クロロブタン、1,1,2−トリクロロエチレンまたはジクロロメタンであり、フッ素化炭化水素は1,1,1,2−テトラフルオロエタン、トリフルオロメタンまたは1,1−ジフルオロメタンである。

Description

本発明は、一般にCdTe/CdS型薄膜太陽電池の製造分野に関し、より詳しくは、この型の太陽電池での適用に適したCdTe薄膜の活性化方法に関する。
CdTe/CdS型薄膜太陽電池が16.5%の効率に到達できることが、実験室規模で実証されている[X. Wu, Solar Energy 77, 803(2004)]。しかしながら、そのような高い効率を得るために、かなり複雑な方法と、かなり高価な「アルカリ非含有」のガラス基板が使用された。経済的な「ソーダ石灰」ガラスを使用する簡単な方法では、15.8%の効率を有するCdTe/CdS型薄膜太陽電池を製造することが可能である[N. Romeo et al, Solar Energy 77, 795(2004)]。
いずれの場合も、そのような高効率の値は、塩素含有雰囲気中、380〜420℃に含まれる温度でCdTeを処理した場合にのみ得られる。この処理(以下、活性化処理と記す)は、一方では、CdTeの結晶粒の大きさを増大させ、かつ粒界を不動態化させて、その結晶品質を向上させ、他方では、CdSの一部とCdTeとの混合を引き起こし、CdTe中で表面受容体準位にあるClを伴うCd空孔(VCd)を導入することにより、CdTeにpドーピングする。
一般に、活性化処理は次の反応により行われる。
CdTe(固体)+2Cl(気体) TeCl(気体)+CdCl(気体)
この方法で、比較的結合力の弱いCdTeのより小さい粒子は気相へ移り、再固化により、より大きい粒子の大きさを増大させる。
CdTe膜の活性化処理に必要な塩素の供給のための異なる方法がある。
最も一般的な方法は、CdClおよびメタノールで飽和した溶液中にCdTeを浸漬し、CdTe上にCdClを堆積させる方法である。その後、2枚の重なり合った層を加熱炉に入れ、380〜420℃の温度に加熱し、この温度に10〜30分間置く。この処理の終わりに、Br−メタノール中、またはHNO−HPOの酸混合物中でエッチングを行い、残留CdClおよびCdTe表面に生成の可能性がある酸化物を除去する必要がある。さらに、エッチング処理は、CdTe上に良好な電気接点を形成するために必要であるTeに富む表面を作り出す機能も有している[D. Bonnet, Thin Solid Films, 361-362 (2000) 547-552]。
CdTeの上方での真空蒸発によりCdClを蒸着させ、前述の方法を実施するという別の方法もある。
あるいは、CdTe表面に酸化物が生成するのを避けるため、不活性ガス中で処理が行われる[N. Romeo et al, Proc. 21st European Photovoltaic Solar Energy Conference 4-8 Sept. 2006, Dresden, Germany, pp. 1806-1809]。
HClまたはClの類の刺激性ガスを使用することによってClを供給するさらに別の方法もある[T. X. Zhou et al., Proc. of the 1st WCPEC (1994), pgs. 103-106]。しかしながら、これらの刺激性ガスは、貯蔵および取扱い上の問題を引き起こすので、工業施設での使用を避けることが好ましい。
最後になるが、国際公開第2006/085348号には、毒性のないCl含有不活性ガスを使用する方法が記載されている。これらのガスは、ジフルオロクロロメタン(HCFCl)などのフレオン類に属する。これらのガスは毒性も刺激性もないが、オゾン層の減少をもたらすため、2010年中に禁止されるであろう。
本発明の目的は、オゾン層に無害で、不活性かつ無毒の製品を使用することにより、CdTe/CdS型薄膜太陽電池の製造プロセスで使用することができる、CdTe薄膜の活性化方法を提供することにある。
本発明の他の目的は、外部からCdClまたはHClを直接供給せずに、CdTe膜の処理に適した十分な量の塩素およびフッ素を供給する、上記方法を提供することにある。
これらの目的は、CdTe/CdS型薄膜太陽電池の製造プロセスにおけるCdTe薄膜の活性化方法であって、フッ素非含有塩素化炭化水素および塩素非含有フッ素化炭化水素により形成される混合物でCdTe膜を処理する方法により達成される。
本発明の目的に適したフッ素非含有塩素化炭化水素として、特に、次の表に挙げたものを使用することができる。
Figure 2013507784
本発明で対象の高級アルカンのトリクロロ誘導体は、アルカン(C2n+2、n<17)の炭化水素誘導体であって、3個の水素原子が3個の塩素原子で置換されているもの(C2n−1Cl)である。
本発明で対象の高級アルケンのトリクロロ誘導体は、アルケン(C2n、n<15)の炭化水素誘導体であって、3個の水素原子が3個の塩素原子で置換されているものである(C2n−3Cl)。
本発明の目的のためには、使用される塩素化炭化水素が次の特性を有することが重要である:
1.液化温度が193K(−100℃)〜318K(25℃)に含まれる、すなわち、室温で液体である
2.温度293Kにおける蒸気圧が10−6Pa(10−1mbar)〜10Pa(1atm)に含まれる
3.解離温度が393K(100℃)〜843K(550℃)に含まれる。
これらの中で好ましい塩素化炭化水素は、1−クロロブタン(CH(CHCl)、1,1,2−トリクロロエチレン(CHClCCl)およびジクロロメタン(CHCl)である。
本発明の目的に適した塩素非含有フッ素化炭化水素(ハイドロフルオロカーボン)は、次表に挙げたものから選択できる。
Figure 2013507784
これらの中で好ましいフッ素化炭化水素は、トリフルオロメタン(CHF)、R−134a(1,1,1,2−テトラフルオロエタン、CHFCF)およびR−152a(1,1−ジフルオロエタン、CHCHF)である。
塩素化炭化水素類の化合物(表1)とフッ素化炭化水素類の気体(表2)とを混合し、こうして得られた混合物でCdTe膜を処理することにより、国際公開第2006/085348号に記載のジフルオロクロロメタンで得られたものと類似の結果が得られる。
上記混合物で処理した後のCdTeのモルフォロジーは、CHFClで得られたものに非常に類似している。さらに、フッ素含有ガスが炭素と結合しやすいためと考えられるが、単一の塩素化化合物を使用することによって生成する、CdTe表面上の炭素微粒子の生成が抑制される。
フッ素化炭化水素の他の役割は、CdTeの表面準位を与え、かつCdTeのp−ドーピングにおいて(VCd−Cl)群よりも有効と考えられる(VCd−F)群を形成することであろう。
最良の結果は、1−クロロブタンをR−134a(C)またはR−152a(FHC−CH)と、1−クロロブタン 2mbar/R−134aまたはR−152a 200mbarの比で混合して使用することにより得られている。
処理条件は次の通りである。
Figure 2013507784
使用する試料は、先行技術と同様、0.5μmのITO、0.1μmのZnO、0.1μmのCdSおよび6μmのCdTeによって順に被覆したソーダライムガラスである。実験は、石英アンプルを使用し、その中に試料を入れ、回転式ターボ分子ポンプ系で脱気して少なくとも10−4〜10−3Pa(10−6〜10−5mbar)の真空度を得ることにより実施した。このアンプルを350℃から400℃に変動する温度に加熱する。塩素化炭化水素の量を調節してアンプルに導入する。前記の量は「baratron」型の測定ヘッドにより測定される。塩素化炭化水素の圧力を、50〜2000Pa(5×10−1〜20mbar)に調節する。フッ素化炭化水素も、1×10〜5×10Pa(100〜500mbar)の分圧で加える。全圧を5×10Pa(500mbar)とするために、この炭化水素混合物に10〜0Pa(100〜0mbar)の範囲の分圧で、Arなどの不活性ガスを加えることができる。
電池は、本発明の方法により、活性化されたCdTe膜に背面接点を作ることにより完成する。この方法で製造された電池の効率は、CHFClを使用して得られた電池と同等であり、すなわち14〜15.4%に含まれた。

Claims (10)

  1. CdTe/CdS型薄膜太陽電池に使用されるCdTe膜の活性化方法であって、フッ素非含有塩素化炭化水素および塩素非含有ハイドロフルオロカーボンガスにより形成されたる混合物でCdTe膜が処理され、前記化合物は共にオゾン層に無害なものであることを特徴とする方法。
  2. 前記塩素化炭化水素は、表1に示す化合物から選択される、請求項1に記載の方法。
  3. 前記塩素化炭化水素は、C2n+2−mCl(式中、nは17未満であり、かつmは1〜4に含まれる)の群、またはC2n−mCl(式中、nは15未満であり、かつmは1〜4に含まれる)の群から選択される、請求項1に記載の方法。
  4. 前記塩素化炭化水素は、1−クロロブタン、1,1,2−トリクロロエチレンまたはジクロロメタンである、請求項1に記載の方法。
  5. 前記ハイドロフルオロカーボンは、表2に示す化合物から選択される、請求項1に記載の方法。
  6. 前記ハイドロフルオロカーボンは、トリフルオロメタン、テトラフルオロエタンまたは1,1−ジフルオロエタンである、請求項5に記載の方法。
  7. 前記混合物中に前記2つの化合物が下記分圧範囲
    −塩素化炭化水素:50〜2000Pa
    −ハイドロフルオロカーボン:1×10〜5×10Pa
    で存在している、請求項1〜6のいずれか一項に記載の方法。
  8. 1−クロロブタンと1,1−ジフルオロエタンとの混合物が使用されるとき、分圧比は、好ましくは200Pa/2×10Paである、請求項7に記載の方法。
  9. 前記活性化処理は、350〜450℃に含まれる温度で行われる、請求項1〜8のいずれか一項に記載の方法。
  10. 全混合圧を5×10Pa(500mbar)にするために、不活性ガスが前記混合物に加えられ、前記不活性ガスの分圧は10〜0Pa(100〜0mbar)の範囲にある、請求項1〜9のいずれか一項に記載の方法。
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Families Citing this family (2)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
RU2699033C1 (ru) * 2018-07-17 2019-09-03 Федеральное государственное бюджетное учреждение науки Институт проблем химической физики Российской академии наук (ИПХФ РАН) Способ низкотемпературной активации фотопроводимости пленок теллурида кадмия
CN116154033A (zh) 2021-11-23 2023-05-23 中国建材国际工程集团有限公司 一种激活薄膜太阳能电池吸收层的方法

Citations (3)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPH08500209A (ja) * 1992-01-13 1996-01-09 フォトン エナジー,インコーポレイテッド 薄膜CdS層を備えた光電池
JP2002111020A (ja) * 2000-07-26 2002-04-12 Antec Solar Gmbh CdTe薄フィルム太陽電池の活性化方法
JP2008530777A (ja) * 2005-02-08 2008-08-07 ソーラー システムズ アンド エクイップメンツ エス.アール.エル. CdCl2を用いずにCdTe/CdS薄膜太陽電池を大量生産するための方法

Family Cites Families (6)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPS5846195B2 (ja) * 1980-09-09 1983-10-14 日本電信電話株式会社 密着形イメ−ジセンサの製造方法
US4376663A (en) * 1980-11-18 1983-03-15 The United States Of America As Represented By The Secretary Of The Army Method for growing an epitaxial layer of CdTe on an epitaxial layer of HgCdTe grown on a CdTe substrate
US5501744A (en) * 1992-01-13 1996-03-26 Photon Energy, Inc. Photovoltaic cell having a p-type polycrystalline layer with large crystals
DE60233418D1 (de) * 2001-10-05 2009-10-01 Solar Systems & Equioments S R Verfahren zur grosstechnischen herstellung von cdte/cds dünnschicht-solarzellen
JP5042363B2 (ja) * 2007-06-28 2012-10-03 ソーラー システムズ アンド エクイップメンツ エス.アール.エル. Cdte/cds薄膜太陽電池における非整流バック接点の形成方法
US7943415B1 (en) * 2010-10-27 2011-05-17 Primestar Solar Inc. Methods of sputtering cadmium sulfide layers for use in cadmium telluride based thin film photovoltaic devices

Patent Citations (3)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPH08500209A (ja) * 1992-01-13 1996-01-09 フォトン エナジー,インコーポレイテッド 薄膜CdS層を備えた光電池
JP2002111020A (ja) * 2000-07-26 2002-04-12 Antec Solar Gmbh CdTe薄フィルム太陽電池の活性化方法
JP2008530777A (ja) * 2005-02-08 2008-08-07 ソーラー システムズ アンド エクイップメンツ エス.アール.エル. CdCl2を用いずにCdTe/CdS薄膜太陽電池を大量生産するための方法

Non-Patent Citations (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Title
JPN6012046316; S. Mazzamuto et al: 'A study of the CdTe treatment with a Freon gas such as CHF2Cl' Thin Solid Films vol. 516, 2008, 7079-7083 *

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Publication number Publication date
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