JP2013506949A5 - - Google Patents
Download PDFInfo
- Publication number
- JP2013506949A5 JP2013506949A5 JP2012531418A JP2012531418A JP2013506949A5 JP 2013506949 A5 JP2013506949 A5 JP 2013506949A5 JP 2012531418 A JP2012531418 A JP 2012531418A JP 2012531418 A JP2012531418 A JP 2012531418A JP 2013506949 A5 JP2013506949 A5 JP 2013506949A5
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- layer
- inj
- energy
- funk
- injection layer
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Granted
Links
Description
本発明の実施形態による有機光電構成素子は、
・第1の電極と、
・該第1の電極の上に配置された第1の平坦化層と、
・該第1の平坦化層の上に配置された第1の注入層と、
・該第1の注入層の上に配置された有機機能層と、
・該有機機能層の上に配置された第2の電極とを有し、
第1の電極がアノードである場合には、エネルギーレベルに対して:
EF−EHOMO,Inj.≦EF−EHOMO,Plan.かつEF−EHOMO,Inj.<EF−EHOMO,Funk.が成り立ち、または
第1の電極がカソードである場合には、エネルギーレベルに対して:
ELUMO,Inj.−EF≦ELUMO,Plan.−EFかつELUMO,Inj.−EF<ELUMO,Funk.−EFが成り立ち、
ここでEFはフェルミエネルギー、EHOMOはそれぞれの層の最高被占軌道のエネルギーレベルのエネルギー、そしてELUMOはそれぞれの層の最低空軌道のエネルギーレベルのエネルギーである。
・第1の電極と、
・該第1の電極の上に配置された第1の平坦化層と、
・該第1の平坦化層の上に配置された第1の注入層と、
・該第1の注入層の上に配置された有機機能層と、
・該有機機能層の上に配置された第2の電極とを有し、
第1の電極がアノードである場合には、エネルギーレベルに対して:
EF−EHOMO,Inj.≦EF−EHOMO,Plan.かつEF−EHOMO,Inj.<EF−EHOMO,Funk.が成り立ち、または
第1の電極がカソードである場合には、エネルギーレベルに対して:
ELUMO,Inj.−EF≦ELUMO,Plan.−EFかつELUMO,Inj.−EF<ELUMO,Funk.−EFが成り立ち、
ここでEFはフェルミエネルギー、EHOMOはそれぞれの層の最高被占軌道のエネルギーレベルのエネルギー、そしてELUMOはそれぞれの層の最低空軌道のエネルギーレベルのエネルギーである。
本発明の別の実施形態では、第1の注入層は次から選択されるマトリクス材料を有する:
Alq3(LUMO−3.1eV)、BCP(LUMO−2.9eV)、Bphen(LUMO−2.9eV)、NTCDA(LUMO−4.0eV)、ZnPc、THAP(LUMO−4.6eV)。ここでこのマトリクス材料は以下の物質の1つによりnドープされている:Li、Cs、BEDT−TTF、ピロニン−B−塩化物、Cs2CO3、Ru(テルピー)2、CoCp2。ここで「LUMO」は最低空軌道である。
Alq3(LUMO−3.1eV)、BCP(LUMO−2.9eV)、Bphen(LUMO−2.9eV)、NTCDA(LUMO−4.0eV)、ZnPc、THAP(LUMO−4.6eV)。ここでこのマトリクス材料は以下の物質の1つによりnドープされている:Li、Cs、BEDT−TTF、ピロニン−B−塩化物、Cs2CO3、Ru(テルピー)2、CoCp2。ここで「LUMO」は最低空軌道である。
有機光電構成素子の製造方法の実施形態でこの方法は、
A)第1の電極を準備する工程、
B)第1の平坦化層を第1の電極上に取り付ける工程、
C)第1の注入層を第1の平坦化層上に取り付ける工程、
D)有機機能層を第1の注入層上に取り付ける工程、
E)第2の電極を有機機能層の上に取り付ける工程、を有し、
第1の電極がアノードである場合には、エネルギーレベルに対して:
EF−EHOMO,Inj.≦EF−EHOMO,Plan.かつEF−EHOMO,Inj.<EF−EHOMO,Funk.が成り立ち、または
第1の電極がカソードである場合には、エネルギーレベルに対して:
ELUMO,Inj.−EF≦ELUMO,Plan.−EFかつELUMO,Inj.−EF<ELUMO,Funk.−EFが成り立ち、
ここでEFはフェルミエネルギー、EHOMOはそれぞれの層の最高被占軌道のエネルギーレベルのエネルギー、そしてELUMOはそれぞれの層の最低空軌道のエネルギーレベルのエネルギーである。
A)第1の電極を準備する工程、
B)第1の平坦化層を第1の電極上に取り付ける工程、
C)第1の注入層を第1の平坦化層上に取り付ける工程、
D)有機機能層を第1の注入層上に取り付ける工程、
E)第2の電極を有機機能層の上に取り付ける工程、を有し、
第1の電極がアノードである場合には、エネルギーレベルに対して:
EF−EHOMO,Inj.≦EF−EHOMO,Plan.かつEF−EHOMO,Inj.<EF−EHOMO,Funk.が成り立ち、または
第1の電極がカソードである場合には、エネルギーレベルに対して:
ELUMO,Inj.−EF≦ELUMO,Plan.−EFかつELUMO,Inj.−EF<ELUMO,Funk.−EFが成り立ち、
ここでEFはフェルミエネルギー、EHOMOはそれぞれの層の最高被占軌道のエネルギーレベルのエネルギー、そしてELUMOはそれぞれの層の最低空軌道のエネルギーレベルのエネルギーである。
図3aには、最高被占軌道(HOMO)のエネルギーレベルが示されている。電極(この場合はアノード)から、図では左から正孔7が第1の平坦化層2に放出される。個々の層のコンタクト形成により、第1の注入層3内にはポテンシャルポットが形成され、この中に正孔7を蓄積することができる。このポテンシャルポットから正孔を、これに続く有機機能層4に放出することができる。これは、隣接する有機機能層4に正孔7を均等かつ持続的に供給することを保証する。このことは構成素子内の電荷輸送の安定化に寄与する。
図3bには、最低空軌道(LUMO)のエネルギーレベルが示されている。ここでは電極(この場合はカソード)から、図では右から電子8が平坦化層2に注入される。ここでも物質の適切な選択により、第1の注入層3内にポテンシャルポットが形成され、これにより電子8がポテンシャルポットに収集される。このポテンシャルポットから電子8を、有機機能層4に放出することができる。
Claims (15)
- ・第1の電極(1)と、
・該第1の電極(1)の上に配置された第1の平坦化層(2)と、
・該第1の平坦化層(2)の上に配置された第1の注入層(3)と、
・該第1の注入層(3)の上に配置された有機機能層(4)と、
・該有機機能層(4)の上に配置された第2の電極(5)と、
・前記第2の電極(5)と前記有機機能層(4)との間に配置された第2の平坦化層(2’)と、
・前記第2の平坦化層(2’)と前記有機機能層(4)との間に配置された第2の注入層(3’)とを有する有機光電構成素子であって、
前記第1の電極(1)がアノードであり、エネルギーレベルに対して:
EF,Inj. −EHOMO,Inj.≦EF,Plan. −EHOMO,Plan.かつEF,Inj. −EHOMO,Inj.<EF,Funk. −EHOMO,Funk.が成り立ち、
前記第2の電極(5)がカソードであり、エネルギーレベルに対して:
ELUMO,Inj.−EF,Inj. ≦ELUMO,Plan.−EF,Plan. かつELUMO,Inj.−EF,Inj. <ELUMO,Funk. −EF,Funk. が成り立ち、
E F,Inj. −E HOMO,Inj. は、前記第1の注入層のフェルミエネルギーと、前記第1の注入層の最高被占軌道エネルギーレベルのエネルギーとの差であり、
E F,Plan. −E HOMO,Plan. は、前記第1の平坦化層のフェルミエネルギーと、前記第1の平坦化層の最高被占軌道エネルギーレベルのエネルギーとの差であり、
E F,Funk. −E HOMO,Funk. は、前記有機機能層のフェルミエネルギーと、前記有機機能層の最高被占軌道エネルギーレベルのエネルギーとの差であり、
E LUMO,Inj. −E F,Inj. は、前記第1の注入層の最低空軌道エネルギーレベルのエネルギーと、前記第1の注入層のフェルミエネルギーとの差であり、
E LUMO,Plan. −E F,Plan. は、前記第1の平坦化層の最低空軌道エネルギーレベルのエネルギーと、前記第1の平坦化層のフェルミエネルギーとの差であり、
E LUMO,Funk. −E F,Funk. は、前記有機機能層の最低空軌道エネルギーレベルのエネルギーと、前記有機機能層のフェルミエネルギーとの差であることを特徴とする、
有機光電構成素子。 - 前記第1の注入層及び前記第1の平坦化層はドープされており、かつ、それぞれが同一のマトリクス材料を有し、該マトリクス材料は、PEDOT:PSS、ポリ(9−ビニルカルバゾール)、ポリ(N,N’−ビス(4−ブチルフェニル)−N,N’−ビス(フェニル)−ベンジジン、ポリ(3−ヘキシルチオフェン)、ポリアニリンから選択されており、
前記第1の注入層はpドープされており、かつ、前記第1の注入層のドーピング物質は、MoO2、MoO3、WO3、ReO3、Re2O7、V2O5から選択されている、
請求項1に記載の有機光電構成素子。 - エネルギーレベルに対して:
EF,Plan. −EHOMO,Plan.<EF,Funk. −EHOMO,Funk.が成り立つ、
請求項1または2に記載の有機光電構成素子。 - 前記第1の電極(1)から放出される電荷担体が前記第1の注入層(3)に蓄積される、請求項1から3のいずれか一項に記載の有機光電構成素子。
- 前記第1の注入層(3)に蓄積された電荷担体が、該注入層(3)に続く層に注入される、請求項4に記載の有機光電構成素子。
- 前記第1の注入層(3)の層厚は1から20nmである、請求項1から5のいずれか一項に記載の有機光電構成素子。
- 前記第1の注入層(3)はドープされている、請求項1から6のいずれか一項に記載の有機光電構成素子。
- ドーピング物質は、MoO2、MoO3、WO3、ReO3、Re2O7、V2O5から選択されている、請求項7に記載の有機光電構成素子。
- 前記第1の注入層(3)は、4,4’,4’’−トリス(N−(1−ナフチル)−N−フェニル−アミノ)トリフェニルアミン、フタロシアニン銅錯体、4,4’,4’’−トリス(N−3−メチルフェニル−N−フェニル−アミノ)トリフェニルアミン、N,N’−ビス(ナフタリン−1−イル)−N,N’−ビス(フェニル)−ベンジジン、2,2’,7,7’−テトラキス(N,N−ジフェニルアミン)−9,9’−スピロビフルオレン、ジ−[4−(N,N−ジトリル−アミノ)−フェニル]シクロヘキサン、N,N’−ビス(3−メチルフェニル)−N,N’−ビス(フェニル)−ベンジジンから選択された物質を含む、請求項1から8のいずれか一項に記載の有機光電構成素子。
- 前記第1の注入層(3)は、PEDOT:PSS、ポリ(9−ビニルカルバゾール)、ポリ(N,N’−ビス(4−ブチルフェニル)−N,N’−ビス(フェニル)−ベンジジン、ポリ(3−ヘキシルチオフェン)、ポリアニリンから選択された物質を含む、請求項1から9のいずれか一項に記載の有機光電構成素子。
- 前記第1の平坦化層(2)は、PEDOT:PSS、PEDOTベースの材料、ポリ(9−ビニルカルバゾール)、ポリ(N,N’−ビス(4−ブチルフェニル)−N,N’−ビス(フェニル)−ベンジジン、ポリ(3−ヘキシルチオフェン)、ポリアニリンから選択された物質を含む、請求項1から10のいずれか一項に記載の有機光電構成素子。
- エレクトロルミネセンス構成素子として構成されている、請求項1から11のいずれか一項に記載の有機光電構成素子。
- 有機光電構成素子の製造方法において、
A)第1の電極(1)を準備する工程、
B)第1の平坦化層(2)を前記第1の電極(1)上に取り付ける工程、
C)第1の注入層(3)を前記第1の平坦化層(2)上に取り付ける工程、
D)有機機能層(4)を前記第1の注入層(3)上に取り付ける工程、
E)第2の電極(5)を前記有機機能層(4)上に取り付ける工程、
F)第2の注入層(3′)を前記有機機能層(4)上に取り付ける工程、
G)第2の平坦化層(2′)を前記第2の注入層(3′)上に取り付ける工程、
を有し、
前記工程F)及びG)は前記ステップE)の前に実施し、
前記第1の電極(1)がアノードであり、エネルギーレベルに対して:
EF,Inj. −EHOMO,Inj.≦EF,Plan. −EHOMO,Plan.かつEF,Inj. −EHOMO,Inj.<EF,Funk. −EHOMO,Funk.が成り立ち、
前記第2の電極(5)がカソードであり、エネルギーレベルに対して:
ELUMO,Inj.−EF,Inj. ≦ELUMO,Plan.−EF,Plan. かつELUMO,Inj.−EF,Inj. <ELUMO,Funk. −EF,Funk. が成り立ち、
E F,Inj. −E HOMO,Inj. は、前記第1の注入層のフェルミエネルギーと、前記第1の注入層の最高被占軌道のエネルギーレベルのエネルギーとの差であり、
E F,Plan. −E HOMO,Plan. は、前記第1の平坦化層のフェルミエネルギーと、前記第1の平坦化層の最高被占軌道のエネルギーレベルのエネルギーとの差であり、
E F,Funk. −E HOMO,Funk. は、前記有機機能層のフェルミエネルギーと、前記有機機能層の最高被占軌道のエネルギーレベルのエネルギーとの差であり、
E LUMO,Inj. −E F,Inj. は、前記第1の注入層の最低空軌道のエネルギーレベルのエネルギーと、前記第1の注入層のフェルミエネルギーとの差であり、
E LUMO,Plan. −E F,Plan. は、前記第1の平坦化層の最低空軌道のエネルギーレベルのエネルギーと、前記第1の平坦化層のフェルミエネルギーとの差であり、
E LUMO,Funk. −E F,Funk. は、前記有機機能層の最低空軌道のエネルギーレベルのエネルギーと、前記有機機能層のフェルミエネルギーとの差であることを特徴とする、
製造方法。 - 前記第1の注入層(3)は、前記工程C)において湿式化学法により取り付けられる、請求項13に記載の方法。
- 前記第1の注入層及び前記第1の平坦化層はドープされており、かつ、それぞれが同一のマトリクス材料を有し、該マトリクス材料は、PEDOT:PSS、ポリ(9−ビニルカルバゾール)、ポリ(N,N’−ビス(4−ブチルフェニル)−N,N’−ビス(フェニル)−ベンジジン、ポリ(3−ヘキシルチオフェン)、ポリアニリンから選択されており、
前記第1の注入層はpドープされており、かつ、前記第1の注入層のドーピング物質は、MoO2、MoO3、WO3、ReO3、Re2O7、V2O5から選択されている、
請求項13に記載の方法。
Applications Claiming Priority (3)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
DE102009047883.3 | 2009-09-30 | ||
DE102009047883A DE102009047883A1 (de) | 2009-09-30 | 2009-09-30 | Optoelektronisches organisches Bauelement und Verfahren zu dessen Herstellung |
PCT/EP2010/064494 WO2011039277A2 (de) | 2009-09-30 | 2010-09-29 | Optoelektronisches organisches bauelement und verfahren zu dessen herstellung |
Publications (3)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JP2013506949A JP2013506949A (ja) | 2013-02-28 |
JP2013506949A5 true JP2013506949A5 (ja) | 2015-12-24 |
JP5858918B2 JP5858918B2 (ja) | 2016-02-10 |
Family
ID=43499931
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP2012531418A Expired - Fee Related JP5858918B2 (ja) | 2009-09-30 | 2010-09-29 | 有機光電構成素子およびその製造方法 |
Country Status (7)
Country | Link |
---|---|
US (1) | US8785916B2 (ja) |
EP (1) | EP2483943B1 (ja) |
JP (1) | JP5858918B2 (ja) |
KR (1) | KR20120091119A (ja) |
CN (1) | CN102549794B (ja) |
DE (1) | DE102009047883A1 (ja) |
WO (1) | WO2011039277A2 (ja) |
Families Citing this family (7)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP6386136B2 (ja) * | 2012-04-13 | 2018-09-05 | 株式会社半導体エネルギー研究所 | 発光素子、発光装置、電子機器および照明装置 |
DE102013111739A1 (de) * | 2013-10-24 | 2015-04-30 | Osram Oled Gmbh | Optoelektronisches Bauelement und Verfahren zum Herstellen eines optoelektronischen Bauelements |
TWI624094B (zh) * | 2015-11-30 | 2018-05-11 | Lg顯示器股份有限公司 | 有機發光二極體及包含該有機發光二極體的有機發光二極體顯示裝置 |
JP6815294B2 (ja) * | 2016-09-30 | 2021-01-20 | 株式会社Joled | 有機el素子、および有機elパネル |
JP2019204810A (ja) * | 2018-05-21 | 2019-11-28 | パイオニア株式会社 | 発光装置及び発光装置の製造方法 |
CN112447932B (zh) * | 2020-11-24 | 2022-11-29 | 合肥京东方卓印科技有限公司 | 一种有机电致发光显示面板及其制备方法、显示装置 |
CN112952023B (zh) * | 2021-02-20 | 2022-11-04 | 合肥鑫晟光电科技有限公司 | 显示基板及其制备方法、显示装置 |
Family Cites Families (16)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP3427539B2 (ja) * | 1995-02-13 | 2003-07-22 | 松下電器産業株式会社 | 有機薄膜エレクトロルミネッセンス素子 |
KR100721656B1 (ko) * | 2005-11-01 | 2007-05-23 | 주식회사 엘지화학 | 유기 전기 소자 |
WO2004060028A1 (ja) | 2002-12-25 | 2004-07-15 | Fujitsu Limited | 有機エレクトロルミネッセンス素子及び有機エレクトロルミネッセンスディスプレイ |
JP2004362914A (ja) | 2003-06-04 | 2004-12-24 | Idemitsu Kosan Co Ltd | 有機エレクトロルミネッセンス素子及びそれを用いた表示装置 |
JP4476594B2 (ja) * | 2003-10-17 | 2010-06-09 | 淳二 城戸 | 有機エレクトロルミネッセント素子 |
WO2005119807A1 (fr) | 2004-06-02 | 2005-12-15 | Thomson Licensing | Diode organique electroluminescente comprenant une couche organique dopee |
JP2006024432A (ja) * | 2004-07-07 | 2006-01-26 | Japan Science & Technology Agency | 有機エレクトロルミネッセンス素子 |
FR2878652A1 (fr) | 2004-11-29 | 2006-06-02 | Thomson Licensing Sa | Diode organique electroluminescente a couches dopees |
JP4653469B2 (ja) | 2004-12-01 | 2011-03-16 | 出光興産株式会社 | 有機電界発光素子 |
KR100798817B1 (ko) | 2006-07-28 | 2008-01-28 | 주식회사 두산 | 전계 발광 소자용 스피로 화합물, 및 이를 포함하는 전계발광 소자 |
TWI299636B (en) | 2005-12-01 | 2008-08-01 | Au Optronics Corp | Organic light emitting diode |
JP2007234254A (ja) * | 2006-02-27 | 2007-09-13 | Sanyo Electric Co Ltd | 有機エレクトロルミネッセンス素子及びその製造方法 |
TWI638583B (zh) * | 2007-09-27 | 2018-10-11 | 半導體能源研究所股份有限公司 | 發光元件,發光裝置,與電子設備 |
JP2011510450A (ja) * | 2008-01-18 | 2011-03-31 | エルジー・ケム・リミテッド | 有機発光素子およびその製造方法 |
JP2008187205A (ja) * | 2008-04-28 | 2008-08-14 | Idemitsu Kosan Co Ltd | 有機エレクトロルミネッセンス素子及びそれを用いた表示装置 |
KR101791937B1 (ko) * | 2011-07-14 | 2017-11-02 | 삼성전자 주식회사 | 광전자소자 |
-
2009
- 2009-09-30 DE DE102009047883A patent/DE102009047883A1/de not_active Withdrawn
-
2010
- 2010-09-29 WO PCT/EP2010/064494 patent/WO2011039277A2/de active Application Filing
- 2010-09-29 KR KR1020127010569A patent/KR20120091119A/ko not_active Application Discontinuation
- 2010-09-29 US US13/499,608 patent/US8785916B2/en not_active Expired - Fee Related
- 2010-09-29 JP JP2012531418A patent/JP5858918B2/ja not_active Expired - Fee Related
- 2010-09-29 CN CN201080044040.6A patent/CN102549794B/zh not_active Expired - Fee Related
- 2010-09-29 EP EP10760674.1A patent/EP2483943B1/de not_active Not-in-force
Similar Documents
Publication | Publication Date | Title |
---|---|---|
JP6192699B2 (ja) | 有機発光素子及びその製造方法 | |
JP2013506949A5 (ja) | ||
KR101003267B1 (ko) | 유기발광소자 및 이의 제조 방법 | |
Lee et al. | Interfacial doping for efficient charge injection in organic semiconductors | |
US20120025171A1 (en) | Electronic Component with at Least One Organic Layer Arrangement | |
JP5905202B2 (ja) | 発光素子、発光装置、電子機器、および照明装置 | |
US20110215307A1 (en) | Light-Emitting Element, Light-Emitting Device, Electronic Device, and Lighting Device | |
Chiba et al. | Addition of lithium 8-quinolate into polyethylenimine electron-injection layer in OLEDs: Not only reducing driving voltage but also improving device lifetime | |
CN105723539A (zh) | 有机发光器件和用于制造有机发光器件的方法 | |
JP2010514174A (ja) | 少なくとも1つの有機層配列を有する電子素子 | |
Song et al. | Improved performance of organic light-emitting field-effect transistors by interfacial modification of hole-transport layer/emission layer: Incorporating organic heterojunctions | |
JP5858918B2 (ja) | 有機光電構成素子およびその製造方法 | |
JP2010530618A (ja) | 有機半導性マトリックス材料、有機半導性材料及び有機発光ダイオードのためのp−ドーパントとしての金属錯体の使用 | |
Jang et al. | TPBI: FIrpic organic light emitting devices with the electron transport layer of Bphen/Alq3 | |
CN111200076A (zh) | 具有内部光提取结构的有机发光器件及其制备方法 | |
Bin et al. | Organic radicals outperform LiF as efficient electron-injection materials for organic light-emitting diodes | |
TWI389365B (zh) | 有機電子裝置及其製造方法 | |
TW200950172A (en) | Organic semiconductor device | |
US20240081091A1 (en) | Organic light-emitting component having a light-emitting layer as part of a charge generation layer | |
US20200185624A1 (en) | Organic Electronic Component Having a Charge-Carrier Generation Layer | |
KR101100717B1 (ko) | 마이크로캐비티 구조를 적용한 유기태양전지 | |
CN116746297A (zh) | 包含公共电荷产生层的显示装置及其制造方法 | |
CN117999865A (zh) | 包含基底、阳极层、阴极层、至少一个第一发光层和含有金属络合物的空穴注入层的有机电子器件以及金属络合物 | |
Li et al. | Achieving ultra-high efficiency by tuning hole transport and carrier balance in fluorescent blue organic light-emitting diode with extremely simple structure | |
Gaur et al. | Improved Thermally Activated Delayed Fluorescence-Based Electroluminescent Devices Using Vacuum-Processed Carbazole-Based Self-Assembled Monolayers |