JP2013502715A - 発光ダイオードをベースとした発光デバイスの製造方法 - Google Patents
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-
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Abstract
Description
■ 熱交換器を形成する支持体を形成する段階と、
■ 支持体上に第1電極を形成する段階と、
■ 第1電極上で半導体発光ナノワイヤを成長させる段階と、
■ 平坦化材料においてナノワイヤをカプセル化する段階と、
■ ナノワイヤによって発せられる光を少なくとも部分的に透過できる第2電極を、平坦化材料上に形成する段階と、
から成る。
■ 支持体は、その上に第1電極が形成される電気的絶縁面を有し、
■ この第1方法は、
第2電極上の電気接触を取るための領域の形成段階と、
■ 各接触取得領域(contact take-up area)の周りの第1電極のバンド(band)を解放する段階であって、
- 第2電極の表面上に前記バンドを規定するマスクを形成する段階と、
- 第1電極上に平坦化材料を維持するように停止される、平坦化材料の第1化学エッチング段階と、
- 第1化学エッチングの間に平坦化材料から放出されるナノワイヤの一部分の第2化学エッチング段階と、
- 第1化学エッチングの終わりに残存する平坦化材料の第3化学エッチング段階と、
を含む、段階と、
■ 支持体の電気的絶縁面まで前記各バンドに沿ってトレンチを形成する段階と、
によって発光ダイオードを形成する段階と、
電気接触取得領域と第1電極のバンドとを電気的に接続することによって直列に発光ダイオードを配置する段階と、
を含む。
■ 熱交換器を形成する支持体を形成する段階と、
■ 支持体の電気的絶縁面上に第1電極を形成する段階と、
■ 第1電極上に発光半導体ナノワイヤを成長させる段階と、
■ ナノワイヤの自由端上に、ナノワイヤによって発せられる光を少なくとも部分的に透過できる第2電極を形成する段階と、
から成る。
■ 支持体は、その上に第1電極が形成される電気的絶縁面を有し、
■ ナノワイヤの自由端は裾広がりであり、第2電極のための支持体を形成するように隣接しており、
■ 第1電極は、ナノワイヤの既定の化学エッチングに対して実質的に不活性な材料から作られ、
■ この第2方法は、
第2電極上に電気接触取得領域を形成する段階と、
■ 各接触取得領域の周りの第1電極のバンドを解放する段階であって、第2電極の表面上に前記バンドを規定するマスクの形成段階と、前記既定の化学エッチングの応用段階と、を含む、段階と、
■ 支持体の電気的絶縁面まで前記各バンドに沿ってトレンチを形成する段階と、
によって発光ダイオードを形成する段階と、
電気接触取得領域電気的接続部及び第1電極のバンドを介して直列に発光ダイオードを配置する段階と、
を含む。
■ 例えばn型などの第1導電型の第1半導体領域と、
■ 多重量子井戸(quantal multiwell)のヘテロ構造体を含み、アクティブ発光領域を形成する第2半導体領域と、
■ 例えばp型などの第1領域とは反対の導電型を有する第3半導体領域と、
の少なくとも1つの積層体を含む。
■ 本発明による発光モジュールは、限られた数の熱抵抗部を含む。これは、作られた発光ダイオードのろう付け、接着、又は他の技術による転写がないからである。更に、転写材料、成長基板材料、又は従来技術のカンの材料に関連する全ての熱抵抗部は取り除かれる。
■ 基板の材料は、金属のように良好な熱導体であり、例えば更に放熱を増大させる材料から選ばれることができる。
■ 例えばフィンを有し、如何なる転写も有しないラジエーターの形態である基板上に発光ダイオードを作ることが可能である。放熱は故に、更に改善される;
■ エピタキシーによってダイオードを作るための従来技術において通常使用されるサファイア又はSiC基板のサイズは、通常直径が100mm未満である。ナノワイヤは金属、無機又はセラミック基板上に作られることができるため、基板に対するサイズの制限はもはや存在しない。従って、いわゆるLCDフラットスクリーンのバックライトを提供するためのテレビ画面サイズの発光ダイオードをベースとした発光デバイスを作ることができる。同様に、例えば建物の窓又は天井サイズである大表面に、ライトを配置することが可能である。
■ 本発明による発光ダイオードは電気的に直列に配置され、故に相互接続部の長さに対して如何なる制限も存在せず、ダイオードを提供するために注入された電流密度はやはりダイオードベースの発光デバイスの全体を超え、故に例えばホットスポットなどの出現を回避できる。加えて、ダイオードを電気的に直列に配置することは、例えば家庭用ネットワーク電源によるそのAC又はDC制御を可能にする;例えば、略240Vの主電源に60のダイオードを直列に配置することにより、各ダイオードに3Vの平均電圧を個別に提供することが可能になる。;
■ ナノワイヤのおかげで、金属シート、グラファイトシート、又は同様のものなどの変形しやすい基板を使用することが可能になる。故に、特定の3次元形態を有する発光モジュールを作ることが可能になる。基板は例えば、ラジエーターを形成するシリンダーに巻きつくことができ、又は照明器具の発光角度を増加するように僅かに変形させることができる。例えばそれが採用される形状であるソファーのアーム上に配置された層の形態である光モジュールを予測することもまた可能である。
■ 基板は除去されず、完全なままの状態で残っているため、その上にパッシブな構成要素が転写される相互接続領域を有する基板上の自由領域、例えばレジスタ、キャパシタ、ダイオード、ドライバなどのアクティブな構成要素、若しくは過電圧又は静電放電を操るための構成要素、特にツェナーダイオードなど、を残すことが可能になる。
12 絶縁層
14 第1電極
16 ナノワイヤ
18 カプセル層
20 第2電極
22 電気接触取得領域
24 発光ダイオード
28 トレンチ
Claims (9)
- 発光ダイオードをベースとした発光デバイスの製造方法であって、
■ 熱交換器を形成する支持体(10,12)を形成する段階と、
■ 前記支持体(10,12)上に第1電極(14)を形成する段階と、
■ 前記第1電極上(14)に半導体発光ナノワイヤ(16)を成長させる段階と、
■ 平坦化材料(18)で前記ナノワイヤ(16)をカプセル化する段階と、
■ 前記ナノワイヤ(16)によって発せられる前記光を少なくとも部分的に透過できる第2電極(20)を、前記平坦化材料(18)上に形成する段階と、
を含み、
前記支持体(10,12)は、その上に前記第1電極(14)が形成される電気的絶縁面を有し、
前記第2電極(20)上に電気接触を取るための領域(22)を形成する段階と、
■ 各接触取得領域(22)の周りの前記第1電極のバンドを解放する段階であって、
■ 前記第2電極の表面上に前記バンドを規定するマスクを形成する段階と、
■ 前記第1電極上に平坦化材料を維持するように停止される、前記平坦化材料の第1化学エッチング段階と、
■ 前記第1化学エッチング段階の間に前記平坦化材料から放出されるナノワイヤの一部分の第2化学エッチング段階と、
■ 前記第1化学エッチング段階の終わりに残存する平坦化材料の第3化学エッチング段階と、
を含む、段階と、
■ 前記支持体(10,12)の前記電気的絶縁面まで前記各バンドに沿ってトレンチ(28)を形成する段階と、
によって発光ダイオード(24)を形成する段階と、
前記電気接触取得領域と前記第1電極のバンドとを電気的に接続することによって直列に前記発光ダイオード(24)を配置する段階と、
を含むことを特徴とする、発光ダイオードをベースとした発光デバイスの製造方法。 - 発光ダイオードをベースとした発光デバイスの製造方法であって、
■ 熱交換器を形成する支持体(10,12)を形成する段階と、
■ 前記支持体(10,12)の電気的絶縁面上に第1電極(14)を形成する段階と、
■ 前記第1電極(14)上に発光半導体ナノワイヤ(16)を成長させる段階と、
■ 前記ナノワイヤ(16)の自由端上に、前記ナノワイヤ(16)によって発せられる光を少なくとも部分的に透過できる第2電極(20)を形成する段階と、
を含み、
■ 前記支持体(10,12)は、その上に前記第1電極(14)が形成される電気的絶縁面を有し、
■ 前記ナノワイヤ(16)の自由端(80)は裾広がりであり、前記第2電極のための支持体を形成するように隣接しており、
■ 前記第1電極(14)は、前記ナノワイヤ(16)の既定の化学エッチングに対して実質的に不活性な材料から作られ、
前記第2電極(20)上に電気接触取得領域(22)を形成する段階と、
- 各接触取得領域(22)の周りの前記第1電極のバンドを解放する段階であって、前記第2電極の表面上に前記バンドを規定するマスクを形成する段階と、前記既定の化学エッチングを適用する段階と、を含む、段階と、
- 前記支持体(10,12)の前記電気的絶縁面まで前記各バンドに沿ってトレンチ(28)を形成する段階と、
によって発光ダイオード(24)を形成する段階と、
前記電気接触取得領域(22)の電気的接続部及び前記第1電極のバンドを介して直列に前記発光ダイオード(24)を配置する段階と、
を含むことを特徴とする、発光ダイオードをベースとした発光デバイスの製造方法。 - 前記支持体(10,12)を形成する段階は、前記電気的絶縁面とは反対の面に放熱フィンを形成する段階を含む、請求項1又は2に記載の発光ダイオードをベースとした発光デバイスの製造方法。
- 前記支持体を形成する段階は、導電性基板(10)上に絶縁層(12)を堆積する段階を含む、請求項1、2又は3に記載の発光ダイオードをベースとした発光デバイスの製造方法。
- 前記絶縁層(12)は、無機材料、特に、ダイヤモンド、AlN、SiC、BN若しくはSi3N4又はSiO2の層である、請求項4に記載の発光ダイオードをベースとした発光デバイスの製造方法。
- 前記第1電極(14)は、特にTi、Cr、TiN又はWNから作られた相互接続材料の第1層と、特にCu、Au、Ag、W、Ni又はPdであり、高い導電性を有する材料である、前記第1層上に堆積された第2薄層と、を含む、請求項1から5の何れか1項に記載の発光ダイオードをベースとした発光デバイスの製造方法。
- 前記ナノワイヤ(16)はZnOから成り、前記第1電極はZnO層である、請求項1から5の何れか1項に記載の発光ダイオードをベースとした発光デバイスの製造方法。
- 前記電気的接続部は、特にAuワイヤを用いたワイヤリング(36)によって作られる、請求項1から7の何れか1項に記載の発光ダイオードをベースとした発光デバイスの製造方法。
- 発光団材料が、発光色を規定し、調整するために、前記発光領域の近くに堆積される、請求項1から8の何れか1項に記載の発光ダイオードをベースとした発光デバイスの製造方法。
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