JP2013257231A - 回転角センサ - Google Patents

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Abstract

【課題】冗長性がさらに向上する回転角センサを提供する。
【解決手段】この回転角センサ6は、回転軸の回転角に応じた検出信号を出力する。回転角センサ6から出力される検出信号は、回転軸の回転角θに対して正弦波状に変化するとともに位相がそれぞれ異なる第1〜第4の検出信号S1〜S4からなる。ここでは、第1の検出信号S1と第2の検出信号S2との位相差、及び第3の検出信号S3と第4の検出信号S4との位相差を「90°」にそれぞれ設定する。また、第1の検出信号S1と第3の検出信号S3との位相差、及び第2の検出信号S2と第4の検出信号S4との位相差を「45°」にそれぞれ設定する。
【選択図】図4

Description

本発明は、回転軸の回転角を検出する回転角センサに関する。
従来、この種の回転角センサとしては特許文献1に記載の装置が知られている。この回転角センサは、4つの磁気抵抗素子によりそれぞれ構成される2つのブリッジ回路、及び2つのブリッジ回路の各磁気抵抗素子にバイアス磁界を付与するバイアス磁石を備えている。バイアス磁石は回転軸と一体となって回転する。このバイアス磁石の回転により各磁気抵抗素子に付与されるバイアス磁界の向きが変化し、各磁気抵抗素子の抵抗値が変化する。これにより、一方のブリッジ回路は、回転軸の回転角θに対して正弦波状に変化する+sinθ信号、及び余弦波状に変化する+cosθ信号を出力する。他方のブリッジ回路は、+sinθ信号に対して180°だけ位相のずれた−sinθ信号、及び+cosθ信号に対して180°だけ位相のずれた−cosθ信号を出力する。したがって、回転角センサから出力されるこれらの検出信号を取り込んで、+sinθ信号及び+cosθ信号に基づいて逆正接値を演算したり、−sinθ信号及び−cosθ信号に基づいて逆正接値を演算すれば、回転軸の回転角θを検出することができる。
このような構成によれば、例えば一方のブリッジ回路の+cosθ信号が異常となった場合でも、−sinθ信号及び−cosθ信号に基づいて逆正接値を演算することにより回転角θを演算することができる。また、他方のブリッジ回路の−sinθ信号が更に異常となった場合でも、残りの+sinθ信号及び−cosθ信号のそれぞれの正符号及び負符号を調整し、逆正接値を演算すれば、回転角θを演算することができる。よって、冗長性を確保することができる。
特開2011−99846号公報
ところで、特許文献1に記載の回転角センサでは、一方のブリッジ回路の+cosθ信号が異常となった後、他方のブリッジ回路の−cosθ信号が更に異常となった場合、正常な信号は+sinθ信号及び−sinθ信号となる。しかしながら、それらの信号に基づいて逆正接値を演算することができないため、結局、回転軸の回転角θを検出することができなくなる。すなわち、特許文献1に記載の回転角センサでは、4つの検出信号のうちの2つの検出信号が異常となったとき、残りの正常な信号がsinθ系の信号だけの場合や、cosθ系の信号だけの場合には、回転角θを演算することができなくなる。
本発明は、こうした実情に鑑みてなされたものであり、その目的は、冗長性がさらに向上する回転角センサを提供することにある。
上記課題を解決するために、請求項1に記載の発明は、回転軸の回転角に応じた検出信号を出力する回転角センサにおいて、前記検出信号は、前記回転軸の回転角に対して正弦波状に変化するとともに位相がそれぞれ異なる第1〜第4の検出信号からなり、前記第1〜第4の検出信号のそれぞれの位相差は、その値をφとするとき、「0°<φ<180°」あるいは「180°<φ<360°」に設定されることを要旨とする。
同構成によれば、第1〜第4の検出信号のいずれか一つが異常となった場合には、残りの正常な3つの検出信号に基づいて逆正接値を演算することが可能なため、回転軸の回転角を検出することができる。また、3つの検出信号のいずれか一つがさらに異常となった場合でも、残りの正常な2つの検出信号に基づいて逆正接値を演算することが可能なため、回転軸の回転角を検出することができる。よって、冗長性がさらに向上する。
請求項1に記載の回転角センサでは、請求項2に記載の発明のように、前記第1の検出信号と前記第2の検出信号との位相差が「90°」に設定され、前記第3の検出信号と前記第4の検出信号との位相差が「90°」に設定される、といった構成を採用することが有効である。
同構成によれば、第2の検出信号は、第1の検出信号と同相の余弦波信号となる。また、第4の検出信号は、第3の検出信号と同相の余弦波信号となる。したがって、第1の検出信号及び第2の検出信号のいずれか一方が異常となった場合、あるいはそれらの両方が異常となった場合には、第3の検出信号及び第4の検出信号に基づいて逆正接値を演算することにより回転軸の回転角を検出することができる。同様に、第3の検出信号及び第4の検出信号のいずれか一方が異常となった場合、あるいはそれらの両方が異常となった場合にも、第1の検出信号及び第2の検出信号に基づいて逆正接値を演算することにより回転軸の回転角を検出することができる。
一方、第2の検出信号及び第4の検出信号が異常となった場合、正常な信号は共に正弦波信号からなる第1の検出信号及び第3の検出信号となる。ここで、第1の検出信号及び第3の検出信号の位相差φが上述の範囲に設定されていれば、それらから第2の検出信号の正常値、すなわち正常な余弦値を演算することができる。よって、演算した正常な余弦値、及び正常な第1の検出信号の値に基づいて逆正接値を演算すれば、回転軸の回転角を検出することができる。同様に、第1の検出信号及び第3の検出信号が異常となった場合にも、第2の検出信号及び第4の検出信号に基づいて第1の検出信号の正常値を演算すれば、回転軸の回転角を検出することができる。
また、第1の検出信号及び第4の検出信号が異常となった場合、正常な信号は第2の検出信号及び第3の検出信号となる。これらの検出信号はそれぞれ余弦波信号及び正弦波信号であるが、それらには位相差があるため、それらから直接的に逆正接値を演算することはできない。ところで、第2の検出信号及び第3の検出信号の位相差φが上述の範囲に設定されていれば、それらから第1の検出信号の正常値、すなわち正常な正弦値を演算することができる。よって、演算した正常な正弦値、及び正常な第2の検出信号の値に基づいて逆正接値を演算すれば、回転軸の回転角を演算することができる。同様に、第2の検出信号及び第3の検出信号が異常となった場合にも、第1の検出信号及び第4の検出信号に基づいて第2の検出信号の正常値を演算すれば、回転軸の回転角を演算することができる。
このように、上記構成によれば、4つの検出信号のうちのいずれか一つが異常となった場合でも回転軸の回転角を演算することが可能である。また、4つの検出信号のうち、どの2つの検出信号が異常となった場合でも回転軸の回転角を演算することが可能である。
請求項2に記載の回転角センサでは、請求項3に記載の発明のように、前記第1の検出信号と前記第3の検出信号との位相差、及び前記第2の検出信号と前記第4の検出信号との位相差が同一の所定値に設定されるとともに、同所定値が、「45°」、「135°」、「225°」、及び「315°」のいずれかの値に設定される、といった構成を採用することが有効である。これにより、上述した第1の検出信号及び第3の検出信号に基づいて第2の検出信号の正常値を演算する場合や、第2の検出信号及び第3の検出信号に基づいて第1の検出信号の正常値を演算する際の演算量が軽減される。よって、回転角の演算速度が向上する。
請求項4に記載の発明は、請求項3に記載の回転角センサにおいて、磁気センサと、同磁気センサにバイアス磁界を付与するとともに前記回転軸と一体となって回転するバイアス磁石とを備え、前記磁気センサは、4つの磁気抵抗素子がブリッジ接続された第1のブリッジ回路及び第2のブリッジ回路を有して、前記回転軸が回転するときに前記バイアス磁界に生じる変化を前記第1のブリッジ回路及び前記第2のブリッジ回路により感知して、前記第1のブリッジ回路を構成する2つのハーフブリッジ回路のそれぞれの中点から前記第1の検出信号及び前記第2の検出信号を出力するとともに、前記第2のブリッジ回路を構成する2つのハーフブリッジ回路のそれぞれの中点から前記第3の検出信号及び第4の検出信号を出力するものであり、前記第2のブリッジ回路が前記第1のブリッジ回路に対して前記回転軸の回転方向に所定の角度だけずれるように配置されることを要旨とする。
同構成によれば、回転角センサの製造の際、第1のブリッジ回路及び第2のブリッジ回路を回転軸の回転方向に所定の角度だけずれるように配置するだけで、第1の検出信号と第3の検出信号との位相差、及び第2の検出信号と第4の検出信号との位相差をそれぞれ同一の所定値にすることができる。よって、請求項3に記載の回転角センサの製造が容易となる。
本発明の回転角センサによれば、冗長性がさらに向上する。
車両のパワーステアリング装置の構成を模式的に示すブロック図。 本発明の回転角センサの一実施形態について同回転角センサが搭載された電動モータの断面構造を示す断面図。 実施形態の回転角センサについてその斜視構造を示す斜視図。 実施形態の回転角センサについてその等価回路を示す回路図。 (a)は、実施形態の回転角センサについて第1のブリッジ回路から出力される第1の検出信号と回転軸の回転角との関係を示すグラフ。(b)は、第1のブリッジ回路から出力される第2の検出信号と回転軸の回転角との関係を示すグラフ。 (a)は、実施形態の回転角センサについて第2のブリッジ回路から出力される第3の検出信号と回転軸の回転角との関係を示すグラフ。(b)は、第2のブリッジ回路から出力される第4の検出信号と回転軸の回転角との関係を示すグラフ。 実施形態の回転角センサについて第2の検出信号及び第4の検出信号が異常となったときに制御装置に取り込まれる正常な検出信号を示すグラフ。 実施形態の回転角センサについて第1の検出信号及び第4の検出信号が異常となったときに制御装置に取り込まれる正常な検出信号を示すグラフ。
以下、本発明を電動モータの回転角センサに適用した一実施形態について説明する。はじめに、図1を参照して、本実施形態の回転角センサを利用した車両のパワーステアリング装置の概要について説明する。
図1に示すように、このパワーステアリング装置は、運転者のステアリングホイール10の操作に基づき転舵輪18を転舵させる操舵機構1、及び運転者のステアリング操作を補助するアシスト機構2を備えている。
操舵機構1は、ステアリングホイール10の回転軸となるステアリングシャフト11を備えている。ステアリングシャフト11は、ステアリングホイール10の中心に連結されるコラムシャフト12、コラムシャフト12の下端部に連結されるインターミディエイトシャフト13、及びインターミディエイトシャフト13の下端部に連結されるピニオンシャフト14からなる。ピニオンシャフト14の下端部にはラックアンドピニオン機構15を介してラックシャフト16が連結されている。これにより、運転者のステアリング操作に伴いステアリングシャフト11が回転すると、その回転運動がラックアンドピニオン機構15を介してラックシャフト16の軸方向の往復直線運動に変換される。このラックシャフト16の往復直線運動がその両端に連結されたタイロッド17を介して転舵輪18に伝達されることにより転舵輪18の転舵角が変化し、車両の進行方向が変更される。
アシスト機構2は、コラムシャフト12にアシストトルクを付与する電動モータ20を備えている。この電動モータ20の回転軸21の回転がギア機構22を介してコラムシャフト12に伝達されることによりステアリングシャフト11にモータトルクが付与され、ステアリング操作が補助される。
また、このパワーステアリング装置には、ステアリングホイール10の操作量や車両の状態量を検出する各種センサが設けられている。例えばコラムシャフト12には、運転者のステアリング操作に際してステアリングシャフト11に付与されるトルク(操舵トルク)Thを検出するトルクセンサ4が設けられている。車両には、その走行速度Vを検出する車速センサ5が設けられている。電動モータ20には、その回転角θを検出する回転角センサ6が設けられている。これらのセンサの出力は制御装置3に取り込まれている。制御装置3は、各センサの出力に基づいて目標アシストトルクを設定し、電動モータ20からコラムシャフト12に付与されるアシストトルクが目標アシストトルクとなるように電動モータ20に供給される電流をフィードバック制御する。
次に、図2及び図3を参照して、電動モータ20及び回転角センサ6の構造について詳述する。
図2に示すように、電動モータ20は、回転軸21に固定されて同回転軸21と一体となって回転するロータ23、及びロータ23の周囲を囲むように配置されるステータ24を備えている。ロータ23及びステータ24はハウジング25の内部に収容されている。ロータ23の外周には、永久磁石が貼付されている。ステータ24はハウジング25の内壁に固定されている。ステータ24の内周には、内側に向かって突出する複数の突出部が周方向に沿って所定の角度間隔で設けられており、この複数の突出部にコイル26が巻回されている。電動モータ20では、コイル26への通電により形成される回転磁界により、ロータ23が回転軸21と共に回転する。
回転角センサ6は、回転軸21の端部に固定されたバイアス磁石60と、このバイアス磁石60と対向するようにハウジング25の内壁面に固定されたMRセンサ70とを備えている。
図3に示すように、バイアス磁石60は、径方向にN極及びS極が着磁された円柱状の2極磁石からなる。このバイアス磁石60により、MRセンサ70には、実線の矢印で示す方向のバイアス磁界が付与されている。そして、例えば回転軸21が図中の位置から矢印aで示す方向に所定角度θだけ回転すると、バイアス磁石60も矢印aで示す方向に所定角度θだけ回転する。これにより、MRセンサ70に付与されているバイアス磁界の向きが、実線の矢印の方向から、軸線mを中心に所定角度θだけ回転した二点鎖線の矢印の方向に変化する。このように、MRセンサ70に付与される磁界の方向は回転軸21の回転角θに応じて変化する。
MRセンサ70は、バイアス磁石60から付与されるバイアス磁界の向きを検出し、その向きに応じた検出信号を出力する。図4に示すように、MRセンサ70は、4つの磁気抵抗素子MRE11〜MRE14からなる第1のブリッジ回路71、及び同じく4つの磁気抵抗素子MRE21〜MRE24からなる第2のブリッジ回路72を備えている。
第1のブリッジ回路71は、磁気抵抗素子MRE11及びMRE12が直列接続されたハーフブリッジ回路71a、並びに磁気抵抗素子MRE13及びMRE14が直列接続されたハーフブリッジ回路71bからなる。ハーフブリッジ回路71a,71bのそれぞれの一端は電源(電源電圧「+Vcc」)に接続され、それぞれの他端は接地されている。そして、この第1のブリッジ回路71では、磁気抵抗素子MRE11及びMRE12の中点電位が第1の検出信号S1として出力され、磁気抵抗素子MRE13及びMRE14の中点電位が第2の検出信号S2として出力される。
第1のブリッジ回路71では、上記回転軸21の回転に伴いバイアス磁石60が回転して磁気抵抗素子MRE11〜MRE14に付与されるバイアス磁界の向きが変化すると、磁気抵抗素子MRE11〜MRE14の抵抗値が変化する。これらの抵抗値の変化によりハーフブリッジ回路71aから出力される第1の検出信号S1、及びハーフブリッジ回路71bから出力される第2の検出信号S2が変化する。すなわち、第1の検出信号S1及び第2の検出信号S2は回転軸21の回転角θに応じて変化する。図5(a),(b)は、回転軸21の回転角θを横軸に、第1の検出信号S1及び第2の検出信号S2を縦軸にとって、両者の関係をそれぞれ示したものである。図5(a),(b)に示すように、第1の検出信号S1及び第2の検出信号S2は共に回転軸21の回転角θに対して正弦波状に変化する信号である。また、本実施形態では、磁気抵抗素子MRE11〜MRE14の配置を適宜調整することにより、第2の検出信号S2が第1の検出信号S1に対して「90°」だけ位相が進んだ信号となっている。すなわち、各検出信号S1,S2は以下の式(1),(2)で表すことができる。なお、「A」は、各検出信号S1,S2の振幅を示す。
S1=Asinθ・・・(1)
S2=Asin(θ+90°)
=Acosθ・・・(2)
図4に示すように、第2のブリッジ回路72は、第1のブリッジ回路71と同様の回路構成を有している。すなわち、第2のブリッジ回路72も、磁気抵抗素子MRE21及びMRE22が直列接続されたハーフブリッジ回路72a、並びに磁気抵抗素子MRE23及びMRE24が直列接続されたハーフブリッジ回路72bからなる。ハーフブリッジ回路72a,72bのそれぞれの一端は電源に接続され、それぞれの他端は接地されている。そして、第2のブリッジ回路72では、磁気抵抗素子MRE21及びMRE22の中点電位が第3の検出信号S3として出力され、磁気抵抗素子MRE23及びMRE24の中点電位が第4の検出信号S4として出力される。
本実施形態では、図示は割愛するが、第2のブリッジ回路72が第1のブリッジ回路71に対して上記回転軸21の回転方向に所定角度だけずれるように配置されている。これにより、図6(a)に示すように、第3の検出信号S3は、第1の検出信号S1に対して「45°」だけ位相が遅れた正弦波状の信号となっている。また、図6(b)に示すように、第4の検出信号S4は、第3の検出信号S3に対して「90°」だけ位相が進んで且つ、第2の検出信号S2に対して「45°」だけ位相が遅れた正弦波状の信号となっている。すなわち、各検出信号S3,S4は以下の式(3),(4)で表すことができる。
S3=Asin(θ−45°)・・・(3)
S4=Asin((θ−45°)+90°)
=Acos(θ−45°)・・・(4)
図4に示すように、第1のブリッジ回路71から出力される検出信号S1,S2、及び第2のブリッジ回路72から出力される検出信号S3,S4は、制御装置3に取り込まれている。制御装置3は、第1の検出信号S1及び第2の検出信号S2に基づいて逆正接値arctanθを演算したり、第3の検出信号S3及び第4の検出信号S4に基づいて逆正接値arctan(θ−45°)を演算することで回転軸21の回転角θを検出する。また、制御装置3は、4つの検出信号S1〜S4のいずれかが異常となった場合、残りの正常な検出信号を利用して回転軸21の回転角θを演算する。以下、その詳細を本実施形態の回転角センサ6の作用とともに説明する。
例えば第1のブリッジ回路71に何らかの異常が生じて第1の検出信号S1及び第2の検出信号S2のいずれか一方が異常となるか、あるいはそれらの両方が異常となったとする。この場合、制御装置3は、第3の検出信号S3及び第4の検出信号S4に基づいて逆正接値arctan(θ−45°)を演算し、演算した逆正接値arctan(θ−45°)に「45°」を加算することにより回転軸21の回転角θを検出する。同様に、第2のブリッジ回路72の第3の検出信号S3及び第4の検出信号S4のいずれか一方が異常となるか、あるいはそれらの両方が異常となった場合、制御装置3は、第1の検出信号S1及び第2の検出信号S2に基づいて逆正接値arctanθを演算することにより回転軸21の回転角θを検出する。
一方、例えば第2の検出信号S2及び第4の検出信号S4が異常となったとする。この場合、制御装置3に取り込まれる正常な信号は第1の検出信号S1及び第3の検出信号S3となる。しかしながら、第1の検出信号S1及び第3の検出信号S3は、図7に示すように、両方とも正弦波信号であるため、それらから直接的に逆正接値を演算することはできない。そこで、本実施形態の制御装置3は、第1の検出信号S1及び第3の検出信号S3を利用して、第2の検出信号S2の正常値、すなわち正常な余弦値Acosθを演算する。詳しくは、上記式(3)は、三角関数の公式及び上記式(1)を用いると、以下のように変形することができる。
S3=Asin(θ−45°)
=A(sinθcos45°−cosθsin45°)
=A(sinθ−cosθ)/√2
=(S1−Acosθ)/√2
よって、余弦値Acosθは以下の式(5)に基づいて演算することができる。
Acosθ=S1−√2×S3・・・(5)
ここで、制御装置3は、正常な第1の検出信号S1及び第3の検出信号S3のそれぞれの値から式(5)を用いて余弦値Acosθを演算する。そして、演算した余弦値Acosθ、及び第1の検出信号S1(=Asinθ)の値に基づいて逆正接値arctanθを演算することにより回転軸21の回転角θを検出する。同様に、第1の検出信号S1及び第3の検出信号S3が異常となった場合、制御装置3は、正常な第2の検出信号S2及び第4の検出信号S4から第1の検出信号S1の値、すなわち正弦値Asinθを演算する。そして、演算した正弦値Asinθ、及び第2の検出信号S2(=Acosθ)の値に基づいて逆正接値arctanθを演算することにより回転軸21の回転角θを演算する。
また、例えば第1の検出信号S1及び第4の検出信号S4が異常となったとする。この場合、制御装置3に取り込まれる正常な信号は第2の検出信号S2及び第3の検出信号S3となる。これら第2の検出信号S2及び第3の検出信号S3は、図8に示すように、それぞれ余弦波信号及び正弦波信号であるが、それらには位相差があるため、それらから直接的に逆正接値を演算することはできない。そこで、本実施形態の制御装置3は、第2の検出信号S2及び第3の検出信号S3に基づいて第1の検出信号S1の正常値、すなわち正常な正弦値Asinθを演算する。詳しくは、上記式(3)は、三角関数の公式及び上記式(1)を用いると、以下のように変形することができる。
S3=Asin(θ−45°)
=A(sinθcos45°−cosθsin45°)
=A(sinθ−cosθ)/√2
=(Asinθ−S2)/√2
よって、正弦値Asinθは、以下の式(6)により演算することができる。
Asinθ=S2+√2×S3・・・(6)
ここで、制御装置3は、正常な第2の検出信号S2及び第3の検出信号S3のそれぞれの値から式(6)を用いて正弦値Asinθを演算する。そして、演算した正弦値Asinθ、及び第2の検出信号S2(=Acosθ)の値に基づいて逆正接値を演算することにより回転軸21の回転角θを検出する。同様に、第2の検出信号S2及び第3の検出信号S3が異常となった場合、制御装置3は、正常な第1の検出信号S1及び第4の検出信号S4から第2の検出信号S2の正常値、すなわち正常な余弦値Acosθを演算する。そして、演算した余弦値Acosθ、及び第1の検出信号S1(=Asinθ)の値に基づいて逆正接値arctanθを演算することにより回転軸21の回転角θを検出する。
このように、本実施形態の回転角センサ6によれば、4つの検出信号S1〜S4のいずれか一つが異常となった場合でも回転軸21の回転角θを演算することができる。また、4つの検出信号S1〜S4のうち、どの2つの検出信号が異常となった場合でも回転軸21の回転角θを演算することができる。よって、冗長性が向上する。
以上説明したように、本実施形態の回転角センサによれば以下の効果が得られる。
(1)回転角センサ6では、回転軸21の回転角θに対して正弦波状に変化するとともに位相の異なる4つの検出信号S1〜S4を出力した。そして、第1の検出信号S1と第2の検出信号S2との位相差、及び第3の検出信号S3と第4の検出信号S4との位相差を「90°」にそれぞれ設定した。これにより、冗長性がさらに向上する。
(2)第1の検出信号S1と第3の検出信号S3との位相差、及び第2の検出信号S2と第4の検出信号S4との位相差を「45°」にそれぞれ設定した。これにより、第1の検出信号S1及び第3の検出信号S3に基づいて第2の検出信号S2の正常値を演算する場合や、第2の検出信号S2及び第3の検出信号S3に基づいて第1の検出信号S1の正常値を演算する際の演算量が軽減される。よって、回転角θの演算速度が向上する。
(3)MRセンサ70には、4つの磁気抵抗素子がブリッジ接続された第1のブリッジ回路71及び第2のブリッジ回路72を設けた。そして、第1のブリッジ回路71を構成する2つのハーフブリッジ回路71a,71bのそれぞれの中点から第1の検出信号S1及び第2の検出信号S2を出力した。また、第2のブリッジ回路72を構成する2つのハーフブリッジ回路72a,72bのそれぞれの中点から第3の検出信号S3及び第4の検出信号S4を出力した。さらに、第2のブリッジ回路72を第1のブリッジ回路71に対して回転軸21の回転方向に所定の角度だけずれるように配置した。これにより、回転角センサ6の製造の際、第1のブリッジ回路71及び第2のブリッジ回路72を回転軸21の回転方向に所定の角度だけずれるように配置するだけで、第1の検出信号S1と第3の検出信号S3との位相差、及び第2の検出信号S2と第4の検出信号S4との位相差をそれぞれ「45°」にすることができる。よって、回転角センサ6の製造が容易となる。
なお、上記実施形態は、これを適宜変更した以下の形態にて実施することもできる。
・上記実施形態では、バイアス磁界の変化を検出する磁気センサとしてMRセンサ70を用いたが、これに代えて、例えばホールセンサなどを用いてもよい。要は、回転軸21が回転するときにバイアス磁界に生じる変化を感知して4つの検出信号S1〜S4を出力する磁気センサが設けられていればよい。
・上記実施形態では、バイアス磁石60及びMRセンサ70により構成される回転角センサ6を用いたが、回転角センサ6の構造は任意である。例えば回転角センサ6としてレゾルバなどを用いてもよい。回転角センサ6は、回転軸21の回転角θに応じた4つの検出信号S1〜S4を出力するものであればよい。
・上記実施形態では、第1の検出信号S1と第3の検出信号S3との位相差、及び第2の検出信号S2と第4の検出信号S4との位相差を「45°」にそれぞれ設定したが、それらの位相差を「135°」、「225°」、及び「315°」のいずれかの値に設定してもよい。各位相差をこのように設定しても、上記(2)の効果と同等の効果を得ることができる。
・上記実施形態及びその変形例では、第1の検出信号S1と第3の検出信号S3との位相差、及び第2の検出信号S2と第4の検出信号S4との位相差を「45°」、「135°」、「225°」、及び「315°」のいずれかの値に設定したが、これに限らず、それらの位相差は適宜変更可能である。その際、前者の位相差と後者の位相差とを異なる値に設定してもよい。また、上記実施形態では、第1の検出信号S1と第2の検出信号S2との位相差、及び第3の検出信号S3と第4の検出信号S4との位相差を「90°」にそれぞれ設定したが、これに限らず、それらの位相差も適宜変更可能である。その際、前者の位相差と後者の位相差とを異なる値に設定してもよい。要は、第1〜第4の検出信号S1〜S4のそれぞれの位相が異なるとともに、それらの位相差φが「0°<φ<180°」あるいは「180°<φ<360°」に設定されていればよい。第1〜第4の検出信号S1〜S4のそれぞれの位相差φがこのように設定されていれば、第1〜第4の検出信号のいずれか一つが異常となったとき、残りの正常な3つの検出信号に基づいて上記式(5),(6)に準じた演算を行うことにより逆正接値を演算することができる。よって、回転軸21の回転角θを検出することが可能である。また、3つの検出信号のいずれか一つがさらに異常となった場合でも、残りの正常な2つの検出信号に基づいて上記式(5),(6)に準じた演算を行うことにより逆正接値を演算することができる。よって、回転軸21の回転角θを検出することが可能である。
・上記実施形態では、電動モータ20の回転軸21の回転角θを検出する回転角センサ6に本発明を適用したが、例えばステアリングシャフトの回転角を検出する回転角センサなど、適宜の回転角センサに本発明を適用することが可能である。すなわち、回転角センサが検出対象とする回転軸は任意である。要は、回転軸の回転角に応じた検出信号を出力する回転角センサであれば、本発明は適用可能である。
MRE11〜MRE14,MRE21〜MRE24…磁気抵抗素子、S1…第1の検出信号、S2…第2の検出信号、S3…第3の検出信号、S4…第4の検出信号、θ…回転角、6…回転角センサ、21…回転軸、60…バイアス磁石、70…MRセンサ(磁気センサ)、71…第1のブリッジ回路、72…第2のブリッジ回路、71a,71b,72a,72b…ハーフブリッジ回路。

Claims (4)

  1. 回転軸の回転角に応じた検出信号を出力する回転角センサにおいて、
    前記検出信号は、前記回転軸の回転角に対して正弦波状に変化するとともに位相がそれぞれ異なる第1〜第4の検出信号からなり、
    前記第1〜第4の検出信号のそれぞれの位相差は、その値をφとするとき、「0°<φ<180°」あるいは「180°<φ<360°」に設定される
    ことを特徴とする回転角センサ。
  2. 前記第1の検出信号と前記第2の検出信号との位相差、及び前記第3の検出信号と前記第4の検出信号との位相差が「90°」にそれぞれ設定される
    請求項1に記載の回転角センサ。
  3. 前記第1の検出信号と前記第3の検出信号との位相差、及び前記第2の検出信号と前記第4の検出信号との位相差が同一の所定値に設定されるとともに、同所定値が、「45°」、「135°」、「225°」、及び「315°」のいずれかの値に設定される
    請求項2に記載の回転角センサ。
  4. 請求項3に記載の回転角センサにおいて、
    磁気センサと、同磁気センサにバイアス磁界を付与するとともに前記回転軸と一体となって回転するバイアス磁石とを備え、
    前記磁気センサは、4つの磁気抵抗素子がブリッジ接続された第1のブリッジ回路及び第2のブリッジ回路を有して、前記回転軸が回転するときに前記バイアス磁界に生じる変化を前記第1のブリッジ回路及び前記第2のブリッジ回路により感知して、前記第1のブリッジ回路を構成する2つのハーフブリッジ回路のそれぞれの中点から前記第1の検出信号及び前記第2の検出信号を出力するとともに、前記第2のブリッジ回路を構成する2つのハーフブリッジ回路のそれぞれの中点から前記第3の検出信号及び前記第4の検出信号を出力するものであり、
    前記第2のブリッジ回路が前記第1のブリッジ回路に対して前記回転軸の回転方向に所定の角度だけずれるように配置される
    ことを特徴とする回転角センサ。
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