JP2013239415A - プラズマ発生ユニット及び表面波励起プラズマ処理装置 - Google Patents
プラズマ発生ユニット及び表面波励起プラズマ処理装置 Download PDFInfo
- Publication number
- JP2013239415A JP2013239415A JP2012113487A JP2012113487A JP2013239415A JP 2013239415 A JP2013239415 A JP 2013239415A JP 2012113487 A JP2012113487 A JP 2012113487A JP 2012113487 A JP2012113487 A JP 2012113487A JP 2013239415 A JP2013239415 A JP 2013239415A
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- substrate
- microwave
- dielectric plate
- plasma
- dielectric
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Granted
Links
Landscapes
- Plasma Technology (AREA)
- Chemical Vapour Deposition (AREA)
Abstract
【解決手段】処理対象の基板に対向して励起波長の1/4以下の間隔で行方向に沿って互いに離間して配置され、行方向と垂直な列方向に延伸する短冊形状の複数の誘電体を有する誘電体板と、誘電体間に配置され、基板と誘電体との間に処理ガスを導入するガス導入管と、励起波長のマイクロ波を出力するマイクロ波電源と、マイクロ波電源が出力するマイクロ波を誘電体板に伝搬する導波管とを備え、誘電体板に伝搬されるマイクロ波によって処理ガスが励起される。
【選択図】図1
Description
本発明の第1の実施形態に係る表面波励起プラズマ処理装置1は、チャンバー20と、チャンバー20内に格納された処理対象の基板200と対向して配置される誘電体板10と、チャンバー20内に処理ガスを導入するガス導入管12と、マイクロ波を出力するマイクロ波電源40と、マイクロ波電源40が出力したマイクロ波を誘電体板10に伝搬する導波管30とを備える。基板200は、図示を省略する基板ホルダーによってチャンバー20内で支持されている。また、排気装置60によって、チャンバー20内は排気される。
図1に示した表面波励起プラズマ処理装置1では、誘電体板10が短冊形状の複数の誘電体111〜113を有する例を示した。本発明の第2の実施形態に係る表面波励起プラズマ処理装置1は、図5に示すように、誘電体板10が、ストライプ状の複数の溝125が形成された表面を有する1つの誘電体を有する。溝125は列方向に延伸し、行方向に沿って互いに離間して配列されている。誘電体板10の表面に形成された溝125の幅は、励起波長の1/4以下である。図5では溝125の数が2本である例を示したが、溝125の数が3本以上、或いは1本であってもよい。
上記のように、本発明は実施形態によって記載したが、この開示の一部をなす論述及び図面はこの発明を限定するものであると理解すべきではない。この開示から当業者には様々な代替実施形態、実施例及び運用技術が明らかとなろう。
5…プラズマ発生ユニット
10…誘電体板
12…ガス導入管
20…チャンバー
30…導波管
40…マイクロ波電源
50…スロットアンテナ
60…排気装置
111〜113…誘電体
120…凹部
121…ガスノズル
125…溝
200…基板
Claims (6)
- 処理対象の基板に対向して励起波長の1/4以下の間隔で行方向に沿って互いに離間して配置され、前記行方向と垂直な列方向に延伸する短冊形状の複数の誘電体を有する誘電体板と、
前記誘電体間に配置され、前記基板と前記誘電体との間に処理ガスを導入するガス導入管と、
前記励起波長のマイクロ波を出力するマイクロ波電源と、
前記マイクロ波電源が出力する前記マイクロ波を前記誘電体板に伝搬する導波管と
を備え、前記誘電体板に伝搬されるマイクロ波によって前記処理ガスが励起されることを特徴とするプラズマ発生ユニット。 - 励起波長の1/4以下の幅で列方向に延伸する溝が処理対象の基板と対向する対向面に形成された誘電体を有する誘電体板と、
前記溝の内部に配置され、前記基板と前記誘電体との間に処理ガスを導入するガス導入管と、
前記励起波長のマイクロ波を出力するマイクロ波電源と、
前記マイクロ波電源が出力する前記マイクロ波を前記誘電体板に伝搬する導波管と
を備え、前記誘電体板に伝搬されるマイクロ波によって前記処理ガスが励起されることを特徴とするプラズマ発生ユニット。 - 前記溝が前記列方向と垂直な行方向に沿って複数配列され、前記溝の内部それぞれに前記ガス導入管が配置されていることを特徴とする請求項2に記載のプラズマ発生ユニット。
- 処理対象の基板が格納されるチャンバーと、
前記基板に対向して励起波長の1/4以下の間隔で行方向に沿って互いに離間して配置され、前記行方向と垂直な列方向に延伸する短冊形状の複数の誘電体を有する誘電体板と、
前記誘電体間に配置され、前記基板と前記誘電体との間に処理ガスを導入するガス導入管と、
前記励起波長のマイクロ波を出力するマイクロ波電源と、
前記マイクロ波電源が出力する前記マイクロ波を前記誘電体板に伝搬する導波管と
を備え、前記誘電体板に伝搬された前記マイクロ波によって励起された前記処理ガスのプラズマを用いて前記チャンバー内で前記基板を処理することを特徴とする表面波励起プラズマ処理装置。 - 処理対象の基板が格納されるチャンバーと、
励起波長の1/4以下の幅で列方向に延伸する溝が前記基板と対向する対向面に形成された誘電体を有する誘電体板と、
前記溝の内部に配置され、前記基板と前記誘電体との間に処理ガスを導入するガス導入管と、
前記励起波長のマイクロ波を出力するマイクロ波電源と、
前記マイクロ波電源が出力する前記マイクロ波を前記誘電体板に伝搬する導波管と
を備え、前記誘電体板に伝搬された前記マイクロ波によって励起された前記処理ガスのプラズマを用いて前記チャンバー内で前記基板を処理することを特徴とする表面波励起プラズマ処理装置。 - 前記溝が前記列方向と垂直な行方向に沿って複数配列され、前記溝の内部それぞれに前記ガス導入管が配置されていることを特徴とする請求項5に記載の表面波励起プラズマ処理装置。
Priority Applications (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP2012113487A JP5601348B2 (ja) | 2012-05-17 | 2012-05-17 | プラズマ発生ユニット及び表面波励起プラズマ処理装置 |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP2012113487A JP5601348B2 (ja) | 2012-05-17 | 2012-05-17 | プラズマ発生ユニット及び表面波励起プラズマ処理装置 |
Publications (2)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JP2013239415A true JP2013239415A (ja) | 2013-11-28 |
JP5601348B2 JP5601348B2 (ja) | 2014-10-08 |
Family
ID=49764266
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP2012113487A Expired - Fee Related JP5601348B2 (ja) | 2012-05-17 | 2012-05-17 | プラズマ発生ユニット及び表面波励起プラズマ処理装置 |
Country Status (1)
Country | Link |
---|---|
JP (1) | JP5601348B2 (ja) |
Families Citing this family (1)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
KR101821864B1 (ko) * | 2015-12-23 | 2018-03-08 | 한국기초과학지원연구원 | 수표면에서 플라즈마를 생성하는 액체 처리장치 |
Citations (6)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
WO2007040110A1 (ja) * | 2005-09-30 | 2007-04-12 | Tokyo Electron Limited | プラズマ処理装置と方法 |
JP2008041323A (ja) * | 2006-08-02 | 2008-02-21 | Tokyo Electron Ltd | プラズマ処理装置と方法 |
WO2008153013A1 (ja) * | 2007-06-14 | 2008-12-18 | Tokyo Electron Limited | マイクロ波プラズマ処理装置およびマイクロ波プラズマ処理方法、ならびにマイクロ波透過板 |
JP2010277971A (ja) * | 2009-06-01 | 2010-12-09 | Tokyo Electron Ltd | プラズマ処理装置及びプラズマ処理装置の給電方法 |
JP2011040416A (ja) * | 2007-11-06 | 2011-02-24 | Tohoku Univ | プラズマ処理装置及び外気遮断容器 |
JP2012089334A (ja) * | 2010-10-19 | 2012-05-10 | Tokyo Electron Ltd | マイクロ波プラズマ源およびプラズマ処理装置 |
-
2012
- 2012-05-17 JP JP2012113487A patent/JP5601348B2/ja not_active Expired - Fee Related
Patent Citations (6)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
WO2007040110A1 (ja) * | 2005-09-30 | 2007-04-12 | Tokyo Electron Limited | プラズマ処理装置と方法 |
JP2008041323A (ja) * | 2006-08-02 | 2008-02-21 | Tokyo Electron Ltd | プラズマ処理装置と方法 |
WO2008153013A1 (ja) * | 2007-06-14 | 2008-12-18 | Tokyo Electron Limited | マイクロ波プラズマ処理装置およびマイクロ波プラズマ処理方法、ならびにマイクロ波透過板 |
JP2011040416A (ja) * | 2007-11-06 | 2011-02-24 | Tohoku Univ | プラズマ処理装置及び外気遮断容器 |
JP2010277971A (ja) * | 2009-06-01 | 2010-12-09 | Tokyo Electron Ltd | プラズマ処理装置及びプラズマ処理装置の給電方法 |
JP2012089334A (ja) * | 2010-10-19 | 2012-05-10 | Tokyo Electron Ltd | マイクロ波プラズマ源およびプラズマ処理装置 |
Also Published As
Publication number | Publication date |
---|---|
JP5601348B2 (ja) | 2014-10-08 |
Similar Documents
Publication | Publication Date | Title |
---|---|---|
US9196460B2 (en) | Plasma processing apparatus and plasma processing method | |
JP5377587B2 (ja) | アンテナ、プラズマ処理装置及びプラズマ処理方法 | |
US8610353B2 (en) | Plasma generating apparatus, plasma processing apparatus and plasma processing method | |
WO2007020810A1 (ja) | プラズマ処理装置 | |
JP2009205921A (ja) | マイクロ波プラズマ処理装置およびマイクロ波プラズマ処理装置の使用方法 | |
US7934468B2 (en) | Plasma processing apparatus and plasma processing method | |
JP3787297B2 (ja) | プラズマ処理装置 | |
JP5601348B2 (ja) | プラズマ発生ユニット及び表面波励起プラズマ処理装置 | |
JP2011021210A (ja) | Ecrプラズマ源およびecrプラズマ装置 | |
WO2015029090A1 (ja) | プラズマ処理装置およびプラズマ処理方法 | |
JP2007273773A (ja) | プラズマ処理装置およびプラズマ処理装置のクリーニング方法 | |
JP5329796B2 (ja) | プラズマ処理装置 | |
JP5568608B2 (ja) | プラズマ処理装置 | |
KR101514080B1 (ko) | 플라즈마 화학 기상 증착 장치 | |
JP2013128085A (ja) | プラズマ処理装置及びガス供給部品 | |
JP2009146837A (ja) | 表面波励起プラズマ処理装置 | |
JP2007258570A (ja) | プラズマ処理装置 | |
JP2010219004A (ja) | プラズマ発生装置 | |
JP2004200390A (ja) | プラズマ処理装置 | |
JP6065111B2 (ja) | プラズマ処理装置 | |
JPH10255999A (ja) | マイクロ波励起プラズマ装置 | |
JP2015109184A (ja) | 表面波プラズマ源及び表面波励起プラズマ成膜装置 | |
JP2006173372A (ja) | プラズマソース、これを備える表面波励起プラズマcvd装置および成膜方法 | |
JP2013245396A (ja) | 表面波励起プラズマcvd装置及び表面波励起プラズマcvd成膜方法 | |
KR101104638B1 (ko) | 플라즈마 처리장치 |
Legal Events
Date | Code | Title | Description |
---|---|---|---|
A131 | Notification of reasons for refusal |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A131 Effective date: 20131022 |
|
A521 | Request for written amendment filed |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A523 Effective date: 20131125 |
|
A131 | Notification of reasons for refusal |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A131 Effective date: 20131217 |
|
A521 | Request for written amendment filed |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A523 Effective date: 20140203 |
|
TRDD | Decision of grant or rejection written | ||
A01 | Written decision to grant a patent or to grant a registration (utility model) |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A01 Effective date: 20140722 |
|
A61 | First payment of annual fees (during grant procedure) |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A61 Effective date: 20140804 |
|
R151 | Written notification of patent or utility model registration |
Ref document number: 5601348 Country of ref document: JP Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R151 |
|
LAPS | Cancellation because of no payment of annual fees |