JP2013239153A - 可変電源の温度補償電源電圧の出力回路及びその方法 - Google Patents

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Abstract

【課題】大きな幅の可変電源電圧を有する回路でレギュレータを一段のみ使用することにより、温度変化によるレギュレータの出力特性の低下を補償することができる可変電源の温度補償電源電圧の出力回路及びその方法を提供する。
【解決手段】可変電源の温度補償電源電圧の出力回路は、可変電源をシステムで所望の特定電圧に変換して供給するレギュレータ回路部610と、レギュレータ回路部610の出力端に構成され、温度変化による抵抗値の変化を補償するための抵抗補償回路部620と、前記レギュレータ回路部610が用いられた電子回路システムにおける周りの温度変化を検知し、前記検知された温度変化に対応する出力値を前記抵抗補償回路部620に供給することで、前記抵抗補償回路部620によって温度による抵抗値の変化を補償する温度センサ630と、を含む。
【選択図】図6

Description

本発明は、可変電源の温度補償電源電圧の出力回路及びその方法に関し、特に、大きな幅の可変電源電圧を有する回路でレギュレータを一段のみ使用して温度変化によるレギュレータの出力特性の低下を補償することができる可変電源の温度補償電源電圧の出力回路及びその方法に関する。
電子回路システムの設計において重要な決定事項の一つは電源電圧レベルを決定することである。同一のアプリケーションであってもシステムごとに最適化した電源電圧レベルは異なり得る。従って、システムに使用される集積回路は可変電源電圧を考慮して設計しなければならない場合が多い。電源電圧が変化する場合、回路の各ノードの電圧及び電流も変化する。このような変化は、回路の線形性、雑音のみならず、電力消費の管理において多くの問題をもたらし得る。従って、可変電圧を使用する場合、所望の特定電圧に変換するためにレギュレータを使用することが多い。特に、正確な電源電圧が必要な場合には、LDO(Low Drop Out)レギュレータを追加してレギュレータを二段に分けて設計することもある。大きな幅に変化する可変電源電圧の場合、一段のレギュレータでは満足するほどの出力特性が現れない場合が多いためである。しかし、レギュレータを二段に設計することは性能の面において有利な点があるものの、サイズ、電力消費及びシステムの複雑性などを増加させる欠点がある。従って、設計者は電子回路システムを設計する際、システムに必要な性能を予め把握し、性能、複雑性、及びサイズなどの事項を総合的に考慮してレギュレータの段数を調整する必要がある。
韓国登録特許公報第10−0799836号 韓国公開特許公報第2000−0057646号
本発明は、前記のような事項を勘案して導き出されたものであり、大きな幅の可変電源電圧を有する回路でレギュレータを一段のみ使用することにより、温度変化によるレギュレータの出力特性の低下を補償することができる可変電源の温度補償電源電圧の出力回路及びその方法を提供することを目的とする。
前記の目的を果たすために本発明による可変電源の温度補償電源電圧の出力回路は、複数のトランジスタ及び複数の抵抗の直並列組み合わせ回路で構成され、可変電源をシステムで所望の特定電圧に変換して供給するレギュレータ回路部と、前記レギュレータ回路部の出力端に構成され、温度変化による抵抗値の変化を補償するための抵抗補償回路部と、前記レギュレータ回路部が用いられた電子回路システムにおける周りの温度変化を検知し、前記検知された温度変化に対応する出力値を前記抵抗補償回路部に供給することで、前記抵抗補償回路部によって温度による抵抗値の変化を補償する温度センサと、を含むことを特徴とする。
ここで、前記抵抗補償回路部は、それぞれ互いに異なる抵抗値を有する抵抗及びトランジスタを直列に接続して構成された複数の単位回路が互いに並列に接続された回路で構成されることができる。
この際、前記単位回路は4個で構成されることができ、基本抵抗値(Rbase)に対する一定割合の抵抗変化値を△とすると、各単位回路を構成する全4個の抵抗値は「Rbase+2△」、「Rbase+△」、「Rbase−△」、「Rbase−2△」で構成されることができる。
この際、前記単位回路内の各トランジスタは、前記温度センサとそれぞれ電気的に連結され、前記温度センサからの出力値の入力を受けてオン/オフのスイチング動作を行うことにより各トランジスタに直列に接続された該抵抗を介して電流が通電または遮断されるようにすることで温度による抵抗値の変化を補償する。
また、前記単位回路内の各トランジスタとしてはFET(Field Effect Transistor)が使用されることができる。
また、前記単位回路内の各トランジスタとしてはMOSFET(Metal oxide Semiconductor Field Effect Transistor)が使用されることが好ましい。
また、前記温度センサとしては検出された温度によって異なる出力を示すためにBJT(Bipolar Junction Transistor)が使用されることが好ましい。
また、前記温度センサは予め設定された温度範囲にそれぞれ対応する互いに異なる信号値(デジタル値)を出力する。
また、前記温度センサは、−40〜0℃の温度範囲ではデジタル値「11」を出力し、0〜40℃の温度範囲ではデジタル値「10」を出力し、40〜80℃の温度範囲ではデジタル値「01」を出力し、80〜120℃の温度範囲ではデジタル値「00」を出力するように設定されることができる。
また、前記の目的を果たすための本発明による可変電源の温度補償電源電圧の出力方法は、レギュレータ回路部、抵抗補償回路部及び温度センサを含む可変電源の温度補償電源電圧の出力回路を用いて可変電源の温度補償電源電圧を出力する方法であって、a)前記レギュレータ回路部が用いられた電子回路システムにおける周りの温度変化を前記温度センサによって検知する段階と、b)前記検知された温度変化に応じて前記温度センサにより予め設定された対応信号を出力し、前記抵抗補償回路部に供給する段階と、c)前記抵抗補償回路部により、前記温度センサからの出力信号の入力を受け、前記抵抗補償回路部内の抵抗及びトランジスタで構成された該単位回路を動作させる段階と、d)前記単位回路内の抵抗を介して電流が流れるようにして電圧降下を発生させることにより、温度変化による出力電圧の変化を補償し、電源電圧を出力する段階と、を含むことを特徴とする。
ここで、前記段階b)における前記温度センサは、予め設定された温度範囲にそれぞれ対応する互いに異なる信号(デジタル値)を出力する。
この際、前記温度センサは、−40〜0℃の温度範囲ではデジタル値「11」を出力し、0〜40℃の温度範囲ではデジタル値「10」を出力し、40〜80℃の温度範囲ではデジタル値「01」を出力し、80〜120℃の温度範囲ではデジタル値「00」を出力するように設定されることができる。
また、前記抵抗補償回路部は、それぞれ互いに異なる抵抗値を有する抵抗及びトランジスタを直列に接続して構成された複数の単位回路が互いに並列に接続された回路で構成されることができる。
この際、前記単位回路は4個で構成されることができ、基本抵抗値(Rbase)に対する一定割合の抵抗変化値を△とすると、各単位回路を構成する全4個の抵抗値は「Rbase+2△」、「Rbase+△」、「Rbase−△」、「Rbase−2△」で構成されることができる。
このような本発明によると、電子回路システムの温度変化に対する温度(抵抗)補償によって電圧が一定になるため、大きな幅の可変電源電圧を有する回路でレギュレータを一段のみ使用することで温度変化によるレギュレータの出力特性の低下を補償することができる。また、レギュレータを一段のみ使用するため、システムの構成を単純化することができる。
一般的な構造の電源電圧及び電流源の発生回路を概略的に示す図面である。 図1に図示された回路におけるレギュレータの出力電圧を説明する図面である。 一般的な構造の供給独立電流源を使用した第1レギュレータ(1st regulator)の回路構成を示す図面である。 図3での電流源による基準電流Irefの温度特性に対するシミュレーション結果を示す図面である。 図3での抵抗R4の温度特性に対するシミュレーション結果を示す図面である。 本発明の実施形態による可変電源の温度補償電源電圧の出力回路の構成を概略的に示す図面である。 本発明の実施形態による可変電源の温度補償電源電圧の出力方法の実行過程を示すフローチャートである。 本発明による可変電源の温度補償電源電圧の出力回路に用いられる温度センサの動作を概略的に説明する図面である。 本発明による可変電源の温度補償電源電圧の出力回路に用いられる温度センサの特性曲線を示す図面である。 本発明による可変電源の温度補償電源電圧の出力方法による出力電圧の温度変化の改善効果を概念的に示す図面である。
本明細書及び請求範囲に用いられた用語や単語は通常的かつ辞書的な意味に限定して解釈されてはならず、発明者が自らの発明を最善の方法で説明するために用語の概念を適切に定義することができるという原則にしたがって本発明の技術的思想にかなう意味と概念に解釈されなければならない。
明細書全体において、ある部分がある構成要素を「含む」場合、特にこれに反する記載がない限り、他の構成要素を除くものではなく、他の構成要素をさらに含むことができることを意味する。また、明細書に記載の「…部」、「…器」、「モジュール」、「装置」などの用語は少なくとも一つの機能や動作を処理する単位を意味し、これはハードウェアやソフトウェアまたはハードウェア及びソフトウェアの結合により具現されることができる。
以下、図面を参照して本発明の実施形態を詳細に説明する。
ここで、本発明の実施形態に対して本格的に説明する前に、本発明を容易に理解するために一般的な可変電源の温度補償出力回路の一例について先に説明する。
図1は一般的な構造の電源電圧及び電流源の発生回路を概略的に示す図面であり、図2は図1に図示された回路におけるレギュレータの出力電圧を説明する図面である。
図1及び図2を参照すると、電源電圧が可変されるシステムにおいて電源電圧及び電流源の安定化のために、通常、図1のような構造のシステム(回路)が使用される。図2に図示されたように、可変入力電源電圧を7V〜30Vに仮定する。図2の場合、最終的に所望する電圧レベルは5Vである。先ず、第1レギュレータ(1st regulator)110は可変電源電圧の入力を受けて1次的に略6V〜8Vレベルの電圧を出力する。ほとんどの場合、温度変化などの影響により、約10%以上の出力電圧の変動が発生すると仮定した。次に、第2レギュレータ(2nd regulator;LDO)120、即ち、LDOを介して最終的に安定した5Vの出力電圧を得ることができる。LDO120は温度に対する変化幅が非常に小さい。温度に対して安定した特性を示すBGR(Band Gap Reference)130の出力電圧を逓倍するため、温度変化にもかかわらずBGR130の出力電圧さえ安定していればそれに比例する安定した5Vの出力電圧を得ることができる。しかし、性能が多少低下しても、複雑性、電流消費、及びサイズを減少しなければならない回路としては、簡単な構造を有する必要がある。図1における参照番号140は一定の電流源としての電流発生器を示す。
図3は一般的な構造の供給独立電流源を使用した第1レギュレータ(1st regulator)の回路構成を示す図面である。
図3を参照すると、独立電流源による基準電流Irefは以下の数1のように決定されるため、電源電圧とは独立した値を有することが分かる。
Figure 2013239153
第1レギュレータの最終の出力電圧Vregoutは以下の数2に示すように、基準電流のN逓倍値であるIout(N*Iref)とR4を掛けた値で決定される。
図4は前記数1での電流源による基準電流Irefの温度特性に対するシミュレーション結果を示す図面である。
図4に図示されたように、電流は−40〜85℃の温度変化にもかかわらず約1%の電流変化のみを示すことが分かる。これにより、電流源は温度変化に対してほとんど影響を受けないということが分かる。
図5は抵抗R4の温度特性に対するシミュレーション結果を示す図面である。
図5に図示されたように、抵抗R4は−40〜85℃の温度変化に対して約12%の抵抗変化を示すことが分かる。従って、以下の数2で表される第1レギュレータの出力電圧Vregoutを安定化させるためには、温度変化に対応して一定の抵抗値を有する必要があるということが分かる。
Figure 2013239153
本発明は、以上のような事項に基づき、大きな幅の可変電源電圧を有する回路でレギュレータを一段のみ使用して温度変化によるレギュレータの出力特性の低下を補償することができる可変電源の温度補償電源電圧の出力回路を提供することを目的とする。
図6は本発明の実施形態による可変電源の温度補償電源電圧の出力回路の構成を概略的に示す図面である。
図6を参照すると、本発明による可変電源の温度補償電源電圧の出力回路はレギュレータ回路部610、抵抗補償回路部620及び温度センサ630を含んで構成される。
前記レギュレータ回路部610は複数のトランジスタ(例えば、MOSFET)M1〜M4と複数の抵抗R1〜R4の直並列組み合わせ回路で構成され、可変電源をシステムで所望の特定電圧(例えば、DC5V)に変換して供給する。
前記抵抗補償回路部620は、前記レギュレータ回路部610の出力端に構成され、温度変化による抵抗値の変化を補償する。ここで、このような抵抗補償回路部620は、それぞれ互いに異なる抵抗値を有する抵抗R4〜R7及びトランジスタM5〜M7を直列に接続して構成された複数の単位回路が互いに並列に接続された回路で構成されることができる。
この際、前記単位回路は4個で構成されることができ、基本抵抗値(Rbase)に対する一定割合の抵抗変化値を△とすると、各単位回路を構成する全4個の抵抗値は、「Rbase+2△」、「Rbase+△」、「Rbase−△」、「Rbase−2△」で構成されることができる。ここで、このような単位回路は必ず4個で構成されると限定されるものではなく、場合によってはそれ以上の個数で構成されることもできる。また、前記抵抗値も本例示でのような4個の値、即ち、「Rbase+2△」、「Rbase+△」、「Rbase−△」、「Rbase−2△」に限定されるものではなく、必要に応じて抵抗値を増加または減少させることもできる。
この際、前記単位回路内の各トランジスタM5〜M7は、前記温度センサ630とそれぞれ電気的に連結され、前記温度センサ630からの出力値の入力を受けてオン/オフ(ON/OFF)のスイチング動作を行うことにより各トランジスタM5〜M7に直列に接続された該抵抗R4〜R7を介して電流が通電または遮断されるようにすることで温度による抵抗値の変化を補償する。
また、前記単位回路内の各トランジスタM5〜M7としてはFET(Field Effect Transistor)が使用されることができる。
また、前記単位回路内の各トランジスタM5〜M7としてはMOSFET(Metal oxide Semiconductor Field Effect Transistor)が使用されることが好ましい。
前記温度センサ630は、前記レギュレータ回路部610が用いられた電子回路システムにおける周りの温度変化を検知し、前記検知された温度変化に対応する出力値を前記抵抗補償回路部620に供給することで、前記抵抗補償回路部620によって温度による抵抗値の変化を補償する。
ここで、以上のような温度センサ630は、予め設定された温度範囲にそれぞれ対応する互いに異なる信号値(デジタル値)を出力する。
例えば、前記温度センサ630は、−40〜0℃の温度範囲ではデジタル値「11」を出力し、0〜40℃の温度範囲ではデジタル値「10」を出力し、40〜80℃の温度範囲ではデジタル値「01」を出力し、80〜120℃の温度範囲ではデジタル値「00」を出力するように設定されることができる。
また、前記温度センサ630としては、検出された温度によって異なる出力を示すために、BJT(Bipolar Junction Transistor)が使用されることができる。
ここで、本実施形態では、前記温度センサ630からの出力値(ビット)を2bitの値に出力すると説明したが、必ずしも、前記2bitの値に出力するものに限定されず、場合によってはそれ以上のビット(例えば、3bitや4bitなど)の値に出力することもできる。また、このようにデジタルビットの数を増加して出力する場合、温度範囲の設定及びそれによる抵抗値の調節をより精密に行うことができる。
以下、以上のような構成を有する本発明の可変電源の温度補償電源電圧の出力回路の動作及びこれを用いた可変電源の温度補償電源電圧の出力方法について説明する。
図7は本発明の実施形態による可変電源の温度補償電源電圧の出力方法の実行過程を示すフローチャートである。
図7を参照すると、本発明による可変電源の温度補償電源電圧の出力方法は、前記のようなレギュレータ回路部610、抵抗補償回路部620及び温度センサ630を含む可変電源の温度補償電源電圧の出力回路を用いて可変電源の温度補償電源電圧を出力する方法であって、先ず、前記レギュレータ回路部610が用いられた電子回路システムにおける周りの温度変化を前記温度センサ630によって検知する(段階S701)。
次に、前記検知された温度変化に応じて前記温度センサ630によって予め設定された対応信号を出力し、前記抵抗補償回路部620に供給する(段階S702)。
また、前記抵抗補償回路部620により、前記温度センサ630からの出力信号の入力を受け、前記抵抗補償回路部620内の抵抗R4〜R7とトランジスタM5〜M7で構成された該単位回路を動作させる(段階S703)。
次に、前記単位回路内の抵抗R4〜R7を介して電流が流れるようにして電圧降下を発生させることにより、温度変化による出力電圧の変化を補償し、電源電圧を出力する(段階S704)。
以上のような一連の過程において、前記段階S702における前記温度センサ630は、予め設定された温度範囲(例えば、−40〜0℃、0〜40℃、40〜80℃、80〜120℃)にそれぞれ対応する互いに異なる信号(デジタル値)を出力する。
この際、前記温度センサ630は、−40〜0℃の温度範囲ではデジタル値「11」を出力し、0〜40℃の温度範囲ではデジタル値「10」を出力し、40〜80℃の温度範囲ではデジタル値「01」を出力し、80〜120℃の温度範囲ではデジタル値「00」を出力するように設定されることができる。
また、前記抵抗補償回路部620は、それぞれ互いに異なる抵抗値を有する抵抗R4〜R7及びトランジスタM5〜M7を直列に接続して構成された複数の単位回路が互いに並列に接続された回路で構成されることができる。
この際、前記単位回路は4個で構成されることができ、基本抵抗値(Rbase)に対する一定割合の抵抗変化値を△とすると、各単位回路を構成する全4個の抵抗値は、「Rbase+2△」、「Rbase+△」、「Rbase−△」、「Rbase−2△」で構成されることができる。
ここで、前記段階S702及びS703における温度センサ630による信号出力及び抵抗値変化に対する補償についてさらに説明する。
図8は本発明による可変電源の温度補償電源電圧の出力回路に用いられる温度センサの動作を概略的に説明する図面であり、図9は温度センサの特性曲線を示す図面である。
図8及び図9を参照すると、前記のように、温度センサ630は温度変化を検出し、検出された温度によって対応する信号(デジタル値)を出力する。この際、温度センサ630は、システムの動作温度範囲である−40〜120℃の温度に対して線形的に減少する電圧出力を示す(図9参照)。また、温度センサ630は、−40〜0℃の温度範囲では「11」を出力し、0〜40℃の温度範囲では「10」を出力し、40〜80℃の温度範囲では「01」を出力し、80〜120℃の温度範囲では「00」を出力するように設定されている。例えば、温度センサ630が「11」を出力した場合、これは温度センサ630が−40〜0℃の温度範囲にあることを意味し、前記の図5に示したように、抵抗は低温で高い値を示すため、出力電圧Vregoutが温度によって一定の電圧を出力するためには、温度センサ630で「11」を出力した場合には抵抗を減少させなければならない。一方、温度センサ630が「00」を出力したと仮定すると、温度が80〜120℃の範囲にあることを意味する。前記の図5と同様に、温度が高いと抵抗値が減少されるため出力電圧Vregoutの温度変化を最大限に小さくするためには、温度センサ630の出力値「00」では抵抗値を増加させて一定の出力電圧が出力されるようにしなければならない。このような方式で構成された回路が前記の図6の本発明の可変電源の温度補償電源電圧の出力回路である。
一方、図10は本発明による可変電源の温度補償電源電圧の出力方法による出力電圧の温度変化の改善効果を概念的に示す図面である。
図10に図示されたように、温度変化に対する温度補償前には温度上昇につれて負荷抵抗値が低下し、これによって出力電圧Vregoutも低下する特性を示すが、温度補償後には温度補償によって抵抗が一定になるため、出力電圧Vregoutもまた温度変化に対して一定の値を維持することが確認できる。
以上の説明のように、本発明による可変電源の温度補償電源電圧の出力回路及びその方法は、電子回路システムの温度変化に対する温度(抵抗)補償によって電圧が一定になるため、大きな幅の可変電源電圧を有する回路でレギュレータを一段のみ使用して温度変化によるレギュレータの出力特性の低下を補償することができる利点がある。また、レギュレータを一段のみ使用するため、システムの構成を単純化することができる利点がある。
以上、好ましい実施形態により本発明について詳細に説明したが、本発明はこれに限定されず、本発明の技術的思想から外れない範囲内で多様に変更、応用することができることは当業者にとって自明である。従って、本発明の本当の保護範囲は請求範囲によって解釈しなければならず、それと同等な範囲内にある全ての技術的思想は本発明の権利範囲に含まれると解釈しなければならない。
110 第1レギュレータ
120 第2レギュレータ(LDO)
130 BGR(Band Gap Reference)
140 電流発生器
610 レギュレータ回路部
620 抵抗補償回路部
630 温度センサ

Claims (14)

  1. 複数のトランジスタ及び複数の抵抗の直並列組み合わせ回路で構成され、可変電源をシステムで所望の特定電圧に変換して供給するレギュレータ回路部と、
    前記レギュレータ回路部の出力端に構成され、温度変化による抵抗値の変化を補償するための抵抗補償回路部と、
    前記レギュレータ回路部が用いられた電子回路システムにおける周りの温度変化を検知し、前記検知された温度変化に対応する出力値を前記抵抗補償回路部に供給することで、前記抵抗補償回路部によって温度による抵抗値の変化を補償する温度センサと、
    を含むことを特徴とする可変電源の温度補償電源電圧の出力回路。
  2. 前記抵抗補償回路部は、それぞれ互いに異なる抵抗値を有する抵抗及びトランジスタを直列に接続して構成された複数の単位回路が互いに並列に接続された回路で構成される請求項1に記載の可変電源の温度補償電源電圧の出力回路。
  3. 前記単位回路は4個で構成され、基本抵抗値(Rbase)に対する一定割合の抵抗変化値を△とすると、各単位回路を構成する全4個の抵抗値は「Rbase+2△」、「Rbase+△」、「Rbase−△」、「Rbase−2△」で構成される請求項2に記載の可変電源の温度補償電源電圧の出力回路。
  4. 前記単位回路内の各トランジスタは、前記温度センサとそれぞれ電気的に連結され、前記温度センサからの出力値の入力を受けてオン/オフのスイチング動作を行うことにより各トランジスタに直列に接続された該抵抗を介して電流が通電または遮断されるようにすることで温度による抵抗値の変化を補償する請求項2に記載の可変電源の温度補償電源電圧の出力回路。
  5. 前記単位回路内の各トランジスタはFET(Field Effect Transistor)である請求項2に記載の可変電源の温度補償電源電圧の出力回路。
  6. 前記単位回路内の各トランジスタはMOSFET(Metal oxide Semiconductor Field Effect Transistor)である請求項5に記載の可変電源の温度補償電源電圧の出力回路。
  7. 前記温度センサは、検出された温度によって異なる出力を示すためにBJT(Bipolar Junction Transistor)で構成される請求項1に記載の可変電源の温度補償電源電圧の出力回路。
  8. 前記温度センサは予め設定された温度範囲にそれぞれ対応する互いに異なる信号値(デジタル値)を出力する請求項1に記載の可変電源の温度補償電源電圧の出力回路。
  9. 前記温度センサは、−40〜0℃の温度範囲ではデジタル値「11」を出力し、0〜40℃の温度範囲ではデジタル値「10」を出力し、40〜80℃の温度範囲ではデジタル値「01」を出力し、80〜120℃の温度範囲ではデジタル値「00」を出力するように設定される請求項8に記載の可変電源の温度補償電源電圧の出力回路。
  10. レギュレータ回路部、抵抗補償回路部及び温度センサを含む可変電源の温度補償電源電圧の出力回路を用いて可変電源の温度補償電源電圧を出力する方法であって、
    a)前記レギュレータ回路部が用いられた電子回路システムにおける周りの温度変化を前記温度センサによって検知する段階と、
    b)前記検知された温度変化に応じて前記温度センサにより予め設定された対応信号を出力し、前記抵抗補償回路部に供給する段階と、
    c)前記抵抗補償回路部により、前記温度センサからの出力信号の入力を受け、前記抵抗補償回路部内の抵抗及びトランジスタで構成された該単位回路を動作させる段階と、
    d)前記単位回路内の抵抗を介して電流が流れるようにして電圧降下を発生させることにより、温度変化による出力電圧の変化を補償し、電源電圧を出力する段階と、
    を含む可変電源の温度補償電源電圧の出力方法。
  11. 前記段階b)における前記温度センサは、予め設定された温度範囲にそれぞれ対応する互いに異なる信号(デジタル値)を出力する請求項10に記載の可変電源の温度補償電源電圧の出力方法。
  12. 前記温度センサは、−40〜0℃の温度範囲ではデジタル値「11」を出力し、0〜40℃の温度範囲ではデジタル値「10」を出力し、40〜80℃の温度範囲ではデジタル値「01」を出力し、80〜120℃の温度範囲ではデジタル値「00」を出力するように設定される請求項11に記載の可変電源の温度補償電源電圧の出力方法。
  13. 前記b)段階における前記抵抗補償回路部は、それぞれ互いに異なる抵抗値を有する抵抗及びトランジスタを直列に接続して構成された複数の単位回路が互いに並列に接続された回路で構成される請求項10に記載の可変電源の温度補償電源電圧の出力方法。
  14. 前記単位回路は4個で構成され、基本抵抗値(Rbase)に対する一定割合の抵抗変化値を△とすると、各単位回路を構成する全4個の抵抗値は「Rbase+2△」、「Rbase+△」、「Rbase−△」、「Rbase−2△」で構成される請求項13に記載の可変電源の温度補償電源電圧の出力方法。
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