JP2013232639A - アニーリングの非均一性を低減したレーザーアニーリング走査方法 - Google Patents
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Abstract
【解決手段】レーザービームのテールが半導体デバイス構造を離間するケガキ線の内側にのみ存在するようにアニーリングレーザービームの長さを規定する工程を含む。隣接する走査パスセグメントからのアニーリングレーザービームテール同士は、ケガキ線内で重なり合わせるか、あるいは、重なり合わせないことができる。アニーリングレーザービームの走査方向に直行する長さは、テール部が半導体デバイス構造内に位置しないようにアニーリングレーザービームが設定されているとともに、複数の半導体デバイス構造を同時に走査するように選択し得る。
【選択図】図1A
Description
n・WD+(n-1)・WS<L<n・WD+(n+1)・WS
n・WD30+(n-1)・WS<L<n・WD30+(n+1)・WS (式1)
n・WD20+(n-1)・WS<L<n・WD20+(n+1)・WS (式2)
ここで、幅WSのケガキ線50は隣接する複数のダイ20を分離する。
n・WD +(n-1)・WS < L < n・WD +(n+1)・WS (式3)
Claims (10)
- 半導体ウエハに支持された半導体デバイス構造のアニーリング方法であって、
走査方向に直交する幅WDを有し、かつ、前記走査方向に直交する幅WSを有するケガキ線によって離間された半導体デバイス構造を備えているとともに、ウエハ表面を有する前記半導体ウエハを用意する工程、
中央部分において実質的に均一な強度となっており、また、向かい合うテール同士の強度が前記中央部分に比べて実質的に低くなっているアニーリングレーザービームの長さLがn・WD+(n-1)・WS<L<n・WD+(n+1)・WS[nは整数]を満たすように前記長さLを規定する工程、および
近接する走査パスセグメントにおける前記アニーリングレーザービームの前記テールがケガキ線の内側にのみ存在し、かつ、前記中央部分が少なくともn個の前記半導体デバイス上を通過するように、近接する前記走査パスセグメントを有する走査パス上の前記半導体デバイス構造を前記アニーリングレーザービームで走査する工程を含む、アニーリング方法。 - 隣接する前記走査パスセグメントに対応する前記アニーリングレーザービームの前記テールが前記ケガキ線内で重なり合うように前記長さLが選択される、請求項1に記載の方法。
- 隣接する前記走査パスセグメントに対応する前記アニーリングレーザービームの前記テールが前記ケガキ線内にあり、前記ケガキ線内で重なり合わないように前記長さLが選択される、請求項1に記載の方法。
- 前記半導体デバイス構造は、複数のダイを含み、前記ケガキ線が前記ダイの間にある、請求項1から3のいずれかに記載の方法。
- 前記半導体デバイス構造は集積回路(IC)チップをそれぞれ含む複数のダイを備えており、かつ、前記ケガキ線が前記ICチップの間および前記ダイの間にある、請求項1から4のいずれかに記載の方法。
- 半導体ウエハに支持された半導体デバイス構造のレーザーアニーリング方法であって、
前記半導体デバイス構造がケガキ線によって離間されるように前記半導体ウエハを用意する工程、
実質的に均一な強度の中央部分と、前記中央部分に比べて強度が実質的に低減した、互いに対向するテール部分とを有するアニーリングレーザービームを規定する工程、
前記両テール部分が全体的に前記ケガキ線内に存在するとともに、前記中央部分が1以上の前記半導体デバイス構造の全体をカバーするように、前記半導体ウエハおよび前記半導体デバイス構造上を前記レーザービームで走査する工程を含む、レーザーアニーリング方法。 - 隣接する走査パスセグメントを有する走査パスで走査を実施する工程をさらに含み、かつ、
隣接する前記走査パスセグメントに対応する前記アニーリングレーザービームの前記テールが前記ケガキ線内で重なり合う、請求項6に記載の方法。 - 隣接する走査パスセグメントを有する走査パスで走査を実施する工程をさらに含み、かつ、
隣接する前記走査パスセグメントに対応する前記アニーリングレーザービームの前記テールが前記ケガキ線内で重なり合わない、請求項6に記載の方法。 - 前記ケガキ線の走査方向に直交する幅が50ミクロンから75ミクロンの範囲にある、請求項6から8のいずれかに記載の方法。
- 前記半導体デバイス構造が走査方向に直交する幅WDを有しており、
前記ケガキ線が走査方向に直交する幅WSを有しており、さらに、
前記アニーリングレーザービームが下記の式(nは整数)を満足する長さLを有している、請求項6から9のいずれかに記載の方法。
n・WD+(n-1)・WS<L<n・WD+(n+1)・WS
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