JP2013229510A - 圧電素子およびその製造方法 - Google Patents
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Abstract
【解決手段】基板1上に、電極(Pt層3b)と、圧電薄膜5の結晶配向性を制御するためのシード層4と、圧電薄膜5とをこの順で形成して圧電素子10が形成される。シード層4は、結晶化している第1の領域4aと、アモルファスからなる第2の領域4bとの両方を含んでいる。
【選択図】図2
Description
図1は、本実施形態に係る圧電素子10の概略の構成を示す断面図である。本実施形態の圧電素子10は、基板1上に、熱酸化膜2、下部電極3、シード層4、圧電薄膜5および上部電極6をこの順で積層して構成されている。
次に、本実施形態の圧電素子10の製造方法の実施例について説明するとともに、比較例についても併せて説明する。図3は、圧電素子10の製造工程の流れを示すフローチャートである。
まず、基板1として、厚さ400μm程度の単結晶Siウェハを用い、この基板1上に熱酸化膜2を膜厚0.1μm程度で形成する(S1)。熱酸化膜2は、ウェット酸化用熱炉を用い、Siウェハを酸素雰囲気中に1200℃程度の高温にさらすことで形成することができる。
シード層4の形成工程(S4)において、PLTの成膜条件(スパッタ条件)として、基板温度を630℃に変更した以外は、実施例1と同様である。
シード層4の形成工程(S4)において、PLTの成膜条件(スパッタ条件)として、基板温度を620℃に変更した以外は、実施例1と同様である。
シード層4の形成工程(S4)において、PLTの成膜条件(スパッタ条件)として、基板温度を650℃に変更した以外は、実施例1と同様である。
シード層4の形成工程(S4)において、PLTの成膜条件(スパッタ条件)として、基板温度を610℃に変更した以外は、実施例1と同様である。
上記した実施例1〜3、比較例1〜2のそれぞれにおいて、圧電薄膜5を成膜する前に、シード層4を構成するPLTに対して、XRD(X‐ray diffraction;X線回折)の2θ/θ測定を行い、PLTの結晶配向性を調べた。図5は、実施例1〜3、比較例1〜2のPLTに対するXRDの2θ/θ測定の結果を示すグラフである。なお、図5では、実施例1〜3、比較例1〜2の各グラフを同時に比較する目的で、これらのグラフを縦方向に縦軸の1目盛りずつずらして同時に図示している。図5の縦軸は、1秒間あたりのX線の計数率(cps;count per second)を示している。なお、1.E+nは、1.0×10nであることを示す。
1:PLTが剥がれたマス目がほとんどなく、密着性がかなり良好である。
2:PLTが剥がれたマス目が少なく、密着性は良好である。
3:PLTが剥がれたマス目が多く、密着性は不十分である。
I(%)={I(100)/(I(100)+I(110)+I(111))}
×100
で求められる。PZTの(100)配向性の評価は、以下の基準に基づいて行った。
○:PZTの(100)配向度Iが、99%以上である。
×:PZTの(100)配向度Iが、99%未満である。
下部電極3を構成する電極材料は、上述したPtに限定されるわけではなく、その他にも、例えばAu(金)、Ir(イリジウム)、IrO2(酸化イリジウム)、RuO2(酸化ルテニウム)、LaNiO3(ニッケル酸ランタン)、SrRuO3(ルテニウム酸ストロンチウム)等の金属または金属酸化物、およびこれらの組み合わせが考えられる。
図7は、本実施形態で作製した圧電素子10をダイヤフラム(振動板)に応用したときの構成を示す平面図であり、図8は、図7のA−A’線矢視断面図である。圧電薄膜5は、基板1の必要な領域に、2次元の千鳥状に配置されている。基板1において圧電薄膜5の形成領域に対応する領域は、厚さ方向の一部が断面円形で除去された凹部1aとなっており、基板1における凹部1aの上部(凹部1aの底部側)には、薄い板状の領域1bが残っている。下部電極3および上部電極6は、図示しない配線により、外部の制御回路と接続されている。
3b Pt層(電極)
4 シード層
4a 第1の領域
4b 第2の領域
5 圧電薄膜
10 圧電素子
Claims (16)
- 基板上に、電極と、圧電薄膜の結晶配向性を制御するためのシード層と、前記圧電薄膜とをこの順で形成した圧電素子であって、
前記シード層が、結晶化している第1の領域と、アモルファスからなる第2の領域との両方を含んでいることを特徴とする圧電素子。 - 前記シード層全体に対する前記第1の領域の割合が、5%以上90%以下であることを特徴とする請求項1に記載の圧電素子。
- 前記シード層全体に対する前記第1の領域の割合が、10%以上80%以下であることを特徴とする請求項1または2に記載の圧電素子。
- 前記シード層の前記第1の領域は、ペロブスカイト型構造で結晶化していることを特徴とする請求項1から3のいずれかに記載の圧電素子。
- 前記電極は、(111)配向の白金であり、
前記シード層の前記第1の領域は、(100)配向のチタン酸ランタン酸鉛であることを特徴とする請求項1から4のいずれかに記載の圧電素子。 - 前記圧電薄膜は、チタン酸ジルコン酸鉛を主成分とすることを特徴とする請求項5に記載の圧電素子。
- 前記圧電薄膜は、前記チタン酸ジルコン酸鉛の一部をランタンで置換した、チタン酸ジルコン酸ランタン鉛を含むことを特徴とする請求項6に記載の圧電素子。
- 基板上に、電極と、圧電薄膜の結晶配向性を制御するためのシード層と、前記圧電薄膜とをこの順で形成する圧電素子の製造方法であって、
前記シード層が、結晶化している第1の領域と、アモルファスからなる第2の領域との両方を含むように、成膜条件を設定して前記シード層を形成することを特徴とする圧電素子の製造方法。 - 前記シード層全体に対する前記第1の領域の割合が5%以上90%以下となる成膜条件で、前記シード層を形成することを特徴とする請求項8に記載の圧電素子の製造方法。
- 前記シード層全体に対する前記第1の領域の割合が10%以上80%以下となる成膜条件で、前記シード層を形成することを特徴とする請求項8または9に記載の圧電素子の製造方法。
- 前記シード層の前記第1の領域は、ペロブスカイト型構造で結晶化していることを特徴とする請求項8から10のいずれかに記載の圧電素子の製造方法。
- 前記電極として、白金を(111)配向で形成し、
前記シード層の前記第1の領域として、チタン酸ランタン酸鉛を(100)配向で形成することを特徴とする請求項8から11のいずれかに記載の圧電素子の製造方法。 - 前記シード層上に、チタン酸ジルコン酸鉛を主成分とする前記圧電薄膜を形成することを特徴とする請求項12に記載の圧電素子の製造方法。
- 前記圧電薄膜は、前記チタン酸ジルコン酸鉛の一部をランタンで置換した、チタン酸ジルコン酸ランタン鉛を含むことを特徴とする請求項13に記載の圧電素子の製造方法。
- 前記シード層をスパッタ法で形成することを特徴とする請求項8から14のいずれかに記載の圧電素子の製造方法。
- 前記電極をスパッタ法で形成することを特徴とする請求項15に記載の圧電素子の製造方法。
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