JP2013222863A - シリコンウェーハ用研磨液組成物 - Google Patents
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Abstract
Description
(成分A):シリカ粒子
(成分B):アミン化合物及びアンモニウム化合物から選ばれる少なくとも1種類以上の含窒素塩基性化合物
(成分C):下記一般式(1)で表される構成単位Iを10重量%以上含み、重量平均分
子量が50000以上1500000以下の水溶性高分子化合物
子量が50000以上1500000以下の水溶性高分子化合物がシリコンウェーハ用研磨液組成物(以下、「研磨液組成物」と略称する場合もある。)に含まれることにより、研磨液組成物の保存安定性が向上し、且つ、良好な生産性が担保される研磨速度の確保(以下「研磨速度を確保」と略称する場合もある。)とシリコンウェーハの表面粗さ(ヘイズ)及び表面欠陥(LPD)の低減とを両立できる、という知見に基づく。
み、重量平均分子量が50000以上1500000以下の水溶性高分子化合物をHECの代替品として用いることにより、研磨液組成物の保存安定性が向上するだけでなく、研磨液組成物を用いて研磨された研磨対象物の表面粗さ(ヘイズ)及び表面欠陥(LPD)の低減効果も高く、且つ、研磨速度を確保できる。本発明の効果発現機構の詳細は明らかではないが、以下のように推定している。
作用する親水性を呈する部位であるアミド基と、シリコンウェーハと相互作用する疎水性を呈する部位であるアルキル基或いはヒドロキシル基の両方を含む。そのため、水溶性高分子化合物(成分C)がシリコンウェーハ表面に適度に吸着して含窒素塩基性化合物による腐食を抑制することで、良好な表面粗さ(ヘイズ)を達成するとともに、良好なぬれ性を発現し、ウェーハ表面の乾燥によるパーティクルの付着を抑制して表面欠陥(LPD)の低減を可能としている。
本発明の研磨液組成物には、研磨材としてシリカ粒子が含まれる。シリカ粒子の具体例としては、コロイダルシリカ、フュームドシリカ等が挙げられるが、シリコンウェーハの表面平滑性を向上させる観点から、コロイダルシリカがより好ましい。
会合度=平均二次粒子径/平均一次粒子径
本発明の研磨液組成物は、研磨液組成物の保存安定性の向上、研磨速度の確保、及び表面粗さ及び表面欠陥(LPD)の低減の観点から、水溶性の塩基性化合物を含有する。水溶性の塩基性化合物としては、アミン化合物及びアンモニウム化合物から選ばれる少なくとも1種類以上の含窒素塩基性化合物である。ここで、「水溶性」とは、水に対して2g/100ml以上の溶解度を有することをいい、「水溶性の塩基性化合物」とは、水に溶解したとき、塩基性を示す化合物をいう。
本発明の研磨液組成物は、研磨液組成物の保存安定性の向上、研磨速度の確保、及びシリコンウェーハの表面粗さ及び表面欠陥の低減の観点から、下記一般式(1)で表される構成単位Iを10重量%以上含み、重量平均分子量が50000以上1500000以下の水溶性高分子化合物(成分C)を含有する。尚、本発明において、水溶性高分子化合物の「水溶性」とは、水に対して2g/100ml以上の溶解度を有することをいう。
ーハの表面粗さ及び表面欠陥の低減の観点から、一般式(1)における、R1およびR2が共に炭素数が1〜4のアルキル基である構成単位I―I、R1が水素原子でありR2が炭素数が1〜8のアルキル基である構成単位I―II、R1が水素原子でありR2が炭素数が1〜2のヒドロキシアルキル基である構成単位I―IIIからなる群から選ばれる少なくとも1種であると好ましい。構成単位I―Iにおいて、研磨速度の確保の観点から、R1およびR2が共にメチル基又はエチル基であると好ましく、エチル基であるとより好ましい。また、表面粗さの低減の観点から、構成単位I―IIにおいてR2がイソプロピル基であると好ましい。また、研磨速度の確保と、表面欠陥の低減の観点から、構成単位I―IIIにおいてR2はヒドロキシエチル基であると好ましい。
ルアミド、N−エチルアクリルアミド、N−プロピルアクリルアミド、N−イソプロピルアクリルアミド(NIPAM)、N−ブチルアクリルアミド、N−イソブチルアクリルアミド、N−ターシャリブチルアクリルアミド、N−ヘプチルアクリルアミド、N−オクチルアクリルアミド、N−ターシャリオクチルアクリルアミド、N−メチロールアクリルアミド、N−ヒドロキシエチルアクリルアミド(HEAA)、N,N−ジメチルアクリルアミド(DMAA)、N,N−ジエチルアクリルアミド(DEAA)、N,N−ジプロピルアクリルアミド、N,N−ジイソプロピルアクリルアミド、N,N−ジブチルアクリルアミド、N,N−ジイソブチルアクリルアミド、N,N−ジヘプチルアクリルアミド、N,N−ジオクチルアクリルアミド、N,N−ジメチロールアクリルアミド、N,N−ジヒドロキシエチルアクリルアミド等が例示できる。これらは、1種単独または2種以上組み合わせて用いることができる。これらの単量体のなかでも、表面粗さの低減と研磨速度の確保の観点から、N−イソプロピルアクリルアミド、N−ヒドロキシエチルアクリルアミド、N,N−ジメチルアクリルアミド、N,N−ジエチルアクリルアミドが好ましく、N−ヒドロキシエチルアクリルアミド、N,N−ジエチルアクリルアミドがより好ましく、さらに、表面欠陥の低減の観点から、N−ヒドロキシエチルアクリルアミドがさらに好ましい。
、R2がいずれも炭素数が1〜2のヒドロキシアルキル基ではない場合には、シリコンウェーハの表面粗さ及び表面欠陥の低減の観点から、10重量%以上であり、20重量%以上が好ましく、40重量%以上がより好ましく、研磨速度の確保の観点から、100重量%以下が好ましく、90重量%以下がより好ましく、60重量%以下がさらに好ましい。これらの観点を総合すると、水溶性高分子化合物(成分C)の全構成単位中における前記構成単位Iの割合は、10重量%以上であり、10〜100重量%が好ましく、20〜90重量%がより好ましく、40〜60重量%がさらに好ましい。R1、R2のいずれか、または両方が炭素数が1〜2のヒドロキシアルキル基である場合には、水溶性高分子化合物(成分C)の全構成単位中における前記構成単位Iの割合は、シリコンウェーハの表面粗さ及び表面欠陥の低減、及び研磨速度の確保の観点から、10重量%以上であり、60〜100重量%が好ましく、80〜100重量%がより好ましく、90〜100重量%がさらに好ましい。
成単位I以外の構成単位は、研磨速度の確保と、表面粗さ及び表面欠陥の低減の観点から
、下記一般式(2)で表される構成単位II(アクリルアミド(AA))が好ましい。
%以上であり、20重量%以上が好ましく、40重量%以上がよりに好ましく、研磨速度の確保の観点から、100重量%以下が好ましく、90重量%以下がより好ましく、60重量%以下がさらに好ましい。これらの観点を総合すると、全構成単位中における前記構成単位Iの割合は、10重量%以上であり、10〜100重量%が好ましく、20〜90
重量%がより好ましく、40〜60重量%がさらに好ましい。
単位の共重合体における配列は、ブロックでもランダムでもよい。
本発明の研磨液組成物に含まれる水系媒体(成分D)としては、イオン交換水や超純水等の水、又は水と溶媒との混合媒体等が挙げられ、上記溶媒としては、水と混合可能な溶媒(例えば、エタノール等のアルコール)が好ましい。水系媒体としては、なかでも、イオン交換水又は超純水がより好ましく、超純水がさらに好ましい。本発明の成分Dが、水と溶媒との混合媒体である場合、成分Dである混合媒体全体に対する水の割合は、特に限定されるわけではないが、経済性の観点から、95重量%以上が好ましく、98重量%以上がより好ましく、実質的に100重量%がさらに好ましい。
本発明の研磨液組成物には、本発明の効果が妨げられない範囲で、さらに水溶性高分子化合物、pH調整剤、防腐剤、アルコール類、キレート剤、カチオン性界面活性剤、アニオン性界面活性剤、ノニオン性界面活性剤、および酸化剤から選ばれる少なくとも1種の任意成分が含まれてもよい。
本発明の研磨液組成物には、表面粗さの低減の観点から、さらに水溶性高分子化合物(成分C)以外の水溶性高分子化合物(成分E)を含有してもよい。この水溶性高分子化合物(成分E)は、親水基を有する高分子化合物であり、水溶性高分子化合物(成分E)の重量平均分子量は、研磨速度の確保、シリコンウェーハの表面粗さ及び表面欠陥の低減の観点から、10,000以上が好ましく、100,000以上がより好ましい。上記成分Eを構成する供給源である単量体としては、例えば、前記成分Cが有する構成単位Iに由来するアミド基以外のアミド基、水酸基、カルボキシル基、カルボン酸エステル基、スルホン酸基等の水溶性基を有する単量体が挙げられる。このような水溶性高分子化合物(成分E)としては、ポリアミド、ポリ(N−アシルアルキレンイミン)、セルロース誘導体、ポリビニルアルコール、ポリエチレンオキサイド等が例示できる。ポリアミドとしては、ポリビニルピロリドン、ポリアクリルアミド、ポリオキサゾリン等が挙げられる。ポリ(N−アシルアルキレンイミン)としては、ポリ(N−アセチルエチレンイミン)、ポリ(N−プロピオニルエチレンイミン)、ポリ(N−カプロイルエチレンイミン)、ポリ(N−ベンゾイルエチレンイミン)、ポリ(N−ノナデゾイルエチレンイミン)、ポリ(N−アセチルプロピレンイミン)、ポリ(N−ブチオニルエチレンイミン)等があげられる。セルロース誘導体としては、カルボキシメチルセルロ−ス、ヒドロキシエチルセルロース、ヒドロキシエチルメチルセルロース、ヒドロキシプロピルセルロース、ヒドロキシプロピルメチルセルロース、メチルセルロース、エチルセルロース、ヒドロキシエチルエチルセルロース、およびカルボキシメチルエチルセルロース等が挙げられる。これらの水溶性高分子化合物は任意の割合で2種以上を混合して用いてもよい。
pH調整剤としては、酸性化合物等が挙げられる。酸性化合物としては、硫酸、塩酸、硝酸又はリン酸等の無機酸、酢酸、シュウ酸、コハク酸、グリコール酸、リンゴ酸、クエン酸又は安息香酸等の有機酸等が挙げられる。
防腐剤としては、ベンザルコニウムクロライド、ベンゼトニウムクロライド、1,2−ベンズイソチアゾリン−3−オン、(5−クロロ−)2−メチル−4−イソチアゾリン−3−オン、過酸化水素、又は次亜塩素酸塩等が挙げられる。
アルコール類としては、メタノール、エタノール、プロパノール、ブタノール、イソプロピルアルコール、2−メチル−2−プロパノオール、エチレングリコール、プロピレングリコール、ポリエチレングリコール、グリセリン等が挙げられる。本発明の研磨液組成物におけるアルコール類の含有量は、0.1〜5重量%が好ましい。
キレート剤としては、エチレンジアミン四酢酸、エチレンジアミン四酢酸ナトリウム、ニトリロ三酢酸、ニトリロ三酢酸ナトリウム、ニトリロ三酢酸アンモニウム、ヒドロキシエチルエチレンジアミン三酢酸、ヒドロキシエチルエチレンジアミン三酢酸ナトリウム、トリエチレンテトラミン六酢酸、トリエチレンテトラミン六酢酸ナトリウム等が挙げられる。本発明の研磨液組成物におけるキレート剤の含有量は、0.01〜1重量%が好ましい。
カチオン性界面活性剤としては、例えば、脂肪族アミン塩、脂肪族アンモニウム塩等が挙げられる。
アニオン性界面活性剤としては、例えば、脂肪酸石鹸、アルキルエーテルカルボン酸塩等のカルボン酸塩、アルキルベンゼンスルホン酸塩、アルキルナフタレンスルホン酸塩等のスルホン酸塩、高級アルコール硫酸エステル塩、アルキルエーテル硫酸塩等の硫酸エステル塩、アルキルリン酸エステル等のリン酸エステル塩などが挙げられる。
非イオン性界面活性剤としては、ポリオキシエチレンソルビタン脂肪酸エステル、ポリオキシエチレンソルビット脂肪酸エステル、ポリオキシエチレングリセリン脂肪酸エステル、ポリオキシエチレン脂肪酸エステル、ポリオキシエチレンアルキルエーテル、ポリオキシエチレンアルキルフェニルエーテル、ポリオキシアルキレン(硬化)ヒマシ油等のポリエチレングリコール型と、ショ糖脂肪酸エステル、ポリグリセリンアルキルエーテル、ポリグリセリン脂肪酸エステル、アルキルグリコシド等の多価アルコール型及び脂肪酸アルカノールアミド等が挙げられる。
酸化剤としては、過マンガン酸、ペルオキソ酸等の過酸化物、クロム酸、又は硝酸、並びにこれらの塩等が挙げられる。
下記の実施例1〜6、8〜29で用いた水溶性高分子化合物は下記のようにして合成した。
[NIPAMとAAの共重合体、NIPAMとAAの重量比80対20、重量平均分子量400000]
温度計及び5cm三日月形テフロン(登録商標)製撹拌翼を備えた500mlセパラブルフラスコに、イソプロピルアクリルアミド40g(0.35mol 興人製)と、アクリルアミド10g(0.14mol 和光純薬製)と、イオン交換水75g、30%過酸化水素0.028g(0.25mmol 和光純薬製)とを投入し、イオン交換水にイソプロピルアクリルアミドとアクリルアミドが溶解した溶液を得た。次いで、当該溶液に30分間窒素を50ml/min.で吹き込んだ。一方で、L-アスコルビン酸0.043g(重合開始剤、0.25mmol 和光純薬製)とイオン交換水24.93gとを50mlビーカーで混合し、L-アスコルビン酸をイオン交換水に溶解させてL-アスコルビン酸溶液を得、これに30分間窒素を50ml/min.で吹き込んだ。次いで、500mlセパラブルフラスコ内のイソプロピルアクリルアミドとアクリルアミドを含む溶液に、窒素が吹き込まれたL-アスコルビン酸溶液を25℃で30分かけて滴下した後、25℃、200rpm(周速1.05m/s)で1時間撹拌した。さらに、40℃に昇温し、1時間撹拌した。セパラブルフラスコ内の溶液にイオン交換水100mlを加えた後、それをアセトン4L(和光純薬製)に滴下し、NIPAMとAAの重量比が80対20のNIPAMとAAの共重合体(固体)を得た。得られた固体を70℃/1KPa以下で乾燥させ、半透明固体42.7g(NIPAMとAAの共重合体(重量平均分子量400000)の収率85%)を得た。
[HEAAの単独重合体、重量平均分子量400000]
温度計および5cm三日月形テフロン(登録商標)製撹拌翼を備えた500mlセパラブルフラスコに、ヒドロキシエチルアクリルアミド40g(0.35mol 興人製)と、2,2'-アゾビス(2,4-ジメチルバレロニトリル0.086g(重合開始剤、V-65B 0.3mmol 和光純薬製)と、メタノール160g(和光純薬製)とを投入し、これらを窒素雰囲気下200rpm(周速1.05m/s)で撹拌し混合して、ヒドロキシエチルアクリルアミドをメタノールに溶解させた。次いで、セパラブルフラスコ内の溶液の温度を50℃まで昇温し当該ヒドロキシエチルアクリルアミド溶液を50℃で6時間撹拌した。次いで、当該溶液を30℃まで冷却した後、アセトン4L(和光純薬製)に滴下しHEAA単独重合体(固体)を得た。得られた固体を70℃/1KPa以下で乾燥させ、半透明固体39.1g(HEAAの単独重合体(重量平均分子量400000)の収率は98%)を得た。
[DMAAの単独重合体、重量平均分子量50000]
温度計及び5cm三日月形テフロン(登録商標)製撹拌翼を備えた200mlセパラブルフラスコにジメチルアクリルアミド50g(0.50mol 興人製)とエタノール40g(キシダ化学製)と、イオン交換水40gとを投入し、エタノールおよびイオン交換水にジメチルアクリルアミドが溶解した溶液を得た。一方で、2,2'-アゾビスイソブチルアミジン塩酸塩1.56g(重合開始剤、5.7mmol V-50 和光純薬製)とイオン交換水20gとエタノール20g(キシダ化学製)とを50mlビーカー内で混合し、V-50の溶液を得た。次いで、V-50の溶液を上記200mlセパラブルフラスコ内に25℃で1時間かけて滴下し、その後60℃で2時間、撹拌した。さらにセパラブルフラスコ内の溶液の温度を70℃まで上げ、1時間撹拌した。30℃まで冷却した後、セパラブルフラスコ内の溶液をアセトン4L(和光純薬製)に滴下し、DMAAの単独重合体(固体)を得た。得られた固体を70℃/1KPa以下で乾燥させ、半透明固体41.0g(DMAAの単独重合体(重量平均分子量50000)の収率は82%)を得た。
[NIPAMの単独重合体、重量平均分子量50000]
ジメチルアクリルアミド50g(0.50mol 興人製)に代えて、イソプロピルアクリルアミド50g(0.44mol 興人製)を用いたこと以外は水溶性高分子化合物No.3と同様の方法で合成を行い、NIPAMの単独重合体(固体)を生成した。得られた固体を70℃/1KPa以下で乾燥させ、半透明固体38.4g(NIPAMの単独重合体(重量平均分子量50000)の収率77%)を得た。
[DEAAの単独重合体、重量平均分子量50000]
ジメチルアクリルアミド50g(0.50mol 興人製)に代えて、ジエチルアクリルアミド50g(0.39mol 興人製)を用いたこと以外は水溶性高分子化合物No.3と同様の方法で合成しDEAAの単独重合体を生成した。得られた固体を70℃/1KPa以下で乾燥させ、半透明固体45.4g(DEAAの単独重合体(重量平均分子量50000)の収率91%)を得た。
[DMAAの単独重合体、重量平均分子量400000]
200mlビーカーにジメチルアクリルアミド50g(0.50mol 興人製)と、メタノール40g(和光純薬製)と、イオン交換水40gとを投入し、ジメチルアクリルアミドをメタノールおよびイオン交換水に溶解させて、ジメチルアクリルアミド溶液を得た。一方で、50mlビーカーに、2,2'-アゾビスイソブチルアミジン塩酸塩0.37g(重合開始剤、1.4mmol V-50 和光純薬製)とメタノール10gとイオン交換水10gとを投入して、V-50をメタノールとイオン交換水に溶解させ、当該V-50の溶液を、ジメチルアクリルアミド溶液を収容した上記200mlビーカー内の溶液に加え、これらを混合した。次いで、温度計および5cm三日月形テフロン(登録商標)製撹拌翼を備えた500mlセパラブルフラスコに、V-50の溶液とジメチルアクリルアミド溶液の混合液を15g加え、当該混合液を25℃、窒素囲気下、200rpm(周速1.05m/s)で撹拌しながら、セパラブルフラスコ内の混合液の温度を60℃まで昇温した。上記混合液の残りをセパラブルフラスコ内に1時間かけて滴下し、その後60℃で2時間、セパラブルフラスコ内の混合液を撹拌した。さらにセパラブルフラスコ内の混合液の温度を70℃まで上げ、1時間撹拌した。30℃まで冷却した後、セパラブルフラスコ内の混合液を酢酸エチル4L(和光純薬製)に滴下し、DMAAの単独重合体(固体)を得た。得られた固体を70℃/1KPa以下で乾燥させ、半透明固体43.0g(DMAAの単独重合体(重量平均分子量400000)の収率86%)を得た。
[DEAAの単独重合体、重量平均分子量400000]
ジメチルアクリルアミド50g(0.50mol 興人製)に代えて、ジエチルアクリルアミドに50g(0.39mol 興人製)を用いたこと以外は水溶性高分子化合物No.6と同様の方法で合成をし、DEAAの単独重合体を生成した。得られた固体を70℃/1KPa以下で乾燥させ、半透明固体40.0g(DEAAの単独重合体(重量平均分子量400000)の収率80%)を得た。
[NIPAMとAAの共重合体、NIPAMとAAの重量比80対20、重量平均分子量100000]
温度計及び5cm三日月形テフロン(登録商標)製撹拌翼を備えた500mlセパラブルフラスコに、イソプロピルアクリルアミド40g(0.35mol 興人製)と、アクリルアミド10g(0.14mol 和光純薬製)と、エタノール14g(キシダ化学製)と、イオン交換水70gと、30%過酸化水素0.028g(0.25mmol 和光純薬製)とを投入し、エタノールおよびイオン交換水にイソプロピルアクリルアミドとアクリルアミドとが溶解した溶液を得た。次いで、当該溶液に、30分間窒素を50ml/min.で吹き込んだ。一方、L-アスコルビン酸0.043g(重合開始剤、0.25mmol 和光純薬製)とイオン交換水24.93gとを50mlビーカー内で混合して、L-アスコルビン酸溶液を得、これに30分間窒素を50ml/min.で吹き込んだ。次いで、イソプロピルアクリルアミドとアクリルアミドの溶液が入った500mlセパラブルフラスコに、窒素が吹き込まれたL-アスコルビン酸溶液を加え、これらを25℃で、200rpm(周速1.05m/s)で1時間撹拌した後、30%過酸化水素0.028g(0.25mmol 和光純薬製)とL-アスコルビン酸0.043g(重合開始剤、0.25mmol 和光純薬製)を添加し、2時間25℃で撹拌した。500mlセパラブルフラスコ内の溶液に、N,N,N',N'-テトラメチルエチレンジアミン0.1g(0.9mmol 和光純薬製)、過硫酸ナトリウム0.2g(0.8mmol 三菱瓦斯化学製)をさらに添加し、1.5時間撹拌した。さらに、エタノールを100ml加えた後、セパラブルフラスコ内の溶液を、アセトン4L(和光純薬製)に滴下し、NIPAMとAAの共重合体(固体)を得た。得られた固体を70℃/1KPa以下で乾燥させ、半透明固体42.0g(NIPAMとAAの共重合体(重量平均分子量100000)の収率84%)を得た。
[NIPAMとAAの共重合体、NIPAMとAAの重量比80対20、重量平均分子量200000]
温度計及び5cm三日月形テフロン(登録商標)製撹拌翼を備えた500mlセパラブルフラスコに、イソプロピルアクリルアミド40g(0.35mol 興人製)と、アクリルアミド10g(0.14mol 和光純薬製)と、イオン交換水75gと、30%過酸化水素0.028g(0.25mmol 和光純薬製)とを投入し、イオン交換水にイソプロピルアクリルアミドとアクリルアミドとが溶解した溶液を得た。次いで、当該溶液に30分間窒素を50ml/min.で吹き込んだ。一方、L-アスコルビン酸0.043g(重合開始剤、0.25mmol 和光純薬製)とイオン交換水24.93gとを50mlビーカー内で混合し溶解させてL-アスコルビン酸溶液を得、これに30分間窒素を50ml/min.で吹き込んだ。次いで、500mlセパラブルフラスコ内のイソプロピルアクリルアミドとアクリルアミドの溶液に、窒素が吹き込まれたL-アスコルビン酸溶液を加えた。これらを、1時間25℃で混合した後、過硫酸ナトリウム0.06g(0.25mmol三菱瓦斯化学製)を添加し、40℃で1時間撹拌した。次いで、セパラブルフラスコ内の溶液にイオン交換水100ml加えた後、セパラブルフラスコ内の溶液をアセトン4L(和光純薬製)に滴下し、NIPAMとAAの重量比が80対20のNIPAMとAAの共重合体(固体)を得た。得られた固体を70℃/1KPa以下で乾燥させ、半透明固体42.7g(NIPAMとAAの共重合体(重量平均分子量200000)の収率85%)を得た。
[NIPAMとAAの共重合体、NIPAMとAAの重量比80対20、重量平均分子量600000]
温度計及び5cm三日月形テフロン(登録商標)製撹拌翼を備えた500mlセパラブルフラスコに、イソプロピルアクリルアミド40g(0.35mol 興人製)と、アクリルアミド10g(0.14mol 和光純薬製)と、イオン交換水50gと、メタノール16.67g(和光純薬製)と、過硫酸ソーダ 0.056g(0.25mmol 三菱瓦斯化学製)とを投入し、メタノールとイオン交換水にイソプロピルアクリルアミドとアクリルアミドとが溶解した溶液を得た。次いで、当該溶液に30分間窒素を50ml/min.で吹き込んだ。一方で、L-アスコルビン酸0.043g(重合開始剤、0.25mmol 和光純薬製)とイオン交換水24.93gとを50mlビーカー内で混合してL-アスコルビン酸溶液を得、これに30分間窒素を50ml/min.で吹き込んだ。次いで、500mlセパラブルフラスコ内のイソプロピルアクリルアミドとアクリルアミドの溶液に、窒素が吹き込まれたL-アスコルビン酸溶液を加えた。これらを、窒素雰囲気下200rpm(周速1.05m/s)で撹拌しながら、セパラブルフラスコ内の溶液の温度を40℃まで昇温させ、次いで、40℃で2時間撹拌した。セパラブルフラスコ内の溶液にメタノール100mlを加えた後、それをアセトン4L(和光純薬製)に滴下し、NIPAMとAAの重量比が80対20のNIPAMとAAの共重合体(固体)を得た。得られた固体を70℃/1KPa以下で乾燥させ、半透明固体46.7g(NIPAMとAAの共重合体(重量平均分子量600000)の収率93%)を得た。
[NIPAMとAAの共重合体、NIPAMとAAの重量比80対20、重量平均分子量800000]
過硫酸ソーダの使用量を0056g(0.25mmol)から0.024g(0.1mmol)へ、L−アスコルビン酸の使用量を0.043g(025mmol)から0.017g(0.1mmol)へ変更し、40℃で2時間撹拌することに代えて、40℃で6時間撹拌後、48時間静置したこと以外は、(水溶性高分子化合物No.11)と同様の方法で合成し、半透明固体34.0g(NIPAMとAAの共重合体(重量平均分子量800000)の収率68%)を得た。
[NIPAMとAAの共重合体、NIPAMとAAの重量比80対20、重量平均分子量1000000]
過硫酸ソーダの使用量を0056g(0.25mmol)から0.019g(0.08mmol)へ、L−アスコルビン酸の使用量を0.043g(0.25mmol)から0.014g(0.08mmol)へ変更し、40℃で2時間撹拌することに代えて、40℃で6時間撹拌後、48時間静置したこと以外は、(水溶性高分子化合物No.11)と同様の方法で合成し、半透明固体31.0g(NIPAMとAAの共重合体(重量平均分子量1000000)の収率62%)を得た。
[HEAAの単独重合体、重量平均分子量800000]
V-65Bの使用量を0.086g(0.3mmol)から0.043g(0.2mmol)に変更したことを以外は、(水溶性高分子化合物No.2)と同様の方法で合成し、半透明固体37.1g(HEAAの単独重合体の収率93%)を得た。
[NIPAMとAAの共重合体、NIPAMとAAの重量比50対50、重量平均分子量100000]
イソプロピルアクリルアミド40g(0.35mol)を25g(0.22mol 興人製)に、アクリルアミド10g(0.14mol)を25g(0.35mol 和光純薬製)に変更したことを以外は、(水溶性高分子化合物No.9)と同様の方法で合成をし、半透明固体42.3g(NIPAMとAAの共重合体(重量平均分子量100000の収率85%)を得た。
[NIPAMとAAの共重合体、NIPAMとAAの重量比20対80、重量平均分子量100000]
イソプロピルアクリルアミド40g(0.35mol)を10g(0.09mol 興人製)に、アクリルアミド10g(0.14mol)を40g(0.56mol 和光純薬製に変更したこと以外は、(水溶性高分子化合物No.9)と同様の方法で合成し、半透明固体38.2g(NIPAMとAAの共重合体(重量平均分子量100000の収率76%)を得た。
[HEAAとNIPAMの共重合体、HEAAとNIPAMの重量比95対5、重量平均分子量800000]
ヒドロキシエチルアクリルアミド40g(0.35mmol)に代えて、ヒドロキシエチルアクリルアミド38g(0.33mol)及びイソプロピルアクリルアミド2g(0.018mol 興人製)を500mlセパラブルフラスコに投入し、且つV-65Bの使用量を0.086(0.3mmol)から0.043g(0.2mmol)に変更したこと以外は、(水溶性高分子化合物No.2)と同様の方法で合成し、半透明固体36.0g(HEAAとNIPAMの共重合体(重量平均分子量800000)の収率90%)を得た。
[HEAAとNIPAMの共重合体、HEAAとNIPAMの重量比80対20、重量平均分子量600000]
ヒドロキシエチルアクリルアミド40g(0.35mmol)に代えて、ヒドロキシエチルアクリルアミド32g(0.28mol)及びイソプロピルアクリルアミド8g(0.071mol 興人製)を500mlセパラブルフラスコに投入し、且つV-65Bの使用量を0.086(0.3mmol)から0.043g(0.2mmol)に変更したこと以外は、(水溶性高分子化合物No.2)と同様の方法で合成し、半透明固体36.0g(HEAAとNIPAMの共重合体(重量平均分子量600000)の収率90%)を得た。
[NIPAMとAAの共重合体、NIPAMとAAの重量比80対20、重量平均分子量20000]
温度計及び5cm三日月形テフロン(登録商標)製撹拌翼を備えた200mlセパラブルフラスコにイソプロピルアクリルアミド40g(0.35mol 興人製)と、アクリルアミド10g(0.28mol 和光純薬製)と、エタノール40g(キシダ化学製)と、イオン交換水40gとを投入し、エタノールおよびイオン交換水にイソプロピルアクリルアミドとアクリルアミドとが溶解した溶液を得た。一方で、2,2'-アゾビスイソブチルアミジン塩酸塩1.56g(重合開始剤、5.7mmol V-50 和光純薬製)とイオン交換水20gとエタノール20g(キシダ化学製)とを50mlビーカー内で混合しV-50の溶液を得た。次いで、イソプロピルアクリルアミドとアクリルアミドの溶液が入った200mlセパラブルフラスコを200rpm(周速1.05m/s)で撹拌しながら、フラスコ内の溶液の温度を75℃まで昇温した。V-50の溶液をセパラブルフラスコ内に1時間かけて滴下し、その後75℃で2時間、セパラブルフラスコ内の容液を撹拌した。さらにセパラブルフラスコ内の溶液の温度を85℃まで上げ、1時間撹拌した。30℃まで冷却した後、セパラブルフラスコ内の溶液をアセトン4L(和光純薬製)に滴下し、NIPAMとAAの共重合体(固体)を生成した。得られた固体を70℃/1KPa以下で乾燥させ、半透明固体43.0g(NIPAMとAAの共重合体(重量平均分子量20000の収率86%)を得た。
(水溶性高分子化合物No.7)
NIPAM単独重合体(重量平均分子量:400000、興人社製)
(水溶性高分子化合物No.19)
ポリアクリルアミド(PAM、重量平均分子量:600000〜1000000 和光純薬社製)
(水溶性高分子化合物No.20)
ポリビニルピロリドン(商品名等ポリビニルピロリドンK-90分子量:360000〜400000 和光純薬社製)
(水溶性高分子化合物No.21)
HEC(商品名、CF-V、重量平均分子量:800000〜1000000、住友精化社製)
(水溶性高分子化合物No.22)
HEC(商品名、CF-W、重量平均分子量:1200000〜1500000、住友精化社製)
水溶性高分子化合物No.1〜23の重量平均分子量は、ゲルパーミエーションクロマトグラフィー(GPC)法を下記の条件で適用して得たクロマトグラム中のピークに基づいて算出した。
装置:HLC-8320 GPC(東ソー株式会社、検出器一体型)
カラム:TSKgel α−M+TSKgel α−M(カチオン、東ソー株式会社製)
溶離液:エタノール/水(=3/7)に対して、LiBr (50mmol/L(0.43重量%))、CH3COOH(166.7mmol/L(1.0重量%))を添加
流量:0.6mL/min
カラム温度:40℃
検出器:RI 検出器
標準物質:ポリエチレングリコール
研磨材の平均一次粒子径(nm)は、BET(窒素吸着)法によって算出される比表面積S(m2/g)を用いて下記式で算出した。
平均一次粒子径(nm)=2727/S
(a)スラリー状の研磨材を硝酸水溶液でpH2.5±0.1に調整する。
(b)pH2.5±0.1に調整されたスラリー状の研磨材をシャーレにとり150℃の熱風乾燥機内で1時間乾燥させる。
(c)乾燥後、得られた試料をメノウ乳鉢で細かく粉砕する。
(d)粉砕された試料を40℃のイオン交換水に懸濁させ、孔径1μmのメンブランフィルターで濾過する。
(e)フィルター上の濾過物を20gのイオン交換水(40℃)で5回洗浄する。
(f)濾過物が付着したフィルターをシャーレにとり、110℃の雰囲気下で4時間乾燥させる。
(g)乾燥した濾過物(砥粒)をフィルター屑が混入しないようにとり、乳鉢で細かく粉砕して測定サンプルを得た。
研磨材の平均二次粒子径(nm)は、研磨材の濃度が0.25重量%となるように研磨材をイオン交換水に添加した後、得られた水溶液をDisposable Sizing Cuvette(ポリスチレン製 10mmセル)に下底からの高さ10mmまで入れ、動的光散乱法(装置名:ゼータサイザーNano ZS、シスメックス(株)製)を用いて測定した。
表1〜3、5、6に示すようにシリカ粒子(コロイダルシリカ、平均一次粒子径38nm、平均二次粒子径78nm、会合度2.1)、水溶性高分子化合物、28%アンモニア水(キシダ化学(株)試薬特級)、イオン交換水を攪拌混合して、実施例1〜13、19〜22、比較例1〜5の研磨液組成物(いずれも濃縮液、pH10.6±0.1(25℃))を得た。各研磨液組成物(濃縮液)中のシリカ粒子の含有量は10重量%、水溶性高分子化合物の含有量は0.4重量%、アンモニアの含有量は0.4重量%とした。残余はイオン交換水である。
研磨液組成物(濃縮液)をイオン交換水で40倍に希釈して得た研磨液組成物を研磨直前にフィルター(コンパクトカートリッジフィルター MCP−LX−C10S アドバンテック株式会社)にてろ過を行い、下記の研磨条件で下記のシリコンウェーハ(直径200mmのシリコン片面鏡面ウェーハ(伝導型:P、結晶方位:100、抵抗率0.1Ω・cm以上100Ω・cm未満)に対して仕上げ研磨を行った。当該仕上げ研磨に先立ってシリコンウェーハに対して市販の研磨剤組成物を用いてあらかじめ粗研磨を実施した。粗研磨を終了し仕上げ研磨に供したシリコンウェーハの表面粗さ(ヘイズ)は、2.680であった。
研磨機:片面8インチ研磨機GRIND-X SPP600s(岡本工作製)
研磨パッド:スエードパッド(東レ コーテックス社製 アスカー硬度64 厚さ 1.37mm ナップ長450um 開口径60um)
ウェーハ研磨圧力:100g/cm2
定盤回転速度:60rpm
研磨時間:10分
研磨剤組成物の供給速度:200g/cm2
研磨剤組成物の温度:20℃
キャリア回転速度:100rpm
洗浄後のシリコンウェーハ表面の表面粗さ(ヘイズ)及び表面欠陥(LPD)は、KLA Tencor社製のSurfscan SP1(商品名)を用いて測定される暗視野ワイド斜入射チャンネル(DWO)での値を用いた。表面欠陥(LPD)はヘイズ測定時に同時に測定され、表面欠陥(LPD)は、シリコンウェーハ表面の最大長さが50nm以上のパーティクル数を測定することによって評価した。その結果を表1〜7に示した。表面欠陥(LPD)の評価結果は、数値(パーティクル数)が小さいほど良好であることを示す。
研磨速度は以下の方法で評価した。研磨前後の各シリコンウェーハの重さを精密天秤(Sartorius社製「BP−210S」)を用いて測定し、得られた重量差をシリコンウェーハの密度、面積および研磨時間で除して、単位時間当たりの片面研磨速度を求めた。なお、表1〜7には、比較例1の研磨液組成物を用いた場合の片面研磨速度を「100」として、他の研磨液組成物を用いた場合の研磨速度を相対値で示した。数値が大きいほど研磨速度が速いことを示す。尚、比較例1の場合を100とした相対速度が20以上であれば実生産における生産性は許容されるレベルである。
濃縮液100gを100mlスクリュー管に入れて密閉し、保存安定性を確認した。濃縮液は、23℃の部屋に保管した。
A:濃縮液の調製後7日以上経過しても凝集物及び分離が生じず、分散安定性を保っているもの。
B:調製から2〜7日後に、凝集物及び分離が生じているもの。
C:調製から1日後に、凝集物及び分離が生じているもの。
アミン化合物及びアンモニウム化合物から選ばれる少なくとも1種類以上の含窒素塩基性化合物(成分B)と、
下記一般式(1)で表される構成単位Iを10重量%以上含み、重量平均分子量が50
,000以上1,500,000以下の水溶性高分子化合物(成分C)と、を含有するシリコンウェーハ用研磨液組成物。
[2] 前記シリコンウェーハ用研磨剤組成物における前記成分Cの含有量は、0.002〜0.050重量%である、[1]に記載のシリコンウェーハ用研磨液組成物。
[3] 前記成分C中の前記構成単位Iが、
前記一般式(1)における、R1およびR2が共に炭素数が1〜4のアルキル基である構成単位I―I、R1が水素原子でありR2が炭素数が1〜8のアルキル基である構成単位I―II、及びR1が水素原子でありR2が炭素数が1〜2のヒドロキシアルキル基である構成単位I―IIIからなる群から選ばれる少なくとも1種の構成単位を含む、[1]又は[2]に記載のシリコンウェーハ用研磨液組成物。
[4] 前記成分Cが、さらに下記一般式(2)で表される構成単位IIを含み、
前記構成単位Iの重量を、前記構成単位Iの重量と前記構成単位IIの重量の総和で除し
た値[構成単位Iの重量/(構成単位Iの重量+構成単位IIの重量)]が、0.1〜1である、[1]〜[3]のいずれかに記載のシリコンウェーハ用研磨液組成物。
[6] 前記シリカ粒子がコロイダルシリカである、[1]〜[5]のいずれかに記載のシリコンウェーハ用研磨液組成物。
[7] 前記成分Aの含有量が、好ましくは0.05〜10重量%、より好ましくは0.1〜7.5重量%、さらに好ましくは0.2〜5重量%、さらにより好ましくは0.2〜1重量%、さらにより好ましくは0.2〜0.5重量%である、[1]〜[6]のいずれかに記載のシリコンウェーハ用研磨液組成物。
[8] 前記成分Bの含有量が、好ましくは0.001〜1重量%、より好ましくは0.005〜0.5重量%、さらに好ましくは0.007〜0.1重量%、さらにより好ましくは0.010〜0.05重量%、さらにより好ましくは0.010〜0.025重量%、さらにより好ましくは0.010〜0.018重量%、さらにより好ましくは0.010〜0.014重量%、さらにより好ましくは0.012〜0.014重量%である、[1]〜[7]のいずれかに記載のシリコンウェーハ用研磨液組成物。
[9] 前記シリコンウェーハ用研磨液組成物の25℃におけるpHが、好ましくは8.0〜12.0、より好ましくは9.0〜11.5、さらに好ましくは9.5〜11.0である、[1]〜[8]のいずれかに記載のシリコンウェーハ用研磨液組成物。
[10] [1]〜[9]のいずれかの項に記載のシリコンウェーハ用研磨液組成物を用いてシリコンウェーハを研磨する研磨工程を含む、半導体基板の製造方法。
[11] 前記研磨工程の前に濃縮液を希釈して、[1]〜[10]のいずれかの項に記載のシリコンウェーハ用研磨液組成物を得る工程を含む、請求項7に記載の半導体基板の製造方法。
[12] 前記濃縮液が、前記成分Aを5〜40重量%、前記成分Bを0.02〜5重量%、前記成分Cを0.005〜5重量%含有する、[11]記載の半導体基板の製造方法。
[13] [1]〜[9]のいずれかの項に記載のシリコンウェーハ用研磨液組成物を用いてシリコンウェーハを研磨する研磨工程を含む、シリコンウェーハの研磨方法。
[14] 前記研磨工程の前に濃縮液を希釈して、請求項1〜9のいずれかの項に記載のシリコンウェーハ用研磨液組成物を得る工程を含む、[13]に記載のシリコンウェーハの研磨方法。
[15] 前記濃縮液が、前記成分Aを5〜40重量%、前記成分Bを0.02〜5重量%、前記成分Cを0.005〜5重量%含有する、[13]又は[14]に記載のシリコンウェーハの研磨方法。
Claims (12)
- 前記シリコンウェーハ用研磨剤組成物における前記成分Cの含有量は、0.002〜0.050重量%である、請求項1に記載のシリコンウェーハ用研磨液組成物。
- 前記成分C中の前記構成単位Iが、
前記一般式(1)における、R1およびR2が共に炭素数が1〜4のアルキル基である構成単位I―I、R1が水素原子でありR2が炭素数が1〜8のアルキル基である構成単位I―II、及びR1が水素原子でありR2が炭素数が1〜2のヒドロキシアルキル基である構成単位I―IIIからなる群から選ばれる少なくとも1種の構成単位を含む、請求項1又は2に記載のシリコンウェーハ用研磨液組成物。 - 前記シリカ粒子の平均一次粒子径が5〜50nmである、請求項1〜4のいずれかの項に記載のシリコンウェーハ用研磨液組成物。
- 前記シリカ粒子がコロイダルシリカである、請求項1〜5のいずれかの項に記載のシリコンウェーハ用研磨液組成物。
- 請求項1〜6のいずれかの項に記載のシリコンウェーハ用研磨液組成物を用いてシリコンウェーハを研磨する研磨工程を含む、半導体基板の製造方法。
- 前記研磨工程の前に濃縮液を希釈して、請求項1〜6のいずれかの項に記載のシリンウェーハ用研磨液組成物を得る工程を含む、請求項7に記載の半導体基板の製造方法。
- 前記濃縮液が、前記成分Aを5〜40重量%、前記成分Bを0.02〜5重量%、前記成分Cを0.005〜5重量%含有する、請求項8記載の半導体基板の製造方法。
- 請求項1〜6のいずれかの項に記載のシリコンウェーハ用研磨液組成物を用いてシリコンウェーハを研磨する研磨工程を含む、シリコンウェーハの研磨方法。
- 前記研磨工程の前に濃縮液を希釈して、請求項1〜6のいずれかの項に記載のシリコンウェーハ用研磨液組成物を得る工程を含む、請求項10に記載のシリコンウェーハの研磨方法。
- 前記濃縮液が、前記成分Aを5〜40重量%、前記成分Bを0.02〜5重量%、前記成分Cを0.005〜5重量%含有する、請求項11に記載のシリコンウェーハの研磨方法。
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