JP6489690B2 - シリコンウェーハ用研磨液組成物 - Google Patents
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Landscapes
- Finish Polishing, Edge Sharpening, And Grinding By Specific Grinding Devices (AREA)
- Mechanical Treatment Of Semiconductor (AREA)
Description
本発明の研磨液組成物には、研磨材としてシリカ粒子が含まれる。シリカ粒子の具体例としては、コロイダルシリカ、フュームドシリカ等が挙げられるが、シリコンウェーハの表面平滑性を向上させる観点から、コロイダルシリカがより好ましい。
会合度=平均二次粒子径/平均一次粒子径
本発明の研磨液組成物は、高研磨速度の確保、及び表面粗さ(ヘイズ)及び表面欠陥(LPD)の低減の観点から、炭素数4以上の1級アミン(成分B)を含有する。炭素数4以上の1級アミン(成分B)は、水溶性のアミンであれば、脂肪族アミン及び芳香族アミンのうちのいずれでもあってもよいが、高研磨速度の確保、及び表面粗さ(ヘイズ)及び表面欠陥(LPD)の低減の観点から、好ましくは、水酸基を含まないアミン、芳香族アミン、又は水酸基を含まない芳香族アミンである。
本発明の研磨液組成物は、高研磨速度の確保、及びシリコンウェーハの表面粗さ(ヘイズ)及び表面欠陥(LPD)の低減の観点から、水溶性高分子化合物(成分C)を含む。水溶性高分子化合物(成分C)としては、ポリビニルアルコール、ポリビニルピロリドン、或いはポリアクリルアミド、ポリアクリル酸等の単独重合若しくは共重合したアミド系高分子等の合成系高分子や、ヒドロキシエチルセルロースなどの天然系高分子等が用いることができる。水溶性高分子化合物(成分C)は、好ましくはアミド系高分子であり、より好ましくは下記一般式(1)で表される構成単位Iを10質量%以上含んだ高分子である。尚、本発明において、水溶性高分子化合物の「水溶性」とは、水(20℃)に対して2g/100ml以上の溶解度を有することをいう。
本発明の研磨液組成物は、高研磨速度の確保、及び表面粗さ(ヘイズ)及び表面欠陥(LPD)の低減の観点から、炭素数4以上の1級アミン以外の含窒素塩基性化合物(成分D)として、水溶性の塩基性化合物を含有していてもよい。水溶性の塩基性化合物としては、アミン化合物及びアンモニウム化合物から選ばれる少なくとも1種類以上の含窒素塩基性化合物である。ここで、「水溶性」とは、水(20℃)に対して0.01g/100ml以上の溶解度を有することをいい、「水溶性の塩基性化合物」とは、水に溶解したとき、塩基性を示す化合物をいう。
本発明の研磨液組成物に含まれる水系媒体(成分E)としては、イオン交換水や超純水等の水、又は水と溶媒との混合媒体等が挙げられ、上記溶媒としては、水と混合可能な溶媒(例えば、エタノール等のアルコール)が好ましい。水系媒体としては、なかでも、イオン交換水又は超純水がより好ましく、超純水がさらに好ましく、電気抵抗率が17MΩ.cm以上の超純水がより更に好ましく、18MΩ.cm以上の超純水が特に好ましい。本発明の成分Eが、水と溶媒との混合媒体である場合、成分Eである混合媒体全体に対する水の割合は、特に限定されるわけではないが、経済性の観点から、好ましくは95質量%以上、より好ましくは98質量%以上、更に好ましくは実質的に100質量%である。
本発明の研磨液組成物には、本発明の効果が妨げられない範囲で、更に、多価アルコールのアルキレンオキシド付加物(成分F)、成分C以外の水溶性高分子化合物、pH調整剤、防腐剤、アルコール類、キレート剤及び非イオン性界面活性剤から選ばれる少なくとも1種の任意成分が含まれてもよい。
本発明の研磨液組成物は、更に多価アルコールのアルキレンオキシド付加物(成分F)を含んでいてもよい。成分Fは、被研磨シリコンウェーハに吸着する。その為、成分Fは、含窒素塩基性化合物等によるウェーハ表面の腐食を抑制しつつ、ウェーハ表面に濡れ性を付与することにより、ウェーハ表面の乾燥により生じると考えられるウェーハ表面へのパーティクルの付着を抑制するよう作用する。また、研磨されたシリコンウェーハの洗浄工程において、成分Fが、シリカ粒子とシリコンウェーハとの間におこる相互作用を弱める。したがって、成分Fは、水溶性高分子化合物(成分C)と相まって、表面粗さ(ヘイズ)と表面欠陥(LPD)の低減を増進するものと考えられる。
〈測定条件〉
装置:HLC-8320 GPC(東ソー株式会社、検出器一体型)
カラム:GMPWXL+GMPWXL(アニオン)
溶離液:0.2Mリン酸バッファー/CH3CN=9/1
流量:0.5ml/min
カラム温度:40℃
検出器:RI 検出器
標準物質:分子量が既知の単分散ポリエチレングリコール
防腐剤としては、ベンザルコニウムクロライド、ベンゼトニウムクロライド、1,2−ベンズイソチアゾリン−3−オン、(5−クロロ−)2−メチル−4−イソチアゾリン−3−オン、過酸化水素、又は次亜塩素酸塩等が挙げられる。
アルコール類としては、メタノール、エタノール、プロパノール、ブタノール、イソプロピルアルコール、2−メチル−2−プロパノール、エチレングリコール、プロピレングリコール、ポリエチレングリコール、グリセリン等が挙げられる。アルコール類の含有量は、前記研磨液組成物の濃縮液を希釈して得られる希釈液において、好ましくは0.1質量%以上5質量%以下である。
キレート剤としては、エチレンジアミン四酢酸、エチレンジアミン四酢酸ナトリウム、ニトリロ三酢酸、ニトリロ三酢酸ナトリウム、ニトリロ三酢酸アンモニウム、ヒドロキシエチルエチレンジアミン三酢酸、ヒドロキシエチルエチレンジアミン三酢酸ナトリウム、トリエチレンテトラミン六酢酸、トリエチレンテトラミン六酢酸ナトリウム等が挙げられる。キレート剤の含有量は、前記研磨液組成物の濃縮液を希釈して得られる希釈液において、好ましくは0.01質量%以上1質量%以下である。
非イオン性界面活性剤としては、ポリオキシエチレンソルビタン脂肪酸エステル、ポリオキシエチレンソルビット脂肪酸エステル、ポリオキシエチレングリセリン脂肪酸エステル、ポリオキシエチレン脂肪酸エステル、ポリオキシエチレンアルキルエーテル、ポリオキシエチレンアルキルフェニルエーテル、ポリオキシアルキレン(硬化)ヒマシ油等のポリエチレングリコール型と、ショ糖脂肪酸エステル、ポリグリセリンアルキルエーテル、ポリグリセリン脂肪酸エステル、アルキルグリコシド等の多価アルコール型及び脂肪酸アルカノールアミド等が挙げられる。
<1> シリカ粒子(成分A)と、炭素数4以上の1級アミン(成分B)と、水溶性高分子化合物(成分C)とを含む、シリコンウェーハ用研磨液組成物。
<2> 前記水溶性高分子(成分C)が、好ましくは下記一般式(1)で表される構成単位Iを10質量%以上含む、前記<1>に記載のシリコンウェーハ用研磨液組成物。
<3> 前記水溶性高分子化合物(成分C)が、好ましくは下記一般式(2)で表される構成単位IIを含む、前記<1>又は<2>に記載のシリコンウェーハ用研磨液組成物。
<5> 前記炭素数4以上の1級アミン(成分B)と前記水溶性高分子化合物(成分C)との質量比(成分Bの質量/成分Cの質量)は、好ましくは0.001以上、より好ましくは0.005以上、更に好ましくは0.01以上であり、好ましくは1以下、より好ましくは0.1以下、更に好ましくは0.03以下である、<1>から<4>のいずれかに記載のシリコンウェーハ用研磨液組成物。
<6> 前記炭素数4以上の1級アミンは、好ましくは、水酸基を含まないアミン、芳香族アミン、又は水酸基を含まない芳香族アミンである、<1>から<5>のいずれかに記載のシリコンウェーハ用研磨液組成物。
<7> 前記炭素数4以上の1級アミン(成分B)の炭素数は、好ましくは6以上、より好ましくは7以上、更に好ましくは8以上であり、好ましくは12以下、より好ましくは10以下である、<1>から<6>のいずれかに記載のシリコンウェーハ用研磨液組成物。
<8> 前記炭素数4以上の1級アミン(成分B)の窒素原子の数は、好ましくは3以下、より好ましくは2以下、更に好ましくは1である、<1>から<7>のいずれかに記載のシリコンウェーハ用研磨液組成物。
<9> 前記炭素数4以上の1級アミン(成分B)は、好ましくは水酸基を含まない芳香族アミン、より好ましくはフェニルエチルアミン及びアミノクレゾールのうちの少なくとも1種であり、更に好ましくは2−フェニルエチルアミン及び2−アミノ−p−クレゾールのうちの少なくとも1種であり、更により好ましくは2−フェニルエチルアミンである、<1>から<8>のいずれかに記載のシリコンウェーハ用研磨液組成物。
<10> 前記シリカ粒子(成分A)と前記水溶性高分子化合物(成分C)の質量比(成分Aの質量/成分Cの質量)は、好ましくは1以上、より好ましくは5以上、更に好ましくは8以上、更により好ましくは10以上であり、好ましくは38以下、より好ましくは30以下、更に好ましくは25以下、更により好ましくは20以下である、<1>から<9>のいずれかに記載のシリコンウェーハ用研磨液組成物。
<11> 好ましくは、更に、前記炭素数4以上の1級アミン(成分B)以外の含窒素塩基性化合物(成分D)を含む、<1>から<10>のいずれかに記載のシリコンウェーハ用研磨液組成物。
<12> 前記シリコンウェーハ用研磨液組成物における前記水溶性高分子化合物(成分C)の含有量は、好ましくは0.002質量%以上、より好ましくは0.003質量%以上、更に好ましくは0.005質量%以上、更により好ましくは0.008質量%以上であり、好ましくは0.05質量%以下、より好ましくは0.03質量%以下、更に好ましくは0.02質量%以下である、<1>から<11>のいずれかに記載のシリコンウェーハ用研磨液組成物。
<13> 前記シリコンウェーハ用研磨液組成物に含まれる前記炭素数4以上の1級アミン(成分B)の含有量は、好ましくは0.00001質量%以上、より好ましくは0.0001質量%以上、更に好ましくは0.0002質量%以上であり、好ましくは0.05質量%以下、より好ましくは0.005質量%以下、更に好ましくは0.0005質量%以下である、<1>から<12>のいずれかに記載のシリコンウェーハ用研磨液組成物。
<14> 前記シリカ粒子の平均一次粒子径は、好ましくは5nm以上、より好ましくは10nm以上、更に好ましくは15nm以上、更により好ましくは30nm以上であり、好ましくは50nm以下、より好ましくは45nm以下、更に好ましくは40nm以下である、<1>から<13>のいずれかに記載のシリコンウェーハ用研磨液組成物。
<15>好ましくは、更に、多価アルコールのアルキレンオキシド付加物を含有する、<1>から<14>のいずれかに記載のシリコンウェーハ用研磨液組成物。
<16> 前記シリコンウェーハ用研磨液組成物の25℃におけるpHは、好ましくは8以上、より好ましくは9以上、更に好ましくは10以上であり、好ましくは12以下、より好ましくは11以下である、<1>から<15>のいずれかに記載のシリコンウェーハ用研磨液組成物。
<17> <1>から<16>のいずれかに記載のシリコンウェーハ用研磨液組成物を用いて被研磨シリコンウェーハを研磨する工程を含む、被研磨シリコンウェーハの研磨方法。
<18> <1>から<16>のいずれかに記載のシリコンウェーハ用研磨液組成物を用いて被研磨シリコンウェーハを研磨する工程を含む、半導体基板の製造方法。
温度計及び5cm三日月形テフロン(登録商標)製撹拌翼を備えた500mlセパラブルフラスコに、ヒドロキシエチルアクリルアミド9.97g(0.086mol KJケミカルズ製、純分99.25質量%、水分0.35質量%、重合禁止剤メチルヒドロキノン0.10質量%、APHA色相30)と、アクリル酸0.03g(1.39mmol 和光純薬製)、2,2’-アゾビス(2‐メチルプロピオンアミジン)ジヒドロクロリドル0.024g(重合開始剤、V-50 0.45mmol 和光純薬製)と、水390gとを投入し、これらを窒素雰囲気下100rpm(周速0.5m/s)で撹拌し混合して、溶解させた。次いで、セパラブルフラスコ内の溶液の温度を80℃まで昇温し当該混合溶液を80℃で6時間撹拌し、無色透明の2.5質量%HEAA/AAc=99.7/0.3水溶液を得た。
ヒドロキシエチルアクリルアミド150 g(1.30 mol KJケミカルズ製、純分99.25質量%、水分0.35質量%、重合禁止剤メチルヒドロキノン0.10質量%、APHA色相30)を100 gのイオン交換水に溶解し、モノマー水溶液を調製した。また、別に、2,2’-アゾビス(2‐メチルプロピオンアミジン)ジヒドロクロリド 0.035g(重合開始剤、V-50 1.30 mmol 和光純薬製)を70 gのイオン交換水に溶解し、重合開始剤水溶液を調製した。ジムロート冷却管、温度計および三日月形テフロン(登録商標)製撹拌翼を備えた2Lセパラブルフラスコに、イオン交換水1180 gを投入した後、セパラブルフラスコ内を窒素置換した。次いで、オイルバスを用いてセパラブルフラスコ内の温度を68℃に昇温した後、予め調製したモノマー水溶液と重合開始剤水溶液を各々3.5時間かけて滴下し、重合を行った。滴下終了後、温度及び撹拌を4時間保持し、無色透明10質量%ポリヒドロキシエチルアクリルアミド水溶液1500 gを得た。
ヒドロキシエチルセルロース(住友精化製、CF−V、重量平均分子量800000)
[PVA]
ポリビニルアルコール(クラレ製、PVA−105、重量平均分子量43000、ケン化度98〜99%)
[PAM]
ポリアクリルアミド(和光純薬製、重量平均分子量600000〜1000000)
水溶性高分子化合物の重量平均分子量、数平均分子量、及び分子量分布は、ゲルパーミエーションクロマトグラフィー(GPC)法を下記の条件で適用して得たクロマトグラム中のピークに基づいて算出した。
装置:HLC-8320 GPC(東ソー株式会社、検出器一体型)
カラム:TSKgel α−M+TSKgel α−M(カチオン、東ソー株式会社製)
溶離液:エタノール/水(=3/7)に対して、LiBr (50mmol/L(0.43質量%))、CH3COOH(166.7mmol/L(1.0質量%))を添加
流量:0.6mL/min
カラム温度:40℃
検出器:RI 検出器
標準物質:分子量既知の単分散ポリエチレングリコール
水溶性高分子化合物中の残存モノマー濃度は、高速液体クロマトグラフィー(HPLC)法を下記の条件で適用して得たクロマトグラム中のピークに基づいて算出した。
装置:L-2000シリーズ(日立製作所株式会社)
カラム:ODS L-column
溶離液:0.1%リン酸バッファー/CH3CN=97/3
流量:1 mL/min
カラム温度:40℃
検出器:UV 205 nm
水溶性高分子化合物中の金属濃度は、JIS−K0133に準拠し、ICP−MS(アジレント製7700S)を用いて測定した。
研磨材の平均一次粒子径(nm)は、BET(窒素吸着)法によって算出される比表面積S(m2/g)を用いて下記式で算出した。
平均一次粒子径(nm)=2727/S
(a)スラリー状の研磨材を硝酸水溶液でpH2.5±0.1に調整する。
(b)pH2.5±0.1に調整されたスラリー状の研磨材をシャーレにとり150℃の熱風乾燥機内で1時間乾燥させる。
(c)乾燥後、得られた試料をメノウ乳鉢で細かく粉砕する。
(d)粉砕された試料を40℃のイオン交換水に懸濁させ、孔径1μmのメンブランフィルターで濾過する。
(e)フィルター上の濾過物を20gのイオン交換水(40℃)で5回洗浄する。
(f)濾過物が付着したフィルターをシャーレにとり、110℃の雰囲気下で4時間乾燥させる。
(g)乾燥した濾過物(砥粒)をフィルター屑が混入しないようにとり、乳鉢で細かく粉砕して測定サンプルを得た。
研磨材の平均二次粒子径(nm)は、研磨材の濃度が0.25質量%となるように研磨材をイオン交換水に添加した後、得られた水溶液をDisposable Sizing Cuvette(ポリスチレン製 10mmセル)に下底からの高さ10mmまで入れ、動的光散乱法(装置名:ゼータサイザーNano ZS、シスメックス(株)製)を用いて測定した。
シリカ粒子の金属含有量は、JIS−K0133に準拠し、ICP−MS(アジレント製7700S)を用いて測定した。フッ化水素酸によりシリカ粒子を完全溶解させた水溶液を用いた。
シリカ粒子の単位質量あたりのシラノール基量は、差動型示差熱天秤(TG−DTA)(理学電機工業株式会社製、商品名:Thermo Plus TG8120)を用いて測定した。シリカ粒子乾燥粉末を、エアーフロー(300mL/min)下、25〜700℃まで10℃/minの速度で昇温し、200℃で測定した重量の残分をSiO2の重量(g)、200〜700℃までの加熱の間の重量の減量をシラノール由来の水の質量(g)として測定し、下記の式を用いてシラノール基量(mmol/g)を算出した。
シラノール基量(mmol/g)=(2×水の重量×1000/18)/SiO2の重量
シリカ粒子(コロイダルシリカ、平均一次粒子径35nm、平均二次粒子径70nm、会合度2、金属含有量:Na=114ppb、Mg<10ppb、Al=10ppb、K=45ppb、Ca<10ppb、Ti<10ppb、Cr<10ppb、Mn<10ppb、Fe<10ppb、Ni=14ppb、Cu<10ppb、Zn<10ppb、Ag<10ppb、Pb<10ppb、単位質量当たりのシラノール基量1.8mmol/g)、水溶性高分子化合物、ポリエチレングリコール((EO平均付加モル数=25、Mw1000(カタログ値)、和光純薬(株))、アミン、含窒素塩基性化合物、及び超純水(電気抵抗率18MΩ.cm)を攪拌混合して、実施例1〜11、及び比較例1〜8の研磨液組成物の濃縮液を得た。シリカ粒子、水溶性高分子化合物、ポリエチレングリコール、アミン、含窒素塩基性化合物を除いた残余は超純水である。含窒素塩基性化合物としては、28質量%アンモニア水(キシダ化学(株)試薬特級)を用いた。アミンとしては、2−フェニルエチルアミン(和光純薬(株))、2−アミノ−p−クレゾール(東京化成(株))、n−ヘキシルアミン(和光純薬(株))、ジエタノールアミン(和光純薬(株))、エチルアミン(和光純薬(株))を用いた。
研磨液組成物の粘度は、JIS−Z8803に準拠し、B型粘度計(東機産業製BMII、ローターNo.1、60rpm)を用い、25℃の研磨液組成物について測定した。表1及び表2には、研磨液組成物の濃縮液の40℃1ヶ月静置保存前後の各粘度を示した。
研磨液組成物中の平均二次粒子径(nm)は、40℃1ヶ月静置保存前後の研磨液組成物の濃縮液の各々に、シリカ粒子の濃度が0.25質量%となるようにイオン交換水に添加して得た研磨液組成物を、Disposable Sizing Cuvette(ポリスチレン製 10mmセル)に下底からの高さ10mmまで入れ、動的光散乱法(装置名:ゼータサイザーNano ZS、シスメックス(株)製)を用いて25℃、積算10回、平衡時間0分の条件で測定した。粒子パラメーターとしてシリカの屈折率1.45、吸収係数0.01、溶媒パラメーターとして水の屈折率1.333、吸収係数0を用い、Z平均値を平均二次粒子径とし表1及び表2に示した。
40℃1ヶ月静置保存前後の研磨液組成物の濃縮液の各々に、シリカ粒子の濃度が0.25質量%となるようにイオン交換水に添加して得た25℃の研磨液組成物に、pHメータ(東亜電波工業株式会社、HM−30G)の電極を浸漬し、1分後のpHを測定し、その結果を表1及び表2に示した。
上記の研磨液組成物の濃縮液を40℃で1ヶ月静置保存し、保存後の研磨液組成物の濃縮液をイオン交換水で40倍に希釈して得た研磨液組成物について、研磨直前にフィルター(コンパクトカートリッジフィルター MCP−LX−C10S アドバンテック株式会社)にてろ過を行い、下記の研磨条件で下記のシリコンウェーハ(直径200mmのシリコン片面鏡面ウェーハ(伝導型:P、結晶方位:100、抵抗率0.1Ω・cm以上100Ω・cm未満))に対して仕上げ研磨を行った。当該仕上げ研磨に先立ってシリコンウェーハに対して市販の研磨液組成物を用いてあらかじめ粗研磨を実施した。粗研磨を終了し仕上げ研磨に供したシリコンウェーハの表面粗さ(ヘイズ)は、2.680(ppm)であった。表面粗さ(ヘイズ)は、KLA Tencor社製のSurfscan SP1−DLS(商品名)を用いて測定される暗視野ワイド斜入射チャンネル(DWO)での値である。
研磨機:片面8インチ研磨機GRIND-X SPP600s(岡本工作製)
研磨パッド:スエードパッド(東レ コーテックス社製 アスカー硬度64 厚さ 1.37mm ナップ長450um 開口径60um)
シリコンウェーハ研磨圧力:100g/cm2
定盤回転速度:60rpm
研磨時間:5分
研磨液組成物の供給速度:150g/cm2
研磨液組成物の温度:23℃
キャリア回転速度:60rpm
洗浄後のシリコンウェーハ表面の表面粗さ(ヘイズ)(ppm)の評価には、KLA Tencor社製のSurfscan SP1−DLS(商品名)を用いて測定される、暗視野ワイド斜入射チャンネル(DWO)での値を用いた。また、表面欠陥(LPD)(個)は、Haze測定時に同時に測定され、シリコンウェーハ表面の粒子径が45nm以上のパーティクル数を測定することによって評価した。Hazeの数値は小さいほど表面の平坦性が高いことを示す。また、LPDの数値(パーティクル数)が小さいほど表面欠陥が少ないことを示す。表面粗さ(ヘイズ)及び表面欠陥(LPD)の結果を表1及び表2に示した。表面粗さ(ヘイズ)及び表面欠陥(LPD)の測定は、各々2枚のシリコンウェーハに対して行い、各々平均値を表1及び表2に示した。表面欠陥(LPD)の評価基準は下記のとおりである。
A:表面欠陥(LPD)が400未満の場合
B:表面欠陥(LPD)が400以上1000未満の場合
C:表面欠陥(LPD)が1000以上の場合
研磨液組成物の濃縮液を40℃で1ヶ月間静置保存した。40℃1ヶ月間保存前後の研磨液組成物の濃縮液を40倍に希釈して得た各研磨液組成物について研磨速度を求め、下記式より保存前後の研磨速度比(%)を算出した。各研磨速度は、下記の<研磨速度の評価>に従って測定した。尚、表1及び表2には、下記式より求められる研磨速度比(%)に加えて、40℃1ヶ月間保存後の研磨液組成物の濃縮液を40倍に希釈して得た実施例1〜11、比較例2〜8の研磨液組成物を用いた場合の研磨速度を、各々、比較例1の研磨液組成物を用いた場合の研磨速度を「100」とした場合の相対値(相対研磨速度)で
示した。
研磨速度比(%)=(保存後の研磨液組成物を用いた場合の研磨速度/保存前の研磨液組成物を用いた場合の研磨速度)×100
研磨速度は以下の方法で評価した。研磨前後の各シリコンウェーハの重さを精密天秤(Sartorius社製「BP−210S」)を用いて測定し、得られた重量差をシリコンウェーハの密度、面積及び研磨時間で除して、単位時間当たりの片面研磨速度を求めた。
Claims (12)
- シリカ粒子(成分A)と、炭素数4以上の1級アミン(成分B)と、水溶性高分子化合物(成分C)を含み、
前記水溶性高分子化合物(成分C)に対する前記炭素数4以上の1級アミン(成分B)の質量比(炭素数4以上の1級アミンの質量/水溶性高分子化合物の質量)が0.005以上0.03以下である、シリコンウェーハ用研磨液組成物。 - 前記水溶性高分子化合物(成分C)が、前記構成単位Iと前記構成単位IIとを含み、
前記構成単位Iと前記構成単位IIの質量比(構成単位Iの質量/構成単位IIの質量)が70/30以上99.99/0.01以下である、請求項3に記載のシリコンウェーハ用研磨液組成物。 - 前記炭素数4以上の1級アミンが、芳香族アミンである、請求項1から4のいずれか一項に記載のシリコンウェーハ用研磨液組成物。
- 更に、前記炭素数4以上の1級アミン(成分B)以外の含窒素塩基性化合物(成分D)を含む、請求項1から5のいずれか一項に記載のシリコンウェーハ用研磨液組成物。
- 前記シリコンウェーハ用研磨液組成物における前記水溶性高分子化合物(成分C)の含有量は、0.002質量%以上0.05質量%以下である、請求項1から6のいずれか一項に記載のシリコンウェーハ用研磨液組成物。
- 前記シリカ粒子の平均一次粒子径が5nm以上50nm以下である、請求項1から7のいずれか一項に記載のシリコンウェーハ用研磨液組成物。
- 更に、多価アルコールのアルキレンオキシド付加物を含有する、請求項1から8のいずれか一項に記載のシリコンウェーハ用研磨液組成物。
- 前記シリコンウェーハ用研磨液組成物の25℃におけるpHが、8以上12以下である、請求項1から9のいずれか一項に記載のシリコンウェーハ用研磨液組成物。
- 請求項1から10のいずれか一項に記載のシリコンウェーハ用研磨液組成物を用いて被研磨シリコンウェーハを研磨する工程を含む、被研磨シリコンウェーハの研磨方法。
- 請求項1から10のいずれか一項に記載のシリコンウェーハ用研磨液組成物を用いて被研磨シリコンウェーハを研磨する工程を含む、半導体基板の製造方法。
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