JP2013222793A - 炭化珪素結晶体へのピット形成方法およびそれを用いた炭化珪素結晶積層体の製造方法、並びに炭化珪素結晶および炭化珪素結晶体の表面における転位の位置の確認方法 - Google Patents
炭化珪素結晶体へのピット形成方法およびそれを用いた炭化珪素結晶積層体の製造方法、並びに炭化珪素結晶および炭化珪素結晶体の表面における転位の位置の確認方法 Download PDFInfo
- Publication number
- JP2013222793A JP2013222793A JP2012092816A JP2012092816A JP2013222793A JP 2013222793 A JP2013222793 A JP 2013222793A JP 2012092816 A JP2012092816 A JP 2012092816A JP 2012092816 A JP2012092816 A JP 2012092816A JP 2013222793 A JP2013222793 A JP 2013222793A
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- silicon carbide
- carbide crystal
- crystal
- pits
- dislocation
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Pending
Links
Images
Landscapes
- Crystals, And After-Treatments Of Crystals (AREA)
- Chemical Vapour Deposition (AREA)
- Testing Or Measuring Of Semiconductors Or The Like (AREA)
Abstract
【課題】炭化珪素結晶体へ簡単にピットを形成できる方法およびそれを用いた炭化珪素結晶積層体の製造方法、並びに炭化珪素結晶および炭化珪素結晶体の表面における転位の位置の確認方法を提供することである。
【解決手段】内部に存在する転位が表面まで延在した炭化珪素結晶体を、モリブデンが存在する雰囲気下で加熱することによって、表面に転位を中心としてピットを形成し、この方法によってピットが形成された表面に、炭化珪素からなる結晶層を、ピットを覆うように成長させて炭化珪素結晶積層体を製造する。また、内部に存在する転位が表面まで延在し、かつ表面に転位を中心としたピットを有した炭化珪素結晶である。さらに、前記炭化珪素結晶体を前記雰囲気下で加熱することによって、表面に転位を中心としてピットを形成して、該ピットの位置によって表面における転位の位置を確認する。
【選択図】図1
【解決手段】内部に存在する転位が表面まで延在した炭化珪素結晶体を、モリブデンが存在する雰囲気下で加熱することによって、表面に転位を中心としてピットを形成し、この方法によってピットが形成された表面に、炭化珪素からなる結晶層を、ピットを覆うように成長させて炭化珪素結晶積層体を製造する。また、内部に存在する転位が表面まで延在し、かつ表面に転位を中心としたピットを有した炭化珪素結晶である。さらに、前記炭化珪素結晶体を前記雰囲気下で加熱することによって、表面に転位を中心としてピットを形成して、該ピットの位置によって表面における転位の位置を確認する。
【選択図】図1
Description
本発明は、炭化珪素結晶体へのピット形成方法およびそれを用いた炭化珪素結晶積層体の製造方法、並びに炭化珪素結晶および炭化珪素結晶体の表面における転位の位置の確認方法に関する。
炭素と珪素の化合物である炭化珪素(Silicon Carbide:以下、「SiC」と言うことがある。)は、バンドギャップが珪素よりも広く、絶縁破壊に至る電界強度が大きく、耐電圧特性に優れ、さらに熱伝導性、耐熱性、耐薬品性および耐放射線性等にも優れている。このような種々の利点を有するSiCの結晶は、原子力を含む重電分野、自動車および航空を含む運輸分野、家電分野、並びに宇宙分野等の幅広い分野において注目されている。
一方、内部に存在する転位が表面まで延在したSiC結晶体を、水酸化カリウム等の薬液でアルカリエッチングすることによって、転位を中心としてSiC結晶体の表面にピットを形成し、SiC結晶体の転位を評価する方法が知られている(例えば、特許文献1参照)。
SiC結晶体へのピット形成方法としては、簡単なものが望ましい。
SiC結晶体へのピット形成方法としては、簡単なものが望ましい。
本発明の課題は、炭化珪素結晶体へ簡単にピットを形成できる方法およびそれを用いた炭化珪素結晶積層体の製造方法、並びに炭化珪素結晶および炭化珪素結晶体の表面における転位の位置の確認方法を提供することである。
本発明の炭化珪素結晶体へのピット形成方法は、内部に存在する転位が表面まで延在した炭化珪素結晶体を、モリブデンが存在する雰囲気下で加熱することによって、前記表面に前記転位を中心としてピットを形成する方法である。
本発明の炭化珪素結晶積層体の製造方法は、上述した炭化珪素結晶体へのピット形成方法によって前記ピットが形成された前記表面に、炭化珪素からなる結晶層を、前記ピットを覆うように成長させる方法である。
本発明の炭化珪素結晶は、内部に存在する転位が表面まで延在し、かつ前記表面に前記転位を中心としたピットを有したものである。
本発明の炭化珪素結晶体の表面における転位の位置の確認方法は、内部に存在する転位が表面まで延在した炭化珪素結晶体を、モリブデンが存在する雰囲気下で加熱することによって、前記表面に前記転位を中心としてピットを形成して、該ピットの位置によって前記表面における前記転位の位置を確認する方法である。
本発明によれば、炭化珪素結晶体へ簡単にピットを形成できるという効果がある。
以下、本発明の一実施形態に係る炭化珪素結晶体へのピット形成方法および炭化珪素結晶、並びに炭化珪素結晶体の表面における転位の位置の確認方法について、図1を用いて詳細に説明する。
本実施形態では、まず、図1(a)に示すように、内部に存在する転位13が表面まで延在したSiC結晶体1を準備する。本実施形態のSiC結晶体1は、SiCの単結晶であり、炭素面11および珪素面12を備えている。
炭素面11は、SiC結晶体1を構成している炭素および珪素のうち主として炭素が片面に露出することによって構成されている結晶面である。また、珪素面12は、SiC結晶体1を構成している炭素および珪素のうち主として珪素が他面に露出することによって構成されている結晶面である。
SiC結晶の結晶構造は、単位格子が、1つの炭素原子および4つの珪素原子(若しくは、1つの珪素原子および4つの炭素原子)からなる略三角錐構造となることから、当該結晶構造のうち切断されやすい箇所が存在する。そのため、SiC結晶体1は、一方の結晶面が炭素面11、他方の結晶面が珪素面12となった配置構造をとりやすくなっている。
SiC結晶体1が炭素面または珪素面であるかは、例えばX線光電子分光法または水酸化カリウムによるエッチング法などを用いて調べることができる。具体的に水酸化カリウムでエッチングを行なうと、結晶面が珪素面であった場合にはエッチングを行なっても平坦性が維持されたままである。一方、結晶面が炭素面であった場合には、複数の炭素面が露出した凹凸形状となる。
本実施形態では、これら炭素面11および珪素面12のうち炭素面11が、上述したSiC結晶体1の表面になる。なお、SiC結晶体1の両面が炭素面11で構成されている場合には、両面の炭素面11のそれぞれが、SiC結晶体1の表面になる。
一方、転位13は、線状の欠陥であり、一端部13aが炭素面11に位置し、他端部13bが珪素面12に位置している。なお、転位13は、両端部のうち少なくとも一端部13aが表面である炭素面11に位置していればよく、他端部13bはSiC結晶体1の内部に位置していてもよい。本実施形態のSiC結晶体1は、このような転位13を複数有している。
ここで転位13とは、SiC結晶体1に、意図しない結晶面、原子ステップまたは不純物等に起因して発生するものであり、例えば基底面転位、刃状転位またはらせん状転位などの種類がある。また、ここでいう転位13には、SiC結晶体1を貫通するようなマイクロパイプを含むものである。転位13は、厚み方向の途中から発生したり、厚み方向に貫通したりして含まれるものである。
次に、SiC結晶体1を、モリブデンが存在する雰囲気下で加熱する。これにより、図1(b)に示すように、表面である炭素面11に転位13を中心としてピット21を形成することが可能となる。以下に、ピット21が形成されるメカニズムとして考えられる理由を説明する。なお、雰囲気内に存在するモリブデンの状態としては、気体または固体などを挙げることができるが、固体の場合を例に説明をする。
SiC結晶体1を加熱することによって、SiC結晶体1から化学的に不安定な珪素が気体として抜ける。この珪素の気体がモリブデンの固体に触れてモリブデンシリサイドの気体となる。このモリブデンシリサイドがSiC結晶体1の炭素と再度反応することによって、炭化モリブデンを形成してSiC結晶体1の炭素が抜けることとなる。
ここで、転位13の近傍の炭素は表面エネルギーが高くなっていることから、特に転位13の表面近傍の炭素が抜け易くなっており、それゆえ表面である炭素面11の転位13付近にピット21が形成されるものと推察される。
なお、上述した特許文献1に記載されているような従来の方法では、珪素面12にのみピット21を形成することができ、炭素面11にピット21を形成することはできなかった。すなわち、特許文献1に記載されているような従来の方法において、ピット21が形成されるSiC結晶体1の表面は、炭素面11ではなく、珪素面12であった。本実施形態によれば、上述のように、炭素面11にピット21を形成することができる。
ピット21は、転位13のうち炭素面11に位置する一端部13aを中心として形成される穴である。ピット21の形状としては、例えば円錐形状等が挙げられる。ピット21は、例えば、横幅が1μm以上20μm以下、深さ1μm以上4μm以下となる。具体的にピット21は、基底面転位および刃状転位に形成されるピット21であれば例えば横幅が1μm以上5μm以下となり、らせん転位に形成されるピット21であれば例えば横幅が5μm以上20μm以下となる。
このようにピット21は、一般的に横幅が数μm程度の大きさとなることから、光学顕微鏡等の観察方法によって比較的簡単に確認することができる。したがって、SiC結晶体1をモリブデンが存在する雰囲気下で加熱することによって、表面に転位13を中心としてピット21を形成すれば、ピット21の位置によってSiC結晶体1の表面における転位13の位置を確認することが可能となる。なお、基底面転位(および刃状転位)およびらせん転位に形成されるピット21の大きさ(横幅)が明らかに違うことから、このピット21の大きさによってらせん転位を見分けることができる。
モリブデンが存在する雰囲気は、雰囲気内に固体のモリブデンを配置するか、雰囲気内に気体のモリブデンを存在させるかによって構成することができる。具体的に、SiC結晶体1の近傍に固体のモリブデンを配置した状態で、SiC結晶体1を加熱すればよい。もしくは、雰囲気内にモリブデンの固体を配置して、その固体を加熱することによって、モリブデンの気体を雰囲気内に存在させてもよい。
固体のモリブデンは、SiC結晶体1と接触するように配置してもよいし、SiC結晶体1との間に所定の隙間ができるように配置してもよいし、一部がSiC結晶体1と接触して他の部分はSiC結晶体1との間に所定の隙間ができるように配置してもよい。具体例を挙げると、複数のモリブデンワイヤーの各々の先端部をフック状に成形してSiC結晶体1をフックし、この状態で加熱する場合等が挙げられる。
SiC結晶体1を、1000℃以上であり、かつSiC結晶体1の昇華温度未満である温度で加熱するのがよい。これにより、表面である炭素面11にピット21を確実に形成することができる。なお、SiC結晶体1の昇華温度は、通常、2200℃である。
雰囲気内の圧力は、特に限定されるものではないが、例えば大気圧と同じ圧力を用いることができる。また雰囲気内の圧力を大気圧よりも高くしてもよく、この場合、SiC結晶体1にモリブデンシリサイドの気体(分子)がSiC結晶体1の表面に当たりやすくすることができる。その結果、モリブデンシリサイドから炭化モリブデンへの反応を促進させることができ、SiC結晶体1にピット21を形成しやすくすることができる。
モリブデンが存在する雰囲気に、希ガスを主成分とする雰囲気または還元雰囲気を用いてもよい。このようなSiC結晶体1に対して反応性の低い雰囲気下でSiC結晶体1を加熱することによって、表面である炭素面11が汚染されるのを抑制することができる。希ガスとしては、例えばヘリウム、ネオン、アルゴン、クリプトン、キセノン、ラドン等が挙げられる。還元雰囲気としては、例えば窒素と水素との混合ガス雰囲気等が挙げられる。なお、このような雰囲気におけるモリブデンの割合は、特に限定されるものではなく、本発明の効果を奏する限り、所望の割合で存在させればよい。
以上のような工程を経て、内部に存在する転位13が表面まで延在し、表面に転位13を中心としたピット21を有した図1(b)に示すSiC結晶2が製造される。本実施形態のSiC結晶2は、表面である炭素面11にピット21を複数有している。
次に、本発明の一実施形態に係る炭化珪素結晶積層体の製造方法について、図2を用いて詳細に説明する。
本実施形態では、まず、図2(a)に示すように、上述した実施形態に係る炭化珪素結晶体へのピット形成方法によってピット21が形成されたSiC結晶2を準備する。
次に、図2(b)に示すように、SiC結晶2の表面である炭素面11に、SiCからなる結晶層31を、ピット21を覆うように成長させる。このようにピット21を覆うように結晶層31を成長させることから、SiC結晶2内に存在する転位13が結晶層31内に引き継がれにくくすることができる。
結晶層31の成長方法としては、例えば気相成長法等が挙げられる。ここで、気相成長法を採用すると、成長条件を調整することによって、結晶層31を、矢印aに示す炭素面11に沿った横方向に向かって成長させることができる。結晶層31は、SiC結晶2の炭素面11のうちピット21が無い領域に主として成長される。そのため、結晶層31には、SiC結晶2内に存在していた転位13が引き継がれにくくすることができる。その結果、結晶層31を高品質なものとすることができる。
また、結晶層31を横方向に成長させることによって、成長途中の結晶層31内に転位が新たに発生した場合でも、横方向に成長させる過程で他の転位と結合させることができる。これによって、結晶層31の上表面に到達される転位の本数を減らすことができる。
さらに、炭化珪素の成長速度は、厚み方向よりも横方向(図2(a)の矢印aの方向)の方が速いことから、炭化珪素からなる結晶層31の成長速度を速くすることができる。したがって、結晶層31を気相成長法によって成長させると、結晶層31の結晶性を向上させることができるとともに、結晶層31の成長速度を速くすることもできる。
以上のような工程を経て、SiC結晶2の表面である炭素面11に、SiCからなる結晶層31を、ピット21を覆うように成長させた図2(b)に示すSiC結晶積層体3が製造される。
このSiC結晶積層体3の結晶層31において、内部に存在する転位が結晶層31の表面まで延在している場合には、上述した実施形態と同様にして、結晶層31の表面における転位の位置を確認することができる。すなわち、炭素面11に成長させた結晶層31は、通常、表面が炭素面になる。したがって、SiC結晶積層体3をモリブデンが存在する雰囲気下で加熱することによって、結晶層31の表面に転位を中心としてピットを形成すれば、該ピットの位置によって結晶層31の表面における転位の位置を確認することができる。
本発明は、上述において、シリサイドまたはカーバイドを作る金属としてモリブデンを用いた例を説明したが、特にこれに限定されるものではなく、シリサイドまたはカーバイドを作る金属を用いることができる。
1 炭化珪素結晶体
11 炭素面
12 珪素面
13 転位
13a 一端部
13b 他端部
2 炭化珪素結晶
21 ピット
3 炭化珪素結晶積層体
31 結晶層
11 炭素面
12 珪素面
13 転位
13a 一端部
13b 他端部
2 炭化珪素結晶
21 ピット
3 炭化珪素結晶積層体
31 結晶層
Claims (7)
- 内部に存在する転位が表面まで延在した炭化珪素結晶体を、モリブデンが存在する雰囲気下で加熱することによって、前記表面に前記転位を中心としてピットを形成する、炭化珪素結晶体へのピット形成方法。
- 前記炭化珪素結晶体の近傍に固体のモリブデンを配置した状態で加熱することによって、モリブデンが気体として存在する前記雰囲気を形成する、請求項1に記載の炭化珪素結晶体へのピット形成方法。
- 前記炭化珪素結晶体を、1000℃以上であり、かつ前記炭化珪素結晶体の昇華温度未満である温度で加熱する、請求項1または2に記載の炭化珪素結晶体へのピット形成方法。
- モリブデンが気体として存在する前記雰囲気に、希ガスを主成分とする雰囲気または還元雰囲気を用いる、請求項1〜3のいずれかに記載の炭化珪素結晶体へのピット形成方法。
- 請求項1〜4のいずれかに記載の炭化珪素結晶体へのピット形成方法によって前記ピットが形成された前記表面に、炭化珪素からなる結晶層を、前記ピットを覆うように成長させる、炭化珪素結晶積層体の製造方法。
- 内部に存在する転位が表面まで延在し、かつ前記表面に前記転位を中心としたピットを有した、炭化珪素結晶。
- 内部に存在する転位が表面まで延在した炭化珪素結晶体を、モリブデンが存在する雰囲気下で加熱することによって、前記表面に前記転位を中心としてピットを形成して、該ピットの位置によって前記表面における前記転位の位置を確認する、炭化珪素結晶体の表面における転位の位置の確認方法。
Priority Applications (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP2012092816A JP2013222793A (ja) | 2012-04-16 | 2012-04-16 | 炭化珪素結晶体へのピット形成方法およびそれを用いた炭化珪素結晶積層体の製造方法、並びに炭化珪素結晶および炭化珪素結晶体の表面における転位の位置の確認方法 |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP2012092816A JP2013222793A (ja) | 2012-04-16 | 2012-04-16 | 炭化珪素結晶体へのピット形成方法およびそれを用いた炭化珪素結晶積層体の製造方法、並びに炭化珪素結晶および炭化珪素結晶体の表面における転位の位置の確認方法 |
Publications (1)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JP2013222793A true JP2013222793A (ja) | 2013-10-28 |
Family
ID=49593572
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP2012092816A Pending JP2013222793A (ja) | 2012-04-16 | 2012-04-16 | 炭化珪素結晶体へのピット形成方法およびそれを用いた炭化珪素結晶積層体の製造方法、並びに炭化珪素結晶および炭化珪素結晶体の表面における転位の位置の確認方法 |
Country Status (1)
Country | Link |
---|---|
JP (1) | JP2013222793A (ja) |
-
2012
- 2012-04-16 JP JP2012092816A patent/JP2013222793A/ja active Pending
Similar Documents
Publication | Publication Date | Title |
---|---|---|
JP5250321B2 (ja) | 炭化珪素単結晶成長用種結晶の製造方法並びに炭化珪素単結晶の製造方法 | |
JP4617364B2 (ja) | 基板加熱装置及び処理方法 | |
US20090297854A1 (en) | Aa stacked graphene-diamond hybrid material by high temperature treatment of diamond and the fabrication method thereof | |
JP5053553B2 (ja) | 単結晶ダイヤモンド成長用基材の製造方法 | |
CN108026663B (zh) | p型4H-SiC单晶和p型4H-SiC单晶的制造方法 | |
US20110223094A1 (en) | Method for synthesis of high quality graphene | |
JPWO2015199180A1 (ja) | ダイヤモンド基板の製造方法、ダイヤモンド基板、及び、ダイヤモンド複合基板 | |
JP5011493B2 (ja) | 炭化珪素半導体素子の製造方法 | |
JP2008311541A (ja) | 炭化珪素半導体基板の製造方法 | |
TWI475131B (zh) | 鉭元件之滲碳處理方法及鉭元件 | |
JP6108588B2 (ja) | 炭化珪素半導体素子の製造方法 | |
JP2008091656A (ja) | 炭化珪素半導体装置の製造方法および炭化珪素半導体装置 | |
JP2013537164A (ja) | グラフェンの成長のための方法 | |
TW201329297A (zh) | 矽單晶基材及其製造方法 | |
JP2011035257A (ja) | 炭化珪素半導体装置の製造方法 | |
JP2006124245A (ja) | 炭化珪素単結晶、炭化珪素基板および炭化珪素単結晶の製造方法 | |
JP2020033230A (ja) | n型4H−SiC単結晶基板およびn型4H−SiC単結晶基板の製造方法 | |
JP2014144880A (ja) | 単結晶の製造装置およびそれを用いた炭化珪素単結晶の製造方法 | |
JP2011241096A (ja) | 炭化ケイ素単結晶の製造方法 | |
US11948794B2 (en) | Method of manufacturing silicon carbide epitaxial wafer | |
JP5115413B2 (ja) | 炭化珪素単結晶の製造装置および製造方法 | |
JP4987784B2 (ja) | 炭化珪素単結晶インゴットの製造方法 | |
JP2013222793A (ja) | 炭化珪素結晶体へのピット形成方法およびそれを用いた炭化珪素結晶積層体の製造方法、並びに炭化珪素結晶および炭化珪素結晶体の表面における転位の位置の確認方法 | |
JP5673107B2 (ja) | 炭化珪素半導体デバイスの作製方法 | |
WO2018047844A1 (ja) | 窒化ガリウム積層体の製造方法 |