JP2013211596A - 窒化物半導体発光素子 - Google Patents
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Abstract
【解決手段】基板10は欠陥集中領域11と欠陥集中領域11を除いた領域である低欠陥領域12を有する。低欠陥領域12のみに、低欠陥領域12の表面よりも掘り込まれた掘り込み領域14bが欠陥集中領域11の片側に形成されている。
【選択図】図14
Description
領域の端までの距離が5μm以上であることを特徴とする。
そして、欠陥集中領域が線状である場合、線状の欠陥集中領域は[1−100]方向に伸びていることが好ましい。
11 欠陥集中領域
12 低欠陥領域
13 窒化物半導体層
14 掘り込み領域
15 リッジ部
Claims (10)
- 欠陥集中領域と、欠陥集中領域を除いた領域である低欠陥領域とを有する基板であって、
前記低欠陥領域のみに、該低欠陥領域の表面よりも掘り込まれた掘り込み領域が前記欠陥集中領域の片側に形成されていることを特徴とする基板。 - 前記掘り込み領域の端から前記欠陥集中領域の端までの距離が5μm以上であることを特徴とする請求項1に記載の基板。
- 前記基板が窒化ガリウムからなることを特徴とする請求項1または請求項2に記載の基板。
- 前記欠陥集中領域が線状であることを特徴とする請求項1〜3のいずれかに記載の基板。
- 請求項4に記載の基板であって、線状の前記欠陥集中領域が[1−100]方向に伸びていることを特徴とする基板。
- 前記欠陥集中領域が点状であることを特徴とする請求項1〜5のいずれかに記載の基板。
- 前記掘り込み領域の掘り込み深さが0.5μm以上50μm以下であることを特徴とする請求項1〜6のいずれかに記載の基板。
- 請求項1〜7のいずれかに記載の基板と、該基板上に積層された窒化物半導体層とを備えたことを特徴とする窒化物半導体発光素子。
- 前記窒化物半導体層がレーザ光導波領域であるリッジ部を有し、該リッジ部は、前記掘り込み領域の端から5μm以上離れて形成されていることを特徴とする請求項8に記載の窒化物半導体発光素子。
- 前記基板の下面にn型電極が形成され、前記窒化物半導体層の上面にp型電極が形成されていることを特徴とする請求項8又は請求項9に記載の窒化物半導体発光素子。
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