JP2013211381A - 光半導体装置及びその製造方法 - Google Patents
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Abstract
【解決手段】 コア層の上に形成された第2のクラッド層の前記コア層から離れた部分に光軸に垂直な断面が垂直メサ状或いは逆メサ状の光導波路となるストライプ状の凸状構造を設けるとともに、前記凸状構造の少なくとも側面に形成された絶縁膜の上に金属膜からなるヒータ要素を設ける。
【選択図】 図1
Description
(付記1)半導体基板と、前記半導体基板上に形成された第1のクラッド層と、前記第1のクラッド層上に形成されたコア層と前記コア層の上に形成された第2のクラッド層を有し、前記第2のクラッド層の前記コア層から離れた部分に光軸に垂直な断面が垂直メサ状或いは逆メサ状の光導波路となるストライプ状の凸状構造を有し、前記凸状構造の少なくとも側面に形成された絶縁膜と、前記絶縁膜の上に形成された金属膜からなるヒータ要素と、前記凸状構造の頂部に形成されて前記コア層に電流を注入或いは電圧を印加する主電極と、前記ヒータ要素に電流を流す一対のヒータ電極とを有することを特徴とする光半導体装置。
(付記2)前記凸状構造の両側にストライプ状の溝状構造を有することを特徴とする付記1に記載された光半導体装置。
(付記3)前記一対のヒータ電極の一方を、前記ストライプ状の凸状構造の一方の側部側に配置するとともに、前記一対のヒータ電極の他方を、前記ストライプ状の凸状構造の他方の側部側に配置することを特徴とする付記1または付記2に記載の光半導体装置。
(付記4)前記ストライプ状の溝状構造の一方に、前記凸状構造から離れた側に突出する直角方向に突出する付加凹部を有し、前記付加凹部の両側面の断面形状が順メサ状であり、前記順メサ状の側面で前記ヒータ要素が欠落していることを特徴とする付記2に記載の光半導体装置。
(付記5)前記一対のヒータ電極を、前記ストライプ状の凸状構造の前記付加凹部を設けた側に設けたことを特徴とする付記4に記載の光半導体装置。
(付記6)前記一対のヒータ電極を形成する領域において、前記金属膜と前記ヒータ要素が電気的に接続していることを特徴とする付記1乃至付記3のいずれか5項に記載の光半導体装置。
(付記7)前記半導体基板が、(100)面を主面とするGaAs基板であり、前記凸状構造の少なくとも一部がInGaPよりなり、前記光軸方向が(011)面方向であり、前記凸状構造の側面が(−11−1)面であることを特徴とする付記1乃至付記5のいずれか1に記載の光半導体装置。
(付記8)半導体基板上に、少なくとも第1のクラッド層と、コア層と、第2のクラッド層を結晶成長させる工程と、前記第2のクラッド層の成長層側の少なくとも一部を垂直メサ状或いは逆メサ状の凸状構造にエッチングする工程と、前記凸状構造の少なくとも側面に絶縁膜を形成する工程と、前記凸状構造を含む表面全体に金属膜を形成する工程と、前記金属膜にイオン化させたガスを衝突させ、前記金属膜のうちの前記表面全体の平坦な部分及び順メサ状の部分に形成されている金属膜を除去するとともに、前記凸状構造の側面に形成された絶縁膜の上に形成された金属膜上に前記除去された金属の一部を堆積してヒータ要素を形成する工程とを有することを特徴とする光半導体装置の製造方法。
(付記9)前記ヒータ要素を形成する工程において、一対のヒータ電極を形成する領域において、前記金属膜が除去されないようにマスクし、前記一対のヒータ電極を形成する領域において、前記金属膜と前記ヒータ要素が電気的に接続していることを特徴とする付記8に記載の光半導体装置の製造方法。
2 第1のクラッド層
3 コア層
4 第2のクラッド層
5 凸状構造
6 絶縁膜
7 ヒータ要素
8 主電極
9,10 ヒータ電極
21 n型GaAs基板
22 n型GaAsバッファ層
23 n型AlGaAsクラッド層
24 MQW活性層
25 p型AlGaAsクラッド層
26 p型GaAs回折格子層
27 SiO2膜
28 フォトレジスト
29 フォトレジストパターン
30 SiO2膜パターン
31 回折格子
32 p型InGaPクラッド層
33 p型GaAsコンタクト層
34 SiO2膜
35 フォトレジストパターン
36 SiO2膜パターン
37 リッジ導波路
38 SiO2保護膜
39 Ti/Pt膜
40 フォトレジストパターン
41 Ti/Pt/Pt/Ti膜
42 SiO2膜
43 BCB膜
44 フォトレジストパターン
45 Ti/Pt/Au膜
46 めっきフレーム
47 Auめっき層
48 Au膜
49 AuGe/Au膜
50 Auめっき層
51 トレンチ部
52,53 ヒータ残渣
54,55 ヒータパッド
56 キャリア注入電極パッド
57 張出トレンチ部
61 n型GaAs基板
62 n型AlGaAsクラッド層
63 MQW活性層
64 p型AlGaAsクラッド層
65 p型InGaPクラッド層
66 p型GaAsコンタクト層
67 SiO2保護膜
68 BCB膜
69 p側電極
70 SiO2保護膜
71 マイクロヒータ
72 n側電極
81 n型InP基板
82 n型InPバッファ層
83 n型InGaAsP回折格子層
84 InGaAsPSCH層
85 MQW活性層
86 InGaAsPSCH層
87 p型InPクラッド層
88 p型InGaAsコンタクト層
89 FeドープInP埋込層
90 n型InP加熱層
91 SiO2保護膜
92 p側電極
93 n側電極
94 ヒータ電極
Claims (5)
- 半導体基板と
前記半導体基板上に形成された第1のクラッド層と、
前記第1のクラッド層上に形成されたコア層と
前記コア層の上に形成された第2のクラッド層を有し、
前記第2のクラッド層の前記コア層から離れた部分に光軸に垂直な断面が垂直メサ状或いは逆メサ状の光導波路となるストライプ状の凸状構造を有し、
前記凸状構造の少なくとも側面に形成された絶縁膜と、
前記絶縁膜の上に形成された金属膜からなるヒータ要素と、
前記凸状構造の頂部に形成されて前記コア層に電流を注入或いは電圧を印加する主電極と、
前記ヒータ要素に電流を流す一対のヒータ電極と
を有することを特徴とする光半導体装置。 - 前記凸状構造の両側にストライプ状の溝状構造を有することを特徴とする請求項1に記載された光半導体装置。
- 前記ストライプ状の溝状構造の一方に、前記凸状構造から離れた側に直角方向に突出する付加凹部を有し、前記付加凹部の両側面の断面形状が順メサ状であり、前記順メサ状の側面で前記ヒータ要素が欠落していることを特徴とする請求項2に記載の光半導体装置。
- 前記一対のヒータ電極を形成する領域において、前記金属膜と前記ヒータ要素が電気的に接続していることを特徴とする請求項1乃至請求項3のいずれか1項に記載の光半導体装置。
- 半導体基板上に、少なくとも第1のクラッド層と、コア層と、第2のクラッド層を結晶成長させる工程と、
前記第2のクラッド層の成長層側の少なくとも一部を垂直メサ状或いは逆メサ状の凸状構造にエッチングする工程と、
前記凸状構造の少なくとも側面に絶縁膜を形成する工程と、
前記凸状構造を含む表面全体に金属膜を形成する工程と、
前記金属膜にイオン化させたガスを衝突させ、前記金属膜のうちの前記表面全体の平坦な部分及び順メサ状の部分に形成されている金属膜を除去するとともに、前記凸状構造の側面に形成された絶縁膜の上に形成された金属膜上に前記除去された金属の一部を堆積してヒータ要素を形成する工程と
を有することを特徴とする光半導体装置の製造方法。
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Cited By (3)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP2015103620A (ja) * | 2013-11-22 | 2015-06-04 | 日本電信電話株式会社 | 波長可変レーザ |
JP2018133466A (ja) * | 2017-02-16 | 2018-08-23 | 沖電気工業株式会社 | 半導体光学素子 |
JP2021190675A (ja) * | 2020-05-29 | 2021-12-13 | 日本ルメンタム株式会社 | ヒータを集積したリッジ型半導体光素子 |
Citations (10)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JPH01173686A (ja) * | 1987-12-28 | 1989-07-10 | Omron Tateisi Electron Co | 波長可変型半導体レーザ |
JPH01225187A (ja) * | 1988-03-04 | 1989-09-08 | Fujitsu Ltd | 半導体発光装置 |
JPH08172242A (ja) * | 1994-12-15 | 1996-07-02 | Toshiba Electron Eng Corp | 半導体装置及びその製造方法 |
JP2000187192A (ja) * | 1998-12-24 | 2000-07-04 | Kyocera Corp | 温度制御型光導波路 |
JP2000294869A (ja) * | 1999-04-07 | 2000-10-20 | Hitachi Ltd | 波長可変光源及びそれを用いた光学装置 |
JP2003023208A (ja) * | 2001-07-05 | 2003-01-24 | Nec Corp | 波長可変半導体レーザ |
US20060039427A1 (en) * | 2003-12-04 | 2006-02-23 | Charles Paul M | Semiconductor laser with integrated heating element and method of manufacturing same |
JP2006259104A (ja) * | 2005-03-16 | 2006-09-28 | Hitachi Cable Ltd | 光回路及び導波路型光可変減衰器 |
JP2009545161A (ja) * | 2006-07-26 | 2009-12-17 | コーニング インコーポレイテッド | 半導体レーザマイクロ加熱素子構造 |
JP2011029426A (ja) * | 2009-07-27 | 2011-02-10 | Qd Laser Inc | レーザシステム |
-
2012
- 2012-03-30 JP JP2012079972A patent/JP5974590B2/ja active Active
Patent Citations (10)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JPH01173686A (ja) * | 1987-12-28 | 1989-07-10 | Omron Tateisi Electron Co | 波長可変型半導体レーザ |
JPH01225187A (ja) * | 1988-03-04 | 1989-09-08 | Fujitsu Ltd | 半導体発光装置 |
JPH08172242A (ja) * | 1994-12-15 | 1996-07-02 | Toshiba Electron Eng Corp | 半導体装置及びその製造方法 |
JP2000187192A (ja) * | 1998-12-24 | 2000-07-04 | Kyocera Corp | 温度制御型光導波路 |
JP2000294869A (ja) * | 1999-04-07 | 2000-10-20 | Hitachi Ltd | 波長可変光源及びそれを用いた光学装置 |
JP2003023208A (ja) * | 2001-07-05 | 2003-01-24 | Nec Corp | 波長可変半導体レーザ |
US20060039427A1 (en) * | 2003-12-04 | 2006-02-23 | Charles Paul M | Semiconductor laser with integrated heating element and method of manufacturing same |
JP2006259104A (ja) * | 2005-03-16 | 2006-09-28 | Hitachi Cable Ltd | 光回路及び導波路型光可変減衰器 |
JP2009545161A (ja) * | 2006-07-26 | 2009-12-17 | コーニング インコーポレイテッド | 半導体レーザマイクロ加熱素子構造 |
JP2011029426A (ja) * | 2009-07-27 | 2011-02-10 | Qd Laser Inc | レーザシステム |
Cited By (4)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP2015103620A (ja) * | 2013-11-22 | 2015-06-04 | 日本電信電話株式会社 | 波長可変レーザ |
JP2018133466A (ja) * | 2017-02-16 | 2018-08-23 | 沖電気工業株式会社 | 半導体光学素子 |
JP2021190675A (ja) * | 2020-05-29 | 2021-12-13 | 日本ルメンタム株式会社 | ヒータを集積したリッジ型半導体光素子 |
JP7309667B2 (ja) | 2020-05-29 | 2023-07-18 | 日本ルメンタム株式会社 | ヒータを集積したリッジ型半導体光素子 |
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