JP2000187192A - 温度制御型光導波路 - Google Patents

Abstract

(57)【要約】 【課題】 従来の温度制御型光導波路では、発熱体によ
りコア部を効率的に加熱することが困難であった。 【解決手段】 基板１上に突出して形成されたクラッド
部３と、クラッド部３内に形成され、屈折率がクラッド
部３より大きくかつ温度により変化する単一のコア部２
と、クラッド部３の上面に形成された発熱体４とから成
る温度制御型光導波路である。発熱体４からの熱を発散
させることなくコア部２に伝導させることができ、コア
部２を効率的に加熱して動作させることができる。

Description

【発明の詳細な説明】

【０００１】

【発明の属する技術分野】本発明は光通信システム等に
用いられる熱光学効果を利用した光スイッチング素子等
に好適な温度制御型の光導波路に関し、特にコア部に対
する発熱体による加熱効率を高めた温度制御型光導波路
に関する。

【０００２】

【従来の技術】光通信システム等に用いられる光部品の
一つとして、２つの光導波路間に配置されて光信号の経
路を切り換えるために用いる光スイッチング素子があ
る。

【０００３】このような光スイッチング素子としては、
熱によりコア部の屈折率の変化を生じさせる熱光学効果
を利用したものがあり、温度制御型の光導波路が用いら
れる。このような温度制御型光導波路を用いた光スイッ
チング素子の例を図４に斜視図で、また図５に断面図で
示す。図４および図５は、熱光学効果を利用した三次元
導波路形状の温度制御型光導波路による光スイッチング
素子を用いた、対称マッハツェンダ型光スイッチング素
子の例を示すものである。

【０００４】これらの図において、１は基板、２および
３は基板１上に形成された三次元導波路形状の光導波路
のそれぞれコア部およびクラッド部であり、コア部２は
クラッド部３内に形成されている。また、４はコア部２
の一部に設ける光スイッチング素子の部分に対応してク
ラッド部３上に形成された発熱体であり、この部分に温
度制御型光導波路が形成されて光スイッチング素子とし
て機能する。

【０００５】このような温度制御型光導波路を用いた光
スイッチング素子によれば、コア部２に対して入力１の
ポートから入射した光は、分岐部で２分岐されてそれぞ
れの経路を伝搬した後、合部で干渉する。このとき、分
岐部から合部までの２つの経路で位相差がπの偶数倍で
あれば、合部で干渉した光は出力２のポートのみに導か
れる。一方、分岐部から合部までの２つの経路で位相差
がπの奇数倍であれば合部で干渉した光は出力１のポー
トのみに導かれる。

【０００６】ここで、発熱体４を発熱させない場合は、
発熱体４の下部のコア部２ともう一方の経路のコア部２
とで位相差は０であるので光は出力２のポートに導かれ
る。

【０００７】また、発熱体４を発熱させると熱光学効果
により発熱体４の下部の光導波路のコア部２およびクラ
ッド部３の屈折率を高くすることができ、これによって
位相差が生じるため、その位相差がπの奇数倍であれば
合部で干渉した光は出力１のポートに導かれる。このよ
うな動作原理により、光のスイッチング動作を得ること
ができる。

【０００８】

【発明が解決しようとする課題】しかしながら、図４お
よび図５に示すような従来の温度制御型光導波路におい
ては、発熱体４からの熱はクラッド部３内を発散しなが
ら伝導するために、発熱体４の下部の光導波路のコア部
２およびクラッド部３のみを効率的に加熱することがで
きず、コア部２に対する発熱体４による加熱効率が悪い
という問題点があった。

【０００９】また、熱の伝導する方向が発熱体４から下
方の光導波路へ向かう１方向のみであるため、発熱体４
の直下のコア部２においても上下で温度差が生じること
もあるなど、発熱体４によって光導波路、特にそのコア
部２を効率的に加熱できないという問題点もあった。

【００１０】本発明は上記従来技術における問題点に鑑
みてなされたものであり、その目的は、熱光学効果を利
用してコア部の屈折率を変化させる際に、発熱体からの
熱を発散させることなく効率的にコア部に伝導すること
ができ、発熱体の下部に位置する光導波路のコア部およ
びクラッド部を効率的に加熱することができる温度制御
型光導波路を提供することにある。

【００１１】

【課題を解決するための手段】本発明の温度制御型光導
波路は、基板上に突出して形成されたクラッド部と、こ
のクラッド部内に形成され、屈折率が前記クラッド部よ
り大きくかつ温度により変化する単一のコア部と、前記
クラッド部の上面に形成された発熱体とから成ることを
特徴とするものである。

【００１２】また、本発明の温度制御型光導波路は、基
板上に突出して形成されたクラッド部と、このクラッド
部内に形成され、屈折率が前記クラッド部より大きくか
つ温度により変化する単一のコア部と、前記クラッド部
の上面および側面に形成された発熱体とから成ることを
特徴とするものである。

【００１３】本発明の温度制御型光導波路によれば、基
板上に突出して形成された、クラッド部の側面が露出し
た通常リッジ型と言われる三次元導波路構造の光導波路
と、この光導波路の上面に形成された発熱体とから成る
ことから、従来の温度制御型光導波路のように発熱体か
らの熱が基板の横方向に沿ってクラッド部内を広く発散
してしまうことがない。また、発熱体からの熱は熱伝導
の良い媒質中を伝搬する性質があるために、空気よりも
熱伝導性の高いクラッド部内を伝搬し、基板から突出し
て形成され側面が露出したクラッド部の側面から空気中
に発散することもないので、発熱体からの熱は発熱体の
下部の光導波路のみに閉じ込められて伝搬することとな
る。従って、本発明の温度制御型光導波路によれば、従
来の温度制御型光導波路に比べて、発熱体からの熱を発
散させることなく効率的にコア部に伝導することがで
き、発熱体の下部に位置する光導波路のコア部およびク
ラッド部のみを効率的に加熱することができる。

【００１４】さらに、基板から突出させて形成したクラ
ッド部の上面とともに、露出した側面にも発熱体を形成
することにより、光導波路のコア部およびクラッド部を
発熱体で囲んで周囲の３方向からさらに効率的に加熱す
ることができる。

【００１５】

【発明の実施の形態】以下、本発明の温度制御型光導波
路を図面を参照つつ説明する。

【００１６】図１は、本発明の温度制御型光導波路の実
施の形態の一例を示す断面図である。図１において、１
は基板、２および３は光導波路のそれぞれコア部および
クラッド部であり、クラッド部３は基板１上に突出して
形成され、その側面が空気中に露出している。また、ク
ラッド部３内に形成されたコア部２は、屈折率がクラッ
ド部３より大きくかつ温度により屈折率が変化する媒質
で形成されており、クラッド部３内に単一のコア部２と
して形成されている。そして、４はクラッド部３の上面
に形成された発熱体である。このような構成により、こ
の発熱体４からの熱によりコア部２の温度を制御してそ
の屈折率を変化させることによって、例えば光スイッチ
ング素子等に好適な温度制御型導波路となる。なお、図
１には図５と同様のマッハツェンダ型スイッチング素子
を構成した場合の断面図として、発熱体４を形成してい
ない光導波路を併設した例を示している。

【００１７】このような本発明の温度制御型光導波路
は、光導波路のクラッド部３の側面が基板１上に露出し
た、いわゆるリッジ型構造であることを特徴としてい
る。このような構成により、発熱体４からの熱は熱伝導
の良い媒質中を伝搬する性質があるために、空気よりも
熱伝導性の高いクラッド部３中を伝搬し、露出したクラ
ッド部３の側面から空気中に発散することがなく、発熱
体か４らの熱は発熱体４の下部に位置するクラッド部３
のみに閉じ込められて伝搬するため、発熱体４の下方に
位置するコア部２を効率的に加熱することができる。

【００１８】また、図２は本発明の温度制御型光導波路
の実施の形態の他の例を示す図１と同様の断面図であ
る。図２によれば、基板１上に突出して形成されたクラ
ッド部３内にその屈折率がクラッド部３より大きくかつ
温度により変化する単一のコア部２が形成されており、
そのクラッド部３の上面および基板１から突出して露出
した側面に発熱体４が形成されている。なお、図２にも
図１と同様に、マッハツェンダ型スイッチング素子を構
成した場合の断面図として、発熱体４を形成していない
光導波路を併設した例を示している。

【００１９】このように発熱体４をクラッド部３の上面
および側面に形成したことから、クラッド部３およびそ
の内部のコア部２を発熱体４で囲んで周囲の３方向から
より効率的に加熱することができる。

【００２０】本発明の温度制御型光導波路において、基
板１には光集積回路基板や光電子混在基板等の光信号を
扱う基板として使用される種々の基板、例えばシリコン
基板やアルミナセラミックス基板・ガラスセラミックス
基板・多層セラミック配線基板等が使用できる。

【００２１】基板１上に形成される光導波路は、クラッ
ド部３中にコア部２が形成された三次元導波路形状の光
導波路であり、その形成材料としては、例えばシリカ・
ニオブ酸リチウム・ＧａＡｓ・ポリイミド・フッ素樹脂
・フッ化ポリイミド・シロキサン系ポリマ・ＰＭＭＡ
（ポリメチルメタアクリレート）・オレフィン系樹脂等
を用いればよい。中でも、ポリイミド・フッ素樹脂・フ
ッ化ポリイミド・シロキサン系ポリマ等の有機系材料
は、シリカなどの無機系材料に比べて熱膨張係数が大き
いために大きな熱光学効果を有するので、温度制御型光
導波路を駆動する際の消費電力を小さくすることができ
るといった点で好適なものとなる。

【００２２】また、発熱体４としては、Ａｌ・Ｃｕ・Ｔ
ａ・Ａｕ・Ａｇ・Ｗ・Ｔｉ・Ｃｒ・Ｎｉ等から成る金属
抵抗体等を用いることができる。

【００２３】発熱体４とコア部２の上面との間のクラッ
ド部３の厚さとしては、厚いほど発熱体４からの熱が発
散して伝搬するためにコア部２およびコア部２近傍のク
ラッド部３を効率的に加熱することができなくなるの
で、できる限り薄くする方がよい。

【００２４】しかしながら、クラッド部３の厚さが十分
でなく伝搬する光の電磁界成分が発熱体４にかかるよう
な場合は、金属等で構成される発熱体４で光が吸収され
ることにより光信号の損失を発生させることとなるの
で、コア部２およびコア部２近傍のクラッド部３を伝搬
する光の電磁界成分が発熱体４の位置では充分に小さく
なるような厚さが必要である。実際には、周知の光導波
路理論による計算を行なって必要な厚さを求めればよ
い。

【００２５】クラッド部３を基板１から突出させて形成
し、その側面が露出したいわゆるリッジ型構造の光導波
路を形成するには、クラッド部３の側面を機械的な切削
により形成したり、反応性ドライエッチングやエキシマ
レーザによりクラッド部３をエッチングしたりすればよ
い。

【００２６】コア部２の側面とリッジ型側面との間のク
ラッド部３の厚さとしては、厚いほど発熱体４からの熱
が発散して伝搬するためにコア部２およびコア部２近傍
のクラッド部３を効率的に加熱することができなくなる
ので、できる限り薄くする方がよい。実際には、周知の
光導波路理論により、コア部２・クラッド部３・クラッ
ド部３の外側の空気との３部の構造で所望の光導波路構
造を設計して厚さを決定すればよい。

【００２７】また、クラッド部３の上面とともに側面に
も発熱体４を形成する場合には、クラッド部３の厚さが
十分でなく光導波路を伝搬する光の電磁界成分が発熱体
４にかかるような場合は金属等から成る発熱体４で光が
吸収されることにより光信号の損失を発生させることと
なるので、コア部２およびコア部２近傍のクラッド部３
を伝搬する光の電磁界成分が発熱体４の位置では充分に
小さくなるような厚さが必要である。実際には、周知の
光導波路理論による計算を行なって必要な厚さを求めれ
ばよい。

【００２８】クラッド部３が基板１から突出した高さ、
すなわちリッジ部の深さとしては、リッジ部の深さが深
いほど発熱体４からの熱は発散することなくリッジ部内
のクラッド部３中に閉じ込められるので、リッジ部内の
クラッド部３およひコア部２を効率的に加熱することが
できる。

【００２９】図３に、このクラッド部３の突出高さによ
るコア部２の加熱効率の改善効果を線図で示す。なお、
ここでは基板１をシリコンとし、光導波路のクラッド部
３・コア部２ともシリカで形成してコア部２を幅８μｍ
×高さ８μｍとし、コア部２の上面と発熱体４との間の
クラッド部３の厚さを12μｍとし、また、基板１とコア
部２との間のクラッド部３の厚さを12μｍとした。ま
た、クラッド部３の上面にクラッド部３と同幅の発熱体
４を形成し、クラッド部３の上面全体に一定の熱を放出
する構造とした。

【００３０】図３において、横軸は基板１からのクラッ
ド部３の突出高さ（単位：μｍ）を、縦軸はコア部２の
中心部の温度上昇の相対値を、クラッド部３の高さが０
すなわち図５に示すような従来の構造のものを基準とし
て表している。また、図中の黒四角で示した点は得られ
た結果を、特性曲線はその変化の様子を示すものであ
る。

【００３１】図３に示す結果より、クラッド部３の突出
高さが高いほど、すなわちリッジ部の深さが深いほどク
ラッド部３内のコア部２を効率的に加熱することができ
ることが分かる。とりわけ、クラッド部３の突出高さが
コア部２の中心部の高さが16μｍに達すると、コア部２
の中心部の温度上昇の相対値は、突出高さか０、すなわ
ちリッジ形状の深さが０の場合である従来構造に比べて
1.5 倍の値となり、コア部２を効率良く加熱できている
ことが分かる。

【００３２】さらに、突出高さが32μｍに達し、リッジ
形状の深さがクラッド部３の最下部に達すると、コア部
２の中心部の温度上昇の相対値は従来構造に比べて約2.
2 倍の値となる。これは同様の熱光学効果を得るのに必
要な発熱体４の発熱量が従来構造に比べて１／2.2 とな
ること、つまり消費電力が従来の0.45倍となる低消費電
力化が図れることを示すものである。

【００３３】また、突出高さが６μｍの場合にも、コア
部２の中心部の温度上昇の相対値は従来構造に比べて1.
05倍の値となり、突出高さが低くリッジ形状の深さが浅
い場合であっても、従来に比べて発熱体４の下部に位置
するコア部２を効率的に加熱する効果が得られることが
分かる。

【００３４】

【実施例】次に、本発明の温度制御型光導波路について
具体例を説明する。

【００３５】〔例１〕図１に示す構成の本発明の温度制
御型光導波路として、シリコンから成る基板１上に、ク
ラッド部３がシロキサンポリマから成り、コア部２がチ
タン含有シロキサンポリマから成るステップインデック
ス型光導波路を形成した。このとき、コア部２およびク
ラッド部３の屈折率をそれぞれ1.444 および1.440 とし
て、コア部２を幅８μｍ×高さ８μｍとし、コア部２の
上面と発熱体４との間のクラッド部３の厚さを12μｍ、
基板１とコア部２との間のクラッド部３の厚さを12μｍ
とした。

【００３６】次いで、これをＲＩＥ（Reactive Ion Etc
hing：反応性イオンエッチング）によりエッチング加工
してクラッド部３の側面を形成し、クラッド部３を基板
１から突出させてリッジ形状を形成した。このとき、コ
ア部２の側面とリッジ型側面との間のクラッド部３の厚
さは12μｍとし、リッジ形状の深さすなわちクラッド部
３の突出高さは12μｍとした。

【００３７】次に、クラッド部３の上面にタングステン
薄膜をスパッタリング法により形成した後、フォトリソ
グラフィならびにエッチングを行ない、タングステンか
らなる発熱体４を形成した。

【００３８】このようにして図１に示す構成の本発明の
温度制御型光導波路を作製した。

【００３９】〔例２〕次に、〔例１〕の本発明の温度制
御型光導波路を用いた光スイッチを作製した。〔例１〕
と同様に、シリコンから成る基板１上に、コア部が屈折
率が1.444 で幅８μｍ×高さ８μｍのチタン含有シロキ
サンポリマから成り、クラッド部が屈折率が1.440 のシ
ロキサンポリマから成り、コア部の上面のクラッド部の
厚さを12μｍ、基板とコア部との間のクラッド部の厚さ
を12μｍとして、上面に発熱体を有しないステップイン
デックス型光導波路を形成して、マッハツェンダ型光回
路を形成した。

【００４０】次いで、このマッハツェンダ型光回路の２
つのアームのうち一方のクラッド部をＲＩＥによりエッ
チング加工してリッジ形状を形成した。このときコア部
２の側面とリッジ型側面との間のクラッド部の厚さは12
μｍ、深さは12μｍ、長さは１ｃｍとした。

【００４１】次に、タングステン薄膜をスパッタリング
法により形成した後、フォトリソグラフィならびにエッ
チングを行ない、タングステンからなる発熱体４を形成
した。これにより、本発明の温度制御型光導波路と、上
面に発熱体を有しない光導波路とによるマッハツェンダ
型光回路の光スイッチを作製した。

【００４２】このようにして作製した本発明の温度制御
型光導波路を用いた光スイッチについての特性を評価す
るため、入力側ポートの１つにＬＤ（レーザダイオー
ド）光を入射し、発熱体４に通電して発熱させ、通電消
費電力に対する出力側ポートからの出射光強度の変化を
測定したところ、出射光のＯＮ−ＯＦＦスイッチングに
必要な最小電力は300 Ｗであった。これは、従来構造の
ものに比べて、１／２以下の低消費電力化を示す結果で
あった。

【００４３】〔例３〕次に、図２に示す構成の本発明の
温度制御型光導波路を用いた光スイッチを〔例２〕と同
様にして作製した。

【００４４】まず、シリコンから成る基板１上に、クラ
ッド部３がシロキサンポリマ、コア部２がチタン含有シ
ロキサンポリマから成るステップインデックス型光導波
路を形成して〔例２〕と同様のマッハツェンダ型光回路
を形成した。このとき、コア部２およびクラッド部３の
屈折率をそれぞれ1.444 および1.440 として、コア部２
を幅８μｍ×高さ８μｍとし、コア部２の上面と発熱体
４との間のクラッド部３の厚さを12μｍ、基板１とコア
部２との間のクラッド部３の厚さを12μｍとした。

【００４５】次いで、このマッハツェンダ型光回路の２
つのアームのうち１方のクラッド部をＲＩＥによりエッ
チング加工して、クラッド部３の側面を露出させて基板
１から突出させたリッジ形状を形成した。このときコア
部２の側面とリッジ型側面との間のクラッド部３の厚さ
は12μｍ、深さは12μｍ、長さは１ｃｍとした。

【００４６】次に、タングステン薄膜をスパッタリング
法により形成した後、フォトリソグラフィならびにエッ
チングを行ない、タングステンからなる発熱体４をクラ
ッド部３の上面および側面に対して図２に示すように形
成した。これにより、本発明の温度制御型光導波路と、
上面に発熱体を有しない光導波路とによるマッハツェン
ダ型光回路の光スイッチを作製した。

【００４７】このようにして作製した本発明の温度制御
型光導波路を用いた光スイッチについての特性を評価す
るため、入力側ポートの１つにＬＤ（レーザダイオー
ド）光を入射し、発熱体４に通電して発熱させて通電消
費電力に対する出力側ポートからの出射光強度の変化を
測定したところ、出射光のＯＮ−ＯＦＦスイッチングに
必要な最小電力は300 Ｗであった。また、加熱開始から
スイッチング動作を得るまでの応答時間は〔例２〕に比
べて0.8 倍以下であった。これらはいずれも従来構造の
光スイッチに比べて、低消費電力で短応答性を示す結果
であった。

【００４８】〔例４〕〔例２〕および〔例３〕で示した
本発明の温度制御型光導波路を用いた光スイッチとの比
較のために、従来構造の温度制御型光導波路を用いた同
様の光スイッチを作製した。

【００４９】まず、シリコンから成る基板上に、クラッ
ド部がシロキサンポリマ、コア部２がチタン含有シロキ
サンポリマから成るステップインデックス型光導波路を
形成して、図４・図５に示す構成のマッハツェンダ型光
回路を形成した。このとき、コア部およびクラッド部の
屈折率をそれぞれ1.444 および1.440 として、コア部を
幅８μｍ×高さ８μｍとし、コア部の上面と発熱体との
間のクラッド部の厚さを12μｍ、基板とコア部との間の
クラッド部の厚さは12μｍとした。

【００５０】次に、タングステン薄膜をスパッタリング
法により形成した後、フォトリソグラフィならびにエッ
チングを行ない、タングステンからなる発熱体を形成し
た。

【００５１】このようにして作製した従来構造の温度制
御型光導波路を用いた光スイッチについての特性を評価
するため、入力側ポートの１つにＬＤ（レーザダイオー
ド）光を入射し、発熱体に通電して発熱させ、通電消費
電力に対する出力側ポートからの出射光強度の変化を測
定したところ、出射光のＯＮ−ＯＦＦスイッチングに必
要な最小電力は650 Ｗであった。これは〔例２〕で示し
た本発明の温度制御型光導波路を用いた場合の光スイッ
チに比べて消費電力が２倍以上の値となっており、本発
明の温度制御型光導波路によれば、コア部を効率的に加
熱することができ、消費電力を低減できることが確認で
きた。

【００５２】以上により、本発明の温度制御型光導波路
によれば、発熱体からの熱を発熱体が接しているクラッ
ド部内に閉じ込めて伝搬させて発熱体の下部に位置する
コア部に効率的に伝導させることができることから、従
来構造の温度制御型光導波路に比べて高効率かつ低消費
電力の光スイッチング素子を得ることができることが確
認できた。

【００５３】なお、以上はあくまで本発明の実施の形態
の例示であって、本発明はこれらに限定されるものでは
なく、本発明の要旨を逸脱しない範囲で種々の変更や改
良を加えることは何ら差し支えない。例えば、露出させ
たクラッド部の外側は空気や不活性ガスで満たされてい
てもよく、真空であればさらに断熱効果が良い。また、
クラッド部よりも熱伝導性の低い材料で被覆してもよ
い。

【００５４】

【発明の効果】以上のように、本発明の温度制御型光導
波路によれば、基板上に突出して形成された、クラッド
部の側面が露出した単一のコア部を有する三次元導波路
構造の光導波路と、この光導波路の上面に形成された発
熱体とから成ることから、従来の温度制御型光導波路の
ように発熱体からの熱がクラッド部内を広く発散してし
まうことがなく、発熱体からの熱は発熱体の下部の光導
波路のみに閉じ込められて伝搬することとなるので、発
熱体からの熱を効率的にコア部に伝導することができ、
発熱体の下部に位置する光導波路のコア部およびクラッ
ド部のみを効率的に加熱することができた。

【００５５】さらに、基板から突出させて形成したクラ
ッド部の上面とともに、露出した側面にも発熱体を形成
することにより、光導波路のコア部およびクラッド部を
発熱体で囲んで周囲の３方向からさらに効率的に加熱す
ることができた。

【００５６】以上により、本発明によれば、熱光学効果
を利用してコア部の屈折率を変化させる際に、発熱体か
らの熱を発散させることなく効率的にコア部に伝導する
ことができ、発熱体の下部に位置する光導波路のコア部
およびクラッド部を効率的に加熱することができる温度
制御型光導波路を提供することができた。

【図面の簡単な説明】

【図１】本発明の温度制御型光導波路の実施の形態の一
例を示す断面図である。

【図２】本発明の温度制御型光導波路の実施の形態の他
の例を示す断面図である。

【図３】本発明の温度制御型光導波路におけるクラッド
部の突出高さに対するコア部の中心部の温度上昇の相対
値の変化を示す線図である。

【図４】温度制御型光導波路を用いた光スイッチの例を
示す斜視図である。

【図５】従来の温度制御型光導波路の例を示す断面図で
ある。

【符号の説明】

１・・・基板 ２・・・光導波路のコア部 ３・・・光導波路のクラッド部 ４・・・発熱体

フロントページの続き Ｆターム(参考） 2H047 KA05 KB04 MA05 NA01 QA02 QA03 QA04 QA05 RA08 TA37 2H079 AA06 AA12 CA05 DA07 DA17 DA21 EA05 EB04 EB27 HA11 JA02 JA07 5K002 BA02 BA06 FA01

Claims (2)

【特許請求の範囲】
1. 【請求項１】基板上に突出して形成されたクラッド部
   と、該クラッド部内に形成され、屈折率が前記クラッド
   部より大きくかつ温度により変化する単一のコア部と、
   前記クラッド部の上面に形成された発熱体とから成るこ
   とを特徴とする温度制御型光導波路。
2. 【請求項２】基板上に突出して形成されたクラッド部
   と、該クラッド部内に形成され、屈折率が前記クラッド
   部より大きくかつ温度により変化する単一のコア部と、
   前記クラッド部の上面および側面に形成された発熱体と
   から成ることを特徴とする温度制御型光導波路。