JP2013201649A - X線画像検出装置 - Google Patents

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Abstract

【課題】大きなX線量をもつ撮影が可能となり、ノイズの少ない画像を得ることが可能となるX線画像検出装置を得る。
【解決手段】 基板上の複数の画素20を配置し入射X線に対応した電荷蓄積量に変換するX線画像検出器と、各画素の蓄積電荷を電位情報の画像信号に変換する積分増幅器33と、X線入射時の画像信号とX線非入射時の画像信号を情報として画素のオフセット補正および感度補正の処理を順次行う画像信号処理装置16とを具備し、画像信号処理装置16はオフセット補正処理および感度補正処理の間に、画素のうちの飽和値の最低値の画像信号を上限値として他の画素の画像信号を上限処理する上限値補正装置を有する。
【選択図】図4

Description

本発明の実施形態は、たとえばX線画像を入射しその画像情報を電気信号に変換するX線画像検出装置に関する。
X線画像検出器は、人体などを透過したX線画像を入射し、その画像情報を電気信号に変換する。この際、X線を可視光に変換する蛍光変換膜によってX線を可視光に変換し、その光を格子状に配置形成された複数のフォトダイオード素子によって二次元的な画像情報として検出し、外部に電気信号として出力する。
X線画像検出器は、液晶表示装置の製造工程に類似している薄膜トランジスタパネル製造工程により、信号配線と薄膜トランジスタトランジスタを形成したガラス基板を作成する。その上に入力面からの蛍光を検出するフォトダイオード素子を格子状に形成し、その出力を下部に配置されているスイッチング素子となる薄膜トランジスタトランジスタに電気的に接続することで画素を形成している。
図8を参照して説明すると、画素101は、ガラス基板102上に格子状に配置され、各画素のスイッチング素子は行を表す行選択線111,111,・・・111x,・・・および列を表す信号線112,112,・・・,112y,・・・に接続されている。選択線および信号線は、互いに直交して配置され、格子状に配置している各画素101に接続されている。
X線を可視光に変換する蛍光体を平面型光検出器上に積層して蛍光変換膜とし、外部から入射したX線は蛍光変換膜で可視光に変換され、発生した可視光は図8に示す平面型光検出器に入射する。この際に平面型光検出器内部のフォトダイオード素子で電荷に変換され、フォトダイオード内部容量や並列接続されている容量素子内部に蓄積される。
電荷に変換されたX線画像情報は、フォトダイオード素子に接続されている薄膜トランジスタトランジスタを通して基板外部へと伝達される。ゲートドライバ140による行選択線の電位が変化することで、電位の変化した行選択線に接続された薄膜トランジスタは導通状態となる。ある薄膜トランジスタが導通状態になると、導通状態となった薄膜トランジスタに接続されているフォトダイオードもしくは画素容量内部に蓄積された電荷は、薄膜トランジスタを通して外部に排出される。外部に排出された電荷は、薄膜トランジスタに接続している信号線を通してガラス基板外部へと排出される。
薄膜トランジスタを駆動する行選択線の電位は、通常、複数本の選択線のうちの1本のみの電位を変化させることにより、ある特定の行に相当するすべての画素内部の薄膜トランジスタを導通状態にする。電位を変化させる行選択線を順次変更することで、外部にはある特定の行に相当する画素からの信号が排出される。電荷の排出された信号線の位置と、その時点で電位の変動した選択線の位置とを参照することで、X線の入射位置と強度を算出することができる。
ガラス基板外部に排出された電荷信号は、各信号線に接続された積分増幅器120へと入力される。積分増幅器に入力された電荷情報は増幅され、電位信号に変換されて出力される。積分増幅器から出力された電位信号は、アナログ・デジタル(A/D)変換器130にてデジタル値に変換され、最終的には画像信号として編集されてX線画像検出装置の外部へと出力される。
外部ディスプレイ装置によって所期の画像を画像信号により再生するために、X線画像検出器固有のノイズの除去と、X線照射時のX線強度分布のばらつきに対応する必要がある。
X線画像検出装置の外部に出力された画像信号には、X線画像検出器内部における個々の画素における暗電流、感度特性のばらつき、さらに積分増幅器にも暗電流、増幅率特性の違いによるノイズが含まれている。これらノイズ成分は、X線による画像診断を行う際に除去することが求められている。
X線画像検出器から出力される画像情報から上記ノイズ成分を除去するにはオフセット補正と感度(増幅率)補正が行われる。その補正の手順を以下に示す。
(1)暗電流成分を検出する。X線未入射時におけるX線画像検出装置の積分増幅器を通した各画素出力値を得る。任意の画素、x行、y列の行選択線、信号線上の画素を[x,y]とするとき、当該画素の暗電流成分をD[x,y]とする。
(2)オフセット補正
被写体をX線撮影時におけるX線画像検出装置の積分増幅器を通したx行、y列における画素からの出力値をR[x,y]とする。この出力値R[x,y]から上記D[x,y]を減算(R[x,y]−D[x,y])すると、暗電流ノイズ成分が除去されたオフセット補正がなされる。
(3)感度補正
被写体を用いない撮影時におけるX線画像検出装置の積分増幅器を通したx行y列における画素からの出力値M[x,y]を得る。
各画素の(M[x,y]−D[x,y])を演算により算出し得られる画像の輝度平均値をCとする。
感度補正されるX線画像をP[x,y]とすると、
P[x,y]=C・(R[x,y]−D[x,y])/(M[x,y]−D[x,y])
になる。
この補正式を用いることで、X線画像検出器における個々の画素における暗電流ばらつき、感度ばらつき、個々の積分増幅器におけるオフセットばらつき、増幅率ばらつきを除去することができる。
(4)クリップ補正
X線画像検出器の個々の画素には上記した暗電流ばらつきと感度ばらつきのほかに飽和特性ばらつきが存在する。強いX線が入射する条件では画素がX線条件に対応できずに飽和する。これは画素を構成するフォトダイオードと容量に蓄えることのできる電荷量に上限が存在し、その飽和特性が画素ごとに異なるためである。そのためX線画像検出器に対して個々の画素が飽和するX線量を入射した場合、個々の画素における飽和値のばらつきが画像信号に現われてくる。飽和値の低い画素は画像中に斑点状のノイズとして発現する。これはX線画像診断において不要なノイズであるため、以下の数式によるクリップ補正によりノイズを除去した画像S[x,y]を得ることができる。
S[x,y] = min(L,P[x,y])
上記数式においてmin(a,b)は数値a,bを比較し数値が低いほうを出力する関数を表している。上記数式においては数値Lを超える明るさを持つ画素値は全て数値Lにそろえることが可能であり、このため十分に大きなX線を入射した場合におけるX線画像検出器の出力を補正した画像情報P[x,y]における最小の明るさを持つ画素値より低い値を数値Lに設定することによって、個々の画素における飽和特性のばらつきによるノイズを除去することが可能となる。
飽和値は画素ごとにばらつきがあり、これを防止するための補正である。
特開2003-244540号公報 特開2008-220965号公報
上記クリップ補正を行う前に行う感度補正であるが、X線源とX線画像検出器の距離に応じてX線の照射分布が異なることから、X線画像検出器の中心部分と周辺部分におけるX線の照射量の比はX線源とX線画像検出器の距離に応じて変化する。特にX線源とX線画像検出器の距離が短い場合、X線画像検出器の中心部と周辺部の照射量の差は大きくなる。その結果X線源とX線画像検出器の距離が短い場合において感度補正データを取得した場合、中心部の画素は周辺部の画素に対して感度がより小さくなるような補正を受けることになる。
上記クリップ処理は多種多様な撮影条件にて有効な値にすることが求められる。多種多様な撮影条件に対応した感度補正データやクリップ処理の値は用いられず、一種類もしくは数種類のデータを使用している。そのため特にクリップ処理の値に関しては、通常の撮影動作にて使用する最も厳しい値、特にX線画像検出器とX線源の距離が最小値になったときの値にすることが必要となる。
X線画像検出器のクリップ処理の値をX線源とX線画像検出器の距離が最小値に対応する値にすることで、多種多様な撮影条件に対応したクリップ処理が可能になる。しかしクリップ処理における最大値が低くなると、X線画像検出器とX線源との距離が長い通常の撮影ではX線画像検出器の画素が実際に飽和するよりも低い値でクリップ処理を受けてしまうことになり、強いX線条件における撮影動作が不可能になってしまう。
したがって本発明の目的は、大きなX線量をもつ撮影が可能になり、ノイズを少ない画像を得ることが可能となるX線画像検出装置を得ることにある。
上述の目的を達成するため、一実施形態は、平板状の基板と、この基板上に交差するように配置された複数本の行選択線および複数本の信号線と、交差する位置に設けられ前記行選択線の一つと前記信号線の一つに接続された複数のスイッチング素子と、画素を形成し、スイッチング素子のそれぞれに接続され光を電荷に変換して蓄積し蓄積量に飽和値を有する光検出器と、前記光検出器上に積層され外部から入射したX線を光に変換するX線光変換層とを有するX線画像検出器と、前記信号線のそれぞれに接続され前記スイッチング素子を介して取り出された前記各画素の蓄積電荷を電位情報の画像信号に変換する積分増幅器と、X線入射時の前記画像信号とX線非入射時の前記画像信号を情報として画素のオフセット補正および感度補正の処理を順次行う画像信号処理装置と、を具備するX線画像検出装置において、前記画像信号処理装置は前記オフセット補正処理および前記感度補正処理の間に、前記画素のうちの飽和値の最低値の画像信号の飽和値を上限値として他の前記画素の画像信号を上限補正する上限値補正装置を有するものであることを特徴とするX線画像検出装置にある。
一実施形態を用いたX線診断装置の概略構成図。 一実施形態を説明するX線画像検出器の分解斜視図。 一実施形態を説明する一画素の回路略図。 一実施形態を説明するX線画像検出装置の回路略図。 一実施形態のX線画像検出装置の動作手順を示す手順図。 一実施形態のX線画像検出装置の動作手順を示す手順図。 一実施形態のX線画像検出装置の動作手順を示す手順図。 一般的なX線画像検出器の略平面図。
通常のX線画像検出器におけるクリップ処理は感度補正の後に行われるが、これに対応する上限値補正を一実施態様では感度補正前に行う。以下に処理の順番を示す。
図1はX線診断装置の構成を示しており、X線源としてのX線管11と平板状のX線画像検出器12とが被写体13を間にして対向配置される。X線管11は陽極ターゲットに電子ビームをあててX線を発生する点源であり、X線照射を制御するX線制御装置14に接続される。
X線画像検出器12にはX線画像検出器を読み出し制御する読み出し制御装置15と画像信号処理装置16が接続されている。この画像信号処理装置16は、X線画像検出器12から出力されるX線画像信号に含まれるノイズ成分を除去補正し、画像表示器17などの外部機器に送出して表示する。
すなわち被写体のX線撮影のために操作者から操作を受けると、X線制御装置14の制御によりX線管11からX線が照射され、さらに読み出し制御装置15によりX線画像検出器12および画像信号処理装置16が動作する。
X線管11から射出されたX線22は、被写体13を透過してX線画像検出器12に入射し、X線画像信号として出力される。画像信号処理装置16は、X線画像検出器12から出力されたX線画像信号を画像処理して外部機器例えばX線画像表示器17に送出する。
図2ないし図4に示すように、X線画像検出器12は複数の画素20をガラスの保持基板21の平面に格子状に行列方向に配列している。これらの画素20はフォトダイオード24と容量25(ダイオード容量を含むものとする)を有し、入射したX線22をX線光変換層23によって変換し、さらに画素のフォトダイオード24で光電変換された電荷を蓄積する。
これら画素の容量25には、蓄積された電荷を読み出すためのスイッチング素子である薄膜トランジスタ26のドレイン電極26dが接続されている。薄膜トランジスタ26のゲート電極26gは、行方向の各薄膜トランジスタ26別に各行選択線30,30,30,…を介してゲートドライバ31が接続されている。
このゲートドライバ31は、読み出し制御装置15によって制御されるもので、各行選択線30,30,30,…のうち1本の選択線のみの電位を変化させ、特定の行方向の各薄膜トランジスタ26別にそれぞれオンさせ、他の行の各薄膜トランジスタをオフさせる各ゲート信号を出力する。これにより、行選択線の電位を順時変化させることにより、各行方向の各薄膜トランジスタ26別に画素容量25に蓄積された各電荷が各薄膜トランジスタ26のソース電極26sを通して読み出される。このようにして電荷の排出された信号線32の位置と、その時点で電位の変動した行選択線30の位置とを参照することで、X線の入射位置と強度を算出することができる。各画素は入射X線量の増加に対して比例して電荷量を蓄積する線形領域と、さらに増加したときに比例しない非線形領域をもち、飽和領域は非線形領域以上でこれ以上X線量を増やしてももはや電荷を蓄積できない領域である。
各薄膜トランジスタ26のソース電極26sには、各列方向の信号線32,32,32,…が接続され、薄膜トランジスタ26別にそれぞれ演算増幅器35a、容量35b、スイッチ35cで構成された積分増幅器33,33,…が接続されている。さらに、各積分増幅器の出力端子には、マルチプレクサ36、A/D変換器タ37が接続されている。
したがって、各画素容量25から読み出された電荷は、それぞれ各積分増幅器33,33,33,…によってサンプリングホールドされて増幅されて電位情報となり、マルチプレクサ36を通して1画素単位に選択され、次にA/D変換器37によりデジタル値に変換されて出力される。得られるデジタル出力は画像信号処理装置16に入力される。
画像信号処理装置16は画像補正値算出装置40と撮影画像処理装置42とを有している。撮影画像処理装置42はオフセット補正処理装置、上限値補正処理装置および感度補正処理装置からなる。
本実施形態において、行選択線x行、信号線y列の交点に位置する画素位置を(x,y)とし、当該画素を20(x,y)とすると、この画素から取り出す信号には[x,y]を付している。ここにx,yは任意の整数である。
<被写体撮影前のX線画像検出器固有の画像補正値を各画素ごとに算出する>
以下、図5を参照しX線画像検出器固有の画像補正値その補正処理手順(ステップ)を説明する。
(ステップ1)
X線を入射することなくX線画像検出器の撮影動作(X線非入射時撮影)を行い、出力された画像信号D[x,y]とする。
(ステップ2)
X線画像検出器の各画素が飽和することのない線形領域で、なおかつX線画像検出器の有効領域における強度が均一なX線を入射して撮影を行い、出力された画像信号をN[x,y]、入射したX線量をKとする。
(ステップ3)
出力された画像信号N[x,y]を画像信号D[x,y]によりオフセット補正処理をする。
N[x,y] − D[x,y]
(ステップ4)
N[x,y] − D[x,y]の演算により算出される画像の輝度平均値をFとする。
(ステップ5)
X線画像検出器の全ての画素が飽和する飽和領域で、なおかつX線画像検出器の有効領域における強度が均一なX線を入射して撮影を行い、出力された画像信号をE[x,y]とする。
(ステップ6)
出力された画像信号をE[x,y]をD[x,y]でオフセット補正する。
E[x,y]−D[x,y]
(ステップ7)
以下の計算により各画素ごとにおける飽和するX線の強度H[x,y]を算出する。
H[x,y]=K・(E[x,y]−D[x,y])/(N[x,y]−D[x,y])
(ステップ8)
上記計算により算出されたH[x,y]の画素(欠陥画素を除く)における最も低い値を持つ画素すなわち画素信号の飽和値が最も低い画素を検索し、その画素の線量値をGとする。この場合、最も低い値を持つ画素が表示上画像領域の隅にあるなど画素位置によってはほとんど視認にほとんど支障がないものであるときは、他の領域の実質的に低いH[x,y]値を持つ画素の線量値をGに選択することができる。
(ステップ9)
下記計算式より各画素における上限値の集合体L[x,y]を算出する。
L[x,y]=G・(N[x,y]−D[x,y])/K
上記処理を行うことでL[x,y]、N[x,y]、D[x,y]、Fの各補正値が得られる。これらの値をそのX線画像検出器の固有のパラメータとしてメモリ41に記憶させる。
なお画像信号処理装置はX線画像検出器に欠陥画素がある場合、欠陥画素を特定して上記画素補正から除外し、この欠陥画素を隣接する画素信号を参照して輝度補正する手段を含んでいるが、本実施形態では説明を省略する。
X線診断装置の透視の一連の動作について説明する。
最適なX線の強度と照射時間が決められ、X線制御装置14が起動すると、X線画像検出器12に対して動作開始の指令を発し、X線管11からX線を照射させる。
X線管11から照射されたX線は点源であり、点源に対峙する平板状のX線画像検出器12に対してX線入射角は検出器中央部で垂直、周辺部で斜角となる。このため、X線管11と検出器12間の距離は検出器中央部で短く、周辺部に行くほど遠くなり、中央部で強度の強いX線分布で被写体13を透過してX線画像検出器12に入射する。
X線画像検出器12は、例えばX線照射後において各画素容量25に蓄積された各電荷を読み出す。すなわち、図3および図4に示すようにX線画像検出器12で、ゲートドライバ31から各行選択線30,30,…を介して各ゲート信号が出力されると、各画素容量25に蓄積された各電荷が順時各薄膜トランジスタ26のソース電極26sを通して読み出される。
これら画素容量25から読み出された電荷は、各積分増幅器33,33,…によって増幅され電位情報にされ、マルチプレクサ36を通して1画素単位に選択され、次にA/D変換器37によりデジタル値に変換されて出力される。
<被写体撮影段階の画像補正>
図6を参照し、被写体撮影により得られる画像補正の手順(ステップ)を説明する。補正においてメモリ41に記憶させたパラメータを用いる。
(ステップ10)
目的の被写体を用いX線を照射した状態にてX線画像検出器の撮影動作を行い画像信号R[x,y]を出力する。この出力は上記A/D変換器37によりデジタル値化された出力である。
R[x,y]
(ステップ11)−オフセット補正−
下記計算式によりオフセット補正を行った画像信号をA[x,y]とする。
A[x,y]=R[x,y]−D[x,y]
(ステップ12)−上限値補正−
上限値の集合体L[x,y]を用い、下記計算式により各画素を上限補正する上限値補正を行った画像B[x,y]を算出する。
B[x,y]=min(L[x,y],A[x,y])
上記数式においてmin(L[x,y],A[x,y])は数値L[x,y]とA[x,y]を比較し数値が低いほうを出力する関数を表している。上記数式においては数値L[x,y]を超える明るさを持つ画素値は全て数値L[x,y]にそろえることが可能である。つまりL[x,y]が上限値となる。
(ステップ13)−感度補正−
下記計算式により各画素ごとの感度補正行った画像Q[x,y]を算出する。
Q[x,y]=F・B[x,y]/(N[x,y]−D[x,y])
上記操作において算出された画像情報Q[x,y]を用いることで、各画素ごとの飽和特性のばらつきによるノイズを消去することが可能となる。
上記補正方法を用いることで、多種多様な撮影条件特にX線画像検出器とX線源の距離を変化させても、飽和特性のばらつきによるノイズの発生を防止することが可能となる。また従来技術では困難だった飽和直前のX線量を用いた撮影動作も行うことが可能となる。
<X線照射分布ムラの補正>
また図7に示すように下記ステップによる補正を追加することで、X線照射分布のムラを補正した画像P[x,y]を算出することが可能となり、より高品質な画像情報を用いたX線診断が可能となる。
(ステップ14)
X線画像検出器12とX線管11の距離を実際に撮影動作を行う状態にし、被写体13を用いずにX線を入射して撮影動作を行った場合のX線画像検出器からの画像信号をM[x,y]とする。
(ステップ15)
M[x,y]−D[x,y]の演算により算出される画像の輝度平均値をCとする。
(ステップ16)
上記補正操作により得られた画像情報Q[x,y]に対して、下記計算式による感度補正を行った画像P[x,y]を算出する。
P[x,y]=C・Q[x,y]/(M[x,y]−D[x,y])
上記動作を連続して行うことにより、被写体13を透過して入射したX線画像情報は電気信号による画像情報へと変換され、外部へと出力される。外部へと出力された電気信号による画像情報は通常の液晶ディスプレイ装置などのX戦画像表示器17によって容易に画像化が可能であり、X線画像を可視光による画像として観察することが可能になる。
X線診断装置の操作上、診断目的からX線管と被写体の距離、ひいてはX線画像検出器との距離を任意に選択することができるようにされる。このため、所定の距離の検出器上のX線強度分布はX線管に近づくほど、検出器中央部で強度が高く、X線管から遠ざかるほど強度分布が緩和される。本実施形態によれば、感度補正の前段階で、X線画像検出器の各画素のX線強度に対応する電位情報の上限値を決めるので、X線画像検出器とX線管との距離が変化しても、その後に感度補正した画像信号は飽和によるノイズの発生しない最大値まで得ることができ、強いX線条件における大きな線量をもつ撮影動作が可能になる。
上の実施形態では、X線光変換層とフォトダイオードの光検出器を組み合わせたX線画像検出器について説明したが、本発明はセレンなどのX線電気変換層を用いて得られる電気信号を蓄積電荷として画素容量に蓄積する直接変換型のX線画像検出器にも同様に適用される。
さらに上記実施形態では、画素をマトリクス配置する保持基板上にゲートドライバや積分増幅器などを配置しないX線画像検出器の構成で説明したが、ICとして直接マウントしたり、スイッチング素子と同じ製造工程で保持基板上に形成することもできる。
また以上説明した実施形態は、例として提示したものであり、発明の範囲を限定することは意図していない。これら新規な実施形態は、その他の様々な形態で実施されることが可能であり、発明の要旨を逸脱しない範囲で、種々の省略、置き換え、変更を行うことができる。これら実施形態やその変形は、発明の範囲や要旨に含まれるとともに、特許請求の範囲に記載された発明とその均等の範囲に含まれる。
10:X線診断装置
11:X線管
12:X線画像検出器
13:被写体
14:X線制御装置
15:読み出し制御装置
16:画像信号処理装置
17:X線画像表示器
20:画素
21:保持基板
22:X線
23:X線光変換層
24:フォトダイオード
25:画素容量
26:薄膜トランジスタ
30(30,30,30…):行選択線
31:ゲートドライバ
32(32,32,32…):信号線
33(33,33,…):積分増幅器
36:マルチプレクサ
37:A/D変換器
40:画像補正値算出装置
41:メモリ
42:撮影画像処理装置

Claims (4)

  1. 平板状の基板と、この基板上に交差するように配置された複数本の行選択線および複数本の信号線と、交差する位置に設けられ前記行選択線の一つと前記信号線の一つに接続された複数のスイッチング素子と、画素を形成し、スイッチング素子のそれぞれに接続され光を電荷に変換して蓄積し蓄積量に飽和値を有する光検出器と、前記光検出器上に積層され外部から入射したX線を光に変換するX線光変換層とを有するX線画像検出器と、
    前記信号線のそれぞれに接続され前記スイッチング素子を介して取り出された前記各画素の蓄積電荷を電位情報の画像信号に変換する積分増幅器と、
    X線入射時の前記画像信号とX線非入射時の前記画像信号を情報として画素のオフセット補正および感度補正の処理を順次行う画像信号処理装置と、を具備するX線画像検出装置において、
    前記画像信号処理装置は前記オフセット補正処理および前記感度補正処理の間に、前記画素のうちの飽和値が最低値の画像信号の飽和値を上限値として他の前記画素の画像信号を上限補正する上限値補正装置を有するものであることを特徴とするX線画像検出装置。
  2. 平板状の基板と、この基板上に交差するように配置された複数本の行選択線および複数本の信号線と、交差する位置に設けられ前記行選択線の一つと前記信号線の一つに接続された複数のスイッチング素子と、X線を電気信号に変換するX線電気変換層と、前記スイッチング素子のそれぞれに接続され前記X線電気変換層の電気信号を蓄積電荷とし蓄積量に飽和値を有する検出器と、を有するX線画像検出器と、
    前記信号線のそれぞれに接続され前記スイッチング素子を介して取り出された前記各画素の蓄積電荷を電位情報の画像信号に変換する積分増幅器と、
    X線入射時の前記画像信号とX線非入射時の前記画像信号を情報として画素のオフセット補正および感度補正の処理を順次行う画像信号処理装置と、を具備するX線画像検出装置において、
    前記画像信号処理装置は前記オフセット補正処理および前記感度補正処理の間に、前記画素のうちの飽和値の最低値の画像信号の飽和値を上限値として他の前記画素の画像信号を上限補正する上限値補正装置を有するものであることを特徴とするX線画像検出装置。
  3. 請求項1もしくは請求項2のX線画像検出装置において、上限値処理に用いる数値が、前記画素ごとに固有の値を持つことを特徴とするX線画像検出装置。
  4. 請求項1ないし請求項3に記載のいずれかのX線画像検出装置において、X線画像検出から出力される前記画像信号に対し、個々の画素に対する感度補正処理を行う前に上限値処理を行うことを特徴とするX線画像検出装置。
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