JP2013201430A5 - - Google Patents
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Claims (3)
- ゲート電極と重畳する領域を有する島状の酸化物半導体層上にソース電極及びドレイン電極を形成した後、
減圧下で、前記酸化物半導体層から水素又は水素化合物が離脱する温度、又はそれ以上の温度で熱処理を行うことを特徴とする半導体装置の作製方法。 - ゲート電極と重畳する領域を有する島状の酸化物半導体層上にソース電極及びドレイン電極を形成した後、
減圧下で、前記酸化物半導体層から水素又は水素化合物が離脱する温度、又はそれ以上の温度で熱処理を行い、
前記熱処理後に、酸素を含むガスを用いたプラズマ処理により、前記酸化物半導体層に酸素を供給することを特徴とする半導体装置の作製方法。 - 請求項２において、
前記熱処理及び前記プラズマ処理は、前記酸化物半導体層を大気開放せずに連続的に行うことを特徴とする半導体装置の作製方法。
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