JP2013197531A - 半導体装置およびその製造方法 - Google Patents

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Abstract

【課題】ワイヤと半導体素子との接合部の耐酸性及び耐腐食性が向上された半導体装置を実現する。
【解決手段】半導体チップ、該チップを搭載する載置板、該チップと該載置板とを接続するワイヤ、及び、該チップと該載置板の該チップの搭載面と該ワイヤとを封止する樹脂封止体を備え、該ワイヤと半導体装置の各パーツとの接合部の何れかが、保護樹脂により被覆され、該保護樹脂の表面全体が該樹脂封止体により覆われる。
【選択図】図１

Description

本発明は、半導体装置に関する。また、半導体装置の製造方法に関する。
半導体装置の製造工程にて用いられているボンディングワイヤの材料には、取り扱いが容易であり、耐酸性および耐腐食性に優れている金が主に使用されている。しかし、近年、金の価格上昇により、ワイヤ材料の代替えが進んでおり、銅、銀、アルミニウムがワイヤの導電材料として用いられることが多くなっている。
金を導電材料として用いるワイヤと比較すると、これらのワイヤには、（１）表面が酸化し易い、（２）表面が腐食し易い、（３）熱圧着時のボール形状が不安定である、等の問題点がある。
この問題点を克服するために、ワイヤを製造する際に、パラジウム等の耐腐食性に優れている貴金属材料を用いてワイヤを予め被覆する技術が知られている。
しかしながら、ボール形成時において主金属が剥き出しになること、および、ステッチボンディング時においてワイヤと半導体装置の各パーツとの接合部が剥き出しになることから、ワイヤボンディング工程以前にワイヤを被覆したとしても、ワイヤボンディング工程後にワイヤおよび接合部が完全に被覆されている状態のままであることは困難である。また、ワイヤボンディング工程からモールド工程までの間に、ワイヤおよび接合部が空気により酸化してしまう虞がある。更に、モールド工程時における離形成向上のために、酸素プラズマや熱影響のある工程を含む場合、ワイヤおよび接合部がこの工程時において酸化または腐食される虞がある。
特許文献１には、硬度の異なる２種類のモールド剤を用い、ワイヤと基板とのボンディング部（接合部）を硬度の大きいモールド剤により覆い、ワイヤボンディング部全体を硬度の小さいモールド剤により覆う技術が開示されている。
特開平８−２８８４２６号明細書（公開日：平成８年１１月１日）
しかしながら、特許文献１に開示されている技術は、封止樹脂と同様にワイヤ固定樹脂が空気中に露出する構造であり、異なる樹脂同士の界面が空気中に露出することにより、ワイヤと半導体装置の各パーツとの接合部を固着封止するワイヤ固定樹脂に対する信頼性が低下するという問題があった。そのため、当該接合部を酸化または腐食させてしまう虞がある。
本発明は、上記課題を鑑みるために為されたものであり、その目的は、信頼性の高い半導体装置、および、その製造方法を提供することにある。
上記の課題を解決するために、本発明に係る半導体装置は、少なくとも１つの半導体チップと、上記半導体チップを搭載する載置板と、上記半導体チップと上記載置板とを接続する金属ワイヤと、上記半導体チップ、上記載置板上の上記半導体チップの搭載面、および、上記金属ワイヤを封止する樹脂封止体と、を備えており、上記金属ワイヤと上記半導体チップとの接合部、および、上記金属ワイヤと上記載置板との接合部の少なくとも何れかが、上記樹脂封止体を構成する樹脂とは異なる樹脂から成る保護樹脂により被覆されており、上記保護樹脂の表面全体が上記樹脂封止体により覆われている、ことを特徴としている。
上記の半導体装置によれば、金属ワイヤと半導体チップとの接合部および金属ワイヤと導電性板との接合部の少なくとも何れかが保護樹脂により被覆される。これにより、金属ワイヤが予め金属により被覆されており、ワイヤボンディングの際に上記接合部において金属被膜が剥がれてしまう場合であっても、上記接合部における耐酸性および耐腐食性が向上される。また、上記接合部を被覆する保護樹脂は、表面全体が樹脂封止体により覆われるので、保護樹脂と樹脂封止体との界面が空気中に露出することなく、上記接合部の酸化または腐食を確実に防止することができる。以上より、半導体装置自身の耐酸性および耐腐食性をより向上させることができ、半導体装置の信頼性をより高めることができる。
上記の構成において、上記金属ワイヤの全体が、上記保護樹脂によって直接覆われている、ことが好ましい。
上記の構成よれば、金属ワイヤの全体における耐酸性および耐腐食性を向上させるために、金属ワイヤの全体を、例えば、パラジウムのような貴金属を用いて予め被覆せずとも、金属ワイヤの耐酸性および耐腐食性を向上することができ、かつ、半導体装置のコストを低減させることができる。
上記の構成において、上記保護樹脂が含有する塩化物イオンおよび硫化物イオンの濃度は、１００ｐｐｍ以下である、ことが好ましい。
上記の構成によれば、金属ワイヤの導電材料として用いられることの多いアルミニウム、銀、および銅の何れかが用いられた金属ワイヤが、酸化または腐食されることを防止することができる。
上記の構成において、上記金属ワイヤは、アルミニウムであり、上記保護樹脂のｐＨ値は、５以上かつ７以下である、ことが好ましい。
上記の構成によれば、耐酸性および耐腐食性に優れているが高価である金を用いずとも、金属ワイヤ、ひいては半導体装置の耐酸性および耐腐食性を向上させつつ、半導体装置のコストを低減させることができる。
上記の構成において、上記金属ワイヤは、銅であり、上記保護樹脂のｐＨ値は、７以上かつ１１以下である、ことが好ましい。
上記の構成によれば、耐酸性および耐腐食性に優れているが高価である金を用いずとも、金属ワイヤ、ひいては半導体装置の耐酸性および耐腐食性を向上させつつ、半導体装置のコストを低減することができる。
また、上記の課題を解決するために、本発明に係る半導体装置の製造方法は、少なくとも１つの半導体チップと、上記半導体チップを搭載する載置板と、上記半導体チップと上記載置板とを接続する金属ワイヤと、を備えている半導体装置を製造する製造方法であって、上記金属ワイヤと上記半導体チップとの接合部、および、上記金属ワイヤと上記載置板との接合部の少なくとも何れかを保護樹脂により被覆する被覆工程と、上記保護樹脂の表面全体を、上記保護樹脂を構成する樹脂とは異なる樹脂から成る樹脂封止体によって覆う封止工程と、を含んでいる、ことを特徴としている。
上記の製造方法によれば、金属ワイヤと半導体チップとの接合部および金属ワイヤと導電性板との接合部の少なくとも何れかが保護樹脂により被覆される。これにより、金属ワイヤが予め金属により被覆されており、ワイヤボンディングの際に上記接合部において金属被膜が剥がれてしまう場合であっても、上記接合部における耐酸性および耐腐食性が向上される。また、上記接合部を被覆する保護樹脂は、表面全体が樹脂封止体により覆われるので、保護樹脂と樹脂封止体との界面が空気中に露出することなく、上記接合部の酸化または腐食を確実に防止することができる。以上より、半導体装置自身の耐酸性および耐腐食性をより向上させることができ、半導体装置の信頼性をより高めることができる。
また、上記被覆工程において、上記保護樹脂を滴下することにより上記接合部を被覆する、ことが好ましい。
上記の方法によれば、金属ワイヤと半導体チップとの接合部、および、金属ワイヤと導電性板との接合部の何れかを、適切に、かつ確実に被覆することができる。
また、上記被覆工程において、上記金属ワイヤの全体を上記保護樹脂によって被覆する、ことが好ましい。
上記の方法によれば、金属ワイヤの全体における耐酸性および耐腐食性を向上させるために、金属ワイヤの全体を、例えば、パラジウムのような貴金属を用いて予め被覆せずとも、金属ワイヤの耐酸性および耐腐食性を向上することができ、かつ半導体装置のコストを低減することができる。
また、上記被覆工程において、上記保護樹脂を噴霧することにより被覆する、ことが好ましい。
上記の方法によれば、金属ワイヤと半導体チップとの接合部、および、金属ワイヤと導電性板との接合部の何れか、ならびに、金属ワイヤ自身を、適切に、かつ確実に被覆することができる。
また、上記被覆工程において、上記保護樹脂から成るフィルムを溶融することにより被覆する、ことが好ましい。
上記の方法によれば、金属ワイヤと半導体チップとの接合部、および、金属ワイヤと導電性板との接合部の何れか、ならびに、金属ワイヤ自身を、適切に、かつ確実に被覆することができる。
以上のように、本発明に係る半導体装置は、少なくとも１つの半導体チップと、上記半導体チップを搭載する導電性板と、上記半導体チップと上記導電性板とを接続する金属ワイヤと、上記半導体チップ、上記導電性板上の上記半導体チップの搭載面、および、上記金属ワイヤを封止する樹脂封止体と、を備えており、上記金属ワイヤと上記半導体チップとの接合部、および、上記金属ワイヤと上記導電性板との接合部の少なくとも何れかが、上記樹脂封止体により封止される領域の内部において、上記樹脂封止体を構成する樹脂（封止樹脂）とは異なる樹脂から成る保護樹脂により被覆されている、ことを特徴としている。
上記のように構成された半導体装置によれば、半導体装置の信頼性を高めることができる。
本発明の第１の実施形態に係る半導体装置を説明するための図である。（ａ）は、本発明の第１の実施形態に係る半導体装置の断面図を示しており、（ｂ）は、（ａ）における半導体チップとボンディングワイヤとの接合部における拡大図を示しており、（ｃ）は、（ａ）におけるボンディングワイヤと回路基板との接合部における拡大図を示している。 各素材の電位−ｐＨ値の相関を表すグラフである。（ａ）は、アルミニウムの電位−ｐＨ値の相関を表すグラフであり、（ｂ）は、銀の電位−ｐＨ値の相関を表すグラフであり、（ｃ）は、銅の電位−ｐＨ値の相関を表すグラフである。 本発明の第１の実施形態の変形例に係る半導体装置を説明するための図である。（ａ）は、本発明の第１の実施形態の変形例に係る半導体装置の断面図を示しており、（ｂ）は、（ａ）における半導体チップとボンディングワイヤとの接合部における拡大図を示しており、（ｃ）は、（ａ）におけるボンディングワイヤとリードフレームとの接合部における拡大図を示している。 本発明の第２の実施形態に係る半導体装置を説明するための図である。（ａ）は、本発明の第２の実施形態に係る半導体装置の断面図を示しており、（ｂ）は、（ａ）における半導体チップとボンディングワイヤとの接合部における拡大図を示しており、（ｃ）は、（ａ）におけるボンディングワイヤと回路基板との接合部における拡大図を示している。 本発明の第２の実施形態の変形例に係る半導体装置を説明するための図である。（ａ）は、本発明の第２の実施形態の変形例に係る半導体装置の断面図を示しており、（ｂ）は、（ａ）における半導体チップとボンディングワイヤとの接合部における拡大図を示しており、（ｃ）は、（ａ）におけるボンディングワイヤとリードフレームとの接合部における拡大図を示している。 本発明の第１の実施形態に係る半導体装置の製造方法を説明するための図である。（ａ）は、半導体チップとボンディングワイヤとの接合部を、（ｂ）は、本発明の第１の実施形態に係る半導体装置のボンディングワイヤと回路基板との接合部を、それぞれ保護樹脂を滴下することにより被覆する工程を示している図である。 本発明の第２の実施形態に係る半導体装置の製造方法を説明するための図である。（ａ）は、半導体チップとボンディングワイヤとの接合部を、（ｂ）は、本発明の第２実施形態に係る半導体装置のボンディングワイヤと回路基板との接合部を、それぞれ保護樹脂を噴霧することにより被覆する工程を示している図である。 本発明の第２の実施形態に係る半導体装置の製造方法を説明するための図である。（ａ）は、の半導体チップとボンディングワイヤとの接合部を、（ｂ）は、本発明の第２の実施形態に係る半導体装置のボンディングワイヤと回路基板との接合部を、それぞれ保護樹脂から成るフィルムを溶融することにより被覆する工程を示している図である。
〔実施形態１〕
（半導体装置１０）
本発明に係る第１の実施形態について、図１を用いて説明する。
図１（ａ）は、本発明の第１の実施形態に係る半導体装置１０の断面図である。図１（ａ）に示すように、半導体装置１０は、半導体チップ１、回路基板２、樹脂封止体（封止樹脂）４、保護樹脂５、外部電極端子６、ボンディングワイヤ７、接続パッド８、電気接点９、配線１１、および配線１１を被覆する絶縁層（図示なし）を備えている。
（半導体チップ１）
半導体チップ１は、半導体チップ１の裏面が接続パッド８の上面に接するように接続パッド８を介して回路基板２上に搭載されている。半導体チップ１の上面において、ボンディングワイヤ７がワイヤボンディング法を用いて半導体チップ１に電気的に接続されており、半導体チップ１とボンディングワイヤ７との接合部が、保護樹脂５により被覆されている。ここで、図１（ｂ）は、図１（ａ）における半導体チップ１とボンディングワイヤ７との接合部における拡大図を示している。図１（ｂ）に示すように、半導体チップ１は、半導体チップ１の上面において、具体的には電気接点９を介してボンディングワイヤ７の一端に電気的に接続されている。また、半導体チップ１とボンディングワイヤ７との接合部は、保護樹脂５により電気接点９を含むように被覆されている。
なお、本実施形態にて用いられる半導体チップ１の種類は特に限定されず、あらゆる種類の半導体チップが用いられ得る。
（回路基板２）
回路基板２は、回路基板２の裏面側に外部電極端子６を備えている。また、回路基板２は、回路基板２の上面および内部に配線１１を備えている。更に、回路基板２は、回路基板２の上面に配線１１を介して接続パッド８を備えている。図１（ａ）に示すように、接続パッド８の裏面の全体が配線１１に接続されている必要はなく、接続パッド８の一部が配線１１に接続されていればよいが、接続パッド８の裏面の全体が配線１１に接続されていてもよい。また、回路基板２は、接続パッド８を介して半導体チップ１に接続されている。
ここで、図１（ｃ）は、図１（ａ）における回路基板２とボンディングワイヤ７との接合部における拡大図を示している。図１（ｃ）に示すように、回路基板２は、回路基板２の上面において、配線１１を介してボンディングワイヤ７の他端に電気的に接続されている。また、回路基板２と、ボンディングワイヤ７との接合部は、保護樹脂５により被覆されている。
なお、本実施形態にて用いられる回路基板２の種類は特に限定されず、ガラスエポキシ材、ＢＴ（ビスマレイミドトリアジン）、レジン、ポリイミド等の有機絶縁基材に銅配線をパターニングした回路基板等を用いてもよい。
（ボンディングワイヤ７）
ボンディングワイヤ７は、半導体チップ１と回路基板２とを電気的に接続するために用いられている。具体的には、ボンディングワイヤ７の一端が半導体チップ１の上面に電気接点９を介して電気的に接続されており、ボンディングワイヤ７の他端が回路基板２の上面に配線１１を介して電気的に接続されている。この電気的な接続には、ワイヤボンディング法が用いられている。なお、本実施形態にて用いられるワイヤボンディングの種類は特に限定されず、ボールボンディング、ステッチボンディング等のあらゆる種類のワイヤボンディングが用いられ得る。
なお、本実施形態において用いられるボンディングワイヤ７は、アルミニウム、銀、および銅の何れかが導電材料として用いられていてもよい。
また、本実施形態において用いられるボンディングワイヤ７は、金属により予め被覆されていてもよい。
（外部電極端子６）
外部電極端子６は、球形状をしており、回路基板２の裏面側に設けられている。外部電極端子６の何れかが、配線１１に接続されており、これにより、半導体チップ１を駆動させるための電力が、外部電極端子６から配線１１およびボンディングワイヤ７を介して半導体チップ１に供給される。
なお、外部電極端子６は、一般に、半田ボールを用いた球形状の端子、または、金を用いたランド形状の端子等が公知であるが、本実施形態における外部電極端子６の形状および材質はこれに限定されず、あらゆる種類の形状および材質が用いられ得る。
また、外部電極端子６は、一般に、図１（ａ）に示すように、回路基板２の半導体チップ１が搭載された表面とは反対側の表面に設けられるが、本実施形態における外部電極端子６の設置位置は特にこれに限定されず、回路基板２におけるあらゆる位置への設置が考えられ得る。
（接続パッド８）
接続パッド８は、配線１１を介して回路基板２の上面に接続されている。
一般に、半導体チップ１と回路基板２とがワイヤボンディング法を用いて電気的に接続される場合、半導体チップ１が積載されている接続パッド８は、半導体チップ１の周辺に配置されていることが望ましい。
（配線１１）
配線１１は、回路基板２の上面および内部に設けられている。図１（ｃ）に示すように、配線１１を介して、回路基板２とボンディングワイヤとが接続されており、回路基板２とボンディングワイヤ７との接合部が、保護樹脂５により被覆されている。なお、本実施形態にて用いられる回路基板２が備える配線１１の構成は、上記の構成に限らず、配線１１は回路基板２の片面だけではなく両面に設けられてもよい。
（配線１１を被覆する絶縁層）
回路基板２の配線１１を被覆するために用いられる絶縁層（図示なし）は、一般に、ソルダーレジスト法を用いて被覆されることが多いが、本実施形態においては特にこれに限定されず、あらゆる種類の絶縁層の被覆方法が用いられ得る。また、絶縁層の材料種についても本実施形態においては特に限定されず、あらゆる種類の材料種が用いられ得る。
（樹脂封止体４）
樹脂封止体（封止樹脂）４は、回路基板２上の半導体チップ１を封止するために用いられており、図１（ａ）に示すように、半導体チップ１、ボンディングワイヤ７、接続パッド８、半導体チップ１とボンディングワイヤ７との接合部、ボンディングワイヤ７と回路基板２との接合部、および配線１１を被覆する絶縁層（図示なし）の全体を覆うように、回路基板２上に形成される。樹脂封止体４の形成方法は、プレスおよび金型を用い、圧力を印加して樹脂成形するトランスファーモールド方法やコンプレッションモールド方法等が一般的であるが、本実施形態においては特にこれに限定されず、あらゆる種類の形成方法が用いられ得る。
また、樹脂封止体４を構成する封止樹脂は、一般に、塩化物イオン（Ｃｌ-）および硫化物イオン（Ｓ2-）を含んでいる。このＣｌ-およびＳ2-は、アルミニウム、銀、および銅を溶解し、腐食させる性質がある。アルミニウム、銀、および銅の中では、アルミニウムがＣｌ-およびＳ2-によって最も腐食され易く、その腐食濃度閾値は１００ｐｐｍである。換言すれば、Ｃｌ-およびＳ2-の濃度が１００ｐｐｍ以下であれば、アルミニウム、銀、および銅の何れもが腐食されることはない。
なお、本実施形態において用いられる封止樹脂のＣｌ-およびＳ2-の含有濃度は、１００ｐｐｍ以下であるため、樹脂封止体４がアルミニウム、銀、および銅の何れをも腐食することはない。
（保護樹脂５）
保護樹脂５は、半導体チップ１とボンディングワイヤ７との接合部、および、回路基板２とボンディングワイヤ７との接合部を被覆するために用いられている。本実施形態においては、Ｃｌ-およびＳ2-の含有濃度が１００ｐｐｍ以下の保護樹脂５を用いている。
ここで、図２（ａ）から（ｃ）を参照する。
図２（ａ）は、アルミニウムの電位−ｐＨ値の相関を表すグラフである。図２（ａ）を参照すると、アルミニウムは、アルミニウムのｐＨ値が略４以下または略８以上の場合、アルミニウムの電位に依らずに腐食することが分かる。したがって、ｐＨ値が５以上かつ７以下である保護樹脂５を用いることにより、アルミニウムが導電材料として用いられているボンディングワイヤ７が保護樹脂５により腐食されることはない。
図２（ｂ）は、銀の電位−ｐＨ値の相関を表すグラフである。図２（ｂ）を参照すると、銀の電位が０以下の場合、銀は何れのｐＨ値においても腐食されないことが分かる。また、銀の電位が０よりも大きい場合、銀のｐＨ値を銀の電位に対応させて制御することにより、銀は腐食されないことが分かる。したがって、上記のようにｐＨ値が制御された保護樹脂５を用いることにより、銀が導電材料として用いられているボンディングワイヤ７が保護樹脂５により腐食されることはない。
図２（ｃ）は、銅の電位−ｐＨ値の相関を表すグラフである。図２（ｃ）を参照すると、銅は、銅の電位が０よりも大きい場合、銅のｐＨ値が略６．５以下または略１１．５以上において腐食することが分かる。この場合、ｐＨ値が７以上かつ１１以下である保護樹脂５を用いることにより、銅が導電材料として用いられているボンディングワイヤ７が腐食されることはない。また、銅の電位が０以下の場合であっても、ｐＨ値が７以上かつ１１以下である保護樹脂５を用いることにより、銅が導電材料として用いられているボンディングワイヤが保護樹脂５により腐食されることはない。
なお、本実施形態において、半導体チップ１とボンディングワイヤ７との接合部、および、回路基板２とボンディングワイヤ７との接合部を被覆している保護樹脂５の各々は、何れも全体が樹脂封止体４により覆われている。換言すれば、半導体チップ１とボンディングワイヤ７との接合部、および、回路基板２とボンディングワイヤ７との接合部を被覆している保護樹脂５の各々は、何れも全体が樹脂封止体４の内部に完全に存在しており、部分的に樹脂封止体４に接しているか、または、部分的に樹脂封止体４の外部に存在していることはない。
ここで、例えば、保護樹脂５が樹脂封止体４の内部において歪んだり変形したりすることにより、保護樹脂５に空隙が生じると、ｐＨ値が高い物質、Ｃｌ-及びＳ2-などの含有量が多い物質、ならびに水分等が侵入することにより、密着性に悪影響が及ぼされる。具体的には、保護樹脂５に生じる空隙が大きいほど、半導体チップ１およびボンディングワイヤ７との接合部およびボンディングワイヤ７と回路基板２との接合部の密着性が害され、腐食されやすくなる。換言すれば、保護樹脂５に空隙が生じなければ、半導体チップ１およびボンディングワイヤ７との接合部およびボンディングワイヤ７と回路基板２との接合部の密着性が高く保持され、腐食されづらくなる。
本実施形態において、樹脂封止体４を構成する封止樹脂と保護樹脂５とは異なる樹脂であるが、共に軟らかい樹脂であるため、保護樹脂５が樹脂封止体４の内部において、歪んだり変形したりすることはない。従って、本実施形態における樹脂封止体４（封止樹脂）および保護樹脂５の構成を用いることにより、半導体チップ１およびボンディングワイヤ７との接合部およびボンディングワイヤ７と回路基板２との接合部の高密着性を実現させることができ、各接合部の腐食を防止することができる。
（電気接点９）
電気接点９は、半導体チップ１の上面に設けられている。図１（ｂ）に示すように、半導体チップ１は、この電気接点９を介してボンディングワイヤ７に電気的に接続されている。電気接点９の材料には、一般に、アルミニウムが用いられている。上述および図２（ａ）より、アルミニウムは、ｐＨ値が略４以下または略８以上の場合、アルミニウムの電位に依らずに腐食することが分かる。したがって、ｐＨ値が５以上かつ７以下である保護樹脂５を用いることにより、アルミニウムが導電材料として用いられるボンディングワイヤ７と同様に、アルミニウムが導電材料として用いられる電気接点９も保護樹脂５により腐食されることはない。
（半導体装置１０の奏する効果）
以上のように、半導体装置１０において、半導体チップ１とボンディングワイヤ７との接合部、および、ボンディングワイヤ７との回路基板２との接合部が保護樹脂５により被覆される。これにより、ボンディングワイヤ７が予め金属により被覆されており、ワイヤボンディングの際に当該接合部において金属被膜が剥がれてしまう場合であっても、当該両接合部における耐酸性および耐腐食性が向上される。また、当該両接合部を被覆する保護樹脂５は、何れも全体が樹脂封止体４により覆われるので、保護樹脂５と樹脂封止体４との界面が空気中に露出することなく、当該接合部の酸化または腐食を確実に防止することができる。以上より、半導体装置１０自身の耐酸性および耐腐食性を向上させることができ、半導体装置１０への信頼性を高めることができる。
また、耐酸性および耐腐食性に優れているが高価である金をボンディングワイヤ７の導電材料として用いずとも、半導体装置１０において優れた耐酸性および耐腐食性を得ることができるため、半導体装置１０のコストを低減することができる。
＜変形例１＞
（半導体装置２０）
実施形態１の変形例について、図３を用いて説明する。なお、実施形態１において既に説明したコンポーネントと同様のコンポーネントについては、同様の符号を付し、その説明を省略する。
図３（ａ）は、本変形例に係る半導体装置２０の断面図である。図３（ａ）に示すように、本変形例に係る半導体装置２０は、実施形態１に係る半導体装置１０の備える回路基板２、外部電極端子６、接続パッド８、および配線１１に代えて、リードフレーム３を備えている。
図３（ｂ）は、図３（ａ）の半導体チップ１とボンディングワイヤ７との接合部における拡大図を示している。半導体チップ１は、半導体チップ１の上面において、具体的には電気接点９を介してボンディングワイヤ７の一端に接合されている。また、半導体チップ１とボンディングワイヤ７との接合部は、保護樹脂５により電気接点９を含むように被覆されている。
（リードフレーム３）
リードフレーム３は、リードフレーム３の上面において半導体チップ１の裏面と直接接続している。ここで、図３（ｃ）は、図３（ａ）のリードフレーム３とボンディングワイヤ７との接合部における拡大図を示している。図３（ｃ）に示すように、リードフレーム３は、ボンディングワイヤ７の他端とも直接接続しており、リードフレーム３とボンディングワイヤ７との接合部は、保護樹脂５により被覆されている。
（樹脂封止体４）
樹脂封止体４は、リードフレーム３上の半導体チップ１を封止するために用いられており、図３（ａ）に示すように、半導体チップ１、ボンディングワイヤ７、半導体チップ１とボンディングワイヤ７との接合部、およびボンディングワイヤ７とリードフレーム３との接合部の全体を封止するように、リードフレーム３の周囲にリードフレーム３を含めて形成される。樹脂封止体４のこの他の特徴については実施形態１と同様であるため、その説明を省略する。
（保護樹脂５）
保護樹脂５は、半導体チップ１とボンディングワイヤ７との接合部、および、リードフレーム３とボンディングワイヤ７との接合部を被覆するために用いられている。保護樹脂５のこの他の特徴については実施形態１と同様であるため、その説明を省略する。
なお、本実施形態において、半導体チップ１とボンディングワイヤ７との接合部、および、リードフレーム３とボンディングワイヤ７との接合部を被覆している保護樹脂５の各々は、何れも全体が樹脂封止体４により覆われている。換言すれば、半導体チップ１とボンディングワイヤ７との接合部、および、リードフレーム３とボンディングワイヤ７との接合部を被覆している保護樹脂５の各々は、何れも全体が樹脂封止体４の内部に完全に存在しており、部分的に樹脂封止体４に接しているか、または、部分的に樹脂封止体４の外部に存在していることはない。
（半導体装置２０の奏する効果）
以上のように、半導体装置２０において、半導体チップ１とボンディングワイヤ７との接合部、および、ボンディングワイヤ７とのリードフレーム３との接合部の少なくとも何れかが保護樹脂５により被覆される。これにより、ボンディングワイヤ７が予め金属により被覆されており、ワイヤボンディングの際に当該接合部において金属被膜が剥がれてしまう場合であっても、当該接合部における耐酸性および耐腐食性が向上される。また、当該両接合部を被覆する保護樹脂５は、何れも全体が樹脂封止体４により覆われるので、保護樹脂５と樹脂封止体４との界面が空気中に露出することなく、当該接合部の酸化または腐食を確実に防止することができる。以上より、半導体装置２０自身の耐酸性および耐腐食性を向上させることができ、半導体装置２０への信頼性を高めることができる。
また、耐酸性および耐腐食性に優れているが高価である金をボンディングワイヤ７の導電材料として用いずとも、半導体装置２０において優れた耐酸性および耐腐食性を得ることができるため、半導体装置２０のコストを低減することができる。
〔実施形態２〕
（半導体装置３０）
本発明に係る第２の実施形態について、図４を用いて説明する。なお、実施形態１において既に説明したコンポーネントと同様のコンポーネントについては、同様の符号を付し、その説明を省略する。
図４（ａ）は、本発明の第２の実施形態に係る半導体装置３０の断面図である。図４（ａ）に示すように、本実施形態に係る半導体装置３０は、実施形態１に係る半導体装置１０の備えるボンディングワイヤ７に代えて、保護樹脂５により全体が被覆されたボンディングワイヤ７が用いられている。
図４（ｂ）は、図４（ａ）の半導体チップ１とボンディングワイヤ７との接合部における拡大図を示している。実施形態１と同様であるため、その説明を省略する。
図４（ｃ）は、図４（ａ）のボンディングワイヤ７と回路基板２との接合部における拡大図を示している。実施形態１と同様であるため、その説明を省略する。
（ボンディングワイヤ７）
本実施形態において用いられるボンディングワイヤ７は、保護樹脂５により被覆されている。具体的には、後述のように、半導体チップ１とボンディングワイヤ７との接合部、および、ボンディング７と回路基板２との接合部が、保護樹脂５により被覆される工程（被覆工程）において、ボンディングワイヤ７も保護樹脂５により直接被覆される。それ故、本実施形態においては、半導体チップ１とボンディングワイヤ７との接合部と、ボンディングワイヤ７と、ボンディングワイヤ７と回路基板２との接合部とが、保護樹脂５により一体的に被覆される構成になっている。
（半導体装置３０の奏する効果）
以上のように、半導体装置３０において、半導体チップ１とボンディングワイヤ７との接合部、および、ボンディングワイヤ７と回路基板２との接合部の少なくとも何れかが保護樹脂５により被覆される。これにより、ボンディングワイヤ７が予め金属により被覆されており、ワイヤボンディングの際に上記接合部において金属被膜が剥がれてしまう場合であっても、上記接合部における耐酸性および耐腐食性が向上される。また、当該両接合部を被覆する保護樹脂５は、何れも全体が樹脂封止体４により覆われるので、保護樹脂５と樹脂封止体４との界面が空気中に露出することなく、当該接合部の酸化または腐食を確実に防止することができる。更に、ボンディングワイヤ７自身も保護樹脂５により被覆されることにより、ボンディングワイヤ７がワイヤボンディングされてから樹脂封止体４により封止されるまでの間に酸化または腐食されることを防止することができる。以上より、半導体装置３０自身の耐酸性および耐腐食性を、実施形態１に係る半導体装置１０より向上させることができ、半導体装置３０への信頼性より高めることができる。
また、耐酸性および耐腐食性に優れているが高価である金をボンディングワイヤ７の導電材料として用いずとも、半導体装置３０において優れた耐酸性および耐腐食性を得ることができるため、半導体装置３０のコストを低減することができる。
＜変形例２＞
（半導体装置４０）
実施形態２の変形例について、図５を用いて説明する。なお、実施形態２において既に説明したコンポーネントと同様のコンポーネントについては、同様の符号を付し、その説明を省略する。
図５（ａ）は、本変形例に係る半導体装置４０の断面図である。図５（ａ）に示すように、本変形例に係る半導体装置５０は、実施形態２に係る半導体装置２０の備えるボンディングワイヤ７に代えて、保護樹脂５により全体が被覆されたボンディングワイヤ７が用いられている。
図５（ｂ）は、図５（ａ）の半導体チップ１とボンディングワイヤ７との接合部における拡大図を示している。実施形態２と同様であるため、その説明を省略する。
図５（ｃ）は、図５（ａ）のボンディングワイヤ７とリードフレーム３との接合部における拡大図を示している。実施形態２と同様であるため、その説明を省略する。
（ボンディングワイヤ７）
本実施形態において用いられるボンディングワイヤ７は、実施形態２と同様に、保護樹脂５により被覆されている。具体的には、後述のように、半導体チップ１とボンディングワイヤ７との接合部、および、ボンディングワイヤ７とリードフレーム３との接合部が、保護樹脂５により被覆される工程（被覆工程）において、ボンディングワイヤ７も保護樹脂５により直接被覆される。それ故、本実施形態において、半導体チップ１とボンディングワイヤ７との接合部と、ボンディングワイヤ７と、ボンディングワイヤ７とリードフレーム３との接合部とが、保護樹脂５により一体的に被覆される構成になっている。
（半導体装置４０の奏する効果）
以上のように、半導体装置４０において、半導体チップ１とボンディングワイヤ７との接合部、および、ボンディングワイヤ７とリードフレーム３との接合部の少なくとも何れかが保護樹脂５により被覆される。これにより、ボンディングワイヤ７が予め金属により被覆されており、ワイヤボンディングの際に上記接合部において金属被膜が剥がれてしまう場合であっても、上記接合部における耐酸性および耐腐食性が向上される。また、当該両接合部を被覆する保護樹脂５は、何れも全体が樹脂封止体４により覆われるので、保護樹脂５と樹脂封止体４との界面が空気中に露出することなく、当該接合部の酸化または腐食を確実に防止することができる。更に、ボンディングワイヤ７自身も保護樹脂５により被覆されることにより、ボンディングワイヤ７がワイヤボンディングされてから樹脂封止体４により封止されるまでの間に酸化または腐食されることを防止することができる。以上より、半導体装置４０自身の耐酸性および耐腐食性を、実施形態１に係る半導体装置１０より向上させることができ、半導体装置４０への信頼性より高めることができる。
また、耐酸性および耐腐食性に優れているが高価である金をボンディングワイヤ７の導電材料として用いずとも、半導体装置４０において優れた耐酸性および耐腐食性を得ることができるため、半導体装置４０のコストを低減することができる。
（滴下による保護樹脂の被覆方法）
以下では、図６を参照しながら、実施形態１に係る、滴下による保護樹脂５の被覆方法について説明する。
図６（ａ）は、保護樹脂５を滴下することにより、本発明の実施形態１に係る半導体装置１０の半導体チップ１とボンディングワイヤ７との接合部を被覆する工程を示している図である。図６（ｂ）は、保護樹脂５を滴下することにより、本発明の実施形態１に係る半導体装置１０のボンディングワイヤ７と回路基板２との接合部を被覆する工程を示している図である。
（１）ワイヤボンディング工程：まず、図６（ａ）左図に示すように、半導体チップ１の上面において、ボンディングワイヤ７を、アルミニウムから成る電気接点９を介して、半導体チップ１に接続する。そして、図６（ｂ）左図に示すように、回路基板２の上面において、ボンディングワイヤ７を配線１１を介して回路基板２に接続する。
（２）被覆工程：次に、図６（ａ）中央図に示すように、噴射ノズル１２を半導体チップ１とボンディングワイヤ７との接合部に近づけ、先のワイヤボンディング工程において形成された半導体チップ１とボンディングワイヤ７との接合部に向けて、矢印の方向に保護樹脂５を滴下する。このようにして、図６（ａ）右図に示すように、半導体チップ１とボンディングワイヤ７との接合部を電気接点９を含めて保護樹脂５により被覆する。そして、図６（ｂ）中央図に示すように、噴射ノズル１２をボンディングワイヤ７と回路基板２との接合部に近づけ、先のワイヤボンディング工程において形成されたとボンディングワイヤ７と回路基板２との接合部に向けて、矢印の方向に保護樹脂５を滴下する。このようにして、図６（ｂ）右図に示すように、ボンディングワイヤ７と回路基板２との接合部を保護樹脂５により被覆する。
（３）封止工程：図示されていないが、最後に、保護樹脂５を構成する樹脂とは異なる封止樹脂から成る樹脂封止体４により、半導体チップ１、回路基板２上の半導体チップが搭載された表面、ボンディングワイヤ７、半導体チップ１とボンディングワイヤ７との接合部、および、ボンディングワイヤ７と回路基板２との接合部を含めて半導体装置１０の表面全体を覆う。
（滴下による被覆方法に関する付記事項）
本被覆方法において、噴射ノズル１２からの保護樹脂５の滴下は、重力を用いた自然滴下により為されている。しかしながら、本被服方法においては、特にこれに限定されず、例えば、静電気力などの電気的な力を用いて滴下させてもよい。
本被覆方法において、（１）のワイヤボンディング工程では、ボンディングワイヤ７を半導体チップ１に接続してから回路基板２に接続しているが、これに限定されず、反対に、ボンディングワイヤ７を回路基板２に接続してから半導体チップ１に接続してもよい。
また、（２）の被覆工程では、半導体チップ１とボンディングワイヤ７との接合部を先に保護樹脂５により被覆した後、ボンディングワイヤ７と回路基板２との接合部を保護樹脂５により被覆しているが、これに限定されない。反対に、ボンディングワイヤ７と回路基板２との接合部を先に保護樹脂５により被覆した後、半導体チップ１とボンディングワイヤ７との接合部を保護樹脂５により被覆してもよい。
なお、上記の説明においては、本発明の実施形態１に従って回路基板２を用いて説明したが、回路基板２に代わりリードフレーム３が用いられる変形例１に係る場合においても、上記と同様に本被覆方法が適用可能であることは、当業者であれば明白である。
（噴霧による保護樹脂の被覆方法）
以下では、図７を参照しながら、実施形態２に係る、噴霧による保護樹脂５の被覆方法について説明する。
図７（ａ）は、保護樹脂５を噴霧することにより、本発明の実施形態２に係る半導体装置３０の半導体チップ１とボンディングワイヤ７との接合部およびボンディングワイヤ７の全体を被覆する工程を示している図である。図７（ｂ）は、保護樹脂５を噴霧することにより、本発明の実施形態２に係る半導体装置３０のボンディングワイヤ７と回路基板２との接合部およびボンディングワイヤ７の全体を被覆する工程を示している図である。
（１）ワイヤボンディング工程：まず、図７（ａ）左図に示すように、半導体チップ１の上面において、ボンディングワイヤ７を、アルミニウムから成る電気接点９を介して、半導体チップ１に接続する。そして、図７（ｂ）左図に示すように、回路基板２の上面において、ボンディングワイヤ７を配線１１を介して回路基板２に接続する。
（２）被覆工程：次に、図７（ａ）中央図に示すように、噴射ノズル１２を半導体チップ１とボンディングワイヤ７との接合部に近づけ、噴射ノズル１２の噴射口に圧力を加えることにより保護樹脂５を霧状にし、半導体チップ１とボンディングワイヤ７との接合部に向けて保護樹脂５を噴霧する。このようにして、図７（ａ）右図に示すように、半導体チップ１とボンディングワイヤ７との接合部を電気接点９を含めて保護樹脂５により被覆し、併せて、ボンディングワイヤ７の全体も保護樹脂５により直接被覆する。そして、図７（ｂ）中央図に示すように、噴射ノズル１２をボンディングワイヤ７と回路基板２との接合部に近づけ、噴射ノズル１２の噴射口に圧力を加えることにより保護樹脂５を霧状にし、ボンディングワイヤ７と回路基板２との接合部に向けて保護樹脂５を噴霧する。このようにして、図７（ｂ）右図に示すように、ボンディングワイヤ７と回路基板２との接合部を保護樹脂５により被覆し、併せて、ボンディングワイヤ７の全体も保護樹脂５により直接被覆する。
（３）封止工程：図示されていないが、最後に、保護樹脂５を構成する樹脂とは異なる封止樹脂から成る樹脂封止体４により、半導体チップ１、回路基板２上の半導体チップが搭載された表面、ボンディングワイヤ７、半導体チップ１とボンディングワイヤ７との接合部、および、ボンディングワイヤ７と回路基板２との接合部を含めて半導体装置３０の表面全体を覆う。
（噴霧による被覆方法に関する付記事項）
本被覆方法において、（１）のワイヤボンディング工程では、ボンディングワイヤ７を半導体チップ１に接続してから回路基板２に接続しているが、これに限定されず、反対に、ボンディングワイヤ７を回路基板２に接続してから半導体チップ１に接続してもよい。
また、（２）の被覆工程では、半導体チップ１とボンディングワイヤ７との接合部を先に保護樹脂５により被覆した後、ボンディングワイヤ７と回路基板２との接合部を保護樹脂５により被覆しているが、これに限定されない。反対に、ボンディングワイヤ７と回路基板２との接合部を先に保護樹脂５により被覆した後、半導体チップ１とボンディングワイヤ７との接合部を保護樹脂５により被覆してもよい。
更に、噴射ノズル１２は、例えば、半導体チップ１とボンディングワイヤ７との接合部への噴霧に始まり、ボンディングワイヤ７への噴霧に続き、ボンディングワイヤ７と回路基板２との接合部への噴霧にて終了となるような動き方であってもよく、また、この逆の動き方であってもよい。
なお、上記の説明においては、本発明の実施形態２に従って回路基板２を用いて説明したが、回路基板２に代わりリードフレーム３が用いられる変形例２に係る場合においても、上記と同様に本被覆方法が適用可能であることは、当業者であれば明白である。
（フィルム状保護樹脂の溶解による保護樹脂の被覆方法）
以下では、図８を参照しながら、実施形態２に係る、保護樹脂５から成るフィルムの溶解による保護樹脂５の被覆方法について説明する。
図８（ａ）は、フィルム状の保護樹脂５を溶解することにより、本発明の実施形態２に係る半導体装置３０の半導体チップ１とボンディングワイヤ７との接合部およびボンディングワイヤ７の全体を被覆する工程を示している図である。図８（ｂ）は、フィルム状の保護樹脂５を溶解することにより、本発明の実施形態２に係る半導体装置３０のボンディングワイヤ７と回路基板２との接合部およびボンディングワイヤ７の全体を被覆する工程を示している図である。
（１）ワイヤボンディング工程：まず、図８（ａ）左図に示すように、半導体チップ１の上面において、ボンディングワイヤ７を、アルミニウムから成る電気接点９を介して、半導体チップ１に接続する。そして、図８（ｂ）左図に示すように、回路基板２の上面において、ボンディングワイヤ７を配線１１を介して回路基板２に接続する。
（２）被覆工程：次に、図８（ａ）中央図に示すように、フィルム状保護樹脂用輸送手段（図示なし）を用いて、フィルム状の保護樹脂５を半導体チップ１とボンディングワイヤ７との接合部およびボンディングワイヤ７の上方まで輸送し、これらの上に載せた後、図８（ａ）右図に示すように、加温手段（図示なし）を用いてフィルム状の保護樹脂５を加温することにより、フィルム状の保護樹脂５を融解させる。このようにして、半導体チップ１とボンディングワイヤ７との接合部を電気接点９を含めて保護樹脂５により被覆し、併せて、ボンディングワイヤ７の全体も保護樹脂５により被覆する。また、図８（ｂ）中央図に示すように、フィルム状保護樹脂用輸送手段（図示なし）を用いて、フィルム状の保護樹脂５をとボンディングワイヤ７と回路基板２との接合部およびボンディングワイヤ７の上方まで輸送し、これらの上に載せた後、図８（ｂ）右図に示すように、加温手段（図示なし）を用いてフィルム状の保護樹脂５を加温することにより、フィルム状の保護樹脂５を融解させる。このようにして、ボンディングワイヤ７と回路基板２との接合部を被覆し、併せて、ボンディングワイヤ７の全体も保護樹脂５により被覆する。
（３）封止工程：図示されていないが、最後に、保護樹脂５を構成する樹脂とは異なる封止樹脂から成る樹脂封止体４により、半導体チップ１、回路基板２上の半導体チップが搭載された表面、ボンディングワイヤ７、半導体チップ１とボンディングワイヤ７との接合部、および、ボンディングワイヤ７と回路基板２との接合部を含めて半導体装置３０の表面全体を覆う。
（溶解による被覆方法に関する付記事項）
本被覆方法においては、分かり易く説明するために、半導体チップ１とボンディングワイヤ７との接合部およびボンディングワイヤ７と回路基板２との接合部の各々において、個別のフィルム状の保護樹脂５が用いられるように記載されている。しかしながら、通常、一枚のフィルム状の保護樹脂５を用いて各接合部およびボンディングワイヤ７が被覆される。本被覆方法においては、これに限定されることなく、例えば、複数の枚のフィルム状の保護樹脂５を用いて複数回に分けて被覆してもよい。
なお、上記の説明においては、本発明の実施形態２に従って回路基板２を用いて説明したが、回路基板２に代わりリードフレーム３が用いられる変形例２に係る場合においても、上記と同様に本被覆方法が適用可能であることは、当業者であれば明白である。
（付記事項）
なお、本発明は、上述した実施形態に限定されるものではなく、請求項に示した範囲で種々の変更が可能であり、異なる実施形態にそれぞれ開示された技術的手段を適宜組み合わせて得られる実施形態についても、本発明の技術的範囲に含まれる。
本発明は、半導体チップなどの半導体素子が基板に搭載されている半導体装置であって、半導体素子と基板とが金属ワイヤを用いたワイヤボンディングにより電気的に接続されている半導体装置に好適に利用することができる。
１ 半導体チップ
２ 回路基板
３ リードフレーム
４ 樹脂封止体（封止樹脂）
５ 保護樹脂
６ 外部電極端子
７ ボンディングワイヤ
８ 接続パッド
９ 電気接点
１０、２０、３０、４０ 半導体装置
１１ 配線
１２ 噴射ノズル

Claims (10)

  1. 少なくとも１つの半導体チップと、
    上記半導体チップを搭載する載置板と、
    上記半導体チップと上記載置板とを接続する金属ワイヤと、
    上記半導体チップ、上記載置板上の上記半導体チップの搭載面、および、上記金属ワイヤを封止する樹脂封止体と、
    を備えており、
    上記金属ワイヤと上記半導体チップとの接合部、および、上記金属ワイヤと上記載置板との接合部の少なくとも何れかが、上記樹脂封止体を構成する樹脂とは異なる樹脂から成る保護樹脂により被覆されており、
    上記保護樹脂の表面全体が上記樹脂封止体により覆われている、
    ことを特徴とする半導体装置。
  2. 上記金属ワイヤの全体が、上記保護樹脂によって直接覆われている、
    ことを特徴とする請求項１に記載の半導体装置。
  3. 上記保護樹脂が含有する塩化物イオンおよび硫化物イオンの濃度は、１００ｐｐｍ以下である、
    ことを特徴とする請求項１または２に記載の半導体装置。
  4. 上記金属ワイヤは、アルミニウムであり、
    上記保護樹脂のｐＨ値は、５以上かつ７以下である、
    ことを特徴とする請求項１から３の何れか１項に記載の半導体装置。
  5. 上記金属ワイヤは、銅であり、
    上記保護樹脂のｐＨ値は、７以上かつ１１以下である、
    ことを特徴とする請求項１から３の何れか１項に記載の半導体装置。
  6. 少なくとも１つの半導体チップと、
    上記半導体チップを搭載する載置板と、
    上記半導体チップと上記載置板とを接続する金属ワイヤと、
    を備えている半導体装置を製造する製造方法であって、
    上記金属ワイヤと上記半導体チップとの接合部、および、上記金属ワイヤと上記載置板との接合部の少なくとも何れかを保護樹脂により被覆する被覆工程と、
    上記保護樹脂の表面全体を、上記保護樹脂を構成する樹脂とは異なる樹脂から成る樹脂封止体によって覆う封止工程と、
    を含んでいる、
    ことを特徴とする製造方法。
  7. 上記被覆工程において、上記保護樹脂を滴下することにより上記接合部を被覆する、
    ことを特徴とする請求項６に記載の製造方法。
  8. 上記被覆工程において、上記金属ワイヤの全体を上記保護樹脂によって被覆する、
    ことを特徴とする請求項６に記載の製造方法。
  9. 上記被覆工程において、上記保護樹脂を噴霧することにより被覆する、
    ことを特徴とする請求項８に記載の製造方法。
  10. 上記被覆工程において、上記保護樹脂から成るフィルムを溶融することにより被覆する、
    ことを特徴とする請求項８に記載の製造方法。
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Cited By (8)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
KR20140145403A (ko) * 2013-06-13 2014-12-23 엘지이노텍 주식회사 발광 소자 및 이를 구비한 조명 시스템
EP3163610A1 (en) * 2015-11-02 2017-05-03 MediaTek Inc. Semiconductor package with coated bonding wires
CN107403782A (zh) * 2016-05-20 2017-11-28 英飞凌科技股份有限公司 芯片封装体、形成芯片封装体的方法和形成电接触结构的方法
FR3058260A1 (fr) * 2016-11-03 2018-05-04 Stmicroelectronics (Grenoble 2) Sas Procede de realisation d'une connexion electrique entre une puce electronique et une plaque de support et dispositif electronique
JP2019009171A (ja) * 2017-06-21 2019-01-17 スタンレー電気株式会社 半導体装置
US10224306B2 (en) 2016-11-03 2019-03-05 Stmicroelectronics (Grenoble 2) Sas Method for forming an electrical connection between an electronic chip and a carrier substrate and electronic device
US10847488B2 (en) 2015-11-02 2020-11-24 Mediatek Inc. Semiconductor package having multi-tier bonding wires and components directly mounted on the multi-tier bonding wires
CN112292766A (zh) * 2018-06-04 2021-01-29 雷莱昂等离子有限责任公司 具有电陶瓷部件的装置

Citations (14)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPS61111569A (ja) * 1984-11-06 1986-05-29 Shin Etsu Chem Co Ltd 樹脂封止半導体装置
JPS61268464A (ja) * 1985-05-23 1986-11-27 Kyocera Corp サ−マルプリントヘツド
JPS6224650A (ja) * 1985-07-24 1987-02-02 Hitachi Vlsi Eng Corp 半導体装置
JPS6297360A (ja) * 1985-10-24 1987-05-06 Mitsubishi Metal Corp 半導体装置のボンデイングワイヤ用表面被覆高純度銅極細線
JPH0582678A (ja) * 1991-09-24 1993-04-02 Sanyo Electric Co Ltd 混成集積回路
JP2001226565A (ja) * 2000-12-25 2001-08-21 Nitto Denko Corp 半導体装置
JP2003092379A (ja) * 2001-09-18 2003-03-28 Hitachi Ltd 半導体装置
JP2003261576A (ja) * 2002-03-08 2003-09-19 Shin Etsu Chem Co Ltd 有機ケイ素化合物の精製方法及び硬化性シリコーン組成物
JP2004064033A (ja) * 2001-10-23 2004-02-26 Sumitomo Electric Wintec Inc ボンディングワイヤー
JP2006241411A (ja) * 2005-03-07 2006-09-14 Nitto Denko Corp 半導体封止用エポキシ樹脂組成物およびその製法ならびにそれを用いた半導体装置
JP2009263601A (ja) * 2008-04-30 2009-11-12 Hitachi Chem Co Ltd 封止用エポキシ樹脂成形材料及び電子部品装置
JP2010157695A (ja) * 2008-12-29 2010-07-15 Jin Imu Myun チップパッケージ化における保護薄膜コーティング
WO2010147187A1 (ja) * 2009-06-18 2010-12-23 ローム株式会社 半導体装置
WO2011070739A1 (ja) * 2009-12-07 2011-06-16 住友ベークライト株式会社 半導体封止用エポキシ樹脂組成物、その硬化体及び半導体装置

Patent Citations (14)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPS61111569A (ja) * 1984-11-06 1986-05-29 Shin Etsu Chem Co Ltd 樹脂封止半導体装置
JPS61268464A (ja) * 1985-05-23 1986-11-27 Kyocera Corp サ−マルプリントヘツド
JPS6224650A (ja) * 1985-07-24 1987-02-02 Hitachi Vlsi Eng Corp 半導体装置
JPS6297360A (ja) * 1985-10-24 1987-05-06 Mitsubishi Metal Corp 半導体装置のボンデイングワイヤ用表面被覆高純度銅極細線
JPH0582678A (ja) * 1991-09-24 1993-04-02 Sanyo Electric Co Ltd 混成集積回路
JP2001226565A (ja) * 2000-12-25 2001-08-21 Nitto Denko Corp 半導体装置
JP2003092379A (ja) * 2001-09-18 2003-03-28 Hitachi Ltd 半導体装置
JP2004064033A (ja) * 2001-10-23 2004-02-26 Sumitomo Electric Wintec Inc ボンディングワイヤー
JP2003261576A (ja) * 2002-03-08 2003-09-19 Shin Etsu Chem Co Ltd 有機ケイ素化合物の精製方法及び硬化性シリコーン組成物
JP2006241411A (ja) * 2005-03-07 2006-09-14 Nitto Denko Corp 半導体封止用エポキシ樹脂組成物およびその製法ならびにそれを用いた半導体装置
JP2009263601A (ja) * 2008-04-30 2009-11-12 Hitachi Chem Co Ltd 封止用エポキシ樹脂成形材料及び電子部品装置
JP2010157695A (ja) * 2008-12-29 2010-07-15 Jin Imu Myun チップパッケージ化における保護薄膜コーティング
WO2010147187A1 (ja) * 2009-06-18 2010-12-23 ローム株式会社 半導体装置
WO2011070739A1 (ja) * 2009-12-07 2011-06-16 住友ベークライト株式会社 半導体封止用エポキシ樹脂組成物、その硬化体及び半導体装置

Cited By (20)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
KR20140145403A (ko) * 2013-06-13 2014-12-23 엘지이노텍 주식회사 발광 소자 및 이를 구비한 조명 시스템
KR102063508B1 (ko) 2013-06-13 2020-01-08 엘지이노텍 주식회사 발광 소자 및 이를 구비한 조명 시스템
EP3163610A1 (en) * 2015-11-02 2017-05-03 MediaTek Inc. Semiconductor package with coated bonding wires
CN106941098A (zh) * 2015-11-02 2017-07-11 联发科技股份有限公司 半导体封装及其制造方法
US11257780B2 (en) 2015-11-02 2022-02-22 Mediatek Inc. Semiconductor package having multi-tier bonding wires and components directly mounted on the multi-tier bonding wires
US10847488B2 (en) 2015-11-02 2020-11-24 Mediatek Inc. Semiconductor package having multi-tier bonding wires and components directly mounted on the multi-tier bonding wires
US10037936B2 (en) 2015-11-02 2018-07-31 Mediatek Inc. Semiconductor package with coated bonding wires and fabrication method thereof
US10461056B2 (en) 2016-05-20 2019-10-29 Infineon Technologies Ag Chip package and method of forming a chip package with a metal contact structure and protective layer, and method of forming an electrical contact
CN107403782A (zh) * 2016-05-20 2017-11-28 英飞凌科技股份有限公司 芯片封装体、形成芯片封装体的方法和形成电接触结构的方法
EP3319115A1 (fr) * 2016-11-03 2018-05-09 STMicroelectronics (Grenoble 2) SAS Procédé de réalisation d'une connexion électrique entre une puce électronique et une plaque de support et dispositif électronique
US10224306B2 (en) 2016-11-03 2019-03-05 Stmicroelectronics (Grenoble 2) Sas Method for forming an electrical connection between an electronic chip and a carrier substrate and electronic device
US10643970B2 (en) 2016-11-03 2020-05-05 Stmicroelectronics (Grenoble 2) Sas Method for forming an electrical connection between an electronic chip and a carrier substrate and electronic device
CN108022908A (zh) * 2016-11-03 2018-05-11 意法半导体(格勒诺布尔2)公司 用于形成电连接的方法和电子器件
FR3058260A1 (fr) * 2016-11-03 2018-05-04 Stmicroelectronics (Grenoble 2) Sas Procede de realisation d'une connexion electrique entre une puce electronique et une plaque de support et dispositif electronique
US11557566B2 (en) 2016-11-03 2023-01-17 Stmicroelectronics (Grenoble 2) Sas Method for forming an electrical connection between an electronic chip and a carrier substrate and electronic device
JP2019009171A (ja) * 2017-06-21 2019-01-17 スタンレー電気株式会社 半導体装置
JP7096649B2 (ja) 2017-06-21 2022-07-06 スタンレー電気株式会社 半導体装置
CN112292766A (zh) * 2018-06-04 2021-01-29 雷莱昂等离子有限责任公司 具有电陶瓷部件的装置
JP2021526731A (ja) * 2018-06-04 2021-10-07 レリオン プラズマ ゲーエムベーハー エレクトロセラミック部材を有する装置
JP7402825B2 (ja) 2018-06-04 2023-12-21 レリオン プラズマ ゲーエムベーハー エレクトロセラミック部材を有する装置

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