JP2013191881A - 塗布、現像装置、塗布、現像方法及び記憶媒体 - Google Patents
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Abstract
【解決手段】互に同一の塗布膜が形成されるN重化された塗布用の単位ブロックと、前記キャリアブロックと処理ブロックとの間の昇降搬送ブロックにおいて、前記塗布膜を形成する前の基板に対して疎水化処理するためのNグループの疎水化モジュールと、前記Nグループの疎水化モジュールから夫々対応する塗布用の単位ブロックに基板を受け渡すように制御される受け渡し機構と、を備えるように塗布、現像装置を構成する。
【選択図】図1
Description
a) 前記処理ブロックは、前記塗布膜を形成するための薬液を基板に供給する液処理モジュールと、薬液を塗布した後の基板を加熱する加熱モジュールと、これらモジュール間で基板を搬送するために、キャリアブロックとインターフェイスブロックとを結ぶ直線搬送路上を移動する単位ブロック用の搬送機構と、を備えると共に、各モジュールにより処理されることにより形成される塗布用の単位ブロックを互に上下に積層して、N(Nは2以上の整数)重化した積層体を含み、
b) 前記N重化された塗布用の単位ブロックは、互に同一の塗布膜が形成されるように構成され、
c) 前記キャリアブロックと処理ブロックとの間に昇降搬送ブロックを設け、この昇降搬送ブロックは、前記N重化された塗布用の単位ブロックに対して夫々対応付けられ、前記塗布膜を形成する前の基板に対して疎水化処理するためのNグループの疎水化モジュールと、前記Nグループの疎水化モジュールから夫々対応する塗布用の単位ブロックに基板を受け渡すように制御される受け渡し機構と、を備え、
d) 前記Nグループの各々は、互に同数の疎水化モジュールが含まれていることを特徴とする塗布、現像装置。
(1)前記N重化された塗布用の単位ブロックのいずれかが停止したときには、当該停止した塗布用の単位ブロックに対応するグループに属する疎水化モジュールに対する基板の受け渡しを停止し、その他のグループに属する疎水化モジュールに対しては基板の受け渡しを行うように受け渡し機構が制御される。
(2)前記N重化された塗布用の単位ブロックのいずれかが停止すると共に、前記Nグループのうち使用可能な塗布用単位ブロックに対応付けられたグループが停止したときに、
使用可能なグループから対応付けられていない前記使用可能な塗布用の単位ブロックへ基板の搬送先を切り替えるように受け渡し機構が制御される。
(3)前記塗布用の単位ブロックは、基板に反射防止膜形成用の薬液を供給して下層側の反射防止膜を形成する下層用の液処理モジュールと、前記反射防止膜の上にレジスト液を供給してレジスト膜を形成する液処理モジュールと、基板を加熱する加熱モジュールと、これらモジュール間で基板を搬送するために、キャリアブロックとインターフェイスブロックとを結ぶ直線搬送路上を移動する単位ブロック用の搬送機構と、を備えた前段処理用の単位ブロックと、
前記前段処理用の単位ブロックに対して積層され、レジスト膜が形成された基板に上層側の膜形成用の薬液を供給して上層側の膜を形成する上層用の液処理モジュールと、基板を加熱する加熱モジュールと、これらモジュール間で基板を搬送するために、キャリアブロックとインターフェイスブロックとを結ぶ直線搬送路上を移動する単位ブロック用の搬送機構と、を備えた後段処理用の単位ブロックと、を備えたことを特徴とする。
a) 前記処理ブロックは、前記塗布膜を形成するための薬液を基板に供給する液処理モジュールと、薬液を塗布した後の基板を加熱する加熱モジュールと、これらモジュール間で基板を搬送するために、キャリアブロックとインターフェイスブロックとを結ぶ直線搬送路上を移動する単位ブロック用の搬送機構と、を備えると共に、各モジュールにより処理されることにより形成される塗布用の単位ブロックを互に上下に積層して、N(Nは2以上の整数)重化した積層体を含み、
b) 前記N重化された塗布用の単位ブロックは、互に同一の塗布膜が形成されるように構成され、
c) 前記キャリアブロックと処理ブロックとの間に昇降搬送ブロックを設け、この昇降搬送ブロックは、前記N重化された塗布用の単位ブロックに対して夫々対応付けられ、前記塗布膜を形成する前の基板に対して疎水化処理するためのNグループの疎水化モジュールと、前記Nグループの疎水化モジュールから夫々対応する塗布用の単位ブロックに基板を受け渡すように制御される受け渡し機構と、を備え、
d) 前記Nグループの各々は、互に同数の疎水化モジュールが含まれていることを特徴とする塗布、現像装置に用いられる塗布、現像方法において、
前記N重化された塗布用の単位ブロックのいずれかが停止したときには、当該停止した塗布用の単位ブロックに対応するグループに属する疎水化モジュールに対する基板の受け渡しを停止する工程と、
その他のグループに属する疎水化モジュールに対しては基板の受け渡しを行う工程と、を含むことを特徴とする。
前記コンピュータプログラムは、上記の塗布、現像方法を実施するためのものであることを特徴とする。
本発明に係る塗布、現像装置1の構成を詳細に説明する前に、この装置1の構成の概略と基板であるウエハWの搬送経路の概略とを図1〜図3を用いて説明する。図中S1は複数枚の基板であるウエハWが格納されたキャリアCが搬送されるキャリアブロックである。図中S2は昇降搬送ブロックであり、第1の疎水化処理モジュール群10A及び第2の疎水化処理モジュール群10Bを備えている。疎水化処理モジュール群10Aは4基の疎水化処理モジュールADH1〜ADH4からなり、疎水化処理モジュール群10Bは4基の疎水化処理モジュールADH5〜ADH8からなる。各疎水化処理モジュールADHにウエハWが順次搬送され、当該疎水化処理モジュールADHで並行してウエハWに疎水化処理が行われる。
塗布、現像装置1の通常時のウエハWの搬送経路を説明する。図1で説明したようにウエハWは第1の疎水化処理モジュール群10A及び第1の単位ブロックB1を通過する第1の経路と、第2の疎水化処理モジュール群10B及び第2の単位ブロックB2を通過する第2の経路とに振り分けられる。この振り分けは、例えばキャリアCから払い出された順に交互に行われる。第1の経路、第2の経路で搬送されるように設定されているウエハWを説明の便宜上夫々W1、W2とする。ウエハW1、W2は、互いに同種のモジュールを順番に搬送され、同様の処理を受ける。
続いて通常の搬送中に、図2に示したように第1の単位ブロックB1が故障やメンテナンスを行うことにより当該ブロックB1での処理が停止した場合について上記のケース1の搬送を説明する。このように処理停止となってもウエハW2の搬送は、通常時と同様に行われる。そして、この処理停止時点において第1の疎水化処理モジュール群10Aに搬送されているウエハW1は、疎水化処理後、バッファモジュール31に搬送され、然る後ウエハW2と同様に第2の単位ブロックB2に搬送されて処理を受ける。また、第1の疎水化処理モジュール群10Aからバッファモジュール31に至るまでの経路にあるウエハW1も同様に、第2の単位ブロックB2に搬入されて処理される。
続いて、第2の単位ブロックB2が故障やメンテナンスを行うことによりその処理を停止した場合について、上記のケース3の搬送を説明する。この場合、ウエハW1の搬送が通常時と同様に行われる。そして、この処理停止時点において第2の疎水化処理モジュール群10Bに搬送されているウエハW2は、疎水化処理後にバッファモジュール31に搬送され、その後はウエハW1と同様に第1の単位ブロックB1に搬送されて処理を受ける。また、第2の疎水化処理モジュール群10Bからバッファモジュール31に至るまでの経路にあるウエハW2も同様に、第1の単位ブロックB1に搬入されて処理される。
続いて通常搬送中に、図3に示したように疎水化処理モジュールADH1〜ADH4のすべてが、故障やメンテナンスにより搬送不可になった場合について説明する。この場合は、ウエハW2の搬送は通常時と同様に行われる。その一方で、このように搬送不可になった時点でキャリアCから払い出され、疎水化処理モジュール群までの経路にあるウエハW1は、ウエハW2と同様に疎水化処理モジュール群10Bに搬送され、さらにウエハW2と同様に第2の単位ブロックB2に搬送されて処理を受ける。また、搬送不可になった時点から後にキャリアCから払い出されたウエハW1も、ウエハW2と同様に疎水化処理モジュール群10Bに搬送されて処理された後、第2の単位ブロックB2に搬送されて処理を受ける。
続いて通常の搬送中に、疎水化処理モジュールADH5〜ADH8のすべてが故障やメンテナンスにより搬送不可になった場合について説明する。この場合は、ウエハW1の搬送は通常時と同様に行われる。その一方で、このように搬送不可になった時点でキャリアCから払い出され、疎水化処理モジュール群までの経路にあるウエハW2は、ウエハW1と同様に疎水化処理モジュール群10Aに搬送され、さらにウエハW1と同様に第1の単位ブロックB1に搬送されて処理を受ける。また、搬送不可になった時点から後にキャリアCから払い出されたウエハW2も、ウエハW1と同様に第1の疎水化処理モジュール群10A及び第1の単位ブロックB1に搬送されて処理を受ける。
以下、第2の実施形態の塗布、現像装置9について、第1の実施形態との差異点を中心に説明する。第1の実施形態ではレジスト塗布モジュールCOTと反射防止膜形成モジュールBCTとが同じ層に設けられているが、図15に示すように互いに異なる層に設けてもよい。この塗布、現像装置9では、単位ブロックC1、単位ブロックC2に反射防止膜形成モジュールBCTが2基ずつ設けられ、単位ブロックC3、C4にレジスト膜形成モジュールCOTが2基ずつ設けられている。単位ブロックC1〜C4は互いに積層され、液処理モジュールが異なることを除いて第1の単位ブロックB1と同様に構成される。
ADH 疎水化処理モジュール
BCT 反射防止膜形成モジュール
COT レジスト膜形成モジュール
DEV 現像モジュール
S2 昇降搬送ブロック
S3 処理ブロック
1 塗布、現像装置
100 制御部
A1〜A6 搬送アーム
B1〜B6 単位ブロック
TRS 受け渡しモジュール
CPL 受け渡しモジュール
a) 前記処理ブロックは、前記塗布膜を形成するための薬液を基板に供給する液処理モジュールと、薬液を塗布した後の基板を加熱する加熱モジュールと、これらモジュール間で基板を搬送するために、キャリアブロックとインターフェイスブロックとを結ぶ直線搬送路上を移動する単位ブロック用の搬送機構と、を備えた塗布用の単位ブロックを互に上下に積層して、N(Nは2以上の整数)重化した積層体を含み、
b) 前記N重化された塗布用の単位ブロックは、互に同一の塗布膜が形成されるように構成され、
c) 前記キャリアブロックと処理ブロックとの間に昇降搬送ブロックが設けられ、この昇降搬送ブロックは、前記N重化された塗布用の単位ブロックに対して夫々基板を受け渡すための第1の昇降搬送機構と、前記現像用の単位ブロックに対して基板を受け渡すための第2の昇降搬送機構と、多数積層されて設けられた受け渡しモジュールと、を備え、
前記キャリアブロックと前記処理ブロックと前記昇降搬送ブロックとの配列方向を前後方向とすると、前記第1の昇降搬送機構、第2の昇降搬送機構及び多数の受け渡しモジュールは左右方向に設けられると共に、多数の受け渡しモジュールは、前記第1の昇降搬送機構、第2の昇降搬送機構との間に挟まれるように設けられ、
d) 前記第1の昇降搬送機構及び第2の昇降搬送機構は、昇降する昇降基体と、前記昇降基体を鉛直軸回りに回転する回転基台と、第1の搬送アームと、第2の搬送アームと、を夫々備え、
e) 前記第1の搬送アーム及び第2の搬送アームは、前記回転基台に対して互いに独立して進退し、
前記第1の搬送アームは基板の裏面を支持すると共に、その進退方向に直交する当該第1の搬送アームの幅は、前記基板の幅より狭く構成され、
前記第2の搬送アームは、基板の側周を囲む囲い部と、前記囲い部の内周縁に複数設けられ、基板の裏面を支持する爪部と、を備え、
f) 前記多数積層されて設けられた受け渡しモジュールには、載置された基板を冷却するための冷却手段を備えた冷却ステージと、前記冷却手段を備えていない仮置きステージとが含まれ、
前記仮置きステージに対する基板の受け渡しには前記第1の搬送アームが使用され、
前記冷却ステージに対する基板の受け渡しには前記第2の搬送アームが使用されることを特徴とする。
(1)前記塗布用の単位ブロックは、
基板に反射防止膜形成用の薬液を供給して下層側の反射防止膜を形成する下層用の液処理モジュールと、前記反射防止膜の上にレジスト液を供給してレジスト膜を形成する液処理モジュールと、基板を加熱する加熱モジュールと、これらモジュール間で基板を搬送するために、キャリアブロックとインターフェイスブロックとを結ぶ直線搬送路上を移動する単位ブロック用の搬送機構と、を備えた前段処理用の単位ブロックと、
前記前段処理用の単位ブロックに対して積層され、レジスト膜が形成された基板に上層側の膜形成用の薬液を供給して上層側の膜を形成する上層用の液処理モジュールと、基板を加熱する加熱モジュールと、これらモジュール間で基板を搬送するために、キャリアブロックとインターフェイスブロックとを結ぶ直線搬送路上を移動する単位ブロック用の搬送機構と、を備えた後段処理用の単位ブロックと、を備える。
(2)前記昇降搬送ブロックは、前記N重化された塗布用の単位ブロックに対して夫々対応付けられると共に前記塗布膜を形成する前の基板に対して疎水化処理するためのNグループの疎水化モジュールを備え、
前記第1の昇降搬送機構は、前記Nグループの疎水化モジュールから夫々対応する塗布用の単位ブロックに基板を受け渡すように制御され、
前記N重化された塗布用の単位ブロックのいずれかが停止すると共に、前記Nグループのうち使用可能な塗布用単位ブロックに対応付けられたグループが停止したときに、
使用可能なグループから対応付けられていない前記使用可能な塗布用の単位ブロックへ基板の搬送先を切り替えるように受け渡し機構が制御される。
(3)前記の周縁部に複数の切り欠きが設けられ、
前記第2の搬送アームは、当該冷却ステージに前記基板を受け渡すために、前記冷却ステージに対して昇降し、
前記切り欠きは当該昇降時に前記第2の搬送アームの複数の爪部を、通過させるために設けられることを特徴とする。
(4)塗布用の単位ブロックに搬送される前の基板を疎水化処理する疎水化処理モジュールが設けられ、
前記第1の昇降搬送機構に対して前記受け渡しモジュールが設けられる側を、前記左右方向における左側とすると、前記疎水化処理モジュールは、前記第1の昇降搬送機構の右側に設けられる。
a) 前記処理ブロックは、前記塗布膜を形成するための薬液を基板に供給する液処理モジュールと、薬液を塗布した後の基板を加熱する加熱モジュールと、これらモジュール間で基板を搬送するために、キャリアブロックとインターフェイスブロックとを結ぶ直線搬送路上を移動する単位ブロック用の搬送機構と、を備えた塗布用の単位ブロックを互に上下に積層して、N(Nは2以上の整数)重化した積層体を含み、
b) 前記N重化された塗布用の単位ブロックは、互に同一の塗布膜が形成されるように構成され、
c) 前記キャリアブロックと処理ブロックとの間に昇降搬送ブロックが設けられ、この昇降搬送ブロックは、前記N重化された塗布用の単位ブロックに対して夫々基板を受け渡すための第1の昇降搬送機構と、前記現像用の単位ブロックに対して基板を受け渡すための第2の昇降搬送機構と、多数積層されて設けられた受け渡しモジュールと、を備え、
前記キャリアブロックと前記処理ブロックと前記昇降搬送ブロックとの配列方向を前後方向とすると、前記第1の昇降搬送機構、第2の昇降搬送機構及び多数の受け渡しモジュールは左右方向に設けられると共に、多数の受け渡しモジュールは、前記第1の昇降搬送機構、第2の昇降搬送機構との間に挟まれるように設けられ、
d) 前記第1の昇降搬送機構及び第2の昇降搬送機構は、昇降する昇降基体と、前記昇降基体を鉛直軸回りに回転する回転基台と、第1の搬送アームと、第2の搬送アームと、を夫々備え、
e) 前記第1の搬送アーム及び第2の搬送アームは、前記回転基台に対して互いに独立して進退し、
前記第1の搬送アームは基板の裏面を支持すると共に、その進退方向に直交する当該第1の搬送アームの幅は、前記基板の幅より狭く構成され、
前記第2の搬送アームは、基板の側周を囲む囲い部と、前記囲い部の内周縁に複数設けられ、基板の裏面を支持する爪部と、を備え、
f) 前記多数積層されて設けられた受け渡しモジュールには、載置された基板を冷却するための冷却機構を備えた冷却ステージと、前記冷却機構が設けられていない仮置きステージとが含まれる塗布、現像装置を用いた塗布、現像方法において、
前記第1の搬送アームを用いて、前記基板を前記仮置きステージに受け渡す工程と、
前記第2の搬送アームを用いて、前記基板を前記冷却ステージに受け渡す工程と、
を備えることを特徴とする。
Claims (1)
- キャリアブロックにキャリアにより搬入された基板を処理ブロックに受け渡し、この処理ブロックにてレジスト膜を含む塗布膜を形成した後、前記処理ブロックに対してキャリアブロックとは反対側に位置するインターフェイスブロックを介して露光装置に搬送し、前記インターフェイスブロックを介して戻ってきた露光後の基板を前記処理ブロックにて現像処理して前記キャリアブロックに受け渡す塗布、現像装置において、
a) 前記処理ブロックは、前記塗布膜を形成するための薬液を基板に供給する液処理モジュールと、薬液を塗布した後の基板を加熱する加熱モジュールと、これらモジュール間で基板を搬送するために、キャリアブロックとインターフェイスブロックとを結ぶ直線搬送路上を移動する単位ブロック用の搬送機構と、を備えた塗布用の単位ブロックを互に上下に積層して、N(Nは2以上の整数)重化した積層体を含み、
b) 前記N重化された塗布用の単位ブロックは、互に同一の塗布膜が形成されるように構成され、
c) 前記キャリアブロックと処理ブロックとの間に昇降搬送ブロックを設け、この昇降搬送ブロックは、前記N重化された塗布用の単位ブロックに対して夫々対応付けられ、前記塗布膜を形成する前の基板に対して疎水化処理するためのNグループの疎水化モジュールと、前記Nグループの疎水化モジュールから夫々対応する塗布用の単位ブロックに基板を受け渡すように制御される受け渡し機構と、を備え、
d) 前記Nグループの各々は、互に同数の疎水化モジュールが含まれていることを特徴とする塗布、現像装置。
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