JP2013191702A - 半導体装置、センサーモジュール、半導体装置の製造方法及びセンサーモジュールの製造方法 - Google Patents

Abstract

【課題】半導体素子と配線基板とをＦＰＣを用いて接続する際、ＦＰＣを癖付けすることなく、エッジショートを回避することができる半導体装置、センサーモジュール、前記半導体装置の製造方法及び前記センサーモジュールの製造方法を提供する。
【解決手段】本発明に係る半導体装置１０は、配線基板１３と、配線基板１３の面１３ａに位置する基材１２と、面１３ａに位置し基材１２と離れているランド１３ｃと、基材１２の厚さ方向から見て、基材１２の角部１２ｃと重ならない位置であって、基材１２の面１２ａに位置する素子付きＩＣ１１と、素子付きＩＣ１１の面１１ａに位置するＩＣパッド１１ｄと、ランド１３ｃとＩＣパッド１１ｄとを接続した配線１６を備えたフレキシブル基板１４とを有し、フレキシブル基板１４は、基材１２の角部１２ｃに当接して屈曲した第３屈曲部１４ｃを備える。
【選択図】図１

Description

本発明は、半導体装置、センサーモジュール、半導体装置の製造方法及びセンサーモジュールの製造方法に関する。

加速度や回転角速度等の物理量の検出ができるセンサーモジュール（モーションセンサー）に使用されるセンサー素子として、例えば、いわゆるダブルＴ型のジャイロセンサー水晶振動子がパッケージ内に収容されたジャイロセンサー（圧電発振器）が知られている（特許文献１）。

特開２００５−２９２０７９号公報

上記のセンサーモジュールでは、センサー素子が実装された基板（以下、「半導体素子」ともいう。）と配線基板とをフレキシブル基板の一つであるＦＰＣ（Ｆｌｅｘｉｂｌｅ Ｐｒｉｎｔｅｄ Ｃｉｒｃｕｉｔｓ）を用いて接続する場合がある。ＦＰＣを用いて半導体素子と配線基板とを電気的に接続する際、例えばＦＰＣに折り曲げ等の癖付けをしない場合には、ＦＰＣに備わる配線が半導体素子の端部（エッジ）に接触してショートする、いわゆるエッジショートを起こすことがある。図９（ａ）は、このエッジショートを起こした様子を模式的に示した図である。

このエッジショートを回避するために、図９（ｂ）に示すように、例えばＦＰＣ１４を２段曲げ形状（つまり、第１屈曲部１４ａと第２屈曲部１４ｂと備えた形状）にすることがある。図１０は、２段曲げ形状にしたＦＰＣ１４を用いて半導体素子１１と配線基板１３とを接続する工程を模式的に示した図である。まず、図１０（ａ）に示すように、配線基板１３に設置された半導体素子１１に含まれるＩＣパッド１１ｄにＦＰＣ１４の一端を接続する。この際、例えばバンプ１８を介してＩＣパッド１１ｄとＦＰＣ１４とを接続する。次に、図１０（ｂ）に示すように、ＦＰＣ１４を折り曲げて癖付けする。この癖付けにより、例えば第１屈曲部１４ａと第２屈曲部１４ｂとをＦＰＣ１４に形成する。最後に、図１０（ｃ）に示すように、配線基板１３に癖付けしたＦＰＣ１４の他端を接続する。このようにすることで、第１屈曲部１４ａでは半導体素子１１の端部とＦＰＣ１４との間に隙間（いわゆるエッジクリアランス）を十分に確保することができる。

上述のように、２段曲げ形状にしたＦＰＣ１４を用いて半導体素子１１と配線基板１３とを接続することで、エッジショートを回避することができる場合がある。しかしながら、この場合には、センサーモジュールの製造工程に新たな工程（例えば、ＦＰＣ１４を癖付けするための工程）を追加する必要があり、その結果センサーモジュールの製造コストが高くなることがある。
本発明は、上記の課題に鑑みてなされたものであり、半導体素子と配線基板とを例えばＦＰＣを用いて接続する際、ＦＰＣを癖付けすることなく、エッジショートを回避することができる半導体装置、センサーモジュール、前記半導体装置の製造方法及び前記センサーモジュールの製造方法を提供することを目的とする。

上記課題を解決するための本発明の一態様は、第１の配線基板と、前記第１の配線基板の第１の面側に位置する基材と、前記第１の面に位置し、前記基材と離れている第１の端子と、前記基材の厚さ方向から見て、前記基材の角部と重ならない位置であって、前記基材における前記第１の配線基板と対向する面とは反対側の第２の面側に位置する半導体素子と、前記半導体素子において、前記基材と対向する面とは反対側の第３の面に位置する第２の端子と、前記第１の端子と前記第２の端子とを接続した配線を備えた第２の配線基板と、を有し、前記第２の配線基板は、前記基材の前記角部に当接して屈曲した屈曲部を備えることを特徴とする半導体装置である。

上記態様の半導体装置であれば、第２の配線基板は、基材の角部に当接して屈曲した屈曲部（第３屈曲部）を備えている。このため、第３屈曲部を備えなかった場合と比較して（つまり、従来技術と比較して）、第１屈曲部の角度を広角化することができる。これにより、第１屈曲部における変形応力を緩和させることができ、第２の配線基板の配線と半導体素子の端部（エッジ）とのクリアランスを確保することができる。その結果、第２の配線基板の配線が半導体素子のエッジに接触することを防止することができる。ゆえに、半導体素子と第１の配線基板とを第２の配線基板（例えば、ＦＰＣ）を用いて接続する際、第２の配線基板を癖付けすることなく、エッジショートを回避することができる。このため、当該半導体装置の製造において、第２の配線基板の癖付け工程等が不要となり、当該半導体装置の製造コストを低くすることができる。

また、上述の「第１の配線基板」として、後述する実施形態では「配線基板１３」が例示されている。また、「第１の面」として、後述する実施形態では「面１３ａ」が例示されている。また、「基材」として、後述する実施形態では「セラミックブロック１２」が例示されている。また、「第１の端子」として、後述する実施形態では「ランド１３ｃ」が例示されている。また、「第２の面」として、後述する実施形態では「面１２ａ」が例示されている。また、「角部」として、後述する実施形態では「角部１２ｃ」が例示されている。また、「半導体素子」として、後述する実施形態では「素子付きＩＣ１１」が例示されている。また、「第３の面」として、後述する実施形態では「面１１ａ」が例示されている。また、「第２の端子」として、後述する実施形態では「ＩＣパッド１１ｄ」が例示されている。また、「第２の配線基板」として、後述する実施形態では「フレキシブル基板１４」が例示されている。また、「屈曲部」として、後述する実施形態では「第３屈曲部１４ｃ」が例示されている。

また、本発明の別の態様は、前記第２の配線基板が当接した前記基材の前記角部が、断面視で曲面となっていることとしてもよい。
上記態様の半導体装置であれば、第２の配線基板が当接した基材の角部が断面視で曲面となっているので、例えば第２の配線基板の配線が角部に接触することで生じる配線の損傷（配線の断線）を防ぐことができる。

また、本発明の別の態様は、前記第２の配線基板は、前記配線が形成された面とは反対側の面に形成された櫛歯状の第１の補強部材を有し、前記第１の補強部材は、前記第２の配線基板の厚み方向から見て前記第２の端子と重なる位置に設置された基部と、前記基部から相互に平行に設置された複数の歯部とを含み、前記歯部は、前記第１の端子側に向かって延在していることとしてもよい。

上記態様の半導体装置であれば、第１の補強部材が櫛歯状をしているので、第１の補強部材が櫛歯状でない場合（例えば、いわゆるベタ塗りパターンの場合）と比較して、補強部材の剛性を低くすることができる。よって、第１の補強部材の剛性によって第２の配線基板が半導体素子から剥離することを防ぐことができる。
なお、「第１の補強部材」として、後述する実施形態では「補強パターン１７」が例示されている。また、「基部」として、後述する実施形態では「基部１７ａ」が例示されている。また、「歯部」として、後述する実施形態では「歯部１７ｂ」が例示されている。

また、本発明の別の態様は、前記配線の少なくとも一部を覆う第２の補強部材を有し、前記第２の配線基板が、前記第２の補強部材を介して前記基材の前記角部に当接していることとしてもよい。
上記態様の半導体装置であれば、屈曲部の配線は第２の補強部材で覆われて保護されているので、配線が角部に接触することで生じる配線の損傷（例えば、配線の断線）を防ぐことができる。
なお、「第２の補強部材」として、後述する実施形態では「絶縁膜２６ａ」が例示されている。

また、本発明の別の態様は、前記基材は導電部材であり、前記第２の配線基板の前記配線の少なくとも一部は絶縁部材で覆われており、前記配線は、前記絶縁部材を介して前記基材の前記角部に当接していることとしてもよい。
上記態様の半導体装置であれば、仮に基材が導電部材で形成されている場合であっても、屈曲部の配線は絶縁部材で覆われているので、ショートすることを防ぐことができる。
なお、「絶縁部材」として、後述する実施形態では「絶縁膜２６ａ」が例示されている。

また、本発明の別の態様は、第１の配線基板と、前記第１の配線基板の第１の面側に位置し、前記第１の配線基板と対向する面とは反対側の平面である第２の面、及び前記第２の面と平行な面に対して直交または傾斜した平面である第３の面を含む基材と、前記第１の面に位置し、前記基材と離れている第１の端子と、前記基材の厚さ方向から見て、前記基材の角部と重ならない位置であって、前記基材の前記第２の面側に位置する半導体素子と、前記半導体素子において、前記基材と対向する面とは反対側の第４の面に位置する第２の端子と、前記半導体素子の前記第４の面に位置する第１のセンサー素子と、前記基材の前記第３の面に位置する第２のセンサー素子と、前記第１の端子と前記第２の端子とを接続した配線を備えた第２の配線基板と、を有し、前記第２の配線基板は、前記基材の前記角部に当接して屈曲した屈曲部を備えることを特徴とするセンサーモジュールである。

上記態様のセンサーモジュールであれば、第２の配線基板は、基材の角部に当接して屈曲した屈曲部（第３屈曲部）を備えている。このため、第３屈曲部を備えなかった場合と比較して（つまり、従来技術と比較して）、第１屈曲部の角度を広角化することができる。これにより、第１屈曲部における変形応力を緩和させることができ、第２の配線基板の配線と半導体素子の端部（エッジ）とのクリアランスを確保することができる。その結果、第２の配線基板の配線が半導体素子のエッジに接触することを防止することができる。ゆえに、半導体素子と第１の配線基板とを第２の配線基板（例えば、ＦＰＣ）を用いて接続する際、第２の配線基板を癖付けすることなく、エッジショートを回避することができる。このため、当該センサーモジュールの製造において、第２の配線基板の癖付け工程等が不要となり、当該センサーモジュールの製造コストを低くすることができる。

なお、「第１の面」として、後述する実施形態では「面１３ａ」が例示されている。また、「第２の面」として、後述する実施形態では「面１１２ａ」が例示されている。また、「第３の面」として、後述する実施形態では「面１１２ｄ」が例示されている。また、「第４の面」として、後述する実施形態では「面１１ａ」が例示されている。また、「第１のセンサー素子」として、後述する実施形態では「センサー素子１１ｃ」が例示されている。また、「第２のセンサー素子」として、後述する実施形態では「センサー素子１１１ｃ」が例示されている。

また、本発明の別の態様は、第１の配線基板の第１の面側に基材を設置する工程と、前記基材を設置する工程の後に、前記基材の厚さ方向から見て、前記基材の角部と重ならない位置であって、前記基材における前記第１の配線基板と対向する面とは反対側の第２の面側に半導体素子を設置する工程と、前記半導体素子を設置する工程の後に、前記第１の面に位置し、前記基材と離れている第１の端子と、前記半導体素子において、前記基材と対向する面とは反対側の第３の面に位置する第２の端子とを第２の配線基板に備わる配線で接続する工程と、を有し、前記第１の端子と前記第２の端子とを接続する工程では、前記基材の前記角部に前記第２の配線基板を当接させて、前記第２の配線基板に屈曲部を形成することを特徴とする半導体装置の製造方法である。

上記態様の半導体装置の製造方法では、意図的に基材の角部に第２の配線基板を当接させて屈曲させる。こうして、第２の配線基板に屈曲部（第３屈曲部）を形成する。この第３屈曲部を形成した場合には、第３屈曲部を形成しなかった場合と比較して（つまり、従来技術と比較して）、第１屈曲部の角度を広角化することができる。よって、第１屈曲部における変形応力を緩和させることができ、第２の配線基板の配線が半導体素子の端部（エッジ）に接触することを防止することができる。ゆえに、半導体素子と第１の配線基板とを第２の配線基板（例えば、ＦＰＣ）を用いて接続する際、第２の配線基板を癖付けすることなく、エッジショートを回避することができる。このため、当該半導体装置の製造において、第２の配線基板の癖付け工程等が不要となり、当該半導体装置の製造コストを低くすることができる。

また、本発明の別の態様は、前記第１の端子と前記第２の端子とを接続する工程が、前記第２の端子と前記第２の配線基板の前記配線とを接続する工程と、前記第２の端子と前記配線とを接続する工程の後に、前記第１の配線基板側に向かって前記第２の配線基板を押し付け、前記第１の端子と前記配線とを接続する工程とを有することとしてもよい。
上記態様の半導体装置の製造方法であれば、基材の角部に第２の配線基板を意図的に当接させることができる。このため、第２の配線基板を屈曲させて、第２の配線基板に屈曲部（第３屈曲部）を形成することができる。

また、本発明の別の態様は、第１の配線基板の第１の面側に、前記第１の配線基板と対向する面とは反対側の平面である第２の面、及び前記第２の面と平行な面に対して直交または傾斜した平面である第３の面を含む基材を設置する工程と、前記基材を設置する工程の後に、前記基材の厚さ方向から見て、前記基材の角部と重ならない位置であって、前記基材の前記第２の面側に半導体素子を設置する工程と、前記半導体素子を設置する工程の後に、前記第１の面に位置し、前記基材と離れている第１の端子と、前記半導体素子において、前記基材と対向する面とは反対側の第４の面に位置する第２の端子とを第２の配線基板に備わる配線で接続する工程と、前記基材の前記第３の面に第１のセンサー素子を設置する工程と、を有し、前記半導体素子の前記第４の面には、第２のセンサー素子が設置されており、前記第１の端子と前記第２の端子とを接続する工程では、前記基材の前記角部に前記第２の配線基板を当接させて、屈曲部を形成することを特徴とするセンサーモジュールの製造方法である。

上記態様のセンサーモジュールの製造方法では、意図的に基材の角部に第２の配線基板を当接させて屈曲させる。こうして、第２の配線基板に屈曲部（第３屈曲部）を形成する。この第３屈曲部を形成した場合には、第３屈曲部を形成しなかった場合と比較して（つまり、従来技術と比較して）、第１屈曲部の角度を広角化することができる。よって、第１屈曲部における変形応力を緩和させることができ、第２の配線基板の配線が半導体素子の端部（エッジ）に接触することを防止することができる。ゆえに、半導体素子と第１の配線基板とを第２の配線基板（例えば、ＦＰＣ）を用いて接続する際、第２の配線基板を癖付けすることなく、エッジショートを回避することができる。このため、当該センサーモジュールの製造において、第２の配線基板の癖付け工程等が不要となり、センサーモジュールの製造コストを低くすることができる。
また、「第１のセンサー素子」として、後述する実施形態では「センサー素子１１１ｃ」が例示されている。また、「第２のセンサー素子」として、後述する実施形態では「センサー素子１１ｃ」が例示されている。

本発明の実施形態に係る半導体装置を模式的に示す図。 本発明の実施形態に係るセラミックブロックの一部を模式的に示す図。 本発明の実施形態に係るフレキシブル基板を模式的に示す図。 本発明の実施形態に係る半導体装置の製造方法を模式的に示す図。 本発明の実施形態に係る半導体装置の変形例を模式的に示す図。 本発明の実施形態に係るフレキシブル基板の変形例を模式的に示す図。 本発明の実施形態に係るセンサーモジュールを模式的に示す図。 本発明の実施形態に係るセンサーモジュールの製造方法を模式的に示す図。 従来技術に係る半導体装置を模式的に示す図。 従来技術に係る半導体装置の製造方法を模式的に示す図。

以下、本発明の実施形態に係る半導体装置及び半導体装置の製造方法について、図面を参照しつつ説明する。その後、センサーモジュール及びセンサーモジュールの製造方法について、図面を参照しつつ説明する。ただし、本発明は以下の実施形態のみに限定されるものではない。本発明は以下の実施形態及びその変形例を自由に組み合わせたものを含むものとする。

（１）半導体装置１０
図１は、本実施形態に係る半導体装置１０を模式的に示す図である。図１に示すように、半導体装置１０は、素子付きＩＣ１１と、セラミックブロック１２と、配線基板１３と、フレキシブル基板１４と、素子付きＩＣ１１を覆い、接着剤２５を介して配線基板１３に搭載された蓋体２３を含んで構成されている。セラミックブロック１２は、素子付きＩＣ１１を支持する部材である。配線基板１３は、素子付きＩＣ１１及びセラミックブロック１２を支持する部材である。フレキシブル基板１４は、素子付きＩＣ１１と配線基板１３とを電気的に接続する部材である。以下、上記部材の詳細について説明する。

（配線基板１３）
配線基板１３は、素子付きＩＣ１１及びセラミックブロック１２を支持する基板であり、例えば板状の部材からなる。配線基板１３は、面１３ａ及び面１３ａの裏面１３ｂを有しており、面１３ｂは、面１３ａに対して平行な面である。また、面１３ａにはランド１３ｃを備えている。また、面１３ｂ側に設けられたランド１３ｄを備えている。ランド１３ｄは、ランド１３ｃと接続されていてもよい。なお、ランド１３ｃの数は、単数であってもよいし複数であってもよい。また、配線基板１３の材質及び形状は特に限定されるものではない。また、配線基板１３上には、素子付きＩＣ１１を覆うように接着剤２５を介して蓋体２３が設けられていてもよい。このとき、蓋体２３内は例えば真空状態となっていてもよい。

（セラミックブロック１２）
セラミックブロック１２は、素子付きＩＣ１１を支持するとともに後述するフレキシブル基板１４に第３屈曲部１４ｃを形成させるための部材である。セラミックブロック１２の形状は、例えば直方体をしている。このセラミックブロック１２は、配線基板１３の面１３ａ上にランド１３ｃから離して設置されている。また、セラミックブロック１２は、面１２ａ及び面１２ａの裏面１２ｂを有しており、面１２ｂは、面１２ａに対して平行な面である。

図２は、後述するフレキシブル基板１４が当接したセラミックブロック１２の角部１２ｃを模式的に示す図である。図２に示すように、フレキシブル基板１４が当接したセラミックブロック１２の角部１２ｃは、Ｒ面取りされている。これにより、角部１２ｃは断面視（図２）で曲面となっている。なお、「Ｒ面取り」とは、基材の角部の稜線を、稜線に沿って曲率を付けた凸面が現れるように除去することをいう。または、２つの面の交差部分（稜）、すなわち角部が鋭角ではなく、丸みを帯びている状態をいう。
セラミックブロック１２は、セラミックブロック１２の面１２ｂの全面と配線基板１３の面１３ａとが接した状態で配線基板１３に設置されている。なお、セラミックブロック１２は、例えば絶縁体で形成されたものであり、その材質及び形状は特に限定されるものではない。

（素子付きＩＣ１１）
素子付きＩＣ１１は、例えばＩＣチップ１１ｈ、センサー素子１１ｃ及びＩＣパッド１１ｄを備えている。素子付きＩＣ１１は、面１１ａ及び面１１ａの裏面１１ｂを有しており、面１１ａ側にＩＣパッド１１ｄを備えている。また、素子付きＩＣ１１は、面１１ａ側にセンサー素子１１ｃを備えている。センサー素子１１ｃは、面１１ａに設けられた電極１１ｇと金属電極２１を介して接続されるように、面１１ａ側に搭載されていてもよい。このとき、センサー素子１１ｃは水晶振動子で形成されていてもよい。または、センサー素子１１ｃはＩＣチップ１１ｈ内に設けられていてもよい。なお、センサー素子１１ｃの数は、単数であっても良いし複数であってもよい。また、ＩＣパッド１１ｄの数は、単数であってもよいし複数であってもよい。更に金属電極２１及びそれに接続される電極１１ｇは、単数であってもよいし、複数であってもよい。センサー素子１１ｃは面１１ａに対向する面、若しくは面１１ａに対して垂直な方向の加速度や回転角速度等の物理量を検出するセンサー素子であってもよい。

素子付きＩＣ１１は、素子付きＩＣ１１の面１１ｂとセラミックブロック１２の面１２ａとが接した状態で、セラミックブロック１２に支持されている。さらに、素子付きＩＣ１１は、セラミックブロック１２の厚さ方向から見てセラミックブロック１２の角部１２ｃと重ならない位置に設置されている。また、素子付きＩＣ１１は、センサー素子１１ｃよりもＩＣパッド１１ｄの方がランド１３ｃに近い状態で設置されている。

（フレキシブル基板１４）
フレキシブル基板１４は、素子付きＩＣ１１と配線基板１３とを電気的に接続する部材である。フレキシブル基板１４は配線１６を含んで構成されており（図２、図３を参照）、この配線１６が素子付きＩＣ１１のＩＣパッド１１ｄと配線基板１３のランド１３ｃとを電気的に接続している。

このフレキシブル基板１４は、３つの屈曲部を備えている。第１の屈曲部（以下、単に「第１屈曲部」ともいう。）１４ａは、素子付きＩＣ１１のＩＣパッド１１ｄ近傍に設けられた屈曲部である。第２の屈曲部（以下、単に「第２屈曲部」ともいう。）１４ｂは、配線基板１３のランド１３ｃ近傍に設けられた屈曲部である。そして、第３の屈曲部（以下、単に「第３屈曲部」ともいう。）１４ｃは、第１屈曲部１４ａと第２屈曲部１４ｂとの間に設けられている。この第３屈曲部１４ｃは、フレキシブル基板１４がセラミックブロック１２の角部１２ｃに当接することで形成された屈曲部である。そして、この第３屈曲部１４ｃは、セラミックブロック１２側が谷となっている。

また、図１に示すように、面１３ａとフレキシブル基板１４とが交わってなす角度を角度αとし、面１２ａとフレキシブル基板１４とが交わってなす角度を角度βとした場合、角度αは角度βよりも小さくなっている。
上述のフレキシブル基板１４として、例えばＦＰＣを用いることができる。以下、具体的にフレキシブル基板１４の構成を説明する。
フレキシブル基板１４は、例えばポリイミドで形成された基材１５と、その基材１５の一方の面には導電膜で形成された配線１６と、配線１６が形成された面とは反対側を向く面に形成された補強パターン１７とを含んで構成されている（図３を参照）。

配線１６は、例えば銅（Ｃｕ）で形成された配線である。また、配線１６は、フレキシブル基板１４の一端１４ｄから他端１４ｅまで連続して形成されている。配線１６は、図２、３に示すように、例えば配線１６の全面は露出している。ここで、図３（ａ）は、バンプ１８を介してセラミックブロック１２と接続するフレキシブル基板１４をＸ−Ｙ平面で示した図である。また、図３（ｂ）は、バンプ１８を介してセラミックブロック１２と接続するフレキシブル基板１４をＸ−Ｚ平面で示した図である。なお、配線１６の本数は、単数であってもよいし、複数であってもよい。

フレキシブル基板１４に含まれる基材１５の他方の面（つまり、配線１６が形成された面とは反対側を向く面）には、補強部材からなる櫛歯状の補強パターン１７が形成されている（図３を参照）。補強パターン１７は、フレキシブル基板１４の厚み方向から見てＩＣパッド１１ｄと重なる位置に設置された基部１７ａと、基部１７ａから相互に平行に延在する複数の歯部１７ｂとを含んでいる。そして、この歯部１７ｂは、ランド１３ｃ側に向かって延在している。補強パターン１７を櫛歯状にすることで、補強パターンをいわゆるベタ塗りパターンにした場合と比較して、補強部材の剛性を低くすることができる。よって、補強パターン１７の剛性によってフレキシブル基板１４が素子付きＩＣ１１から剥離することを防ぐことができる。

補強パターン１７は、例えばＣｕで形成されたパターンである。歯部１７ｂは、図３（ａ）に示すように、Ｘ−Ｙ平面で見たときに配線１６と重なるようにして形成されている。図３（ａ）には、Ｘ−Ｙ平面で見たときに配線１６の幅と歯部１７ｂの幅とが概ね同じ幅で示されているが、これに限定されるものではない。例えば、配線１６の幅は歯部１７ｂの幅よりも太くてもよいし、細くてもよい。
また、歯部１７ｂは、フレキシブル基板１４の第１屈曲部１４ａ周辺を覆っている。なお、図３（ａ）、（ｂ）は、フレキシブル基板１４を折り曲げる前の状態（つまり、第１屈曲部１４ａを形成する前の状態）を示す図である。図３（ａ）、（ｂ）に示された「１４Ａ」は、フレキシブル基板１４を折り曲げた際に第１屈曲部１４ａが形成される位置を示す。

以上のように、本実施形態に係る半導体装置１０であれば、フレキシブル基板１４は、セラミックブロック１２の角部１２ｃに当接して屈曲した第３屈曲部１４ｃを備えている。さらに、その屈曲部１４ｃは、セラミックブロック１２側が谷となっている。このため、第３屈曲部１４ｃを備えなかった場合と比較して（つまり、従来技術と比較して）、第１屈曲部１４ａの角度を広角化することができる。これにより、第１屈曲部１４ａにおける変形応力を緩和させることができ、フレキシブル基板１４の配線１６と素子付きＩＣ１１の端部（エッジ）とのクリアランスを確保することができる。その結果、フレキシブル基板１４の配線１６が素子付きＩＣ１１のエッジに接触することを防止することができる。ゆえに、素子付きＩＣ１１と配線基板１３とを第フレキシブル基板１４（例えば、ＦＰＣ）を用いて接続する際、フレキシブル基板１４を癖付けすることなく、エッジショートを回避することができる。このため、当該半導体装置の製造において、フレキシブル基板１４の癖付け工程等が不要となり、当該半導体装置の製造コストを低くすることができる。

なお、フレキシブル基板１４において、第３屈曲部１４ｃ周辺の配線１６を、補強部材（図６（ａ）を参照）で覆ってもよい。こうすることで、第３屈曲部１４ｃ周辺の配線１６は補強部材で覆われて保護されるので、例えば配線１６が角部１２ｃに接触することで生じる配線１６の損傷（配線の断線）を防ぐことができる
また、上述した補強パターン１７の材質は、金属であってもよいし絶縁体であってもよい。また、補強パターン１７の材質は、基材１５よりも剛性が高いものであればよい。補強パターン１７の材質が基材１５よりも剛性が高いものであれば、補強部材としての機能を発揮し得るからである。

また、図３（ａ）には、一本の配線１６上に一つの歯部１７ｂが形成されている状態が示されているが、これに限定されるものではない。例えば、複数本の配線１６上に一つの歯部１７ｂが形成されていてもよい。この場合であっても、補強部材としての機能を発揮し得る。また、図３（ａ）には、一本の配線１６上に一つの歯部１７ｂが形成されている状態が示されているが、これに限定されるものではない。例えば、歯部１７と歯部１７との間に配線１６が形成されていてもよい。この場合であっても、補強部材としての機能を発揮し得る。

また、本実施形態では、素子付きＩＣ１１を支持する支持部材として、セラミックブロック１２を用いる場合について説明したが、これに限定されるものではない。素子付きＩＣ１１を支持する支持部材として、例えば金属のブロック（スペーサー）を用いてもよい。ただし、この場合には、第３屈曲部１４ｃ付近の配線１６を絶縁膜で覆う必要がある（図６（ａ）を参照）。絶縁膜で配線１６を覆うことで、ショートを防ぐことができるからである。

（２）半導体装置１０の製造方法
図４は、本実施形態に係る半導体装置１０の製造方法を模式的に示す図である。半導体装置１０の製造方法では、上述の素子付きＩＣ１１、セラミックブロック１２、配線基板１３、及びフレキシブル基板１４を用いる。
まず、図４（ａ）に示すように、配線基板１３の面１３ａにセラミックブロック１２を設置する。この際、配線基板１３の面１３ａに設置されたランド１３ｃから離してセラミックブロック１２を設置する。また、セラミックブロック１２の面１２ｂの全面と配線基板１３の面１３ａとが接した状態で、配線基板１３にセラミックブロック１２を設置する。

次に、図４（ｂ）に示すように、セラミックブロック１２の面１２ａの角部１２ｃから離して、セラミックブロック１２の面１２ａに素子付きＩＣ１１を設置する。この際、素子付きＩＣ１１の面１１ｂとセラミックブロック１２の面１２ａとが接した状態で、セラミックブロック１２に素子付きＩＣ１１を設置する。また、センサー素子１１ｃよりもＩＣパッド１１ｄの方がランド１３ｃに近い状態でセラミックブロック１２の面１２ａに素子付きＩＣ１１を設置する。そして、セラミックブロック１２の面１２ａに素子付きＩＣ１１を設置した後に、例えばＩＣパッド１１ｄにバンプ１８を形成する。

次に、図４（ｃ）〜（ｅ）に示すように、フレキシブル基板１４に備わる配線１６で、ランド１３ｃとＩＣパッド１１ｄとを接続する。
ランド１３ｃとＩＣパッド１１ｄとを接続する際には、まずバンプ１８を介してＩＣパッド１１ｄとフレキシブル基板１４の配線１６とを接続する（図４（ｃ）を参照）。図４（ｃ）に示すように、本実施形態に係る半導体装置１０の製造方法では、フレキシブル基板１４の癖付けを行っていない。

次に、配線基板１３にフレキシブル基板１４を接続するためのツール（例えばボンディングヘッド）１９を図中のＺ軸方向からランド１３ｃ方向に向けて接近させ、フレキシブル基板１４を折り曲げる。このフレキシブル基板１４の折り曲げにより、第１屈曲部１４ａを形成する（図４（ｄ）を参照）。
次に、フレキシブル基板１４の一部を角部１２ｃに接触させて、フレキシブル基板１４を折り曲げる。この際、セラミックブロック１２側が谷となるようにフレキシブル基板１４を屈曲させる。こうして、第３屈曲部１４ｃを形成する（図４（ｅ）を参照）。

最後に、ツール１９で配線基板１３にフレキシブル基板１４を押し付けることで、配線基板１３のランド１３ｃとフレキシブル基板１４の配線１６とを接続する。この際、第２屈曲部１４ｂが形成される（図４（ｅ）を参照）。その後、配線基板１３上に接着剤２５を介して蓋体２３を搭載する。
このようにして、本実施形態に係る半導体装置１０を製造する。

以上のように、本実施形態に係る半導体装置１０の製造方法では意図的にセラミックブロック１２の角部１２ｃにフレキシブル基板１４の一部を当てて、セラミックブロック１２側が谷となるようにフレキシブル基板１４を屈曲させる。こうして、フレキシブル基板１４に第３屈曲部１４ｃを形成する。この第３屈曲部１４ｃを形成した場合には、第３屈曲部１４ｃを形成しなかった場合と比較して（つまり、従来技術と比較して）、第１屈曲部１４ａの角度を広角化することができる。よって、第１屈曲部１４ａにおける変形応力を緩和させることができ、フレキシブル基板１４の配線１６が素子付きＩＣ１１の端部（エッジ）に接触することを防止することができる。ゆえに素子付きＩＣ１１と配線基板１３とをフレキシブル基板１４（例えば、ＦＰＣ）を用いて接続する際、フレキシブル基板１４を癖付けすることなく、エッジショートを回避することができる。このため、半導体装置の製造において、フレキシブル基板１４の癖付け工程等が不要となり、半導体装置の製造コストを低くすることができる。
なお、本実施形態では半導体装置１０について説明したが、これに限定されるものではない。以下、半導体装置１０の変形例及びフレキシブル基板１４の変形例について説明する。

（半導体装置１０の変形例）
図５は、図１に示した半導体装置１０の変形例に係る半導体装置２０を模式的に示す図である。この半導体装置２０は、上述の半導体装置１０と比較してセラミックブロック２２の形状が異なっているが、その他については同じである。このため、セラミックブロック２２の形状について説明し、その他については説明を省略する。なお、図５では、半導体装置１０と同じ部分には半導体装置１０と同じ符号を付してある。また、蓋体２３及び接着剤２５については、半導体装置２０の説明では図示を省略する。

セラミックブロック２２は、セラミックブロック１２の角部１２ｃにフレキシブル基板１４を保持するための突起（以下、「保持用突起」ともいう。）２２ｅを備えたブロックである。半導体装置２０では、フレキシブル基板１４の一部はこの保持用突起２２ｅの角部２２ｃに接触し屈曲することで、フレキシブル基板１４に第３屈曲部１４ｃが形成されている。このため、本変形例に係る半導体装置２０であれば、半導体装置１０の場合と同様に、第３屈曲部１４ｃを備えなかった場合と比較して（つまり、従来技術と比較して）、第１屈曲部１４ａの角度を広角化することができる。これにより、第１屈曲部１４ａにおける変形応力を緩和させることができ、フレキシブル基板１４の配線１６が素子付きＩＣ１１のエッジに接触することを防止することができる。ゆえに、素子付きＩＣ１１と配線基板１３とをフレキシブル基板１４（例えばＦＰＣ）を用いて接続する際、フレキシブル基板１４を癖付けすることなく、エッジショートを回避することができる。このように、本変形例に係る半導体装置２０の場合であっても、半導体装置１０の場合と同等の作用効果を得ることができる。

なお、図５には、セラミックブロック１２と保持用突起２２ｅとからセラミックブロック２２が構成されている様子が示されているが、これに限定されたものではない。例えばセラミックブロック２２は、セラミックブロック１２と保持用突起２２ｅとが一体となって形成されたブロックであってもよい。セラミックブロック１２と保持用突起２２ｅとを一体として形成する場合には、セラミックブロックのザグリ加工やエッチング加工、または金型成形等を用いることができる。

（フレキシブル基板１４の変形例）
図６は、図３に示したフレキシブル基板１４の変形例に係るフレキシブル基板２４、３４、４４を模式的に示す図である。このフレキシブル基板２４、３４、４４は、上述のフレキシブル基板１４と比較して配線２６、３６、４６の形状が異なっているが、その他については同じである。このため、配線２６、３６、４６の形状について説明し、その他については説明を省略する。なお、図６では、フレキシブル基板１４と同じ部分にはフレキシブル基板１４と同じ符号を付してある。また、図６は、フレキシブル基板１４を折り曲げる前の状態（つまり、第１屈曲部１４ａ、第２屈曲部１４ｂ、第３屈曲部１４ｃを形成する前の状態）を示す図である。図６中の「１４Ａ」は、フレキシブル基板１４を折り曲げた際に第１屈曲部１４ａが形成される位置を示す。また、図６中の「１４Ｃ」は、フレキシブル基板１４を折り曲げた際に第３屈曲部１４ｃが形成される位置を示す。

また、図６（ａ）は、第３屈曲部１４ｃ周辺（図中の１４Ｃ）に絶縁膜２６ａが形成された配線２６を模式的に示す図である。配線２６は、第３屈曲部１４ｃ周辺に絶縁膜２６ａが形成されているので、仮にセラミックブロック１２に代えて金属のブロックを用いた場合であっても、半導体装置がショートすることを防止することができる。また、絶縁膜２６ａで配線２６が保護されているので、配線２６が断線しにくくなる。なお、この絶縁膜２６ａには、例えばソルダーレジストやポリイミド系のカバーレイを用いることができる。
図６（ｂ）は、第３屈曲部１４ｃ周辺にスリット３６ａが形成された配線３６を模式的に示す図である。配線３６は、第３屈曲部１４ｃ周辺にスリット３６ａが形成されているので、第３屈曲部１４ｃで屈曲させた際の変形応力が小さくなる。よって、配線３６は、第３屈曲部１４ｃ周辺で曲げ易くなる。

また、図６（ｃ）は、第３屈曲部１４ｃ周辺に幅広部４６ａが形成された配線４６を模式的に示す図である。配線４６は、第３屈曲部４４ｃ周辺に幅広部４６ａが形成されているので、仮に配線４６の一部分が断線したとしても他の部分で導通をとることができる。よって、配線４６は、第３屈曲部１４ｃ周辺で断線しにくくなる。
本変形例に係るフレキシブル基板２４、３４、４４を上述のフレキシブル基板１４に代えて用いた場合であっても、半導体装置１０の場合と同等の作用効果を得ることができる。

（３）センサーモジュール１１０
図７は、本実施形態に係るセンサーモジュール１１０を模式的に示す図である。図７に示すように、センサーモジュール１１０は、上述の半導体装置１０を含んだ構成となっている。ここで、センサーモジュール１１０は、半導体装置１０と比較してセラミックブロック１１２の形状及び素子付きＩＣ１１１を備える点が異なっているが、その他については同じである。このため、セラミックブロック１１２の形状及び素子付きＩＣ１１１について説明し、その他については説明を省略する。なお、図７では、半導体装置１０と同じ部分には半導体装置１０と同じ符号を付してある。なお、蓋体２３及び接着剤２５については、センサーモジュール１１０及びその製造方法の説明では図示を省略する。

（セラミックブロック１１２）
セラミックブロック１１２は、素子付きＩＣ１１と素子付きＩＣ１１１とを支持する支持部材であり、セラミックブロック１１２の形状は例えば直方体をしている。セラミックブロック１１２は、平面である面１１２ａ及び面１１２ａの裏面１１２ｂを有しており、面１１２ｂは、面１１２ａに対して平行な面である。また、セラミックブロック１１２は、面１１２ａと平行な面（図示せず）に対して直交した平面である面１１２ｄを備えている。なお、図７には、面１１２ａに対して直交した平面である面１１２ｄを備えたセラミックブロック１１２が示されているが、これに限定されたものではない。例えば、面１１２ｃは、面１１２ａに対して傾斜した面であってもよい。

（素子付きＩＣ１１１）
素子付きＩＣ１１１は、例えばＩＣチップ１１１ｈ、センサー素子１１１ｃ及びＩＣパッド１１１ｄを備えている。素子付きＩＣ１１１は、面１１１ａ及び面１１１ａの裏面１１１ｂを有しており、面１１１ａ側にＩＣパッド１１１ｄを備えている。また、素子付きＩＣ１１１は、面１１１ａ側にセンサー素子１１１ｃを備えている。センサー素子１１１ｃは、面１１１ａ側に設けられた電極１１１ｇと金属電極１２１を介して接続されるように、面１１１ａ側に搭載されていてもよい。このとき、センサー素子１１１ｃは水晶振動子で形成されていてもよい。または、センサー素子１１１ｃはＩＣチップ１１１ｈ内に設けられていてもよい。なお、センサー素子１１１ｃの数は、単数であっても良いし複数であってもよい。また、ＩＣパッド１１１ｄの数は、単数であってもよいし複数であってもよい。更に金属電極１２１及びそれに接続される電極１１１ｇは、単数であってもよいし、複数であってもよい。センサー素子１１１ｃは、面１１１ａに対抗する面、若しくは面１１１ａに対して垂直な方向の加速度や回転角速度等の物理量を検出するセンサー素子であってもよい。

素子付きＩＣ１１１は、素子付きＩＣ１１１の面１１１ｂとセラミックブロック１１２の面１１２ｄとが接した状態で、セラミックブロック１１２に支持されている。また、素子付きＩＣ１１１は、センサー素子１１１ｃよりもＩＣパッド１１１ｄの方が配線基板１３に近い状態で設置されている。

以上のように、本実施形態に係るセンサーモジュール１１０であれば、上述の半導体装置１０の場合と同様に、フレキシブル基板１４は、セラミックブロック１１２の角部１１２ｃに当たって屈曲した第３屈曲部１４ｃを備えている。さらに、第３屈曲部１４ｃは、セラミックブロック１１２側が谷となるように屈曲している。このため、第３屈曲部１４ｃを備えなかった場合と比較して（つまり、従来技術と比較して）、第１屈曲部１４ａの角度を広角化することができる。これにより、第１屈曲部１４ａにおける変形応力を緩和させることができ、フレキシブル基板１４の配線１６と素子付きＩＣ１１の端部（エッジ）とのクリアランスを確保することができる。その結果、フレキシブル基板１４の配線１６が素子付きＩＣ１１のエッジに接触することを防止することができる。ゆえに、素子付きＩＣ１１と配線基板１３とをフレキシブル基板１４（例えば、ＦＰＣ）を用いて接続する際、フレキシブル基板１４を癖付けすることなく、エッジショートを回避することができる。このため、センサーモジュールの製造において、フレキシブル基板１４の癖付け工程等が不要となり、センサーモジュールの製造コストを低くすることができる。

（４）センサーモジュール１１０の製造方法
図８は、本実施形態に係るセンサーモジュール１１０の製造方法を模式的に示す図である。センサーモジュール１１０の製造方法では、素子付きＩＣ１１、素子付きＩＣ１１１、セラミックブロック１１２、配線基板１３、フレキシブル基板１４を用いる。なお、センサーモジュール１１０の製造方法は、上述の半導体装置１０の製造方法と概ね同じである。このため、図８では、半導体装置１０と同じ部分には半導体装置１０と同じ符号を付してある。

まず、図８（ａ）に示すように、配線基板１３の面１３ａにセラミックブロック１１２を設置する。この際、配線基板１３の面１３ａに設置されたランド１３ｃから離してセラミックブロック１１２を設置する。また、セラミックブロック１１２の面１１２ｂの全面と配線基板１３の面１３ａとが接した状態で、配線基板１３にセラミックブロック１１２を設置する。なお、セラミックブロック１１２は、上述のように、面１１２ａと平行な面に対して直交または傾斜した平面である面１１２ｄを備えている。

次に、図８（ｂ）に示すように、セラミックブロック１１２の面１１２ａの角部１１２ｃから離して、セラミックブロック１１２の面１１２ａに素子付きＩＣ１１を設置する。この際、素子付きＩＣ１１の面１１ｂとセラミックブロック１１２の面１１２ａとが接した状態で、セラミックブロック１１２に素子付きＩＣ１１を設置する。また、センサー素子１１ｃよりもＩＣパッド１１ｄの方がランド１３ｃに近い状態でセラミックブロック１１２の面１１２ａに素子付きＩＣ１１を設置する。そして、セラミックブロック１１２の面１１２ａに素子付きＩＣ１１を設置した後に、例えばＩＣパッド１１１ｄにバンプ１８を形成する。

次に、セラミックブロック１１２の面１１２ｄに素子付きＩＣ１１１を設置する。この際、素子付きＩＣ１１１の面１１１ｂとセラミックブロック１１２の面１１２ｄとが接した状態で、セラミックブロック１１２に素子付きＩＣ１１１を設置する。
次に、図８（ｃ）〜（ｅ）に示すように、フレキシブル基板１４に備わる配線１６で、ランド１３ｃとＩＣパッド１１ｄとを接続する。
ランド１３ｃとＩＣパッド１１ｄとを接続する際には、まずバンプ１８を介してＩＣパッド１１ｄとフレキシブル基板１４の配線１６とを接続する（図８（ｃ）を参照）。図８（ｃ）に示すように、本実施形態に係る半導体装置１１０の製造方法では、フレキシブル基板１４の癖付けを行っていない。

次に、配線基板１３にフレキシブル基板１４を接続するためのツール（例えばボンディングヘッド）１９をＺ軸方向からランド１３ｃ方向に向けて接近させ、フレキシブル基板１４を折り曲げる。このフレキシブル基板１４の折り曲げにより、第１屈曲部１４ａを形成する（図８（ｄ）を参照）。
次に、フレキシブル基板１４の一部を角部１１２ｃに接触させて、フレキシブル基板１４を折り曲げる。この際、セラミックブロック１１２側が谷となるようにフレキシブル基板１４を屈曲させる。こうして、第３屈曲部１４ｃを形成する（図８（ｅ）を参照）。

最後に、ツール１９で配線基板１３にフレキシブル基板１４を押し付けることで、配線基板１３のランド１３ｃとフレキシブル基板１４の配線１６とを接続する。この際、第２屈曲部１４ｂが形成される（図８（ｅ）を参照）。その後、配線基板１３上に接着剤２５を介して蓋体２３を搭載してもよい。
このようにして、本実施形態に係るセンサーモジュール１１０を製造する。

以上のように、本実施形態に係るセンサーモジュール１１０の製造方法であれば、意図的にセラミックブロック１１２の角部１１２ｃにフレキシブル基板１４の一部を当てて、セラミックブロック１１２側が谷となるようにフレキシブル基板１４を屈曲させる。こうして、フレキシブル基板１４に第３屈曲部１４ｃを形成する。この第３屈曲部１４ｃを形成した場合には、第３屈曲部１４ｃを形成しなかった場合と比較して（つまり、従来技術と比較して）、第１屈曲部１４ａの角度を広角化することができる。よって、第１屈曲部１４ａにおける変形応力を緩和させることができ、フレキシブル基板１４の配線１６が素子付きＩＣ１１の端部（エッジ）に接触することを防止することができる。ゆえに素子付きＩＣ１１と配線基板１３とをフレキシブル基板１４（例えば、ＦＰＣ）を用いて接続する際、フレキシブル基板１４を癖付けすることなく、エッジショートを回避することができる。このため、センサーモジュールの製造において、フレキシブル基板１４の癖付け工程等が不要となり、センサーモジュールの製造コストを低くすることができる。

なお、本実施形態に係るセンサーモジュール１１０の製造方法では、セラミックブロック１１２に素子付きＩＣ１１を設置した後に、素子付きＩＣ１１１を設置する場合について説明したが、これに限定されるものではない。例えば、セラミックブロック１１２に素子付きＩＣ１１１を設置した後に、素子付きＩＣ１１を設置してもよい。

１０ 半導体装置、１１ 素子付きＩＣ、１１ａ 面、１１ｂ 面、１１ｃ センサー素子、１１ｄ ＩＣパッド、１１ｇ 電極、１１ｈ ＩＣチップ、１２ セラミックブロック、１２ａ 面、１２ｂ 面、１２ｃ 角部、１３ 配線基板、１３ａ 面、１３ｂ 面、１３ｃ ランド、１３ｄ ランド、１４ フレキシブル基板、１４Ａ 第１屈曲部が形成される部分、１４Ｃ 第３屈曲部が形成される部分、１４ａ 第１屈曲部、１４ｂ 第２屈曲部、１４ｃ 第３屈曲部、１４ｄ 端部、１４ｅ 端部、１５ 基材、１６ 配線、１７ 補強パターン、１７ａ 基部、１７ｂ 歯部、１８ バンプ、１９ ツール、２０ 半導体装置、２１ 金属電極、２２ セラミックブロック、２２ｃ 角部、２２ｅ 保持用突起、２３ 蓋体、２４ フレキシブル基板、２５ 接着剤、２６ 配線、２６ａ 絶縁膜、３４ フレキシブル基板、３６ 配線、３６ａ スリット、４４ フレキシブル基板、４６ 配線、４６ａ 幅広部、１１０ センサーモジュール、１１１ 素子付きＩＣ、１１１ａ 面、１１１ｂ 面、１１１ｃ センサー素子、１１１ｄ ＩＣパッド、１１１ｇ 電極、１１１ｈ ＩＣチップ、１１２ セラミックブロック、１１２ａ 面、１１２ｂ 面、１１２ｃ 角部、１１２ｄ 面、１２１ 金属電極、α 角度、β 角度

Claims (9)

1. 第１の配線基板と、
   前記第１の配線基板の第１の面側に位置する基材と、
   前記第１の面に位置し、前記基材と離れている第１の端子と、
   前記基材の厚さ方向から見て、前記基材の角部と重ならない位置であって、前記基材における前記第１の配線基板と対向する面とは反対側の第２の面側に位置する半導体素子と、
   前記半導体素子において、前記基材と対向する面とは反対側の第３の面に位置する第２の端子と、
   前記第１の端子と前記第２の端子とを接続した配線を備えた第２の配線基板と、
   を有し、
   前記第２の配線基板は、前記基材の前記角部に当接して屈曲した屈曲部を備えることを特徴とする半導体装置。
2. 前記第２の配線基板が当接した前記基材の前記角部は、断面視で曲面となっていることを特徴とする請求項１に記載の半導体装置。
3. 前記第２の配線基板は、前記配線が形成された面とは反対側の面に形成された櫛歯状の第１の補強部材を有し、
   前記第１の補強部材は、前記第２の配線基板の厚み方向から見て前記第２の端子と重なる位置に設置された基部と、前記基部から相互に平行に設置された複数の歯部とを含み、
   前記歯部は、前記第１の端子側に向かって延在していることを特徴とする請求項１または請求項２に記載の半導体装置。
4. 前記配線の少なくとも一部を覆う第２の補強部材を有し、
   前記第２の配線基板は、前記第２の補強部材を介して前記基材の前記角部に当接していることを特徴とする請求項１から請求項３の何れか一項に記載の半導体装置。
5. 前記基材は導電部材であり、
   前記第２の配線基板の前記配線の少なくとも一部は絶縁部材で覆われており、
   前記配線は、前記絶縁部材を介して前記基材の前記角部に当接していることを特徴とする請求項１から請求項４の何れか一項に記載の半導体装置。
6. 第１の配線基板と、
   前記第１の配線基板の第１の面側に位置し、前記第１の配線基板と対向する面とは反対側の平面である第２の面、及び前記第２の面と平行な面に対して直交または傾斜した平面である第３の面を含む基材と、
   前記第１の面に位置し、前記基材と離れている第１の端子と、
   前記基材の厚さ方向から見て、前記基材の角部と重ならない位置であって、前記基材の前記第２の面側に位置する半導体素子と、
   前記半導体素子において、前記基材と対向する面とは反対側の第４の面に位置する第２の端子と、
   前記半導体素子の前記第４の面に位置する第１のセンサー素子と、
   前記基材の前記第３の面に位置する第２のセンサー素子と、
   前記第１の端子と前記第２の端子とを接続した配線を備えた第２の配線基板と、
   を有し、
   前記第２の配線基板は、前記基材の前記角部に当接して屈曲した屈曲部を備えることを特徴とするセンサーモジュール。
7. 第１の配線基板の第１の面側に基材を設置する工程と、
   前記基材を設置する工程の後に、前記基材の厚さ方向から見て、前記基材の角部と重ならない位置であって、前記基材における前記第１の配線基板と対向する面とは反対側の第２の面側に半導体素子を設置する工程と、
   前記半導体素子を設置する工程の後に、前記第１の面に位置し、前記基材と離れている第１の端子と、前記半導体素子において、前記基材と対向する面とは反対側の第３の面に位置する第２の端子とを第２の配線基板に備わる配線で接続する工程と、を有し、
   前記第１の端子と前記第２の端子とを接続する工程では、前記基材の前記角部に前記第２の配線基板を当接させて、前記第２の配線基板に屈曲部を形成することを特徴とする半導体装置の製造方法。
8. 前記第１の端子と前記第２の端子とを接続する工程は、
   前記第２の端子と前記第２の配線基板の前記配線とを接続する工程と、
   前記第２の端子と前記配線とを接続する工程の後に、前記第１の配線基板側に向かって前記第２の配線基板を押し付け、前記第１の端子と前記配線とを接続する工程とを有することを特徴とする請求項７に記載の半導体装置の製造方法。
9. 第１の配線基板の第１の面側に、前記第１の配線基板と対向する面とは反対側の平面である第２の面、及び前記第２の面と平行な面に対して直交または傾斜した平面である第３の面を含む基材を設置する工程と、
   前記基材を設置する工程の後に、前記基材の厚さ方向から見て、前記基材の角部と重ならない位置であって、前記基材の前記第２の面側に半導体素子を設置する工程と、
   前記半導体素子を設置する工程の後に、前記第１の面に位置し、前記基材と離れている第１の端子と、前記半導体素子において、前記基材と対向する面とは反対側の第４の面に位置する第２の端子とを第２の配線基板に備わる配線で接続する工程と、
   前記基材の前記第３の面に第１のセンサー素子を設置する工程と、を有し、
   前記半導体素子の前記第４の面には、第２のセンサー素子が設置されており、
   前記第１の端子と前記第２の端子とを接続する工程では、前記基材の前記角部に前記第２の配線基板を当接させて、屈曲部を形成することを特徴とするセンサーモジュールの製造方法。

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