JP2013191267A - マルチレベルセル不発揮性メモリ(mlcnvm)の高効率ビット変換構造及びその方法 - Google Patents
マルチレベルセル不発揮性メモリ(mlcnvm)の高効率ビット変換構造及びその方法 Download PDFInfo
- Publication number
- JP2013191267A JP2013191267A JP2013047763A JP2013047763A JP2013191267A JP 2013191267 A JP2013191267 A JP 2013191267A JP 2013047763 A JP2013047763 A JP 2013047763A JP 2013047763 A JP2013047763 A JP 2013047763A JP 2013191267 A JP2013191267 A JP 2013191267A
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- bit data
- threshold voltage
- level
- current
- different
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Granted
Links
Classifications
-
- G—PHYSICS
- G11—INFORMATION STORAGE
- G11C—STATIC STORES
- G11C11/00—Digital stores characterised by the use of particular electric or magnetic storage elements; Storage elements therefor
- G11C11/56—Digital stores characterised by the use of particular electric or magnetic storage elements; Storage elements therefor using storage elements with more than two stable states represented by steps, e.g. of voltage, current, phase, frequency
- G11C11/5621—Digital stores characterised by the use of particular electric or magnetic storage elements; Storage elements therefor using storage elements with more than two stable states represented by steps, e.g. of voltage, current, phase, frequency using charge storage in a floating gate
- G11C11/5642—Sensing or reading circuits; Data output circuits
-
- G—PHYSICS
- G11—INFORMATION STORAGE
- G11C—STATIC STORES
- G11C16/00—Erasable programmable read-only memories
- G11C16/02—Erasable programmable read-only memories electrically programmable
- G11C16/04—Erasable programmable read-only memories electrically programmable using variable threshold transistors, e.g. FAMOS
-
- G—PHYSICS
- G11—INFORMATION STORAGE
- G11C—STATIC STORES
- G11C16/00—Erasable programmable read-only memories
- G11C16/02—Erasable programmable read-only memories electrically programmable
- G11C16/06—Auxiliary circuits, e.g. for writing into memory
-
- G—PHYSICS
- G11—INFORMATION STORAGE
- G11C—STATIC STORES
- G11C16/00—Erasable programmable read-only memories
- G11C16/02—Erasable programmable read-only memories electrically programmable
- G11C16/06—Auxiliary circuits, e.g. for writing into memory
- G11C16/26—Sensing or reading circuits; Data output circuits
-
- G—PHYSICS
- G11—INFORMATION STORAGE
- G11C—STATIC STORES
- G11C16/00—Erasable programmable read-only memories
- G11C16/02—Erasable programmable read-only memories electrically programmable
- G11C16/06—Auxiliary circuits, e.g. for writing into memory
- G11C16/34—Determination of programming status, e.g. threshold voltage, overprogramming or underprogramming, retention
Abstract
【解決手段】マルチレベルセル不発揮性メモリシステムにおいて、NVMセルの閾値電圧レベルの状態によりNVMセル中のマルチビット情報を表す。本明細書において、NVMセルの閾値電圧レベルのP個の状態はNグループの閾値電圧レベルに分けられ、各グループはM個の閾値電圧レベルを含む。ここで、P=N×Mである。対応するゲート電圧を印加することにより、各グループのM個の閾値電圧レベルを検知し解析することができる。N個の異なるゲート電圧を順次に印加することにより、NVMセルの閾値電圧レベルのP個の状態をマルチレベルセル不発揮性メモリセルの蓄積ビットに有効に変換できる。
【選択図】図5
Description
図4は、本発明に基づく実施例であり、各セルに2個のビットを有するMLCNVMフラッシュメモリ(P=4、N=2及びM=2)が有する(11)、(10)、(01)と(00)の4グループの閾値電圧の分布、及び二つの印加ゲート電圧Va0とVa1を示す。図5は、本発明の不発揮性メモリ構造の概略図であり、ここで、2個のビットデータバッファ510と512はそれぞれQ0とQ1により表示され、つまり、(Q0Q1)は、上述の4個の閾値電圧グループを表す。前記それぞれのデータバッファ510と512に書き込まれたビットデータは、それぞれデジタル値(digital value)により印加ゲート電圧の2個の状態を表す状態レジスタ(status register)580からであり、NVMセル570の反応電流状態を区別するレベル比較器(level comparator)554からの比較結果に用いられる。ゲートスイッチ(gate switch) 520と522は、状態レジスタ580のビットデータとレベル比較554の比較結果のビットデータをデータバッファ510と512へ送信(pass)して、前記それぞれのNVMセルが前記印加ゲート電圧Vajに応答して生成した反応電流の大きさは、低限界参考電流RLBと高限界参考電流RHBの範囲内の論理状態の場合、ゲートスイッチ520と522は、導通(オン)される。
910、912、914、916 データバッファ
520、522、720、722、724 ゲート切換器
920、922、924、926 ゲート切換器
530、730、930 ANDゲート
550、750、950 低限界比較器
552、752、952 高限界比較器
554、754、756、758、954、956、958 レベル比較器
570、770、970 NVMセル
580、780、980 状態レジスタ
731、732、741、742、781 ノード
931、932、941、942、981、982 ノード
Claims (21)
- P個の異なる値のうちの一つを表示する電荷量を蓄積する蓄積層、及び制御ゲートを含むMOSFETと、
2n個の異なる電圧レベルを順次に生成し、前記制御ゲートに印加されたとき、前記MOSFETが前記順次に生成された2n個の異なる電圧レベルに応答して相応する反応電流を生成する電圧生成器(source)と、
前記反応電流と低限界電流レベルと高限界電流レベルとを比較して、前記2n個の異なる電圧レベルに対応するn個のビットデータを送信するか否かを決定する第1決定回路と、
(2m-1)個の異なる参考電流レベルに基づき、前記反応電流を測定してm個のビットデータを得、かつ前記第1決定回路の比較結果に基づき、前記m個のビットデータを送信するか否かを決定する第2決定回路と、
を含み、
ここで、前記n個のビットデータと前記m個のビットデータは、前記P個の異なる値を構成し、
n≠0、m≠0、log2P=(m+n)であり、又Pが2より大きい整数であることを特徴とする不発揮性メモリの構造。 - 前記第1決定回路と前記第2決定回路に接続され、前記n個のビットデータと前記m個のビットデータを受信する出力バッファを更に含むことを特徴とする請求項1記載の不発揮性メモリの構造。
- 前記第1決定回路は、
前記反応電流と前記低限界電流レベルを比較する低限界比較器と、
前記反応電流と前記高限界電流レベルを比較する高限界比較器と、を含み、
ここで、前記第1決定回路は前記低限界比較器と前記高限界比較器の出力に基づき、前記n個のビットデータを前記出力バッファに提供するか否かを決定することを特徴とする請求項2記載の不発揮性メモリの構造。 - 前記第1決定回路は、
前記低限界比較器と前記高限界比較器の出力に応答して、前記n個のビットデータを前記出力バッファに出力するように制御する第1切替器を更に含み、
ここで、前記反応電流の大きさは、前記低限界電流レベルと前記高限界電流レベルとの間である時、前記第1切替器は前記n個のビットデータを前記出力バッファへ送信することを特徴とする請求項3記載の不発揮性メモリの構造。 - 前記第2決定回路は、
それぞれが前記反応電流と前記(2m-1)個の異なる参考電流レベルのうちの一つを比較する(2m-1)個のレベル比較器を含み、
ここで、前記第2決定回路は、前記それぞれの(2m-1)個のレベル比較器と前記低限界比較器と前記高限界比較器の出力に基づき、前記m個のビットデータを前記出力バッファへ提供するか否かを決定することを特徴とする請求項3記載の不発揮性メモリの構造。 - 前記第2決定回路は、
前記それぞれの(2m-1)個のレベル比較器の出力に基づき、前記m個のビットデータを生成する論理回路と、
前記論理回路に接続され、前記低限界比較器と前記高限界比較器の出力に応答して前記m個のビットデータを前記出力バッファへ出力するように制御する第2切替器と、を更に含み、
ここで、前記反応電流の大きさは、前記低限界電流レベルと前記高限界電流レベルとの間である時、前記第2切替器は前記m個のビットデータを前記出力バッファへ送信することを特徴とする請求項5記載の不発揮性メモリの構造。 - Pが4であり、nが1であり、mが2であることを特徴とする請求項1記載の不発揮性メモリの構造。
- Pが8であり、nが1であり、mが2であることを特徴とする請求項1記載の不発揮性メモリの構造。
- Pが16であり、nが2であり、mが2であることを特徴とする請求項1記載の不発揮メモリの構造。
- 前記第1決定回路に接続され、前記2n個の異なる電圧レベルに対応するn個のビットデータを提供する状態レジスタを更に含むことを特徴とする請求項1記載の不発揮性メモリの構造。
- 前記P個の異なる値がP個の異なる閾値電圧レベルに対応し、又前記P個の異なる閾値電圧レベルが2nグループに分けられ、且つ前記グループが2n個の異なる閾値電圧レベルを含むことを特徴とする請求項1記載の不発揮性メモリの構造。
- 前記低限界電流レベルは、複数の高い閾値電圧レベルから目標グループを区別し、そして前記高限界電流レベルは、複数の低い閾値電圧レベルから前記目標グループを区別することを特徴とする請求項11記載の不発揮性メモリの構造。
- 前記MOSFETの閾値電圧は、前記目標グループに属し、又、そのうち前記(2m-1)個の異なる参考電流レベルは、前記MOSFETの制御ゲートに対応する電圧レベルが印加される状態で、前記MOSFETの前記2m個の異なる閾値電圧レベルにより生成する複数の異なる反応電流の間であることを特徴とする請求項12記載の不発揮性メモリの構造。
- 不発揮性メモリセル中のMOSFETに応用し、前記MOSFETの蓄積層に蓄積するマルチビットデータ値を決定する方法であって、
ここで、前記マルチビットデータ値はP個の異なるマルチビット値のうちの一つであり、
前記方法は、
2n個の異なる電圧レベルを前記MOSFETの制御ゲートに順次に印加して、対応する反応電流を得る工程と、
前記2n個の異なる電圧レベルに対応するn個のビットデータを提供する工程と、
前記反応電流と低限界電流レベルと高限界電流レベルとを比較する工程と、
前記反応電流と(2m-1)個の異なる参考電流レベルとを比較して、m個のビットデータを取得する工程と、
前記反応電流の大きさが前記低限界電流レベルと前記高限界電流レベルとの間の時、前記n個のビットデータと前記m個のビットデータを、前記蓄積層に蓄積するマルチビットデータ値として提供する工程と、を含み、
ここで、n≠0であり、m≠0であり、log2P=(m+n)であり、又Pが2より大きい整数であることを特徴とする方法。 - 前記n個のビットデータと前記m個のビットデータとを提供する工程において、
前記n個のビットデータと前記m個のビットデータを出力バッファへ提供することを含むことを特徴とする請求項14記載の方法。 - 前記印加する工程の前に、選択した電荷量を前記MOSFETの蓄積層に蓄積し、前記選択した電荷量は前記マルチビットデータ値に対応することを特徴とする請求項14記載の方法。
- 前記反応電流と前記(2m-1)個の異なる参考電流レベルとを比較する工程は、
(2m-1)個のレベル比較器を利用して、それぞれ前記反応電流と前記(2m-1)個の異なる参考電流レベルとを比較する工程と、
前記反応電流と前記(2m-1)個の異なる参考電流レベルの比較結果に基づき、前記m個のビットデータを得る工程と、
を含むことを特徴とする請求項14記載の方法。 - 前記n個のビットデータを提供する工程は、
状態レジスタを利用して、前記n個のビットデータを提供し、前記n個のビットデータは前記2n個の異なる電圧レベルのうちの一つに対応する工程を含むことを特徴とする請求項14記載の方法。 - 前記P個の異なる値はP個の異なる閾値電圧レベルに対応し、又、前記P個の異なる閾値電圧レベルは、2m個のグループに分けられ、且つ各前記グループは2m個の異なる閾値電圧レベルを含むことを特徴とする請求項14記載の方法。
- 前記低限界電流レベルは、複数の高い閾値電圧レベルから目標グループを区別し、そして、前記高限界電流レベルは複数の低閾値電圧レベルから前記目標グループを区別することを特徴とする請求項19記載の方法。
- 対応電圧レベルを前記目標グループに属する前記MOSFETの制御ゲートに印加する工程と、
前記MOSFETの前記2m個の異なる閾値電圧レベルにより生成した複数の異なる反応電流との間の複数の電流レベルを選択し、前記(2m-1)個の異なる参考電流レベルとする工程と、
を更に含むことを特徴とする請求項20記載の方法。
Applications Claiming Priority (2)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
US13/417,655 | 2012-03-12 | ||
US13/417,655 US8730723B2 (en) | 2012-03-12 | 2012-03-12 | Structures and methods of high efficient bit conversion for multi-level cell non-volatile memories |
Publications (2)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JP2013191267A true JP2013191267A (ja) | 2013-09-26 |
JP5659257B2 JP5659257B2 (ja) | 2015-01-28 |
Family
ID=49114016
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP2013047763A Active JP5659257B2 (ja) | 2012-03-12 | 2013-03-11 | マルチレベルセル不揮発性メモリ(mlcnvm)の高効率ビット変換構造及びその方法 |
Country Status (5)
Country | Link |
---|---|
US (1) | US8730723B2 (ja) |
JP (1) | JP5659257B2 (ja) |
KR (1) | KR101415390B1 (ja) |
CN (1) | CN103310843B (ja) |
TW (1) | TWI486956B (ja) |
Cited By (2)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
US20160298565A1 (en) * | 2013-11-21 | 2016-10-13 | Denso Corporation | Fuel injection controller and fuel injection system |
CN107696613A (zh) * | 2017-09-22 | 2018-02-16 | 南通苏源化纤有限公司 | 一种含有嵌入绵纶长丝的锦纶高弹力高强度面料 |
Families Citing this family (2)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
US11475170B2 (en) | 2019-05-28 | 2022-10-18 | Nuvoton Technology Corporation | System and method for correction of memory errors |
US11342044B2 (en) | 2019-05-28 | 2022-05-24 | Nuvoton Technology Corporation | System and method for prioritization of bit error correction attempts |
Citations (7)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP2001504973A (ja) * | 1997-08-07 | 2001-04-10 | サンディスク コーポレイション | 新規な多状態メモリ |
JP2002329397A (ja) * | 2001-04-27 | 2002-11-15 | Semiconductor Energy Lab Co Ltd | 不揮発性メモリとそのベリファイ方法、及び半導体装置 |
JP2006294213A (ja) * | 2005-01-28 | 2006-10-26 | Stmicroelectronics Srl | 電流発生器に基づくランプ状電圧バイアス構造を有するメモリーデバイス |
JP2007102916A (ja) * | 2005-10-04 | 2007-04-19 | Sharp Corp | 半導体記憶装置および電子機器 |
WO2010077965A1 (en) * | 2008-12-31 | 2010-07-08 | Sandisk Corporation | Non-volatile memory and method for sensing with pipelined corrections for neighboring perturbations |
JP2010533930A (ja) * | 2007-07-19 | 2010-10-28 | マイクロン テクノロジー, インク. | ソリッドステートメモリデバイスにおけるメモリセルのアナログ検出 |
JP2011070725A (ja) * | 2009-09-25 | 2011-04-07 | Toshiba Corp | 不揮発性半導体記憶装置 |
Family Cites Families (9)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
TW399211B (en) * | 1998-08-14 | 2000-07-21 | Winbond Electronics Corp | The multiple stage sensor device applied to flash memory |
US7453083B2 (en) * | 2001-12-21 | 2008-11-18 | Synopsys, Inc. | Negative differential resistance field effect transistor for implementing a pull up element in a memory cell |
US6791880B1 (en) * | 2003-05-06 | 2004-09-14 | Fasl, Llc | Non-volatile memory read circuit with end of life simulation |
US7400527B2 (en) * | 2006-03-16 | 2008-07-15 | Flashsilicon, Inc. | Bit symbol recognition method and structure for multiple bit storage in non-volatile memories |
US8344475B2 (en) * | 2006-11-29 | 2013-01-01 | Rambus Inc. | Integrated circuit heating to effect in-situ annealing |
WO2008067494A1 (en) * | 2006-11-29 | 2008-06-05 | Rambus Inc. | Integrated circuit with built-in heating circuitry to reverse operational degeneration |
US7729165B2 (en) * | 2007-03-29 | 2010-06-01 | Flashsilicon, Incorporation | Self-adaptive and self-calibrated multiple-level non-volatile memories |
CN101796590B (zh) * | 2007-06-29 | 2013-01-30 | 桑迪士克科技股份有限公司 | 具有源极偏压全位线感测的非易失性存储器 |
US7944754B2 (en) * | 2008-12-31 | 2011-05-17 | Sandisk Corporation | Non-volatile memory and method with continuous scanning time-domain sensing |
-
2012
- 2012-03-12 US US13/417,655 patent/US8730723B2/en active Active
-
2013
- 2013-03-07 KR KR1020130024213A patent/KR101415390B1/ko active IP Right Grant
- 2013-03-08 TW TW102108246A patent/TWI486956B/zh not_active IP Right Cessation
- 2013-03-08 CN CN201310074759.XA patent/CN103310843B/zh not_active Expired - Fee Related
- 2013-03-11 JP JP2013047763A patent/JP5659257B2/ja active Active
Patent Citations (7)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP2001504973A (ja) * | 1997-08-07 | 2001-04-10 | サンディスク コーポレイション | 新規な多状態メモリ |
JP2002329397A (ja) * | 2001-04-27 | 2002-11-15 | Semiconductor Energy Lab Co Ltd | 不揮発性メモリとそのベリファイ方法、及び半導体装置 |
JP2006294213A (ja) * | 2005-01-28 | 2006-10-26 | Stmicroelectronics Srl | 電流発生器に基づくランプ状電圧バイアス構造を有するメモリーデバイス |
JP2007102916A (ja) * | 2005-10-04 | 2007-04-19 | Sharp Corp | 半導体記憶装置および電子機器 |
JP2010533930A (ja) * | 2007-07-19 | 2010-10-28 | マイクロン テクノロジー, インク. | ソリッドステートメモリデバイスにおけるメモリセルのアナログ検出 |
WO2010077965A1 (en) * | 2008-12-31 | 2010-07-08 | Sandisk Corporation | Non-volatile memory and method for sensing with pipelined corrections for neighboring perturbations |
JP2011070725A (ja) * | 2009-09-25 | 2011-04-07 | Toshiba Corp | 不揮発性半導体記憶装置 |
Cited By (3)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
US20160298565A1 (en) * | 2013-11-21 | 2016-10-13 | Denso Corporation | Fuel injection controller and fuel injection system |
US9970376B2 (en) * | 2013-11-21 | 2018-05-15 | Denso Corporation | Fuel injection controller and fuel injection system |
CN107696613A (zh) * | 2017-09-22 | 2018-02-16 | 南通苏源化纤有限公司 | 一种含有嵌入绵纶长丝的锦纶高弹力高强度面料 |
Also Published As
Publication number | Publication date |
---|---|
TWI486956B (zh) | 2015-06-01 |
JP5659257B2 (ja) | 2015-01-28 |
US8730723B2 (en) | 2014-05-20 |
US20130235661A1 (en) | 2013-09-12 |
TW201337929A (zh) | 2013-09-16 |
KR20130105385A (ko) | 2013-09-25 |
CN103310843B (zh) | 2016-09-28 |
KR101415390B1 (ko) | 2014-07-04 |
CN103310843A (zh) | 2013-09-18 |
Similar Documents
Publication | Publication Date | Title |
---|---|---|
KR101914519B1 (ko) | 메모리에서의 임계 전압 보상 | |
KR100297465B1 (ko) | 비휘발성메모리의일회삭제당복수회기록방법 | |
KR101097510B1 (ko) | 고체 상태 메모리에서의 프로그래밍 레이트의 식별 및 제어 | |
JP5483204B2 (ja) | Mlcnandにおける不均等閾値電圧範囲 | |
US8174887B2 (en) | Adjusting for charge loss in a memory | |
US7787307B2 (en) | Memory cell shift estimation method and apparatus | |
KR100960479B1 (ko) | 플래시 메모리 장치 및 동작 방법 | |
KR100953063B1 (ko) | 불휘발성 메모리 장치의 소거 방법 | |
JP2010533930A (ja) | ソリッドステートメモリデバイスにおけるメモリセルのアナログ検出 | |
KR20090121983A (ko) | 불휘발성 메모리 장치의 프로그램 방법 | |
KR20080075749A (ko) | 독출동작 방식을 개선한 불휘발성 메모리 장치 및 그구동방법 | |
US7768827B2 (en) | Data verification method and semiconductor memory | |
JP2019160355A (ja) | メモリシステム、読み出し方法、プログラムおよびメモリコントローラ | |
JP5659257B2 (ja) | マルチレベルセル不揮発性メモリ(mlcnvm)の高効率ビット変換構造及びその方法 | |
KR20170054300A (ko) | 데이터 보유 충전 손실 센서 | |
US7551479B2 (en) | Setting fail bit verification circuit with different reference fail numbers and a non-volatile semiconductor memory device including the same | |
US8374034B2 (en) | Nonvolatile memory device and read method thereof | |
JPWO2002067267A1 (ja) | 多値不揮発性半導体記憶装置 | |
JP2014164786A (ja) | 不揮発性半導体記憶装置 | |
KR20220034451A (ko) | 대용량 엠티피 메모리의 프로그램/소거방법 및 그 장치 | |
TW202242883A (zh) | 採用位元線漏電流偵測方法之用於群組抹除模式的抹除電壓補償機制 | |
US9147487B2 (en) | Memory device and method for programming memory cell of memory device | |
KR20090120680A (ko) | 불휘발성 메모리 장치의 독출 방법 | |
CN116343872A (zh) | 非易失性半导体存储设备 | |
KR20090096862A (ko) | 불휘발성 메모리 장치의 프로그램 방법 |
Legal Events
Date | Code | Title | Description |
---|---|---|---|
A621 | Written request for application examination |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A621 Effective date: 20130311 |
|
A131 | Notification of reasons for refusal |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A131 Effective date: 20131210 |
|
A521 | Request for written amendment filed |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A523 Effective date: 20140310 |
|
A521 | Request for written amendment filed |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A523 Effective date: 20140310 |
|
TRDD | Decision of grant or rejection written | ||
A01 | Written decision to grant a patent or to grant a registration (utility model) |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A01 Effective date: 20141104 |
|
A61 | First payment of annual fees (during grant procedure) |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A61 Effective date: 20141201 |
|
R150 | Certificate of patent or registration of utility model |
Ref document number: 5659257 Country of ref document: JP Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R150 |
|
S111 | Request for change of ownership or part of ownership |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R313113 |
|
R360 | Written notification for declining of transfer of rights |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R360 |
|
R360 | Written notification for declining of transfer of rights |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R360 |
|
R371 | Transfer withdrawn |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R371 |
|
S111 | Request for change of ownership or part of ownership |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R313113 |
|
R350 | Written notification of registration of transfer |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R350 |
|
R250 | Receipt of annual fees |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250 |
|
R250 | Receipt of annual fees |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250 |
|
R250 | Receipt of annual fees |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250 |
|
S111 | Request for change of ownership or part of ownership |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R313113 |
|
S531 | Written request for registration of change of domicile |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R313531 |
|
S533 | Written request for registration of change of name |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R313533 |
|
R350 | Written notification of registration of transfer |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R350 |
|
R250 | Receipt of annual fees |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250 |
|
S111 | Request for change of ownership or part of ownership |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R313113 |
|
R350 | Written notification of registration of transfer |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R350 |
|
R250 | Receipt of annual fees |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250 |
|
R250 | Receipt of annual fees |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250 |