JP2013179289A5 - 半導体装置 - Google Patents
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- TWXTWZIUMCFMSG-UHFFFAOYSA-N nitride(3-) Chemical compound [N-3] TWXTWZIUMCFMSG-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims 1
Claims (3)
- 絶縁表面上の不純物元素が添加された第１の領域、前記第１の領域の外側領域を囲うチャネル形成領域、および前記チャネル形成領域の外側領域を囲み、不純物元素が少なくとも一部に添加された第２の領域を少なくとも含む酸化物半導体膜と、
前記酸化物半導体膜上のゲート絶縁膜と、
前記ゲート絶縁膜上の、前記チャネル形成領域と重畳するゲート電極と、
前記ゲート電極に囲まれ、前記酸化物半導体膜の前記第１の領域上と接するソース電極と、
前記酸化物半導体膜の側端部を含む外周部全体を囲み、前記酸化物半導体膜の前記第２の領域上と接するドレイン電極と、を有し、
前記酸化物半導体膜は、第１の酸化物半導体膜と第２の酸化物半導体膜を有し、
前記第１の酸化物半導体膜と前記第２の酸化物半導体膜は、それぞれＩｎとＧａとＺｎとを有し、
前記第１の酸化物半導体膜と前記第２の酸化物半導体膜のうち、前記ゲート絶縁膜と接する方は、ＩｎとＧａの含有率がＩｎ＞Ｇａであり、他方は、ＩｎとＧａの含有率がＩｎ≦Ｇａであることを特徴とする半導体装置。 - 下地絶縁膜に埋め込まれ、上面の少なくとも一部が前記下地絶縁膜から露出したソース電極と、
前記下地絶縁膜および前記ソース電極上の不純物元素が添加された第１の領域、前記第１の領域の外側領域を囲うチャネル形成領域、および前記チャネル形成領域の外側領域を囲み、不純物元素が少なくとも一部に添加された第２の領域を少なくとも含む酸化物半導体膜と、
前記酸化物半導体膜上のゲート絶縁膜と、
前記ゲート絶縁膜上の、前記チャネル形成領域と重畳するゲート電極と、
前記酸化物半導体膜の側端部を含む外周部全体を囲み、前記酸化物半導体膜の前記第２の領域上と接するドレイン電極と、を有し、
前記ソース電極は、前記第１の領域と接し、
前記酸化物半導体膜は、第１の酸化物半導体膜と第２の酸化物半導体膜を有し、
前記第１の酸化物半導体膜と前記第２の酸化物半導体膜は、それぞれＩｎとＧａとＺｎとを有し、
前記第１の酸化物半導体膜と前記第２の酸化物半導体膜のうち、前記ゲート絶縁膜と接する方は、ＩｎとＧａの含有率がＩｎ＞Ｇａであり、他方は、ＩｎとＧａの含有率がＩｎ≦Ｇａであることを特徴とする半導体装置。 - 請求項１又は請求項２において、
前記ゲート電極は、第１の導電層と第２の導電層を有し、
前記第１の導電層と前記第２の導電層のうち、前記ゲート絶縁膜と接する方は、窒素を含むＩｎ−Ｇａ−Ｚｎ−Ｏ膜、窒素を含むＩｎ−Ｓｎ−Ｏ膜、窒素を含むＩｎ−Ｇａ−Ｏ膜、窒素を含むＩｎ−Ｚｎ−Ｏ膜、窒素を含むＳｎ−Ｏ膜、窒素を含むＩｎ−Ｏ膜または金属窒化膜であることを特徴とする半導体装置。
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