JP2013179289A5 - 半導体装置 - Google Patents
半導体装置 Download PDFInfo
- Publication number
- JP2013179289A5 JP2013179289A5 JP2013019262A JP2013019262A JP2013179289A5 JP 2013179289 A5 JP2013179289 A5 JP 2013179289A5 JP 2013019262 A JP2013019262 A JP 2013019262A JP 2013019262 A JP2013019262 A JP 2013019262A JP 2013179289 A5 JP2013179289 A5 JP 2013179289A5
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- oxide semiconductor
- semiconductor film
- region
- film
- contact
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Granted
Links
- 239000004065 semiconductor Substances 0.000 title claims 27
- IJGRMHOSHXDMSA-UHFFFAOYSA-N nitrogen Chemical compound N#N IJGRMHOSHXDMSA-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims 12
- 230000015572 biosynthetic process Effects 0.000 claims 6
- 238000005755 formation reaction Methods 0.000 claims 6
- 229910052733 gallium Inorganic materials 0.000 claims 6
- 229910052738 indium Inorganic materials 0.000 claims 6
- 229910052757 nitrogen Inorganic materials 0.000 claims 6
- 239000012535 impurity Substances 0.000 claims 4
- 229910020923 Sn-O Inorganic materials 0.000 claims 2
- 229910007541 Zn O Inorganic materials 0.000 claims 2
- 230000002093 peripheral Effects 0.000 claims 2
- 229910052725 zinc Inorganic materials 0.000 claims 2
- 239000002184 metal Substances 0.000 claims 1
- 229910052751 metal Inorganic materials 0.000 claims 1
- TWXTWZIUMCFMSG-UHFFFAOYSA-N nitride(3-) Chemical compound [N-3] TWXTWZIUMCFMSG-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims 1
Claims (3)
- 絶縁表面上の不純物元素が添加された第1の領域、前記第1の領域の外側領域を囲うチャネル形成領域、および前記チャネル形成領域の外側領域を囲み、不純物元素が少なくとも一部に添加された第2の領域を少なくとも含む酸化物半導体膜と、
前記酸化物半導体膜上のゲート絶縁膜と、
前記ゲート絶縁膜上の、前記チャネル形成領域と重畳するゲート電極と、
前記ゲート電極に囲まれ、前記酸化物半導体膜の前記第1の領域上と接するソース電極と、
前記酸化物半導体膜の側端部を含む外周部全体を囲み、前記酸化物半導体膜の前記第2の領域上と接するドレイン電極と、を有し、
前記酸化物半導体膜は、第1の酸化物半導体膜と第2の酸化物半導体膜を有し、
前記第1の酸化物半導体膜と前記第2の酸化物半導体膜は、それぞれInとGaとZnとを有し、
前記第1の酸化物半導体膜と前記第2の酸化物半導体膜のうち、前記ゲート絶縁膜と接する方は、InとGaの含有率がIn>Gaであり、他方は、InとGaの含有率がIn≦Gaであることを特徴とする半導体装置。 - 下地絶縁膜に埋め込まれ、上面の少なくとも一部が前記下地絶縁膜から露出したソース電極と、
前記下地絶縁膜および前記ソース電極上の不純物元素が添加された第1の領域、前記第1の領域の外側領域を囲うチャネル形成領域、および前記チャネル形成領域の外側領域を囲み、不純物元素が少なくとも一部に添加された第2の領域を少なくとも含む酸化物半導体膜と、
前記酸化物半導体膜上のゲート絶縁膜と、
前記ゲート絶縁膜上の、前記チャネル形成領域と重畳するゲート電極と、
前記酸化物半導体膜の側端部を含む外周部全体を囲み、前記酸化物半導体膜の前記第2の領域上と接するドレイン電極と、を有し、
前記ソース電極は、前記第1の領域と接し、
前記酸化物半導体膜は、第1の酸化物半導体膜と第2の酸化物半導体膜を有し、
前記第1の酸化物半導体膜と前記第2の酸化物半導体膜は、それぞれInとGaとZnとを有し、
前記第1の酸化物半導体膜と前記第2の酸化物半導体膜のうち、前記ゲート絶縁膜と接する方は、InとGaの含有率がIn>Gaであり、他方は、InとGaの含有率がIn≦Gaであることを特徴とする半導体装置。 - 請求項1又は請求項2において、
前記ゲート電極は、第1の導電層と第2の導電層を有し、
前記第1の導電層と前記第2の導電層のうち、前記ゲート絶縁膜と接する方は、窒素を含むIn−Ga−Zn−O膜、窒素を含むIn−Sn−O膜、窒素を含むIn−Ga−O膜、窒素を含むIn−Zn−O膜、窒素を含むSn−O膜、窒素を含むIn−O膜または金属窒化膜であることを特徴とする半導体装置。
Priority Applications (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP2013019262A JP6131060B2 (ja) | 2012-02-09 | 2013-02-04 | 半導体装置 |
Applications Claiming Priority (3)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP2012026713 | 2012-02-09 | ||
JP2012026713 | 2012-02-09 | ||
JP2013019262A JP6131060B2 (ja) | 2012-02-09 | 2013-02-04 | 半導体装置 |
Publications (3)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JP2013179289A JP2013179289A (ja) | 2013-09-09 |
JP2013179289A5 true JP2013179289A5 (ja) | 2016-01-28 |
JP6131060B2 JP6131060B2 (ja) | 2017-05-17 |
Family
ID=49270626
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP2013019262A Active JP6131060B2 (ja) | 2012-02-09 | 2013-02-04 | 半導体装置 |
Country Status (1)
Country | Link |
---|---|
JP (1) | JP6131060B2 (ja) |
Families Citing this family (3)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
KR102270823B1 (ko) | 2013-10-22 | 2021-06-30 | 가부시키가이샤 한도오따이 에네루기 켄큐쇼 | 반도체 장치와 그 제작 방법 |
WO2019166921A1 (ja) * | 2018-03-02 | 2019-09-06 | 株式会社半導体エネルギー研究所 | 半導体装置、および半導体装置の作製方法 |
KR20200127993A (ko) | 2018-03-07 | 2020-11-11 | 가부시키가이샤 한도오따이 에네루기 켄큐쇼 | 반도체 장치 및 반도체 장치의 제작 방법 |
Family Cites Families (6)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP2002151700A (ja) * | 2000-11-15 | 2002-05-24 | Fujitsu Ltd | 薄膜トランジスタ |
TW586238B (en) * | 2003-06-05 | 2004-05-01 | Hannstar Display Corp | Circular thin film transistor structure |
JP5718052B2 (ja) * | 2007-08-02 | 2015-05-13 | アプライド マテリアルズ インコーポレイテッドApplied Materials,Incorporated | 薄膜半導体材料を用いる薄膜トランジスタ |
TWI512997B (zh) * | 2009-09-24 | 2015-12-11 | Semiconductor Energy Lab | 半導體裝置,電源電路,和半導體裝置的製造方法 |
KR101823853B1 (ko) * | 2010-03-12 | 2018-02-01 | 가부시키가이샤 한도오따이 에네루기 켄큐쇼 | 반도체 장치 및 그 제작 방법 |
US8912537B2 (en) * | 2010-04-23 | 2014-12-16 | Hitachi, Ltd. | Semiconductor device, RFID tag using the same and display device |
-
2013
- 2013-02-04 JP JP2013019262A patent/JP6131060B2/ja active Active
Similar Documents
Publication | Publication Date | Title |
---|---|---|
JP2010212673A5 (ja) | 半導体装置 | |
JP2014007399A5 (ja) | ||
JP2010212672A5 (ja) | 半導体装置 | |
JP2014003280A5 (ja) | 半導体装置 | |
JP2013115433A5 (ja) | 半導体素子 | |
JP2013138191A5 (ja) | ||
JP2013236068A5 (ja) | 半導体装置 | |
JP2015111706A5 (ja) | 表示装置および電子機器 | |
JP2010170110A5 (ja) | 半導体装置 | |
JP2013175716A5 (ja) | 半導体装置 | |
JP2015005734A5 (ja) | ||
JP2015053477A5 (ja) | 半導体装置 | |
JP2011097103A5 (ja) | ||
JP2011181917A5 (ja) | ||
JP2014042013A5 (ja) | ||
JP2011054949A5 (ja) | 半導体装置 | |
JP2011171721A5 (ja) | ||
JP2013229587A5 (ja) | ||
JP2012074692A5 (ja) | 電界効果トランジスタ | |
JP2013236072A5 (ja) | ||
JP2011029635A5 (ja) | 半導体装置 | |
JP2017175129A5 (ja) | 半導体装置 | |
JP2012151460A5 (ja) | 半導体装置 | |
JP2013211538A5 (ja) | ||
JP2010192881A5 (ja) | 半導体装置 |