JP2013179283A5 - 半導体装置 - Google Patents
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Claims (2)
- 酸化物絶縁膜上に設けられたチャネル形成領域を含む酸化物半導体膜と、
前記酸化物半導体膜上にゲート絶縁膜と、
前記ゲート絶縁膜上にゲート電極層と、
前記ゲート絶縁膜の上面の一部、及び前記ゲート電極層の側面を覆う第１の側壁絶縁層と、
前記酸化物半導体膜の上面の一部、前記ゲート絶縁膜の側面、及び前記第１の側壁絶縁層の側面を覆う第２の側壁絶縁層と、
前記第２の側壁絶縁層の側面を覆う第３の側壁絶縁層と、
前記酸化物半導体膜と電気的に接続するソース電極層及びドレイン電極層とを有し、
前記第１の側壁絶縁層及び前記第３の側壁絶縁層は酸化物絶縁膜であり、
前記第２の側壁絶縁層は、前記第１の側壁絶縁層より酸素透過性の低い金属元素を含む絶縁膜であることを特徴とする半導体装置。 - 酸化物絶縁膜上に設けられたチャネル形成領域を含む酸化物半導体膜と、
前記酸化物半導体膜上にゲート絶縁膜と、
前記ゲート絶縁膜上にゲート電極層と、
前記ゲート電極層上に絶縁膜と、
前記ゲート絶縁膜の上面の一部、前記ゲート電極層の側面、及び前記絶縁膜の側面を覆う第１の側壁絶縁層と、
前記酸化物半導体膜の上面の一部、前記ゲート絶縁膜の側面、及び前記第１の側壁絶縁層の側面を覆う第２の側壁絶縁層と、
前記第２の側壁絶縁層の側面を覆う第３の側壁絶縁層と、
前記酸化物半導体膜と電気的に接続するソース電極層及びドレイン電極層とを有し、
前記第１の側壁絶縁層及び前記第３の側壁絶縁層は酸化物絶縁膜であり、
前記第２の側壁絶縁層及び前記絶縁膜は、前記第１の側壁絶縁層より酸素透過性の低い金属元素を含む絶縁膜であることを特徴とする半導体装置。
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