JP2013170117A5 - - Google Patents

Claims (6)

1. 反応器中にｍ本（ｍは２以上の整数）のシリコン芯線を配置し、前記反応炉内にシラン化合物を含有する原料ガスを供給し、通電により加熱された前記シリコン芯線上にＣＶＤ法により多結晶シリコンを析出させて多結晶シリコン棒を製造する方法であって、
   前記方法は、前記多結晶シリコン棒に２ｋＨｚ以上の周波数を有する電流を通電させて加熱する高周波電流通電工程を備えており、
   該高周波電流通電工程は、前記多結晶シリコンの析出により直径が８０ｍｍ以上の所定値Ｄ₀に達したｎ本（ｎは２以上でｍ以下の整数）の直列に連結された多結晶シリコン棒に対し、単一高周波電流を供給する１つの高周波電源から高周波電流を供給する工程を含み、
   前記高周波電流の周波数を、前記直列連結されたｎ本の多結晶シリコン棒を流れる際の表皮深さが１３．８ｍｍ以上で８０．０ｍｍ以下の範囲の所望の値となるように設定し、
   前記原料ガスとしてトリクロロシランを含有するガスを選択し、前記多結晶シリコン棒の表面温度を９００℃以上で１２５０℃以下に制御して多結晶シリコンを析出させること、を特徴とする多結晶シリコン棒の製造方法。
2. 低周波数電流乃至高周波電流の通電により前記シリコン芯線の加熱開始を行い、該シリコン芯線の表面が所望の温度となった後に前記多結晶シリコンの析出を開始する、請求項１に記載の多結晶シリコンの製造方法。
3. 前記シリコン芯線の加熱開始を、前記ｍ本のシリコン芯線を並列に連結し、低周波数電流を供給する１つの低周波電源からの前記並列連結されたシリコン芯線への電流供給により行う、請求項２に記載の多結晶シリコンの製造方法。
4. 前記シリコン芯線の加熱開始を、前記ｍ本のシリコン芯線同士を１番目からｍ番目へと順次直列に連結し、前記１つの高周波電源からの前記直列連結されたシリコン芯線への電流供給により行う、請求項２に記載の多結晶シリコンの製造方法。
5. 前記多結晶シリコンの析出開始後から前記多結晶シリコン棒の直径が前記所定値Ｄ₀に達するまでは、前記多結晶シリコン棒の加熱を、前記ｍ本の多結晶シリコン棒を並列に連結し、低周波数電流を供給する１つの低周波電源からの前記並列連結された多結晶シリコン棒への電流供給により行う、請求項１乃至４の何れか１項に記載の多結晶シリコンの製造方法。
6. 請求項１乃至５の何れか１項に記載の多結晶シリコン棒の製造方法において、
   前記反応器中にさらにＭ本（Ｍは２以上の整数）のシリコン芯線を配置し、前記１つの高周波電源とは別個に設けられた高周波電源であって２ｋＨｚ以上の単一高周波電流を供給する１つの高周波電源を用い、前記Ｍ本のシリコン芯線上への多結晶シリコンの析出を前記ｍ本のシリコン芯線上への多結晶シリコンの析出と同様に行う、多結晶シリコン棒の製造方法。