JP2013168461A - 基板処理装置及び基板処理方法 - Google Patents
基板処理装置及び基板処理方法 Download PDFInfo
- Publication number
- JP2013168461A JP2013168461A JP2012030154A JP2012030154A JP2013168461A JP 2013168461 A JP2013168461 A JP 2013168461A JP 2012030154 A JP2012030154 A JP 2012030154A JP 2012030154 A JP2012030154 A JP 2012030154A JP 2013168461 A JP2013168461 A JP 2013168461A
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- substrate
- stage
- processed
- locking member
- edge
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Pending
Links
Images
Classifications
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
- H01L21/67—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere
- H01L21/67005—Apparatus not specifically provided for elsewhere
- H01L21/67011—Apparatus for manufacture or treatment
- H01L21/6715—Apparatus for applying a liquid, a resin, an ink or the like
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
- H01L21/67—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere
- H01L21/683—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere for supporting or gripping
- H01L21/6838—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere for supporting or gripping with gripping and holding devices using a vacuum; Bernoulli devices
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
- H01L21/67—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere
- H01L21/683—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere for supporting or gripping
- H01L21/687—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere for supporting or gripping using mechanical means, e.g. chucks, clamps or pinches
- H01L21/68714—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere for supporting or gripping using mechanical means, e.g. chucks, clamps or pinches the wafers being placed on a susceptor, stage or support
- H01L21/68728—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere for supporting or gripping using mechanical means, e.g. chucks, clamps or pinches the wafers being placed on a susceptor, stage or support characterised by a plurality of separate clamping members, e.g. clamping fingers
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
- H01L21/67—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere
- H01L21/683—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere for supporting or gripping
- H01L21/687—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere for supporting or gripping using mechanical means, e.g. chucks, clamps or pinches
- H01L21/68714—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere for supporting or gripping using mechanical means, e.g. chucks, clamps or pinches the wafers being placed on a susceptor, stage or support
- H01L21/68742—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere for supporting or gripping using mechanical means, e.g. chucks, clamps or pinches the wafers being placed on a susceptor, stage or support characterised by a lifting arrangement, e.g. lift pins
-
- C—CHEMISTRY; METALLURGY
- C03—GLASS; MINERAL OR SLAG WOOL
- C03C—CHEMICAL COMPOSITION OF GLASSES, GLAZES OR VITREOUS ENAMELS; SURFACE TREATMENT OF GLASS; SURFACE TREATMENT OF FIBRES OR FILAMENTS MADE FROM GLASS, MINERALS OR SLAGS; JOINING GLASS TO GLASS OR OTHER MATERIALS
- C03C2218/00—Methods for coating glass
- C03C2218/10—Deposition methods
- C03C2218/11—Deposition methods from solutions or suspensions
- C03C2218/112—Deposition methods from solutions or suspensions by spraying
Landscapes
- Engineering & Computer Science (AREA)
- Physics & Mathematics (AREA)
- Condensed Matter Physics & Semiconductors (AREA)
- General Physics & Mathematics (AREA)
- Manufacturing & Machinery (AREA)
- Computer Hardware Design (AREA)
- Microelectronics & Electronic Packaging (AREA)
- Power Engineering (AREA)
- Container, Conveyance, Adherence, Positioning, Of Wafer (AREA)
- Exposure Of Semiconductors, Excluding Electron Or Ion Beam Exposure (AREA)
- Coating Apparatus (AREA)
Abstract
【課題】被処理基板をステージに載置した際に基板周縁部が浮いた状態であっても基板をステージ上に吸着保持する。
【解決手段】被処理基板Gを載置するステージ2と、前記ステージに載置される前記被処理基板の縁部を押さえ付け可能な押さえ付け手段6とを備え、前記押さえ付け手段は、前記被処理基板の周囲に複数設けられ、基板上面の縁部に対し係止可能な係止面を有する係止部材7と、前記係止部材をステージ面に対して昇降移動させる昇降手段11と、前記係止部材を鉛直軸回りに回転させる回転手段9とを有し、前記係止部材の係止面が、前記回転手段により前記基板側に向けられ、前記昇降手段により前記係止部材が下降移動されることにより、前記係止部材が前記被処理基板の縁部に係止し、前記ステージに対し押さえ付ける。
【選択図】図1
【解決手段】被処理基板Gを載置するステージ2と、前記ステージに載置される前記被処理基板の縁部を押さえ付け可能な押さえ付け手段6とを備え、前記押さえ付け手段は、前記被処理基板の周囲に複数設けられ、基板上面の縁部に対し係止可能な係止面を有する係止部材7と、前記係止部材をステージ面に対して昇降移動させる昇降手段11と、前記係止部材を鉛直軸回りに回転させる回転手段9とを有し、前記係止部材の係止面が、前記回転手段により前記基板側に向けられ、前記昇降手段により前記係止部材が下降移動されることにより、前記係止部材が前記被処理基板の縁部に係止し、前記ステージに対し押さえ付ける。
【選択図】図1
Description
本発明は、基板処理装置及び基板処理方法に関し、特に被処理基板をステージ上に保持し、前記被処理基板に所定の処理を施す基板処理装置及び基板処理方法に関する。
例えばシリコンを用いる太陽電池は、n型シリコンとp型シリコンとが積層された半導体構造を有し、この半導体に所定波長の光が当たると、光電効果により電気が発生する。この太陽電池は、太陽光などの光を効率よく吸収するために、通常、受光面を構成するパネル(以下、カバーガラスと称する)を反射防止膜で被覆している。
従来、カバーガラスに反射防止膜を形成する方法としては、例えば、特許文献1に開示されるように、プラズマCVD法により水素を含有する窒化シリコン膜を前記パネルに形成する技術などが知られている。
従来、カバーガラスに反射防止膜を形成する方法としては、例えば、特許文献1に開示されるように、プラズマCVD法により水素を含有する窒化シリコン膜を前記パネルに形成する技術などが知られている。
しかしながら、プラズマCVD法により反射防止膜を形成する場合、真空排気設備が必要になるなど、設備が大規模になるため、コストが嵩むという課題がある。
前記課題を解決するものとして、所定の塗布液をカバーガラスに塗布し、塗布膜を焼成することにより反射防止膜を形成する方法がある。この方法によれば、真空環境でなくともガラス上に反射防止膜を形成することができ、コストを低減することができる。
前記課題を解決するものとして、所定の塗布液をカバーガラスに塗布し、塗布膜を焼成することにより反射防止膜を形成する方法がある。この方法によれば、真空環境でなくともガラス上に反射防止膜を形成することができ、コストを低減することができる。
前記塗布膜形成によりカバーガラス上に反射防止膜を形成する装置として、本願出願人は、従来、図12に示すような塗布処理装置50を用いている。
図12の塗布処理装置50は、カバーガラスとなるガラス基板Gが載置されるステージ51と、前記基板Gに対しスリット状の吐出口から塗布液を吐出するスリットノズル52と、スリットノズル52を保持すると共にこれを基板Gの上面にそって走査(移動)させるノズル移動機構53とを備える。
図12の塗布処理装置50は、カバーガラスとなるガラス基板Gが載置されるステージ51と、前記基板Gに対しスリット状の吐出口から塗布液を吐出するスリットノズル52と、スリットノズル52を保持すると共にこれを基板Gの上面にそって走査(移動)させるノズル移動機構53とを備える。
ノズル移動機構53は、ステージ51の左右両側に敷設された一対のレール54と、レール54に沿って移動可能に設けられ、ステージ51を跨ぐように門状に形成された門形フレーム55と、門形フレーム55をレール54に沿って移動させるリニアモータ機構などの駆動機構56とを有している。
前記門形フレーム55は、ノズル保持部57によってスリットノズル52を保持し、ノズル保持部57はボールねじ機構などの昇降機構58によって昇降移動可能になっている。
前記門形フレーム55は、ノズル保持部57によってスリットノズル52を保持し、ノズル保持部57はボールねじ機構などの昇降機構58によって昇降移動可能になっている。
このように構成された塗布処理装置50においてガラス基板Gに反射防止膜を形成するための塗布液の塗布処理は次のように行われる。
先ず、ステージ51にガラス基板Gが載置され、ステージ51に設けられたアライメント機構(図示せず)によりステージ面に沿った水平方向の位置合わせがなされる。また、基板Gはステージ51に設けられた吸引機構(図示せず)によりステージ51に吸着され保持される。
そして、駆動機構56により、スリットノズル52はステージ52上に保持されたガラス基板Gの一端から他端まで走査されると共に、塗布液をガラス基板G上に吐出し、基板G上には塗布液が膜状に塗布される。
先ず、ステージ51にガラス基板Gが載置され、ステージ51に設けられたアライメント機構(図示せず)によりステージ面に沿った水平方向の位置合わせがなされる。また、基板Gはステージ51に設けられた吸引機構(図示せず)によりステージ51に吸着され保持される。
そして、駆動機構56により、スリットノズル52はステージ52上に保持されたガラス基板Gの一端から他端まで走査されると共に、塗布液をガラス基板G上に吐出し、基板G上には塗布液が膜状に塗布される。
ところで、太陽電池に用いられるカバーガラスは、強度を持たせるために強化ガラスが用いられる。強化ガラスの形成にあっては、板ガラスを高温(例えば約700℃)まで加熱した後、ガラス表面に空気を吹き付け、均一かつ急激に冷やすことで強化する方法(風冷強化法)が多く採用されている。
しかしながら、そのように風冷強化法により形成されたカバーガラスにあっては、急激な温度変化により基板周縁部が反ることが多く、図13のようにステージ51上に載置された基板Gの縁部が浮き、ステージ面に設けられた吸引部60から吸引しても基板Gをステージ51に吸着できないことがあった。
その結果、塗布処理において基板上を走査されるスリットノズル52が基板Gに干渉する、あるいはステージ51に対して基板Gが傾斜するため、膜厚が偏るなどの不具合が生じるという課題があった。
その結果、塗布処理において基板上を走査されるスリットノズル52が基板Gに干渉する、あるいはステージ51に対して基板Gが傾斜するため、膜厚が偏るなどの不具合が生じるという課題があった。
また、前記カバーガラスにあっては、ガラス面の光反射を低減し、光の吸収率を向上させるためにガラスの一面(片面)にエンボス加工が施されるものがある。しかしながら、そのようなエンボス加工を施す際にも、基板周縁が反ることがあり、前記のような反りに起因する課題を有していた。
本発明は、上記のような従来技術の問題点に鑑みてなされたものであり、被処理基板をステージ上に吸着保持し、前記被処理基板に所定の処理を施す基板処理装置において、被処理基板をステージに載置した際に基板周縁部が浮いた状態であっても基板をステージ上に吸着保持することのできる基板処理装置及び基板処理方法を提供する。
前記した課題を解決するために、本発明に係る基板処理装置は、被処理基板をステージ上に保持し、前記被処理基板に所定の処理を施す基板処理装置であって、前記被処理基板を載置する前記ステージと、前記ステージに載置される前記被処理基板の縁部を押さえ付け可能な押さえ付け手段とを備え、前記押さえ付け手段は、前記被処理基板の周囲に複数設けられ、基板上面の縁部に対し係止可能な係止面を有する係止部材と、前記係止部材をステージ面に対して昇降移動させる昇降手段と、前記係止部材を鉛直軸回りに回転させる回転手段とを有し、前記係止部材の係止面が、前記回転手段により前記基板側に向けられ、前記昇降手段により前記係止部材が下降移動されることにより、前記係止部材が前記被処理基板の縁部に係止し、前記ステージに対し押さえ付けることに特徴を有する。
このように構成することにより、被処理基板をステージに載置した際、仮に被処理基板の縁部が反ってステージから浮いた状態であっても、前記複数の係止部材により基板周縁部を押さえ付け、基板全体をステージに密着させることができる。
その結果、例えば塗布処理において基板上を走査されるスリットノズルが基板に干渉することがなく、また、ステージに対して基板面が傾斜することがないため、塗布膜を均一に塗布することができる。
このように構成することにより、被処理基板をステージに載置した際、仮に被処理基板の縁部が反ってステージから浮いた状態であっても、前記複数の係止部材により基板周縁部を押さえ付け、基板全体をステージに密着させることができる。
その結果、例えば塗布処理において基板上を走査されるスリットノズルが基板に干渉することがなく、また、ステージに対して基板面が傾斜することがないため、塗布膜を均一に塗布することができる。
また、前記ステージに載置された被処理基板の周囲において、前記ステージの上面から上方に突出する複数の位置調整ピンを有すると共に、前記位置調整ピンにより前記ステージに載置された被処理基板の端部を水平方向に押圧して、前記被処理基板を水平方向において所定の位置に配置するための水平方向位置調整手段を備えることが望ましい。
このように水平方向位置調整手段を有することにより、水平方向における所定位置に基板を配置し、前記係止部材が下降移動された際、係止部材の係止面が基板周縁部に係止するようにすることができる。
このように水平方向位置調整手段を有することにより、水平方向における所定位置に基板を配置し、前記係止部材が下降移動された際、係止部材の係止面が基板周縁部に係止するようにすることができる。
また、前記押さえ付け手段により前記ステージ面に押さえ付けられる被処理基板を、前記ステージ面に設けられた複数の吸引部により吸引し、ステージ面に吸着させる吸着手段を備えることが望ましい。
このように吸着手段を有することにより、基板をステージ面に完全に吸着保持することができる。
このように吸着手段を有することにより、基板をステージ面に完全に吸着保持することができる。
また、前記した課題を解決するために、本発明に係る基板処理方法は、被処理基板をステージ上に保持し、前記被処理基板に所定の処理を施す基板処理方法であって、前記ステージ上に前記被処理基板を載置するステップと、前記ステージに載置される前記被処理基板の周囲に複数設けられ、基板上面の縁部に対し係止可能な係止面を有する係止部材を、前記基板側に向けるステップと、前記係止部材を下降移動させ、前記係止部材により前記被処理基板の縁部を前記ステージに対し押さえ付けるステップとを含むことに特徴を有する。
このようなステップにより、被処理基板をステージに載置した際、仮に被処理基板の縁部が反ってステージから浮いた状態であっても、前記複数の係止部材により基板周縁部を押さえ付け、基板全体をステージに密着させることができる。
その結果、例えば塗布処理において基板上を走査されるスリットノズルが基板に干渉することがなく、また、ステージに対して基板面が傾斜することがないため、塗布膜を均一に塗布することができる。
このようなステップにより、被処理基板をステージに載置した際、仮に被処理基板の縁部が反ってステージから浮いた状態であっても、前記複数の係止部材により基板周縁部を押さえ付け、基板全体をステージに密着させることができる。
その結果、例えば塗布処理において基板上を走査されるスリットノズルが基板に干渉することがなく、また、ステージに対して基板面が傾斜することがないため、塗布膜を均一に塗布することができる。
また、前記ステージ上に前記被処理基板を載置するステップの後、前記被処理基板の周囲において前記ステージの上面から上方に突出する複数の位置調整ピンにより前記被処理基板の端部を水平方向に押圧し、前記被処理基板を水平方向において所定の位置に配置するステップを実行することが望ましい。
このようにすることにより、水平方向における所定位置に基板を配置し、前記係止部材が下降移動された際、係止部材の係止面が基板周縁部に係止するようにすることができる。
このようにすることにより、水平方向における所定位置に基板を配置し、前記係止部材が下降移動された際、係止部材の係止面が基板周縁部に係止するようにすることができる。
また、前記係止部材により前記被処理基板の縁部を前記ステージに対し押さえ付けるステップの後、前記ステージ面に押さえ付けられた被処理基板を、前記ステージ面に設けられた複数の吸引部により吸引し、ステージ面に吸着させるステップを実行することが望ましい。
このようにすることにより、基板をステージ面に完全に吸着保持することができる。
このようにすることにより、基板をステージ面に完全に吸着保持することができる。
本発明によれば、被処理基板をステージ上に吸着保持し、前記被処理基板に所定の処理を施す基板処理装置において、被処理基板をステージに載置した際に基板周縁部が浮いた状態であっても基板をステージ上に吸着保持することのできる基板処理装置及び基板処理方法を得ることができる。
以下、本発明にかかる実施の形態につき、図に基づいて説明する。図1は、本発明に係る基板処理装置を適用可能な塗布処理装置の実施形態を示す側断面図である。また、図2は、図1の塗布処理装置の平面図であり、図3は、図1の塗布処理装置を正面から見た断面図である。尚、この塗布処理装置1は、例えば太陽電池カバーガラス用のガラス基板(以下、基板Gと称する)を被処理基板とし、基板G上に反射防止膜を形成するための塗布液を塗布する装置である。
図示するように塗布処理装置1は、基板Gを載置するためのステージ2と、ステージ2の左右両側に敷設された一対のレール3と、レール3に沿って走査方向(X方向)に移動可能なノズル移動機構4とを備える。
ステージ2は、箱状の筐体5の上部に固定され、その上面に基板Gが載置されるようになっている。筐体5内には、ステージ2に載置された基板Gの周縁部を押さえ付けるための押圧機構6(押さえ付け手段)が設けられている。
この押圧機構6は、基板Gの周縁部を押さえ付けるための複数の爪部材7(係止部材)と、それら爪部材7を支持する複数の直立棒8とを有している。
前記爪部材7は、直立棒8の上端において水平方向に鍔状に突出して設けられ、その下面(係止面)が基板上面の縁部に係止し、基板縁部をステージ2に対して押さえ付けるようになっている。また、押圧機構6は、各直立棒8をそれぞれ軸回りに回転可能に支持する回転機構9(回転手段)と、全ての回転機構9を同じ高さに保持するフレーム10とを有する。更には、前記フレーム10を昇降可能に保持する昇降機構11(昇降手段)を有し、この昇降機構11は、筐体5の底部に設けられている。
この押圧機構6は、基板Gの周縁部を押さえ付けるための複数の爪部材7(係止部材)と、それら爪部材7を支持する複数の直立棒8とを有している。
前記爪部材7は、直立棒8の上端において水平方向に鍔状に突出して設けられ、その下面(係止面)が基板上面の縁部に係止し、基板縁部をステージ2に対して押さえ付けるようになっている。また、押圧機構6は、各直立棒8をそれぞれ軸回りに回転可能に支持する回転機構9(回転手段)と、全ての回転機構9を同じ高さに保持するフレーム10とを有する。更には、前記フレーム10を昇降可能に保持する昇降機構11(昇降手段)を有し、この昇降機構11は、筐体5の底部に設けられている。
また、ステージ2には、上下に貫通する複数の貫通孔2aが設けられ、それら複数の貫通孔2aには前記複数の直立棒8がそれぞれ上下動自在に挿通されている。これにより、前記昇降機構11が前記フレーム10を上下移動させると、それに伴い複数の直立棒8がステージ2に対して同時に上下移動するようになっている。
また、前記爪部材7は、直立棒8の上端に設けられているため、直立棒8の上下動に伴い爪部材7も上下移動するようになっている。
具体的に説明すると、爪部材7が上昇移動するとその下端(係止面である爪部材下面)が少なくとも基板面より高く突出するようになっている。
また、爪部材7が下降移動する際、爪部材7の突出方向(係止面)が基板側を向くことにより、基板縁部が爪部材7により押さえ付けられ、爪部材7の突出方向(係止面)が基板Gとは反対側を向くことにより、図7(a)に示すように貫通孔2a内に収容されるようになっている。
尚、前記複数の直立棒8は、前記のようにそれぞれ回転機構9に支持されているため、各回転機構9の駆動によって、爪部材7を鉛直軸回りに回転させることが可能である。このため、基板Gへの塗布処理時とそれ以外の待機時とで爪部材7の突出方向(係止面の方向)が基板側とその反対側との間で切り替えられるようになっている。
具体的に説明すると、爪部材7が上昇移動するとその下端(係止面である爪部材下面)が少なくとも基板面より高く突出するようになっている。
また、爪部材7が下降移動する際、爪部材7の突出方向(係止面)が基板側を向くことにより、基板縁部が爪部材7により押さえ付けられ、爪部材7の突出方向(係止面)が基板Gとは反対側を向くことにより、図7(a)に示すように貫通孔2a内に収容されるようになっている。
尚、前記複数の直立棒8は、前記のようにそれぞれ回転機構9に支持されているため、各回転機構9の駆動によって、爪部材7を鉛直軸回りに回転させることが可能である。このため、基板Gへの塗布処理時とそれ以外の待機時とで爪部材7の突出方向(係止面の方向)が基板側とその反対側との間で切り替えられるようになっている。
また、図2に示すようにステージ2には、基板Gの受け渡しの際、基板Gの角隅を含む周縁部の複数箇所をステージ面に対し所定の高さに支持するための昇降可能な受け渡しピン12が設けられている。
また、図2に示すようにステージ2の上面には、複数の直線状の吸引溝13(吸引部)が設けられ、真空ポンプなどの吸引機構14(図1参照)により吸引溝13からの吸引を行い、基板Gの下面をステージ2に吸着させるようになっている。尚、吸引溝13及び吸引機構14により吸引手段が構成される。
また、図2に示すようにステージ2の上面には、複数の直線状の吸引溝13(吸引部)が設けられ、真空ポンプなどの吸引機構14(図1参照)により吸引溝13からの吸引を行い、基板Gの下面をステージ2に吸着させるようになっている。尚、吸引溝13及び吸引機構14により吸引手段が構成される。
更に、図2に示すようにステージ2には、基板Gの水平方向の位置を所定位置に合わせるためのアライメントピン15(位置調整ピン)が、基板G周囲の四隅付近にそれぞれ2つずつ設けられている。
前記アライメントピン15は、図4(a)に示すように回転ユニット16に支持されている。回転ユニット16は、ステージ2の上面側に形成された円筒状の孔2bの中に収容されている。回転ユニット16は、アライメントピン15を直立させた状態で支持する円板状の支持板17と、支持板17の中心部を下方から支持する支持棒18と、支持棒18を軸回りに回転可能に支持する回転機構19とを有している。尚、前記アライメントピン15と回転ユニット16とにより水平方向位置調整手段が構成される。
前記アライメントピン15は、図4(a)に示すように回転ユニット16に支持されている。回転ユニット16は、ステージ2の上面側に形成された円筒状の孔2bの中に収容されている。回転ユニット16は、アライメントピン15を直立させた状態で支持する円板状の支持板17と、支持板17の中心部を下方から支持する支持棒18と、支持棒18を軸回りに回転可能に支持する回転機構19とを有している。尚、前記アライメントピン15と回転ユニット16とにより水平方向位置調整手段が構成される。
図示するようにアライメントピン15は、支持板17上の周縁部に直立しているため、回転機構19により支持棒18が軸回りに回転され、それにより支持板17が回転すると、アライメントピン15は孔2bの内周縁に沿って円弧を描くように移動する構成となされている。このため、図4(b)に示すように基板Gがステージ2に載置され、回転機構19により支持棒18が軸回りに回転されると、アライメントピン15が孔2bの内周縁に沿って移動し、図4(c)に示すようにアライメントピン15が基板Gの端部を押圧して所定位置に移動させるようになっている。
尚、前記したようにアライメントピン15は、基板Gの四隅に対応して複数設けられているため、全てのアライメントピン15が孔2bの内周縁に沿って移動することにより、ステージ2上における基板Gの水平方向位置が所定位置となるように構成されている。
尚、前記したようにアライメントピン15は、基板Gの四隅に対応して複数設けられているため、全てのアライメントピン15が孔2bの内周縁に沿って移動することにより、ステージ2上における基板Gの水平方向位置が所定位置となるように構成されている。
また、図1乃至図3に示すようにノズル移動機構4は、レール3に沿って例えばリニア機構により移動可能な一対のスライダ20と、ステージ2を跨ぐようにスライダ20の上に設けられた門形フレーム21と、門形フレーム21の下に吊り下げられた状態で支持され、基板幅方向に長い吐出口22aを有するノズル22とを備えている。
門形フレーム21には、図3に示すように水平姿勢を維持するように左右両側が垂直方向に軸が延びる一対のロッド23により支持され、このロッド23は門形フレーム21の下面に設けられたシリンダ機構24により上下移動可能となされている。
このため、ノズル22は、門形フレーム21に対して昇降することができ、塗布処理時に下降し、ステージ2上の基板Gに対して所定距離を維持するようになっている。
門形フレーム21には、図3に示すように水平姿勢を維持するように左右両側が垂直方向に軸が延びる一対のロッド23により支持され、このロッド23は門形フレーム21の下面に設けられたシリンダ機構24により上下移動可能となされている。
このため、ノズル22は、門形フレーム21に対して昇降することができ、塗布処理時に下降し、ステージ2上の基板Gに対して所定距離を維持するようになっている。
また、ノズル22には塗布液供給管25が接続され、この塗布液供給管25を介して塗布液供給部26からノズル22に塗布液が供給されるように構成されている。
尚、図3に示すように、ノズル22の下部における左右両側は、ステージ2側から突出する爪部材7との干渉を避けるために切り欠き22bが形成されている。
尚、図3に示すように、ノズル22の下部における左右両側は、ステージ2側から突出する爪部材7との干渉を避けるために切り欠き22bが形成されている。
また、図1に示すように、この塗布処理装置1の各機構(回転機構9,昇降機構11、吸引機構14、スライダ20など)は制御部30によって駆動制御されるように構成されている。
続いて、このように構成された塗布処理装置1の一連の動作について図5を用いて説明する。図5は、塗布処理装置1における基板Gへの塗布液の塗布動作の流れを示すフローである。
先ず、基板Gがステージ2の上方に搬入され、ステージ2上で受け渡しピン12(図2参照)が上昇して基板Gを受け取る。そして、受け渡しピン12が下降することにより基板Gがステージ2上に載置される(図5のステップS1)。
ここで、基板Gの縁部は、基板自体の反りにより図7(a)に示すようにステージ面に対して浮いた状態となっている。
先ず、基板Gがステージ2の上方に搬入され、ステージ2上で受け渡しピン12(図2参照)が上昇して基板Gを受け取る。そして、受け渡しピン12が下降することにより基板Gがステージ2上に載置される(図5のステップS1)。
ここで、基板Gの縁部は、基板自体の反りにより図7(a)に示すようにステージ面に対して浮いた状態となっている。
次いで、基板Gの四隅に設けられた全てのアライメントピン15が、孔2bの内周縁に沿って移動され、アライメントピン15が基板Gの端部を押圧して、基板Gがステージ2上の水平方向において所定の位置に配置される(図5のステップS2)。
水平方向における位置調整(アライメント作業)がなされると、図7(b)に示すようにステージ2に対して直立棒8が上昇移動される(図5のステップS3)。これにより、直立棒8の上端に設けられている爪部材7は基板Gよりも上方に配置される。
水平方向における位置調整(アライメント作業)がなされると、図7(b)に示すようにステージ2に対して直立棒8が上昇移動される(図5のステップS3)。これにより、直立棒8の上端に設けられている爪部材7は基板Gよりも上方に配置される。
尚、直立棒8及びその上端に設けられた爪部材7は、貫通孔2aに沿って昇降移動されるが、図6(平面図)及び図7(a)に示すように、爪部材7が貫通孔2a内に収容された状態にあっては、爪部材7は基板Gと反対側に向けて突出している(係止面が基板Gとは反対側に向けられている)。
したがって、前記ステップS3では、図7(b)に示すように爪部材7はその状態のまま基板Gよりも上方に移動され、基板Gに干渉しないようになされている。
したがって、前記ステップS3では、図7(b)に示すように爪部材7はその状態のまま基板Gよりも上方に移動され、基板Gに干渉しないようになされている。
次に回転機構9により直立棒8が軸回りに180°回転され、爪部材7が鉛直軸回りに回転し、基板G側に突出する状態(係止面が基板G側に向けられた状態)となされる(図5のステップS4)。
そして、昇降機構11によりフレーム10が下降され、図7(c)に示すように爪部材7が下降して基板Gの縁部に係止し、ステージ面に対して押さえ付ける(図5のステップS5)。これにより、基板Gの反りが矯正され、基板Gはステージ2に略密着した状態となされる。
更に、吸引機構14の駆動によりステージ2の吸引溝13から吸引動作がなされ、基板Gはステージ面に完全に吸着される(図5のステップS6)。
そして、昇降機構11によりフレーム10が下降され、図7(c)に示すように爪部材7が下降して基板Gの縁部に係止し、ステージ面に対して押さえ付ける(図5のステップS5)。これにより、基板Gの反りが矯正され、基板Gはステージ2に略密着した状態となされる。
更に、吸引機構14の駆動によりステージ2の吸引溝13から吸引動作がなされ、基板Gはステージ面に完全に吸着される(図5のステップS6)。
次いで、制御部30は、ノズル22の吐出口22aの高さが基板Gの上面から所定距離となるようにシリンダ機構24を駆動してノズル22を下降させる。そして、レール3に沿ってスライダ20を移動させ、基板G上でノズル22を走査させる。
また、制御部30は、ノズル22が基板G上を走査する際、塗布液供給部26からノズル22に塗布液を供給し、それによりノズル22の吐出口22aから塗布液が吐出されて基板Gに塗布液が塗布される(図5のステップS7)。
また、制御部30は、ノズル22が基板G上を走査する際、塗布液供給部26からノズル22に塗布液を供給し、それによりノズル22の吐出口22aから塗布液が吐出されて基板Gに塗布液が塗布される(図5のステップS7)。
基板Gに対するノズル22の走査が終了し、塗布液の塗布が完了すると、制御部30は吸引機構14の駆動を停止し、基板Gをステージ2から吸着解除する(図5のステップS8)。
また、昇降機構11の駆動によりフレーム10が上昇され、爪部材7が上昇して基板Gに対する押さえ付けが解除される(図5のステップS9)。尚、このとき基板Gの反りにより基板Gの縁部が再び浮いても、塗布後から塗布液の溶媒の揮発が進んでいるため基板上の塗布液が流れることはなく、基板面には均一に塗布液が塗布された状態となっている。
また、昇降機構11の駆動によりフレーム10が上昇され、爪部材7が上昇して基板Gに対する押さえ付けが解除される(図5のステップS9)。尚、このとき基板Gの反りにより基板Gの縁部が再び浮いても、塗布後から塗布液の溶媒の揮発が進んでいるため基板上の塗布液が流れることはなく、基板面には均一に塗布液が塗布された状態となっている。
次に回転機構9の駆動により直立棒8が軸回りに180°回転され、爪部材7が基板Gとは反対側に向けられる(図5のステップS10)。
そして、昇降機構11の駆動によりフレーム11が下降され、爪部材7が貫通孔2aに収容される(図5のステップS11)。
また、受け渡しピン12が上昇し、基板Gがステージ2の上方に配置され、搬送ロボット(図示せず)により搬出される(図5のステップS12)。
そして、昇降機構11の駆動によりフレーム11が下降され、爪部材7が貫通孔2aに収容される(図5のステップS11)。
また、受け渡しピン12が上昇し、基板Gがステージ2の上方に配置され、搬送ロボット(図示せず)により搬出される(図5のステップS12)。
以上のように、本発明に係る実施形態によれば、ステージ8に載置された基板Gの外周に沿って、水平方向に回転可能且つ昇降移動可能な複数の爪部材7が設けられ、それら複数の爪部材7により基板縁部を押さえ付け可能な構成となっている。
これにより、仮に基板Gの縁部が反ってステージ2から浮いた状態であっても、前記複数の爪部材7により基板周縁部を押さえ付け、基板Gの全体をステージ2に密着させてステージ2上に吸着保持することができる。
その結果、塗布処理において基板上を走査されるスリットノズル52が基板Gに干渉することがなく、また、ステージ2に対して基板面が傾斜することがないため、塗布膜を均一に塗布することができる。
これにより、仮に基板Gの縁部が反ってステージ2から浮いた状態であっても、前記複数の爪部材7により基板周縁部を押さえ付け、基板Gの全体をステージ2に密着させてステージ2上に吸着保持することができる。
その結果、塗布処理において基板上を走査されるスリットノズル52が基板Gに干渉することがなく、また、ステージ2に対して基板面が傾斜することがないため、塗布膜を均一に塗布することができる。
尚、前記実施の形態において示した爪部材7の幅寸法は、特に限定されるものではなく、例えば図6に示した爪幅d1よりも図8に示すように広い幅寸法d2に形成してよい。そのようにすれば、基板Gの縁部をより安定した状態で押さえ付けることができる。
また、前記実施の形態に示したステージ2の貫通路2aは、図6の平面図に示すように、爪部材7の突出した部分に沿った形状の爪部材収容部2a1がステージ2の上下に貫通して形成されているものとした。
しかしながら、塗布処理を行わない待機時に爪部材7を最も下降させても、爪部材7をステージ2の下方位置まで移動させる必要はないため、爪部材収容部2a1は、図9に示すようにステージ上面から爪部材7が隠れる程度の深さに形成すればよい。
しかしながら、塗布処理を行わない待機時に爪部材7を最も下降させても、爪部材7をステージ2の下方位置まで移動させる必要はないため、爪部材収容部2a1は、図9に示すようにステージ上面から爪部材7が隠れる程度の深さに形成すればよい。
また、前記実施の形態にあっては、図10に示すように爪部材7が基板Gの縁部に係止する奥行き寸法d3は特に限定されないが、基板Gに塗布膜形成される領域に達しない限り、奥行き寸法d3は大きいほうが好ましい。
また、前記実施の形態においては、爪部材7を昇降及び回転させる機構と、アライメントピン15の機構とを別個に設けたが、それらを一つの機構に纏めてもよい。
その場合、例えば図11(a)に示すように構成することができる。尚、図11(a)に示す機構において、既に図1乃至図3に示した部材と同じ機能を奏するものについては同一の符号及び名称で示している。
その場合、例えば図11(a)に示すように構成することができる。尚、図11(a)に示す機構において、既に図1乃至図3に示した部材と同じ機能を奏するものについては同一の符号及び名称で示している。
図示するように、爪部材7を保持する直立棒8は、円板状の支持板31の周縁部に支持され、支持板31の中心部が支持棒32によって下方から支持されている。支持棒32は回転機構9により軸回りに回転可能に支持されている。このため、支持棒32と共に支持板31が軸回りに回転すると、直立棒8が貫通孔2aの内周縁に沿って移動するようになされている。また、直立棒8の上端に支持された爪部材7は、貫通孔2aの外側に向けて突出するように配置され、基板Gが載置される前においては、図11(a)に示すように基板Gが載置される側とは反対側に向けて突出する状態となされている。
また、回転機構9は前記実施の形態で説明したようにフレーム10に支持されている。
また、回転機構9は前記実施の形態で説明したようにフレーム10に支持されている。
この構成において、図11(a)に示すようにステージ2に基板Gが載置されると、基板Gの縁部は反って浮いた状態であるが、回転機構9により支持板31が鉛直軸回りに180°回転され、直立棒8が貫通孔2aの内周縁に沿って移動する。
これにより図11(b)に示すように直立棒8が基板Gの端部を押して基板Gを所定位置まで移動させ、水平方向における位置合わせが行われる。また、このとき爪部材7は基板G側に突出した状態となっている。
次にフレーム10と共に爪部材7を下降させ、図11(c)に示すように基板Gの縁部を押さえ付け、基板Gをステージ2に密着させる。
このように構成すれば、より少ない駆動機構により基板Gの水平方向における位置合わせとステージ2への押さえ付けを行うことができる。
これにより図11(b)に示すように直立棒8が基板Gの端部を押して基板Gを所定位置まで移動させ、水平方向における位置合わせが行われる。また、このとき爪部材7は基板G側に突出した状態となっている。
次にフレーム10と共に爪部材7を下降させ、図11(c)に示すように基板Gの縁部を押さえ付け、基板Gをステージ2に密着させる。
このように構成すれば、より少ない駆動機構により基板Gの水平方向における位置合わせとステージ2への押さえ付けを行うことができる。
また、前記実施の形態にあっては、本発明に係る基板処理装置を塗布処理装置に適用したが、本発明はそれに限らず、被処理基板をステージに保持して所定の処理を施す装置であれば適用することができる。
1 塗布処理装置
2 ステージ
3 レール
4 ノズル移動機構
5 筐体
6 押圧機構(押さえ付け手段)
7 爪部材(係止部材)
8 直立棒
9 回転機構(回転手段)
11 昇降機構(昇降手段)
12 受け渡しピン
13 吸引溝(吸引部、吸引手段)
14 吸引機構(吸引手段)
15 アライメントピン(位置調整ピン、水平方向位置調整手段)
16 回転ユニット(水平方向位置調整手段)
20 スライダ
22 ノズル
30 制御部
G ガラス基板(被処理基板)
2 ステージ
3 レール
4 ノズル移動機構
5 筐体
6 押圧機構(押さえ付け手段)
7 爪部材(係止部材)
8 直立棒
9 回転機構(回転手段)
11 昇降機構(昇降手段)
12 受け渡しピン
13 吸引溝(吸引部、吸引手段)
14 吸引機構(吸引手段)
15 アライメントピン(位置調整ピン、水平方向位置調整手段)
16 回転ユニット(水平方向位置調整手段)
20 スライダ
22 ノズル
30 制御部
G ガラス基板(被処理基板)
Claims (6)
- 被処理基板をステージ上に保持し、前記被処理基板に所定の処理を施す基板処理装置であって、
前記被処理基板を載置する前記ステージと、前記ステージに載置される前記被処理基板の縁部を押さえ付け可能な押さえ付け手段とを備え、
前記押さえ付け手段は、
前記被処理基板の周囲に複数設けられ、基板上面の縁部に対し係止可能な係止面を有する係止部材と、前記係止部材をステージ面に対して昇降移動させる昇降手段と、前記係止部材を鉛直軸回りに回転させる回転手段とを有し、
前記係止部材の係止面が、前記回転手段により前記基板側に向けられ、前記昇降手段により前記係止部材が下降移動されることにより、前記係止部材が前記被処理基板の縁部に係止し、前記ステージに対し押さえ付けることを特徴とする基板処理装置。 - 前記ステージに載置された被処理基板の周囲において、前記ステージの上面から上方に突出する複数の位置調整ピンを有すると共に、前記位置調整ピンにより前記ステージに載置された被処理基板の端部を水平方向に押圧して、前記被処理基板を水平方向において所定の位置に配置するための水平方向位置調整手段を備えることを特徴とする請求項1に記載された基板処理装置。
- 前記押さえ付け手段により前記ステージ面に押さえ付けられる被処理基板を、前記ステージ面に設けられた複数の吸引部により吸引し、ステージ面に吸着させる吸着手段を備えることを特徴とする請求項1または請求項2に記載された基板処理装置。
- 被処理基板をステージ上に保持し、前記被処理基板に所定の処理を施す基板処理方法であって、
前記ステージ上に前記被処理基板を載置するステップと、
前記ステージに載置される前記被処理基板の周囲に複数設けられ、基板上面の縁部に対し係止可能な係止面を有する係止部材を、前記基板側に向けるステップと、
前記係止部材を下降移動させ、前記係止部材により前記被処理基板の縁部を前記ステージに対し押さえ付けるステップとを含むことを特徴とする基板処理方法。 - 前記ステージ上に前記被処理基板を載置するステップの後、
前記被処理基板の周囲において前記ステージの上面から上方に突出する複数の位置調整ピンにより前記被処理基板の端部を水平方向に押圧し、前記被処理基板を水平方向において所定の位置に配置するステップを実行することを特徴とする請求項4に記載された基板処理方法。 - 前記係止部材により前記被処理基板の縁部を前記ステージに対し押さえ付けるステップの後、
前記ステージ面に押さえ付けられた被処理基板を、前記ステージ面に設けられた複数の吸引部により吸引し、ステージ面に吸着させるステップを実行することを特徴とする請求項4または請求項5に記載された基板処理方法。
Priority Applications (3)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP2012030154A JP2013168461A (ja) | 2012-02-15 | 2012-02-15 | 基板処理装置及び基板処理方法 |
PCT/JP2013/051979 WO2013121878A1 (ja) | 2012-02-15 | 2013-01-30 | 基板処理装置及び基板処理方法 |
TW102104473A TW201341064A (zh) | 2012-02-15 | 2013-02-05 | 基板處理裝置及基板處理方法 |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP2012030154A JP2013168461A (ja) | 2012-02-15 | 2012-02-15 | 基板処理装置及び基板処理方法 |
Publications (1)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JP2013168461A true JP2013168461A (ja) | 2013-08-29 |
Family
ID=48983993
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP2012030154A Pending JP2013168461A (ja) | 2012-02-15 | 2012-02-15 | 基板処理装置及び基板処理方法 |
Country Status (3)
Country | Link |
---|---|
JP (1) | JP2013168461A (ja) |
TW (1) | TW201341064A (ja) |
WO (1) | WO2013121878A1 (ja) |
Cited By (6)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP2017112197A (ja) * | 2015-12-16 | 2017-06-22 | 株式会社Screenホールディングス | 基板保持装置、塗布装置、基板保持方法 |
JP2018101676A (ja) * | 2016-12-20 | 2018-06-28 | 東京応化工業株式会社 | 塗布装置、及び塗布方法 |
JP2020136480A (ja) * | 2019-02-19 | 2020-08-31 | 株式会社Screenホールディングス | 基板処理装置および基板処理方法 |
JP2021012982A (ja) * | 2019-07-09 | 2021-02-04 | 日本特殊陶業株式会社 | 静電チャック装置 |
JP2021184442A (ja) * | 2020-05-22 | 2021-12-02 | アピックヤマダ株式会社 | 樹脂モールド装置 |
JP2022050928A (ja) * | 2020-09-18 | 2022-03-31 | 株式会社Screenホールディングス | 基板保持装置、および、基板保持方法 |
Families Citing this family (6)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
CN104979264B (zh) * | 2014-04-14 | 2017-07-28 | 沈阳芯源微电子设备有限公司 | 一种全自动清洗晶圆边缘夹持机构 |
CN111383979B (zh) * | 2018-12-27 | 2023-03-03 | 上海微电子装备(集团)股份有限公司 | 翘曲片的预对准装置及方法 |
KR102161527B1 (ko) * | 2019-06-11 | 2020-10-05 | 세메스 주식회사 | 스테이지 유닛 및 이를 포함하는 다이 본딩 장치 |
CN111009596B (zh) * | 2019-12-18 | 2021-07-09 | 温岭市第二绝缘材料厂 | 一种可自动投料的太阳能组件覆膜压边装置 |
JP6788922B1 (ja) * | 2020-01-10 | 2020-11-25 | 上野精機株式会社 | 電子部品の処理装置 |
CN115350877A (zh) * | 2022-09-19 | 2022-11-18 | 无锡极电光能科技有限公司 | 涂布机及利用其对基片进行涂布的方法 |
Family Cites Families (2)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JPH05299425A (ja) * | 1992-04-24 | 1993-11-12 | Nec Kansai Ltd | ボールバンプボンダ |
JP2002016127A (ja) * | 2000-06-29 | 2002-01-18 | Micronics Japan Co Ltd | チャックトップ |
-
2012
- 2012-02-15 JP JP2012030154A patent/JP2013168461A/ja active Pending
-
2013
- 2013-01-30 WO PCT/JP2013/051979 patent/WO2013121878A1/ja active Application Filing
- 2013-02-05 TW TW102104473A patent/TW201341064A/zh unknown
Cited By (9)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP2017112197A (ja) * | 2015-12-16 | 2017-06-22 | 株式会社Screenホールディングス | 基板保持装置、塗布装置、基板保持方法 |
JP2018101676A (ja) * | 2016-12-20 | 2018-06-28 | 東京応化工業株式会社 | 塗布装置、及び塗布方法 |
JP2020136480A (ja) * | 2019-02-19 | 2020-08-31 | 株式会社Screenホールディングス | 基板処理装置および基板処理方法 |
JP2021012982A (ja) * | 2019-07-09 | 2021-02-04 | 日本特殊陶業株式会社 | 静電チャック装置 |
JP7329997B2 (ja) | 2019-07-09 | 2023-08-21 | 日本特殊陶業株式会社 | 静電チャック装置 |
JP2021184442A (ja) * | 2020-05-22 | 2021-12-02 | アピックヤマダ株式会社 | 樹脂モールド装置 |
JP7323937B2 (ja) | 2020-05-22 | 2023-08-09 | アピックヤマダ株式会社 | 樹脂モールド装置 |
JP2022050928A (ja) * | 2020-09-18 | 2022-03-31 | 株式会社Screenホールディングス | 基板保持装置、および、基板保持方法 |
JP7264857B2 (ja) | 2020-09-18 | 2023-04-25 | 株式会社Screenホールディングス | 基板保持装置、および、基板保持方法 |
Also Published As
Publication number | Publication date |
---|---|
TW201341064A (zh) | 2013-10-16 |
WO2013121878A1 (ja) | 2013-08-22 |
Similar Documents
Publication | Publication Date | Title |
---|---|---|
WO2013121878A1 (ja) | 基板処理装置及び基板処理方法 | |
US7516833B2 (en) | Multi-station workpiece processors, methods of processing semiconductor workpieces within multi-station workpiece processors, and methods of moving semiconductor workpieces within multi-station workpiece processors | |
KR101274890B1 (ko) | 기판 탑재 기구 및 그것을 이용한 기판 처리 장치 | |
KR101335302B1 (ko) | 리프트 핀 구동장치 및 이를 구비한 평판표시소자 제조장치 | |
CN109628905A (zh) | 载板和镀膜设备 | |
JP2018142700A (ja) | 基板搬送装置および方法 | |
KR101209654B1 (ko) | 트레이 틸트 장치 | |
KR101666805B1 (ko) | 기판 회전 장치 | |
JP2014214380A (ja) | 大面積基板用水平型原子層蒸着装置 | |
KR20140137873A (ko) | 글라스와 마스크의 정렬장치 | |
KR100819496B1 (ko) | 평판 표시소자의 배기, 봉착장치 및 방법 | |
KR102588603B1 (ko) | 리프트핀 어셈블리를 및 이를 갖는 기판 처리 장치 | |
KR102616246B1 (ko) | 처리액을 공급 및 회수하는 기판 처리 장치 | |
CN110079758B (zh) | 烘烤装置及电致发光器件基板的烘烤方法 | |
KR101688842B1 (ko) | 기판 처리 장치 | |
KR20200079031A (ko) | 이송 로봇 및 이를 포함하는 이송 장치 | |
WO2019134194A1 (zh) | 基板取放设备及取放方法 | |
JP6535828B1 (ja) | 基板処理装置 | |
KR101362458B1 (ko) | 리프트 핀 모듈 및 이것을 포함하는 평판표시소자 제조장치 | |
KR101129041B1 (ko) | 플렉시블 디스플레이용 홀더 스테이지 및 그 기판 적재 방법 | |
KR100730459B1 (ko) | 액정표시장치의 글라스 셀 자동 로딩장치 | |
JP7441995B2 (ja) | 基板処理装置 | |
KR101499465B1 (ko) | 원자층 증착 공정용 대면적 기판 처짐 방지 물류 장치 | |
KR20050086268A (ko) | 평판표시소자 제조장치 | |
KR20120111712A (ko) | 대면적 기재용 패터닝 장치 및 패터닝 방법 |