JP7264857B2 - 基板保持装置、および、基板保持方法 - Google Patents

基板保持装置、および、基板保持方法 Download PDF

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Description

本願明細書に開示される技術は、基板保持装置、および、基板保持方法に関するものである。処理対象となる基板には、たとえば、半導体ウエハ、液晶表示装置用ガラス基板、有機ＥＬ(ｅｌｅｃｔｒｏｌｕｍｉｎｅｓｃｅｎｃｅ)表示装置などのｆｌａｔ ｐａｎｅｌ ｄｉｓｐｌａｙ（ＦＰＤ）用基板、光ディスク用基板、磁気ディスク用基板、光磁気ディスク用基板、フォトマスク用ガラス基板、セラミック基板、電界放出ディスプレイ（ｆｉｅｌｄ ｅｍｉｓｓｉｏｎ ｄｉｓｐｌａｙ、すなわち、ＦＥＤ）用基板、または、太陽電池用基板などが含まれる。
従来より、基板の製造工程では、基板処理装置を用いて基板に対して様々な処理が行われている。
基板処理の際に基板を保持する方法としては、真空吸着による真空チャックなどが採用されている。
特開２０１６－０４０８０５号公報
しかしながら、真空チャンバ内で基板処理を行う場合には、上記のような真空チャックを用いて基板を適切に保持することは困難である。
また、基板処理に用いられる基板には湾曲しているものも含まれるため、そのような基板も含めて適切に保持することが望まれる。
本願明細書に開示される技術は、以上に記載されたような問題を鑑みてなされたものであり、真空チャンバ内において、湾曲している基板であっても適切に保持するための技術である。
本願明細書に開示される技術の第１の態様である基板保持方法は、真空チャンバ内において、少なくとも中央部が凸に湾曲されたステージの上面に基板を配置する工程と、前記基板の両端部を、前記ステージの前記上面に設けられる少なくとも一対のクランプを用いて保持する工程とを備え、前記基板の上面には、薄膜が形成されており、複数の照射部から前記真空チャンバ内に光を照射することによって、前記薄膜を部分的に除去する工程をさらに備え、それぞれの前記照射部から照射される前記光の光軸は、前記ステージの前記上面と直交し、それぞれの前記照射部と前記ステージの前記上面との間の距離が等しい。
本願明細書に開示される技術の第２の態様である基板保持方法は、第１の態様である基板保持方法に関連し、前記基板を配置する工程は、前記真空チャンバ内において、第１の方向に沿って湾曲する前記ステージの前記上面に前記基板を配置する工程であり、前記基板の前記両端部を保持する工程は、前記基板の、前記第１の方向における前記両端部を、前記ステージの前記上面に設けられる前記少なくとも一対のクランプを用いて保持する工程である。
本願明細書に開示される技術の第３の態様である基板保持装置は、真空チャンバと、前記真空チャンバ内に設けられ、かつ、少なくとも中央部が凸に湾曲するステージと、前記ステージの上面に設けられ、かつ、前記上面に配置される基板の両端部を保持するための少なくとも一対のクランプとを備え、前記基板の上面には、薄膜が形成されており、前記真空チャンバ内に光を照射することによって前記薄膜を部分的に除去する複数の照射部をさらに備え、それぞれの前記照射部から照射される前記光の光軸は、前記ステージの前記上面と直交し、それぞれの前記照射部と前記ステージの前記上面との間の距離が等しい。
本願明細書に開示される技術の第４の態様である基板保持装置は、第３の態様である基板保持装置に関連し、前記ステージは、第１の方向に沿って湾曲し、前記少なくとも一対のクランプは、前記上面に配置される前記基板の、前記第１の方向における前記両端部を保持する。
本願明細書に開示される技術の第５の態様である基板保持装置は、第４の態様である基板保持装置に関連し、前記クランプは、前記ステージの前記上面において、前記第１の方向と交差する方向である第２の方向において延びて設けられる。
本願明細書に開示される技術の第６の態様である基板保持装置は、第４の態様である基板保持装置に関連し、前記クランプは、前記ステージの前記上面において、前記第１の方向と交差する方向である第２の方向において複数に離間して設けられる。
本願明細書に開示される技術の少なくとも第１、３の態様によれば、湾曲している基板であっても、ステージの上面に沿って湾曲しつつ適切に保持される。
また、本願明細書に開示される技術に関連する目的と、特徴と、局面と、利点とは、以下に示される詳細な説明と添付図面とによって、さらに明白となる。
実施の形態に関する、真空処理装置の構成の例を概略的に示す斜視図である。 実施の形態に関する真空処理装置の、真空チャンバの内部構成および周辺構成の例を示す断面図である。 変形例としての真空処理装置の、真空チャンバの内部構成および周辺構成の例を示す断面図である。 基板がステージに配置される際の動作の例を示す斜視図である。 基板がステージに配置される際の動作の例を示す斜視図である。 基板がステージに配置される際の動作の例を示す斜視図である。 ステージに備えられるクランプの変形例を示す斜視図である。 変形例としての真空処理装置の、真空チャンバの内部構成および周辺構成の例を示す断面図である。
以下、添付される図面を参照しながら実施の形態について説明する。以下の実施の形態では、技術の説明のために詳細な特徴なども示されるが、それらは例示であり、実施の形態が実施可能となるためにそれらすべてが必ずしも必須の特徴ではない。
なお、図面は概略的に示されるものであり、説明の便宜のため、適宜、構成の省略、または、構成の簡略化が図面においてなされるものである。また、異なる図面にそれぞれ示される構成などの大きさおよび位置の相互関係は、必ずしも正確に記載されるものではなく、適宜変更され得るものである。また、断面図ではない平面図などの図面においても、実施の形態の内容を理解することを容易にするために、ハッチングが付される場合がある。
また、以下に示される説明では、同様の構成要素には同じ符号を付して図示し、それらの名称と機能とについても同様のものとする。したがって、それらについての詳細な説明を、重複を避けるために省略する場合がある。
また、以下に記載される説明において、ある構成要素を「備える」、「含む」または「有する」などと記載される場合、特に断らない限りは、他の構成要素の存在を除外する排他的な表現ではない。
また、以下に記載される説明において、「第１の」または「第２の」などの序数が用いられる場合があっても、これらの用語は、実施の形態の内容を理解することを容易にするために便宜上用いられるものであり、これらの序数によって生じ得る順序などに限定されるものではない。
また、以下に記載される説明における、相対的または絶対的な位置関係を示す表現、たとえば、「一方向に」、「一方向に沿って」、「平行」、「直交」、「中心」、「同心」または「同軸」などは、特に断らない限りは、その位置関係を厳密に示す場合、および、公差または同程度の機能が得られる範囲において角度または距離が変位している場合を含むものとする。
また、以下に記載される説明において、等しい状態であることを示す表現、たとえば、「同一」、「等しい」、「均一」または「均質」などは、特に断らない限りは、厳密に等しい状態であることを示す場合、および、公差または同程度の機能が得られる範囲において差が生じている場合を含むものとする。
また、以下に記載される説明において、「上」、「下」、「左」、「右」、「側」、「底」、「表」または「裏」などの特定の位置または方向を意味する用語が用いられる場合があっても、これらの用語は、実施の形態の内容を理解することを容易にするために便宜上用いられるものであり、実際に実施される際の位置または方向とは関係しないものである。
また、以下に記載される説明において、「…の上面」または「…の下面」などと記載される場合、対象となる構成要素の上面自体または下面自体に加えて、対象となる構成要素の上面または下面に他の構成要素が形成された状態も含むものとする。すなわち、たとえば、「甲の上面に設けられる乙」と記載される場合、甲と乙との間に別の構成要素「丙」が介在することを妨げるものではない。
＜実施の形態＞
以下、本実施の形態に関する基板保持装置、および、基板保持方法について説明する。
＜基板保持装置の構成について＞
図１は、本実施の形態に関する真空処理装置１の構成の例を概略的に示す斜視図である。図１においては、真空チャンバ１２を支持するチャンバフレーム、または、実際に接続される配線などは、便宜のため図示が省略されている。なお、本実施の形態における「真空」とは、基板Ｗの特性劣化を防止するために高真空（たとえば、０．００００１Ｐａ）であることが望ましいが、当該高真空に達しない真空度である場合も含むものとする。
図１に例が示されるように、真空処理装置１は、真空チャンバ１２と、石定盤などの外部固定部１４と、真空チャンバ１２と外部固定部１４とを接続する、たとえばステンレスなどで形成された伸縮性部材であるベローズ１６Ａと、真空チャンバ１２内に光を照射する照射機構１８と、真空チャンバ１２内を減圧して真空状態にする真空ポンプ２０と、真空処理装置１のそれぞれの駆動部を制御する制御部２２とを備える。上記では、伸縮性部材の例として、ステンレスなどで形成されたベローズが示されているが、求められる仕様に応じて、ステンレス以外の金属で形成された伸縮性部材が採用されてもよいし、樹脂などで形成された伸縮性部材が採用されてもよい。また、伸縮性部材の形状は、上記のベローズ１６Ａのような蛇腹形状でなくてもよい。
真空チャンバ１２は、内部に基板Ｗが収容される空間を有する。なお、当該基板Ｗは、たとえば、上面に薄膜が形成された状態の基板である。また、真空チャンバ１２の側面には、基板Ｗを搬入および搬出する際に基板Ｗが通過するための開口部１２Ａが形成されている。開口部１２Ａは、真空チャンバ１２が真空状態となる際に適宜閉じられる。真空チャンバ１２の内部に収容される他の構成については、後述する。
照射機構１８は、真空チャンバ１２内に収容された基板Ｗの上面に向けて光を照射する。照射機構１８は、たとえばレーザー光を照射する。なお、照射機構１８は、加工などの目的に応じて、たとえば電子線などの光を照射するものであってもよい。照射機構１８は、図示しない照射窓（石英などの透明板）を介して、真空チャンバ１２の外部から真空チャンバ１２内に収容された基板Ｗの上面に光を照射する。そして、真空チャンバ１２内の基板Ｗが照射機構１８に対して相対的に移動することによって、または、照射機構１８における光学系の制御によって、光が基板Ｗの上面を走査する。また、照射機構１８は、外部固定部１４に固定された架台２４の上面に配置される。
制御部２２は、たとえば、ハードディスクドライブ（Ｈａｒｄ ｄｉｓｋ ｄｒｉｖｅ、すなわち、ＨＤＤ）、ランダムアクセスメモリ（ｒａｎｄｏｍ ａｃｃｅｓｓ ｍｅｍｏｒｙ、すなわち、ＲＡＭ）、リードオンリーメモリ（ｒｅａｄ ｏｎｌｙ ｍｅｍｏｒｙ、すなわち、ＲＯＭ）、フラッシュメモリ、揮発性または不揮発性の半導体メモリ、磁気ディスク、フレキシブルディスク、光ディスク、コンパクトディスク、ミニディスクまたはＤＶＤなどを含むメモリ（記憶媒体）を含む記憶装置と、たとえば、当該記憶装置、外部のＣＤ－ＲＯＭ、外部のＤＶＤ－ＲＯＭ、または、外部のフラッシュメモリなどに格納されたプログラムを実行する中央演算処理装置（ｃｅｎｔｒａｌ ｐｒｏｃｅｓｓｉｎｇ ｕｎｉｔ、すなわち、ＣＰＵ）などの処理回路と、マウス、キーボード、タッチパネル、または、各種スイッチなどの、情報を入力することができる入力装置と、ディスプレイ、液晶表示装置、または、ランプなどの、情報を出力することができる出力装置とを含むことができる。
制御部２２は、照射機構１８における光源の出力および照射領域の制御、または、真空ポンプ２０の出力制御、さらには、後述するそれぞれの駆動部（たとえば、リニアモータ機構の駆動部またはリフトピン機構の駆動部）の駆動制御などを行う。
図２は、本実施の形態に関する真空処理装置１の、真空チャンバ１２の内部構成および周辺構成の例を示す断面図である。図２に例が示されるように、真空チャンバ１２の内部には、基板Ｗが上面に配置されるステージ４２と、Ｙ軸方向に移動可能であり、かつ、ステージ４２を下方から支持するスライダー４４と、真空チャンバ１２とは独立して外部固定部１４に固定されたベース４６と、ベース４６に固定され、かつ、Ｙ軸方向に延びるリニアガイド４８と、スライダー４４をリニアガイド４８に沿ってＹ軸方向に移動させるリニアモータ機構５０と、ステージ４２に形成された貫通孔（ここでは図示せず）を貫通して基板Ｗを支持するリフトピン５２Ａを有するリフトピン機構５２とを備える。
ステージ４２は、基板Ｗの加工面を上方に向けつつ、基板Ｗを保持する。ステージ４２の上面は、Ｘ軸方向に沿って凸形状（すなわち、Ｚ軸正方向に凸形状）に湾曲しており、当該上面に沿って基板Ｗを湾曲させて保持する。なお、ステージ４２の上面は、Ｘ軸方向に沿って凹形状（すなわち、Ｚ軸正方向に凹形状）に湾曲していてもよい。また、ステージ４２に保持される基板Ｗは、ステージ４２に保持されない状態（たとえば、ステージ４２に保持される前の乾燥工程などの影響を受けた状態）において湾曲していてもよいし、湾曲していなくてもよい。
また、ステージ４２は、基板Ｗが保持される位置の、Ｘ軸方向における両端部において、一対のクランプ４２Ｂを備える。クランプ４２Ｂは、ステージ４２の上面に配置される基板ＷのＸ軸方向における両端部を押さえることによって、基板Ｗをステージ４２の上面に保持する。なお、クランプは少なくとも一対あればよく、二対以上あってもよい。
ステージ４２を支持するスライダー４４がリニアモータ機構５０によってＹ軸方向に移動し、また、照射機構１８から照射される光がＸ軸方向に走査されることによって、平面視において基板Ｗの加工領域の全面を光によって走査することが可能となる。なお、リフトピン機構５２は、ベース４６に固定される。
リニアモータ機構５０は、真空チャンバ１２の側面に形成された開口部１２Ｂを介して、真空チャンバ１２の側方に位置する外部固定部１４に固定される。具体的には、リニアモータ機構５０は、開口部１２Ｂに溶接されるベローズ１６Ａの中を通る中空の柱状部材１４Ａの端部に固定される。この際、リニアモータ機構５０に接続される配線などは、柱状部材１４Ａの内部を通って真空チャンバ１２の外部に導出される。なお、外部固定部１４に含まれる柱状部材１４Ａは、外部固定部１４に含まれる外部部材１４Ｂに固定される。また、柱状部材１４Ａは、真空チャンバ１２の側面に接続されたベローズ１６Ａとは接触しない。
ベース４６は、真空チャンバ１２の底面に形成された開口部１２Ｃを介して、真空チャンバ１２の下方に位置する外部固定部１４に固定される。具体的には、ベース４６は、開口部１２Ｃに溶接されるベローズ１６Ｂの中を通る柱状部材１４Ｃの端部に固定される。なお、外部固定部１４に含まれる柱状部材１４Ｃは、外部固定部１４に含まれる外部部材１４Ｂに固定される。また、柱状部材１４Ｃは、真空チャンバ１２の底面に接続されたベローズ１６Ｂとは接触しない。
図２では、外部固定部１４は、真空チャンバ１２の側方および下方に渡って配置されるが、これらの位置における外部固定部１４が連続していることは必須ではなく、これらの位置に分散して設けられていてもよいし、いずれかの位置のみに設けられていてもよい。また、真空チャンバ１２は、ベローズ１６Ｂとは別にチャンバフレーム（図示せず）によって鉛直方向下方から支持されて固定されるが、当該チャンバフレームは、外部固定部１４とは独立して設けられる。
図３は、変形例としての真空処理装置の、真空チャンバ１１２の内部構成および周辺構成の例を示す断面図である。図３に例が示されるように、真空チャンバ１１２の内部には、ステージ４２と、スライダー４４と、真空チャンバ１１２とは独立して外部固定部１１４に固定されたベース４６と、リニアガイド４８と、スライダー４４をリニアガイド４８に沿ってＹ軸方向に移動させるリニアモータ機構１５０と、リフトピン機構５２とを備える。リニアモータ機構１５０は、柱状部材１４Ｄの端部に固定されるコイルモジュールと、コイルモジュールに対してＹ軸方向に移動可能なマグネットモジュールと、コイルモジュールに電流を流すための配線とを備える。
リニアモータ機構１５０は、真空チャンバ１１２の底面に形成された開口部１２Ｄを介して、真空チャンバ１１２の下方に位置する外部固定部１１４に固定される。具体的には、リニアモータ機構１５０は、開口部１２Ｄに溶接されるベローズ１６Ｃの中を通る中空の柱状部材１４Ｄの端部に固定される。この際、リニアモータ機構１５０に接続される配線などは、柱状部材１４Ｄの内部を通って真空チャンバ１１２の外部に導出される。なお、外部固定部１１４に含まれる柱状部材１４Ｄは、外部固定部１１４に含まれる外部部材１４Ｅに固定される。また、柱状部材１４Ｄは、真空チャンバ１１２の底面に接続されたベローズ１６Ｃとは接触しない。
ベース４６は、真空チャンバ１１２の底面に形成された開口部１２Ｃを介して、真空チャンバ１１２の下方に位置する外部固定部１１４に固定される。具体的には、ベース４６は、開口部１２Ｃに溶接されるベローズ１６Ｂの中を通る柱状部材１４Ｃの端部に固定される。なお、外部固定部１１４に含まれる柱状部材１４Ｃは、外部固定部１１４に含まれる外部部材１４Ｅに固定される。また、柱状部材１４Ｃは、真空チャンバ１１２の底面に接続されたベローズ１６Ｂとは接触しない。
図３では、外部固定部１１４は、真空チャンバ１１２の下方全体に渡って配置されるが、当該範囲に外部固定部１１４が連続していることは必須ではなく、分散して設けられていてもよいし、いずれかの位置のみに設けられていてもよい。また、真空チャンバ１１２は、ベローズ１６Ｂおよびベローズ１６Ｃとは別にチャンバフレーム（図示せず）によって鉛直方向下方から支持されて固定されるが、当該チャンバフレームは、外部固定部１１４とは独立して設けられる。
上記のような構成によれば、真空チャンバ１１２内が真空状態となって真空チャンバ１１２が縮むなどの変形が生じる場合であっても、柱状部材１４Ｄを介して外部部材１４Ｅに固定されているリニアモータ機構１５０の位置ずれは抑制される。
また、上記のような構成によれば、真空チャンバ１１２の側面にはベローズが接続されない。そのため、たとえば、真空チャンバ１１２の上面および側面と、真空チャンバ１１２の底面とを切り離し可能に構成すれば、真空チャンバ１１２の上面および側面を取り去り、かつ、真空チャンバ１１２の底面にベローズ１６Ｂおよびベローズ１６Ｃを接続した状態で、真空チャンバ１１２内に収容されるそれぞれの構成の配置調整などを容易に行うことができる。
また、ベース４６およびリニアモータ機構１５０は、図３においては別々のベローズ内における柱状部材を介して外部部材１４Ｅに固定されているが、これらが同一のベローズおよびその内部の同一または別々の柱状部材などを介して、同一または別々の外部部材に固定されてもよい。
図４、図５および図６は、基板Ｗがステージ４２に配置される際の動作の例を示す斜視図である。
図４、図５および図６に例が示されるように、ステージ４２には一対のクランプ４２Ｂが設けられている。それぞれのクランプ４２Ｂは、支持部１４２と、支持部１４２を中心にＹ軸回りに回動する板部１４４とを備える。クランプ４２Ｂは、Ｙ軸方向に延びて設けられる。
まず、図４に例が示されるように、図示しないロボットアームなどによって基板Ｗが真空チャンバ１２内のステージ４２の上方に配置される。次に、図５に例が示されるように、基板Ｗがステージ４２の上面に配置される。
次に、図６に例が示されるように、ステージ４２のＸ軸方向の両端部に設けられているクランプ４２Ｂが、支持部１４２を中心にして板部１４４を回動させ、ステージ４２のＸ軸方向の両端部において基板Ｗの端部を保持する。こうすることによって、基板Ｗがステージ４２の上面に沿って湾曲しつつ、ステージ４２の上面に保持される。
図７は、ステージに備えられるクランプの変形例を示す斜視図である。図７に例が示されるように、ステージ２４２には、複数のクランプ４２Ｃが設けられている。クランプ４２Ｃは、基板Ｗが保持される位置の、Ｘ軸方向における両端部において、それぞれ少なくとも１つ設けられている。図７においては、それぞれの端部で３つのクランプ４２ＣがＹ軸方向において互いに離間して設けられている。クランプ４２Ｃは、ステージ２４２の上面の法線軸回りに回動する。
クランプ４２Ｃが回動することによって、クランプ４２Ｃの爪部２４３が基板Ｗの端部に接触するか接触しないかを切り替えることができるため、基板Ｗの保持およびその解除を行うことができる。
図８は、変形例としての真空処理装置の、真空チャンバ１２の内部構成および周辺構成の例を示す断面図である。
図８に例が示される真空処理装置では、図２に示される場合とは異なり、基板Ｗに光を照射する照射機構１８Ａが、複数の照射部１８２、照射部１８４および照射部１８６を備えており、それぞれの照射部から照射される光の光軸１８２Ａ、光軸１８４Ａ、光軸１８６Ａが異なっている。
具体的には、照射部１８２から照射される光の光軸１８２Ａは、ステージ４２の湾曲する上面の法線方向に沿う。同様に、照射部１８４から照射される光の光軸１８４Ａは、ステージ４２の湾曲する上面の法線方向に沿う。同様に、照射部１８６から照射される光の光軸１８６Ａは、ステージ４２の湾曲する上面の法線方向に沿う。ステージ４２の上面の湾曲形状に合わせて光の光軸が設定されることによって、たとえば、基板Ｗの上面に形成された薄膜の除去精度を維持することができる。
なお、基板Ｗにおける光の照射分布の均一性を高めるために、それぞれの照射部から基板Ｗ（または、ステージ４２）の上面までの距離が等しくなるように、照射部１８２、照射部１８４および照射部１８６が配置されてもよい。
また、照射部１８２、照射部１８４および照射部１８６は、照射機構１８Ａに内蔵される光学系によって、１つの光源から分岐する光で実質的に実現されるものであってもよい。
＜以上に記載された実施の形態によって生じる効果について＞
次に、以上に記載された実施の形態によって生じる効果の例を示す。なお、以下の説明においては、以上に記載された実施の形態に例が示された具体的な構成に基づいて当該効果が記載されるが、同様の効果が生じる範囲で、本願明細書に例が示される他の具体的な構成と置き換えられてもよい。
以上に記載された実施の形態によれば、基板保持方法において、真空チャンバ１２（または、真空チャンバ１１２。以下では便宜上、これらのうちのいずれか１つを対応させて記載する場合がある）内において、第１の方向（たとえば、Ｘ軸方向）に沿って湾曲するステージ４２（または、ステージ２４２。以下では便宜上、これらのうちのいずれか１つを対応させて記載する場合がある）の上面に基板Ｗを配置する。そして、基板Ｗの、第１の方向における両端部を、ステージ４２の上面に設けられる一対のクランプ４２Ｂ（または、クランプ４２Ｃ。以下では便宜上、これらのうちのいずれか１つを対応させて記載する場合がある）を用いて保持する。
このような構成によれば、真空チャンバ１２内において、基板Ｗがステージ４２の上面に沿って湾曲しつつ、ステージ４２の上面に適切に保持される。
なお、特段の制限がない場合には、それぞれの処理が行われる順序は変更することができる。
また、上記の構成に本願明細書に例が示された他の構成を適宜追加した場合、すなわち、上記の構成としては言及されなかった本願明細書中の他の構成が適宜追加された場合であっても、同様の効果を生じさせることができる。
以上に記載された実施の形態によれば、基板保持装置は、真空チャンバ１２と、ステージ４２と、一対のクランプ４２Ｂとを備える。ステージ４２は、真空チャンバ１２内に設けられる。また、ステージ４２は、第１の方向に沿って湾曲する。クランプ４２Ｂは、ステージ４２の上面に設けられる。また、クランプ４２Ｂは、上面に配置される基板Ｗの、第１の方向における両端部を保持する。
このような構成によれば、真空チャンバ１２内において、基板Ｗがステージ４２の上面に沿って湾曲しつつ、ステージ４２の上面に適切に保持される。
なお、上記の構成に本願明細書に例が示された他の構成を適宜追加した場合、すなわち、上記の構成としては言及されなかった本願明細書中の他の構成が適宜追加された場合であっても、同様の効果を生じさせることができる。
また、以上に記載された実施の形態によれば、クランプ４２Ｂは、ステージ４２の上面において、第１の方向と交差する方向である第２の方向（たとえば、Ｙ軸方向）において延びて設けられる。このような構成によれば、クランプ４２Ｂによって基板Ｗの第１の方向における端部を全面的に保持することもできるため、基板Ｗの保持が安定する。
また、以上に記載された実施の形態によれば、クランプ４２Ｃは、ステージ２４２の上面において、第１の方向と交差する方向である第２の方向（たとえば、Ｙ軸方向）において複数に離間して設けられる。このような構成によれば、第２の方向に延びて設けられる場合に比べてクランプ４２Ｃの構成を小型化かつ軽量化することができる。
また、以上に記載された実施の形態によれば、基板Ｗの上面には、薄膜が形成される。そして、基板保持装置は、少なくとも１つの照射部（たとえば、照射部１８２、照射部１８４および照射部１８６）を備える。照射部１８２（または、照射部１８４、照射部１８６）は、真空チャンバ１２内に光を照射することによって、薄膜を部分的に除去する。このような構成によれば、真空チャンバ１２内において、基板Ｗの上面に形成された薄膜を照射部から照射される光を用いて除去することができる。
また、以上に記載された実施の形態によれば、照射部は複数設けられる。そして、それぞれの照射部（たとえば、照射部１８２、照射部１８４および照射部１８６）から照射される光の光軸は、ステージ４２の上面と直交する。このような構成によれば、それぞれの照射部から照射される光が、湾曲して保持されている基板Ｗの上面に対して直交して（すなわち、入射角が０度で）入射するため、それぞれの光の基板Ｗの上面における照射範囲が楕円形などに歪むことがない。よって、基板Ｗの上面に対して均一な光を照射することができる。
また、以上に記載された実施の形態によれば、それぞれの照射部（たとえば、照射部１８２、照射部１８４および照射部１８６）とステージ４２の上面との間の距離が等しい。このような構成によれば、光の焦点距離および強度を複数の照射部において統一的に制御することができるため、基板Ｗの上面に対して容易に均一な光を照射することができる。
＜以上に記載された実施の形態の変形例について＞
以上に記載された実施の形態では、それぞれの構成要素の材質、材料、寸法、形状、相対的配置関係または実施の条件などについても記載する場合があるが、これらはすべての局面においてひとつの例であって、限定的なものではないものとする。
したがって、例が示されていない無数の変形例、および、均等物が、本願明細書に開示される技術の範囲内において想定される。たとえば、少なくとも１つの構成要素を変形する場合、追加する場合または省略する場合が含まれるものとする。
また、以上に記載された実施の形態において、特に指定されずに材料名などが記載された場合は、矛盾が生じない限り、当該材料に他の添加物が含まれた、たとえば、合金などが含まれるものとする。
１ 真空処理装置
１２，１１２ 真空チャンバ
１２Ａ，１２Ｂ，１２Ｃ，１２Ｄ 開口部
１４，１１４ 外部固定部
１４Ａ，１４Ｃ，１４Ｄ 柱状部材
１４Ｂ，１４Ｅ 外部部材
１６Ａ，１６Ｂ，１６Ｃ ベローズ
１８，１８Ａ 照射機構
２０ 真空ポンプ
２２ 制御部
２４ 架台
４２，２４２ ステージ
４２Ｂ，４２Ｃ クランプ
４４ スライダー
４６ ベース
４８ リニアガイド
５０，１５０ リニアモータ機構
５２ リフトピン機構
５２Ａ リフトピン
１４２ 支持部
１４４ 板部
１８２，１８４，１８６ 照射部
１８２Ａ，１８４Ａ，１８６Ａ 光軸
２４３ 爪部

Claims (6)

  1. 真空チャンバ内において、少なくとも中央部が凸に湾曲されたステージの上面に基板を配置する工程と、
    前記基板の両端部を、前記ステージの前記上面に設けられる少なくとも一対のクランプを用いて保持する工程とを備え、
    前記基板の上面には、薄膜が形成されており、
    複数の照射部から前記真空チャンバ内に光を照射することによって、前記薄膜を部分的に除去する工程をさらに備え、
    それぞれの前記照射部から照射される前記光の光軸は、前記ステージの前記上面と直交し、
    それぞれの前記照射部と前記ステージの前記上面との間の距離が等しい、
    基板保持方法。
  2. 請求項１に記載の基板保持方法であり、
    前記基板を配置する工程は、前記真空チャンバ内において、第１の方向に沿って湾曲する前記ステージの前記上面に前記基板を配置する工程であり、
    前記基板の前記両端部を保持する工程は、前記基板の、前記第１の方向における前記両端部を、前記ステージの前記上面に設けられる前記少なくとも一対のクランプを用いて保持する工程である、
    基板保持方法。
  3. 真空チャンバと、
    前記真空チャンバ内に設けられ、かつ、少なくとも中央部が凸に湾曲するステージと、
    前記ステージの上面に設けられ、かつ、前記上面に配置される基板の両端部を保持するための少なくとも一対のクランプとを備え、
    前記基板の上面には、薄膜が形成されており、
    前記真空チャンバ内に光を照射することによって前記薄膜を部分的に除去する複数の照射部をさらに備え、
    それぞれの前記照射部から照射される前記光の光軸は、前記ステージの前記上面と直交し、
    それぞれの前記照射部と前記ステージの前記上面との間の距離が等しい、
    基板保持装置。
  4. 請求項３に記載の基板保持装置であり、
    前記ステージは、第１の方向に沿って湾曲し、
    前記少なくとも一対のクランプは、前記上面に配置される前記基板の、前記第１の方向における前記両端部を保持する、
    基板保持装置。
  5. 請求項４に記載の基板保持装置であり、
    前記クランプは、前記ステージの前記上面において、前記第１の方向と交差する方向である第２の方向において延びて設けられる、
    基板保持装置。
  6. 請求項４に記載の基板保持装置であり、
    前記クランプは、前記ステージの前記上面において、前記第１の方向と交差する方向である第２の方向において複数に離間して設けられる、
    基板保持装置。
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Citations (4)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2013168461A (ja) 2012-02-15 2013-08-29 Tokyo Electron Ltd 基板処理装置及び基板処理方法
JP2018101676A (ja) 2016-12-20 2018-06-28 東京応化工業株式会社 塗布装置、及び塗布方法
JP2020042116A (ja) 2018-09-07 2020-03-19 株式会社Ｊｏｌｅｄ 表示パネル製造装置および表示パネル製造方法
JP2020136480A (ja) 2019-02-19 2020-08-31 株式会社Ｓｃｒｅｅｎホールディングス 基板処理装置および基板処理方法

Family Cites Families (3)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP3112598B2 (ja) * 1993-04-13 2000-11-27 東京エレクトロン株式会社 減圧処理装置及び減圧処理方法
US5509464A (en) * 1993-07-30 1996-04-23 Applied Materials, Inc. Method and apparatus for cooling rectangular substrates
JP2016040805A (ja) 2014-08-13 2016-03-24 東京エレクトロン株式会社 基板処理方法、プログラム、コンピュータ記憶媒体及び基板処理装置

Patent Citations (4)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2013168461A (ja) 2012-02-15 2013-08-29 Tokyo Electron Ltd 基板処理装置及び基板処理方法
JP2018101676A (ja) 2016-12-20 2018-06-28 東京応化工業株式会社 塗布装置、及び塗布方法
JP2020042116A (ja) 2018-09-07 2020-03-19 株式会社Ｊｏｌｅｄ 表示パネル製造装置および表示パネル製造方法
JP2020136480A (ja) 2019-02-19 2020-08-31 株式会社Ｓｃｒｅｅｎホールディングス 基板処理装置および基板処理方法

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