JP3112598B2 - 減圧処理装置及び減圧処理方法 - Google Patents

Description

【発明の詳細な説明】

【０００１】

【産業上の利用分野】この発明は、例えば、半導体デバ
イス、液晶表示装置（ＬＣＤ）等の製造工程で用いられ
る減圧処理装置に関する。

【０００２】

【従来の技術】半導体デバイス、ＬＣＤ等の製造工程に
おいては、減圧雰囲気下で半導体ウエハやＬＣＤ基板に
エッチング、アッシング等の所定の処理を施す減圧処理
装置が使用されている。

【０００３】ここで、ＬＣＤ基板の表面にプラズマエッ
チングするエッチング装置について説明すると、ＬＣＤ
基板を搬送する搬送機構を備えた予備真空室と真空処理
室とに区画され、搬送機構によってＬＣＤ基板が予備真
空室から真空処理室に搬入され、この真空処理室におい
てエッチングが終了すると、搬送装置によって真空処理
室から搬出される。

【０００４】真空処理室にはＬＣＤ基板を載置する載置
台としての下部電極と上部電極が対向して設置され、下
部電極上にＬＣＤ基板が被処理面を上にして載置され
る。そして、真空処理室にプロセスガスを送り込み、上
部電極と下部電極との間に高周波を印加すると、放電が
起こり、プラズマが発生してＬＣＤ基板の被処理面にエ
ッチングされるようになっている。また、エッチング中
におけるＬＣＤ基板の温度上昇を抑えるため下部電極の
中にチラー液を流して温度コントロールし、基板と下部
電極の隙間に例えばＨｅ等のガスを流すことでＬＣＤ基
板の冷却効率を高める手段が設けられている。

【０００５】

【発明が解決しようとする課題】しかしながら、前述の
ように構成された従来の減圧処理装置は、真空処理室の
内部に設けられた下部電極の上面に、ＬＣＤ基板が被処
理面を上にして載置された状態でエッチングされる。つ
まり、ＬＣＤ基板は自重によって下部電極に接合された
状態にある。

【０００６】したがって、下部電極の上面とＬＣＤ基板
の裏面との間には僅かな隙間があり、この隙間からエッ
チング中におけるプロセスガスがＬＣＤ基板の裏面に回
り込み、ＬＣＤ基板の裏面にデボ物が付着する場合があ
る。また、ＬＣＤ基板が撓んでいる場合には隙間が大き
くなり、プロセスガスの回り込み量も多くなり、ＬＣＤ
基板の裏面に付着するデボ物の量も多くなる。

【０００７】すなわち、図９に示すように、エッチング
が完了したＬＣＤ基板１の裏面の周縁部２には円弧縞状
のデボ物３が付着する。このデボ物３はＬＣＤ基板１の
周縁部２から略均等にプロセスガスがＬＣＤ基板１の裏
面に回り込んだ例であり、このデボ物３によってＬＣＤ
基板１の透明度が損なわれるという問題がある。

【０００８】この発明は、前記事情に着目してなされた
もので、その目的とするところは、処理中におけるプロ
セスガスが被処理物の裏面に回り込むことなく、被処理
物の裏面にデボ物が付着するのを防止することができる
減圧処理装置を提供することにある。

【０００９】

【課題を解決するための手段】この発明は、前述した目
的を達成するために、真空処理室に設けられた載置台に
被処理物であるＬＣＤ基板を載置し、減圧雰囲気下で前
記ＬＣＤ基板に所定の処理を施す減圧処理装置におい
て、前記ＬＣＤ基板の周縁部に載置され、前記ＬＣＤ基
板を前記載置台に押え付ける押え部材と、この押え部材
に押え付け力を付加する錘を前記真空処理室の下方の大
気中に設け、処理中に前記ＬＣＤ基板を前記押え部材で
前記載置台に押え付けることにより、処理中における処
理ガスが前記ＬＣＤ基板の裏面に回り込むことを防止し
たことを特徴とする。請求項２は、請求項１の真空処理
室の下方の大気中には、押え部材と錘とを昇降させるた
めの昇降手段が設けられていることを特徴とする。請求
項３は、請求項１または２の前記押え部材は、ＬＣＤ基
板の周縁部の全周に載置される枠状体で形成されている
ことを特徴とする。請求項４は、真空処理室に設けられ
た載置台に被処理物であるＬＣＤ基板を載置し、減圧雰
囲気下で前記ＬＣＤ基板に所定の処理を施す減圧処理方
法において、前記真空処理室の下方の大気中に錘を設
け、この錘によって押え部材に押し付け力を付加し、処
理中に前記押え部材により前記ＬＣＤ基板を前記載置台
に押え付け、処理中における処理ガスが前記ＬＣＤ基板
の裏面に回り込むことを防止することを特徴とする。

【００１０】

【００１１】

【００１２】

【作用】請求項１、２、４によれば、ＬＣＤ基板が載置
台に載置されると、ＬＣＤ基板の周縁部は押え付け力を
付加する錘を有した押え部材によって載置台に押え付け
られ、処理中における処理ガスが前記ＬＣＤ基板の裏面
に回り込むことを防止できる。しかも、錘は、真空処理
室の下方の大気中に設けられているため、真空処理室を
小型化できる。請求項３によれば、さらにＬＣＤ基板の
周縁部の全周を均一に押え付けることができる。

【００１３】

【実施例】以下、この発明を、ＬＣＤ基板のプラズマエ
ッチング装置に適用した実施例を図面に基づいて説明す
る。図１はプラズマエッチング装置の要部の縦断正面図
で、図２はその平面図である。

【００１４】基台１１は平板状プレートによって形成さ
れ、この基台１１の中央部には開口部１２が設けられて
いる。基台１１の上面の左右両側部には一対のバッフル
プレート１３が対称的に設けられている。これらバッフ
ルプレート１３の内側には基台１１の上面に対して複数
枚のスペーサ１４が重合した状態で載置されており、こ
れは複数本のボルト１５によって基台１１に対して固定
されている。

【００１５】前記スペーサ１４は基台１１の開口部１２
と同一形状の開口部１６を有して全体が枠状に形成さ
れ、このスペーサ１４の上部には前記開口部１６を閉塞
するように下部電極ベース１７が載置され、この下部電
極ベース１７は複数本のボルト１８によってスペーサ１
４に固定されている。

【００１６】下部電極ベース１７の上面には載置台とし
ての矩形状の下部電極１９が設けられている。この下部
電極１９の外周縁部は基準面より低い段差部１９ａに形
成され、この段差部１９ａが複数本のボルト２０によっ
て下部電極ベース１７に着脱可能に固定されている。さ
らに、段差部１９ａにはボルト２０の頭部を覆う押え枠
２１が重合され、これは前記下部電極ベース１７にボル
ト２２によって固定されている。

【００１７】したがって、下部部電極１９は基台１１よ
り高い位置に水平状態に設置されており、この下部電極
１９の上面に被処理物としてのＬＣＤ基板２３が載置さ
れる。下部電極１９の周囲は基台１１に固定された囲い
壁２４によって囲繞され、真空状態に減圧される真空処
理室２５が構成され、この真空処理室２５の内部には下
部電極１９に対向する上部電極（図示しない）が設置さ
れている。

【００１８】また、前記下部電極ベース１７と下部電極
１９との間には下部電極１９に載置されるＬＣＤ基板２
３の温度上昇を抑える後述する冷却機構が設けられてお
り、下部電極ベース１７の下面中央部には冷却機構を構
成する冷却ガス通路２６が設けられている。この冷却ガ
ス通路２６はジョイント２７を介してガス配管２８に接
続され、このガス配管２８はＨｅ等の冷却ガス供給源
（図示しない）に接続されている。

【００１９】さらに、下部電極ベース１７の下面におけ
る四隅部にはそれぞれリニアガイド筒２９（１個のみ図
示）が垂直方向に取付けられ、このリニアガイド筒２９
にはリフタピン３０が垂直方向にスライド自在に挿入さ
れている。このリフタピン３０の上端部は下部電極ベー
ス１７および下部電極１９を貫通する貫通孔３１にスラ
イド自在に挿通されている。そして、リフタピン３０は
下部電極１９の上面から突没自在で、４本のリフタピン
３０によってＬＣＤ基板２３の四隅を支持して昇降でき
るようになっている。

【００２０】４本のリフタピン３０の下端部は連結ロッ
ド３２を介して下方へ突出しており、これら連結ロッド
３２は基台１１の下方に水平状態に支持された共通のリ
フタピンベース３３に固定されている。リフタピンベー
ス３３の下方にはシリンダベース３４が設けられてお
り、このシリンダベース３４には前記リフタピンベース
３３を昇降する第１のエアシリンダ３５が固定されてい
る。

【００２１】さらに、リフタピンベース３３には下方へ
突出する複数本のガイドピン３６（１個のみ図示）が固
定され、これらカイドピン３６はシリンダベース３４に
設けられたガイドパイプ３７に垂直方向にスライド自在
に挿入されている。

【００２２】そして、１台の第１のエアシリンダ３５の
駆動によりリフタピンベース３３を介して４本のリフタ
ピン３０が同時に昇降するようになっており、リフタピ
ンベース３３の傾きはガイドピン３６とガイドパイプ３
７によって規制されている。

【００２３】また、前記下部電極１９の上部にはＬＣＤ
基板２３を下部電極１９の上面に押え付けるための押え
部材４０が設けられている。この押え部材４０は図３お
よび図４に示すように、セラミックによって矩形枠状に
形成された押え部材本体４１と、この押え部材本体４１
に対して着脱交換可能でセラミックによって矩形枠状に
形成されたアダプタ４２とから構成されている。

【００２４】すなわち、押え部材本体４１はＬＣＤ基板
２３よりやや大きい開口を有しており、この開口縁にお
ける下面には切欠凹部４３が形成され、この切欠凹部４
３に前記アダプタ４２が嵌合され、アダプタ４２は複数
本の取付けねじ４４によって押え部材本体４１に着脱可
能に締付け固定されている。

【００２５】このアダプタ４２の開口はＬＣＤ基板２３
よりやや小さく、ＬＣＤ基板２３の上面に押え部材４０
を載置したとき、ＬＣＤ基板２３の周縁部の全周にアダ
プタ４２が重合されるようになっており、重合幅はこの
実施例においては約３ｍｍに設定されている。

【００２６】押え部材４０の四隅部には外側へ突出する
突出片４５が一体に設けられ、これら突出片４５には押
え部材４０の下方へ突出する昇降ロッド４６（１本のみ
図示）が設けられている。これら昇降ロッド４６は基台
１１に穿設された通孔４７を貫通してさらに下方へ延長
しており、この下端部にはロッド連結部材４８を介して
スライドシャフト４９が同軸的に連結されている。

【００２７】昇降ロッド４６の下端部およびロッド連結
部材４８は基台１１の下部に固定された円筒状のガイド
ホルダ５０によって囲繞されており、このガイドホルダ
５０の内部には昇降ロッド４６の周囲を覆うベローズ５
１が設けられている。すなわち、ベローズ５１によって
前記真空処理室２５と連通する真空雰囲気と大気とを遮
断している。

【００２８】ガイドホルダ５０の下端部にはスライドシ
ャフト４９をスライド自在に案内するリニアガイドパイ
プ５２が設けられている。さらに、スライドシャフト４
９の中途部は昇降プレート５４を貫通して昇降プレート
５４の下方へ突出している。この昇降プレート５４の上
部に位置するスライドシャフト４９にはストッパ５５が
固定されている。このストッパ５５は昇降プレート５４
が最下降位置にあるとき、昇降プレート５４の上面より
上方に位置し、この間にギャップ５６が形成され、昇降
プレート５４が上昇したときストッパ５５に当接してス
ライドシャフト４９に押上げ力が伝達されるように構成
されている。

【００２９】さらに、スライドシャフト４９の下端部に
は円盤状の複数個の錘５７が交換可能に嵌合され、この
錘５７はスライドシャフト４９の下端部に螺合されたナ
ット５８によって支持されている。したがって、この錘
５７の荷重によって前記押え部材４０に下方への押付け
力、つまりＬＣＤ基板２３に対する押え力を付加してい
る。

【００３０】また、昇降プレート５４の中央部には前記
シリンダベース３４に固定された第２のエアシリンダ５
９が連結されており、この第２のエアシリンダ５９によ
って昇降プレート５４が昇降駆動されるようになってい
る。さらに、昇降プレート５４には下方へ突出する複数
本のガイドピン５０（１個のみ図示）が固定され、これ
らカイドピン６０はシリンダベース３４に設けられたガ
イドパイプ６１に垂直方向にスライド自在に挿入されて
いる。

【００３１】そして、１台の第２のエアシリンダ５９の
駆動により昇降プレート５４を介して４本のスライドシ
ャフト４９および昇降ロッド４６が同時に昇降され、押
え部材４０を昇降するようになっており、昇降プレート
５４の傾きはガイドピン６０とガイドパイプ６１によっ
て規制されている。

【００３２】次に、前記下部電極ベース１７に設けら
れ、下部電極１９に載置されるＬＣＤ基板２３の温度上
昇を抑える冷却機構について図５〜図７に基づいて説明
する。下部電極１９の下面、つまり下部電極ベース１７
の上面に接合される面には矩形環状のＯリング溝６３が
設けられている。

【００３３】このＯリング溝６３によって囲まれる下部
電極１９の下面には複数本のガス流通溝６４が等間隔に
形成され、これらガス流通溝６４は連通溝６５によって
連通している。連通溝６５は下部電極１９の中央部に設
けられた分配溝６６に連通しており、この分配溝６６は
下部電極ベース１７の中央部に設けられた冷却ガス通路
２６と連通している。

【００３４】ガス流通溝６４および連通溝６５には多数
のノズル６７が等間隔に穿設されている。これらノズル
６７は下部が大径部６７ａに、上部が小径部６７ｂに形
成され、この小径部６７ｂが下部電極１９の上面に開口
しており、下部電極１９の上面に載置されたＬＣＤ基板
２３と下部電極１９の間に冷却ガスを充填できるように
なっている。

【００３５】次に、前述のように構成されたプラズマエ
ッチング装置の作用について説明する。真空処理室２５
の内部にはプロセスガスが供給されているとともに、真
空ポンプによって減圧されている。まず、第２のエアシ
リンダ５９が駆動して昇降プレート５４が上昇すると、
昇降プレート５４の上面がスライドシャフト４９のスト
ッパ５５に当接し、４本のスライドシャフト４９が同時
に上昇する。

【００３６】スライドシャフト４９の上昇によって昇降
ロッド４６が一体に上昇し、これら４本の昇降ロッド４
６に支持された押え部材４０は水平状態を保ちながら上
昇し、最上昇位置で待機する。

【００３７】また、第１のエアシリンダ３５が駆動して
リフタピンベース３３が上昇すると、連結ロッド３２を
介して４本のリフタピン３０が上昇し、上端部が下部電
極１９の上面より突出して待機する。

【００３８】この状態で、ＬＣＤ基板２３が搬送アーム
（図示しない）によって把持されて真空処理室２５に搬
入されると、ＬＣＤ基板２３の四隅の下面が前記リフタ
ピン３０によって支持され、ＬＣＤ基板２３は下部電極
１９から浮いた状態に保持される。

【００３９】ＬＣＤ基板２３の搬入が完了すると、搬送
アームは真空処理室２５から退避し、第１のエアシリン
ダ３５が駆動してリフタピンベース３３が下降すると、
連結ロッド３２を介して４本のリフタピン３０が下降
し、上端部が下部電極１９の上面より没入する。したが
って、ＬＣＤ基板２３は下部電極１９の上面に被処理面
を上にして載置される。

【００４０】次に、第２のエアシリンダ５９が駆動して
昇降プレート５４が下降すると、昇降プレート５４はそ
の上面でストッパ５５を支持しながら下降し、スライド
シャフト４９とともに昇降ロッド４６が一体に下降す
る。したがって、押え部材４０が水平状態を保ちながら
下降する。

【００４１】第２のエアシリンダ５９によって昇降プレ
ート５４がさらに下降すると、押え部材４０はＬＣＤ基
板２３の上面に載置される。押え部材４０がＬＣＤ基板
２３の上面に載置されると、昇降ロッド４６およびスラ
イドシャフト４９の下降は止まるが、昇降プレート５４
はさらに下降するため、昇降プレート５４の上面はスト
ッパ５５から離れてギャップ５６ができる。

【００４２】したがって、スライドシャフト４９は昇降
プレート５４とはフリーの状態となり、錘５７の荷重が
スライドロッド４９および昇降ロッド４６を介して押え
部材４０に均一に加わり、押え部材４０によってＬＣＤ
基板２３が下部電極１９に押え付けられる。

【００４３】押え部材４０は、矩形枠状に形成された押
え部材本体４１の内側にアダプタ４２が設けられてお
り、このアダプタ４２の開口はＬＣＤ基板２３よりやや
小さく形成されているため、ＬＣＤ基板２３の周縁部の
全周がアダプタ４２に重合される。つまり、ＬＣＤ基板
２３の周縁部が均一に下部電極１９に押え付けられる。

【００４４】この状態で、冷却ガス供給源からＨｅ等の
冷却ガスを供給すると、ガス配管２８を介して冷却ガス
通路２６から下部電極１０の分配溝６６に冷却ガスが導
入され、連通溝６５およびガス流通路６４を介して多数
のノズル６７に導かれ、冷却ガスはノズル６７から下部
電極１９の上面とＬＣＤ基板２３の裏面との間に充填さ
れる。

【００４５】一方、上部電極と下部電極１９との間に高
周波を印加すると、放電が起こり、プラズマが発生して
ＬＣＤ基板２３の被処理面がプラズマエッチングされ
る。エッチング中、つまり放電が開始すると、ＬＣＤ基
板２３が温度上昇するが、ＬＣＤ基板２３はチラー液を
循環することにより、例えば２０℃に調温されている下
部電極１９のノズル６７からＬＣＤ基板２３と下部電極
１９との間に充填された冷却ガスにより効率よく熱が下
部電極１９に逃げることによりＬＣＤ基板２３の温度上
昇を抑えることができる。

【００４６】このようにＬＣＤ基板２３は押え部材４０
によって下部電極１９に押え付けられ、さらにＬＣＤ基
板２３の裏面に冷却ガスが供給されるため、プロセスガ
スがＬＣＤ基板２３の周縁部からその裏面側に回り込む
ことはなく、ＬＣＤ基板２３の被処理面のみをプラズマ
エッチングできる。

【００４７】また、ＬＣＤ基板２３の周縁部が押え部材
４０によって下部電極１９に押え付けられ、さらにＬＣ
Ｄ基板２３の裏面に冷却ガスが供給されるため、ＬＣＤ
基板２３と下部電極１９との間の隙間に冷却ガスが充填
された状態となり、ＬＣＤ基板２３と下部電極１９との
間の熱伝達率を向上させることができ、かつ均一な冷却
を実現できる。

【００４８】上部電極と下部電極１９との間に印加して
いた高周波を停止し、プラズマエッチングが終了する
と、冷却ガスの供給も停止する。そして、第２のエアシ
リンダ５９が駆動し、前述と同様な動作によって押え部
材４０が上昇してＬＣＤ基板２３から離れる。また、第
１のエアシリンダ３５が駆動し、４本のリフタピン３０
が上昇してＬＣＤ基板２３を下部電極１９から浮上させ
る。この状態で、プラズマエッチングが終了したＬＣＤ
基板２３は搬送アームによって把持されて真空処理室２
５から搬出される。

【００４９】なお、前記一実施例においては、押え部材
４０を矩形枠状に形成し、ＬＣＤ基板２３の周縁部の全
周を均一に押え付けるようにしたが、帯状の２枚の板状
体によってＬＣＤ基板２３の左右両側縁部のみを下部電
極１９に押え付けるようにしてもよく、ＬＣＤ基板２３
の四隅部を押え付けるようにしてもよい。

【００５０】このようにＬＣＤ基板２３の一部を押え付
けるような押え部材を設けた場合、押え部材によって押
え付けられないＬＣＤ基板２３の周縁部は下部電極１９
との間に隙間ができやすく、この隙間からプロセスガス
が回り込みやすいが、前述した実施例のように、ＬＣＤ
基板２３の裏面に冷却ガスが供給され、冷却ガスがＬＣ
Ｄ基板２３の周縁部から外側へ噴出されているためプロ
セスガスがＬＣＤ基板２３の周縁部からその裏面側に回
り込むのを防止できる。

【００５１】なお、押え部材４０に錘５７を設け、錘５
７の荷重によってＬＣＤ基板２３の押し付け力を付加さ
せているため、錘５７を交換することにより、任意の荷
重に調整でき、また錘５７を設けることに限定されず、
押え部材４０の自重だけで押え付けるようにしてもよ
い。

【００５２】また、ＬＣＤ基板２３の左右両側縁部を押
え部材によって下部電極１９に押え付け、さらにＬＣＤ
基板２３の裏面に冷却ガスを供給すると、冷却ガスの圧
力によってＬＣＤ基板２３が僅かに撓み、この撓みによ
って温度分布が不均衡になることも考えられる。

【００５３】しかし、図８に示す変形例のように、下部
電極７０の上面を曲面に加工し、この下部電極７０の曲
面にＬＣＤ基板２３を載置し、押え部材７１によってＬ
ＣＤ基板２３を下部電極７０に押え付けることによっ
て、ＬＣＤ基板２３にプリロードをかけることができ
る。プリロードの曲面形状は、材料力学の両端固定ばり
に等分布荷重（プリロードに相当する）をかけた際に得
られる撓み曲線を用いればよい。

【００５４】このようにプリロードをかけることによっ
て下部電極７０の上面にＬＣＤ基板２３が密着し、冷却
ガスの圧力を上げても下部電極７０とＬＣＤ基板２３と
の間の隙間を十分に狭く保つことができ、熱伝達効率を
向上させ、冷却効率が向上するという効果がある。ま
た、前記一実施例においては、ＬＣＤ基板のプラズマエ
ッチングについて説明したが、プラズマアッシングにも
適用できる。

【００５５】

【発明の効果】以上説明したように、請求項１、２、４
によれば、被処理物の周縁部を載置台に対して押え付け
る押え部材に錘を設け、押え付け力を付加することによ
り、処理中におけるプロセスガスがＬＣＤ基板の裏面に
回り込むことはなく、ＬＣＤ基板の裏面にデボ物の付着
を防止できる。しかも、錘は、真空処理室の下方の大気
中に設けられているため、真空処理室を小型化できる。
請求項３によれば、ＬＣＤ基板の周縁部の全周を均一に
押え付けることができる。

【００５６】

【図面の簡単な説明】

【図１】この発明の一実施例を示すプラズマエッチング
装置の要部の縦断側面図。

【図２】図１の平面図。

【図３】同実施例の押え部材の平面図。

【図４】図３のＡ部を拡大して示す縦断側面図。

【図５】同実施例の下部電極の下面図。

【図６】同実施例の下部電極ベースと下部電極の縦断側
面図。

【図７】図６のＢ部を拡大して示す縦断側面図。

【図８】この発明の下部電極の変形例を示す側面図。

【図９】ＬＣＤ基板の裏面に生じたデボ物の説明図。

【符号の説明】

１７…下部電極ベース １９…下部電極（載置台） ２５…真空処理室 ２３…ＬＣＤ基板（被処理物） ４０…押え部材 ５７…錘

───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (56)参考文献 特開 昭63−100732（ＪＰ，Ａ) 特開 平５−13370（ＪＰ，Ａ) 特開 昭60−195938（ＪＰ，Ａ) 特開 平１−189125（ＪＰ，Ａ) 特開 昭63−219137（ＪＰ，Ａ) (58)調査した分野(Int.Cl.⁷，ＤＢ名) H01L 21/3065 H01L 21/68

Claims (4)

(57)【特許請求の範囲】
1. 【請求項１】 真空処理室に設けられた載置台に被処理
   物であるＬＣＤ基板を載置し、減圧雰囲気下で前記ＬＣ
   Ｄ基板に所定の処理を施す減圧処理装置において、 前記ＬＣＤ基板の周縁部に載置され、前記ＬＣＤ基板を
   前記載置台に押え付ける押え部材と、この押え部材に押
   え付け力を付加する錘を前記真空処理室の下方の大気中
   に設け、処理中に前記ＬＣＤ基板を前記押え部材で前記
   載置台に押え付けることにより、処理中における処理ガ
   スが前記ＬＣＤ基板の裏面に回り込むことを防止したこ
   とを特徴とする減圧処理装置。
2. 【請求項２】 真空処理室の下方の大気中には、押え部
   材と錘とを昇降させるための昇降手段が設けられている
   ことを特徴とする請求項１記載の減圧処理装置。
3. 【請求項３】 前記押え部材は、ＬＣＤ基板の周縁部の
   全周に載置される枠状体で形成されていることを特徴と
   する請求項１または２に記載の減圧処理装置。
4. 【請求項４】 真空処理室に設けられた載置台に被処理
   物であるＬＣＤ基板を載置し、減圧雰囲気下で前記ＬＣ
   Ｄ基板に所定の処理を施す減圧処理方法において、 前記真空処理室の下方の大気中に錘を設け、この錘によ
   って押え部材に押し付け力を付加し、処理中に前記押え
   部材により前記ＬＣＤ基板を前記載置台に押え付け、処
   理中における処理ガスが前記ＬＣＤ基板の裏面に回り込
   むことを防止することを特徴とする減圧処理方法。